JPS61250892A - Magnetic bubble memory - Google Patents
Magnetic bubble memoryInfo
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- JPS61250892A JPS61250892A JP9082885A JP9082885A JPS61250892A JP S61250892 A JPS61250892 A JP S61250892A JP 9082885 A JP9082885 A JP 9082885A JP 9082885 A JP9082885 A JP 9082885A JP S61250892 A JPS61250892 A JP S61250892A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory, and particularly to a magnetic bubble memory suitable for reduction in thickness, size, and power consumption.
ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントした8字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Xコイル、Yコイルを、それぞれ挿入し直交配置して組
み立てた構造となっている。Xコイル及びYコイルは磁
気バブルメモリチップだけでなく、チップよりもはるか
に大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端
から端迄長さが長く、なり、駆動電圧、消費電力が大き
くなってしまう。また、Xコイル、Yコイルは磁気バブ
ルメモリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与す
るために均一なインダクタバランスが要求されることか
ら、そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりか
つ大型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれら
のXコイル、Yコイルの外面には磁気バブルメモリ素子
に垂直方向のバイアス磁界を付与する一対の永久磁石板
およびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂
モールドにより被覆されている構造であるため、垂直方
向の積層厚が増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形
化、/11型化への要請に対して障害となっていた。Magnetic bubble memory devices, which have been put into practical use in recent years, consist of a rectangular solenoid coil with an asymmetrical structure mounted on a figure-eight ceramic or synthetic resin wiring board on which a magnetic bubble memory chip is mounted. It has a structure in which the X coil and Y coil are inserted and orthogonally arranged. The X coil and Y coil have a structure in which they wrap not only the magnetic bubble memory chip but also a wiring board that is much larger than the chip, so each coil is long from end to end, resulting in large drive voltage and power consumption. turn into. In addition, the X coil and Y coil require a uniform inductor balance in order to provide a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory element, so the coil shapes are different from each other and have an asymmetric structure, resulting in a larger structure. I had no choice but to do so. Furthermore, a pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and a magnetic shunt plate are arranged on the outer surfaces of these X coils and Y coils, and their peripheral parts are covered with a resin mold. Because of this structure, the stacked layer thickness in the vertical direction increases, which is an obstacle to the demand for thinner magnetic bubble memory devices and 11-inch magnetic bubble memory devices.
本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和54年特許出願公開第55129号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。The closest prior art to the present invention known to the applicant is Patent Application Publication No. 55129 of 1974. This publication describes the structure of a frame-shaped core that surrounds a chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them. However, no further specific structure is shown, and it is theoretically impossible to make an electrical connection to a chip completely surrounded by a conductor case from outside the conductor case without shorting it. Although it is possible, the description is clearly insufficient for people to think of putting it into practical use, including the fact that the method of attaching permanent magnets, magnetic shunt plates, bias coils, etc. is unknown. In other words, the embodiment of the present invention merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core is used as a result.
本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be made thinner.
本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be miniaturized by reducing the overall volume.
本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory with reduced power consumption.
本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the VI product is reduced by reducing the inductance of the rotating magnetic field generating coil.
本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that allows or facilitates automation of assembly of component parts.
本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.
本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.
本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose cassette can be made smaller.
本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose peripheral circuitry can be manufactured at low cost.
本発明の更に他の目的は、磁気バブルのスターチ・スト
ップ特性を保証し得る磁気バブルメモリを提供すること
である。Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can guarantee starch-stop properties of magnetic bubbles.
本発明の一実施例によれば、額縁型コアを使用した駆動
磁気回路が提供される。磁気バブルメモリチップは額縁
形コアに囲まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキ
シブル配線基板上に配置される。駆動磁気回路および磁
気バブルメモリチップは非磁性体で良導電体の回転磁界
閉じ込めケース内に収納される。回転磁界閉じ込めケー
スRFSの外面にはソレノイドコイルSOCが配置され
る。このような構成によれば、回転磁界の一様性を向上
させかつスタート・ストップ特性を保証させしかも全体
形状を小型化、薄形化させることができる。According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a frame-shaped core is provided. The magnetic bubble memory chip is disposed on a flexible wiring board so as to be surrounded by and substantially flush with the frame-shaped core. The drive magnetic circuit and the magnetic bubble memory chip are housed in a rotating magnetic field confinement case made of a non-magnetic and highly conductive material. A solenoid coil SOC is arranged on the outer surface of the rotating magnetic field confinement case RFS. According to such a configuration, the uniformity of the rotating magnetic field can be improved, the start-stop characteristics can be guaranteed, and the overall shape can be made smaller and thinner.
次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.
(全体構造の概要 第1,2図)
第1図および第2図(a)、(b)は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第1図は一部破断斜視図、第2図(a)はその底
面図、第2図(b)は第2図(a)の2B−2B断面図
である。これらの図において、CHIは磁気バブルメモ
リチップ(以下チップと称する)、であり、これらの図
ではチップCHIは省略して1個のみ表示しているが本
実施例では2個並べて配置しているものとする。(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 (a) and (b) are diagrams for explaining an embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention. FIG. 2(a) is a partially broken perspective view, FIG. 2(a) is a bottom view thereof, and FIG. 2(b) is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2(a). In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip). In these figures, the chip CHI is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. shall be taken as a thing.
(1つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い)。F
PCは2個のチップCHIを搭載しかつ4隅にチップC
HIと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板(以下基板と称する)である。CoI
は2個のチップCHIをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル(以
下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合体CO
Iの中空部分を貫通するようi設けられた固定装置され
た軟磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)で
あり、このコアCORと各コイルCOIとでチップCH
Iに面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成して
いる。RFSは基板FPCの中央四角形部分と、2個の
チップCH■および磁気回路PFCの全体を収納する回
転磁界閉じ込めケース(以下ケースと称する)である。(The chip yield is better with a multi-divided chip configuration that matches the total storage capacity than with one large-capacity chip.) F
The PC is equipped with two chips CHI and a chip C in the four corners.
This is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) having a wire group extension for connecting the HI and external connection terminals. CoI
is a drive coil (hereinafter referred to as a coil) that surrounds two chips CHI on almost the same plane and is arranged so that opposing sides are parallel to each other, and COR is a rectangular coil assembly CO.
A frame-shaped core (hereinafter referred to as the core) made of a soft magnetic material with a fixing device provided so as to penetrate through the hollow part of the chip CH.
A magnetic circuit PFC that applies an in-plane rotating magnetic field to I is configured. RFS is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the central rectangular portion of the substrate FPC, two chips CH2, and the entire magnetic circuit PFC.
ケースRFSは2枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている。Case RFS is formed by processing two independent plates,
The upper and lower plates are electrically connected on the side of the case.
チップCHIが配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースPFSは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板FP
Cを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってい
る。A converging portion is formed in the peripheral portion so that the gap in the central portion is narrowed in a slightly wider range than the portion where the chip CHI is arranged. This constriction can also be used to position the magnet. Case PFS uses magnetic field confinement and soft substrate FP
It has the effect of killing two birds with one stone by mechanically supporting C.
ケースPFSとチップCHIとの間には、特にチップC
HIの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの平
面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースRFSの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略し
ても良い。INMはケースRFSの外側に配置された磁
性材からなる一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜
板INMは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは
右に寄るに従って板厚が厚くなっており1.双方はケー
スRFS側に傾斜面が形成されている。傾斜板INMの
材料としては、透磁率μが高く保持力Hcの小さいソフ
ト・フェライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本実
施例では傾斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選
んだ。MAGは一対の傾斜板INMの内側でそれと重ね
て配置された一対の永久磁石板(以下磁石板と称する)
である。ROMは前記各磁石板MAGの内側でそれと重
ねて配置されたソフトフェライトのような磁性材からな
る一対の整磁板である。磁石板MAGは全面にわたって
均一の板厚を有して形成されている。INNは一対の整
磁板ROMの内側対向面にそれと重ねて配置された銅の
ように熱伝導性が良く非磁性体の材料からなる一対の傾
斜板である。これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほ
ぼ同等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成され
ている。傾斜板INM、、磁石板MAG、整磁板HOM
及び傾斜板INNは、それぞれ積み重ねて配置し一体化
してバイアス磁界発生用磁石体BIM(以下磁石体と称
する)を構成したときに積層板磁石体全体の厚さがほぼ
全面にわたって均一となるように形成されている。In particular, there is a chip C between the case PFS and the chip CHI.
There is a gap SIR on the side surface of the HI, but this gap SIR, including the flat surface of the chip CHI, is coated or filled with silicone resin to prevent foreign matter from adhering to the main surface of the chip during assembly or moisture from entering after assembly. A passivation effect is intended to reduce intrusion into the main surface or side surfaces of the chip. If complete airtight sealing can be achieved on the outside of the case RFS, filling of the resin SIR may be omitted. INM is a pair of inclined plates made of magnetic material placed outside the case RFS, and in Fig. 2, the thickness of the upper inclined plate INM decreases as it moves to the left, and the thickness of the lower inclined plate INM decreases as it moves to the right. It's getting thicker 1. Both have an inclined surface formed on the case RFS side. As the material for the inclined plate INM, soft ferrite, permalloy, or the like, which has a high magnetic permeability μ and a small coercive force Hc, may be used, and in this embodiment, soft ferrite was selected because it is easy to process the inclined surface. MAG is a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside a pair of inclined plates INM and overlapping them.
It is. The ROM is a pair of magnetic shunt plates made of a magnetic material such as soft ferrite and arranged inside each magnet plate MAG and overlapping with it. The magnet plate MAG is formed to have a uniform thickness over the entire surface. The INN is a pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity such as copper, which are placed on the inner facing surfaces of a pair of magnetic shunt plates ROM and overlapped therewith. These inclined plates INN are formed to have substantially the same inclination angle as the inclined plate INM, and have inclined surfaces in opposite directions. Inclined plate INM, magnet plate MAG, magnetic shunt plate HOM
and the inclined plate INN are stacked and arranged so that when they are integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as the magnet body), the thickness of the entire laminated plate magnet body is uniform over almost the entire surface. It is formed.
一対の磁石体BIMはケースRFSの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。A pair of magnet bodies BIM are adhered to a central flat part surrounded by the constriction part of the case RFS.
BICは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である。バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップC)(Hのバブルをオールクリア(全消去
)する場合に駆動される。SHIは前記チップCHIを
搭載した基板FPCおよび磁気回路PFCを収納したケ
ースRFSと、その外側で、一対の磁石体BIMa、B
IMbおよびバイアスコイルBICを収納する磁性材か
らなる外部磁気シールドケース(以下シールドケースと
称する)である。シールドケースS HIの材料として
は、透磁率μが高く、飽和磁束密度Bsが大きく、He
の小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトが
そのような特性を持っているが、本実施例では折り曲げ
加工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄
・ニッケル合金が選択された。PKGは前記シールドケ
ースSHIの外周面に接着あるいははめ込みにより取り
付けられた熱伝導率が高く、加工のし易いAΩのような
材質からなるパッケージングケースである。GNPは前
記基板FPCの4隅から延長して設けられ、シールドケ
ースSHIの背面に折り返された外部接続端子に接触す
るように配置されたコンタクトパッドである。TEFは
各コンタクトパッドGNPを開口部の段差部で支持固定
する絶縁性部材からなる端子固定板である。REGはパ
ッケージングケースPKGの内側4隅に封入されかつシ
ールドケースRFS組立体をパッケージングケースPK
G内部に固定する樹脂モールド剤である。BIC is a bias magnetic field generating coil (
(hereinafter referred to as bias coil). The bias coil BIC is driven to adjust the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, to test for the presence or absence of unnecessary bubble generation defects, and to clear all the bubbles on the chip C) (H). SHI includes a case RFS that houses the board FPC on which the chip CHI is mounted and the magnetic circuit PFC, and a pair of magnet bodies BIMa and B on the outside of the case RFS.
This is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as shield case) made of a magnetic material that houses IMb and bias coil BIC. The material for the shield case SHI is He, which has a high magnetic permeability μ and a large saturation magnetic flux density Bs.
A magnetic material with a small value is preferable, and permalloy and ferrite have such properties, but in this example, permalloy, an iron-nickel alloy that is suitable for bending and strong against external mechanical forces, was selected. PKG is a packaging case made of a material such as AΩ, which has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer peripheral surface of the shield case SHI by adhesion or fitting. GNP are contact pads extending from the four corners of the substrate FPC and arranged to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. TEF is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at a stepped portion of an opening. REG is sealed in the four inner corners of packaging case PKG, and the shield case RFS assembly is sealed in packaging case PKG.
This is a resin molding agent that is fixed inside G.
(全体構造の特長 第1,2図)
第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第3図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。(Features of the overall structure, FIGS. 1 and 2) The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are enumerated as follows. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanations that follow from Figure 3, but here we will focus on the relationships between each component. The features are described below.
