JPS61263008A

JPS61263008A - 透明導電膜の製造方法及びその装置

Info

Publication number: JPS61263008A
Application number: JP10545885A
Authority: JP
Inventors: 内嗣南; 秀仁南戸; 新三高田
Original assignee: OSAKA TOKUSHU GOKIN KK
Current assignee: OSAKA TOKUSHU GOKIN KK
Priority date: 1985-05-16
Filing date: 1985-05-16
Publication date: 1986-11-21
Also published as: JPH056287B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、透明導電膜の製造方法およびその装置に関す
る。

（従来の技術）一般に、液晶表示素子等の表示素子、あるいは薄膜太陽
電池等においては、それらの透明電極あるいは透明な赤
外線遮へいや透明な静電遮へい等の形成の為、透明導電
膜が必要不可欠であるが、従来この透明導電膜としては
酸化インジウム−酸化スズ系薄膜（ＩＴＯ膜）が汎用さ
れている。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、このＩＴ○膜は可視光の範囲で高い透過率と赤
外域での高い反射率を示し、１０情Ωｃｍオーダーの低
い抵抗率を実現できるという利点があるが、低抵抗率の
ものを得るためには、基体を約３００“Ｃ以上に加熱し
ながら真空蒸着あるいはスパッタリングする必要がある
ため、プラスチックフィルムのような耐熱性に劣る基体
上に形成できず、また低温で形成ができないという欠点
があった。

他方、最近有望な透明導電膜用材料として、低温基体上
に２Ｘ１０−’ΩｃＩ１１オーダーの低抵抗率透明導電
膜の作成が可能な酸化亜鉛（Ｚｎ○）が注目されている
。しかしながら、このＺｎＯ系薄膜は、その製造方法に
よって特性が著しく左右され、良質のものを多量生産す
ることかでトないという問題があることが明らかになっ
た。即ち、ＺｎＯ系薄膜は、マグネトロンスパッタリン
グによりＩＴＯ膜に劣らぬ高い可視光透過率と低い抵抗
率を持つ透明導電膜の製造が可能であるが、低抵抗率の
透明導電膜を得るためには基板をターゲットの表面に対
してほぼ垂直に配置しなければならず、その結果、ター
ゲット表面に近い所と遠い所で膜厚が不均一となり、膜
厚および抵抗率の均一な大面積の透明導電膜を製造する
ことが不可能である。

また、酸化亜鉛薄膜の膜厚が不均一（こなるのを防止す
るためには、基板をターゲット表面と平行に配置してス
パッタリングすればよいが、これでは低抵抗率を得るた
めの必須条件、即ち、基板をターゲット表面に対して垂
直に配置するという条件を満足させることができないた
め、低抵抗率の透明導電膜が得られないという問題があ
る。

従って、本発明の目的は、可視光透過率が高く、抵抗率
か低い大面積の透明導電膜を低温で任意の基体上に形成
でトる透明導電膜の製造方法およびその装置を提供する
ことにある。

（問題点を解決するための手段）本発明は、前記問題点を解決するため、透明導電膜形成
材料からなるターゲットの表面に対して垂直方向に外部
よりプラズマ集束磁界を印加すると共に、前記ターゲッ
ト表面に対し垂直に保持された基体をマグネトロンカソ
ードおよびターゲットの略中心部に設けた貫通口に供給
し、該貫通口内を通過させつつマグネトロンスパッタリ
ングするようにしたものである。

