JPS61255585A - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置Info
- Publication number
- JPS61255585A JPS61255585A JP60096889A JP9688985A JPS61255585A JP S61255585 A JPS61255585 A JP S61255585A JP 60096889 A JP60096889 A JP 60096889A JP 9688985 A JP9688985 A JP 9688985A JP S61255585 A JPS61255585 A JP S61255585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- data
- pulse
- input signal
- latch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Static Random-Access Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体記憶装置に関する。
本発明は半導体記憶装置におiて、入力信号変化検出信
号のパルス幅を通常使用するサイクルタイム以上に拡張
した信号を作成し、読み出された内部記憶データをラッ
チホールドする制御信号とすることにより、通常使用す
るサイクルタイムでは、データラッチ回路のタイミング
回路を簡単化し、余分な動作を排除したものである。
号のパルス幅を通常使用するサイクルタイム以上に拡張
した信号を作成し、読み出された内部記憶データをラッ
チホールドする制御信号とすることにより、通常使用す
るサイクルタイムでは、データラッチ回路のタイミング
回路を簡単化し、余分な動作を排除したものである。
従来、第2図に示されるように、データラッチホールド
回路は、入力信号の変化を検出しデータを読み出し期間
に対して少し余裕を持ってパルス幅を作っていた。
回路は、入力信号の変化を検出しデータを読み出し期間
に対して少し余裕を持ってパルス幅を作っていた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、従
来のデータラッチ命令回路は、データが読み出せる期間
に対して連動してパルス@を作っていたため、このパル
ス幅を作るために擬似的にデータを読み出すに十分な時
間を作るのに苦労していた。この時間設定は短すぎると
本来のデータをラッチホールド不可能となり5期間設定
のため初期設定も必要であった。
来のデータラッチ命令回路は、データが読み出せる期間
に対して連動してパルス@を作っていたため、このパル
ス幅を作るために擬似的にデータを読み出すに十分な時
間を作るのに苦労していた。この時間設定は短すぎると
本来のデータをラッチホールド不可能となり5期間設定
のため初期設定も必要であった。
そこで2本発明は従来の問題点を解決するため、上記デ
ータラッチクロックを簡*に作成することを目的として
いる。
ータラッチクロックを簡*に作成することを目的として
いる。
上記問題点を解決するために本発明の半導体記憶装置で
は、入力信号変化検出回路からの出力を動作保証する最
少データ読み出しサイクルタイムより長くするパルス幅
拡張回路を持ち、該パルス幅拡張回路出力信号により、
読みだされた内部記憶データをラッチホールドする制御
を行なうことを特徴とする。
は、入力信号変化検出回路からの出力を動作保証する最
少データ読み出しサイクルタイムより長くするパルス幅
拡張回路を持ち、該パルス幅拡張回路出力信号により、
読みだされた内部記憶データをラッチホールドする制御
を行なうことを特徴とする。
上記の様に構成された半導体記憶装置では通常使用する
データ読み出しサイクルではデータをラッチホールドす
る必要がなく、データは読み出しそのままに出力され、
何回から読み出しが終了した後、つまり入力信号が変化
しなくなってから一定期間vk[データをホールドする
ことになり回路を安定に簡琳vc作ることができる。
データ読み出しサイクルではデータをラッチホールドす
る必要がなく、データは読み出しそのままに出力され、
何回から読み出しが終了した後、つまり入力信号が変化
しなくなってから一定期間vk[データをホールドする
ことになり回路を安定に簡琳vc作ることができる。
〔実施9i11 )
以下に本発明の実施列を図面にもとずiて説明する。第
1図において、入力信号は入力バッファ1を通過し、入
力変「ヒ検出回路2により入力変化点でパルスを発生し
、パルス幅拡張回路8Vcより通常使用されるデータ読
み出しサイクル期間より 。
1図において、入力信号は入力バッファ1を通過し、入
力変「ヒ検出回路2により入力変化点でパルスを発生し
、パルス幅拡張回路8Vcより通常使用されるデータ読
み出しサイクル期間より 。
長いパルスに拡張される。また人力バッファ1を通過し
た入力信号はアドレスデコーダ4によりメモリ領15の
中でアドレスによって指定されたデータは、入力変化検
出回路出力2の出力によってデータ読み出すタイミング
を発生するタイミング回路8により、センス回路6を通
り読み出されデータラッチ回路7によりラッチされる。
た入力信号はアドレスデコーダ4によりメモリ領15の
中でアドレスによって指定されたデータは、入力変化検
出回路出力2の出力によってデータ読み出すタイミング
を発生するタイミング回路8により、センス回路6を通
り読み出されデータラッチ回路7によりラッチされる。
