JPS61253758A - 微小部分析装置 - Google Patents
微小部分析装置Info
- Publication number
- JPS61253758A JPS61253758A JP60094070A JP9407085A JPS61253758A JP S61253758 A JPS61253758 A JP S61253758A JP 60094070 A JP60094070 A JP 60094070A JP 9407085 A JP9407085 A JP 9407085A JP S61253758 A JPS61253758 A JP S61253758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- sample
- sample surface
- photodetector
- detected
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はＥＰＭＡ（Ｘ線マイクロアナライザ）。
Ｓ ＡＭ （Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｕｇｅｒ Ｍｉｃｒ
ｏｐｒｏｂｅ） 、 Ｉ ＭＡ（イオンマイクロアナ
ライザ）やレーザマイクロアナライザのようなマイクロ
アナライザに関するものである。
ｏｐｒｏｂｅ） 、 Ｉ ＭＡ（イオンマイクロアナ
ライザ）やレーザマイクロアナライザのようなマイクロ
アナライザに関するものである。
（従来の技術）
第４図にＥＰＭＡを概略的に示す。
１は試料表面、２は試料表面１を励起するプローブとし
ての電子ビーム、３は電子ビーム２により励起された試
料表面１から発生した特性Ｘ線、４はその特性Ｘ線３を
検出するＸ線検出器である。
ての電子ビーム、３は電子ビーム２により励起された試
料表面１から発生した特性Ｘ線、４はその特性Ｘ線３を
検出するＸ線検出器である。
７は付属の反射金属顕微鏡のための光源としての照明ラ
ンプであり、この照明ランプ７からの光はハーフミラ−
９６及び有孔ミラー５で反射されて試料表面１に垂直に
入射する。試料表面１がらの反射光は再び有孔ミラー５
で反射された後、ハーフミラ−６を経て接眼部へ導かれ
る。なお、顕微鏡としてのレンズ構成は図示を省略しで
ある。
ンプであり、この照明ランプ７からの光はハーフミラ−
９６及び有孔ミラー５で反射されて試料表面１に垂直に
入射する。試料表面１がらの反射光は再び有孔ミラー５
で反射された後、ハーフミラ−６を経て接眼部へ導かれ
る。なお、顕微鏡としてのレンズ構成は図示を省略しで
ある。
また、ＥＰＭＡには、第５図に示されるように、入射電
子線２を試料表面１上で走査し、そのときに発生する二
次電子８を検出器９では検出するＳＥＭ（走査電子顕微
鏡）も備えられている。
子線２を試料表面１上で走査し、そのときに発生する二
次電子８を検出器９では検出するＳＥＭ（走査電子顕微
鏡）も備えられている。
マイクロアナライザを用いて、試料表面の微小な異物を
分析する場合、例えば、ＥＰＭＡでは第４図に示される
ような付属の反射金属顕微鏡で試料表面ｌを観察して異
物を発見し、その異物に電子ビーム２を照射する。
分析する場合、例えば、ＥＰＭＡでは第４図に示される
ような付属の反射金属顕微鏡で試料表面ｌを観察して異
物を発見し、その異物に電子ビーム２を照射する。
あるいは、第５図に示されるようなＳＥＭ装置によりＳ
ＥＭ像を得て異物を発見し、その異物に電子ビーム２を
照射する。
ＥＭ像を得て異物を発見し、その異物に電子ビーム２を
照射する。
ＳＡＭでは、一般に光学顕微鏡が備えられていないので
、ＳＥＭ像で異物を発見し、その異物に電子ビームを照
射する。
、ＳＥＭ像で異物を発見し、その異物に電子ビームを照
射する。
ＩＭＡでは、ＥＰＭＡと同様な反射金属顕微鏡で異物を
発見するか、ＳＩＭ像で異物を発見し。
発見するか、ＳＩＭ像で異物を発見し。
その異物に電子ビームを照射する。
（発明が解決しようとする問題点）
異物を光学的に発見する場合、反射金属顕微鏡では試料
表面１に対し照射光が垂直に入射し、垂直に反射するの
で、一般に異物部の方が試料表面より暗くなる。また試
料組織の変化により反射光の強度や波長が変化するので
１反射金属顕微鏡では試料組織の変化と異物との区別が
単純ではない。
表面１に対し照射光が垂直に入射し、垂直に反射するの
で、一般に異物部の方が試料表面より暗くなる。また試
料組織の変化により反射光の強度や波長が変化するので
１反射金属顕微鏡では試料組織の変化と異物との区別が
単純ではない。
また、異物をＳＥＭ像やＳＩＭ像で発見する場合１分析
前に電子ビームやイオンビームで試料表面を走査してい
るので、大なり小なり試料表面の正常部にまで影響を与
えてしまう問題がある。
前に電子ビームやイオンビームで試料表面を走査してい
るので、大なり小なり試料表面の正常部にまで影響を与
