JPH0646512B2 - Method for evaluating characteristics of magnetic bubble memory - Google Patents

Method for evaluating characteristics of magnetic bubble memory

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JPH0646512B2
JPH0646512B2 JP9082885A JP9082885A JPH0646512B2 JP H0646512 B2 JPH0646512 B2 JP H0646512B2 JP 9082885 A JP9082885 A JP 9082885A JP 9082885 A JP9082885 A JP 9082885A JP H0646512 B2 JPH0646512 B2 JP H0646512B2
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magnetic
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利男 二見
豊 秋庭
和夫 廣田
伸夫 木城
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化,小型化,低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。
Description: FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble memory, and more particularly to a magnetic bubble memory suitable for thinning, downsizing and low power consumption.

〔発明の背景〕[Background of the Invention]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイス
は、磁気バブルメモリチップをマウントしたE字状のセ
ラミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造
を有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生
用Xコイル,Yコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組
み立てた構造となっている。Xコイル及びYコイルは磁
気バブルメモリチップだけでなく、チップよりもはるか
に大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端
から端迄長さが長くなり、駆動電圧,消費電力が大きく
なってしまう。また、Xコイル,Yコイルは磁気バブル
メモリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与する
ために均一なインダクタバランスが要求されることか
ら、そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりか
つ大型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれら
のXコイル,Yコイルの外面には磁気バブルメモリ素子
に垂直方向のバイアス磁界を付与する一対の永久磁石板
およびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂
モールドにより被覆されている構造であるため、垂直方
向の積層厚が増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形
化,小型化への要請に対して障害となっていた。
A magnetic bubble memory device that has been put into practical use in recent years is for generating a rotating magnetic field composed of rectangular solenoid coils having an asymmetric structure on a wiring substrate such as an E-shaped ceramic or synthetic resin on which a magnetic bubble memory chip is mounted. The structure is such that the X coil and the Y coil are respectively inserted and orthogonally arranged to be assembled. The X coil and the Y coil are not only the magnetic bubble memory chip but also a structure in which a wiring board much larger than the chip is wound, so that the length of each coil becomes long, and the driving voltage and power consumption increase. Will end up. Further, since the X coil and the Y coil are required to have a uniform inductor balance in order to apply a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory device, the coil shapes thereof are different from each other and have an asymmetric structure and a large structure. I had no choice. Further, a pair of permanent magnet plates for applying a vertical bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and its magnetic compensating plate are arranged on the outer surfaces of these X and Y coils, and their peripheral portions are covered with a resin mold. This structure increases the vertical stack thickness, which is an obstacle to the demand for thinner and smaller magnetic bubble memory devices.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和54年特許出願公開第55129号公報が挙げられ
る。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを
完全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。
しかしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されて
おらず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチッ
プへの電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡さ
せることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁
石、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明である
ことも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い
立つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の
実施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報
の記載とたまたま一致したに過ぎない。
The prior art closest to the present invention known to the applicant of the present invention is Japanese Patent Application Publication No. 55129 of 1979. This publication describes the structure of a frame-shaped core surrounding a chip and a conductive magnetic field reflection box completely surrounding them.
However, no further concrete structure is shown, and it is theoretically impossible to make electrical connection to the chip completely surrounded by the conductor case without shorting it from the outside of the conductor case. It is possible, and it is insufficient from a viewpoint to think that the description will be put into practical use, including the fact that the method of attaching the permanent magnet, the magnetic shunt plate, the bias coil, etc. is unclear. That is, the embodiments of the present invention happened to coincide with the description of the above publication in that the frame type cores are used as a result.

〔発明の目的〕[Object of the Invention]

本発明の目的は薄型化した磁気バブルメモリのホールデ
ィング磁界マージンを測定できる方法を提供することで
ある。
An object of the present invention is to provide a method capable of measuring a holding magnetic field margin of a thinned magnetic bubble memory.

