JPS61265808A - 鉄酸化物系垂直磁気異方性薄膜 - Google Patents
鉄酸化物系垂直磁気異方性薄膜Info
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- JPS61265808A JPS61265808A JP10759185A JP10759185A JPS61265808A JP S61265808 A JPS61265808 A JP S61265808A JP 10759185 A JP10759185 A JP 10759185A JP 10759185 A JP10759185 A JP 10759185A JP S61265808 A JPS61265808 A JP S61265808A
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- iron oxide
- magnetization
- film
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/08—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers
- H01F10/10—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition
- H01F10/18—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure characterised by magnetic layers characterised by the composition being compounds
- H01F10/20—Ferrites
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は磁性薄膜に係り、より詳細には、膜面に垂直方
向に優れた磁気異方性を有し、垂直磁気記録媒体として
好適な磁性薄膜に関するものである。
向に優れた磁気異方性を有し、垂直磁気記録媒体として
好適な磁性薄膜に関するものである。
（従来の技術及び問題点）
現在、磁化記録方式としては、塗布型及び蒸着型磁気記
録媒体に用いた面内磁化記録方式が一般に採用されてい
る。この方式は記録すべき情報を磁気記録媒体の表面平
面内で磁気ヘッドにより面内方向に磁化させ、記録させ
るものであるが、平面内での磁化記録であるため、その
記録密度には原理的に限界がある。
録媒体に用いた面内磁化記録方式が一般に採用されてい
る。この方式は記録すべき情報を磁気記録媒体の表面平
面内で磁気ヘッドにより面内方向に磁化させ、記録させ
るものであるが、平面内での磁化記録であるため、その
記録密度には原理的に限界がある。
一方、これに対し、原理的に記録密度のより高密度化が
可能である垂直磁化記録方式が精力的に開発されている
。この方式は垂直ヘッドと垂直磁気異方性をもつ媒体と
を組合わせることにより超高密度の記録を可能にしよう
とするものであり、特に記録媒体として用いる磁性薄膜
の研究が盛んに行われている。
可能である垂直磁化記録方式が精力的に開発されている
。この方式は垂直ヘッドと垂直磁気異方性をもつ媒体と
を組合わせることにより超高密度の記録を可能にしよう
とするものであり、特に記録媒体として用いる磁性薄膜
の研究が盛んに行われている。
上記垂直磁化記録方式に用いる記録媒体として代表的な
磁性薄膜としては、Ｇｏ−Ｃｒ系合金薄膜やＢａフェラ
イト薄膜などがある。しかし、前者のＣｏ −Ｃｒ系合
金からなる薄膜は、比較的高価な元素であるＣｏやＣｒ
を含むために高価となり、また原材料としてのこれらの
元素の供給に不安定性があるという問題がある。一方、
Ｂａフェライト薄膜では垂直磁気異方性と密接な関係の
ある高配向性結晶をつくる際に薄膜作製条件が厳しく、
基板を５００℃以上に加熱する必要がある等のため、製
法上複雑で、かつ、基板材料に制約があり、ＰＥＴ等の
安価な樹脂基板の使用が不可能である。
磁性薄膜としては、Ｇｏ−Ｃｒ系合金薄膜やＢａフェラ
