JPS61264774A - 半導体レ−ザ駆動装置 - Google Patents
半導体レ−ザ駆動装置Info
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- JPS61264774A JPS61264774A JP60105578A JP10557885A JPS61264774A JP S61264774 A JPS61264774 A JP S61264774A JP 60105578 A JP60105578 A JP 60105578A JP 10557885 A JP10557885 A JP 10557885A JP S61264774 A JPS61264774 A JP S61264774A
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- semiconductor laser
- mode hopping
- hopping noise
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- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の分野）
本発明は、半導体レーザを駆動する装置にＰＡする。さ
らに詳しくは、半導体レーザのモードホッピングノイズ
回避機能を備えた駆動装置に関する。
らに詳しくは、半導体レーザのモードホッピングノイズ
回避機能を備えた駆動装置に関する。
（発明の技術的背景および従来技術）
光ビームを記録媒体上に走査させて該記録媒体にｉｉｉ
像情報等の各種情報を記録したり、あるいは該記録媒体
に記録されている各種情報を読み取ったりする光走査に
おいては、その走査用光ビームとして、半導体レーザか
ら出射されるレーザビームを用いる場合がある。
像情報等の各種情報を記録したり、あるいは該記録媒体
に記録されている各種情報を読み取ったりする光走査に
おいては、その走査用光ビームとして、半導体レーザか
ら出射されるレーザビームを用いる場合がある。
この様にレーザビームで光走査を行なう場合において、
その光走査が例えば連続階調的な画像情報を取り扱うも
のである場合には、一般的に、約０６２％程度のレーザ
ビーム光量の安定性が、即ちレーザビーム光量の最大変
動が約０．２％程度以下であることが要求される。
その光走査が例えば連続階調的な画像情報を取り扱うも
のである場合には、一般的に、約０６２％程度のレーザ
ビーム光量の安定性が、即ちレーザビーム光量の最大変
動が約０．２％程度以下であることが要求される。
しかしながら、半導体レーザはその駆動条件によってモ
ードホッピングノイズが生じる。即ち、半導体レーザは
ある特定の駆動条件の下において異なるモード（レーザ
波長）が競合し、その駆動条件の下ではその異なるモー
ドのうちの一方から他方へあるいは他方から一方へのモ
ードホッピングが往復的に繰り返され、このモードホッ
ピングの繰り返しによりレーザビームの光量＜半導体レ
ーザ出力）が変動する、つまりモードホッピングノイズ
が発生する。
ードホッピングノイズが生じる。即ち、半導体レーザは
ある特定の駆動条件の下において異なるモード（レーザ
波長）が競合し、その駆動条件の下ではその異なるモー
ドのうちの一方から他方へあるいは他方から一方へのモ
ードホッピングが往復的に繰り返され、このモードホッ
ピングの繰り返しによりレーザビームの光量＜半導体レ
ーザ出力）が変動する、つまりモードホッピングノイズ
が発生する。
上記モードホッピングノイズによる光量変動の大きさは
数％程度にまで達する。従って、もし上記の如き連続階
調的な画像情報を取り扱う光走査中に光量変動が数％に
達するモードホッピングノイズが発生すると、読み取っ
たりあるいは記録した連続階調的画像情報にムラが生じ
ることとなり、好ましくない。
数％程度にまで達する。従って、もし上記の如き連続階
調的な画像情報を取り扱う光走査中に光量変動が数％に
達するモードホッピングノイズが発生すると、読み取っ
たりあるいは記録した連続階調的画像情報にムラが生じ
ることとなり、好ましくない。
従って、その様な光走査のために半導体レーザを駆動す
る場合には上記したモードホッピングノイズが発生しな
いように半導体レーザを駆動する必要がある。
る場合には上記したモードホッピングノイズが発生しな
いように半導体レーザを駆動する必要がある。
しかしながら、従来の半導体レーザの駆動装置には、そ
の様なモードホッピングノイズを十分に回避する工夫を
施したものは見当らない。
の様なモードホッピングノイズを十分に回避する工夫を
施したものは見当らない。
（発明の目的）
本発明、の目的は、上記事情に鑑み、モードホッピング
ノイズの発生を回避することができる半導体レーザ駆動
装置を提供することにある。
ノイズの発生を回避することができる半導体レーザ駆動