〔発明の概要〕[Outline of Invention]

本発明は、ソレノイドコイルSOCを回転磁界閉じ込め
ケースRFSの外側に配設し、それに電流Idを流すこ
とによりホールディング磁界の動作裕度を測定するもの
であり、本発明によれば下記の磁気バブルメモリの特性
評価方法が提供される。
The present invention is to measure the operating margin of the holding magnetic field by arranging the solenoid coil SOC outside the rotating magnetic field confinement case RFS and passing a current Id through it. According to the present invention, the magnetic bubble memory described below is used. A method for characterization of is provided.

向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイルを施
した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
ル,コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
材ケース内に挾持させかつ前記磁気バブルメモリ素子の
表面に平行な直流磁界を印加するソレノイドコイルを前
記良導電性材ケースの近傍に配設し、上記ソレノイドコ
イルに流す電流値を徐々に増大させながら上記磁気バブ
ルメモリを動作させることによりホールディング磁界の
動作裕度を測定する磁気バブルメモリの特性評価方法。
A magnetic bubble memory device mounted on a flexible substrate is arranged in a space formed by a frame-shaped core in which coils are arranged so that pairs of windings facing each other are parallel to each other. A solenoid coil for holding the entire element in a case of a good conductive material and applying a DC magnetic field parallel to the surface of the magnetic bubble memory element is arranged in the vicinity of the case of a good conductive material, and is fed to the solenoid coil. A characteristic evaluation method for a magnetic bubble memory, wherein the operating margin of a holding magnetic field is measured by operating the magnetic bubble memory while gradually increasing a current value.

〔発明の実施例〕Example of Invention

次に図面を用いて本発明の実施例を説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

まず、第1図から第31図を用いて本発明が対象とする
(適用される)磁気バブルメモリを説明し、つぎに第3
2図から第36図を用いて本発明の特徴部分を説明す
る。
First, the magnetic bubble memory to which the present invention is applied (applied) will be described with reference to FIGS. 1 to 31, and then the third embodiment.
Characteristic portions of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 36.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図A、第2図Bは本出願人による先の
出願である特願昭60-66456号(特開昭61-227286号)で
開示されているところの、本発明による特性評価方法が
適用される磁気バブルメモリの全体構造を説明するため
の図であり、第1図は一部破断斜視図、第2図Aはその
底面図、第2図Bは第2図Aの2B−2B断面図であ
る。これらの図において、CHIは磁気バブルメモリチ
ップ(以下チップと称する)であり、これらの図ではチ
ップCHIは省略して1個のみ表示しているが本例では
2個並べて配置しているものとする。(1つの大容量チ
ップよりも、合計記憶容量をそれに合せた複数分割チッ
プ構成の方がチップ歩留が良い)。FPCは2個のチッ
プCHIを搭載しかつ4隅にチップCHIと外部接続端
子との結線用線群延長部を有するフレキシブル配線基板
(以下基板と称する)である。COIは2個のチップC
HIをほぼ同一平面上でとり囲み対向辺が互いに平行と
なるように配置された駆動コイル(以下コイルと称す
る)、CORは四角形コイル集合体COIの中空部分を
貫通するように設けられた固定配置された軟磁性材から
なる額縁形コア(以下コアと称する)であり、このコア
CORと各コイルCOIとでチップCHIに面内回転磁
界を付与する磁気回路PFCを構成している。RFSは
基板FPCの中央四角形部分と、2個のチップCHIお
よび磁気回路PFCの全体を収納する回転磁界閉じ込め
ケース(以下ケースと称する)である。ケースRFSは
2枚の独立した板を加工して形成され、ケースの側面部
で上下の板は電気的に接続されている。チップCHIが
配置された部分よりやや広めの範囲で中央部分の隙間が
狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成されている。この
絞り部は磁石体の位置決めにも利用できる。ケースRF
Sは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板FPCを機械的に支
持する一石二鳥の効果,働きを持っている。
(Outline of Overall Structure FIGS. 1 and 2) FIGS. 1 and 2A and 2B are Japanese Patent Application No. 60-66456 (Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-227286), which is a prior application by the present applicant. 2 is a diagram for explaining the entire structure of a magnetic bubble memory to which the characteristic evaluation method according to the present invention is applied, which is disclosed in FIG. 1, FIG. 1 is a partially cutaway perspective view, and FIG. 2A is a bottom view thereof. FIG. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2A. In these drawings, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip). In these drawings, the chip CHI is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. To do. (The chip yield is better with a multi-divided chip configuration that matches the total storage capacity than with one large-capacity chip). The FPC is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) on which two chips CHI are mounted and which has wire group extensions for connecting the chips CHI and external connection terminals at four corners. COI has two chips C
A drive coil (hereinafter referred to as a coil) that surrounds the HI on substantially the same plane and is arranged so that the opposite sides are parallel to each other, and COR is a fixed arrangement provided so as to penetrate the hollow portion of the rectangular coil assembly COI. A frame-shaped core (hereinafter referred to as a core) made of a soft magnetic material, and the core COR and each coil COI configure a magnetic circuit PFC that applies an in-plane rotating magnetic field to the chip CHI. RFS is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as a case) that houses the central square portion of the substrate FPC, the two chips CHI and the magnetic circuit PFC as a whole. The case RFS is formed by processing two independent plates, and the upper and lower plates are electrically connected at the side surface of the case. A narrowed portion is formed in the peripheral portion so that the gap in the central portion is narrowed in a range slightly wider than the portion where the chip CHI is arranged. This narrowed portion can also be used for positioning the magnet body. Case RF
S has the effect and function of two birds with one stone that confine the magnetic field and mechanically support the weak substrate FPC.