イト薄膜などがある。しかし、前者のＣｏ −Ｃｒ系合
金からなる薄膜は、比較的高価な元素であるＣｏやＣｒ
を含むために高価となり、また原材料としてのこれらの
元素の供給に不安定性があるという問題がある。一方、
Ｂａフェライト薄膜では垂直磁気異方性と密接な関係の
ある高配向性結晶をつくる際に薄膜作製条件が厳しく、
基板を５００℃以上に加熱する必要がある等のため、製
法上複雑で、かつ、基板材料に制約があり、ＰＥＴ等の
安価な樹脂基板の使用が不可能である。
このように、Ｃｏ −Ｃｒ系合金薄膜やＢａフェライト
薄膜では記録媒体として工業的な問題を多くかかえてお
り、新規な材質の記録媒体の早期開発が強く望まれてい
るのが現状である。
薄膜では記録媒体として工業的な問題を多くかかえてお
り、新規な材質の記録媒体の早期開発が強く望まれてい
るのが現状である。
（発明の目的）
本発明は、前述の従来技術の欠点を解消して上記要請に
応えるべくなされたものであって、材料費が安価で容易
に作製でき、しかも垂直磁気異方性の優れた磁性薄膜を
提供することを目的とするものである。
応えるべくなされたものであって、材料費が安価で容易
に作製でき、しかも垂直磁気異方性の優れた磁性薄膜を
提供することを目的とするものである。
（発明の構成）
上記目的達成のため、本発明者等は、まず、上記従来の
垂直磁気異方性薄膜の欠点が作製条件の厳しさ及び高価
な材料の使用の点に起因する事実に鑑み、これらの欠点
を解消するために鉄酸化物を主原料とし、これに第３元
素を添加することによって併わせで垂直磁気異方性の優
れた磁性薄膜を見い出すべく、基礎実験を試みた。
垂直磁気異方性薄膜の欠点が作製条件の厳しさ及び高価
な材料の使用の点に起因する事実に鑑み、これらの欠点
を解消するために鉄酸化物を主原料とし、これに第３元
素を添加することによって併わせで垂直磁気異方性の優
れた磁性薄膜を見い出すべく、基礎実験を試みた。
すなわち、試料として鉄酸化物に錫（Ｓｎ）、ゲルマニ
ウム（Ｇｅ）を含む組成のものを一例としてＲＦ２極ス
パッタ法で作製した。なお、ターゲットはＧｅ、Ｆｅシ
ート、ＧｅＯ，、ＳｎＯ２，５ｎＯ１Ｆｅ２０３、焼結
ペレットのうち１〜３種類のシート又はペレットをＦｅ
、○、又はＦｅからなるターゲットの上に乗せた複合タ
ーゲットを用い１組成変化は複合ターゲットの組み合わ
せによって変化させた。試料作製の一例はアルゴン圧２
Ｐａ、電極電圧１．５ＫＶで水冷されたパイレックスガ
ラスを基板に用いた。
ウム（Ｇｅ）を含む組成のものを一例としてＲＦ２極ス
パッタ法で作製した。なお、ターゲットはＧｅ、Ｆｅシ
ート、ＧｅＯ，、ＳｎＯ２，５ｎＯ１Ｆｅ２０３、焼結
ペレットのうち１〜３種類のシート又はペレットをＦｅ
、○、又はＦｅからなるターゲットの上に乗せた複合タ
ーゲットを用い１組成変化は複合ターゲットの組み合わ
せによって変化させた。試料作製の一例はアルゴン圧２
Ｐａ、電極電圧１．５ＫＶで水冷されたパイレックスガ
ラスを基板に用いた。
得られた試料の磁性薄膜は、Ｆ ｓｏ ａ４！ａ ｏｏ
６４ｇ４Ｓｎ６＋＋ｏｓ＠、Ｆ ｅＯ＊４０８ ｏ０
ｍ４２ｓ Ｇｅ、 ＋ｔｓｉの組成を各々有し、振動試
料型磁力計によって測定した磁化曲線を第３図（ａ）、
（ｂ）に示す。なお、飽和磁化（Ｍｓ）、保磁力（Ｈｅ
）、面内と垂直方向に磁化させた場合の残留磁化の比（
Ｍｒ／／Ｍｒよ）、膜厚等々の諸量は同図中に示した。
６４ｇ４Ｓｎ６＋＋ｏｓ＠、Ｆ ｅＯ＊４０８ ｏ０
ｍ４２ｓ Ｇｅ、 ＋ｔｓｉの組成を各々有し、振動試
料型磁力計によって測定した磁化曲線を第３図（ａ）、
（ｂ）に示す。なお、飽和磁化（Ｍｓ）、保磁力（Ｈｅ
）、面内と垂直方向に磁化させた場合の残留磁化の比（
Ｍｒ／／Ｍｒよ）、膜厚等々の諸量は同図中に示した。
また薄膜の組成はＥＰＭＡによって定量分析した。
同図より明らかなように、いずれの磁性薄膜も、膜面に
垂直方向に大きな磁気異方性を有し、更に垂直磁化膜の
磁気特性として必要な条件、Ｈｋ＞４πＭｓ 但し、Ｈｋ：異方性磁界 ＭＳ：飽和磁化 を満足しており、垂直磁化膜となっていることがわかっ
た。また、保磁力もＦｅ６．４５６０６−４５４Ｓｎ６