(1)回転磁界発生コイルPFCを額縁型にして、バブ
ルメモリチップCHIをその顔向にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をX及びYコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関数となるか
らである。(1) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is shaped like a picture frame and the bubble memory chip CHI is arranged on the same plane in the direction of its face, the thickness of the entire bubble device can be reduced. This is because in the current mainstream technology, the upper and lower surfaces of the chip are wrapped around the X and Y coils, so the thickness of the entire device is a function of the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness.
(2)Xコイル及びYコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてYコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。(2) Since the X coil and Y coil are arranged on almost the same plane, the following effects are achieved compared to the conventional structure in which the Y coil is wound on top of the X coil.
■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。■The total winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.
■Xコイル及びYコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。(2) The distances between the X coil and Y coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be made balanced.
(3)回転磁界発生コイルPFCを導体ケースRFSで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIに対す
る駆動効率を高められる。(3) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is surrounded by the conductor case RFS, leakage of magnetic flux is reduced and drive efficiency for the chip CHI can be increased.
(4)導体ケースPFSは、回転磁界Hr発生コイルP
FCから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
BIMに漏れるのを防ぎ、他方磁石体BIMからチップ
CHIへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。(4) The conductor case PFS is a rotating magnetic field Hr generating coil P
It prevents the alternating current magnetic field generated from the FC from leaking to the magnet body BIM with a large magnetic permeability μ, and on the other hand, substantially blocks the passage of the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb that should be applied from the magnet body BIM to the chip CHI. There is an option not to.
(5)導体ケースPFSとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。(5) Since the conductor case PFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly.
従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。Therefore, when a multiple-chip mounting configuration is used to increase manufacturing yields, variations in the inclination angle between chips have a large effect on magnetic properties, but according to this embodiment, variations in the inclination angle between chips can be reduced. It can be held small.
(6)配線基板としてフレキシブルフィルム基板FPC
を使用しているため下記の効果が得られる。(6) Flexible film board FPC as a wiring board
By using , the following effects can be obtained.
■基板厚を小さくできる。■The board thickness can be reduced.
■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。■Since the lead bonding method can be used, the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.
■上記の、■の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石MAGを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。■The effect of ■ above is due to the magnetic circuit gap (magnetic permeability μ
A bias magnet MAG having a small thickness or a small planar area can be used, which leads to a thinner overall device or a smaller planar area.
■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の180゜の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, the terminal portion can be turned over by 180°, and the planar area of the entire device can be limited.
■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.
(7)配線基板FPCの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースRFSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。(7) Since the external wiring of the wiring board FPC is concentrated at the corners of the rectangle, the opening of the rotating magnetic field confinement case RFS can be provided at the corner where the influence is least.
(8)傾斜板I ’N Nの機能を磁石或は整磁機能と
兼用させていないので下記の効果がある。(8) Since the function of the inclined plate I'NN is not combined with the magnet or magnetization function, the following effects can be obtained.
■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。■Materials with good workability, such as copper, can be used to form the slope.
■熱感率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。■Materials such as copper with good heat sensitivity can be used, and the heat generated by the rotating magnetic field generating coil COI can be efficiently dissipated.
■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板HO
Mを通る磁界を乱さないようにすることができる。■By using non-magnetic material, magnetic shunt plate HO
It is possible to avoid disturbing the magnetic field passing through M.
(9)傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石MAGや
整磁板HOMに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄く厚さでの傾斜角形成を容
易としている。(9) It is preferable that the inclined plate INN be as thin as possible in order to reduce the magnetic gap.Compared to the magnet MAG and magnetic shunt plate HOM, the inclined plate INN can be made thinner by limiting its width to the area necessary and sufficient for forming the inclined angle. This makes it easy to form an inclined angle in the thickness.
(10)磁石MAGとシールドケースSHI間には、透
磁率μの大きいソフトフェライトのような板INMが挿
入されているので、その間の磁気的ギャップを埋めるこ
とができる。また、板INMは放熱にも寄与する。板I
NMとしては磁石MAGよりも保持力Hcの小さい材料
を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均一なま
まにしておくことができる。(10) Since a plate INM made of soft ferrite having a large magnetic permeability μ is inserted between the magnet MAG and the shield case SHI, the magnetic gap therebetween can be filled. The plate INM also contributes to heat radiation. Board I
Since a material having a coercive force Hc smaller than that of the magnet MAG is selected as the NM, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.
(11)シールドケースSHIは透磁率μの大きいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石MAGを
磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、
磁石MAGの厚さや平面積を小さくできる。(11) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high magnetic permeability μ, the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnet MAG as the magnetic field source can be reduced.
The thickness and planar area of the magnet MAG can be reduced.
(12)シールドケースSHIは飽和磁束密度Bsの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップCHIに伝えない働
きがある。(12) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Bs, it has the function of bypassing external magnetic field noise and preventing it from being transmitted to the chip CHI.
(13)上記(11)、 (12)はそれぞれ、シール
ドケースSHIの厚さを薄くすることにつながる。(13) The above (11) and (12) each lead to reducing the thickness of the shield case SHI.
(14)シールドケースSHIはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外方に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。(14) Since the shield case SHI uses an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and has the function of protecting the parts assembled therein from external mechanical forces.
(15)回転磁界発生コイルPFCとバイアスコイルB
ICを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スSHI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。(15) Rotating magnetic field generating coil PFC and bias coil B
Since both ICs are core-type, the storage efficiency or packaging density within the packaging case SHI or PKG can be increased.
(16)コアーCORと整磁板HOMとの間にはケース
RFSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。(16) Since the case RFS is inserted between the core COR and the magnetic shunt plate HOM, the interval can be finely adjusted by adjusting the thickness of the rotating magnetic field confinement case RFS and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI. . The shorter this distance is, the smaller the overall planar size can be, leading to lower power consumption by reducing the coil length.
しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石MAGから
の直流バイアス磁界Hbが透磁率の高いコアー〇ORに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field Hb from the magnet MAG will leak to the core 0OR having high magnetic permeability, and the uniformity of the bias magnetic field around the chip will deteriorate. Therefore, this distance is very critical due to the above-mentioned characteristics, and according to the present structure, it can be precisely adjusted.
(17)回転磁界閉じ込めケースRFSの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易であ
る。(17) Since the constriction portion is provided around the rotating magnetic field confinement case RFS, alignment of the magnet body BIM is easy.
(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に180゜の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板ROMや1対の磁石M
AGをはぼ平行に合せることができる。(18) The inclined plate INN is made by arranging two plates made under the same manufacturing conditions so that there is a rotation angle difference of 180° between the top and bottom surfaces of the chip, so that the two plates are made under the same manufacturing conditions. A pair of magnetic shunt plates ROM and a pair of magnets M
AG can be aligned almost parallel.
以上、第1図、第2図で示された磁気バブルメモリの全
体構造の特長点を説明したが、ホールディング磁界を測
定するためのソレノイド・コイルについては後述する変
形例があり(第32図)、その特長点を以下説明する。The features of the overall structure of the magnetic bubble memory shown in Figures 1 and 2 have been explained above, but there are variations of the solenoid coil for measuring the holding magnetic field, which will be described later (Figure 32). , its features will be explained below.
(19)回転磁界閉じ込めケースRFSの外側にソレノ
イドコイルミ○Cを設けたことによって、このソレノイ
ドコイルSOCに三角波電流を流すことによりチップC
HIの平面に平行な直流磁界を発生させることができる
ので、ホールディング磁界の測定が可能となる。(19) By providing the solenoid coil M○C on the outside of the rotating magnetic field confinement case RFS, the chip C
Since it is possible to generate a DC magnetic field parallel to the plane of the HI, it is possible to measure the holding magnetic field.
(組立の概要 第3図)
第3図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板F
PC上に2個のチップCHIを搭載した基板組立体BN
Dを、底面に点線で示した位置に絶縁性シー1−を接着
配置した外側ケースRF S a内に配置し、さらにこ
の基板FPC上に磁気回路PFCを組み込んだ後、シリ
コーン樹脂SIR(図示せず)を充填しその上部に内側
ケースRFSbを外側ケースRFS aに対して組み込
み、外側ケースRFSaと内側ケースRFSbとの側面
接触部分を半田付等により電気的に接続する。次にこれ
らの外側ケースRFSaおよび内側ケースRFSbの外
面に設けられている凹状の絞り部に上側磁石体B I
M aおよび下側磁石体BIMbを配置した後、この上
側磁石体B I M aの外縁部と内側ケースRFSb
の内側とで形成される図示しない隙間に整列巻きされた
バイアスコイルBICを配置し、これらを外側ケースS
HI a内に収納し、更に内側ケースS HIbを組
み込み、外側ケースS HI aと内側ケースS HI
bとの側面接触部分を溶接等により磁気的に接続する
。次に内側ケース5HIbの4隅から突出している前記
基板FPCの外部接続端子接続部をこの内側ケース5H
Ibの背面に第4図Bに示すように折り返し、一定形状
を有するように組み合わせて配置し、これらの接続部に
それぞれ設けられている半田等で被覆された各外部接続
端子に、図示しないコンタクトパッドCOPを各開口部
に搭載した端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等に
より各外部接続端子とコンタクトパッドCOPを半田付
等により電気的に接続させる。次にこれらの組み立て体
にパッケージングケースPKG内に収納し、端子固定板
TEFとパッケージングケースPKGの接触部において
ハーメチックシール等の封止を行って組み立てられる。(Overview of assembly Fig. 3) Fig. 3 is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each component constituting the above-mentioned magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. . In the same figure, first, a board F has connection parts for input/output wiring protruding from the four corners and an element mounting part in the center.
Board assembly BN with two chips CHI mounted on a PC
D is placed inside an outer case RF Sa in which an insulating sheet 1- is adhered at the position indicated by the dotted line on the bottom surface, and a magnetic circuit PFC is installed on this board FPC. The inner case RFSb is assembled into the outer case RFSa in the upper part thereof, and the side contact portions of the outer case RFSa and the inner case RFSb are electrically connected by soldering or the like. Next, the upper magnet body B I
After arranging M a and the lower magnet body BIMb, the outer edge of the upper magnet body BIM a and the inner case RFSb
A bias coil BIC wound in alignment is placed in a gap (not shown) formed between the inside of the case S and the outside case S.
It is stored in HI a, and the inner case S HI b is installed, and the outer case S HI a and the inner case S HI
Magnetically connect the side contact portion with b by welding or the like. Next, connect the external connection terminal connection portions of the board FPC protruding from the four corners of the inner case 5Hb to the inner case 5H.
On the back surface of Ib, as shown in FIG. 4B, the connectors are folded back and arranged in combination to have a certain shape, and contacts (not shown) are attached to each external connection terminal covered with solder or the like provided at each of these connection parts. A terminal fixing plate TEF with a pad COP mounted in each opening is placed in contact with the terminal fixing plate TEF, and each external connection terminal and contact pad COP are electrically connected by soldering or the like by thermocompression bonding or the like. Next, these assembled bodies are housed in a packaging case PKG, and sealed with a hermetic seal or the like at the contact portion between the terminal fixing plate TEF and the packaging case PKG, and then assembled.
次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.
(フレキシブル配線基板 第4図)
第4図は基板FPCを示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは同
図Aの4C−4CC拡大面図、同図りは同図Aの4 D
−4,D拡大断面図である。同図において、基板FP
Cは、中央部に角形状の素子保護部1と、この4隅に巾
の小さい折り曲げ部2 (2a、2b、2c、2d)と
、この先端部に角形状の外部接続端子接続部(以下接続
部と称する)3 (3a、3b、3c、3d)とを有し
、全体形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されてお
り、また、この素子保護部1の対向辺側には後述する2
個のチップCHIを搭載しその端子部を接続させる2重
枠構造の矩形状開口部4(4a、4b)および位置決め
用の3個の穿孔5(5a、5b、’5c)が設けられ、
さらに1個の接続部3cの先端には位置決め用の基板突
出部6が設けられている。(Flexible wiring board Fig. 4) Fig. 4 is a diagram showing a board FPC, where A is a plan view thereof and B is a layout in which the connection parts of external connection terminals protruding from the four corners are folded back and combined. Plan view, C is an enlarged sectional view of 4C-4CC of A, and 4D of A is a plan view.
-4,D is an enlarged sectional view. In the same figure, the board FP
C has a square element protection part 1 in the center, narrow bending parts 2 (2a, 2b, 2c, 2d) at the four corners, and a square external connection terminal connection part (hereinafter referred to as 3 (referred to as connection parts) 3 (3a, 3b, 3c, 3d), and are integrally formed with an almost windmill-like overall shape, and on the opposite side of the element protection part 1. 2 described later
A rectangular opening 4 (4a, 4b) with a double frame structure in which the chip CHI is mounted and the terminals thereof are connected, and three perforations 5 (5a, 5b, '5c) for positioning are provided.
