JPS61260142A - 位相差標本の作成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は位相差顕微鏡の対物レンズや鏡基の組立調整
などに使用される位相差標本の作成方法に関する。

〔従来の技術〕

従来、コントラストの非常に少ない被検鏡物には位相差
顕微鏡やノマルスキー型顕微鏡が使用されている。

ところで、このような顕微鏡の対物レンズや鏡基の組立
調整には例えばミトコンドリアに代表される細胞標本や
これら細胞と同程度のコントラストを有する蒸着膜によ
る位相差標本が用いられているが、このうち、価格ある
いは作り易さの点か。

ら後者の蒸着膜による標本が多く用いられている。

しかして、従来この樵の蒸着膜による位相差標本として
ガラス基板上に所定厚さにできるだけ弱く蒸着膜を形成
し、この蒸着膜面をブラシなどで擦り、この原生ずる傷
を検査選別し、位相差標本として使用するようにしてい
る。

この場合、一般に理想的な標本としては調整しようとす
る対物レンズの倍率に応じた均一な径を有するピンホー
ルあるいは均一な線巾を有する線状標本（３００Ｌ／ｍ
、　６００Ｌ／ｍの所謂ＪＩＳ標本）が視野内に均一に
分布していなければならず、一方標本の形状による分類
としては対物レンズや鏡基の組立調整の分野ではフレヤ
ー、フラットネス。

アスなどの位相差観察の所謂“見え”評価を確実に且つ
容易にできるように各倍率に応じた穴径のピンホールを
有するものが理想とされている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

従来の技術においては蒸着膜をブラシなどで擦るだけの
ため所望するピンホールあるいは線状標本を視野内に均
一に分布させることは極めて難しく、しかもブラシで擦
る際蒸着膜が全てはげ落ちてしまうことが多々あり作業
性が極めて悪いとともに製品の歩留りも著しく低い欠点
があった。この発明はこのような欠点に着目してなされ
たもので所望するピンホールあるいは線状標本を視野内
に均一に形成することができ、しかも製品の歩留りを高
め標本作成時の作業性も良好にできる位相差標本の作成
方法を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段および作用〕この発明に
かかる位相差標本の作成方法はガラス基板上にフォトレ
ジストを塗布するとともにこのフォトレジスト上に所望
するピンホールあるいは線状標本を有するマスクを密着
させて露光を行ないフォトレジスト面にパターンを形成
し、その後このフォトレジスト面のパターン上に蒸着膜
を形成したのちフォトレジスト溶剤中に浸漬しフォトレ
ジストとともにこの部分を覆う蒸着膜を剥離せしめ所望
する蒸着パターンを有する位相差標本を完成するようＩ
こしている。

〔実施例〕

以下、この発明の一実施例を図面に従い説明する。

まず、第１図に示すように清浄処理されたガラス基板１
を用意する。この場合ガラス基板１面の清浄度は後述す
る真空蒸着膜５の強度に直接影響するので十分の注意が
必要である。

次に第２図に示すようにガラス基板１上にスピンナーを
用いてフォトレジスト２を塗布する。この場合フォトレ
ジスト２としてはＡＺ１３５Ｇ（商品名シラプレー社）
あるいは０ＴＦＲ（商品名東京応化）などを使用してい
る。またこのときのレジスト２の膜厚は後述する蒸着膜
５の厚さの少なくとも３倍できれば５倍以上になるよう
にスピンナーの回転数および回転時間を設定している。

これは後述する蒸着膜５を剥離する作業を容易にすると
ともに蒸着パターンの破損を防止するためである。

次に、フォトレジスト２の乾燥を行なう。

この場合、清浄な熱風乾燥炉中で、レジスト膜中の溶剤
分が完全に蒸発するまで例えば８０℃の雰囲気で３０〜
４０分程度実行する。

次に第３図に示すようにフォトレジスト２の上に所望す
るピンホールあるいは線状標本のパターンを有するマス
ク３を密着させ紫外線に富んたカーボン灯、超高圧水銀
灯、キセノンランプなどの光源４を用いて露光を行なう
。

この場合露光時間を決定するには何回か試し焼きを行な
い適正な露光時間を決める。これは同一性能の標本を得
る上で重要である。

次に、現像および水洗を行ない第４図に示すようにフォ
トレジスト２面にパターンを形成する。

この場合現像はレジストメーカの技術資料をもとｉこプ
ロセスに合った現像時間を決定し例えば皿現像で６０秒
現像を実行している。また、水洗はその良否が後述する
真空蒸着膜５の付着力の強弱に大きな影響を与えること
から純水を用い流水下で１０分種度実行する。

次にポストベークを行なう。

かかる工程はガラス基板１上に形成されたフォトレジス
ト２によるパターン面にほこり等が付着しないようにす
るもので、清浄な雰囲気の熱風乾燥炉内で例えば１００
℃、１時間程度の乾燥を行なう。

次に、このようにしてフォトレジスト２面にパターンが
形成されたガラス基板１を真空蒸着機にセットし第５図
に示すようにフォトレジスト２のパターン面の上から酸
化セリウム（ｃｅｏｔ）からなる蒸着膜５を形成する。

この場合蒸着膜５の付着力を高めるには■ボットコート
、■付着面の清浄、■真空度、■蒸着速度などの条件が
考えられるが、これに対しパターニングされたレジスト
２の性質は高温にするほど硬化し後述するガラス基板１
との剥離が容易でなくなる。