ｍ。６．で７２００ｅ、 Ｆｅ０．、、。○Ｏ＋４２５
ＧｅＱｅＬ。で１１２０６ｅと垂直磁化記録方式に十分
な値を有していることがわかった。また、飽和磁化も５
３００ｅｍｕ／ｃｃと大きく、優れた垂直磁化薄膜であ
る。
垂直方向に大きな磁気異方性を有し、更に垂直磁化膜の
磁気特性として必要な条件、Ｈｋ＞４πＭｓ 但し、Ｈｋ：異方性磁界 ＭＳ：飽和磁化 を満足しており、垂直磁化膜となっていることがわかっ
た。また、保磁力もＦｅ６．４５６０６−４５４Ｓｎ６
ｍ。６．で７２００ｅ、 Ｆｅ０．、、。○Ｏ＋４２５
ＧｅＱｅＬ。で１１２０６ｅと垂直磁化記録方式に十分
な値を有していることがわかった。また、飽和磁化も５
３００ｅｍｕ／ｃｃと大きく、優れた垂直磁化薄膜であ
る。
一般に組成の変化は磁化の変化を伴うが１本発明におい
ては、酸素割合の増加は磁化の減少を伴う。しかし、垂
直磁気異方性、つまり異方性磁界は酸素割合の増加に対
してほぼ一定値を示す傾向にある。したがって、一種の
垂直磁化性能指数とも云うべきＨｋ／４πＭｓ値は磁化
の減少によって増大することが判った。
ては、酸素割合の増加は磁化の減少を伴う。しかし、垂
直磁気異方性、つまり異方性磁界は酸素割合の増加に対
してほぼ一定値を示す傾向にある。したがって、一種の
垂直磁化性能指数とも云うべきＨｋ／４πＭｓ値は磁化
の減少によって増大することが判った。
上記基礎実験により得た知見に基づき、更に実験研究を
重ねた結果、こＮに本発明をなしたものである。
重ねた結果、こＮに本発明をなしたものである。
すなわち、本発明に係る磁性薄膜は、Ｆａ、○及びＭ（
Ｍ：Ｓｎ及びＧｅのうちの１種又は２種）からなる次式
、 ＦｅｘＯｙＭｚ （但し、ｘ、ｙ及び２は各原子割合で、０．２５≦Ｘ≦
０．６．０．３≦ｙ≦０．６゜０．００５≦２≦０．３
とする。第１図参照） の組成を有し、異方性磁界２．５ＫＯｅ以上の垂直磁気
異方性を有する垂直磁気異方性薄膜であり、またＦａ、
○及びＭ（Ｍ：Ｓｎ及びＧｅのうち１種又は２種）から
なる次式、 ＦｅｘＯｙＭｚ （但し、ｘ、ｙ及び２は各原子割合で、０．２５≦Ｘ≦
０．５３．０．３５≦ｙ≦０．６．０．０１５≦２≦０
．２５とする。
Ｍ：Ｓｎ及びＧｅのうちの１種又は２種）からなる次式
、 ＦｅｘＯｙＭｚ （但し、ｘ、ｙ及び２は各原子割合で、０．２５≦Ｘ≦
０．６．０．３≦ｙ≦０．６゜０．００５≦２≦０．３
とする。第１図参照） の組成を有し、異方性磁界２．５ＫＯｅ以上の垂直磁気
異方性を有する垂直磁気異方性薄膜であり、またＦａ、
○及びＭ（Ｍ：Ｓｎ及びＧｅのうち１種又は２種）から
なる次式、 ＦｅｘＯｙＭｚ （但し、ｘ、ｙ及び２は各原子割合で、０．２５≦Ｘ≦
０．５３．０．３５≦ｙ≦０．６．０．０１５≦２≦０
．２５とする。
第２図参照）
の組成を有し、１ ｅｍｕ ／ ｃｃ以上の飽和磁化を
有する垂直磁化薄膜である。
有する垂直磁化薄膜である。
本発明の特に後者（第２図参照）の磁性薄膜は、上記構
成とすることによって優れた垂直磁化特性を有するが、
その主だった点としては、（１）膜面に垂直な磁化曲線
における高角形性（例、角型比０．９以上を有する）。
成とすることによって優れた垂直磁化特性を有するが、
その主だった点としては、（１）膜面に垂直な磁化曲線
における高角形性（例、角型比０．９以上を有する）。
（２） 大きな保磁力を有する（例、１０００ｅから
最大で３００００ｅ以上）、 （３）垂直磁気異方性が大きい（垂直異方性磁界が最大
で１１．４に６ｅ以上）、 （４）飽和磁化が大きい （最大で４００ｅｍｕ／ｃｃ以上を有する）、（５）大
きなＨｋ／４πＭｓ値を有する（最大で９．２以上）、 などであり、垂直磁化記録媒体としては理想的な材料で
ある。
最大で３００００ｅ以上）、 （３）垂直磁気異方性が大きい（垂直異方性磁界が最大
で１１．４に６ｅ以上）、 （４）飽和磁化が大きい （最大で４００ｅｍｕ／ｃｃ以上を有する）、（５）大
きなＨｋ／４πＭｓ値を有する（最大で９．２以上）、 などであり、垂直磁化記録媒体としては理想的な材料で
ある。
なお、式ＦｅｘＯｙＭｚにおける成分量ｘ、ｙ及び２の