えてしまう問題がある。
本発明は、試料表面上の異物を、迅速に容易に、自動的
に、かつ試料表面の正常部には影響を与えないで発見し
、分析することのできる分析装置を提供することを目的
とするものである。
に、かつ試料表面の正常部には影響を与えないで発見し
、分析することのできる分析装置を提供することを目的
とするものである。
（問題点を解決するための手段）
本発明の微小部分析装置は、一実施例を示す第１図及び
第２３図を参照して説明すると、試料が載置される試料
ステージ（１１）を二次元的に移動させる試料ステージ
制御部（１４）と、試料表面（１）に斜方向から光を照
射する光源（１７）と、この光源（１７）からの光の試
料表面（１）での鏡面反射光以外の反射光を受光する位
置に設けられた光検出器（１０） 、と、この光検出器
（１０）の検出信号が設定値以上か否かを判定する演算
回路（１３）と、を備え。
第２３図を参照して説明すると、試料が載置される試料
ステージ（１１）を二次元的に移動させる試料ステージ
制御部（１４）と、試料表面（１）に斜方向から光を照
射する光源（１７）と、この光源（１７）からの光の試
料表面（１）での鏡面反射光以外の反射光を受光する位
置に設けられた光検出器（１０） 、と、この光検出器
（１０）の検出信号が設定値以上か否かを判定する演算
回路（１３）と、を備え。
演算回路（１３）により光検出器（１０）での検出光量
が設定値以上と判定された位置でプローブの照射による
分析を行なうように構成されたものである。
が設定値以上と判定された位置でプローブの照射による
分析を行なうように構成されたものである。
（作用）
鏡面状態の表面に微小な異物が付着した試料表面（１）
に、従来のように、試料表面（１）に垂直な方向から光
を照射し１反射光を試料表面（１）に垂直な方向から検
出しながら試料ステージ（１１）を移動させた場合には
、第３図の曲線Ｂに示されるように３、試料組織による
反射光量の変化（２２）と異物による反射光量の変化（
２４）との間には明瞭な差異を検出することは難しい。
に、従来のように、試料表面（１）に垂直な方向から光
を照射し１反射光を試料表面（１）に垂直な方向から検
出しながら試料ステージ（１１）を移動させた場合には
、第３図の曲線Ｂに示されるように３、試料組織による
反射光量の変化（２２）と異物による反射光量の変化（
２４）との間には明瞭な差異を検出することは難しい。
一方、本発明により、試料表面（１）に対し斜方向から
光を照射すると、試料表面（１）の鏡面状態の部分では
鏡面反射を起こして光検出器（１０）には反射光は入射
しない、それに対し、異物が付着した部分では散乱が生
じ、光検出器（ｌＯ）には散乱した反射光（２０）が入
射する。したがって、光検出器（１０）で反射光を検出
しながら試料ステージ（１１）を移動させていくと、第
３図の曲線Ａに示されるように、異物の位置で顕著なピ
ーク（２６）を検出することができる。
光を照射すると、試料表面（１）の鏡面状態の部分では
鏡面反射を起こして光検出器（１０）には反射光は入射
しない、それに対し、異物が付着した部分では散乱が生
じ、光検出器（ｌＯ）には散乱した反射光（２０）が入
射する。したがって、光検出器（１０）で反射光を検出
しながら試料ステージ（１１）を移動させていくと、第
３図の曲線Ａに示されるように、異物の位置で顕著なピ
ーク（２６）を検出することができる。
演算部（１３）は、光検出器（１０）の検出信号が予め
設定されたしきい値を越えたとき、その位置に異物があ
ると判定する。そして、このように判定された異物の位
置に電子線などのプローブを照射して分析を行なう。
設定されたしきい値を越えたとき、その位置に異物があ
ると判定する。そして、このように判定された異物の位
置に電子線などのプローブを照射して分析を行なう。
（実施例）
第１図は本発明をＥＰＭＡ、に適用した一実施例を表わ
すものである。なお、第４図と同一の部分には同一の記
号を付す。
すものである。なお、第４図と同一の部分には同一の記
号を付す。
１７は試料表面１に対して斜方向から光照射を行なうた
めの光源としての照明ランプである。照明ランプ１７か
ら試料表面１への入射角ｅを試料に応じて最適な角度に
設定できるように、照明ランプ１７はその位置を変える
ことができるように支持されている。
めの光源としての照明ランプである。照明ランプ１７か
ら試料表面１への入射角ｅを試料に応じて最適な角度に
設定できるように、照明ランプ１７はその位置を変える
ことができるように支持されている。
光検出器１０は照明ランプ１７からの光が試料表面１で
鏡面反射する方向以外の方向に設置される。この実施例
では、試料表面１に垂直な方向の反射光２０を有孔ミラ
ー５を介して受光する位置に設けられている。プローブ
としての電子ビーム２は、従来と同じく有孔ミラー５の
孔を通って試料表面１に垂直に入射し、発生する特性Ｘ