本発明方法により製造される透明導電膜の形成材料とし
ては、酸化亜鉛または酸化インジウムの単体の他、酸化
亜鉛に酸化ホウ素、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、
酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくとも一種
の酸化物を２０−１％以下含有させたもの、あるいは酸
化亜鉛に２０ｕ＋ｔ％以下のこれらの少なくとも一種の
酸化物と共に１０ｗｔ％以下の酸化ホウ素を含有させた
もの、又は酸化インジウムに酸化スズを５０社％以下含
有させたものを使用すれば良い。酸化ホウ素、酸化アル
ミニウム、酸化ガリウム、酸化インジウムからなる群か
ら選ばれた少なくとも一種の酸化物の含有量を２０ｕ＋
ｔ％以下としたのは、２０ｗｔ％を越えると、結晶性が
極度に悪化してしまい、低い抵抗率が得られないからで
ある。また、酸化ホウ素は酸化亜鉛の結晶性を改善する
効果があり、添加量を増加するにつれて抵抗率が低くな
るが、１０ｗｔ％を越えると、その添加効果が飽和する
ので前記範囲とした。

本発明によれば、前記方法は、略中矢部に貫通口を有し
、該貫通口に対応する貫通口を有するターゲットを装着
される少なくとも１基のマグネトロンカソードと、該マ
グネトロンカソードの貫通口と同軸にマグネトロンカソ
ードのターゲット取り付け面側に配設された少なくとも
一つのアノードと、基体をターゲット表面に対し垂直に
保持し前記貫通口内を移動させる基体搬送手段と、これ
らを収容する真空槽と、該真空槽を包囲し、かつ前記タ
ーゲットとほぼ同一レベルに配設されたプラズマ集束用
コイルとからなる透明導電膜の製造装置を用いることに
よって実施できる。

好ましい実施態様においては、所定間隔をおいて２基の
マグネトロンカソードが一直線上に、かつ、それらのタ
ーゲット取り付け面を対向させて配設され、両マグネト
ロン間にそれらの間に形成される空間を包囲する７ノー
ドが配設される。

池の実施態様においては、所定間隔をおいて２基以上の
マグネトロンカソードが一直線上に、かつ、それらのタ
ーゲット取り付け面を同一方向に向けて配設され、７ノ
ー１′が各マグネトロンカソードのターゲット取り付け
面と平行に配設される。

基体搬送手段としては、真空槽の一端側から他端側へ移
動する基体キャリア、あるいは真空槽の一端側から他端
側へ移動する基体移動用ガイドと巻き取り機構からなる
搬送機構など任意の手段を採用できる。

以下、本発明に係る装置を添付の図面を参照して具体的
に説明する。

第１図及び第２図は本発明の一実施例に係る透明導電膜
製造装置であるマグネトロンスパッタリング装置を示し
、１はマグネトロンカソード、２は透明導電膜形成材料
からなるターゲット、３はアノード、４は外部ソレノイ
ドコイル、Ｓは基板、７は真空槽で、マグネトロンカソ
ード１は電磁石または永久磁石を内蔵し、その中心部に
は基板５を通過させるための矩形の貫通口８が形Ｔ＃、
され、該貫通口８と同様な貫通口１５を設けたターゲッ
ト２を装着するようにしである。

アノード３は、その中央部に開口部３ａを有し、マグネ
トロンカソード１の貫通口８と同軸に、そのターゲット
取り付け面側に平行に配設され、その表面はターゲット
２の表面とほぼ同一レベルに位置するようにマグネトロ
ンカソード１に装着されている。アノード３の中央開口
部３ａの寸法は、ターゲット２の外形寸法より若干小さ
く形成され、中央開口部はターゲット２の外形より内側
に位置している。

また、マグネトロンカソード１の上方には、その貫通口
８と同軸にマスクを兼ねたガイド部材６が配設され、そ
の上端側に隣接して搬送装置を構成する一対の送りロー
ラ９が配置されている。また、マグネトロンカソード１
の下方にも一対の送りローラ１０が配設され、これらの
送りローラ９、１０により板状あるいはシート状の基板
５がターゲット２の表面に対して垂直に保持されると共
に、一定の速度でマグネトロンカソード１及びターゲッ
ト２にそれぞれ設けた貫通口８，１５を通って一方向へ
搬送される。

これらの部材は、いずれも真空槽７の内部に配設され、
その外側には、アノード３を包囲し、ターゲットとほぼ
同一レベルにソレノイドコイル４が配設され、マグネト
ロン放電により生成されるプラズマを集束させるように
しである。

