JPS6125129A - 電気光学用電極基板 - Google Patents

電気光学用電極基板

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Publication number
JPS6125129A
JPS6125129A JP14526684A JP14526684A JPS6125129A JP S6125129 A JPS6125129 A JP S6125129A JP 14526684 A JP14526684 A JP 14526684A JP 14526684 A JP14526684 A JP 14526684A JP S6125129 A JPS6125129 A JP S6125129A
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JP
Japan
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film
substrate
electrode substrate
liquid crystal
conductive film
Prior art date
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Pending
Application number
JP14526684A
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English (en)
Inventor
Teru Okunoyama
奥野山 輝
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Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Toshiba Chemical Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Chemical Corp filed Critical Toshiba Chemical Corp
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Publication of JPS6125129A publication Critical patent/JPS6125129A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 し発明の技術分野] 本発明は耐熱性、配向性の優れた電気光学用電極基板に
関する。
L発明の技術的背景とその問題点] 最近、液晶の光学的周方性を利用した表示装置の応用が
各方面で進められている。 この表示方法として主に用
いられCいるものは、負の誘電異方性を持ったネマチッ
ク液晶化合物が電場の印加により光を散乱するダイナミ
ックスキャンタリング現象を表示に利用したもの(DS
型デバイスという)と、正の誘電異方性を持ったネマチ
ック液晶化合物を配向きけることによって、旋光性を変
化させて表示に利用したもの(F E型デバイスという
)がある、、DS型デバイスでは、液晶化合物の初期配
向の均一性が動作原理上必ずしも必要ではないが、EE
型デバイスでは動作原理が電場により液晶化合物の初期
配向を制御もしくは再配列さ−せ、その際の光学的性質
の変化を利用覆るものであるため、液晶化合物の初期配
向の均一性が特に重要である、。
然し−で、従来液晶化合物の初期配向の均一性を得る手
段どして、電極基板を布などで一方向に摩擦する方法が
知られているが、この方法では部分的に液晶化合物分子
の配向が異tyす、配向の均一性は十分でなく、また配
向が短時間のうちに失われてしまう欠点がある。 」−
記の欠点を改善するものとじて、ある種の界面活fl剤
を併用しく一電極基板を一方向に摩擦する方法が用いら
れている。
この方法では配向の均一性はある程度改善されるが、界
面活性剤の耐熱性がなく、また界面活性剤が液晶化合物
の劣化を招(という欠点がある。
さらに、電界を印加し続【ノると界面活性剤が電界によ
り分解、変質を起こし配向が破壊してしまうという欠点
がある。 また、従来の縮合型ポリイミド樹脂を被覆し
た電極基板を一方向に摩擦する方法が用いられている。
 この場合は液晶化合物に対する配向効果および耐熱性
に優れているが、ポリイミド樹脂の硬化縮合温度が高く
硬いため、フレキシブルな電極基板(例えばポリエステ
ル等のフィルム)には被覆できないという欠点があった
[発明の目的] 本発明は、前記のような欠点を解消するためになされた
もので、耐熱性、耐湿性、配向性に優れた耐久性のよい
電気光学用電極基板を提供することを目的としている。
[発明の概要1 本発明は、上記の目的を達成するために鋭意研究を重ね
た結果、ポリパラバン酸樹脂を用いることによって特性
の優れた電気光学用電極基板が得られることを見いだし
たものである。 即ち、本発明は、透明’17 Ti 
tel皮膜を有する基板表面の一部または全面に、ポリ
パラバン酸樹脂皮膜を有し、前記ポリパラバン酸樹脂皮
膜が配向処理されていることを特徴とする電気光学用電
極基板基板である。
本発明に用いる透明y4電性皮膜としては、酸化インジ
ウム、酸化スズ、酸化スズと酸化インジウムの混合物、
酸化スズと酸化アンチモンの混合物、酸化チタン、酸化
ロジウム、酸化白金等の金属酸化物等の金属薄膜が挙げ
られる。 透明導電性皮膜を被覆する基板は、ガラス、
セラミック、プラスチックフィルム等が使用される。、
 透明導電性皮膜を基板に被覆する方法としでは、蒸着
法、スパッタリング法、CVD払、スプレー法等が一般
に用いられる。
本発明に用いるポリパラバン酸樹脂は、一般式(但し式
中Xは、−CH2−1−〇−1−802−を、0は正の
整数を表1)で示されるヘテロ環状化合物である。 ポ
リパラバン酸樹脂は、溶剤に溶解して使用されるがここ
に使用される溶剤としては一般的に非プロトン性極性溶
剤が好ましく、例えばジメチルホルムアミド、ジメチル
アセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等が挙げら
れ、これらの溶剤は単独もしくは2種以上の組合せで使
用される。 ポリパラバン酸樹脂分と溶剤との混合比(
樹脂分濃度)は塗装方法に応じて任意に変更することが
でき、必要に応じて樹脂分を高津度にして、塗装に際し
てこれを加熱し粘度を低下させて使用するようにしても
よい。
このポリパラバン酸樹脂を用いて電極基板上に樹脂皮膜
を設けるには、通常溶剤に溶解して0.01〜40噌縫
%程度の樹脂溶液とし、刷毛塗り法、浸漬法、オフヒツ
トおよびスタンプ等の印刷法、回転塗布法、スプレー法