Furthermore, a board protrusion 6 for positioning is provided at the tip of one connecting portion 3c.
また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Aに示すような配線用リード9a、
円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用端
子9c。In addition, as shown in FIG. C, this FPC board is made by forming a copper thin film on a base film 7 made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μm, for example, via an epoxy adhesive 8, and then applying the copper thin film to the desired shape. By etching into a pattern shape, wiring leads 9a as shown in FIG.
A circular external terminal 9b and an oval coil lead connection terminal 9c.
記号9dおよびインデックスマーク9e等のパタ一ンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム10が接着配置されている。そして、この基板FP
Cの開口部4においては、図示しないチップCHI搭載
側となるベースフィルム7が高い精度の寸法で開口が形
成され、また、その上面側カバーフィルム1oには比較
的寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム
7とカバーフィルム10との間には配線用リード9aが
露出し、この配線用リード9aの表面には錫メッキ層1
1が形成され、開口形状が2層構造でかつ2重枠構造を
有して形成されている。Patterns such as a symbol 9d and an index mark 9e are formed, and a transparent or semi-transparent cover film 10 is adhered to the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. . And this board FP
In the opening 4 of C, an opening with highly accurate dimensions is formed in the base film 7 on which the chip CHI (not shown) is mounted, and an opening with relatively large dimensions is formed in the cover film 1o on the upper surface side. Further, a wiring lead 9a is exposed between the base film 7 and the cover film 10, and a tin plating layer 1 is formed on the surface of the wiring lead 9a.
1 is formed, and the opening shape is formed to have a two-layer structure and a double frame structure.
一方、接続部3においては、同図りに示すようにカバー
フィルム10の前記円形状外部端子9bおよび図示しな
い楕円状の外部端子9cと対応する部位に円形状の開口
12が形成され、その間口12から露出した外部端子9
b、9c銅薄膜パターン上にはめっき或いはディップ等
による半田層13が形成されている。そして、これらの
接続部3に設けられた各外部端子9b、9cは各接続部
3a、3b、3c、3dおよび折り曲げ部2a。On the other hand, in the connecting portion 3, as shown in the figure, a circular opening 12 is formed at a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown). External terminal 9 exposed from
A solder layer 13 is formed by plating or dipping on the copper thin film patterns b and 9c. The external terminals 9b, 9c provided on these connecting portions 3 are the respective connecting portions 3a, 3b, 3c, 3d and the bent portion 2a.
2b、2c、2d並びに素子保護部1−上に連続して形
成された各配線用リード9aに接続され、これらの配線
用リード9aは素子搭載部1に設けられた各開口部4a
、4bの開口端の一部に各接続部3a、3b、3c、3
dのブロック毎に集結してその先端部が各開口部4a、
4b内に露出されている。すなわち同図Aに示すように
接続部3aの配線用リード9aは開口部4aの左上部に
、接続部3bの配線用リード9aは開口部4bの左下部
に、接続部3cの配線用リード9aは開口部4aの右上
部に、また接続部3dの配線用リード9aは開口部4b
の右下部にそれぞれ配線されている。そして、この基板
FPCは、後工程で各接続部3a、3b、3c、3dが
各折り曲げ部2a。2b, 2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the element protection part 1-, and these wiring leads 9a are connected to each opening 4a provided in the element mounting part 1.
, 4b, each connecting portion 3a, 3b, 3c, 3
The tips of the blocks are assembled into each opening 4a,
4b is exposed. That is, as shown in FIG. A, the wiring lead 9a of the connecting part 3a is located at the upper left of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting part 3b is located at the lower left of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting part 3c is located at the lower left of the opening 4b. is located in the upper right corner of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connection part 3d is located in the opening 4b.
are wired at the bottom right of each. In this FPC board, the connecting portions 3a, 3b, 3c, and 3d are formed into bent portions 2a in a subsequent process.
2b、2c、2dで折り曲げられて同図Bに示すように
組み合わされ、半田層1−3を形成した各外部端子9b
、9cが表面に露出し、また、配線用リード9a、記号
9dおよびインデックスマーク9eは表面がカバーフィ
ルム10により被覆されているので、これらのパターン
はカバーフィルム10を透かして容易に判読できるよう
に構成されている。Each external terminal 9b is bent at 2b, 2c, and 2d and assembled as shown in FIG. B, forming a solder layer 1-3.
, 9c are exposed on the surface, and the surfaces of the wiring leads 9a, symbols 9d and index marks 9e are covered with the cover film 10, so that these patterns can be easily read through the cover film 10. It is configured.
このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部1の4隅に各折り曲げ部2
a、2b、2c、2dを介して各接続部3a、3b、3
c、3dを設けた風車状に構成し、これらの各接続部3
a、3b、3c、3dを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部1と接続部とが2
層配線構造となるので、接続部3の面積を小さくするこ
となく、素子保護部1の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。In such a configuration, the substrate FPC uses a polyimide resin film, and each bent portion 2 is provided at the four corners of the element protection portion 1.
Each connection 3a, 3b, 3 via a, 2b, 2c, 2d
c, 3d, and each of these connecting parts 3
By folding and combining a, 3b, 3c, and 3d to form the external terminal section, the element protection section 1 and the connection section are separated into two parts.
Since it has a layered wiring structure, the area of the element protection part 1 can be increased without reducing the area of the connection part 3, and at the same time, it is possible to increase the number of external terminals, and the overall shape can be made smaller. .
また、このような構成において、各外部端子9bから素
子保護部1の各開口部4a、4bまでの配線リード9a
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちS/N比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部3cの一端に
基板突出部6を設けるとともに、この突出部6にインデ
ックスマーク9eを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースRFSおよびSH
I (第2図参照)に組み込む際の位置合せ用、配線リ
ード9aの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の
判別に利用してその判別が容易となるので、組み立てお
よび基板管理等を合理化することができる。また、基板
FPCの素子保護部1の両端側に穿孔5a、5b、5c
を設けたことにより、基板FPCの左右の区別、チップ
CH丁の位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を
合理化することができる。In addition, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the element protection part 1
Since the time can be significantly shortened, the influence of external noise etc. can be significantly reduced. That is, signals with a high S/N ratio can be input and output. Furthermore, a board protrusion 6 is provided at one end of the connecting part 3c, and an index mark 9e is provided on this protrusion 6, so that when the board is folded back and assembled, it can be used for displaying the central part of the board.
I (see Figure 2) can be used for positioning when assembling, distinguishing the type of wiring lead 9a, or displaying the product model. It can be streamlined. Additionally, holes 5a, 5b, 5c are provided at both ends of the element protection portion 1 of the FPC board.
By providing this, it becomes easy to distinguish between the left and right sides of the FPC board, position the chip CH, etc., and it is also possible to streamline assembly.
(基板組立体 第5.6.7図)
第5図は前述した基板FPCにチップCHIを搭載した
平面図を示したものである。同図において、基板FPC
の素子搭載部1には2個のチップCHIが開口部4a、
4b間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構成
されており、このチップCHIの1個は、第6図に拡大
平面図で示すようにIMbチップの2ブロツクが一体化
して構成され、2個のチップCHIでは4ブロツク、合
計で4Mbチップを構成している。なお、第6図に示し
たチップCHIの1ブロツクにおいて、太線は導体パタ
ーン、細線はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示し
ている。また、第5図に示したチップCI(Iは、第7
図A、第7図Bにそれぞれ拡大断面図で示すようにチッ
プCHIの端部に金メッキして設けられ、た各ポンディ
ングパッド14と、基板FPC開口部4の錫メッキ層1
1が形成された配線用リード9aとの間に金バンプ15
を介在させて熱圧着法にによるA u −S n共晶に
よりリードボンディングされて搭載されている。(Substrate Assembly Figures 5.6.7) Figure 5 shows a plan view of the chip CHI mounted on the FPC substrate described above. In the same figure, the board FPC
In the element mounting part 1, two chips CHI are placed in the opening 4a,
A board assembly BND is constructed by being mounted in parallel between the chips CHI and IMb, and one of the chips CHI is constructed by integrating two blocks of IMb chips, as shown in the enlarged plan view in FIG. Two chips CHI constitute 4 blocks, a total of 4 Mb chips. In one block of the chip CHI shown in FIG. 6, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths, respectively. In addition, the chip CI (I is the seventh
As shown in enlarged cross-sectional views in FIG.
A gold bump 15 is placed between the wiring lead 9a on which the gold bump 15 is formed.
It is mounted by lead bonding using Au-Sn eutectic using a thermocompression bonding method.
このような構成によれば、基板FPCの開口部4a、4
bの配線用リード9aとチップCHIのポンディングパ
ッド14とがA u ” S n共晶によるリードボン
ディングにより接続されてチップCHIが支持固定でき
るので、接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化
が可能となる。また、チップCH工の表面が基板FPC
の素子搭載部1により被覆されるので、チップCHIの
表面が保護され、ハンドリング性を向上させることがで
きるとともに、基板FPCの機械的強度を保持すること
ができる。また、このような構成によれば、各チップC
HIが2ブロツクからなり、2個のチップCHIは4ブ
ロツクで構成されているので、各ブロックをそれぞれ最
も近接する各接続部3a。According to such a configuration, the openings 4a, 4 of the substrate FPC
The wiring lead 9a of b and the bonding pad 14 of the chip CHI are connected by lead bonding using Au''Sn eutectic, and the chip CHI can be supported and fixed, so the connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. In addition, the surface of the chip CH process can be
Since the surface of the chip CHI is covered by the element mounting portion 1, the surface of the chip CHI is protected, the handling property can be improved, and the mechanical strength of the substrate FPC can be maintained. Moreover, according to such a configuration, each chip C
Since the HI consists of two blocks and the two chips CHI consists of four blocks, each connection portion 3a is the closest to each block.
3b、3c、3dへ分配して配線でき、チップCHI配
置の対称性が得られ、試験、検査等が極めて容易となる
。さらに基板FPCに4個の接続部3a、3b、3c、
3dを設けているので、各チップCHIの磁気バブル検
出器DETおよびマツプループ等の配線を他の機能配線
と区別して1個所の接続部に集結させ、この接続部を雑
音発生源から遠ざける部位に選定して配置することによ
り、雑音の極めて少ない入出力信号を授受することがで
きる。Wiring can be distributed to 3b, 3c, and 3d, and symmetry of chip CHI arrangement can be obtained, making testing, inspection, etc. extremely easy. Furthermore, four connection parts 3a, 3b, 3c,
3d, the wires for the magnetic bubble detector DET and pine pulley of each chip CHI are distinguished from other functional wires and concentrated at one connection point, and this connection point is selected to be away from the noise source. By arranging them as such, input/output signals with extremely low noise can be exchanged.
(駆動磁気回路 第8,9図)
第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアCORの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して4組のコイル20a、20b、20
c、20dからなるコイルCOIが巻設され、互いに対
向する辺上のコイル20aと20bとを接続点2]−b
を介して直列巻きさせてXコイル22aを、コイル20
cと20dとを接続点21aを介して直列巻きさせてY
コイル22bをそれぞれ構成している。(Drive Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFC, and FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a plan view showing the drive magnetic circuit. In the figure, the magnetic circuit PFC includes four sets of coils 20a, 20b, 20, which are wound in the direction of the arrows on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COR made of a soft magnetic material.
A coil COI consisting of c and 20d is wound, and the coils 20a and 20b on opposite sides are connected to a connection point 2]-b
The X coil 22a is wound in series through the coil 20.
c and 20d are wound in series via the connection point 21a to form Y
Each of them constitutes a coil 22b.
そして、Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の
90度異なる電流IxおよびIy(例えば三角非電流)
を供給することにより、同図Bに示すようにX軸方向に
漏洩磁界Hxが、y軸方向には漏洩磁界Hyが発生し、
前述した2個のチップCHIに回転磁界として供給され
る。Then, currents Ix and Iy (for example, triangular non-current) whose phases are different by 90 degrees are applied to the X coil 22a and the Y coil 22b.
As shown in Figure B, a leakage magnetic field Hx is generated in the X-axis direction and a leakage magnetic field Hy is generated in the y-axis direction.
It is supplied as a rotating magnetic field to the two chips CHI mentioned above.
また、このように構成される磁気回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア23に巻線を複数ブロック毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a、20bからなる一対のXコイル22aを形成した後
、各コイル20aと20bとの間に一定の11を有する
幅の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削加工
して設け、しかる後、この幅の小さい溝26部分から切
断して両者に分割された幅の広い溝25を互いに直交す
る方向に組み合わせて接着し、第8図に示すように額縁
形に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝25およ
び幅の小さい溝26を予め形成した直方体コア23にコ
イル20a、20bをタップ24を介して巻設し、一対
のXコイル22aを形成してもよい。また、前述した一
対のYコイル22bについても全く同様に形成される。In addition, the magnetic circuit PFC configured in this manner has windings arranged around a rectangular parallelepiped magnetic core 23 made of one soft magnetic material with taps 24 for each block, as shown in a perspective view in FIG.
are provided and wound in series to form a pair of coils, for example coil 20.