前記構成の装置の使用に際しては、マグネトロンカソー
ド１の上にターゲット２を取り付けた後、２枚のガラス
基板を重ね合わせたものを送りローラ９間を介してガイ
ド部材６に通し、ターゲット２及びマグネトロンカソー
ド１に設けた貫通口８゜１５を経て下側の送りローラ９
に導いてセットし、次いで、真空槽内を真空排気した後
、雰囲気ガスを供給して所定圧力に維持し、前記基板を
一定速度で移動させながら、外部ソレノイドコイル４に
より磁界を印加しつつ、マグネトロンスパッタリングを
行なうようにすれば良い。なお、本発明方法および装置
においては、基板を加熱しながらマグネトロンスパッタ
リングを行う必要は無い。

基板としてガラス基板のような硬質基板や所定の長さの
フィルム等を用いて透明導電膜を連続的に製造する場合
には、第２図に示すように、基板送りローラ９，１０と
ガイド６　（これは膜を付着させたくない空間のマスク
の働きもする）によって、基板を順次連続的に一方の方
向に移動させるようにすれば良い。

また、基板としてプラスチックフィルムシートなどの連
続的に長い有機フィルムを用いる場合は、第３図に示す
ように、マグネトロンカッ−）′１の上側にフィルム供
給ローラ１１を、主だ下側にフィルム巻軽取りローラ１
２をそれぞれ配設し、これらのローラをモータ（図示せ
ず）で直接あるいは動力伝達機構を介して駆動し、フィ
ルムをフィルム供給ロール１１からガイドロール１２を
介して供給し、透明導電膜を形成して巻取ロール１３で
巻き取るようにすれば大面積の透明導電膜を製造で鰺る
。

第４図は本発明に係る透明導電膜製造装置の他の実施例
を示し、この装置は所定間隔をおいて２基のマグネトロ
ンカソード１を一直線上に、かつ、それらのターゲット
取り付け面を同一方向に向けて配設し、各マグネトロン
カッ−Ｖのターゲット取り付け面側にアノード３を配設
すると共に、その前方にガイド部材６をそれぞれ配設し
、真空槽の周囲にアノード３を包囲するようにソレノイ
ドコイル４をそれぞれ配置し、基板５を水平方向に搬送
するようにした点が異なるだけで、各部の基本的構成は
第１図の装置と同じである。この装置では、各マグネト
ロンカソード１に取り付けるターゲット２を異なる透明
導電膜形成材料で形成すれば、２層積層した透明導電膜
を形成することができる。また、マグネトロンカソード
１を３個以上平行に、かつ連続的に配列するようにすれ
ば、各種の薄膜の連続多層コーティングや成膜の高速化
を図ることができる。

第５図は本発明に係るさらに他の実施例を示し、所定間
隔をおいて２基のマグネトロンカソード１を一直線上に
、かつ、それらのターゲット取り付け面を対向させて配
設し、両マグネトロン間にそれらの間に形成される空間
を包囲する円筒状のアノード３を配設し、各７ノード３
を包囲するように外部ソレノイドコイル４を配設し、円
筒状基板５の表面に透明導電膜を形成するようにしたも
のである。

前記実施例では、それぞれ一種類のアノード配設方法を
採用しているが、７ノード３は第１図〜第３図のごとく
ターゲットとほぼ同一面上もしくは第４図のごとくター
ゲットと平行あるいは第５図のごとくターゲット周辺上
のいずれにも配設することが可能である。

前記実施例では、基体の形状が板状もしくは円形のもの
を採用しているが、本発明方法によれば、マグネトロン
カソードおよびターゲットの中心部に基体の形状に合せ
た貫通口を設けることによって、板、パイプ、角柱、フ
ィルム等はぼ任意の形状の基体の表面に膜を形成するこ
とができる。