線３はＸ線検出器４により検出されるようになっている
。
鏡面反射する方向以外の方向に設置される。この実施例
では、試料表面１に垂直な方向の反射光２０を有孔ミラ
ー５を介して受光する位置に設けられている。プローブ
としての電子ビーム２は、従来と同じく有孔ミラー５の
孔を通って試料表面１に垂直に入射し、発生する特性Ｘ
線３はＸ線検出器４により検出されるようになっている
。
第２図は同実施例における制御系を表わす。
１３は演算回路であり、光検出器１０の検出信号を入力
し、予め設定された値と比較する。１１は試料ステージ
で、試料を保持しているとともに。
し、予め設定された値と比較する。１１は試料ステージ
で、試料を保持しているとともに。
試料表面の平面内で二次元的に移動できるように支持さ
れている。１４は試料ステージ１１の移動を制御するス
テージ制御部であり、演算回路１３からの信号により試
料ステージ１１を停止させることができ、また後述の番
地読取り部１５からの信号により試料ステージ１１を指
定された位置に移動させることができる。
れている。１４は試料ステージ１１の移動を制御するス
テージ制御部であり、演算回路１３からの信号により試
料ステージ１１を停止させることができ、また後述の番
地読取り部１５からの信号により試料ステージ１１を指
定された位置に移動させることができる。
１５は番地読取り部であり、演算回路１３からの信号に
よりそのときの試料の位置を示す番地をステージ制御部
１４から読み取ってメモリ１６に記憶させ、またメモリ
１６から番地情報を読み出してステージ伊御部１４へ与
える。
よりそのときの試料の位置を示す番地をステージ制御部
１４から読み取ってメモリ１６に記憶させ、またメモリ
１６から番地情報を読み出してステージ伊御部１４へ与
える。
本実施例において、試料表面１上の異物を発見するため
に、照明ランプ１７により試料表面１を斜方向から照射
しつつ試料ステージ１１を移動させて行き、光検出器１
０からの信号が演算回路１３において設定された強度よ
りも強くなると、演算回路１３の出力信号が変化する。
に、照明ランプ１７により試料表面１を斜方向から照射
しつつ試料ステージ１１を移動させて行き、光検出器１
０からの信号が演算回路１３において設定された強度よ
りも強くなると、演算回路１３の出力信号が変化する。
本実施例の装置の一使用方法は、演算回路１３の出力信
号が変化した時点でステージ制御部１４により試料ス、
テージ１１を停止させ、その位置で電子ビーム２を照射
して異物の分析を行なう。
号が変化した時点でステージ制御部１４により試料ス、
テージ１１を停止させ、その位置で電子ビーム２を照射
して異物の分析を行なう。
そして、その異物の分析が終了すると再び試料ステージ
１１を移動させて次の異物を発見し、分析を行なうとい
うように、異物の発見と分析を交互に繰り返えす。
１１を移動させて次の異物を発見し、分析を行なうとい
うように、異物の発見と分析を交互に繰り返えす。
本実施例の装置の他の使用方法は、演算回路１３の出力
信号が変化しても試料ステージ１１は停止させず、番地
読取り部１５によりステージ制御部１４からその時の試
料位置を示す番地を読み取らせ、メモリ１６に記憶させ
ていく。そして、必要な移動範囲内の異物の位置を全て
メモリ１６に記憶させた後で、番地読取り部１５により
メモリ１６から異物の位置を読み出させ、ステージ制御
’ｉ！１ｓ１４により試料ステージ１１をその読み出さ
れた番地の位置まで移動させて異物に電子ビーム２を照
射し１分析を行なう。１個の異物の分析が終了するとメ
モリ１６に記憶されている次の異物の番地の位置まで試
料ステージ１１を移動させて再び分析を行なう、このよ
うに、まず試料表面１の必要な範囲内の異物の位置だけ
を検出して記憶させておき、その後、記憶された位置に
従って順次異物を分析していく。
信号が変化しても試料ステージ１１は停止させず、番地
読取り部１５によりステージ制御部１４からその時の試
料位置を示す番地を読み取らせ、メモリ１６に記憶させ
ていく。そして、必要な移動範囲内の異物の位置を全て
メモリ１６に記憶させた後で、番地読取り部１５により
メモリ１６から異物の位置を読み出させ、ステージ制御
’ｉ！１ｓ１４により試料ステージ１１をその読み出さ
れた番地の位置まで移動させて異物に電子ビーム２を照
射し１分析を行なう。１個の異物の分析が終了するとメ
モリ１６に記憶されている次の異物の番地の位置まで試
料ステージ１１を移動させて再び分析を行なう、このよ
うに、まず試料表面１の必要な範囲内の異物の位置だけ
を検出して記憶させておき、その後、記憶された位置に
従って順次異物を分析していく。
以上の実施例ではマイクロアナライザの例としてＥＰＭ
Ａを取り上げて説明したが、本発明は試料表面上の異物
を発見する装置に関するものであり１分析手段には直接
関係はないものであるので、ＳＡＭやＩＭＡなど、ＥＰ
