JPS61252626A - 高周波誘導発熱体 - Google Patents
高周波誘導発熱体Info
- Publication number
- JPS61252626A JPS61252626A JP9361285A JP9361285A JPS61252626A JP S61252626 A JPS61252626 A JP S61252626A JP 9361285 A JP9361285 A JP 9361285A JP 9361285 A JP9361285 A JP 9361285A JP S61252626 A JPS61252626 A JP S61252626A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- susceptor
- heating element
- frequency induction
- graphite
- induction heating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02529—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02376—Carbon, e.g. diamond-like carbon
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、高周波誘導加熱技術に用いる発熱体に係り、
特に、発熱体表面の温度分布が均一になるような高周波
誘導発熱体に関する。
特に、発熱体表面の温度分布が均一になるような高周波
誘導発熱体に関する。
半導体エピタキシャル膜形成の一方法として、有機金属
の熱分解を利用した気相化学成長法（ＭＯＣＶＤ法）が
ある、第１図は、半導体Ｇ ａ Ａ ｓのＭＯＣＶＤ法
によるエピタキシャル膜成長装置の一部分を模式的に示
したものである。第１図で、１はグラファイトサセプタ
、２は高周波コイル、３はエピタキシャル膜を成長させ
る基板でＧ ａ Ａ ｓ単結晶、４は石英製反応管、５
はグラファイトサセプタの支持具、６は反応管に導入さ
れる原料ガス。
の熱分解を利用した気相化学成長法（ＭＯＣＶＤ法）が
ある、第１図は、半導体Ｇ ａ Ａ ｓのＭＯＣＶＤ法
によるエピタキシャル膜成長装置の一部分を模式的に示
したものである。第１図で、１はグラファイトサセプタ
、２は高周波コイル、３はエピタキシャル膜を成長させ
る基板でＧ ａ Ａ ｓ単結晶、４は石英製反応管、５
はグラファイトサセプタの支持具、６は反応管に導入さ
れる原料ガス。
７は反応後に反応管から排気されるガスを示す。
この方法で、グラファイトサセプタは高周波コイルによ
り、誘導加熱され、その熱が基板に伝わり、基板上に、
エピタキシャル膜が成長するという仕組みになっている
。
り、誘導加熱され、その熱が基板に伝わり、基板上に、
エピタキシャル膜が成長するという仕組みになっている
。
しかし、高周波誘導加熱されたグラファイトサセプタ表
面の温度を測定すると、第２図に示すように、サセプタ
の中心部と、周辺部では、１０〜２０℃の温度差が生じ
ることがわかった。これは、サセプタの周辺部の方が、
中心部より、より大きな誘導電流によるジュール発熱が
生じるためで、サセプタの直径が大きいほど、温度差が
大きくなる。基板上に成長させるエピタキシャル膜は、
電子的な特性が均一であることが望ましく、そのために
は、成長時の温度は均一であることが必要である。
面の温度を測定すると、第２図に示すように、サセプタ
の中心部と、周辺部では、１０〜２０℃の温度差が生じ
ることがわかった。これは、サセプタの周辺部の方が、
中心部より、より大きな誘導電流によるジュール発熱が
生じるためで、サセプタの直径が大きいほど、温度差が
大きくなる。基板上に成長させるエピタキシャル膜は、
電子的な特性が均一であることが望ましく、そのために
は、成長時の温度は均一であることが必要である。
サセプタ上の温度差を均一にする方法としては、特開昭
５８−１９７６９２号公報に記載のように、サセプタの
裏面にくぼみを設けることにより、表面温度の均一化を
計る方法が発明されている。
５８−１９７６９２号公報に記載のように、サセプタの
裏面にくぼみを設けることにより、表面温度の均一化を
計る方法が発明されている。
本発明の目的は上述の温度差を解決するためになされた
ものであり、サセプタ表面の温度が均一になるような発
熱体を提供することにある。
ものであり、サセプタ表面の温度が均一になるような発
熱体を提供することにある。
高周波誘導発熱体では、誘導電流が流れる電流路の面積
が大きければ大きいほど、ジュール熱による発熱が大き
い０本発明は、グラファイトの一部を絶縁体で置き換え
た構造を採用するものであり、簡単にサセプタ表面の温
度差を小さくすることが達成できる。
が大きければ大きいほど、ジュール熱による発熱が大き
い０本発明は、グラファイトの一部を絶縁体で置き換え
た構造を採用するものであり、簡単にサセプタ表面の温
度差を小さくすることが達成できる。
以下、実施例により１本発明を説明する。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を図を用いて説明する。
第３図は、円板状グラファイトの片面を凸面状に加工し
、その上にシリコンカーバイト（ＳｉＣ）を形成したサ
セプタの断面構造及び高周波誘導発熱時のサセプタ上部
表面温度を示す、εこで、シリコンカーバイトは、凸面
状グラファイトの上に、ホットプレスを用いた焼結法に