After forming a pair of X coils 22a consisting of coils 20a and 20b, a wide groove 25 having a constant number 11 and a narrower groove 26 are formed by cutting between each coil 20a and 20b. Thereafter, the wide grooves 25 which are cut from the narrow groove 26 and then glued together in directions perpendicular to each other are formed into a picture frame shape as shown in FIG. Alternatively, the pair of X coils 22a may be formed by winding the coils 20a and 20b through the taps 24 around the rectangular parallelepiped core 23 in which the wide groove 25 and the narrow groove 26 described above are formed in advance. . Furthermore, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.
このような構成において、直方体状磁気コア23にコイ
ル20a、20bを直列方向にタップ24を設けて巻設
しているので、第8図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.
このような構成によれば、Xコイル22aとYコイル2
2bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路PFCはチップCHIの上、下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
2b has a symmetrical structure, resulting in a rough coupling,
The inductance balance is improved, and magnetic interference between magnetic bodies due to leakage magnetic fields can be prevented. Further, since the magnetic circuit PFC has a frame-shaped structure that is not placed on the upper or lower surface of the chip CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.
(回転磁界閉込めケース 第10.11.12図)第1
0図はケースRFSを示す図であり、同図Aは平面図、
同図Bはそのl0B−l0B断面図である。同図におい
て、内側ケースRFSbは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部30と、その対向端辺が上方向にほぼ9
0度折り曲げられた折り曲げ部31と、その各4隅が斜
め方向に切−断された切り欠き部32とをそれぞれ有し
て構成されており、このケースRFSbは良導電性材料
、例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。(Rotating magnetic field confinement case Fig. 10.11.12) 1st
Figure 0 is a diagram showing the case RFS, and Figure A is a plan view.
Figure B is a sectional view taken along the line 10B-10B. In the figure, the inner case RFSb has a frame-shaped constriction part 30 whose central part is concave, and whose opposing end sides extend upward by approximately 90 degrees.
The case RFSb is made of a highly conductive material, for example, an oxygen-free material. It is formed by pressing a copper plate.
この場合、−絞り部30および折り曲げ部31はこの内
側ケースRFSbのねじれ方向の機械的強度を向上させ
るとともに、互いに対向する折り曲げ部31相互間の縦
横方向の外径寸法りを適宜制限することができる。また
、絞り部30は、このケースRFSbの外面側に配設さ
れる磁石体BTMbと、内面側に配置されるチップCH
Iとの間の距離を適宜調整することができる。なお、4
隅に設けた切り欠き部32は、このケースRFSb内に
配設される基板FPCの各折り曲げ部2a。In this case, the constricted portion 30 and the bent portion 31 can improve the mechanical strength of the inner case RFSb in the torsion direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 31 facing each other. can. The aperture section 30 also includes a magnet BTMb disposed on the outer surface side of the case RFSb and a chip CH disposed on the inner surface side.
The distance between I and I can be adjusted as appropriate. In addition, 4
The cutout portions 32 provided at the corners are each bent portion 2a of the board FPC disposed within this case RFSb.
2b、2c、2dの引出し部分を形成している。It forms the drawer parts 2b, 2c, and 2d.
このような構成によれば、内側ケースRFSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ス1−で製作することができる。According to such a configuration, the inner case RFSb can be formed by a press working method, so that it can be manufactured with high precision dimensions and at a low cost.
なお、内側ケースRFSbは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。Note that, although oxygen-free copper is used for the inner case RFSb, a plate material made of copper, silver, gold plate, or an alloy plate thereof may be used.
第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは平面図、同図
BはそのIIB−11B断面図である。同図において、
この外側ケースRF S aは、前述した内側ケースR
FSbと同等の材料および製作法により形成され、その
構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状
の絞り部33と、その対向端辺が上方向にほぼ90度に
折り曲げられた折り曲げ部34と、その各4隅が斜め方
向に切断された切り欠き部35とを有して構成されてい
る。この場合、互いに対向する折り曲げ部34は、その
相互間の内側寸法が、前述した内側ケースRFSbの折
り曲げ部31相互間の外側寸法りとほぼ同等値を有しか
つ高さHを大きくして形成されている。なお、この絞り
部33および切り欠き部35は前述した内側ケースRF
Sbとほぼ同等の寸法を有して形成されている。FIG. 11 is a diagram showing an outer case RFSa corresponding to the above-described inner case RFSb, with FIG. 11A being a plan view and FIG. 11B being a sectional view taken along line IIB-11B. In the same figure,
This outer case RF Sa is similar to the inner case R described above.
It is formed using the same material and manufacturing method as FSb, and its structure is almost the same as described above, with a frame-shaped constriction part 33 whose center part is concave, and the opposite end thereof is bent upward at approximately 90 degrees. It is configured to include a bent portion 34 and a notch portion 35 cut diagonally at each of its four corners. In this case, the mutually opposing bent portions 34 are formed so that the inner dimensions thereof are approximately the same as the outer dimensions between the bent portions 31 of the inner case RFSb described above, and the height H is increased. has been done. Note that the constriction portion 33 and the notch portion 35 are connected to the inner case RF described above.
It is formed to have substantially the same dimensions as Sb.
このように構成された外側ケースRF S aおよび内
側ケースRFSbは、第12図Aにその平面図、第12
図Bに12B−12B断面図でそれぞれ示すように外側
ケースRFSa内に内側ケースRFSbを挿入し、外側
ケースRF S aの粧り曲げ部3]、の外面とを互い
に接触させて接続することにより、一体化させケースR
FSが組み立てられる。The outer case RF S a and the inner case RFS b configured in this way are shown in a plan view in FIG.
By inserting the inner case RFSb into the outer case RFSa as shown in the 12B-12B cross-sectional view in FIG. , integrated case R
FS is assembled.
(ケース組立体 第13図)
第13図は前述したケースRFS内に基板組立体BND
を収納配置した断面図を示したものである;同図におい
て、外側ケースRF S aの底面には、電気的絶縁性
シートとして、例えば厚さ約0゜1冊程度のポリイミド
フィルム36が接着配置され、このフィルム36上には
基板組立体ENDが、また、その周縁部には磁気回路F
PCがそれぞれ配置され、されに基板組立体BNDの上
面にエポキシ系の接着剤37を塗布した後、これらの上
方部には内側ケースRFSbが挿入されて接合配置され
ている。この場合、この外側ケースRF S aの折り
曲げ部34の内面と内側ケースRFSbの折り曲げ部3
1の外面とがX印で示す部分でメタルフローあるいは半
田付等により電気的2機械的に接合されている。また、
この外側ケースRFSaと内側ケースRFSbとの間の
隙間部分にはシリコーン樹脂SIRが充填され基板組立
体BNDおよび磁気回路PFCが固定配置されている。(Case assembly Figure 13) Figure 13 shows the board assembly BND inside the case RFS mentioned above.
This figure shows a cross-sectional view of the outer case RF Sa, in which a polyimide film 36 with a thickness of approximately 0° and one roll is adhesively arranged on the bottom surface of the outer case RF Sa as an electrically insulating sheet. The board assembly END is placed on this film 36, and the magnetic circuit F is placed on the periphery of the board assembly END.
The PCs are respectively arranged, and after applying an epoxy adhesive 37 to the upper surface of the board assembly BND, the inner case RFSb is inserted into the upper part of these and arranged to be bonded. In this case, the inner surface of the bent portion 34 of this outer case RFSa and the bent portion 3 of the inner case RFSb
The outer surface of 1 is electrically and mechanically joined by metal flow, soldering, etc. at the portion indicated by the X mark. Also,
A gap between the outer case RFSa and the inner case RFSb is filled with silicone resin SIR, and the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are fixedly arranged.
なお、この場合、これらの外側ケースRF S aおよ
び内側ケースRFSbの4隅に設けられた図示しない各
切り欠き部32.35には基板FPCの折り曲げ部2
(2a、2b、2c、2d)が外部へ引出されている。In this case, the bent portions 2 of the board FPC are inserted into each notch portion 32, 35 (not shown) provided at the four corners of the outer case RF Sa and the inner case RFSb.
(2a, 2b, 2c, 2d) are drawn out.
38はコイルCOI同志の接続またはコイルC○工と基
板FPC上に設けられた外部端子9cを接続するための
リード線である。38 is a lead wire for connecting the coil COIs or connecting the coil COI and the external terminal 9c provided on the FPC board.
このような構成において、磁気回路FPCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRFSには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に封じ込められ、したが、って
チップCHIには均一な回転磁界を付与される。In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit FPC, an induced current flows through the case RFS to form a closed loop, and the rotating magnetic field is confined within the case RFS by this induced current. Therefore, a uniform rotating magnetic field is applied to the chip CHI.
このような構成によれば、外側ケースRF S aおよ
び内側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基
板FPCに搭載されたチップCHIを、周縁部分の凸状
部内に磁気回路PFCをそれぞれ挟持させて配置したの
でパッケージング効果が向上できるとともに、組立性が
大幅に向上できる。According to such a configuration, the chip CHI mounted on the board FPC is held in the concave part of the central part between the outer case RF Sa and the inner case RFSb, and the magnetic circuit PFC is held in the convex part of the peripheral part. Since they are arranged in parallel, the packaging effect can be improved and the ease of assembly can be greatly improved.
また、外側ケースRF S aおよび内側ケースRFS
bで覆われる体積が減少することにより、VI積(体積
)が低減でき、回転磁界を発生させる磁気回路PFCの
小形化が可能となる。さらに外側ケースRF S aお
よび内側ケースRFSbに絞り部30,33で形成され
る凹状部を設は対向する凹状部間のギャップを減少させ
ることにより、回転磁界はチップCHHの平面に垂直な
成分(Z成分)が零に近接して水平な成分のみとなり、
一様性を向上させることができる。In addition, outer case RF S a and inner case RFS
By reducing the volume covered by b, the VI product (volume) can be reduced, and the magnetic circuit PFC that generates the rotating magnetic field can be downsized. Furthermore, by providing concave portions formed by the constricted portions 30 and 33 in the outer case RF Sa and the inner case RFSb and reducing the gap between the opposing concave portions, the rotating magnetic field has a component perpendicular to the plane of the chip CHH ( Z component) is close to zero and there is only a horizontal component,
Uniformity can be improved.
(磁石体 第14図)
第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which Figure A is a plan view, Figure B is a side view, and Figure C is a front view.
同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜板■NHの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第1の整磁板HOM□と、この第1の整磁板HOM
、の上面側に配置する板厚の均一な磁石板MAGと、こ
の磁石板MAGの上面側に傾斜面を有する第2の整磁板
HOM2とを順次積層し、エポキシ系の接着剤により一
体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面にわた
って均一となるように構成されている。そして、この磁
石体BIMの上、下面からはほぼ全面にわたって均一な
バイアス磁界発生用の磁界が放出される。In the figure, the magnetic body BIM includes an inclined plate IN made of a non-magnetic material, such as copper, and one of the opposing surfaces has a predetermined inclined surface.
N, this inclined plate ■ A first magnetic shunt plate HOM□ having a uniform plate thickness disposed on the inclined surface side of NH, and this first magnetic shunt plate HOM
, a magnet plate MAG with a uniform thickness placed on the upper surface side and a second magnetic shunt plate HOM2 having an inclined surface on the upper surface side of this magnet plate MAG are sequentially laminated and integrated with an epoxy adhesive. The laminated plate thickness is uniform over almost the entire surface. A uniform magnetic field for generating a bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.
(バイアスコイル 第15図)
第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B−15B断面図である
。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線40が
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成される。(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing the bias coil BIC, where A is a perspective view and FIG. B is a cross-sectional view taken along line 15B-15B. In the same figure, the bias coil BIC has a winding 40 whose outer surface is coated with an insulating member such as a thermosetting resin, and is wound in an array with a cross section of 5 x 4 wires so that the overall shape has a picture frame shape. After that, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 40 is hardened in a bundled state. Therefore, it is formed into a predetermined picture frame shape.
(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装
第16図)
第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体BNDおよび磁気回路PFCを収納し
たケースRFS組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体B I M a下部磁石体BIMbが接着配置され、
さらにこの上部磁石体B I M aの周縁部と、内側
ケースRF8bの折り曲げ部31とで囲まれて形成され
る額縁状溝部にはバイアスコイルBICが収納配置され
ている。この場合、上部磁石体B I M aと下部磁
石体BIMbとは全く同一の材料9寸法で構成されてお
り、これらの磁石体BIMa、BIMbはその傾斜板I
NN側が、内側ケースRFSbの絞り部30で囲われた
凹状部および外側ケースRFSaの絞り部33で囲われ
た凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
(FIG. 16) FIG. 16 is a sectional view of the case RFS assembly described in FIG. 13 incorporating the magnet body BIM and bias coil BIC. In the same figure,
An upper magnet body B I M a and a lower magnet body BIM b are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of the case RFS assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside, respectively.
