JPS61262136A - サ−マルヘツド及びその製造方法 - Google Patents
サ−マルヘツド及びその製造方法Info
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- JPS61262136A JPS61262136A JP60104067A JP10406785A JPS61262136A JP S61262136 A JPS61262136 A JP S61262136A JP 60104067 A JP60104067 A JP 60104067A JP 10406785 A JP10406785 A JP 10406785A JP S61262136 A JPS61262136 A JP S61262136A
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- JP
- Japan
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- film
- electrode
- layer
- silicon oxide
- thermal head
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/33545—Structure of thermal heads characterised by dimensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
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- B41J2/3357—Surface type resistors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
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- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/335—Structure of thermal heads
- B41J2/3359—Manufacturing processes
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は感熱記録用サーマルヘッド及びその製造方法に
関する。
関する。
従来技術
感熱記録用サーマルヘッドは、感熱紙等の被記録紙に対
し直接あるいはインクフィルムを介して当接した状態で
記録用の電気信号によって発熱部がドツト状に選択加熱
され、この加熱によって被記録紙に記録されるように構
成されている。電気信号は集積回路（以下ＩＣと言う）
部から対向電極の個別電極に対して与えられる。
し直接あるいはインクフィルムを介して当接した状態で
記録用の電気信号によって発熱部がドツト状に選択加熱
され、この加熱によって被記録紙に記録されるように構
成されている。電気信号は集積回路（以下ＩＣと言う）
部から対向電極の個別電極に対して与えられる。
一般に感熱記録用ヘッドは、絶縁基体上に表面の平坦化
ならびに放熱のコントロールのだめのグレーズ層を設け
、その上に発熱体層が被着され、該発熱体層上Ｋｒ１Ｊ
］ｌ［を置いて相対向量る共通電極と個別電極（信号電
極）が被着されて構成されている。そしてＩＣよシミ気
□信号が個別電極に送られ、これによって発熱部（間隙
部）がドツト状に選択加熱されて、その上面に配置され
た感熱紙弊の被記録紙に記録される。その際、洪通電極
の幅だけヘッドの端部から内側に抵抗体が位置する九め
、印字後すぐに文章を読むことができず高速化の面で問
題があった。そのため共通電極を抵抗体の下部に配置し
多層配線構造にすること、で、抵抗体をヘッドの端部に
位置せしめることが試みられている。
ならびに放熱のコントロールのだめのグレーズ層を設け
、その上に発熱体層が被着され、該発熱体層上Ｋｒ１Ｊ
］ｌ［を置いて相対向量る共通電極と個別電極（信号電
極）が被着されて構成されている。そしてＩＣよシミ気
□信号が個別電極に送られ、これによって発熱部（間隙
部）がドツト状に選択加熱されて、その上面に配置され
