JPS61265791A - バブルメモリカセツト装置 - Google Patents

バブルメモリカセツト装置

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Publication number
JPS61265791A
JPS61265791A JP60107623A JP10762385A JPS61265791A JP S61265791 A JPS61265791 A JP S61265791A JP 60107623 A JP60107623 A JP 60107623A JP 10762385 A JP10762385 A JP 10762385A JP S61265791 A JPS61265791 A JP S61265791A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
bubble memory
bubble
signal
drive device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60107623A
Other languages
English (en)
Inventor
Keiichi Kaneko
金子 啓一
Katsunori Tanaka
克憲 田中
Toshimitsu Minemura
峯村 敏光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP60107623A priority Critical patent/JPS61265791A/ja
Publication of JPS61265791A publication Critical patent/JPS61265791A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の概要〕 4Mビットのメモリ容量のバブルメモリカセット装置は
1Mビットのメモリ容量のバブルメモリカセット装置と
区別するために、バブルメモリ駆動装置にバブルカイン
ド信号を出力する。4Mビットのバブルメモリ駆動装置
には1Mビットと4Mビットのそれぞれのカセットを判
別して駆動するように構成されているが、1Mビット用
のノ(プルメモリ駆動装置にはこの判別機能がない。そ
のため、1Mビット用のバブルメモリ駆動装置に4Mビ
ットのバブルメモリカセット装置を挿入しても動作しな
いようにバブルメモリ功インド信号とメモリ挿入信号を
入れ換えて駆動装置に出力し。
誤挿入によって発生する4Mビットの)くプルカセット
メモリ装置の内容の破壊を防止する。
〔産業上の利用分野〕
本発明はバブルメモリに係り、特にカセットによってメ
モリを交換可能とした。バブルメモリカセット装置に関
する。
〔従来の技術〕
バブルメモリは機械的な部分を有さなし)ので。
高信頼でメンテナンスを不要とし、さらに振動やほこり
等の悪環境に強いという特徴を有し、マイクロプロセッ
サ等の補助記憶装置として使用されている。
現在、バブルメモリの記憶容量は1Mビットから4Mビ
ットと大きくなってきている。
第2図(a)、  (b)は従来の4Mビット並びに1
Mビットのバブルメモリ駆動装置とツクフルメモリカセ
ット装置との接続を表わす接続図である。
4Mビットのバブルメモリ駆動装置のホル、ダ(図示せ
ず)には接続端子が設けられている。その接続端子のB
−5,A−5の各端子にはそれぞれメモリオン信号nと
バブルメモリカインド信号BK2が割当られている。バ
ブルメモリ駆動装置はメモリオン信号MONがローレベ
ル(Lレベノし・)となったことを確認後バブルメモリ
カセット装置を駆動する。当然ではあるがこの駆動の時
にはバブルカインド信号BK2を判別してその容量に対
応して駆動している。1Mビットのバブルメモリ駆動装
置の場合にはメモリオン信号「丁Xは同様であるが、接
続端子A−5より加わる信号は考慮していない。
一方、4Mビット用のバブルメモリ駆動装置は4Mビッ
トのバブルメモリカセット装置を駆動するばかりでなく
、1Mビットのバブルメモリカセット装置をも駆動でき
るように構成されている。
これは、前述したようにバブルメモリカセット装置内に
バブルメモリの容量を表わすバブルカインド信号BK2
を発生する機能を有し、4Mビット用のバブルメモリ駆
動装置はこの信号を用いて4Mビットと1Mピントのカ
セットを判別し、駆動しているからである。
〔発明が解決しようとした問題点3 4Mビットのバブルメモリ駆動装置には前述したように
1Mビットと4Mビットを判別して駆動するように構成
されているが、1Mビットのバブルメモリ駆動装置には
その判別する機能を有していない。
この1Mビットのバブルメモリ駆動装置に4Mビットの
バブルメモリカセット装置を挿入した場合には、バブル
メモリ駆動装置に4Mビットのバブルメモリカセット装
置よりメモリオン信号(MON)すなわちメモリ挿入信
号が加わり(Lレベル)、1Mビットのバブルメモリ駆
動装置は挿入された4Mビットのバブルメモリカセット
装置を1Mビットのバブルメモリカセット装置として駆
動してしまう。このため、リード、ライト動作が行われ
るにもかかわらず、正常な動作はなされず、ライトした
場合には一入したバブルメモリカセント装置の記憶内容
を破壊してしまうという問題を有している。
〔問題を解決する為の手段〕
本発明は前記問題点を解決するものであり、その特徴と
したところは、メモリの種類を表わすバブルメモリカイ
ンド信号とメモリ挿入信号とが加加わるバブルメモリ駆
動装置に挿入されるバブルメモリカセット装置において
、前記バブルメモリカインド信号を前記バブルメモリ駆
動装置のメモリ挿入信号入力端子に加え、前記メモリ挿
入信号を前記バブルメモリ駆動装置のバブルメモリカイ
ンド信号入力端子に加えることを特徴としたバブルメモ
リカセット装置にある。
〔発明の実施例〕
以下9図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図はバブルメモリ駆動装置1の構成図、第3図は4
Mビットのバブルメモリ駆動装置とバブルメモリカセッ
ト装置との接続を表わす接続図である。第3図において
、他のセンス信号やコイルドライバ等の接続端子は従来
と同様であるので説明の簡単化のため1図面並びに説明