より形成したものであり、グラファイトに比べて、電気
抵抗率が６桁程度高い、そのため、高周波誘導による発
熱も小さいという特徴がある。本構造のサセプタでは、
高周波誘導発熱時に、サセプタ上部表面の温度は。
、その上にシリコンカーバイト（ＳｉＣ）を形成したサ
セプタの断面構造及び高周波誘導発熱時のサセプタ上部
表面温度を示す、εこで、シリコンカーバイトは、凸面
状グラファイトの上に、ホットプレスを用いた焼結法に
より形成したものであり、グラファイトに比べて、電気
抵抗率が６桁程度高い、そのため、高周波誘導による発
熱も小さいという特徴がある。本構造のサセプタでは、
高周波誘導発熱時に、サセプタ上部表面の温度は。
第１図に示した場合のグラファイトサセプタの温度に比
べて極めて均一になっていることがわかる。
べて極めて均一になっていることがわかる。
これはグラファイトを凸面状にし、シリコンカーバイト
の層をサセプタ周辺部で厚くしたことにより１発熱量の
大きいグラファイト外周部からの熱伝導の効果が緩和さ
れたためである。
の層をサセプタ周辺部で厚くしたことにより１発熱量の
大きいグラファイト外周部からの熱伝導の効果が緩和さ
れたためである。
本実施例では、グラファイト上にシリコンカーバイトを
形成した例を示したが、シリコンカーバイトの他に、電
気抵抗率が高く、熱伝導性の良いシリコンナイトライド
（ｓ ｘ ３Ｎ４）を焼結やホットプレスなどの方法に
より形成してもよい。
形成した例を示したが、シリコンカーバイトの他に、電
気抵抗率が高く、熱伝導性の良いシリコンナイトライド
（ｓ ｘ ３Ｎ４）を焼結やホットプレスなどの方法に
より形成してもよい。
以上の実施例で説明したように、本発明によれば、サセ
プタ表面の温度不均一を小さくできるので、均一な特性
の半導体薄膜を作製でき、ＩＣや、ＬＳ ｉｌｌ造プロ
セスにおける歩留り向上に役立つという効果がある。
プタ表面の温度不均一を小さくできるので、均一な特性
の半導体薄膜を作製でき、ＩＣや、ＬＳ ｉｌｌ造プロ
セスにおける歩留り向上に役立つという効果がある。
第１図は、高周波誘導加熱を用いた半導体エピタキシャ
ル成長装置の一部を示す模式図、°第２図は、グラファ
イトサセプタの断面図と、サセプタ表面の温度分布を示
す図、第３図は１本発明によるサセプタの断面図と、表
面の温度分布を示す図である。 １・・・グラファイトサセプタ、２・・・高周波コイル
。 、 ３・・・基板、４・・・反応管、５・・・サセプタ
支持具、６・・・原料ガス、７・・・排気ガス、８・・
・サセプタ、９・・・■１図 ２ρ １０ ０ ｔｏ Ｚρ 中Ｉに力゛９距嚢色（）ｍａ） ￥Ｊ３ 図 ｚＯｔｏ ｏｔｏ ｚｐ
ル成長装置の一部を示す模式図、°第２図は、グラファ
イトサセプタの断面図と、サセプタ表面の温度分布を示
す図、第３図は１本発明によるサセプタの断面図と、表
面の温度分布を示す図である。 １・・・グラファイトサセプタ、２・・・高周波コイル
。 、 ３・・・基板、４・・・反応管、５・・・サセプタ
支持具、６・・・原料ガス、７・・・排気ガス、８・・
・サセプタ、９・・・■１図 ２ρ １０ ０ ｔｏ Ｚρ 中Ｉに力゛９距嚢色（）ｍａ） ￥Ｊ３ 図 ｚＯｔｏ ｏｔｏ ｚｐ
Claims (1)
- １、高周波誘導加熱技術で用いる発熱体において、発熱
体の一面を凸面状にし、その上に、高抵抗の材料からな
る層を形成して、平坦化したことを特徴とする高周波誘
導発熱体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361285A JPS61252626A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 高周波誘導発熱体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9361285A JPS61252626A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 高周波誘導発熱体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61252626A true JPS61252626A (ja) | 1986-11-10 |
Family
ID=14087149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9361285A Pending JPS61252626A (ja) | 1985-05-02 | 1985-05-02 | 高周波誘導発熱体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61252626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185973A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の形成方法 |
-
1985
- 1985-05-02 JP JP9361285A patent/JPS61252626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185973A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-20 | Tokyo Electron Ltd | 金属シリサイド膜の形成方法 |
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