装置を提供することにある。
（発明の構成）
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、上記目的を達成
するため、 半導体レーザから発せられるレーザビームの光量を検出
する光量センサと、該光量センサからの出力に基づいて
半導体レーザから出射されるレーザビームの光量が所定
の設定光量になるように半導体レーザを駆動する半導体
レーザコントローラと、半導体レーザの温度を検出する
温度センサおよび半導体レーザの温度を制御する温度ア
クチュエータと、上記温度センサからの出力に基づいて
半導体レーザの濃度が設定温度になるように上記温度ア
クチュエータの作動を制御する温度コントローラと、両
コントローラにそれぞれ設定光量と設定温度とを入力せ
しめる制御回路とを備え、ざらに、レーザビームの光量
と半導体レーザの温度との組合せによって特定されるモ
ードホッピングノイズ発生領域を記憶する記憶手段を備
え、上記制御回路によって、上記半導体レーザから発せ
られるレーザビームの光量と上記半導体レーザの温度と
の組合せが上記記憶回路に記憶されているモードホッピ
ングノイズ発生領域に移行しないように上記設定温度を
適宜変更せしめる様に構成されていることを特徴とする
。
するため、 半導体レーザから発せられるレーザビームの光量を検出
する光量センサと、該光量センサからの出力に基づいて
半導体レーザから出射されるレーザビームの光量が所定
の設定光量になるように半導体レーザを駆動する半導体
レーザコントローラと、半導体レーザの温度を検出する
温度センサおよび半導体レーザの温度を制御する温度ア
クチュエータと、上記温度センサからの出力に基づいて
半導体レーザの濃度が設定温度になるように上記温度ア
クチュエータの作動を制御する温度コントローラと、両
コントローラにそれぞれ設定光量と設定温度とを入力せ
しめる制御回路とを備え、ざらに、レーザビームの光量
と半導体レーザの温度との組合せによって特定されるモ
ードホッピングノイズ発生領域を記憶する記憶手段を備
え、上記制御回路によって、上記半導体レーザから発せ
られるレーザビームの光量と上記半導体レーザの温度と
の組合せが上記記憶回路に記憶されているモードホッピ
ングノイズ発生領域に移行しないように上記設定温度を
適宜変更せしめる様に構成されていることを特徴とする
。
即ち、本発明は、モードホッピングノイズは所定の半導
体レーザ駆動条件、つまり所定の半導体レーザ温度とレ
ーザビーム光量（この光量は半導体レーザ駆動電流に対
応する）との組合せの場合にのみ生じるので、予め記憶
手段にモードホッピングノイズが発生する場合の上記温
度と光量との組合せ（モードホッピングノイズ発生領域
）を記憶させておき、半導体レーザ駆動中に実際の駆動
条件（上記温度と光ＩＩ）を監視しながら該駆動条件と
上記記憶手段に記憶されているモードホッピングノイズ
発生領域とを上記制御回路において比較検討し、上記実
際の駆動条件がモードホッピングノイズ発生領域に移行
しそうになったら上記設定温度を変化させて該領域への
移行を回避し、モードホッピングノイズの発生を防止す
るように構成したものである。
体レーザ駆動条件、つまり所定の半導体レーザ温度とレ
ーザビーム光量（この光量は半導体レーザ駆動電流に対
応する）との組合せの場合にのみ生じるので、予め記憶
手段にモードホッピングノイズが発生する場合の上記温
度と光量との組合せ（モードホッピングノイズ発生領域
）を記憶させておき、半導体レーザ駆動中に実際の駆動
条件（上記温度と光ＩＩ）を監視しながら該駆動条件と
上記記憶手段に記憶されているモードホッピングノイズ
発生領域とを上記制御回路において比較検討し、上記実
際の駆動条件がモードホッピングノイズ発生領域に移行
しそうになったら上記設定温度を変化させて該領域への
移行を回避し、モードホッピングノイズの発生を防止す
るように構成したものである。
（実施態様）
以下、図面を参照しながら本発明の実施態様について説
明する。
明する。
第１図は、本発明に係るレーザ駆動装置の一実施態様を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
図示装置は、半導体レーザ１０を駆動するものであり、
該半導体レーザ１０から発せられるレーザビーム１２に
よって画像情報を記録するため変調器１４および変調器
コントローラ１６が付設されている。
該半導体レーザ１０から発せられるレーザビーム１２に
よって画像情報を記録するため変調器１４および変調器
コントローラ１６が付設されている。
図示装置は、まず、半導体レーザ１０と共に一体的に組
付けられて光源ユニットを構成する光量センサ１８と、
温度アクチュエータ２０と、温度センサ２２とを備えて
いる。
付けられて光源ユニットを構成する光量センサ１８と、
温度アクチュエータ２０と、温度センサ２２とを備えて