た感熱紙弊の被記録紙に記録される。その際、洪通電極
の幅だけヘッドの端部から内側に抵抗体が位置する九め
、印字後すぐに文章を読むことができず高速化の面で問
題があった。そのため共通電極を抵抗体の下部に配置し
多層配線構造にすること、で、抵抗体をヘッドの端部に
位置せしめることが試みられている。
この場合、選択加熱された発熱部が多数になると、発熱
部の下部に伝わる熱量が大きくなり、抵抗体直下も高温
になるので高″ｆＡＶｃ耐える絶縁層が必要となる。ま
た、このように抵抗体下が高温に加熱されると、グレー
ズ層（通常５ｉ０２のガラス粉末により構成される）中
のアルカリ成分が発熱体層中に拡散浸入し、発熱体層の
抵抗値を変え不安定なものとすると共に寿命を低下させ
る。この防止と下層電極と上層電極との絶縁のために絶
縁層を介在させる。
部の下部に伝わる熱量が大きくなり、抵抗体直下も高温
になるので高″ｆＡＶｃ耐える絶縁層が必要となる。ま
た、このように抵抗体下が高温に加熱されると、グレー
ズ層（通常５ｉ０２のガラス粉末により構成される）中
のアルカリ成分が発熱体層中に拡散浸入し、発熱体層の
抵抗値を変え不安定なものとすると共に寿命を低下させ
る。この防止と下層電極と上層電極との絶縁のために絶
縁層を介在させる。
従来設けられている層間絶縁膜としては、（１）厚膜ガ
ラス（例えば、特開昭５３−８７２３８号、同５９−９
１０７２号公報） 、（２）ポリイミド膜（特開昭５９
−５４５７８号、同５９−７９７７６号公報） 、（３
）蒸着またはスパッタリングによる５１０２蒸着膜（特
開昭５３−８７２３８号、同５３−８７２３９号公報）
が知られている。
ラス（例えば、特開昭５３−８７２３８号、同５９−９
１０７２号公報） 、（２）ポリイミド膜（特開昭５９
−５４５７８号、同５９−７９７７６号公報） 、（３
）蒸着またはスパッタリングによる５１０２蒸着膜（特
開昭５３−８７２３８号、同５３−８７２３９号公報）
が知られている。
しかし、（１）のガラス膜は焼成温度が８００℃と高い
ので、下層電極もそれに耐えるＰｔ 、 Ｒｄ等の貴金
属系の厚膜であることが必要である等の問題点がある。
ので、下層電極もそれに耐えるＰｔ 、 Ｒｄ等の貴金
属系の厚膜であることが必要である等の問題点がある。
（２）のポリイミド膜は焼成温度は３００〜４００℃と
低いが、厚膜印刷なので、工程が複雑となシ、特に、ｆ
ｉ温には弱い問題点がある。
低いが、厚膜印刷なので、工程が複雑となシ、特に、ｆ
ｉ温には弱い問題点がある。
（３）の蒸着による５１０２蒸着膜は、密度が小さいの
でピンホールが多く発生し易く、特にセラミックのよう
な凹凸の激しい所では上下層電極が通電し易い、またス
パッタリングによる５１０２の蒸着では、＄１０２の成
長速度が５０〜１００ 、ｉ／Ｄｉｎとおそいのでコー
ティング速度がおそくなシ大量生産には適しない問題点
があった。
でピンホールが多く発生し易く、特にセラミックのよう
な凹凸の激しい所では上下層電極が通電し易い、またス
パッタリングによる５１０２の蒸着では、＄１０２の成
長速度が５０〜１００ 、ｉ／Ｄｉｎとおそいのでコー
ティング速度がおそくなシ大量生産には適しない問題点
があった。
発明の目的
本発明の目的は従来の絶縁膜における問題点を解消し、
ピンホールが少なく、高温に耐える絶縁膜を高速度でコ
ーティングが可能で、セラミックのような凹凸の激しい
所でも上下層電極が通電しない信頼性の高い感熱記録用
サーマルヘッドを安価に提供するＫある０ 発明の構成 本発明の要旨は、感熱記録用サーマルヘッドにおいて、
層間絶縁膜を窒化けい素、酸化けい素の単独膜あるいは
両者の複合膜により構成され、かつ該層はプラズマ反応
コーティングにより形成されたものであるサーマルヘッ
ドにある。
ピンホールが少なく、高温に耐える絶縁膜を高速度でコ
ーティングが可能で、セラミックのような凹凸の激しい
所でも上下層電極が通電しない信頼性の高い感熱記録用
サーマルヘッドを安価に提供するＫある０ 発明の構成 本発明の要旨は、感熱記録用サーマルヘッドにおいて、
層間絶縁膜を窒化けい素、酸化けい素の単独膜あるいは
両者の複合膜により構成され、かつ該層はプラズマ反応
コーティングにより形成されたものであるサーマルヘッ
ドにある。
以下その構成を図面Ｌ／ｃ基いて説明する。図面は本発