Further, a bias coil BIC is housed in a frame-shaped groove formed by being surrounded by the peripheral edge of the upper magnet B I Ma and the bent portion 31 of the inner case RF8b. In this case, the upper magnet BIMa and the lower magnet BIMb are made of the same material with 9 dimensions, and these magnets BIMa and BIMb have their inclined plates I
The NN side is disposed in close contact with a concave portion surrounded by the constricted portion 30 of the inner case RFSb and a concave portion surrounded by the constricted portion 33 of the outer case RFSa.
このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa、
BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルBIGが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
、薄形化が可能となる。また、外側ケースRF S a
と下部磁石体BIMbの外縁部分とで額縁状の空間溝が
形成されるので、この部分に前記バイアスコイルBIC
を配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けて
も良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイ
アスコイルを形成することもできる。In such a configuration, a pair of magnet bodies BIMa,
Since the BIMb is placed and the bias coil BIG can be placed in the frame-shaped groove formed on the periphery of the BIMb,
The overall thickness of each component in the stacking direction is reduced, making it possible to make it smaller and thinner. In addition, the outer case RF Sa
A frame-shaped space groove is formed between the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, and the bias coil BIC is inserted into this portion.
Alternatively, a new bias coil may be provided, and furthermore, a bias coil may be formed by winding a wire as a coil bobbin.
(磁気シールドケーろ 第17.18.19図)第17
図はシールドケースSHIを示す図であり、同図Aは平
面図、同図Bはその17B−17B断面図である。同図
において、外側シールドケースS HI aは、平坦部
51と、この平坦部51の対向端辺に上方向にほぼ90
度に折り返した折り曲げ部52と、この折り曲げ部52
の中央部に一部が切り欠かれた凹部53と、その各4隅
が斜め方向に切断された切り欠き部54とを有して構成
されており、このシールドケースS HI aは高透磁
率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大
きい材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成さ
れている。(Magnetic shield cell Figure 17, 18, 19) No. 17
The figures show the shield case SHI, with figure A being a plan view and figure B being a 17B-17B cross-sectional view thereof. In the same figure, the outer shield case S HI a has a flat portion 51 and an end side opposite to the flat portion 51 that extends upward by approximately 90 mm.
The folded part 52 that is folded back at the same time, and the folded part 52
The shield case S HI a has a recess 53 partially cut out in the center thereof, and a notch 54 cut diagonally at each of its four corners.This shield case S HI a has a high magnetic permeability. It is formed by pressing a material having a high saturation magnetic flux density and preferably a high thermal conductivity, such as a permalloy plate.
第18図は前述した外側シールドケース5HIaに対応
する内側シールドケース5HIbl示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその18B−18B断面図である
。同図において、この内側シールドケースS HI b
は、前述した外側シールドケースS HI aと同等の
材料および製作法により形成され、その構造は前述とほ
ぼ同様に平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上
方向にほぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この
折り曲げ部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57
と、その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58
とを有して構成されている。この場合、互いに対向する
折り曲げ部56はその相互間の外側寸法が、前述した外
側シールドケースS HI aの折り曲げ部52相互間
の内側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高さHを小さくし
て形成されている。FIG. 18 is a view showing an inner shield case 5HIbl corresponding to the above-mentioned outer shield case 5HIa, with FIG. 18A being a plan view and FIG. 18B being a 18B-18B sectional view thereof. In the figure, this inner shield case S HI b
is formed using the same material and manufacturing method as the above-mentioned outer shield case S HI a, and its structure is almost the same as above, with a flat part 55 and an opposite edge of the flat part 55 extending upward at approximately 90 degrees. A folded portion 56 and a recessed portion 57 partially cut out in the center of the bent portion 56.
and a notch 58 cut diagonally at each of its four corners.
It is composed of: In this case, the mutually opposing bent portions 56 have an outer dimension approximately equal to the inner dimension between the bent portions 52 of the outer shield case SHIa described above, and have a reduced height H. It is formed by
このように構成された外側シールドケース5HIaおよ
び内側シールドケース5HIbは第19図Aにその平面
図、第19図Bにその19B−19B断面図でそれぞれ
示すように外側シールドケースS HI a内に内側シ
ールドケース5HIbを挿入し、外側シールドケースS
HI aの凹部53と内側シールドケース5HIbの
凹部57とで形成される凹部59にスポット溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的、機械的に固定することによ
り一体化させ外側シールドケースS HI aが組み立
てられる。The outer shield case 5HIa and the inner shield case 5HIb configured in this way are arranged inside the outer shield case SHIa as shown in FIG. 19A as a plan view and as shown in FIG. Insert shield case 5HIb and remove outer shield case S.
Spot welding or solder welding is applied to the recess 59 formed by the recess 53 of the HI a and the recess 57 of the inner shield case 5HIb, and the outer shield case S HI a is assembled by magnetically and mechanically fixing the recess 59. It will be done.
このような構成において、外側シールドケースS HI
aの折り曲げ部52および内側シールドケース5HI
bの折り曲げ部56を横方向、つまり積層方向と交差す
方向に設定することなく、積層方向に揃えて設定するこ
とにより、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ構成
部品の高集積化が可能となる。In such a configuration, the outer shield case S HI
a bent portion 52 and inner shield case 5HI
By setting the bent portions 56 of b in the lateral direction, that is, in a direction that intersects with the stacking direction, by aligning them with the stacking direction, the lateral dimension can be reduced, and the structure can be made compact and highly integrated with the component parts. It becomes possible.
(磁気シールドケース組立体 第20図)第20図は前
述したシールドケースSHI組立体内に、前記第16図
で説明した内部に基板組立体BND、磁気回路FPCを
組み込んだケースRFS組立体と、一対の磁石板B I
Ma、B IMb。(Magnetic shield case assembly FIG. 20) FIG. 20 shows the case RFS assembly, which incorporates the board assembly BND and magnetic circuit FPC inside the shield case SHI assembly described in FIG. Magnet plate B I
Ma, B IMb.
バイアスコイルBICとからなる組立体を組み込んだ断
面図を示したものである。同図において、外側シールド
ケースS HI aの内部には、その底面側から中央部
に上部磁石体B I M a 、周縁部にバイアスコイ
ルBIC,ケースRFS組立体(内部に基板組立体BN
D、磁気回路PFC等が組み込まれている)、下部磁石
体B IMbを順次積層配置させた後、内側シールドケ
ース5HIbを挿入し、前述した外側シールドケースS
HI aの凹部53と内側シールドケース5HIbの
凹部57とで形成される凹部59(第19図参照)で溶
接固定して封止される。この場合、このシールドケース
SHI内にグリース等を充填させておくことにより、内
部の構成部品が実質的に相互に密着することになり、ケ
ースRFSから発生する熱がこのシールドケースSHI
を介して外部に放出することができる。また、ケースR
FSとシールドケースSHIを圧入方式により側面で接
触させる構造にして放熱効果を向上させることができる
。2 is a sectional view showing an assembly including a bias coil BIC. In the same figure, inside the outer shield case S HI a, there is an upper magnet body B I M a from the bottom side to the center, a bias coil BIC at the periphery, and a case RFS assembly (board assembly BN inside).
D, magnetic circuit PFC etc. are incorporated), lower magnet body B After sequentially stacking and arranging the lower magnet body B IMb, the inner shield case 5HIb is inserted, and the above-mentioned outer shield case S
It is fixed and sealed by welding in a recess 59 (see FIG. 19) formed by the recess 53 of HIa and the recess 57 of inner shield case 5HIb. In this case, by filling the shield case SHI with grease or the like, the internal components will come into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS will be transferred to the shield case SHI.
It can be released to the outside through. Also, case R
The heat dissipation effect can be improved by making the FS and the shield case SHI contact each other at their sides by press-fitting.
このような構成において、外側シールドケースS I(
I aの底面側にケースRFS組立体を、その折り曲げ
部31.34が対向するように積層配置させることによ
って外部シールドケースS HI aと内部シールドケ
ースS HI bとの間に積層される各構成部品が密着
配置できるので、小形化、薄形化が可能となるとともに
放熱効果も同時に得られる。In such a configuration, the outer shield case S I (
Each structure is stacked between the outer shield case S HI a and the inner shield case S HI b by arranging the case RFS assembly on the bottom side of Ia so that the bent parts 31 and 34 thereof face each other. Since the parts can be placed closely together, it is possible to make the device smaller and thinner, and at the same time, a heat dissipation effect can be obtained.
(パッケージングケース 第21図)
第21図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21Bvrt
m図である。同図において、パッケージングケースPK
Gは、熱伝導の良好な材料、例えば板厚的0.5+nm
のアルミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示さ
れないが、その外面には黒色被膜が設けられている。こ
のパッケージングケースPKGは、前記外側シールドケ
ース5HIaの形状を改良して兼用させて使用すること
ができる。(Packaging case Fig. 21) Fig. 21 is a diagram showing the packaging case PKG, where A is a plan view and B is a 21B-21Bvrt.
It is a figure m. In the same figure, packaging case PK
G is a material with good thermal conductivity, for example, 0.5+nm in thickness
It is formed by drawing an aluminum plate, and has a black coating on its outer surface (not shown). This packaging case PKG can be used in combination with the outer shield case 5HIa by improving its shape.
このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するポツティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。In such a configuration, this packaging case P
The KG serves as an outer case after the magnetic bubble memory device is completed and also functions as a heat sink, and its inner corner also functions as a mold during resin molding by the potting method described later.
(端子固定板及びコンタクトパッド 第22.23図)
第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B−22B断面図、同図Cは
その背面図である。同図において、端子固定板TEFは
、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ系
の樹脂板60からなり、その外形状は前記パッケージン
グケースPKGの開口部に対して挿入出自在となる縦横
方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板6
0の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔61が縦横方
向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設さ
れ、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とはな
らない断面が凹状となる非貫通孔62が設けられ、この
非貫通孔62内には例えば方向性あるいは特長を位置付
ける白色の塗膜などによるマーク63が付着されている
。また、この樹脂板60に穿設された多数個の貫通孔6
1には、同図Bに示すようにその背面側に口径の大きい
開口64が同軸的に連通して設けられでおり、これらの
開口64の全ては板厚の約60%の深さを有しかつ貫通
孔61とは途中に段差を有して連通されている。また、
この樹脂板60の背面側には同図Cに示すようにその周
辺部分に沿って前記開口64の深さとほぼ同等の深さを
有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状となる
溝65が形成され、この溝65内は前述したコイルCO
Iの巻線、バイアスコイルBICの巻線の通路部曹よび
接続部を構成している。また、この樹脂板60の角部6
6は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前述し
たパッケージングケースPKGの内側面に体して接触面
を得ている。このように樹脂板60の背面側は板厚の異
なる2段構造を有して形成されている。(Terminal fixing plate and contact pad Fig. 22.23)
FIG. 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF, in which FIG. 22A is a plan view, FIG. 22B is a sectional view taken along line 22B-22B, and FIG. 22C is a rear view thereof. In the same figure, the terminal fixing plate TEF is made of an electrically insulating material, for example, a glass epoxy resin plate 60, and its external shape is such that it can be freely inserted into and removed from the opening of the packaging case PKG. The resin plate 6 is formed to have dimensions in the direction.
A large number of through holes 61 are formed in a matrix arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions except for the peripheral area of 0, and the corners of these through holes have cross sections that are not rotationally symmetrical. A concave non-through hole 62 is provided, and a mark 63 made of, for example, a white coating film for locating directionality or features is attached inside the non-through hole 62. In addition, a large number of through holes 6 are formed in this resin plate 60.
As shown in FIG. 1, large-diameter openings 64 are coaxially communicated with each other on the back side of the plate, and all of these openings 64 have a depth of about 60% of the plate thickness. In addition, it communicates with the through hole 61 with a step in the middle. Also,
As shown in Figure C, the back side of this resin plate 60 has a depth approximately equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and has a different width in the plane direction and a concave cross section. A groove 65 is formed, and the above-mentioned coil CO is placed inside this groove 65.
It constitutes the passage section and connection section of the winding of I and the winding of bias coil BIC. In addition, the corner portion 6 of this resin plate 60
6 does not have a concave shape, but has a predetermined plate thickness, and forms a contact surface with the inner surface of the packaging case PKG described above. In this way, the back side of the resin plate 60 is formed to have a two-tiered structure with different plate thicknesses.
第23図はコンタクトパッドGNPを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその23B−23B断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドGNPは、良導電
性材料、例えば板厚約O05■程度の銅板をプレス加工
により打ち抜いた素片70の表面にニッケルメッキ層7
1.金メッキ層72を形成して構成される。FIG. 23 is a diagram showing the contact pad GNP, with FIG. 23A being a plan view and FIG. 23B being a sectional view taken along line 23B-23B. In the same figure, the contact pad GNP is formed by forming a nickel plating layer 7 on the surface of a piece 70 punched out of a highly conductive material, for example, a copper plate with a thickness of approximately 005 mm.