ケースRFSとチップCHIとの間には、特にチップC
HIの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの平
面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースRFSの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略し
ても良い。INMはケースRFSの外側に配置された磁
性材からなる一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜
板INMは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは
右に寄るに従って板厚が厚くなっており、双方はケース
RFS側に傾斜面が形成されている。傾斜板INMの材
料としては、透磁率μが高く保持力Hcの小さいソフト
・フェライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本例で
は傾斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ。
MAGは一対の傾斜板INMの内側でそれと重ねて配置
された一対の永久磁石板(以下磁石板と称する)であ
る。HOMは前記各磁石板MAGの内側でそれと重ねて
配置されたソフトフェライトのような磁性材からなる一
対の整磁板である。磁石板MAGは全面にわたって均一
の板厚を有して形成されている。INNは一対の整磁板
HOMの内側対向面にそれと重ねて配置された銅のよう
に熱伝導性が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜板
である。これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほぼ同
等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されてい
る。傾斜板INM、磁石板MAG、整磁板HOM及び傾
斜板INNは、それぞれ積み重ねて配置し一体化してバ
イアス磁界発生用磁石体BIM(以下磁石体と称する)
を構成したときに積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面に
わたって均一となるように形成されている。一対の磁石
体BIMはケースRFSの絞り部によって囲まれた中央
の平な部分に接着されている。BICは磁石体BIMの
周縁部とケースRFSとの間の溝状隙間部分に配置され
たバイアス磁界発生用コイル(以下バイアスコイルと称
する)である。バイアスコイルBICは磁石板MAGの
磁力をチップCHIの特性に合せて調整したり、不要バ
ブル発生不良の有無をテストする際、チップCHIのバ
ブルをオールクリア(全消去)する場合に駆動される。
SHIは前記チップCHIを搭載した基板FPCおよび
磁気回路PFCを収納したケースRFSと、その外側
で、一対の磁石体BIMa,BIMbおよびバイアスコ
イルBICを収納する磁性材からなる外部磁気シールド
ケース(以下シールドケースと称する)である。シール
ドケースSHIの材料としては、透磁率μが高く、飽和
磁束密度Bsが大きく、Hcの小さい磁性体が好まし
く、パーマロイやフェライトがそのような特性を持って
いるが、本例では折り曲げ加工に適し、機械的な外力に
対して強いパーマロイの鉄・ニッケル合金が選択され
た。PKGは前記シールドケースSHIの外周面に接着
あるいははめ込みにより取り付けられた熱伝導率が高
く、加工のし易いAlのような材質からなるパッケージ
ングケースである。CNPは前記基板FRCの4隅から
延長して設けられ、シールドケースSHIの背面に折り
返された外部接続端子に接触するように配置された外部
接続端子に接触するように配置されたコンタクトパッド
である。TEFは各コンタクトパッドCNPを開口部の
段差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子固定板で
ある。
Between the case RFS and the chip CHI, especially the chip C
Although there is a gap SIR on the side surface of the HI, the gap SIR, including the flat portion of the chip CHI, is coated or filled with silicone resin, so that foreign matter may adhere to the main surface of the chip during assembly or moisture may be removed after assembly. The passivation effect is intended to reduce penetration into the main chip surface or side surfaces. If complete airtight sealing can be performed outside the case RFS, the filling of the resin SIR may be omitted. INM is a pair of inclined plates made of a magnetic material arranged on the outside of the case RFS. In FIG. 2, the upper inclined plate INM is closer to the left and the lower inclined plate INM is closer to the right. Both of them have an inclined surface on the case RFS side. As the material of the inclined plate INM, soft ferrite or permalloy having a high magnetic permeability μ and a small coercive force Hc may be used. In this example, soft ferrite which is easy to process the inclined surface was selected.