ここでデータラッチ回路は、パルス幅拡張回路8により
通常使用するデータ読み出しサイクルより長いパルスに
より制御され、通常読み出しサイクルでは常に書き込み
状態となりホールド状態とはならないまま出力される。
通常使用するデータ読み出しサイクルより長いパルスに
より制御され、通常読み出しサイクルでは常に書き込み
状態となりホールド状態とはならないまま出力される。
入力変化が終了して一定期間後データラッチ回路は、ホ
ールドされる。
ールドされる。
帆8図は、本発明第1図で示した入力変化検出回路2の
具体的実施例である。
具体的実施例である。
12.13?!インバータ、14は容t、15は101
回路でありIOR回路は入力信号16そのままと、イ/
パータ及び容量により遅れた信号17が入力され、入力
変化点でパルス15を発生する。
回路でありIOR回路は入力信号16そのままと、イ/
パータ及び容量により遅れた信号17が入力され、入力
変化点でパルス15を発生する。
第4図は1本発明第1図で示したパルス幅拡張回路3の
具体的実施例である。入力変fヒ検出パルス18uNチ
ャンネルトランジスタ加のゲートに入力される。 19
はPチャンネルトランジスタで負荷抵抗として使用し、
コンデンサ21とPチャンネルMO8抵抗で設定される
時定数をサイクルタイムより長くとり、入力変化検出パ
ルスによって駆動される田のNチャンネルトランジスタ
とコンデンサ2Iの時定数を十分少さくとることにより
、コンデンサ21の電位は、入力変化パルスがあった場
合マイナスl[llKチャージされ、一定期間後プラス
側に移行する。この変化1&:Pチャンネルトランジス
タ21とNチャンネルトランジスタnにより構成される
コンパレータにより、サイクルタイムより長匹パルス幅
出力を簡単vcf′11″ることかできる。
具体的実施例である。入力変fヒ検出パルス18uNチ
ャンネルトランジスタ加のゲートに入力される。 19
はPチャンネルトランジスタで負荷抵抗として使用し、
コンデンサ21とPチャンネルMO8抵抗で設定される
時定数をサイクルタイムより長くとり、入力変化検出パ
ルスによって駆動される田のNチャンネルトランジスタ
とコンデンサ2Iの時定数を十分少さくとることにより
、コンデンサ21の電位は、入力変化パルスがあった場
合マイナスl[llKチャージされ、一定期間後プラス
側に移行する。この変化1&:Pチャンネルトランジス
タ21とNチャンネルトランジスタnにより構成される
コンパレータにより、サイクルタイムより長匹パルス幅
出力を簡単vcf′11″ることかできる。
本発明は2以上説明したように2通常使用される最少デ
ータ読み出しサイクルタイムより長いパルスを作り、デ
ータラッチホールド制御することにより、回路を簡単に
することができる。
ータ読み出しサイクルタイムより長いパルスを作り、デ
ータラッチホールド制御することにより、回路を簡単に
することができる。
第1図は本発明の半導体記憶装置のブロック図!2図は
従来の半導体記憶装置のブロック図第8図は本発明の入
力変化検出回路の具体的実施例図 第4図は本発明のパルス幅拡張回路の具体的実施例図 第5図は本発明での入力変化検出回路とパルス幅拡張回
路のタイミング図 2・・・入力変化検出回路 8・・・パルス幅拡張回路 7・−Φデータラッチ回路 以上
従来の半導体記憶装置のブロック図第8図は本発明の入
力変化検出回路の具体的実施例図 第4図は本発明のパルス幅拡張回路の具体的実施例図 第5図は本発明での入力変化検出回路とパルス幅拡張回
路のタイミング図 2・・・入力変化検出回路 8・・・パルス幅拡張回路 7・−Φデータラッチ回路 以上
Claims (1)
- 半導体記憶装置において、入力信号変化検出回路及び
該入力信号変化検出回路出力信号を、動作保証する最少
データ読み出しサイクルタイムより長くするパルス幅拡
張回路を持ち、該パルス幅拡張回路出力信号により、読
みだされた内部記憶データをラッチホールドする制御を
行なうことを特徴とする半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60096889A JPS61255585A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60096889A JPS61255585A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体記憶装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61255585A true JPS61255585A (ja) | 1986-11-13 |
Family
ID=14176951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60096889A Pending JPS61255585A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | 半導体記憶装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61255585A (ja) |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP60096889A patent/JPS61255585A/ja active Pending
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