JPS597150B2 - カセット型磁気バブル記憶モジュ−ルの判別方式 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、カセット型の磁気バブル記憶モジュールを、
制御および読み書き装置側に装着したとき、まず該磁気
バブル記憶モジュールの構成が読出し判別され、その結
果に応じて、該磁気バブル記憶モジュールの制御および
メモリデータの読み書きが行われる、カセット型磁気バ
ブル記憶モジュールの判別制御方式に関する。

本発明の出願人は、先にカセット式の磁気バブル記憶モ
ジュールを発表した（雑誌日経エレクトロニクス、１９
７７年７月１１日号４０〜４２頁、および同誌１９７７
年１１月１４日号６８頁）。

カセット式磁気バブル記憶モジュールは、第１図に示す
ように１個または複数個の磁気バブル記憶チップ１と、
磁気バブルの安定保持のためにチップ面に垂直な静磁界
を印加するバイアス磁気回路、および磁気バブル転送の
ためにチップ面に平行に印加する回転磁界発生用駆動コ
イル２から成り、これらが磁気シールドパッケージ３に
組込まれている。４はバイアスマグネット、５はバイア
ス磁気回路を構成するヨーク板である。

そして、パッケージ３の端部にコネクタ６を備えており
、コネクタ６は、チップ１のセンス系端子、ゲート系端
子、バブル発生器系端子等、および駆動コイル２と接続
されている。このため、この記憶モジュールは、コネク
タ６によつて装置側に自由に着脱でき、記憶モジュール
だけを独立して、カセットテープ等と同じ要領で取扱う
ことができる。このように磁気バブル記憶モジュールが
、カセット式になつているので、ユーザーとしては、記
憶モジュールだけをパッケージ単位で取扱うことができ
、便利である。

ところが、記憶モジュールとしては、常に同じ構成のも
のだけが揃つているとは限らず、例えば、内蔵されてい
るチップの数、記憶ループの構成、記憶容量および各機
能部間のビット数等が記憶モジュールによつて異なつて
いる場合がある。また、技術の進歩に伴なつてモジユー
ルの構成も変化していく。このようにカセツト式記憶モ
ジユールの構成がいろいろあると、それに応じて当然記
憶モジユールの制御のし方も変わつてくる。そのために
、折角便利な力セツト式の磁気バブル記憶モジユールが
出現しても、ユーザーとしては、希望するカセツトモジ
ユールを自由に選択使用したり、変更することが困難で
、非常に自由度に欠けたものとなる。そこで本発明は、
力セツト式磁気バブル記憶モジユールを使用するときの
このような不便を解消し、任意の種類の力セツト式モジ
ユールを適用できるようにするものである。

この目的を達成するために本発明は、各力セツト式モジ
ユールに、そのチツプ数やループ形式等モジユールの構
成を記録する手段を備え、一方該力セツト式モジユール
が装填される書込み読取り装置側には、力セツト式モジ
ユールの前記記録手段の記録内容を読取る装置を備え、
磁気バルブ記憶モジユールにおけるメモリデータの読み
書き動作に先立つて、カセツトモジユールの構成に関す
る記録が読出され、その読出し内容に応じて磁気バブル
記憶モジユールが制御されるような構成を採用している
。第２図は、本発明による力セツト型磁気バブル記憶モ
ジユールの判別方式を例示する図である。

Ｃは、力セツト型磁気バブル記憶モジユールであり、パ
ツケージ３中に１個または複数個の磁気バブルチツプ１
が内蔵されている。６は前述のコネクタ、７は記憶モジ
ユールの構成に関するデータの記録手段であり、例えば
バーコード等のようなＲＯＭ（読出し専用メモリ）が適
するが、バブルチツプ１中の記憶ループの一部を利用し
て書き込んでおいてもよい。

バーコード等の場合は、コネクタ６やパツケージ３の一
部を利用して記録し、記憶モジユールＣをメモリデータ
の書込み読取り装置Ｒ側に装填したときに、最初にバー
コード等が読取られるようにしておく。８は、書込み読
取り装置Ｒ側のコネクタであり、このコネクタ８に、駆
動コイル２を駆動するためのコイル駆動回路９、バブル
チツプ１のケ一ｋ駆動回路１０、センス回路１１等が接
続されている。