The MAG is a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside the pair of inclined plates INM so as to be superposed thereon. The HOM is a pair of magnetic compensating plates made of a magnetic material such as soft ferrite and arranged inside each of the magnet plates MAG so as to overlap with each other. The magnet plate MAG is formed to have a uniform plate thickness over the entire surface. The INN is a pair of inclined plates made of a non-magnetic material having good thermal conductivity, such as copper, which is arranged on the inner facing surfaces of the pair of magnetic shunting plates HOM so as to be superposed thereon. These inclined plates INN are formed to have an inclined angle substantially equal to that of the inclined plate INM and an inclined surface in the opposite direction. The inclined plate INM, the magnet plate MAG, the magnetic shunt plate HOM, and the inclined plate INN are stacked and arranged, respectively, and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as a magnet body).
Is formed so that the entire laminated plate magnet body has a uniform thickness over substantially the entire surface. The pair of magnet bodies BIM are bonded to the central flat portion surrounded by the narrowed portion of the case RFS. The BIC is a bias magnetic field generating coil (hereinafter referred to as a bias coil) arranged in a groove-shaped gap portion between the peripheral portion of the magnet body BIM and the case RFS. The bias coil BIC is driven to adjust the magnetic force of the magnet plate MAG according to the characteristics of the chip CHI or to test all the bubbles of the chip CHI when testing for the presence or absence of a defective bubble generation defect.
The SHI is a case RFS housing a substrate FPC on which the chip CHI is mounted and a magnetic circuit PFC, and an external magnetic shield case (hereinafter referred to as a shield) made of a magnetic material housing a pair of magnet bodies BIMa, BIMb and a bias coil BIC on the outside thereof. It is called a case). As a material for the shield case SHI, a magnetic material having a high magnetic permeability μ, a large saturation magnetic flux density Bs, and a small Hc is preferable. Permalloy and ferrite have such characteristics, but in this example, they are suitable for bending. , A permalloy iron-nickel alloy that is strong against mechanical external force was selected. The PKG is a packaging case made of a material such as Al, which is attached to the outer peripheral surface of the shield case SHI by adhesion or fitting and has a high thermal conductivity and is easy to process. The CNP is a contact pad that extends from the four corners of the substrate FRC and that is arranged so as to come into contact with the external connection terminal that is arranged so as to come into contact with the external connection terminal that is folded back on the back surface of the shield case SHI. . TEF is a terminal fixing plate made of an insulating member that supports and fixes each contact pad CNP at the stepped portion of the opening.