また、いずれの実施例においても、１枚の基板の両面に
同時に膜を形成しても良く、また、２枚の基板を重ね合
わせ、それらを一体的に同時に移動させて、各基板の片
面のみに膜を形成するようにしても良い。

本発明に係る透明導電膜製造装置は外部磁界印加形マグ
ネトロンスパッタ装置であるので、ターゲットとして他
の材料を採用すれば、前記透明導電膜と同様低温基体上
に各種材料の薄膜を高速で形成することができる。さら
に、ターゲットの寸法等を変えることにより、均一な膜
厚と低い抵抗率を有し、大面積の透明導電膜を製造する
ことができる。

（作用）前記本発明方法および装置においては、通常使用される
マグネトロンカソードのスパッタされない部分である中
心部に設けた貫通口を基体が通過するようにしたことと
、外部からプラズマ集束磁界を印加するようにしたこと
によって次のような作用効果を与える。

（１）ターゲット中心部の貫通口に基体を通過させなが
ら膜を形成させているため、基体をターゲット表面に対
して垂直に配置でき、これが透明導電膜の抵抗率を高く
する原因となるイオン種、例えば、負にイオン化した酸
素（０２）の基板への飛来を少なくし、キャリア密度お
よび移動度の減少を防止する働きをする。

（２）外部印加磁界の作用によりプラズマ中の荷電粒子
（アルゴンイオン、スパッタされたイオン、電子）がロ
ーレンツ力を受けるため、基板がターゲット表面に対し
て垂直に配置されていることと相まって、基板上に飛来
する各種の粒子は基板表面に平行方向に運動エネルギー
を付与され、基板表面に到達することによって、結晶核
の形成および原子や分子の再配列を促進するエネルギー
を与え、また、その結果、低温の基板上でも大きな膜付
着力を与える。

（３）これらの効果はいずれら多結晶質透明導電膜の結
晶性を改善するため、膜のキャリア移動度を増大させ、
従って、この移動度の増大効果お上び前記のイオン化酸
素の導入阻止効果によるキャリア密度および移動度の減
少防止が低い抵抗率を実現する要因となっている。

（４）外部よりプラズマ集束用磁界を印加しているため
、マグネトロンカソードの中心部に設ける基体通過用の
貫通口は、円形、四辺形、楕円形等の各種の形状とする
ことができるが、基体を移動させるので、基体の回転等
を必要とすることなく、これらの基体の表面上に均一に
、かつ大面積の透明導電膜を形成することができる。

（５）外部から磁界を印加しているため、プラズマのピ
ンチ効果によって低〃ス圧での安定なプラズマ生成を行
わせることができると同時に、プラズマを集束させター
ゲットの表面でのスパッタガス（Ａｒ）の電離効率を高
めるため、大きな膜形成速度を達成でき、透明導電膜を
安価に製造することを可能にしている。

以下、本発明の実施例について説明する。

実施例１第１図に示す装置を用い、純度（９９，９９％）の酸化
亜鉛（Ｚｎ○）に２ｕ＋ｔ％の酸化アルミニウム（Ａ乏
、Ｏ２）を添加して焼結させた幅８　ａｍ、長さ１５ｃ
＋ａの長方形状の焼結体をターゲット２とし、ターゲッ
ト２の中心部に幅５ｍｌ１１′？′長さ１１ｃｍの貫通
口８を設け、ガラス基板５を２枚重ねて配置し、その積
層基板５を０．３ｃｍ／ｍｉｎの速度でゆっくり移動さ
せながら、下記の条件で純アルゴンを又バッタガスとし
てスパッタリングを行ない、透明導電膜を形成した。

スパッタ条件アルゴンがス圧　：０，７５Ｐａ゛ドーパント　　　　二酸化アルミニウム（純度９９．
９９％）高周波電力　　　：２００Ｗプラズマ集束磁界：　５Ｘ１０−コＴ基板　　二幅１０ｃｍ、Ｊ令ｌｍｍ−一−−−＝２枚の
基板上に幅１０ｃｍにわたって、膜厚の変化率が±３％
以内である厚さの均一・な透明導電膜が得られた。また
、その平均抵抗率は２．８　×１’Ｏ−’Ωｅ＋ｌｌで
、可視光透過率が８５％以上であった。なお、この時の
成膜速度は４０　ｎｍ、／ｍｉｎであった。