範囲限定理由については、以下のとうりである。
範囲限定理由については、以下のとうりである。
酸素濃度（ｙ）がｙ＞０．６、鉄濃度（Ｘ）がｘ ＜
０ 。
０ 。
２５で、飽和磁化は１ ｅｍｕ ／ ｃｃ以下である。
第３元索漠度（Ｚ）が２≦０．３で、飽和磁化１ ｅｍ
ｕ ／ ｃｃ以上か、垂直異方性磁界２．５に６ｅ以上
である。
ｕ ／ ｃｃ以上か、垂直異方性磁界２．５に６ｅ以上
である。
またＸ≦０．６、ｙ≧０．３で垂直異方性磁界２．５に
６ｅ以上か飽和磁化１ｅｍｕ／ｃｃ以上である。
６ｅ以上か飽和磁化１ｅｍｕ／ｃｃ以上である。
鉄濃度０．０２５≦Ｘ≦０．５３、酸素濃度０．３５≦
ｙ≦０．６、第３元索漠度０．０１５≦Ｚ≦０．２５の
範囲で垂直磁化膜となる。
ｙ≦０．６、第３元索漠度０．０１５≦Ｚ≦０．２５の
範囲で垂直磁化膜となる。
上記の磁気特性により、本発明では、垂直磁気異方性領
域として、０．２５≦Ｘ≦０．６．０．３≦ｙ≦０．６
．０．００５≦２≦０．３に限定するものである。また
、垂直磁化領域として、０．２５≦Ｘ≦０．５３．０．
３５≦ｙ≦０．６．０．Ｏ１５≦２≦０．２５に限定す
るものである。
域として、０．２５≦Ｘ≦０．６．０．３≦ｙ≦０．６
．０．００５≦２≦０．３に限定するものである。また
、垂直磁化領域として、０．２５≦Ｘ≦０．５３．０．
３５≦ｙ≦０．６．０．Ｏ１５≦２≦０．２５に限定す
るものである。
以下に本発明の一実施例を示す。なお、上記基礎実験で
示した一例も本発明の実施例であることは云うまでもな
い。
示した一例も本発明の実施例であることは云うまでもな
い。
（実施例）
ＲＦ２極スパッタ法によってＦ ｅｘ Ｏｙ Ｓ ｎｚ
、Ｆ ｅｘ Ｏｙ Ｇ ｅｚ及びＦｅｘＯｙ（Ｓｎｚ□
＋Ｇｅｚ２）から各々なる第１表に示す組成の磁性薄膜
を作製した。
、Ｆ ｅｘ Ｏｙ Ｇ ｅｚ及びＦｅｘＯｙ（Ｓｎｚ□
＋Ｇｅｚ２）から各々なる第１表に示す組成の磁性薄膜
を作製した。
作製条件は、ＦｅｘＯｙＳｎｚ薄膜作製の第１実施例と
して、Ｆｅ円板（８０φＸ５ｔ）とその上の５ｎ０２（
１０φ×３ｔ）、Ｆｅ、０３（８φ×５ｔ）焼結ペレッ
トからなる複合ターゲットを用いた。ＦａｘＯｙＧｅｚ
薄膜作製の第２実施例では、Ｆｅ２Ｏ，円板（８０φＸ
６ｔ）とその上のＦｅシート（５Ｘ５Ｘｉｔ）、Ｇｅシ
ート（５ｘ５ｘｌｔ）、Ｇｅｍ２焼結ペレツト（１０φ
Ｘ３ｔ）よりなる複合ターゲットを用いた。ＦｅｘＯｙ
（Ｓｎｚ、＋ Ｓｎｚ、）薄膜作製の第３実施例では、
Ｆｅ２０１円板（８０φｘ６ｔ）とその上のＦｅシート
（５ｘ５ｘｌｔ）、ＧｅＯ２，５ｎＯ２（１０×３ｔ）
焼結ペレットよりなる複合ターゲットを用いた。いずれ
の実施例でも、パイレックスガラスの基板を水冷式とし
、アルゴン圧２Ｐａ、陽極電圧１．５ｋｖ（但し、第２
実施例では１ 、３ ｋｖ）、印加磁場５００ｅ、電極
間距離４０ｍｍとした。
して、Ｆｅ円板（８０φＸ５ｔ）とその上の５ｎ０２（
１０φ×３ｔ）、Ｆｅ、０３（８φ×５ｔ）焼結ペレッ
トからなる複合ターゲットを用いた。ＦａｘＯｙＧｅｚ
薄膜作製の第２実施例では、Ｆｅ２Ｏ，円板（８０φＸ
６ｔ）とその上のＦｅシート（５Ｘ５Ｘｉｔ）、Ｇｅシ
ート（５ｘ５ｘｌｔ）、Ｇｅｍ２焼結ペレツト（１０φ
Ｘ３ｔ）よりなる複合ターゲットを用いた。ＦｅｘＯｙ
（Ｓｎｚ、＋ Ｓｎｚ、）薄膜作製の第３実施例では、
Ｆｅ２０１円板（８０φｘ６ｔ）とその上のＦｅシート
（５ｘ５ｘｌｔ）、ＧｅＯ２，５ｎＯ２（１０×３ｔ）
焼結ペレットよりなる複合ターゲットを用いた。いずれ
の実施例でも、パイレックスガラスの基板を水冷式とし
、アルゴン圧２Ｐａ、陽極電圧１．５ｋｖ（但し、第２
実施例では１ 、３ ｋｖ）、印加磁場５００ｅ、電極
間距離４０ｍｍとした。
得られた磁性薄膜の磁気特性及び膜厚を第１表に併記す
る。なお、比較例として、Ｆｅ濃度が本発明範囲外のも
の（比較例１）、○濃度が本発明範囲外のもの（比較例
２）、並びに従来例として従来のＣｏ−Ｃｒ簿膜につい
ても併記した。但し、比較例１は実施例１と、また比較
例２は実施例２と同様の条件で薄膜を作製したものであ
る。
る。なお、比較例として、Ｆｅ濃度が本発明範囲外のも