これらの各回路９〜１１は、制御回路１２で制御され、
バブルチツプ１へのメモリデータの書込み読取りが行わ
れる。制御回路１２は、記憶モジユールＣの前記記録手
段７からの入力により、動作する。即ち、カセツト式記
憶モジユールＣを書込み読取り装置Ｒに装填すると、コ
ネクタ６と８が嵌合し、駆動コイルの端子やバブルチツ
プ１の各端子が、装置側のコイル１駆動回路９、ゲート
１駆動回路１０やセンス回路１１等と接続されると共に
、記録手段７が制御回路１２に接続される。この汁め、
力セツト式記憶モジユールＣが装置Ｒ側に装填されたと
きあるいは装填される途中において、初めに該記憶モジ
ユールＣの構成に関するデータが記録手段７から制御回
路１２へ入力され、記録手段７からの入力データに応じ
て制御回路１２が動作し、記憶モジユールＣを制御して
バブルチツプ１との間でメモリデータの授受が行われる
。書込み読取り装置Ｒへ装填される記憶モジユールＣの
構成が変わると、記録手段７からの入力の内容も変わる
ため、匍脚回路１２の動作も入力内容に応じて変化し、
記憶モジユールの構成に応じた制御動作を行う。

記憶モジユールを構成する要素としては、次のようなも
のがある。まず、カセツトパツケージに内蔵されている
バブルチツプ１の個数である。

シングルチツプのものもあれば、２個以七のチツプを内
蔵したものもある。次にチツプ上に形成された記憶ルー
プの種類であり、周知のとおり第３図のようなシングル
ループ構成と第４図のようなメジヤ一／マイナ一（Ｍ／
ｗｌ）ループ構成の２種類がある。メジヤ一／マイナ・
ループ構成は、１つのメジヤーループ（ライン状でも可
）Ｍに対し、複数個のマイナループＭ，・・・Ｍｎが並
列に配設されていて、各マイナループＭ，・・・Ｍｎと
メジヤーループ間のトランスフアゲートＴｒｌ・・・Ｔ
ｒＯを一斉に動作させることにより、メジヤーループ中
または各マイナループｍ１・・・ＭＯ中のバブル情報を
一斉に制御するようになつている。メジヤ一／マイナ・
ループ構成は、シングルループ構成に比べて、アクセス
時間を短かくでき、大容量素子に適している反面、制御
が複雑である。第３図のようなシングルループ構成にお
いても、（１）デイテクタＤからリプリケータＲｅｐま
でのビツト数、（２）デイテクタＤからアナイレータＡ
までのビツト数、（３）デイテクタＤから．ジエネレー
タＧまでのビツ卜数、（４）シングルループ内の記憶容
量（ビツト数）、等がチツプのレイアウトによつて異な
るので、チツプ数やループ構成と共にこれらも、記録手
段７に記録しておく。

第４図のメジヤ一／マイナ・ループ構成においては、（
１）デイテクタＤからリプリケータＲｅｐまでのビツト
数、（２）デイテクタＤからアナイレータＡまでのビツ
ト数、（３）デイテクタＤからジエネレータＧまでのビ
ツト数、（４）メジヤーループＭの容量（ビツト数）、
（５）デイテクタＤから最短のトランスフアゲートＴｒ
ｉまでのビツト数、（６）各マイナループｍ１・・・Ｍ
Ｏ間のビツト数（１１）、（７）マイナループＭ，・・
・ＭＯの数、（８） １つのマイナループ内の容量（ビ
ツト数）、等を、記録手段７に記録しておく。

以上のように本発明によれば、各力セツト式記憶モジユ
ールに、そのチツプ数やチツプ構成のデータを記録して
おき、力セツトを書込み読取り装置側に装填したとき、
まずこの記録データを読取り、それに基いて記憶モジユ
ール中のバブルチツプを動作させ、メモリデータの授受
を行うように制御する。

このため、書込み読取り装置に装填されるバブルモジユ
ールの構成が変わつても、その構成を判別しそれに応じ
た制御が行われるので、構成の異なつた各種の力セツト
式記憶モジユールを装填使用でき、記憶モジユールの互
換性が拡大される。これにより、力セツト式記憶モジユ
ールの長所が存分に発揮され、磁気バブル記憶装置がユ
ーザにとつて一層使い易いものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は通常の力セツト型磁気バブル記憶モジユールの
分解斜視図、第２図は本発明による力セツト型磁気バブ
ル記憶モジユールの判別催脚方式を例示するプロツク図
、第３図は磁気バブルチツプのシングルループ構成を示
す図、第４図はメジヤ一／マイナ・ループ構成を示す図
である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ カセット型の磁気バブル記憶モジュール側に、該磁
   気バブル記憶モジュールの少なくとも該モジュールの記
   憶容量および該モジュール内の磁気バブル記憶チップの
   数に関する情報を記憶しておき、メモリデータの書込み
   読取り装置側には、磁気バブル記憶モジュールの前記記
   録を読取る手段を備え、磁気バブル記憶モジュールにお
   けるメモリデータの読み書き動作に先立つて、磁気バブ
   ル記憶モジュールの前記記憶容量および前記チップの数
   に関する記録が読取られるように構成されていることを
   特徴とするカセット型磁気バブル記憶モジュールの判別
   方式。