1. It is constructed by forming a gold plating layer 72.
(最終組立 第20.4.2図)
このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG内に、第20図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースPKGの4隅から前記基板組立体
BI’JDの各接続部3B、3b、3c、3d (第4
図A参照)が各折り′ 曲げ部2a、2b、2c、2
dから約90度で折れ曲がって突出する。次に、このパ
ッケージングケースPKGの4隅にボッティング法によ
り樹脂モールドを行なってこのパッケージングケースP
KG内に各個性部品を固定配置させる。引き続きこれら
の各接続部3a、3b、3c、3dを対応する各折り曲
げ部2a、2b、2c、2dでさらに約90度で折り曲
げて内側シールドケース5HIbの外面に接着剤を介し
て前記第4図Bに示すように組み合わせた後、前記端子
固定板TEF背面側の各開口64内にコンタクトパッド
GNPを搭載し、あるいは更にコンタクトパッドGNP
の側面を接着剤により固着してパッケージングケースP
KGに挿入し、各接続部3a、3b、3c’。(Final assembly FIG. 20.4.2) For each component configured in this way, first, the shield case assembly described in FIG. 20 is inserted into the packaging case PKG described above. In this state, each connection part 3B, 3b, 3c, 3d (fourth
(see Figure A) are each bent part 2a, 2b, 2c, 2
It bends at about 90 degrees from d and protrudes. Next, resin molding is performed on the four corners of this packaging case PKG by the botting method, and this packaging case P
Each unique part is fixedly arranged within the KG. Subsequently, these connecting portions 3a, 3b, 3c, and 3d are further bent at approximately 90 degrees at the corresponding bending portions 2a, 2b, 2c, and 2d, and attached to the outer surface of the inner shield case 5HIb with adhesive as shown in FIG. After combining as shown in B, contact pads GNP are mounted in each opening 64 on the back side of the terminal fixing plate TEF, or contact pads GNP
The packaging case P is fixed by fixing the sides with adhesive.
KG and each connection part 3a, 3b, 3c'.
3dに接触配置させる。この場合、各接続部3a。Place it in contact with 3d. In this case, each connection part 3a.
3b、3c、3dに設けられている各外部端子9bの配
列ピッチと各コンタクトパッドGNPの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子9bとコンタクトパッド
GNPとは電気的に接触する。 次に配置した端
子固定板TEFの裏側から各貫通孔61に例えば先端部
の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッドGNPを熱圧
着する事により、各外部端子9bと対応する各コンタク
トパッドCN ’Pが電気的に接続されると
ともに端子固定板TEFも同時に機械的に固定されて第
2図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。Since the arrangement pitch of each external terminal 9b provided in 3b, 3c, and 3d matches the arrangement pitch of each contact pad GNP, each external terminal 9b and contact pad GNP are in electrical contact. Next, by inserting, for example, a heating element with a thin tip into each through hole 61 from the back side of the arranged terminal fixing plate TEF and thermocompression bonding the contact pad GNP, each contact pad CN'P corresponding to each external terminal 9b is attached. are electrically connected and the terminal fixing plate TEF is also mechanically fixed at the same time, completing the magnetic bubble memory device shown in FIG.
(磁気バブルメモリ素子 第24.25.26.27.
28図)第24図は前述した磁気バブルメモリチップC
HIのポンディングパッドPAD近辺の断面図を示すも
のである。同図において、GGGはgadoljnju
m−gallium −garnet基板であり、T−
P Eは液相エピタキシャル成長法によって形成された
バブル磁性膜であり、その組成の一例は下記表1に示し
た通りである。(Magnetic Bubble Memory Element No. 24.25.26.27.
Figure 28) Figure 24 shows the above-mentioned magnetic bubble memory chip C.
It shows a cross-sectional view of the vicinity of the bonding pad PAD of HI. In the same figure, GGG is gadoljnju
m-gallium-garnet substrate, T-
PE is a bubble magnetic film formed by liquid phase epitaxial growth, and an example of its composition is shown in Table 1 below.
表 1
■ONはハードバブル抑制のためにLPE膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。SPIは第1のスペ
ーサであり、例えば3000人の厚さのSio、、が気
相化学反応により形成される。Table 1 ■ON indicates an ion implantation layer formed on the surface of the LPE film to suppress hard bubbles. The SPI is the first spacer, for example 3000 mm thick SIO, formed by gas phase chemical reaction.
CNDl及びCND2は2層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写(分割)及び交換を制御する機
能を持っており、下の第1の導体層CNDIがM o
、上の第2の導体層CND2がAU等の材料でそれぞれ
形成されている。SF3及びSF3は導体層CHDとそ
の上に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pとを
電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁膜
(第2゜第3のスペーサ)である。PASは気相化学反
応法により形成されたSiO2膜等からなるパッシベー
ション膜である。PADはチップCHIのポンディング
パッドを示しており、Afl線等の細いコネクタワイヤ
がここに熱圧着法や超音波法によりボンディングされる
。このポンディングパッドPADは下の第1層PAD、
がCr、中央の第2層PAD2がAu層、上の第3層P
AD3がAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成されてお
り、第2層PAD2および第3層PAD3をCr、Cu
等の材料で形成しても良い。Pはバブルの転送路やバブ
ルの分割9発生、交換及び検出部更にはカードレール部
に用いられる層を示しており、以後の説明では便宜上転
送パターン層と表現する。CNDl and CND2 indicate two conductor layers, which have the function of controlling bubble generation, copying (splitting) and exchange, which will be described later, and the lower first conductor layer CNDI is M o
, and the upper second conductor layers CND2 are each formed of a material such as AU. SF3 and SF3 are interlayer insulating films (second and third spacers) made of polyimide resin or the like that electrically insulate the conductor layer CHD and the transfer pattern layer P formed thereon, such as permalloy. PAS is a passivation film made of a SiO2 film or the like formed by a vapor phase chemical reaction method. PAD indicates a bonding pad of the chip CHI, to which a thin connector wire such as an Afl wire is bonded by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. This bonding pad PAD is the lower first layer PAD,
is Cr, the second layer PAD2 in the center is Au layer, and the upper third layer P
AD3 is formed of a material such as an Au plating layer, and the second layer PAD2 and third layer PAD3 are formed of Cr, Cu, etc.
It may be made of materials such as. P indicates a layer used for the bubble transfer path, the bubble division 9 generation, replacement and detection section, and the card rail section, and in the following description, it will be expressed as a transfer pattern layer for convenience.
第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P1にF
e−N iを、上層P2にF e −N iをそれぞ
れ使用しているが、前述したように両者の材質を上下入
れ替えることも可能である。In the example of FIG. 24, this transfer pattern layer P is transferred to the lower layer P1.
Although e-Ni is used for the upper layer P2 and Fe-Ni is used for the upper layer P2, it is also possible to interchange the two materials vertically as described above.
以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
CHIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第25図はバブル検出
器り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャーSTが数10段形成され
ている。なお、PRはバブルの転送方向シボしている。Hereinafter, an example in which the transfer pattern layer consisting of multiple layers described above is applied to each part of the chip CHI will be explained using the plan views from FIG. Note that they are represented by the same contour line because they are the same. Figure 25 shows the bubble detector part, where MEM is the main magnetoresistive element, which uses the change in resistance value when bubbles stretched in a strip shape in the horizontal direction pass through it to detect the presence or absence of bubbles. Detect. MED is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field. Above the main magnetoresistive element MEM, several ten stages of bubble stretchers ST are formed, although only two stages are shown, which stretch the bubbles laterally and transfer them downward. Note that PR is embossed in the bubble transfer direction.
ERはバブルの消去器であり、導体層CNDにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及、びメイン検出の間には、3列のパターン形状
られており、ガードレールGRの内部に発生した不要な
バブルをその外側に追い出したり、ガードレールGRの
外側で発生した不要なバブルがその内側に入り込むのを
防ぐようになっている。なお、第25図以下の平面パタ
ーン図では導体層CND以外のパターンは第24図で説
明した転送パターン層Pを示している。同図において、
磁気抵抗素子MEM、MEDを多層磁性層で形成するこ
とにより、信号対雑音比(S/N比)が向上した。例え
ば、転送パターンとして各層間にSiO2膜を介在させ
た3層パーマロイ層を使用した場合は、パーマロイ単層
用のものに比べ下記表2に示すようにS/N比が2倍以
上向上させることができる。ER is a bubble eraser, and when a bubble reaches the conductor layer CND, it is erased. There are three rows of patterns around this detector and between the dummy and main detection to expel unnecessary bubbles generated inside the guardrail GR and remove bubbles generated outside the guardrail GR. This prevents unnecessary bubbles from entering inside. In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CND indicate the transfer pattern layer P explained in FIG. 24. In the same figure,
By forming the magnetoresistive elements MEM and MED with multilayer magnetic layers, the signal-to-noise ratio (S/N ratio) was improved. For example, when a three-layer permalloy layer with a SiO2 film interposed between each layer is used as a transfer pattern, the S/N ratio can be improved by more than twice compared to a single-layer permalloy layer, as shown in Table 2 below. I can do it.
表 2
また、ガードレールGRの性能も保持力Heの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail GR is also improved by reducing the holding force He, such as increasing the rate of eliminating unnecessary bubbles.
第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ、磁気バブル発生器の導
体層CNDの寿命を長くすることが可能となった。従っ
て、導体層CNDの駆動回路も電流容量値の小さい半導
体素子が使用でき、低価格化が可能となる。FIG. 26 shows the magnetic bubble generator GEN, and by making the transfer pattern layer P multilayer, the current generated by the magnetic bubble can be reduced, and the life of the conductor layer CND of the magnetic bubble generator can be extended. It became possible. Therefore, a semiconductor element with a small current capacity value can be used for the drive circuit of the conductor layer CND, and the cost can be reduced.
第27図はP a ” P h等の転送パターンで形成
されたマイナループm、Pw□〜Pw3等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインWML及び
ヘアピン状導体層CHDで形成されたスワップグー1〜
部を示している。同図におし1て、P7は第26図のバ
ブル発生器GEHにおける転送パターンP7と同一のも
のであり、言い換えればバブル発生器GENで発生され
た/<プルはP。FIG. 27 shows a minor loop m formed by transfer patterns such as P a ” P h, a write major line WML formed by transfer pattern rows such as Pw□ to Pw3, and a swap loop 1 formed by a hairpin-shaped conductor layer CHD. ~
It shows the part. In FIG. 1, P7 is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEH in FIG. 26; in other words, the pull generated by the bubble generator GEN is P.
〜P7の転送路を通って書き込みメイジャーラインWM
Lに転送される。スワップ導体層CHDに電流を流した
とき、マイナループm、の転送ノ(ターンPd(7)磁
気バブルは転送パターンPΩ、Pmを通ってメイジャー
ラインWMLの転送パターンPW9に転送され、メイジ
ャーラインPw1からの磁気バブルは転送パターンPk
+ P jt P iを経てマイナループの転送パター
ンPaに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き
換えが行なわれる。なお、右端のマイナループmdには
スワップゲートが設けられていないが、これは、周辺効
果を軽減するための磁気バブルを注入しないダミーのル
ープである。このように交換位置における転送パターン
層Pi−Pmを多層化することにより、小さい電流値で
磁気バブルの交換を行なうことができる。~ Write major line WM through the transfer path of P7
Transferred to L. When a current is applied to the swap conductor layer CHD, the transfer node (turn Pd(7)) magnetic bubble of the minor loop m is transferred to the transfer pattern PW9 of the major line WML through the transfer patterns PΩ and Pm, and the magnetic bubble is transferred from the major line Pw1 to the transfer pattern PW9 of the major line WML. Magnetic bubble is transfer pattern Pk
+ P jt P i and transferred to the minor loop transfer pattern Pa, where bubbles are exchanged, that is, information is rewritten. Note that the rightmost minor loop md is not provided with a swap gate, but this is a dummy loop in which no magnetic bubble is injected to reduce the peripheral effect. By multilayering the transfer pattern layers Pi-Pm at the exchange position in this way, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.
また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn〜Pg、Ps−Pxの
順路で転送されており、導体層CHDに電流を流したと
き、転送パターンPgの位置でバブルは分割され、分割
された1つの磁気バブルはPy、P8〜P1oを経て読
出しメイジャーラインRMLに転送される。Further, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copying machine, that is, a divider, can be driven with a small current value as well. In the figure, magnetic bubbles are normally transferred in the order of Pn to Pg and Ps to Px, and when a current is passed through the conductor layer CHD, the bubbles are divided at the position of the transfer pattern Pg, and one divided magnetic bubble is generated. The bubble is transferred to the read major line RML via Py, P8 to P1o.