(全体構造の特長 第1,2図) 第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
例による特長点はこれらに限定されるものではなく、他
の特長点は第3図以降の説明からも明らかとなるであろ
うが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として特長
点を述べる。
(Characteristics of Overall Structure, FIGS. 1 and 2) Features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are listed as follows. However, the features of this example are not limited to these, and other features will be apparent from the description of FIG. Describe the features.

(1)回転磁界発生コイルPFCを額縁型にして、バブ
ルメモリチップCHIをその額内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をX及びYコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関数となるか
らである。
(1) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is of a frame type and the bubble memory chip CHI is arranged on the substantially same plane within the frame, the thickness of the entire bubble device can be reduced. This is because in the current mainstream technology, the upper and lower surfaces of the chip are wound around by the X and Y coils, and the total thickness of the device is a function of the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness.

(2)Xコイル及びYコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてYコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and the Y coil are arranged on substantially the same plane, the following effects are obtained as compared with the conventional structure in which the Y coil is wound on the X coil.

コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
The total winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, and low voltage driving and low power consumption can be achieved.

Xコイル及びYコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。
The distance between the X coil and the Y coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be balanced.

(3)回転磁界発生コイルPFCの導体ケースRFSで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIに対す
る駆動効率を高められる。
(3) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is surrounded by the conductor case RFS, leakage of magnetic flux is small and the driving efficiency for the chip CHI can be improved.

(4)導体ケースRFSは、回転磁界Hr発生コイルP
FCから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
BIMに漏れるのを防ぎ、他方磁石体BIMからチップ
CHIへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。
(4) The conductor case RFS includes the rotating magnetic field Hr generating coil P.
The AC magnetic field generated from the FC is prevented from leaking to the magnet body BIM having a large magnetic permeability μ while the DC magnetic field of the bias magnetic field Hb to be applied from the magnet body BIM to the chip CHI is substantially prevented. There is the option of not having it.

(5)導体ケースRFSとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。従って、特に製造歩留を上げるため等に
複数チップ実装構成とした場合は、チップ間の傾斜角度
バラツキが磁気特性に大きな影響を与えるが、本例によ
ればチップ間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられ
る。
(5) Since the conductor case RFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like which has been conventionally used as a wiring board, the chip CHI can be mechanically and firmly supported. Therefore, especially in the case of a multi-chip mounting structure for increasing the manufacturing yield, the variation in the inclination angle between chips has a great influence on the magnetic characteristics, but according to this example, the variation in the inclination angle between chips is small. It is held down.

(6)配線基板としてフレキシブルフィルム基板FPC
を使用しているため下記の効果が得られる。
(6) Flexible film substrate FPC as wiring substrate
The following effects are obtained by using.

基板厚を小さくできる。The substrate thickness can be reduced.

リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤボンディング方式に比べボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。
Since the lead bonding method can be adopted, the thickness occupied by the bonding portion can be reduced as compared with the conventional wire bonding method.

上記,の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ,又は小さい平
面積のバイアス磁石MAGを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。
The above effect is due to the gap of the magnetic circuit (permeability μ
The bias magnet MAG having a small thickness or a small plane area can be used, which leads to thinning of the entire device or reduction of the plane area.

チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の180゜の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
Wiring can be freely bent from the chip CHI. Therefore, the terminal portion can be turned over by 180 ° and the plane area of the entire device can be limited.

回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
The width of the wiring extraction opening of the rotating magnetic field confinement case RFS can be reduced. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be minimized.

(7)配線基板FPCの外部導出配線を四角形の各部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースRFSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the externally derived wirings of the wiring board FPC are gathered in the respective rectangular portions, the opening of the rotating magnetic field confinement case RFS can be provided at the corner having the least influence.

(8)傾斜板INNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the inclined plate INN is not combined with the function of magnet or degaussing, the following effects are obtained.

傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。
A material such as copper having good workability can be used to form the inclination angle.

熱導率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。
A material such as copper having a high thermal conductivity can be used, and the heat generated by the rotating magnetic field generating coil COI can be efficiently dissipated.

非磁性体の材料を使用することによって、整磁板HO
Mを通る磁界を乱さないようにすることができる。
By using a non-magnetic material, the magnetic shunt plate HO
The magnetic field passing through M can be prevented from being disturbed.