次に、同じターゲットおよび同じ装置を用い、同ヒスバ
ッタ条件下で、厚さ１００μｍの透明有機フィルム基板
５の両面に約４００ｎ１１１のアルミニウム添加酸化亜
鉛透明導電膜を形成した。基板フィルム５を移動させな
がら連続的に成膜を行ない、幅１０ｃ＋＊にわたって、
膜厚の変化率が±３％以内の均一な厚さを有し、その平
均抵抗率が３．１×１０−４Ωｅｌ１１で可視光透過率
が８０％以上の無帯電透明導電膜を得た。

実施例２前記実施例１と同じ装置を用い、純度９９．９９％の酸
化インジウム（Ｉｎ２０３）に５ｕｉｔ％の酸化スズ（
ＳｎＯｉ）を添加して焼結させた幅８ｃ＋ａ、長さ１５
ｅｌｌｌの長方形状の焼結体からなるターゲットを用い
て、下記の条件でスパッタリングを行ない、ガラス基板
上に厚さ約２００ｎｍのＩＴｏ透明導電膜を形成した。

得られたＩＴＯ透明導電膜は、基板の幅１０ｃｍにわた
って膜厚の変化率が±３％以内の均一な厚さを有し、そ
の平均抵抗率が２．９Ｘ１０−’Ωｃｍで、可視光透過
率が８５％以上であった。

スパッタ条件スパッタガス　　：アルゴン（Ａ「）十酸素（０２）ス
パッタガス圧カニ　　５．３Ｘ１０−’Ｐａ酸素分圧　
　　　：　４，３Ｘ１０−３Ｐａドーパント　　　　二
酸化スズ（純度９９．９９％）高周波電力　　　：２０
０Ｗプラズマ集束磁界：５Ｘ１０−”Ｔ基　板　　　　　二部Ｌｏａｍ、厚さ１＋ａｍのガラス
基板の移動速度　：　２　、５　ａｌＩｌ／ｍｉｎ次に
、ガラス基板の代りに、厚さ１１００Ａｔの透明有機フ
ィルム基板５を用い、同じ条件下でスパッタリングを行
った。基板フィルム５の両面に膜厚が約２００ｎｍのＩ
ＴＯ膜を幅１０ｃ＋ｏにわたって形成した。平均抵抗率
が４．５Ｘ１０−４Ωｃｍで可視光透過率が８０％以上
の無帯電透明導電フィルムを得た。

実施例３第４図に示す装置を用い、純度９９．９９％の酸化イン
ジウム（Ｉｎ２０．）および純度９９．９９％の酸化ス
ズ（ＳｎＯ２）の２種類の焼結体を各々のターゲット２
とし、スパッタガスとして純アルゴンを用いて、それぞ
れのターゲット２の中心部に幅５■で長さ１０ｃｍの貫
通口を設け、プラス基板５を２枚重ねて配置し、その基
板５を５ｃＩＩｌ／ｌｌ１ｉｎの速度で、最初にＩｎ２
Ｏ３ターゲットを、次に、Ｓ　ｎ　Ｏ２ターゲットを通
過させながら、下記の条件°でスパッタリングを行い、
透明導電膜を形成した。