いる。
上記光量センサ１８は半導体レーザ１０から発せられた
レーザビーム１２の光量を検出するものであり、該セン
サ１８としては、光量を光電的に検出する各種の光検出
器等を使用することができる。
レーザビーム１２の光量を検出するものであり、該セン
サ１８としては、光量を光電的に検出する各種の光検出
器等を使用することができる。
上記温度アクチュエータ２０は半導体レーザ１０の温度
を制御するものであり、該アクチュエータ２０としては
半導体レーザ１０の温度を変化せしめることのできる各
種の温度変調器、例えば半導体レーザ１０を昇温させる
ヒータ、降温させるクーラあるいはそれらの両機能を有
する温度変調器を使用することができる。
を制御するものであり、該アクチュエータ２０としては
半導体レーザ１０の温度を変化せしめることのできる各
種の温度変調器、例えば半導体レーザ１０を昇温させる
ヒータ、降温させるクーラあるいはそれらの両機能を有
する温度変調器を使用することができる。
上記温度センサ２２は半導体レーザ１０の温度を検出す
るものであり、該センサ２２としてはサーシスタ等の各
種の温度検出素子を使用することができる。
るものであり、該センサ２２としてはサーシスタ等の各
種の温度検出素子を使用することができる。
上記温度アクチュエータ２０および温度センサ２２は、
共に半導体レーザ１０の素子自体の温度を直接的にｌ１
ＩＩＩｌおよび検出することができるものに限らず、該
半導体素子を内臓する半導体レーザケースの温度を介し
て制御および検出することができる ′ものであっ
ても良い。
共に半導体レーザ１０の素子自体の温度を直接的にｌ１
ＩＩＩｌおよび検出することができるものに限らず、該
半導体素子を内臓する半導体レーザケースの温度を介し
て制御および検出することができる ′ものであっ
ても良い。
上記半導体レーザ１０は半導体レーザコントローラ２４
によって、上記温度アクチュエータ２０は温度コントロ
ーラ２６によって駆動される。
によって、上記温度アクチュエータ２０は温度コントロ
ーラ２６によって駆動される。
半導体レーザコントローラ２４には上記光量センサ１８
の出力が入力され、かつＩＩＪＷＪ回路２８によって所
定の設定光量が入力されている。半導体レーザコントロ
ーラ２４は、光」センサ１８から入力されるレーザビー
ム１２の光量を監視しながらそのレーザビームの光量が
上記制御回路２８によって設定せしめられた所定の設定
光量になるように駆動電流を流して半導体レーザ１０を
駆動する。
の出力が入力され、かつＩＩＪＷＪ回路２８によって所
定の設定光量が入力されている。半導体レーザコントロ
ーラ２４は、光」センサ１８から入力されるレーザビー
ム１２の光量を監視しながらそのレーザビームの光量が
上記制御回路２８によって設定せしめられた所定の設定
光量になるように駆動電流を流して半導体レーザ１０を
駆動する。
上記温度コントローラ２６には上記温度センサ２２の出
力が入力され、かつ制御回路２８によって所定の設定温
度が入力されている。温度コントローラ２６は、温度セ
ンサ２２から入力される半導体レーザ１０の温度を監視
しながらその温度が上記制御回路によって設定せしめら
れた所定の設定温度になるように温度アクチュエータ２
０を作動させる。もちろん、完全に所定の設定温度にな
るように制御できるのは昇温および降温の両方向に十分
な湿度調整機能を有する温度アクチュエータの場合のみ
であり、昇温方向にのみ温度調整可能なヒータの如き温
度アクチュエータの場合は外気温が設定温度以上になっ
たときにはもはや設定温度への制御は不可能であり、降
温方向にのみ温度調整可能なり−ラの如き場合は外気温
が設定温度以下になったときには同様に制御不可能であ
る。また、両方向への温度調整機能を有していても、例
えば降温方向への温度調整能力が極めて小さい場合には
、外気温が設定温度より十分大きいとき同様に制御不可
能である。
力が入力され、かつ制御回路２８によって所定の設定温
度が入力されている。温度コントローラ２６は、温度セ
ンサ２２から入力される半導体レーザ１０の温度を監視
しながらその温度が上記制御回路によって設定せしめら
れた所定の設定温度になるように温度アクチュエータ２
０を作動させる。もちろん、完全に所定の設定温度にな
るように制御できるのは昇温および降温の両方向に十分
な湿度調整機能を有する温度アクチュエータの場合のみ
であり、昇温方向にのみ温度調整可能なヒータの如き温
度アクチュエータの場合は外気温が設定温度以上になっ
たときにはもはや設定温度への制御は不可能であり、降
温方向にのみ温度調整可能なり−ラの如き場合は外気温
が設定温度以下になったときには同様に制御不可能であ
る。また、両方向への温度調整機能を有していても、例
えば降温方向への温度調整能力が極めて小さい場合には
、外気温が設定温度より十分大きいとき同様に制御不可
能である。