明のサーマルヘッドの一実施態様を示すものである０第
１図はその横断面図、第２図は第１図Ｂ部の拡大図、第
３図は第１図Ａ −Ａ’部切切断面示す。図中４は絶縁
基板で、例えばＡｊ２０．セラミックからなる。その上
に放熱のコントロールの丸めのグレーズ層３が被着され
ている０６は共通電極の下層電極で、例えばＮｏ 、
Ｔａ 、 Ｗの金属層からなる０７はその上″に設けら
れた層間絶縁膜、２は発熱体層で、例えば５００〜１５
００ ＸのＴａ２Ｎ 、 ０ｒ−８１−０からなる。８
は共通電極の上層電極、９は個別電極（信号電極）で、
例えば１〜２μｍ厚のＡｊまたはＡｕからなシ、共通電
極８と個別電極９とは間隙例えば１．２〜０．３ ＄１
１を隔てて対向設置され、発熱部１を形成している・５
はスルーホールである０前記層間絶縁膜７はプラズマ反
応コーティング（以下Ｐ −ＯＶＤと記載する）Ｋよシ
、窒化けい素、酸化けい素の単独膜ま九は両者の複合膜
が形成される。
明のサーマルヘッドの一実施態様を示すものである０第
１図はその横断面図、第２図は第１図Ｂ部の拡大図、第
３図は第１図Ａ −Ａ’部切切断面示す。図中４は絶縁
基板で、例えばＡｊ２０．セラミックからなる。その上
に放熱のコントロールの丸めのグレーズ層３が被着され
ている０６は共通電極の下層電極で、例えばＮｏ 、
Ｔａ 、 Ｗの金属層からなる０７はその上″に設けら
れた層間絶縁膜、２は発熱体層で、例えば５００〜１５
００ ＸのＴａ２Ｎ 、 ０ｒ−８１−０からなる。８
は共通電極の上層電極、９は個別電極（信号電極）で、
例えば１〜２μｍ厚のＡｊまたはＡｕからなシ、共通電
極８と個別電極９とは間隙例えば１．２〜０．３ ＄１
１を隔てて対向設置され、発熱部１を形成している・５
はスルーホールである０前記層間絶縁膜７はプラズマ反
応コーティング（以下Ｐ −ＯＶＤと記載する）Ｋよシ
、窒化けい素、酸化けい素の単独膜ま九は両者の複合膜
が形成される。
この層間絶縁膜が窒化けい素、酸化けい紫の膜またはそ
れらの複合膜で形成されるため、発熱部が５００〜７０
０℃の高温になっても変質されることかない。しかもＰ
−ＣＶＤ法で形成するため、窒化けい素、酸化けい素
の成長速度は３００〜１０００１／ ｍｉｎと速く、成
膜時間も５〜３０ ｍ′ｉｎですむ。
れらの複合膜で形成されるため、発熱部が５００〜７０
０℃の高温になっても変質されることかない。しかもＰ
−ＣＶＤ法で形成するため、窒化けい素、酸化けい素
の成長速度は３００〜１０００１／ ｍｉｎと速く、成
膜時間も５〜３０ ｍ′ｉｎですむ。
これは従来のスパッタリングによるものに比べて約１で
すみ、しかも５０００１〜１μｍの厚さでピンホールの
ないものとなし得る。
すみ、しかも５０００１〜１μｍの厚さでピンホールの
ないものとなし得る。
窒化けい素膜は酸化けい素膜に比べて、ピンホールによ
るショートが生ずることが少なく歩留りがよい点で優れ
ている。更に複合膜の場合は窒化けい素の応力歪みを酸
化けい素で吸収する作用を有するので・凹凸の大きい面
でもカッ（−シ合って平坦でかつピンホールを生じさせ
ることなく成膜することができ、しかも窒化けい素がグ
レーズ中からのアルカリの拡散を防ぐので最も好ましい
。
るショートが生ずることが少なく歩留りがよい点で優れ
ている。更に複合膜の場合は窒化けい素の応力歪みを酸
化けい素で吸収する作用を有するので・凹凸の大きい面
でもカッ（−シ合って平坦でかつピンホールを生じさせ
ることなく成膜することができ、しかも窒化けい素がグ
レーズ中からのアルカリの拡散を防ぐので最も好ましい
。
また、ｐ −ｃｖＤ法を用いれば反応ガスを変えるだけ
で連続的に成膜できるので複合膜の成形も容易である。
で連続的に成膜できるので複合膜の成形も容易である。
Ｐ −ＯＶＤ法における成膜法の実施例を挙げると次の
通りである〇 実施例１． 窒化けい素膜の成膜 ＡＳ′Ｍ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ）社製の容量結合型プラズ
マ（ｔＶＤ装置を使用し、成膜温度３８０℃、高周波出
力２５０Ｗ、反応圧力２．０ ＴＯｒｒ。
通りである〇 実施例１． 窒化けい素膜の成膜 ＡＳ′Ｍ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｃｔ
ｏｒ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ）社製の容量結合型プラズ
マ（ｔＶＤ装置を使用し、成膜温度３８０℃、高周波出
力２５０Ｗ、反応圧力２．０ ＴＯｒｒ。
反応ガス ５ｉＨｎ ３５０５００Ｍ旧ｉｓ
２．５ ＬＰＭ 成膜速度 ４００１／ｍｉｎの条件下でＭＯ膜上にプ慕
ズｆｆ （３ＶＤコーテイングを行うことにより、窒化
けい素膜が形成される。
２．５ ＬＰＭ 成膜速度 ４００１／ｍｉｎの条件下でＭＯ膜上にプ慕
ズｆｆ （３ＶＤコーテイングを行うことにより、窒化
けい素膜が形成される。
実施例２． 酸化けい素の成膜
実施例１と同じ装置を使用し、
成膜温度３００℃、高周波出力２００Ｗ、反応圧力１．
０Ｔｏｒｒ。
０Ｔｏｒｒ。
反応ガス ５ｉＨ４８０ＳＯＣｊＭ
Ｎ２０ ３．５ ＬＰＭ
成膜速度６００１／ｍｉｎの条件下で実施例１と同じ基
板上に酸化けい素膜が形成される。
板上に酸化けい素膜が形成される。
その製造方法を説明すると、アルミナ、セラミックス基
板上にＳｉＯ２ガラス粉末をスクリーン印刷し、これを
焼成してグレーズ層（高さ３０〜１００μｍ）を形成す
る。このグレーズ層及び基板上に必要に応じ厚さ１００
〜５０００１の窒化けい素または窒化けい素と酸化けい
素の複合膜を形成させた後、共通電極の下層電極例えば
Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔａ等の金属をスパッター法によっ
て形成させる。
板上にＳｉＯ２ガラス粉末をスクリーン印刷し、これを
焼成してグレーズ層（高さ３０〜１００μｍ）を形成す
る。このグレーズ層及び基板上に必要に応じ厚さ１００
〜５０００１の窒化けい素または窒化けい素と酸化けい
素の複合膜を形成させた後、共通電極の下層電極例えば
Ｍｏ 、 Ｗ 、 Ｔａ等の金属をスパッター法によっ
て形成させる。
該１層電極上に層間絶縁膜として、窒化けい素。
酸化けい素の膜あるいはそれらの複合膜をＰ −０ＶＩ
Ｉ法によす５０００ Ｘ〜１μｍ厚さにコーティングす
る。その上に１ｏｏｏ Ｘ厚さの例えばＴａ２Ｎ、０ｒ
−８１−０等の発熱体層を設け、更にその上に上層電極
の共通電極と個別電極とを１．２〜０．３鴎の間隙を隔
てて対向して設けるＯ最後に必要に応じ、厚さ２〜１０
μｍのＴａ２０５ ＋ ｋ１２０ｓまたはＳｉＮの保護
層を設けることによって得られる０ 発明の効果 本発明の感熱記録用サーマルヘッドは、層間絶縁膜を窒
化けい素、酸化けい素、または両者の複合膜で形成する
ため、発熱部が５００〜７００℃の高温になっても全く
変質されることがない。しかも、プラズマＣＶＤで前記
層間絶縁膜を形成するため、従来のスパッタ法に比べて
成膜時間は約「石−ですみ、また密度が高くてピンホー
ルの発生が少なく信頼性の高いものとなる優れた効果を
有する０
Ｉ法によす５０００ Ｘ〜１μｍ厚さにコーティングす
る。その上に１ｏｏｏ Ｘ厚さの例えばＴａ２Ｎ、０ｒ
−８１−０等の発熱体層を設け、更にその上に上層電極
の共通電極と個別電極とを１．２〜０．３鴎の間隙を隔
てて対向して設けるＯ最後に必要に応じ、厚さ２〜１０
μｍのＴａ２０５ ＋ ｋ１２０ｓまたはＳｉＮの保護
層を設けることによって得られる０ 発明の効果 本発明の感熱記録用サーマルヘッドは、層間絶縁膜を窒
化けい素、酸化けい素、または両者の複合膜で形成する
ため、発熱部が５００〜７００℃の高温になっても全く
変質されることがない。しかも、プラズマＣＶＤで前記
層間絶縁膜を形成するため、従来のスパッタ法に比べて
成膜時間は約「石−ですみ、また密度が高くてピンホー
ルの発生が少なく信頼性の高いものとなる優れた効果を
有する０
図面は本発明の感熱記録用サーマルヘッドの一実施態様
を示す図面であるＯ第１図はその横断面図、第２図は第
１図Ｂ部の拡大図、第３図は第１図Ａ−Ａ’部における
切断面を示す。 ｌ；発熱部、 ２ｚ発熱体層、３：グレーズ、
４：絶縁基板、５ニスルーホール、 ６：下
層電極（共通電極）、７：層間絶縁膜、 ８：上
層共通電極、９：上層個別電極。 特許出願人 小西六写真工業株式会社・、−：／′
を示す図面であるＯ第１図はその横断面図、第２図は第
１図Ｂ部の拡大図、第３図は第１図Ａ−Ａ’部における
切断面を示す。 ｌ；発熱部、 ２ｚ発熱体層、３：グレーズ、