は省略する。
バブルメモリ駆動装置1のDMAコントロール2、デー
タバッファ3.レジスタコントロール4゜バブルコント
ローラ5はマイクロプロセッサ(図示せず)のパスライ
ンに接続され、このプロセッサの実行によってバブルメ
モリ駆動装置1は動作する。データバッファ3並びにレ
ジスタコントロール4はインターフェイスレジスタ6に
接続され。
プロセッサより加わるコマンド等の制御情報はインター
フェイスレジスタ6に格納される。インターフェイスレ
ジスタ6に格納された制御情報によって、バブルコント
ローラはバブルメモリカセット装置に対しファンクショ
ンバッファ7、そしてファンクションドライバ8を介し
て制御する。ファンクションドライブバッファは他にコ
イルドライバ9にコイルをドライブするための制御情報
を出力する。たとえば、読出しである時には、コイルド
ライバ9によってバブルメモリカセット装置12内のコ
イルが駆動され、バブルが内部において順次移動し、必
要とされるバブルをバブルメモリカセット装置12内で
電気信号に変換する。そしてその信号はセンスアンプ1
0を介してインターフェイスレジスタ6に1バイト単位
で格納される。尚、センスアンプより出力される信号は
1ビツトのシリアルデータであるが、このシリアルデー
タはバブルコントローラ5に接続されているシリパラ変
換回路11によってパラレルデータに変換される。書込
みに関してもほぼ同様の動作で行われるが、この時には
マイクロプロセッサより加わったパラレル信号がシリア
ルデータに変換されてバブルメモリカセット装置に加わ
る。
前述した制御において、バブルコントローラには第3図
に示すバブルメモリカセット装置12のメモリの容量を
表わす信号BK2並びにカセットが挿入されたことを検
出するメモリオン信号5Nが加わる。第3図において従
来と異なる点はバブルメモリカセット装置12並びにバ
ブルメモリ駆動装置1とが接続される。前述した信号の
コネクターの位置である。本発明の実施例においてはコ
ネクタ端子B−5がバブルメモリカセット装置のメモリ
容量を表わす信号すなわち、バブル力インド信号BK2
に、メモリオン信号MONがコネクタ端子A−5に接続
されている。
4Mビットのバブルメモリカセット装置の場合には端子
B−5は非接続となっているので抵抗Rによって電源+
5■に接続されてそのレベルはハイレベルとなり、バブ
ルメモリ駆動装置1はそのハイレベルを検出して挿入さ
れたバブルメモリカセット装置の容量が4Mビットであ
ることを検出する。そしてメモリオン信号π万1はロー
レベルとなり、バブルメモリ駆動装置は、バブルメモリ
カセット装置が挿入されていることを検出し、駆動する
。他の端子においては従来と同様であるので説明は省略
する。
前述した本発明の実施例のバブルメモリ駆動装置に1M
ビットのバブルメモリカセット装置を挿入した場合には
、第2図に示したようにA−5の端子は接続状態となっ
ているので1本発明の4Mビットのバブルメモリカセッ
ト装置はメモリオン信号「で1がハイレベルとなってい
るので駆動することはない。
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明は4Mビットのバブルメモリカ
セット装置を挿入した時には正常に動作し、1Mビット
のバブルメモリカセット装置を挿入した時には動作しな
いように端子を配置したものであり1本発明によれば、
少ない記憶容量のバブルメモリカセットを挿入しても動
作せず、記憶内容の書き換え等の誤動作を防止したバブ
ルメモリカセット装置が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の実施例の回路構成図、第2図は従来の
4Mビット並びに1Mビットのバブルメモリ駆動装置と
バブルメモリカセント装置との接続を表わす接続図、第
3図は本発明の実施例の4Mビットのバブルメモリ駆動
装置とバブルメモリカセット装置との接続を表わす接続
図である。 1・・・バブルメモリ駆動装置 12・・・バブルメモリカセット装置 「万玉・・・メモリオン信号 BK2・・・バブルメモリカインド信号A−5,8−5
・・・接続端子 特許 出願人   冨士通株式会社 第1図 第2図 (G) (b)

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)メモリの種類を表わすバブルメモリカインド信号
    とメモリ挿入信号とが加わるバブルメモリ駆動装置に挿
    入されるバブルメモリカセット装置において、 前記バブルメモリカインド信号を前記バブルメモリ駆動
    装置のメモリ挿入信号入力端子に加え、前記メモリ挿入
    信号を前記バブルメモリ駆動装置のバブルメモリカイン
    ド信号入力端子に加えることを特徴としたバブルメモリ
    カセット装置。
  2. (2)前記バブルメモリ駆動装置は前記メモリ挿入信号
    入力端子に加わる信号をバブルカインド信号とし、 前記バブルメモリカインド信号入力端子に加わる信号を
    メモリ挿入信号として動作することを特徴とした特許請
    求の範囲第1項記載のバブルメモリカセット装置。
JP60107623A 1985-05-20 1985-05-20 バブルメモリカセツト装置 Pending JPS61265791A (ja)

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JP60107623A JPS61265791A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 バブルメモリカセツト装置

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JPS61265791A true JPS61265791A (ja) 1986-11-25

Family

ID=14463875

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JP60107623A Pending JPS61265791A (ja) 1985-05-20 1985-05-20 バブルメモリカセツト装置

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