記憶手段３０にはレーザビーム光量と半導体レーザ温度
との組合せによって特定されるモードホッピングノイズ
発生領域、即ち、例えば第２図中点々を付した様なモー
ドホッピングノイズ発生領域が記憶せしめられている。
との組合せによって特定されるモードホッピングノイズ
発生領域、即ち、例えば第２図中点々を付した様なモー
ドホッピングノイズ発生領域が記憶せしめられている。
半導体レーザ１０のモードホッピングノイズは、上記所
定のレーザビーム光量と半導体レーザ温度との組合せか
ら成るモードホッピングノイズ発生領域においてのみ発
生し、他の領域（非発生領域）においては発生しない。
定のレーザビーム光量と半導体レーザ温度との組合せか
ら成るモードホッピングノイズ発生領域においてのみ発
生し、他の領域（非発生領域）においては発生しない。
上記制御回路２８においては、温度センサ２２から半導
体レーザ温度が、光量センサ１８からレーザビーム光量
が入力せしめられ、これらの温度と光量とが上記記憶手
段３０から入力せしめられるモードホッピングノイズ発
生領域と比較検討され、該温度と光量との組合せがモー
ドホッピングノイズ発生領域に移行しそうになったら、
上記温度コントローラ２６に入力せしめている設定温度
を変更して実際の駆動条件である上記光】と温度との組
合せが上記ノイズ発生領域に移行しないようにし、モー
ドホッピングノイズの発生を防止するような制御が行な
われる。
体レーザ温度が、光量センサ１８からレーザビーム光量
が入力せしめられ、これらの温度と光量とが上記記憶手
段３０から入力せしめられるモードホッピングノイズ発
生領域と比較検討され、該温度と光量との組合せがモー
ドホッピングノイズ発生領域に移行しそうになったら、
上記温度コントローラ２６に入力せしめている設定温度
を変更して実際の駆動条件である上記光】と温度との組
合せが上記ノイズ発生領域に移行しないようにし、モー
ドホッピングノイズの発生を防止するような制御が行な
われる。
具体的には、例えば温度アクチュエータ２０が昇温機能
のみを有するヒータの如き場合、半導体レーザ１０を設
定光ｆｆ１Ｌｏ、設定温度Ｔｏ（第２図参照）で駆動中
に外気温Ｔ５が設定温度Ｔｏ以上になると半導体レーザ
１０の温度もその外気温Ｔｓに向けて上昇し、もしその
外気ｍＴｓが図示の如くノイズ発生領域Ａ内に位置する
場合にはモードホッピングノイズが発生することになる
。そこで、半導体レーザ１０の温度を温度センサ２２で
常時検出し、外気温の上昇につれて半導体レーザ１０の
温度が上昇してノイズ発生領域Ａ内に移行しそうになっ
たら設定温度をそのノイズ発生領域へより高温側のノイ
ズ非発生領域内温度Ｔｌに変更する。Ｔｓ〉■、５であ
るので、半導体レーザ１０の温度はヒータによってＴ１
に維持され、モードホッピングノイズの発生は回避され
る。もし、ざらにＴｓが上昇し続けたら上記と同様の制
御を再度行なえば良い。
のみを有するヒータの如き場合、半導体レーザ１０を設
定光ｆｆ１Ｌｏ、設定温度Ｔｏ（第２図参照）で駆動中
に外気温Ｔ５が設定温度Ｔｏ以上になると半導体レーザ
１０の温度もその外気温Ｔｓに向けて上昇し、もしその
外気ｍＴｓが図示の如くノイズ発生領域Ａ内に位置する
場合にはモードホッピングノイズが発生することになる
。そこで、半導体レーザ１０の温度を温度センサ２２で
常時検出し、外気温の上昇につれて半導体レーザ１０の
温度が上昇してノイズ発生領域Ａ内に移行しそうになっ
たら設定温度をそのノイズ発生領域へより高温側のノイ
ズ非発生領域内温度Ｔｌに変更する。Ｔｓ〉■、５であ
るので、半導体レーザ１０の温度はヒータによってＴ１
に維持され、モードホッピングノイズの発生は回避され
る。もし、ざらにＴｓが上昇し続けたら上記と同様の制
御を再度行なえば良い。
温度アクチュエータ２０が降温機能のみを有するクーラ
の如き場合において外気温Ｔｓ′が設定温度以下になり
、半導体レーザ温度がノイズ発生領域に移行しそうにな
った場合も上記と同様の方法で設定温度をＴＩ −に変
更すれば良い。
の如き場合において外気温Ｔｓ′が設定温度以下になり
、半導体レーザ温度がノイズ発生領域に移行しそうにな
った場合も上記と同様の方法で設定温度をＴＩ −に変
更すれば良い。
ざらには、温度アクチュエータ２０が昇温と降温の両機
能を有する場合においても、その能力が十分でない場合
には例えば外気温変化が非常に大きいとき等に半導体レ
ーザ温度を設定温度に制御することが不可能となり、該
温度が上記ノイズ発生領域に移行しそうになるときがあ
り、そのときも上記と同様の方法で設定温度を変更すれ
ば良い。
能を有する場合においても、その能力が十分でない場合
には例えば外気温変化が非常に大きいとき等に半導体レ
ーザ温度を設定温度に制御することが不可能となり、該
温度が上記ノイズ発生領域に移行しそうになるときがあ
り、そのときも上記と同様の方法で設定温度を変更すれ
ば良い。
上記各具体例はいずれも温度変化により実際の駆動条件