ＭＡ以外のマイクロアナライザについても同様に適用さ
れるものである。
Ａを取り上げて説明したが、本発明は試料表面上の異物
を発見する装置に関するものであり１分析手段には直接
関係はないものであるので、ＳＡＭやＩＭＡなど、ＥＰ
ＭＡ以外のマイクロアナライザについても同様に適用さ
れるものである。
（Ｊ！明の効果）
本発明によれば、マイクロアナライザ内において、試料
表面に斜方向から光を照射し、鏡面反射方向以外の方向
で反射光を検出し、その反射光強度により異物を発見す
るように構成されているので、例えばシリコンウェハ上
の塵のように、試料の鏡面状表面にある異物を試料に損
傷を与えずに。
表面に斜方向から光を照射し、鏡面反射方向以外の方向
で反射光を検出し、その反射光強度により異物を発見す
るように構成されているので、例えばシリコンウェハ上
の塵のように、試料の鏡面状表面にある異物を試料に損
傷を与えずに。
しかも迅速で確実に発見することができる。
第１図は本発明をＥＰＭＡに適用した実施例を示す概略
図、第２図は同実施例の制御系を示すブロック図、第３
図は本実施例と従来の反射金属顕微鏡とにおける反射光
量を示す図であり、Ａは本実施例の場合、Ｂは従来の場
合である。第４図は従来のＥＰＭＡにおける反射金属顕
微鏡を示す概略図、第５図は従来のＥＰＭＡにおけるＳ
ＥＭを示す概略図である。 ２・・・・・・電子ビーム、 １０・・・・・・光検出器、 １１・・・・・・試料ステージ、 １３・・・・・・演算回路、 ■４・・・・・・ステージ制御部、 １５・・・・・・番地読取り部、 １６・・・・・・メモリ、 １７・・・・・・照明ランプ。
図、第２図は同実施例の制御系を示すブロック図、第３
図は本実施例と従来の反射金属顕微鏡とにおける反射光
量を示す図であり、Ａは本実施例の場合、Ｂは従来の場
合である。第４図は従来のＥＰＭＡにおける反射金属顕
微鏡を示す概略図、第５図は従来のＥＰＭＡにおけるＳ
ＥＭを示す概略図である。 ２・・・・・・電子ビーム、 １０・・・・・・光検出器、 １１・・・・・・試料ステージ、 １３・・・・・・演算回路、 ■４・・・・・・ステージ制御部、 １５・・・・・・番地読取り部、 １６・・・・・・メモリ、 １７・・・・・・照明ランプ。
Claims (4)
- （１）電子、イオン、光子又は中性粒子などのプローブ
を試料表面に照射して試料を分析する装置において、 試料が載置される試料ステージを二次元的に移動させる
試料ステージ制御部と、 試料表面に斜方向から光を照射する光源と、この光源か
らの光の試料表面での鏡面反射光以外の反射光を受光す
る位置に設けられた光検出器と、 この光検出器の検出信号が設定値以上か否かを判定する
演算回路と、を備え、 この演算回路により検出光量が設定値以上と判定された
位置で前記プローブの照射による分析を行なうことを特
徴とする微小部分析装置。 - （２）前記光源は、試料表面への光照射角度が可変に支
持されている特許請求の範囲第１項に記載の微小部分析
装置。 - （３）前記光検出器での検出光量が設定値以上になった
とき、前記演算回路からの出力信号により試料ステージ
を停止させ、その位置で前記プローブによる分析を行な
う特許請求の範囲第１項に記載の微小部分析装置。 - （４）試料表面上の位置を記憶する手段を備え、前記光
検出器での検出光量が設定値以上になったとき、前記演
算回路からの出力信号によりそのときの試料表面上の位
置を前記手段に記憶し、その記憶された位置に従って前
記プローブによる分析を行なう特許請求の範囲第１項に
記載の微小部分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094070A JPS61253758A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 微小部分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094070A JPS61253758A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 微小部分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61253758A true JPS61253758A (ja) | 1986-11-11 |
Family
ID=14100241
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094070A Pending JPS61253758A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 微小部分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61253758A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009198404A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Sii Nanotechnology Inc | Ｘ線分析装置及びｘ線分析方法 |