(9)傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石MAGや
整磁板HOMに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。
(9) The inclined plate INN is preferably as thin as possible in order to reduce the magnetic gap, and is thin by limiting the width thereof to a position necessary and sufficient for forming the inclination angle as compared with the magnet MAG and the magnetic shunt plate HOM. It makes it easy to form an angle of inclination.

(10)磁石MAGとシールドケースSHI間には、透磁
率μの大きいソフトフェライトのような板INMが挿入
されているので、その間の磁気的ギャップを埋めること
ができる。また、板INMは放熱にも寄与する。板IN
Mとしては磁石MAGよりも保持力Hcの小さい材料を
選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均一なまま
にしておくことができる。
(10) Since the plate INM such as soft ferrite having a large magnetic permeability μ is inserted between the magnet MAG and the shield case SHI, the magnetic gap between them can be filled. The plate INM also contributes to heat dissipation. Board IN
Since a material having a holding force Hc smaller than that of the magnet MAG is selected as M, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.

(11)シールドケースSHIは透磁率μの大きいパーマ
ロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石MAGを磁
界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、磁
石MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(11) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy having a high magnetic permeability μ, the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnet MAG as a magnetic field source can be reduced, so that the thickness and the plane area of the magnet MAG can be reduced. it can.

(12)シールドケースSHIは飽和磁束密度Bsの大き
いパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来の
磁界ノイズをバイパスし、チップCHIに伝えない働き
がある。
(12) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy having a high saturation magnetic flux density Bs, it has a function of bypassing external magnetic field noise and not transmitting it to the chip CHI.

(13)上記(11),(12)はそれぞれ、シールドケースSH
Iの厚さを薄くすることにつながる。
(13) The above (11) and (12) are shield case SH, respectively.
This leads to the reduction of the thickness of I.

(14)シールドケースSHIはパーマロイのような鉄−
ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。
(14) The shield case SHI is made of iron such as permalloy.
Since it uses a nickel alloy, it is suitable for bending work and also has a function of protecting the components incorporated therein against external mechanical force.

(15)回転磁界発生コイルPFCとバイアスコイルBI
Cを共にコア型にしているので、パッケージングケース
SHI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高める
ことができる。
(15) Rotating magnetic field generating coil PFC and bias coil BI
Since both C are core type, it is possible to increase the storage efficiency or the mounting density in the packaging case SHI or PKG.

(16)コア−CORと整磁板HOMとの間にはケースR
FSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの厚
さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折り
曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程全
体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル長
の低減による低消費電力化につながる。しかしながら、
その距離が短か過ぎると磁石MAGからの直流バイアス
磁界Hbが透磁率の高いコア−CORに漏れてしまい、
チップ周辺部分におけるバイアス磁界の一様性が悪くな
る。従って、この距離は上記特性上非常にシビアであ
り、本構造によるとその調整が精密にできる。
(16) Case R is placed between the core-COR and the magnetic shunt plate HOM.
Since the FS is inserted, the distance can be finely adjusted by the thickness and the bending angle of the rotating magnetic field confinement case RFS in addition to the thickness of the coil COI. The shorter this distance is, the smaller the planar size of the whole can be made, which leads to lower power consumption by reducing the coil length. However,
If the distance is too short, the DC bias magnetic field Hb from the magnet MAG leaks to the core-COR having high magnetic permeability,
The uniformity of the bias magnetic field in the peripheral portion of the chip becomes poor. Therefore, this distance is very severe in view of the above characteristics, and according to this structure, the adjustment can be performed precisely.

(17)回転磁界閉じ込めケースRFSの周辺に絞り部を
設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易であ
る。
(17) Since the diaphragm is provided around the rotating magnetic field confinement case RFS, the magnet body BIM can be easily aligned.