４：絶縁基板、５ニスルーホール、 ６：下
層電極（共通電極）、７：層間絶縁膜、 ８：上
層共通電極、９：上層個別電極。 特許出願人 小西六写真工業株式会社・、−：／′
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）感熱記録用サーマルヘッドにおいて、層間絶縁膜を
窒素けい素、酸化けい素の単独膜あるいは両者の複合膜
により構成し、かつ該膜はプラズマ反応コーティングに
より形成させたものであることを特徴とするサーマルヘ
ッド。 ２）絶縁基板上にグレーズ層を設け、その上に共通電極
の下層電極を被着し、該下層電極上に窒化けい素及びま
たは酸化けい素からなる絶縁層をプラズマ反応コーティ
ングによりコーティングし、その上に発熱体層及び共通
電極と個別電極との間隙を置いて対向させた上層電極を
順次に被着することを特徴とするサーマルヘッドの製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60104067A JPS61262136A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
| US06/862,617 US4768038A (en) | 1985-05-17 | 1986-05-13 | Thermal printhead integrated circuit device |
| EP86303734A EP0202877A3 (en) | 1985-05-17 | 1986-05-16 | Integrated circuit device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60104067A JPS61262136A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61262136A true JPS61262136A (ja) | 1986-11-20 |
Family
ID=14370818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60104067A Pending JPS61262136A (ja) | 1985-05-17 | 1985-05-17 | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61262136A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58203068A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド |
| JPS59167275A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Hitachi Ltd | 薄膜感熱記録ヘツド |
| JPS6049964A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-19 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-05-17 JP JP60104067A patent/JPS61262136A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58203068A (ja) * | 1982-05-24 | 1983-11-26 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド |
| JPS59167275A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Hitachi Ltd | 薄膜感熱記録ヘツド |
| JPS6049964A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-19 | Hitachi Ltd | サ−マルヘツド及びその製造方法 |
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