| JP2013064675A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795056A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-12 | Hitachi Ltd | Appearance inspecting process |
| JPS5833154A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60094070A patent/JPS61253758A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5795056A (en) * | 1980-12-05 | 1982-06-12 | Hitachi Ltd | Appearance inspecting process |
| JPS5833154A (ja) * | 1981-08-24 | 1983-02-26 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009198404A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Sii Nanotechnology Inc | Ｘ線分析装置及びｘ線分析方法 |
| JP2013064675A (ja) * | 2011-09-20 | 2013-04-11 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5076692A (en) | Particle detection on a patterned or bare wafer surface | |
| EP1636572B1 (en) | Systems for inspection of patterned or unpatterned wafers and other specimen | |
| US9255891B2 (en) | Inspection beam shaping for improved detection sensitivity | |
| JPH03267745A (ja) | 表面性状検出方法 | |
| KR19990036574A (ko) | 패턴 결함 검사 장치 및 패턴 결함 검사 방법 | |
| JP3435187B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
| EP1651993A2 (en) | Method and arrangement for focusing detection in an optical measurement | |
| KR970000781B1 (ko) | 이물 검사 장치 | |
| JPH06294749A (ja) | 板ガラスの欠点検査方法 | |
| JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
| JPH1062354A (ja) | 透明板の欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
| JP3185878B2 (ja) | 光学的検査装置 | |
| JPS61253758A (ja) | 微小部分析装置 | |
| JP2712362B2 (ja) | レジストパターンの検査装置 | |
| JP4040777B2 (ja) | 異物検査装置 | |
| JP2001284423A (ja) | 半導体検査装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP3432273B2 (ja) | 異物検査装置及び異物検査方法 | |
| JP3100449B2 (ja) | 表面状態検査装置 | |
| JP2004163240A (ja) | 表面評価装置 | |
| JPH0518901A (ja) | ウエーハ表面検査装置 | |
| JP2000131241A (ja) | 光学素子の検査装置及び検査方法 | |
| JPH09218162A (ja) | 表面欠陥検査装置 | |
| JPH10142489A (ja) | 焦点検出方法およびその装置 | |
| JPH10293103A (ja) | 光学測定方法および装置およびパターン付き基板用光学測定装置 | |
| JPH10325803A (ja) | 異物検査装置 |