JPS61255066A - Ｓｃｃｄ駆動方式 - Google Patents
Ｓｃｃｄ駆動方式Info
- Publication number
- JPS61255066A JPS61255066A JP9687685A JP9687685A JPS61255066A JP S61255066 A JPS61255066 A JP S61255066A JP 9687685 A JP9687685 A JP 9687685A JP 9687685 A JP9687685 A JP 9687685A JP S61255066 A JPS61255066 A JP S61255066A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- minority carriers
- bias voltage
- bias
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は通信分野で広く用いられている５ＯＯＤ（表面
転送００Ｄ）素子の駆動方式に関するものである。
転送００Ｄ）素子の駆動方式に関するものである。
５ＯＯＤ素子において、あらかじめバイアス電圧を加え
ておき、その状態で転送信号を印加して少数キャリアー
を転送するものである。
ておき、その状態で転送信号を印加して少数キャリアー
を転送するものである。
従来の８００Ｄ素子駆動方式社少数キャリアー注入後、
転送信号のみか、あるいは界面準位での少数キャリアの
トラップを防止するためにバックグラウンド電荷を与え
た状態で少数キャリアーを転送するものでありた。
転送信号のみか、あるいは界面準位での少数キャリアの
トラップを防止するためにバックグラウンド電荷を与え
た状態で少数キャリアーを転送するものでありた。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕本発明の目
的は、前述界面準位での少数キャリアのトラップを従来
のようなバックグラウンド電荷ではない簡単な方法で行
ない少数キャリアーを転送することを目的とした８００
Ｄ駆動方式である。
的は、前述界面準位での少数キャリアのトラップを従来
のようなバックグラウンド電荷ではない簡単な方法で行
ない少数キャリアーを転送することを目的とした８００
Ｄ駆動方式である。
本発明の表面転送のｏｃｎは、バイアス電圧をかけるこ
とにより界面での少数キャリアのトラップを防止するこ
とを特徴とする。
とにより界面での少数キャリアのトラップを防止するこ
とを特徴とする。
第１図は本発明の実施例でイメージセンサ−等に用いら
れるものであり、バイアス電圧によりボテンシャルの井
戸を作り、電荷を転送させる様子を表わしたものである
。すなわち、Ｌのバイアス電極によシ転送路に４のボテ
ンシャルの井戸を作フ、λの転送電極によシ注入された
少数キャリアを転送する。界面のトラップ準位はエネル
ギーが０．０６ｅｖ増すごとに約１桁の割合で減少する
ため、上記のようにバイアス電圧を加えてポテンシャル
の井戸を作ることによシ少数キャリアの界面準位でのト
ラップを防止出来る。
れるものであり、バイアス電圧によりボテンシャルの井
戸を作り、電荷を転送させる様子を表わしたものである
。すなわち、Ｌのバイアス電極によシ転送路に４のボテ
ンシャルの井戸を作フ、λの転送電極によシ注入された
少数キャリアを転送する。界面のトラップ準位はエネル
ギーが０．０６ｅｖ増すごとに約１桁の割合で減少する
ため、上記のようにバイアス電圧を加えてポテンシャル
の井戸を作ることによシ少数キャリアの界面準位でのト
ラップを防止出来る。
さらに、
前述のバイアス電圧は直流的に加えても良く、また第２
図のように２つあるいはそれ以上同じように作り交流的
にバイアスを変化させることによシ空乏層での電子−正
孔対発生を防止させるようにしても良い。但し、周波関
係としてバイアス周波数 転送周波数を満すようにする
必要がある。
図のように２つあるいはそれ以上同じように作り交流的
にバイアスを変化させることによシ空乏層での電子−正
孔対発生を防止させるようにしても良い。但し、周波関
係としてバイアス周波数 転送周波数を満すようにする
必要がある。
以上のように従来のようなバックグラウンド電荷の注入
というような煩わしい方法ではなく単に電圧を加えると
いう簡単で容易な手段を用いることにより低価格な５ｃ
ａＤ素子が出来る。
というような煩わしい方法ではなく単に電圧を加えると
いう簡単で容易な手段を用いることにより低価格な５ｃ
ａＤ素子が出来る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明ＳＯ（＋Ｄの転送図で１．はバイアス電
極、λは絶縁層、λは転送電極、本はポテンシャルの井
戸、＆は少数キャリアー転送方向、ａは８１基板、第２
図は＃ｇ１図をもとにした応用５ＯＣＤ転送図である。 以上
極、λは絶縁層、λは転送電極、本はポテンシャルの井
戸、＆は少数キャリアー転送方向、ａは８１基板、第２
図は＃ｇ１図をもとにした応用５ＯＣＤ転送図である。 以上
Claims (1)
- 表面転送のＣＣＤにおいて、バイアス電圧をかけること
により界面での少数キャリアのトラップを防止すること
を特徴とするＳＣＣＤ駆動方式
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9687685A JPS61255066A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | Ｓｃｃｄ駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9687685A JPS61255066A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | Ｓｃｃｄ駆動方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61255066A true JPS61255066A (ja) | 1986-11-12 |
Family
ID=14176618
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9687685A Pending JPS61255066A (ja) | 1985-05-08 | 1985-05-08 | Ｓｃｃｄ駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61255066A (ja) |
-
1985
- 1985-05-08 JP JP9687685A patent/JPS61255066A/ja active Pending
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