がノイズ発生領域に移行する場合であるが、走査側の理
由から設定光」を変化させることによりノイズ発生領域
に移行する場合もあり、その場合も設定温度を非発生領
域になるように設定変更すれば良い。
がノイズ発生領域に移行する場合であるが、走査側の理
由から設定光」を変化させることによりノイズ発生領域
に移行する場合もあり、その場合も設定温度を非発生領
域になるように設定変更すれば良い。
上記光量センサ１８の出力は、必ずしも制御回路２８に
入力させる必要はない。光量センサ１８の出力は設定光
量とほぼ同一であり、制御回路２８はこの設定光量に関
する情報を有しているからである。
入力させる必要はない。光量センサ１８の出力は設定光
量とほぼ同一であり、制御回路２８はこの設定光量に関
する情報を有しているからである。
また、温度センサ２２からの出力の代わりに外気。
瀧センサ３２の出力を制御回路２８に入力せしめるよう
にし、この外気温センサ３２の出力から半導体レーザの
実際の駆動温度を知るように構成することもできる。な
ぜならば、例えば温度アクチュエータ２０が昇温機能の
みを有するヒータの場合、上記半導体レーザ駆動温度は
、外気温が上記設定温度以下のときは該設定温度であり
、外気温が設定温度以上のときは該外気温に相当するか
らである。
にし、この外気温センサ３２の出力から半導体レーザの
実際の駆動温度を知るように構成することもできる。な
ぜならば、例えば温度アクチュエータ２０が昇温機能の
みを有するヒータの場合、上記半導体レーザ駆動温度は
、外気温が上記設定温度以下のときは該設定温度であり
、外気温が設定温度以上のときは該外気温に相当するか
らである。
半導体レーザは寿命、効率等の面からできるだけ低い温
度で駆動したいが、外気温より低い温度で駆動すること
は高価な冷却装置を用意しなければならないと共にレー
ザビームに悪影響を及ぼす結露発生の恐れがある。従っ
て、半導体レーザ温度の制御は、昇温機能を有するヒー
タのみによって行なうと共に常に外気温よりわずかに高
い所に制御するのが望ましい。
度で駆動したいが、外気温より低い温度で駆動すること
は高価な冷却装置を用意しなければならないと共にレー
ザビームに悪影響を及ぼす結露発生の恐れがある。従っ
て、半導体レーザ温度の制御は、昇温機能を有するヒー
タのみによって行なうと共に常に外気温よりわずかに高
い所に制御するのが望ましい。
本発明においては、温度アクチュエータ２０として昇温
機能のみを有するヒータを使用することにより、前述の
ように、所定の設定光１１ＬＯで半導体レーザを駆動す
る場合該半導体レーザの温度を外気ＩＴ、より上でその
外気温に最も近いノイズ非発生領域内のｍ ａ Ｔ ｔ
になるように制御でき、その結果半導体レーザを出来る
だけ低い温度で駆動したいという要求と温度制御のコス
トダウンおよび結露回避という要求の２つをある程度溝
たすことができるものである。
機能のみを有するヒータを使用することにより、前述の
ように、所定の設定光１１ＬＯで半導体レーザを駆動す
る場合該半導体レーザの温度を外気ＩＴ、より上でその
外気温に最も近いノイズ非発生領域内のｍ ａ Ｔ ｔ
になるように制御でき、その結果半導体レーザを出来る
だけ低い温度で駆動したいという要求と温度制御のコス
トダウンおよび結露回避という要求の２つをある程度溝
たすことができるものである。
上記モードホッピングノイズ発生領域を避けるために、
例えば上記の如くノイズ発生領域Ａを飛び越す方向に設
定温度を変更する場合は、その過程において短時間では
あるがモードホッピングノイズが発生し、レーザビーム
の光量が変化する。
例えば上記の如くノイズ発生領域Ａを飛び越す方向に設
定温度を変更する場合は、その過程において短時間では
あるがモードホッピングノイズが発生し、レーザビーム
の光量が変化する。
この様なレーザビームの先口変化は、もちろん光走査に
とって好ましいものではなく、従って必要に応じてその
光量変化に対応する補正を光走査において行なうのが望
ましい。
とって好ましいものではなく、従って必要に応じてその
光量変化に対応する補正を光走査において行なうのが望
ましい。
そのため、図示の装置においては、光量センサ１８から
の出力を変調器コントローラ１６に入力せしめ、変調器
コントローラ１６は、画像情報信号に対してこの光量セ
ンサ１８によって入力せしめられる光量変化分に応じた
補正を施すことによって得られる補正画像情報信号によ
って変調器１４を駆動し、レーザビーム１２を変調する
ように構成されている。
の出力を変調器コントローラ１６に入力せしめ、変調器
コントローラ１６は、画像情報信号に対してこの光量セ
ンサ１８によって入力せしめられる光量変化分に応じた
補正を施すことによって得られる補正画像情報信号によ
って変調器１４を駆動し、レーザビーム１２を変調する
ように構成されている。