の（比較例１）、○濃度が本発明範囲外のもの（比較例
２）、並びに従来例として従来のＣｏ−Ｃｒ簿膜につい
ても併記した。但し、比較例１は実施例１と、また比較
例２は実施例２と同様の条件で薄膜を作製したものであ
る。
同表より、本実施例のいずれの磁性薄膜も優れた垂直磁
気異方性を示し、従来価れているといわれているＧｏ−
Ｃｒ薄膜と同等乃至それ以上の特性を示している。また
本発明範囲外の比較例では十分な垂直磁気異方性が得ら
れていない。なお、本実施例の磁性薄膜は電気抵抗率が
高＜（＞１０″″３Ωｃｍ以上）、耐食性及び機械的性
質も優れていることも判明した。
気異方性を示し、従来価れているといわれているＧｏ−
Ｃｒ薄膜と同等乃至それ以上の特性を示している。また
本発明範囲外の比較例では十分な垂直磁気異方性が得ら
れていない。なお、本実施例の磁性薄膜は電気抵抗率が
高＜（＞１０″″３Ωｃｍ以上）、耐食性及び機械的性
質も優れていることも判明した。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明によれば、鉄酸化物を主原
料として、これに第３元素を添加することにより優れた
垂直磁気異方性が得られるので、いずれの原料も安価で
供給に不安はなく、記録媒体として多量の使用に好都合
な条件を満たしており、しかも作製法も極めて簡単で、
基板温度を高温にする必要もないので、基板材料に対す
る制約も特にない。
料として、これに第３元素を添加することにより優れた
垂直磁気異方性が得られるので、いずれの原料も安価で
供給に不安はなく、記録媒体として多量の使用に好都合
な条件を満たしており、しかも作製法も極めて簡単で、
基板温度を高温にする必要もないので、基板材料に対す
る制約も特にない。
更に、磁気特性は広範囲に制御可能であり、垂直磁化記
録媒体として最適な優れた特性を具備でき、媒体は均質
で微細な高密度記録が可能である。
録媒体として最適な優れた特性を具備でき、媒体は均質
で微細な高密度記録が可能である。
また電気抵抗率も高く、高速書込みが可能であり、酸化
物薄膜であるので、耐食性及び機械的特性も優れている
。
物薄膜であるので、耐食性及び機械的特性も優れている
。
以上のように、本発明の磁性薄膜は、垂直磁気記録媒体
として優れた特性を有し、製膜が容易で工業化に適した
新材料であるので、その効果は極めて大きい。
として優れた特性を有し、製膜が容易で工業化に適した
新材料であるので、その効果は極めて大きい。
第１図は本発明の磁性薄膜ＦｅｘＯｙＭｚ（但し、異方
性磁界２．５ＫＯｅ以上、飽和磁化１ ｅｍｕ ／ ｃ
ｃ以上の垂直磁気異方性薄膜）の組成範囲を示す図、第
２図は本発明の磁性薄膜ＦｅｚＯｙＭｚ（但し、垂直磁
化膜）の組成範囲を示す図、 第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例に係る磁性
薄膜の磁化曲線を示す図である。 特許出願人 新技術開発事業団 同 阿久津仲男
性磁界２．５ＫＯｅ以上、飽和磁化１ ｅｍｕ ／ ｃ
ｃ以上の垂直磁気異方性薄膜）の組成範囲を示す図、第
２図は本発明の磁性薄膜ＦｅｚＯｙＭｚ（但し、垂直磁
化膜）の組成範囲を示す図、 第３図（ａ）及び（ｂ）は本発明の一実施例に係る磁性
薄膜の磁化曲線を示す図である。 特許出願人 新技術開発事業団 同 阿久津仲男
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、鉄（Ｆｅ）、酸素（Ｏ）及びＭ（但し、Ｍは錫及び
ゲルマニウムのうちの１種又は２種）からなる下記の組
成を有し、膜面に垂直方向に優れた磁気異方性を有する
磁性薄膜。 記 Ｆｅ＿ｘＯ＿ｙＭ＿ｚ 但し、ｘ、ｙ及びｚは各々原子割合で ０．２５≦ｘ≦０．６ ０．３≦ｙ≦０．６ ０．００５≦ｚ≦０．３ とする。 ２、鉄（Ｆｅ）、酸素（Ｏ）及びＭ（但し、Ｍは錫及び
ゲルマニウムのうちの１種又は２種）からなる下記の組