また、この時の膜厚は約２００ｎｍであった。

スパッタ条件ターゲットの大きさ：　　８ｃ＋ｏＸ　Ｉ　Ｓｅｗスパ
ッタガス圧力　：０．６５Ｐａ高周波電力　　　　：２００Ｗプラズマ集束磁界　：５ｘｌＯ−３７基　板　　　　　二幅１０ｃｍ、厚さ１ｍｌ１１のガラ
ス２枚の基板上にそれぞれ幅１０ｃｍにわたって膜厚の
変化率が±３％以内で、厚さが均一なＩｎｚ０３膜およ
びＳｎＯ２膜の２層からなる透明導電膜が得られた。ま
た、その平均抵抗率は４．５Ｘ１０−’ΩｃＩＩｌで可
視光透過率が８５％以上であり、アモルファスシリコン
薄膜太陽電池用透明電極としての応用に好適な透明導電
膜である。

実施例４第５図に示す装置を用い、２ｕ＋ｔ％の酸化ガリウム（
Ｇａ２ａ−）を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ）からなる焼
結体をターゲット２とし、ターゲットの中心部に直径１
１ｃｌＩｌの貫通口を設け、直径１０ｃｍのガラスパイ
プを０．６ｃｍ／ｗｉｎの速度で移動させながら、下記
の条件でスパッタがスとして純アルゴンを用いてスパッ
タリングを行い、ガリウム添加酸化亜鉛透明導電膜を形
成した。

スパッタ条件アルゴンガス圧　　：０．７５Ｐａドーパント　　　　二酸化ガリウム（純度９９．９９％
）高周波電力　　　　：２００Ｗターゲットの大きさ：外径１８ｃａ＋、内径１１ｃｍの
一一ナツ状プラズマ集束磁界　：　５Ｘ１０−コＴターゲット間隔
　　：８ｃｍガラスパイプは厚さ約５００ｎｍの透明導電膜で均一に
コーティングでき、高い成膜速度が得られた。

（発明の効果）本発明によれば、通常使用されるスパッタ装置と異なり
、マグネトロンカソードの中心部に基体を通過させる穴
（貫通口）を設け、基体をターゲット表面に対して垂直
に配置してマグネトロンスパッタリングを行なうため、
イオン化した酸素（ｏ２）の基板への飛来を少なくし、
実質的にキャリア密度の増加を図ることができ、また、
膜中への酸素やアルゴンブスの吸着を少なくすることが
できるため、キャリア移動度の増大を図ることができ、
抵抗率を低減できる。また、基体はターゲットの略中矢
部に配設され、該中央部を一定速度で通るるため、多様
な形状の基体表面に均一な大面積の膜を形成できる。

さらに、外部印加磁界の作用により、プラズマ中の粒子
が基体表面に平行方向の運動エネルギーを付与され、基
体上に飛来した各種の粒子が基板表面に衝突することに
よって、結晶核の形成および原子や分子の再配列を促進
するエネルギーを与えるため、基体が低温にもかかわら
ず、多結晶質酸化物透明導電膜の結晶性を改善し、キャ
リア移動度を増大させ、一段と抵抗率の低減化を実現で
きる。加えて、この結晶性の改善効果は膜の基体上への
付着力を高めるため、低温基体上に高性能透明導電膜を
形成できる。また、外部から磁界を印加しているため、
プラズマのピンチ効果によって低ブス圧での安定なプラ
ズマ生成を行わせることができると同時に、プラズマを
集束させターゲットの表面でのスパッタ装置の電離効率
を高めることができ、大きな膜形成速度を達成できる。