(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のもの
を、チップの上下面で平面的に180゜の回転角度差があ
るように配置することによって、チップをはさんで上下
面に配置された1対の整磁板HOMや1対の磁石MAG
をほぼ平行に合せることができる。
(18) The inclined plate INN is made of two pieces under the same manufacturing conditions. By arranging them so that there is a rotation angle difference of 180 ° on the upper and lower surfaces of the chip, the upper and lower surfaces of the chip are sandwiched. A pair of magnetic compensating plates HOM and a pair of magnets MAG arranged
Can be aligned almost parallel.

以上、第1図、第2図で示された磁気バブルメモリの全
体構造の特長点を説明したが、ホールディング磁界を測
定するためのソレノイド・コイルについては後述する変
形例があり(第32図)、その特長点を以下説明する。
The features of the overall structure of the magnetic bubble memory shown in FIGS. 1 and 2 have been described above, but there is a modified example described later for the solenoid coil for measuring the holding magnetic field (FIG. 32). The features will be described below.

(19)回転磁界閉じ込めケースRFSの外側にソレノイ
ドコイルSOCを設けたことによって、このソレノイド
コイルSOCに直流電流を流すことによりチップCHI
の平面に平行な直流磁界を発生させることができるの
で、ホールディング磁界の測定が可能となる。
(19) By providing the solenoid coil SOC on the outside of the rotating magnetic field confinement case RFS, the chip CHI can be obtained by supplying a direct current to the solenoid coil SOC.
Since it is possible to generate a DC magnetic field parallel to the plane of, the holding magnetic field can be measured.

(組立の概要 第3図) 第3図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板F
PC上に2個のチップCHIを搭載した基板組立板BN
Dを、底面に絶縁性シートを接着配置した外側ケースR
FSa内に配置し、さらにこの基板FPC上に磁気回路
PFCを組み込んだ後、シリコーン樹脂SIR(図示せ
ず)を充填しその上部に内側ケースRFSbを外側ケー
スRFSaに対して組み込み、外側ケースRFSaと内
側ケースRFSbとの側面接触部分を半田付等により電
気的に接続する。次にこれらの外側ケースRFSaおよ
び内側ケースRFSbの外面に設けられている凹状の絞
り部に上側磁石体BIMaおよび下側磁石体BIMbを
配置した後、この上側磁石体BIMaの外縁部と内側ケ
ースRFSbの内側とで形成される図示しない隙間に整
列巻きされたバイアスコイルBICを配置し、これらを
外側ケースSHIa内に収納し、更に内側ケースSHI
bを組み込み、外側ケースSHIaと内側ケースSHI
bとの側面接触部分を溶接等により磁気的に接続する。
次に内側ケースSHIbの4隅から突出している前記基
板FPCの外部接続端子接続部をこの内側ケースSHI
bの背後に第4図Bに示すように折り返し、一定形状を
有するように組み合わせて配置し、これらの接続部にそ
れぞれ設けられている半田等で被覆された各外部接続端
子に、図示しないコンタクトパッドCNPを各開口部に
搭載した端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等によ
り各外部接続端子とコンタクトパッドCNPを半田付等
により電気的に接続させる。次にこれらの組み立て体に
パッケージングケースPKG内に収納し、端子固定板T
EFとパッケージングケースPKGの接触部においてハ
ーメチックシール等の封止を行って組み立てられる。
(Outline of Assembly FIG. 3) FIG. 3 is an assembly perspective view for explaining a stacking and assembling procedure of each constituent member constituting the above-described magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as those used above denote the same members. . In the figure, first, a substrate F having projecting portions at four corners and connecting portions for input / output wiring and an element mounting portion at the central portion
Board assembly board BN with 2 chips CHI mounted on PC
D is an outer case R in which an insulating sheet is adhesively arranged on the bottom surface.
After the magnetic circuit PFC is installed on the substrate FPC and the magnetic circuit PFC is installed on the substrate FPC, silicone resin SIR (not shown) is filled and the inner case RFSb is installed on the upper case RFSa to the outer case RFSa. The side contact portion with the inner case RFSb is electrically connected by soldering or the like. Next, after arranging the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb in the concave throttle portions provided on the outer surfaces of the outer case RFSa and the inner case RFSb, the outer edge portion of the upper magnet body BIMa and the inner case RFSb are arranged. Bias coils BIC wound in alignment with each other are arranged in a gap (not shown) formed with the inside of the case, and these are housed in the outer case SHIa.
b inside, outer case SHIa and inner case SHI
The side contact portion with b is magnetically connected by welding or the like.
Next, the external connection terminal connecting portions of the board FPC protruding from the four corners of the inner case SHIb are connected to the inner case SHIb.
As shown in FIG. 4B, it is folded back behind b and arranged in combination so as to have a constant shape. Each external connection terminal covered with solder or the like provided on each of these connection portions is connected to a contact (not shown). A terminal fixing plate TEF having a pad CNP mounted in each opening is disposed in contact with each other, and each external connection terminal and the contact pad CNP are electrically connected by soldering or the like by thermocompression bonding or the like. Next, these assembled bodies are housed in a packaging case PKG, and the terminal fixing plate T
At the contact portion between the EF and the packaging case PKG, a hermetic seal or the like is sealed for assembly.