成を有する垂直磁化磁性薄膜。 記 Ｆｅ＿ｘＯ＿ｙＭ＿ｚ 但し、ｘ、ｙ及びｚは各々原子割合で ０．２５≦ｘ≦０．５３ ０．３５≦ｙ≦０．６ ０．０１５≦ｚ≦０．２５ とする。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10759185A JPS61265808A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 鉄酸化物系垂直磁気異方性薄膜 |
| US06/863,909 US4764436A (en) | 1985-05-20 | 1986-05-16 | Iron-oxygen based perpendicular magnetized anisotropic thin film |
| DE19863616492 DE3616492A1 (de) | 1985-05-20 | 1986-05-16 | Orthogonal magnetisierter anisotroper duenner film auf eisen-sauerstoff-basis |
| NL8601273A NL193333C (nl) | 1985-05-20 | 1986-05-20 | Magnetische dunne film. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10759185A JPS61265808A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 鉄酸化物系垂直磁気異方性薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61265808A true JPS61265808A (ja) | 1986-11-25 |
| JPH0560242B2 JPH0560242B2 (ja) | 1993-09-01 |
Family
ID=14463034
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10759185A Granted JPS61265808A (ja) | 1985-05-20 | 1985-05-20 | 鉄酸化物系垂直磁気異方性薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61265808A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009212480A (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-17 | Res Inst Electric Magnetic Alloys | 強磁性薄膜材料とその製造方法 |
| JP2020023744A (ja) * | 2018-08-01 | 2020-02-13 | 公益財団法人電磁材料研究所 | 複合鉄酸化物薄膜およびその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956707A (ja) * | 1982-07-31 | 1984-04-02 | バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト | コバルトでエピタキシ−的に被覆された磁気記録用酸化鉄の製造法 |
| JPS59147422A (ja) * | 1983-02-09 | 1984-08-23 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 磁性層の形成方法 |
-
1985
- 1985-05-20 JP JP10759185A patent/JPS61265808A/ja active Granted
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0560242B2 (ja) | 1993-09-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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