JPS61271687A - 磁気バブルカセツト装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気バブルを記憶媒体として利用するメモリ
デバイスにおいて、情報の読みだし書込み（Ｒ／Ｗ）操
作にかかわる書込み保護をなす手段に係るバブルカセッ
ト装置に関する。

第４図は基本的メモリ機能を具えるデバイスを集積化す
る概略回路構成図である。

情報記憶用の複数個のマイナループｍ、バブル発生器Ｇ
の情報バブルを前記マイナループｍへ書込む転送路Ｗ、
また前記マイナループの書込み情報バブルを読みだすバ
ブル検出器Ｏへ送る読みだしバブル情報の転送路り、ま
た前記マイナループｍへの書込み情報バブルのスワップ
ゲート制′ａ２並びに読みだし情報バブルのりブリケー
トゲート制御を行うｎ個の基本的メモリブロック＃１．
ｔ＄２゜−・−＃ｎをカード（基板）又はカセット搭載
の単基板１０に構成する複数群のブロックに対して、こ
れを共通するＸとＹコイルに収容したバブルカセット装
置である。

次に前記カセット装置の動作概要を説明する。

基板１０に搭載される複数群ブロック＃１．＃２．・−
・・＃ｎそれぞれのマイナループ転送路ｍは２周期的回
転磁界を発生する共通のＸとＹコイルで駆動される。然
し、それぞれのメモリブロックは別個の読みだし転送路
Ｌ（ブロックリプリケータＲ，、Ｒ２、・・−・−Ｒｎ
により読みだし制御される）に情報バブルの読みだし、
あるいは別個の書込み転送路Ｗ（スワップゲー）　５Ｉ
ｌｓ２１　’−−−−−・−・Ｓｎにより書込み制御さ
れる）に情報バブルの書込みがされる。

ところが、記憶容量の増大化を図る前記第４図で説明し
た複数群メモリデバイスでは、随時、任意指定の基本構
成ブロックに書込み保護をなす新しい手段が必要となる
。

〔従来の技術と発明が解決しようとする問題点〕従来、
バブルカセット装置はカードあるいはカセット基板に前
記基本構成ブロックの一個もしくは複数個を基板上に収
容していた為、書込みデータの保護（先行して記録され
たデータの保存）に際し、それぞれブロックへのアクセ
スに対応して。

カセット筐体面に書込み保護のための禁止マークを付け
るか書込み禁止スイッチを設けるとかして行っていた。

然し乍ら、前記複数群のメモリバイス中がら。

必要なとき任意のブロックに対して書込み（Ｗ）禁止を
付与して更新によるデータの抹消保護をなし、他のブロ
ックにたいしては書込みデータの更新をなす等、随時２
選択的にきめ細かく記憶データの更新がされる必要があ
る。

〔問題点を解決するための手段〕

前記複数群メモリデバイスの任意デバイスに対する書込
み保護をきめ細かく行う目的のため、基板上に、少なく
とも情報記憶用の複数のマイナループと５バブル発生器
よりの情報バブルを前記マイナループへ書込みをなす転
送路、前記マイナループ書込み情報バブルをバブル検出
器へ送る読みだし情報バブルの転送路、からなる基本構
成ブロックの複数を基板上に配置せしめてなり、且つこ
れら複数ブロックメモリ群を共通のＸとＹコイルによっ
て駆動するブロックデバイスにおいて。

前記基本構成ブロック毎に書込みまたは書込み禁止を指
定する手段と、書込み命令が与えられたさいに書込み禁
止の指定信号を検出する手段を具える本発明によるカセ
ット装置の書込み保護を行うものである。