もちろん、読み取りの場合には、読み取った信号にこの
光量センサ１８で検出された光量変化分に応じた補正を
施すように構成すれば良い。
光量センサ１８で検出された光量変化分に応じた補正を
施すように構成すれば良い。
第３図は他の実施態様を示すブロック図である。
図示の実施態様も、その基本的な構成は第１図に示す実
ＩＭＢ様と同様であり、同一構成要素には同一の番号を
付し、詳細な説明は省略する。
ＩＭＢ様と同様であり、同一構成要素には同一の番号を
付し、詳細な説明は省略する。
本実施態様の第１図に示す実施態様と異なる点は、記憶
手段３０にある。即ち、第１図実施態様の記憶手段３０
は、予め何らかの方法によって用意されたモードホッピ
ングノイズ発生領域に関する情報を記憶するだけのもの
であるのに対し、本実施態様における記憶手段３０は自
らモードホッピングノイズ発生領域を検出し、それを記
憶することができるように構成されている。
手段３０にある。即ち、第１図実施態様の記憶手段３０
は、予め何らかの方法によって用意されたモードホッピ
ングノイズ発生領域に関する情報を記憶するだけのもの
であるのに対し、本実施態様における記憶手段３０は自
らモードホッピングノイズ発生領域を検出し、それを記
憶することができるように構成されている。
具体的には、上記光」センサ１８からの出力に基づいて
モードホッピングノイズ発生を検出するモ、−ドホッピ
ングノイズ検出器３４を備え、該検出器３４からの出力
と上記温度センサ２２からの出力が記憶手段に入力せし
められ、所定光量Ｌｏで半導体レーザ１０を駆動しなが
ら温度アクチュエータ２０をを動させて該半導体レーザ
温度を所定範囲内で上下に振らせ、モードホッピングノ
イズが発したときの温度と上記光量 Ｌ ｏとを記憶す
るように構成されている。
モードホッピングノイズ発生を検出するモ、−ドホッピ
ングノイズ検出器３４を備え、該検出器３４からの出力
と上記温度センサ２２からの出力が記憶手段に入力せし
められ、所定光量Ｌｏで半導体レーザ１０を駆動しなが
ら温度アクチュエータ２０をを動させて該半導体レーザ
温度を所定範囲内で上下に振らせ、モードホッピングノ
イズが発したときの温度と上記光量 Ｌ ｏとを記憶す
るように構成されている。
上記モードホッピングノイズの検出は、レーザビーム１
２の光量の交流成分（変動分）を検出し、これが所定の
基準値以上になったときにモードホッピングノイズが発
生していると判断するものであり、例えば図示の如＜Ｄ
Ｃカットフィルタ３４ａ１比較回路３４ｂ、基準信号発
生器３４ｃとで構成される。
２の光量の交流成分（変動分）を検出し、これが所定の
基準値以上になったときにモードホッピングノイズが発
生していると判断するものであり、例えば図示の如＜Ｄ
Ｃカットフィルタ３４ａ１比較回路３４ｂ、基準信号発
生器３４ｃとで構成される。
上記第１図実ｍｉ様の場合に記憶手段３０に記憶せしめ
るモードホッピングノイズ発生領域は、所定の光ｆｆｉ
Ｌ ｏのときのノイズ発生領域のみであっても良いが
、所定範囲の先口にわたった第２図に示す如きノイズ発
生領域であるのが好ましい。そうでないと、この実施態
様は、ノイズ発生領域を自ら検出することができないの
で、異なる光量の場合にはその光」におけるノイズ発生
領域を記憶させ直さなければならず、面倒だからである
。
るモードホッピングノイズ発生領域は、所定の光ｆｆｉ
Ｌ ｏのときのノイズ発生領域のみであっても良いが
、所定範囲の先口にわたった第２図に示す如きノイズ発
生領域であるのが好ましい。そうでないと、この実施態
様は、ノイズ発生領域を自ら検出することができないの
で、異なる光量の場合にはその光」におけるノイズ発生
領域を記憶させ直さなければならず、面倒だからである
。
しかしながら、第３図実施態様の場合には、異なる光面
についてのノイズ発生領域を容易に検出し、記憶するこ
とができるので、設定予定の所定光ｆｆ１ｃｏについて
のノイズ発生領域のみ記憶させておけば良く、設定光重
が変化したらまた記憶させ直せば良い。また、この実施
態様によれば、常に新しいノイズ発生領域を容易に記憶
させることができ、半導体レーザの劣化等によるノイズ
発生領域の変化に容易に対応できるので便利である。
についてのノイズ発生領域を容易に検出し、記憶するこ
とができるので、設定予定の所定光ｆｆ１ｃｏについて
のノイズ発生領域のみ記憶させておけば良く、設定光重
が変化したらまた記憶させ直せば良い。また、この実施
態様によれば、常に新しいノイズ発生領域を容易に記憶
させることができ、半導体レーザの劣化等によるノイズ
発生領域の変化に容易に対応できるので便利である。
なお、光量センサ１８からの出力を半導体レーザコント
ローラ２６に入力せしめ、該コントローラ２６で半導体
レーザ１０を駆動制御するにあたっては、第４図に示す
ように、光量センサ１８からの出力を基準信号と比較し
、比較結果を低周波除去フィルタに入力してレーザビー