(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図)磁石板
MAGはチップCHIに対して約2度程度傾斜させて配
置される。これはチップCHIに対しバイアス磁界Hb
が垂直方向よりややずれて印加されるようにしたもので
、それによってバブル転送のスタート、ストップマージ
ンを約6〔Oe〕向上させるホールディング磁界Hdc
を生み出す(第29図A)。(Holding magnetic field and rotating magnetic field FIG. 29) Magnet plate MAG is arranged at an angle of about 2 degrees with respect to chip CHI. This is the bias magnetic field Hb for the chip CHI.
The holding magnetic field Hdc is applied with a slight deviation from the vertical direction, thereby improving the start and stop margins of bubble transfer by approximately 6 Oe.
(Figure 29A).
第29図Aに示したように磁石体BIMとチップCHI
との角度θの傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内
の成分Hdcを持つことになる。As shown in Figure 29A, the magnet body BIM and the chip CHI
Due to the inclination of the angle θ with , the DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane.
そして、この面内成分Hdcの大きさは、Hdc・si
nθとなり、通常HdC−8inO=5〔Oe〕〜6(
Oe)になるように傾斜角度θが選定される。また、こ
の面内成分Hdcの方向は、回転磁界Hrのスタート・
ストップ(St/Sp)方向(+x軸方向)に一致する
ように傾斜されている。そして、このxy面内成分Hd
cは、回転磁界Hrのスタート・ストップ(St/Sp
)動作に対して有効な働、きをし、ホールディングフィ
ールドと呼ばれている公知の磁界である。なお、チップ
CHI面に垂直に作用するバイアス磁界Hbの大きさは
H2−CO8θとなる。Then, the magnitude of this in-plane component Hdc is Hdc・si
nθ, usually HdC-8inO=5[Oe]~6(
The inclination angle θ is selected so that the angle θ is Oe). Also, the direction of this in-plane component Hdc is the starting point and direction of the rotating magnetic field Hr.
It is tilted to match the stop (St/Sp) direction (+x-axis direction). And this xy plane component Hd
c is the start/stop of the rotating magnetic field Hr (St/Sp
) This is a well-known magnetic field that has an effective effect on motion and is called a holding field. Note that the magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly to the chip CHI surface is H2-CO8θ.
さて、上述したホールディングフィールドHdCは、チ
ップCHIのxy面に対して常時作用するため、第29
図Bに図解したように前記チップCHIに作用する回転
磁界Hr’は偏心する。同図において、Hrは外部から
加えられる回転磁界、Hr’は、チップCHIに作用す
る回転磁界である。この場合、CHIに作用する回転磁
界Hr’は外部から加えられる回転磁界Hrと面内成分
Hdcとを合成したものとなり、その回転磁界Hr ’
の中心O′はスタート・ストップ(St/Sp)方向で
ある+X軸方向に面内成分Hdc分だけ平行移動する。Now, since the above-mentioned holding field HdC always acts on the xy plane of the chip CHI, the 29th
As illustrated in FIG. B, the rotating magnetic field Hr' acting on the chip CHI is eccentric. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr' is a rotating magnetic field acting on the chip CHI. In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the rotating magnetic field Hr'
The center O' moves in parallel in the +X-axis direction, which is the start/stop (St/Sp) direction, by an in-plane component Hdc.
このため、同図の結果から明らかなように、外部から加
えている回転磁界Hrの強さがl Hr 1であっても
実効的にチップCHIに作用する回転磁界の強度lHr
’lは回転磁界Hrの位相によって異なる。すなわちS
t/Sp方向でのlHr’lは、1Hrl+1Hdcl
となり、IHrlに比べてホールディングフィールドH
dcの強さIHdclだけ強くなっている。逆に、St
/SP方向と逆方向の場合のlHr’lはl Hr l
−l Hdclとなり、1Hrlに比べて1Hdclだ
け弱まっている。Therefore, as is clear from the results in the same figure, even if the strength of the externally applied rotating magnetic field Hr is l Hr 1, the strength of the rotating magnetic field that effectively acts on the chip CHI is
'l varies depending on the phase of the rotating magnetic field Hr. That is, S
lHr'l in the t/Sp direction is 1Hrl+1Hdcl
Therefore, compared to IHrl, holding field H
The strength of dc is increased by IHdcl. On the contrary, St.
/Hr'l in the opposite direction to SP direction is l Hr l
-l Hdcl, which is weaker by 1 Hdcl compared to 1 Hrl.
(周辺回路 第30図) 最後にチップCHIの周辺回路を第30図で説明する。(Peripheral circuit Fig. 30) Finally, the peripheral circuit of chip CHI will be explained with reference to FIG.
RFはチップCHIのX及びYコイルに90°位相差の
電流を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。RF is a circuit for generating a rotating magnetic field Hr by passing currents with a phase difference of 90° through the X and Y coils of the chip CHI.
SAはチップCHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル
検出信号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリン
グし感知、増幅するセンスアンプである。DRは、MB
Mデバイスの書き込みに関係するバブル発生及びスワッ
プ並びに読み出しに関係するレプリケートの各機能導体
に所定のタイミングで電流を流す駆動回路である。以上
の回路は回転磁界Hrのサイクル及び位相角に同期して
動作するようタイミング発生回路TGによって同期化さ
れている。SA is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies a minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of the chip CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. DR is MB
This is a drive circuit that causes current to flow at a predetermined timing to each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap related to write and read of the M device. The above circuit is synchronized by a timing generation circuit TG so as to operate in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.
(回転磁界分布特性 第31図)
第31図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心をOとしてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度Hx
= OとしたときのX軸方向の回転磁界強度Hxをそ
れぞれ示すと、曲線■で示すような回転磁界分布特性が
得られた。(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 31) FIG. 31 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center of the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B as O, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction.
When the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction when = O is shown, a rotating magnetic field distribution characteristic as shown by the curve ■ was obtained.
同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向するコ
アCOR間の内側までの距離−Xc〜+XCの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Hxが得られ、また、チップC
HIの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範囲)−
Xs〜+Xeの範囲では士約2%の磁界強度一様性が得
られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回路
による回転磁界分布特性である。As is clear from the figure, a substantially uniform rotating magnetic field strength Hx is obtained within the range of -Xc to +XC between the opposing cores COR of the magnetic circuit PFC, and
Effective area of HI (minimum range to which rotating magnetic field should be applied) -
In the range of Xs to +Xe, a magnetic field strength uniformity of about 2% was obtained. Note that the curve (2) indicated by a broken line is the rotating magnetic field distribution characteristic due to the magnetic circuit of the conventional configuration.
(変形例)
以上第1図、第2図に示す磁気バブルメモリの全体構造
に関連して細部を説明したが、本発明は下記のような変
形で実施することができる。(Modifications) Although the details have been described above in relation to the overall structure of the magnetic bubble memory shown in FIGS. 1 and 2, the present invention can be implemented in the following modifications.
第32図はホールディング磁界を測定するためのソレノ
イドコイルSOCを付加した変形例の全体構造を示す図
である。SOCはケースRFSの外面に巻設されたソレ
ノイドコイルであり、この場合、このソレノイドコイル
SOCは、ケースRFSの外面に細線を寸法的裕度をも
たせて巻設したコイルボビンを挿入し、ケースRFSの
上下面方向からプレス成形することにより、ケースRF
Sの外面に沿った形状で密着配置される。FIG. 32 is a diagram showing the overall structure of a modified example in which a solenoid coil SOC for measuring the holding magnetic field is added. The SOC is a solenoid coil wound around the outer surface of the case RFS. By press-forming from the top and bottom directions, the case RF
It is arranged in close contact with the shape along the outer surface of S.
第33図はソレノイドコイルSOCを示す図であり、花
゛同図Aは平面図、同図Bはその33B−33B断面図
である。同図において、ソレノイドコイルSOCは、表
面に絶縁部材として例えば熱硬=56−
性樹脂が外面に被覆された巻線40を、内径がケースR
FS組立体を十分な寸法裕度を有して挿入でき、しかも
全体形状が長方円筒体状となるように整列巻きした後、
熱溶着て互いに接着し、冷却させて所定値のコイルボビ
ン状に成形してコイル組立体41が形成されている。FIG. 33 is a diagram showing the solenoid coil SOC, in which figure A is a plan view and figure B is a 33B-33B sectional view thereof. In the figure, the solenoid coil SOC has a winding 40 whose outer surface is coated with, for example, thermosetting resin as an insulating member, and whose inner diameter is a case R.
After aligning and winding so that the FS assembly can be inserted with sufficient dimensional tolerance and the overall shape is a rectangular cylinder,
The coil assembly 41 is formed by thermally welding the coils to each other, cooling them, and forming them into a coil bobbin shape having a predetermined value.
第34図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述したソ、レノイドコイルSOC,磁石体BIMお
よびバイアスコイルBICを組み込んだ断面図を示した
ものである。同図において、内部に基板組立体BNDお
よび磁気回路PFCを収納したケースRFS組立体にコ
イル組立体4を挿入し、上下方向からプレス成形するこ
とにより、ケースRFS組立体の外面形状に沿ってソレ
ノイドコイルSOCが密着配置される。また、このソレ
ノイドコイルSOCの上、下面にはそれぞれ上部磁石体
B I M a下部磁石体BIMbが接着配置される。FIG. 34 shows a sectional view of the case RFS assembly described in FIG. 13 incorporating the above-mentioned solenoid coil SOC, magnet body BIM, and bias coil BIC. In the same figure, the coil assembly 4 is inserted into the case RFS assembly which houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside, and is press-molded from above and below to form the solenoid along the outer surface shape of the case RFS assembly. The coil SOC is arranged in close contact with each other. Further, an upper magnet body B I M a and a lower magnet body BIMb are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of this solenoid coil SOC, respectively.
このように構成された磁気バブルメモリデバイスにおい
て、スタート・ストップ特性を測定する場合、まず磁気
バブルメモリデバイスを駆動させるとともに、内部にチ
ップCHIを収納した回転磁界閉じ込めケースRFS組
立体の外面に配設したソレノイドコイルSOCに、第3
4図に示すような回転磁界発生電流Irに同期させて直
流電流Idを同時に印加する。これによってケースRF
S組立体内に収納されたチップCHIの表面には回転磁
界Hrとともにこの直流電流Idによる直流磁界Hが重
畳されて印加される。この場合、この直流磁界Hはケー
スRFS内に閉じ込められてチップCHIの表面に平行
かつ前記ホールディング磁界Hdcとは逆方向の反磁界
となって発生する。したがって前記直流電流Idを除々
に増大させ、チップCHIが誤動作を発生する程度まで
印加して反磁界を増加させることにより、第35図に示
すように磁気バブルメモリデバイスの動作領域Aにおけ
るホールディング磁界Hdcの動作裕度ΔHが測定でき
、この値からホールディング磁界I−(dcの設定値を
得ることができるので、ホールディング磁界の適否の判
断が容易に可能となる。When measuring the start/stop characteristics of a magnetic bubble memory device configured in this way, first the magnetic bubble memory device is driven, and a rotating magnetic field confinement case RFS assembly is placed on the outer surface of the rotating magnetic field confinement case RFS assembly that houses the chip CHI inside. The third solenoid coil SOC
A direct current Id is simultaneously applied in synchronization with the rotating magnetic field generating current Ir as shown in FIG. This allows case RF
A DC magnetic field H due to the DC current Id is superimposed and applied to the surface of the chip CHI housed in the S assembly together with the rotating magnetic field Hr. In this case, the DC magnetic field H is confined within the case RFS and is generated as a demagnetizing field parallel to the surface of the chip CHI and in the opposite direction to the holding magnetic field Hdc. Therefore, by gradually increasing the DC current Id and increasing the demagnetizing field by applying it to the extent that the chip CHI malfunctions, the holding magnetic field Hdc in the operating region A of the magnetic bubble memory device is increased as shown in FIG. Since the operating tolerance ΔH can be measured and the set value of the holding magnetic field I-(dc can be obtained from this value, it is possible to easily judge whether the holding magnetic field is appropriate or not.
なお、このソレノイドコイルSOCは約100e程度ま
での磁束が得られれば良いので、巻線厚は薄くても良く
、磁気バブルメモリデバイスの薄形化、小型化を阻害す
ることはない。Note that this solenoid coil SOC only needs to obtain a magnetic flux of up to about 100 e, so the winding thickness may be thin, and this does not impede the reduction in thickness and size of the magnetic bubble memory device.
また、ソレノイドコイルSOCをケースRFS組立体の
外側に配設したが、このケースRFS組立体の内側に配
設しても前述と全く同様の効果が得られる。Further, although the solenoid coil SOC is disposed outside the case RFS assembly, the same effect as described above can be obtained even if the solenoid coil SOC is disposed inside the case RFS assembly.