などにより電極基板上に塗布した後、100〜200℃
好ましくは180〜200℃の温度で加熱処理して溶剤
乾燥を行い樹脂皮膜を段(プる。 ポリパラバン酸樹脂
の皮膜を設けた後、この皮膜面を布などで一定方向に摩
擦し配向処理さけることにより、本発明の電気光学用電
極基板が得られる。
本発明に係る一対の電極基板のそれぞれの配向処理面の
間に、例えば正の誘電異方性を有するネマチック液晶化
合物を公知の方法で封入シールすることにより電気光学
的表示デバイスを作ることができる。 このような電極
基板は電気光学的な種々の装置に有効に使用でき、例え
ば電子式卓上計算機、腕部:11、詣き時81、計数表
示板などの表示装置に用いることができる。
[発明の実施例] 次に本発明を実施例によって具体的に説明する。
実施例 1 ポリパラバン酸樹脂の12重置部をジメチルアセトアミ
ド1188重量部中に入れ80℃の温度で均一に溶解し
、0.12重量部のカップリング剤を添加して1%溶液
を調製した。 この溶液に、酸化インジウムの透明導電
性皮膜を自するネリーガラスをパターン状に1ツチング
した後通常のh法で洗浄した電極基板を浸漬した。 浸
漬後引」二げ200℃の温度で30分間加熱処理を行っ
て電極基板上に1000ス厚さのポリパラバン酸樹脂皮
膜を設()た。 次にポリパラバン酸樹脂皮膜を設けた
一対の電極基板を布で一方向に摩擦して配向処理した。
 しかる後、摩擦方向が互いに直交するようにしてセル
組みし、正の誘電異方性を有するネマチック液晶化合物
を封入し、さらにセルの外側の両面、に偏光膜を、偏光
膜の偏光方位がそれぞれ隣接する基板の摩擦方向に平行
になるように貼合して表示デバイスを製作した。 表示
デバイスは耐湿性(60℃X95%R1−lX500時
m)、耐熱性(80℃×500時間)試験においても配
向の破壊はみられず、配向の均一性が良好であり耐久性
にも優れていた。
実施例 2 実施例1と同じポリパラバン酸樹脂の1%溶液を、酸化
インジウムの透明導電性皮膜を有するポリニスデルフィ
ルム上にオフセット印刷し、150℃の湿度で1時間加
熱処理を行い架橋反応させ、電極基板−1−に1000
X厚のポリバうパン酸樹脂皮膜を設けた。 次にポリパ
ラバン酸樹脂皮膜を設(プた一月のポリ[ステルフィル
ム電極基板を布で一方向に摩擦して配向処理をした。 
しかる後に、摩擦方向が互いに直交覆るようにしてセル
組みし、正の誘電異方性を右するネマチック液晶化合物
を封入し、さらにセルの外側の両面に偏光膜を、偏光膜
の偏光11位がそれぞれ隣接づる基板の摩擦方向に平行
になるように貼合して表示デバイスを製作した。 表示
デバイスは、耐湿性(60℃×95%R+1×500時
間)、耐熱性(80℃X 5000;′i間)試験にd
5いて−も配向の破壊はみられず、配向均一性゛も良好
であり、耐久性も優れていた。
比較例 1 酸化インジウムを蒸着しtc電極用ネサガラスを洗浄後
、配向処理剤としでポリオキシエチレンノニルフ:[ニ
ルエーテルの065%水溶液を浸漬塗布した後、真空加
熱乾燥させた。 次に、前記の塗布面を布で一方向に摩
擦して、配向処理したネサガラスを作った。 こうして
得られた一対のネサガラスを摩擦り向に直交するように
セル組みし、市販のネマチック液晶化合物を封入してセ
ルの外側の両面に偏光膜を貼合して表示デバイスを製作
した。 ごの表示デバイスは電場印加時に表示部に明暗
の配向ムラがあり、また60℃×95%RHx100時
間経過後、配向が破壊し、耐久性が悪かった。
比較例 2 比較例1で配向処理剤を使用せず、直接ネリーガラス面
を布で一方向に摩擦して配向処理したネサガラスを作っ
た後、比較例1と同様にし”(表示デバイスを製作した
。 この表示デバイスは、電場印加時に表示部に明暗の
配向ムラがあり、また50℃x 3時間経過後配向が破
壊しはじめ、2日後で完全に破壊し°Cしまい、耐熱性
、耐久性が良くなかった。
[発明の効果] 本発明の電気光学用電極基板は、耐熱性、耐湿性、配卵
性、耐久性に優れ(おり、特に液晶の初期配向の均一性
が極めて優れており、かつ皮膜形成時の加熱温度が低い
ためガラス基板のみでなくポリlスプル等の熱に弱いノ
イルム基板にも応用できる。 また電極基板の温度が1
昇してb液晶化合物の分子の配向効果に影響を与えるこ
となく、セル中の液晶化合物の分子が長期間安定して存
在するという利点がある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 透明導電性皮膜を有する基板表面の一部または全面
    に、ポリパラバン酸樹脂皮膜を有し、前記ポリパラバン
    酸樹脂皮膜が配向処理されていることを特徴とする電気
    光学用電極基板。
JP14526684A 1984-07-14 1984-07-14 電気光学用電極基板 Pending JPS6125129A (ja)

Priority Applications (1)

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JP14526684A JPS6125129A (ja) 1984-07-14 1984-07-14 電気光学用電極基板

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JP14526684A JPS6125129A (ja) 1984-07-14 1984-07-14 電気光学用電極基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6125129A true JPS6125129A (ja) 1986-02-04

Family

ID=15381153

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JP14526684A Pending JPS6125129A (ja) 1984-07-14 1984-07-14 電気光学用電極基板

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5512911A (en) * 1978-07-14 1980-01-29 Hitachi Ltd Substrate for holding liquid crystal

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5512911A (en) * 1978-07-14 1980-01-29 Hitachi Ltd Substrate for holding liquid crystal

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