ム光量における低周波成分の温度ドリフト等を除去して
コントローラ２６に入力させるようにしても良い。
ローラ２６に入力せしめ、該コントローラ２６で半導体
レーザ１０を駆動制御するにあたっては、第４図に示す
ように、光量センサ１８からの出力を基準信号と比較し
、比較結果を低周波除去フィルタに入力してレーザビー
ム光量における低周波成分の温度ドリフト等を除去して
コントローラ２６に入力させるようにしても良い。
（発明の効果）
本発明に係る半導体レーザ駆動装置は、上記の如く、モ
ードホッピングノイズ発生領域を記憶しておき、半導体
レーザの駆動中における実際の半導体レーザ温度および
レーザビーム光量を監視しながらそれらを上記ノイズ発
生領域と比較検討し、上記温度と光量との組合せが上記
ノイズ発生領域に移行しそうになったら設定温度を変更
して該ノイズ発生領域への移行を回避するように構成さ
れている。
ードホッピングノイズ発生領域を記憶しておき、半導体
レーザの駆動中における実際の半導体レーザ温度および
レーザビーム光量を監視しながらそれらを上記ノイズ発
生領域と比較検討し、上記温度と光量との組合せが上記
ノイズ発生領域に移行しそうになったら設定温度を変更
して該ノイズ発生領域への移行を回避するように構成さ
れている。
従って、本発明装置においては、半導体レーザの駆動条
件（上記温度と光量の組合せ）が上記ノイズ発生領域に
移行する恐れはなく、よって例えば半導体レーザ駆動中
に外気温変化や設定光グ変化があった場合においても、
モードホッピングノイズの発生を十分に回避することが
できる。
件（上記温度と光量の組合せ）が上記ノイズ発生領域に
移行する恐れはなく、よって例えば半導体レーザ駆動中
に外気温変化や設定光グ変化があった場合においても、
モードホッピングノイズの発生を十分に回避することが
できる。
また、温度アクチュエータとしてヒータを使用すれば、
前述の如く外気温に対して常に最低の昇ｔＭｌｉｌＪ御
でモードホッピングノイズの発生を防止することができ
、種々のメリットが得られるので好都合である。
前述の如く外気温に対して常に最低の昇ｔＭｌｉｌＪ御
でモードホッピングノイズの発生を防止することができ
、種々のメリットが得られるので好都合である。
第１図は本発明に係る半導体レーザ駆動装置の一実ＩＭ
Ｂ様を示すブロック図、第２図は半導体レーザにおける
モードホッピングノイズ発生領域を示す図、第３図は他
の実施Ｂ様を示す図、第４図は光量センサの出力を半導
体レーザコントローラに入力せしめる場合の一態様を示
すブロック図である。 １０・・・半導体レーザ、 １２・・・レーザビ
ーム、１８・・・光量センサ、 ２０・・・温度アクチュエータ、 ２２・・・温度セン
サ、２４・・・半導体レーザコントローラ、２６・・・
温度コントローラ、 ２８・・・制御回路、３０・・
・記憶手段、 ３４・・・モードホッピングノイズ検出器。
Ｂ様を示すブロック図、第２図は半導体レーザにおける
モードホッピングノイズ発生領域を示す図、第３図は他
の実施Ｂ様を示す図、第４図は光量センサの出力を半導
体レーザコントローラに入力せしめる場合の一態様を示
すブロック図である。 １０・・・半導体レーザ、 １２・・・レーザビ
ーム、１８・・・光量センサ、 ２０・・・温度アクチュエータ、 ２２・・・温度セン
サ、２４・・・半導体レーザコントローラ、２６・・・
温度コントローラ、 ２８・・・制御回路、３０・・
・記憶手段、 ３４・・・モードホッピングノイズ検出器。
Claims (2)
- （１）半導体レーザから発せられるレーザビーム光量を
検出する光量センサと、 半導体レーザの温度を検出する温度センサと、半導体レ
ーザの温度を制御する温度アクチュエータと、 上記光量センサからの出力に基づいて半導体レーザから
出射されるレーザビームの光量が設定光量となるように
半導体レーザを駆動する半導体レーザコントローラと、 上記温度センサから出力に基づいて半導体レーザの温度
が設定温度になるように温度アクチュエータの作動を制
御する温度コントローラと、レーザビームの光量と半導
体レーザの温度との組合せによって特定されるモードホ
ッピングノイズ発生領域を記憶する記憶手段と、 上記半導体レーザコントローラと温度コントローラとに
それぞれ上記設定光量と設定温度とを入力せしめると共
に上記記憶手段によって記憶されているモードホッピン
グノイズ発生領域が入力せしめられ、上記半導体レーザ
から発せられるレーザビームの光量と該半導体レーザの
温度との組合せが該モードホッピングノイズ発生領域に
移行しないように上記設定温度を変更せしめる制御回路
とを備えて成ることを特徴とする半導体レーザ駆動装置
。 - （２）上記記憶手段が、上記光量センサから出力された
レーザビーム光量に基づいてモードホッピングノイズの
発生を検出するモードホッピングノイズ検出器を備え、
該検出器からのモードホッピングノイズ発生信号と上記