〔作　用〕

基本的メモリ機能の複数群を同一カードあるいは同一カ
セット基板に搭載させたメモリデバイスに対して、随時
、書込み指定または書込み禁止指定をスイッチ操作で行
うもので、スイッチ切換えは書込み指定のスイッチ端子
では接地（Ｌ）レベル、他方の書込み禁止指定のスイッ
チ端子では電？Ｉ　Ｖｃｃ　（Ｈ）レベル、のそれぞれ
レベルとデコーダのセレクト信号レベルとの第２図ＡＮ
Ｄ和回路で検出するようにされるものである。但し、デ
ータ書込み時における指定のメモリブロックへのセレク
ト信号レベルはＨレベルで行うものとする。

〔実施例〕

以下１図面を参照して本発明の詳細な説明する。

第１図は複数メモリブロック＃１．゛〜＃ｎを制御する
本発明のメモリカセソＩ−ＭＩＸ動手段を説明する回路
ブロック図、第２図は書込み禁止の検出回路実施例図、
第３図は書込み禁止スイッチを配設するカセット斜視図
である。

第１図回路ブロック図において、共通駆動用ＸとＹコイ
ルにより　ｎ−４のブロックを収容する基板１０には、
任意デバイスに対して書込み又は書込み禁止指定のスイ
ッチ１１；　　Ｓｌ、Ｓ２・−・Ｓ４が設けられる。ス
イッチ１１の両側端子は、それぞれメモリ駆動用のＶｃ
ｃ電源及び接地側に接続される。

第１図回路ブロック中、前記複数群メモリブロック搭載
基板１０と、スイッチ１１を除いた以下説明の実施例回
路は、カセットホルダ１９側に設けである。基板ＩＯ側
の複数ブロック群＃ｎは、コネクタを経てホストシステ
ム側に接続される。

複数群メモリブロック＃１．＃２．・−・・−・＃ｎの
それぞれに対応して直接周辺回路１８が設けられ、バブ
ル駆動用ファンクションドライバ回路１例えばスワップ
回路ドライバ、リプリケータ回路ドライバ。

及び情報バブルのセンスアンプが収められる。

複数の直接周辺回路１８はバブルコントローラ１５より
の信号でアクセス選択制御される。これはホストシステ
ム１４の書込み命令によりコントローラ１５が指定する
ページアドレスに該当するメモリブロック番号を算出す
る。該ブロック番号算出は。

信号線２５よりの信号を解読するデコーダ１６で行われ
、その結果をメモリブロック選択信号線１２により対象
とする直接周辺回路１８の何れか回路に対してのみＨレ
ベルが付与され、他の直接周辺回路１８に対してはＬレ
ベルとする制御がされる。

メモリブロック選択信号１２は選択対象とする直接周辺
回路を選択すると共に書込み禁止検出回路１３にも印加
される。

書込み禁止回路１３はメモリブロック選択信号１２と、
メモリブロック別書込み禁止を設定出来るように設けた
バブルカセット２０のスイッチ１１のＯＮ、ＯＦＦの状
態に応じて、バブルカセット２０から出力される書込み
禁止設定信号線２７とを比較し、書込み禁止ならば書込
み禁止信号線２６をＨレベルにする。

これによりバブルコントローラ１５は９選択したいメモ
リブロックが書込み禁止状態にあることを検出しホスト
システム１４にたいして、書込み命令が無効であること
を知らせる。

一方９選択したメモリブロックが書込み禁止状態でない
場合は、書込み禁止回路１３は書込み禁止信号線２６を
Ｌレベルとされ、バブルコントローラ１５は選択したメ
モリブロックが書込み禁止でないことを検出し、ＸとＹ
コイル駆動回路２１に制御信号を出力すると共に、メモ
リブロック選択信号１２により選択して直接周辺回路１
８の一つに対して情報バブル書込み制御信号を出力する
。

コイル駆動回路２１は、バブルコントローラ１５よりの
制御信号によりバブルカセット２０内のメモリデバイス
駆動のＸとＹコイルに電流を流し、バブル回転磁界を発
生させる。