以上説明したように本発明によれば、フレキシブル配線
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を、額縁形コアの回
転磁気回路の空間部に配設するとともに、その全体を良
導電性材の回転磁界閉じ込めケース内に挟持させそのケ
ースの外面にソレノイドコイルを設けて周縁部を電気的
に接続したことにより、漏洩磁界を発生させる空間を小
さくできるので小さなVI積で一様性の高い回転磁界が
得られるとともに、回転磁界閉じ込めケースを小形化で
きることにより低消費電力が図られ、かつ全体形状を小
形、薄形化し、しかも磁気バブルのスタート・ストップ
特性が確実に保証された磁気バブルメモリデバイスが得
られるという極めて優れた効果が得られる。As explained above, according to the present invention, a magnetic bubble memory element mounted on a flexible wiring board is disposed in the space of a rotating magnetic circuit of a frame-shaped core, and the entirety is confined in a rotating magnetic field of a highly conductive material. By sandwiching it in a case and installing a solenoid coil on the outer surface of the case and electrically connecting the periphery, the space in which the leakage magnetic field is generated can be made smaller, so a highly uniform rotating magnetic field can be obtained with a small VI product. In addition, by making the rotating magnetic field confinement case smaller, power consumption is reduced, and the overall shape is smaller and thinner, making it possible to obtain a magnetic bubble memory device that reliably guarantees the start-stop characteristics of the magnetic bubble. Extremely excellent effects can be obtained.
第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第291Aは底面図、第2図B
は同図Aの2B−2B断面図、第3図は積み重ね構造を
示す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、第
5図は基板FPCにチップCHIを搭載した基板組立体
BNDを示す平面図、第6図はチップCHIを示す図、
第7図は基板組立体BNDのリードボンディングを説明
する図、第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図
は磁気回路P FCの製作方法を説明する図、第10図
は内側ケースRFSbを示す図、第11図は外側ケース
RF S aを示す図、第12図はケースRFSの組立
図、第13図はケースRFS内に基板組立体ENDおよ
び磁気回路FPCを収納した組立体の断面図、第14図
は磁石体BIMの構成を説明する図、第15図はバイア
スコイルを説明する図、第16図はケースRFS組立体
に一対の磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを組
み込んだ組立体の断面図、第17図は外側シールドケー
スS HI aを示す図、第18図は内側シールドケー
ス5HIbを示す図、第19図はシールドケースSHI
の組立図、第20図は第16図に示す組立体をシールド
ケースSHI内に組み込んだ組立体の断面図1.第21
図はパッケージングケースPKGを示す図、第22図は
端子固定板TEFの構成を説明する図、第23図はコン
タクトパッドの構成を示す図、第24図はチップCHI
の断面図、第25図はチップCHIの磁気バブル検出器
りの構成を示す図、第26図はチップCH工の磁気バブ
ル発生器GENの構成を示す図、第27図はチップCH
IのスワップゲートSWPの構成を示す図、第28図は
チップCH,IのレプリケートゲートREPの構成を示
す図、第29図Aはバイアス磁界Hbとホールディング
磁界Hdcの関係を示す図、同図Bはトータル回転磁界
Hr′を示す図、第30図は磁気バブルメモリボードの
全体回路を示す図、第31図は回転磁界分布特性図であ
る。第32図はホールディング磁界測定用のソレノイド
コイルSOCを付加した変形例の全体構造を示す図、第
33図A、BはそれぞれソレノイドコイルSOCの平面
と断面構造を示す図、第34図はソレノイドコイルSO
Cの実装を説明するための図、第35図はソレノイドコ
イルSOCに流す電流の波形図、第36図はそのバイア
ス磁界マージンを示す図である。
CHI・・・磁気バブルメモリチップ(素子)、FPC
・・・フレキシブル配線基板(基板)、BND・・・基
板組立体、COI・・・駆動コイル(コイル)、COR
・・・額縁形コア(コア)、PFC・・・磁気回路、R
FS・・・回転磁界閉じ込めケース(ケース)、RFS
a・・・外側ケース、RFSb・・・内側ケース、BI
M・・・バイアス磁界発生用磁石体(磁石体)、BIM
a・・・上部磁石体、BIMb・・・下部磁石体、■N
M・・・傾斜板、MAG・・・永久磁石板(磁石板)
、HOM・・・整磁板、INN・・・非磁性傾斜板、B
IC・・・バイアス磁界発生用コイル(バイアスコイル
)、SHI・・・外部磁気シールドケース(シールドケ
ース)、5HIa・・・外側シールドケース、5HIb
・・・内側シールドケース、PKG・・・パッケージン
グケース、TEF・・・端子固定板、GNP・・・コン
タクトパッド、1・・・素子搭載部、2,2.a、2b
。
2c、2d−折り曲げ部、3.3a、3b。
3c、3d・・・外部接続端子接続部、4.4−a。
4b・−−開口部、5,5’a、5b、5c ・・”穿
孔、6・・・基板突出部、7・・・ベースフィルム、8
・・・接着剤、9a・・・配線用リード、9b・・・外
部端子、9c・・・接続用端子、9d・・・記号、9e
・・・インデックスマーク、10・・・カバーフィルム
、11・・・錫メッキ層、12・・・開口、13・・・
手出メッキ層、14・・・ポンディングパッド、15・
・・金バンプ、20a、2ob、20c、2od・・・
ヘリックスコイル、21a、21b・・・接続点、22
a・・・Xコイル、22b−・−Yコイル、=63−
23・・・磁気コア、24・・・タップ、25・・・幅
の大きい溝、26・・・幅の小さい溝、30・・・絞り
部、31・・・折り曲げ部、32・・・切欠き部、33
・・・絞り部、34・・・折り曲げ部、35・・・切欠
き部、36・・・ポリイミドフィルム、37・・・接着
剤、38・・・コイル巻線、40・・・巻線、51・・
・平坦部、52・・・折り曲げ部、53・・・凹部、5
4・・・切欠き部、55・・・平坦部、56・・・折り
曲げ部、57・・・凹部、58・・・切欠き部、59・
・・凹部、60・・・樹脂板、61・・・貫通孔、62
・・・非貫通孔、63・・°マーク、64・・・開口、
65・・・溝、66・・・角部、70・・・素片、71
・・・ニッケルメッキ層、72・・・金メッキ層。
D
RヒbO
第14図A 第14図B
第14図C
=793−
第15図A
第15図B
第17図A
第22図A
第22図B
cL ζ亡〕
L171
手続補正書(方式)
昭和60年8月26日FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the entire magnetic bubble memory device according to the present invention, FIG. 291A is a bottom view, and FIG. 2B
is a 2B-2B sectional view of Figure A, Figure 3 is an exploded perspective view showing the stacked structure, Figure 4 is a diagram explaining the board FPC, and Figure 5 is a board assembly BND in which the chip CHI is mounted on the board FPC. 6 is a plan view showing the chip CHI,
Figure 7 is a diagram explaining lead bonding of the board assembly BND, Figure 8 is a diagram explaining the magnetic circuit PFC, Figure 9 is a diagram explaining the manufacturing method of the magnetic circuit PFC, and Figure 10 is the inner case. FIG. 11 is a diagram showing the outer case RF S a, FIG. 12 is an assembly diagram of the case RFS, and FIG. 13 is an assembly diagram in which the board assembly END and the magnetic circuit FPC are housed in the case RFS. 14 is a diagram illustrating the configuration of the magnet BIM, FIG. 15 is a diagram illustrating the bias coil, and FIG. 16 is an assembly in which a pair of magnet BIM and bias coil BIC are incorporated into the case RFS assembly. Three-dimensional sectional view, FIG. 17 is a diagram showing the outer shield case SHI a, FIG. 18 is a diagram showing the inner shield case 5HIb, and FIG. 19 is a diagram showing the shield case SHI
FIG. 20 is a sectional view of the assembly shown in FIG. 16 incorporated into the shield case SHI. 21st
The figure shows the packaging case PKG, Figure 22 illustrates the configuration of the terminal fixing plate TEF, Figure 23 illustrates the configuration of the contact pad, and Figure 24 illustrates the chip CHI.
25 is a diagram showing the configuration of the magnetic bubble detector of the chip CHI, FIG. 26 is a diagram showing the configuration of the magnetic bubble generator GEN of the chip CH engineering, and FIG. 27 is a diagram showing the configuration of the magnetic bubble detector GEN of the chip CH.
FIG. 28 is a diagram showing the configuration of the swap gate SWP of chip I, FIG. 28 is a diagram showing the configuration of the replicate gate REP of chip CH and I, FIG. 29A is a diagram showing the relationship between the bias magnetic field Hb and the holding magnetic field Hdc, and FIG. 30 is a diagram showing the total rotating magnetic field Hr', FIG. 30 is a diagram showing the entire circuit of the magnetic bubble memory board, and FIG. 31 is a diagram showing the distribution characteristics of the rotating magnetic field. Fig. 32 is a diagram showing the overall structure of a modified example in which a solenoid coil SOC for measuring the holding magnetic field is added, Fig. 33 A and B are diagrams showing the plane and cross-sectional structure of the solenoid coil SOC, respectively, and Fig. 34 is a solenoid coil. S.O.
FIG. 35 is a waveform diagram of the current flowing through the solenoid coil SOC, and FIG. 36 is a diagram showing the bias magnetic field margin thereof. CHI...magnetic bubble memory chip (element), FPC
...Flexible wiring board (board), BND...board assembly, COI...drive coil (coil), COR
...Picture frame-shaped core (core), PFC...magnetic circuit, R
FS...Rotating magnetic field confinement case (case), RFS
a...Outer case, RFSb...Inner case, BI
M...Magnet for generating bias magnetic field (magnet), BIM
a... Upper magnet body, BIMb... Lower magnet body, ■N
M... Inclined plate, MAG... Permanent magnet plate (magnet plate)
, HOM...Magnetic adjustment plate, INN...Nonmagnetic inclined plate, B
IC...Bias magnetic field generation coil (bias coil), SHI...External magnetic shield case (shield case), 5HIa...Outer shield case, 5HIb
...Inner shield case, PKG...Packaging case, TEF...Terminal fixing plate, GNP...Contact pad, 1...Element mounting section, 2,2. a, 2b
. 2c, 2d - folds, 3.3a, 3b. 3c, 3d...external connection terminal connection section, 4.4-a. 4b---Opening, 5, 5'a, 5b, 5c..."perforation, 6...Substrate protrusion, 7...Base film, 8
...adhesive, 9a...wiring lead, 9b...external terminal, 9c...connection terminal, 9d...symbol, 9e
... index mark, 10 ... cover film, 11 ... tin plating layer, 12 ... opening, 13 ...
Hand plating layer, 14... Ponding pad, 15.
・・Gold bump, 20a, 2ob, 20c, 2od...
Helix coil, 21a, 21b... connection point, 22
a...X coil, 22b--Y coil, =63- 23...Magnetic core, 24...Tap, 25...Wide groove, 26...Small width groove, 30... ...Aperture part, 31...Bending part, 32...Notch part, 33
... Squeezed part, 34... Bending part, 35... Notch part, 36... Polyimide film, 37... Adhesive, 38... Coil winding, 40... Winding wire, 51...
・Flat part, 52... Bent part, 53... Concave part, 5
4... Notch part, 55... Flat part, 56... Bent part, 57... Recessed part, 58... Notch part, 59...
... recess, 60 ... resin plate, 61 ... through hole, 62
...Non-through hole, 63...° mark, 64...Opening,
65... Groove, 66... Corner, 70... Piece, 71
...Nickel plating layer, 72...Gold plating layer. D R HibO Figure 14A Figure 14B Figure 14C =793- Figure 15A Figure 15B Figure 17A Figure 22A Figure 22B cL August 26, 1985
Claims (1)
した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
ル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
材ケース内に挟持させかつ前記磁気バブルメモリ素子の
表面に平行な直流磁界を印加するソレノイドコイルを前
記良導電性材ケースの近傍に配設したことを特徴とする
磁気バブルメモリ。A magnetic bubble memory element mounted on a flexible substrate is disposed in a space formed by a frame-shaped core coiled so that sets of opposing windings are parallel to each other, and the coil, core, and magnetic bubble memory element are mounted on a flexible substrate. A magnetic device characterized in that the entire element is sandwiched within a case made of a good conductive material, and a solenoid coil for applying a direct current magnetic field parallel to the surface of the magnetic bubble memory element is disposed near the case made of a good conductive material. bubble memory.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9082885A JPH0646512B2 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Method for evaluating characteristics of magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9082885A JPH0646512B2 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Method for evaluating characteristics of magnetic bubble memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61250892A true JPS61250892A (en) | 1986-11-07 |
JPH0646512B2 JPH0646512B2 (en) | 1994-06-15 |
Family
ID=14009446
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP9082885A Expired - Lifetime JPH0646512B2 (en) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | Method for evaluating characteristics of magnetic bubble memory |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH0646512B2 (en) |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9082885A patent/JPH0646512B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH0646512B2 (en) | 1994-06-15 |
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