したがって、ここではホットコートができず、その分蒸
着＠５の付着力が低くなるため他の要因により最大限補
うようにしている。

そこで、　ＣｅＣ２をし１６蒸着する場合蒸発源に電子
ビームを用い、真空度３ｘ　１０−’Ｔｏｒｒ、　Ａ　
Ｃ（”電流６５ｍＡ、アンプリチ一一ト３の条件の下で
蒸着時間３分としたところ良好なデータが得られている
。なお蒸着膜５としてはＺ　ｒ　Ｏ，、Ａ／２０．　、
　ＭｇＦ２なども有効である。

次に、フォトレジスト２および蒸着膜５の剥離を行なう
。

この場合前工程で蒸着膜５が形成された基板１をアセト
ンＭＥＫ　などのフォトレジスト溶剤中ζこ浸漬し、こ
の状態で揺動を与えフォトレジスト２部分を溶かし、レ
ジスト２部分を覆っていた蒸着膜５を一諸に剥離させ第
６図に示すようにガラス基板ｌに直接付着している蒸着
膜５のみが残るようにする。

これにより所望する蒸着パターンを有する位相差標本が
完成する。

したがってこのような方法によれば所望するピンホール
あるいは線状標本のパターンを有するマスクを用いるの
みで均一な径のピンホールが視野内に均一に分布するよ
うな位相差用ピンホール標本あるいは均一な線巾の線状
標本が視野内に均一に分布するような３００Ｌ／藺、６
００Ｌ／ｓｍの位相差用ＪＩＳ標本が得られることにな
る。し力）もこれら標本は同一のマスクを用いることに
より品質のバラツキのない同品質のものが高い歩留りで
得られるので従来のブラシで擦る方法に比べ標本作成の
ための作業性も良好なものにできる。そして、このよう
な同品質のものが得られることは実際の標本の使用にあ
たって標本の違いによる作業者間の評価のくい違いなど
をさけることができる利点がある。

さらに、マスクを代えることで低倍率から高倍率までの
各倍率毎に最適な穴径のピンホールを有するものも簡単
に得られ、これによりフレヤー、フラットネス、アスな
どの位相差観察の１見え”評価を確実に且つ容易にでき
るようになりこの種作業の能率向上に大いに寄与するこ
とができる。

ｔよお、この発明は上記実施例にのみ限定されず要旨を
変更しない範囲で適宜変形して実施できる。

〔発明の効果〕

この発明によれば均一な径のピンホールが視野内に均一
に分布するような位相差用ピンホール標本あるいは均一
な線巾の線状標本が視野内に均一に分布するような３０
０　Ｌ／　ｗ　、　６００　Ｌ／ｍの位相差ＪＩＳ標本
が得られる。しかも、これら標本は品質のバラツキのな
い同品質のものが高い歩留りで得られるので標本作成の
ための作業性も良好なものｌこできる。また、低倍率か
ら高倍率までの各倍率毎に最適な穴径を有する標本も簡
単に得ることもできる。

【図面の簡単な説明】

第１図乃至第６図は夫々この発明の一実施例を説明する
ための図である。 ｌ・・・ガラス基板　　　２・・・フォトレジスト３・
・・マスク　　　　　４・・・光源５・・・蒸着膜 出願人　オリンパス光学工業株式会社 第１図 ＝＝＝計１〃゛２λ群々 第４図　　　　第５図 第６図 ７、補正の内容 昭和　年　月　　日 １、事件の表示 特願昭６０−１０３２５４号 ２、発明の名称 位相差標本の作成方法 ３、補正をする者 事件との関係特許出願人 （０３７）　　オリンパス光学工業株式会社４、代理人 ２、特許請求の範囲 （１）本願の特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）本願明細書第７頁第９行目の［ＯｅＯ，Ｊの部分
を［０ｅｏｔＪと訂正する。 （３）同明細書第７頁第１０行目ないし第１１行目のｌ
’−ＡＣＯ電流」の部分を「加速電流」と訂正する０ （４）同明細書第７頁第１８行目の［アセトンＭＥＫＪ
の部分を「アセトン、ＭＥＫＪ　　と訂正する。 ＪＩＳ標本標本部分を「位相差用標本ｊと訂正する。 （１）　　ガラス基板上に７オトレジストを塗布する第
１の工程と、この工程にて塗布されたフォトレジスト上
に所望するピンホールあるいは線状標本のパターンを有
するマスクを密着させ露光を行ないフォトレジスト面に
パターンを形成する第２の工程と、との工程によシ得ら
れたフォトレジスタ面のパターン上に蒸着膜を形成する
第３の工程と、この工程にて蒸着膜が形成された基板を
７オトレジスト溶剤中に浸漬しフォトレジストとともに
この部分を覆う蒸着膜を剥離し蒸着パターンを形成する
第４の工程とを具備したことを特徴とする位相差標本の
作成方法。 （２）上記第３の工程は蒸着膜として酸化セリウムエジ
ルユニウム　酸ヒアルミニウム、フ、ヒーヱノー主乏−
久」工を用いることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の位相差標本の作成方法。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）ガラス基板上にフォトレジストを塗布する第１の
   工程と、この工程にて塗布されたフォトレジスト上に所
   望するピンホールあるいは線状標本のパターンを有する
   マスクを密着させ露光を行ないフォトレジスト面にパタ
   ーンを形成する第２の工程と、この工程により得られた
   フォトレジスタ面のパターン上に蒸着膜を形成する第３
   の工程と、この工程にて蒸着膜が形成された基板をフォ
   トレジスト溶剤中に浸漬しフォトレジストとともにこの
   部分を覆う蒸着膜を剥離し蒸着パターンを形成する第４
   の工程とを具備したことを特徴とする位相差標本の作成
   方法。
2. （２）上記第３の工程は蒸着膜として酸化セリウムを用
   いることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の位相
   差標本の作成方法。