選択された直接周辺回路１日の一つは、バブルコントロ
ーラ１５よりのバブル書込み制御信号により。

選択されたメモリブロック（＃１．＃２．−・・＃ｎ）
へ書込みゲートに電流を流し情報バブルをゼネレート及
びスワツプして該ブロックのバブルデータを書き換える
。

第２図はＡＮＤ和論理構成回路１図中、・−で囲む書込
み禁止検出回路１３実施例図で、四メモリブロック＃１
．＃２．−・＃４を駆動する回路例である。

前記の如く書込み動作時における直接周辺回路１８は該
当するメモリブロック選択信号１２のレベルが１ルベル
か、もしくはＬレベルかにより選択もしくば非選択が決
定されることから、該信号レベルを含むメモリブロック
選択信号線１２と、スイッチ１１で指定する書込み禁止
設定信号′ａ２７とをＡＮＤ回路３１〜３４を介してそ
の出力をＯＲ回路２３へ入力し。

その和出力２６のＨレベルもしくはＬレベル出力をコン
トローラ１５の書込み禁止信号端子に入力せしめる。

第２図に従って１例えば＃１．＃３と＃４の三個のメモ
リブロックを書込み可、＃２ブロックを書込み禁止とな
す例を次に記す。

Ｌレベル出力をコントローラの書込み禁止信号端子に入
力せしめる。

この場合、書込み可又は書込み禁止を選択指定するＳ２
スイツチをＯＦＦ　（Ｉ（レベル、　Ｖｃｃ２４のレベ
ル）またＳＬ、５３と３４のスイッチをＯＮとして、＃
２のＡＮＯ回路３２出力のみが１ルベルとなりブロック
＃２は書込み禁止となる。

第３図は第２図に例示せる書込み可又は書込み禁止を選
択指定する四個スイッチを携帯に便利なバブルメモリカ
セットに適用した一実施例図を示す斜視図である。

カセット２８の前側筐体面にスライドスイッチ１１が図
示の如く配列される。図示スイッチは＃１と＃３メモリ
ブロックに対して書込み禁止（ＷＰ）が指定されている
。

カセット２８とカセットホルダ１９は詳細に図示されな
いがマルチピンコネクタを介してホルダ１９例の直接周
辺回路１８．バブルコントローラ１５．及び書込み禁止
検出回路１３等へ電気的に接続される。

〔発明の効果〕

以上説明した本発明の書込み保護回路は、複数群メモリ
デバイスを内蔵してなるバブルカセット装置に対して、
随時、任意メモリブロックに対して記憶データの保護が
簡易な手段でなされることからバブルメモリの汎用性が
さらに高めめられ。

またデバイスの信頼性も高まることになる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のメモリカセット駆動手段を説明する回
路ブロック図。 第２図は書込み禁止を検出する実施例回路図。 第３図は筐体に書込み禁止スイッチ配設のカセット斜視
図。 第４図はメモリデバイスの概略回路構成図図中、１０は
基板、１１は書込み禁止指定スイッチ。 １３は書込み禁止検出回路。 ２８はカセット。 ＃　Ｉ　、　＃　２．−＝＃　ｎは基本構成ブロック。 ＳＬ、Ｓ２．Ｓ３と８４はスイッチである。 李公み禁止按七ｇ距 革２回

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 少なくとも情報記憶用の複数のマイナループと、バブル
   発生器よりの情報バブルを前記マイナループへ書込みを
   なす転送路、前記マイナループ書込み情報バブルをバブ
   ル検出器へ送る読みだし情報バブルの転送路、からなる
   基本構成ブロックの複数を基板上に配置せしめてなり、 前記複数の基本構成ブロックに対して共通のＸとＹコイ
   ルによって駆動されるバブルデバイスにおいて、 前記基本構成ブロック毎に書込みまたは書込み禁止を指
   定する手段と、書込み命令が与えられたさいに書込み禁
   止の指定信号を検出する手段を具備することを特徴とす
   る磁気バブルカセット装置