温度センサから出力された半導体レーザ温度信号とから
上記モードホッピングノイズ発生領域を検出し、その検
出されたモードホッピングノイズ発生領域を記憶するも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105578A JPS61264774A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
| US06/862,875 US4817098A (en) | 1985-05-17 | 1986-05-13 | Semiconductor laser driver system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60105578A JPS61264774A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61264774A true JPS61264774A (ja) | 1986-11-22 |
| JPH0582755B2 JPH0582755B2 (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14411391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60105578A Granted JPS61264774A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | 半導体レ−ザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61264774A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199482A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-08-17 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 光通信用ハイブリッドレーザ |
| US6590912B2 (en) * | 2000-02-25 | 2003-07-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus |
| JP2006156537A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Noritsu Koki Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP2008065105A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
| JP2010177328A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Anritsu Corp | 波長掃引光源 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60105578A patent/JPS61264774A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63199482A (ja) * | 1987-01-21 | 1988-08-17 | エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション | 光通信用ハイブリッドレーザ |
| US6590912B2 (en) * | 2000-02-25 | 2003-07-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus |
| JP2006156537A (ja) * | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Noritsu Koki Co Ltd | 半導体レーザ駆動装置 |
| JP2008065105A (ja) * | 2006-09-08 | 2008-03-21 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光モジュール |
| JP2010177328A (ja) * | 2009-01-28 | 2010-08-12 | Anritsu Corp | 波長掃引光源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582755B2 (ja) | 1993-11-22 |
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