従って、本発明によれば、特性的に高温処理工程の下で
製造できるＩＴＯ膜に優る大面積の各種透明導電膜を各
種形状の低温基体上に安価に多量生産できるなど優れた
効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明方法の実施に使用する透明導電膜製造装
置の概略説明図、第２図は第１図の装置の使用態様を示
す概略斜視図、第３図は第１図の装置の他の使用態様を
示す概略斜視図、第４図は本発明に係る透明導電膜製造
装置の他の実施例を示す概略説明図、第５図は本発明に
係る透明導電膜製造装置のさらに池の実施例を示す概略
説明図である。１・・・マグネトロンカソード、２・・・ターゲット、
３・・・アノード、３ａ・・・７メ一ド開口部、４・・
・外部ソレフイドフィル、５・・・基板、７〜真空槽、
９．１０．１１，１２．１３〜送りローラ（搬送手段）
、８．１５・・・貫通口。特　許　出　願　人　大阪特殊合金株式会社代　理　人
　弁理士　青　山　　葆はが２名第１　図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）透明導電膜形成材料からなるターゲットの表面に
対して垂直方向に外部よりプラズマ集束磁界を印加する
と共に、前記ターゲット表面に対し垂直に保持された基
体をマグネトロンカソードおよびターゲットの略中心部
に設けた貫通口に供給し、該貫通口内を通過させつつマ
グネトロンスパッタリングすることを特徴とする透明導
電膜の製造方法。
（２）前記ターゲットが酸化亜鉛の焼結体からなる特許
請求の範囲第１項記載の透明導電膜の製造方法。
（３）前記ターゲットが酸化ホウ素、酸化アルミニウム
、酸化ガリウム及び酸化インジウムからなる群から選ば
れた少なくとも一種の酸化物を２０ｗｔ％以下含有する
酸化亜鉛の焼結体からなる特許請求の範囲第１項記載の
透明導電膜の製造方法。
（４）前記ターゲットが酸化アルミニウム、酸化ガリウ
ム及び酸化インジウムからなる群から選ばれた少なくと
も１種の酸化物を２０ｗｔ％以下と酸化ホウ素を１０ｗ
ｔ％以下含有する特許請求の範囲第１項記載の透明導電
膜の製造方法。
（５）前記ターゲットが酸化インジウムの焼結体からな
る特許請求の範囲第１項記載の透明導電膜の製造方法。
（６）前記ターゲットが酸化スズを５０ｗｔ％以下含有
する酸化インジウムの焼結体からなる特許請求の範囲第
１項記載の透明導電膜の製造方法。
（７）前記ターゲットがスズを４０ｗｔ％以下含有する
インジウム合金からなり、プラズマ生成ガスがアルゴン
と８０％以下の酸素との混合ガスからなる特許請求の範
囲第１項記載の透明導電膜の製造方法。
（８）略中央部に貫通口を有し、該貫通口に対応する貫
通口を有するターゲットを装着される少なくとも１基の
マグネトロンカソードと、該マグネトロンカソードの貫
通口と同軸にマグネトロンカソードのターゲット取り付
け面側に配設された少なくとも一つのアノードと、基体
をターゲット表面に対し垂直に保持し前記貫通口内を移
動させる基体搬送手段と、これらを収容する真空槽と、
該真空槽を包囲し前記ターゲットとほぼ同一レベルに配
設されたプラズマ集束用コイルとからなる透明導電膜の
製造装置。
（９）前記アノードが所定間隔をおいてターゲット面と
平行に配設されている特許請求の範囲第７項記載の透明
導電膜の製造装置。
（１０）前記アノードがマグネトロンカソードの貫通口
と同軸にマグネトロンカソードのターゲット取り付け面
の周辺上に立てて配設されている特許請求の範囲第７項
記載の透明導電膜の製造装置。
（１１）所定間隔をおいて２基のマグネトロンカソード
が一直線上に、かつ、それらのターゲット取り付け面を
対向させて配設されている特許請求の範囲第７項〜第９
項記載の透明導電膜の製造装置。
（１２）所定間隔をおいて少なくとも２基のマグネトロ
ンカソードが一直線上に、かつ、それらのターゲット取
り付け面を同一方向に向けて配設されている特許請求の
範囲第７項〜第９項記載の透明導電膜の製造装置。
（１３）前記基体搬送手段が真空槽の一端側から他端側
へ移動する基体キャリアからなる特許請求の範囲第７項
〜第１１項のいずれか一項記載の装置。
（１４）前記基体搬送手段が真空槽の一端側から他端側
へ移動する基体移動用ガイドと巻き取り機構からなり、
前記基体がフィルムからなる特許請求の範囲第７項〜第
１１項のいずれか一項記載の装置。