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component described above will be described.

(フレキシブル配線基板 第4図) 第4図は基板FPCを示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは同
図Aの4C−4C拡大断面図、同図Dは同図Aの4D−
4D拡大断面図である。同図において、基板FPCは、
中央部に角形状の素子保護部1と、この4隅に巾の小さ
い折り曲げ部2(2a,2b,2c,2d)と、この先
端部に角形状の外部接続端子接続部(以下接続部と称す
る)3(3a,3b,3c,3d)とを有し、全体形状
がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、また、
この素子保護部1の対向辺側には後述する2個のチップ
CHIを搭載しその端子部を接続させる2重枠構造の矩
形状開口部4(4a,4b)および位置決め用の3個の
穿孔5(5a,5b,5c)が設けられ、さらに1個の
接続部3cの先端には位置決め用の基板突出部6が設け
られている。
(Flexible Wiring Board FIG. 4) FIG. 4 is a view showing a board FPC, FIG. A is a plan view thereof, and FIG. 4B is a view in which the connecting portions of the external connection terminals protruding from the four corners are folded and combined. The plan view, FIG. C is an enlarged sectional view of 4C-4C in FIG. A, and FIG. D is 4D- in FIG.
It is a 4D enlarged sectional view. In the figure, the substrate FPC is
The element protection portion 1 having a square shape at the center, the bent portions 2 (2a, 2b, 2c, 2d) having a small width at the four corners, and the external connection terminal connection portion having a square shape (hereinafter referred to as a connection portion) at the tip portion thereof. 3) (3a, 3b, 3c, 3d), and the overall shape is substantially windmill-shaped and integrally formed.
Rectangular openings 4 (4a, 4b) having a double frame structure for mounting two chips CHI, which will be described later, on the opposite sides of the element protection part 1 and connecting the terminals thereof, and three holes for positioning. 5 (5a, 5b, 5c) are provided, and a substrate projecting portion 6 for positioning is provided at the tip of one connecting portion 3c.

また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜9(以下、配線層としで総称する場合は9と表わし、
その各部を示すときは9に添字を付加して表す)を形成
し、これを所要のパターン形状にエッチングすることに
より、同図Aに示すような配線用リード9a,円形状の
外部端子9b,楕円状のコイルリード接続用端子9c,
記号9dおよびインデックスマーク9e等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム10が接着配置されている。そして、この基板FP
Cの開口部4においては、図示しないチップCHI搭載
側となるベースフィルム7が高い精度の寸法で開口が形
成され、また、その上面側カバーフィルム10には比較
的寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム
7とカバーフィルム10との間には配線用リード9aが
露出し、この配線用リード9aの表面には錫メッキ層1
1が形成され、開口形状が2層構造でかつ2重枠構造を
有して形成されている。一方、接続部3においては、同
図Dに示すようにカバーフィルム10の前記円形状外部
端子9bおよび図示しない楕円状の外部端子9cと対応
する部位に円形状の開口12が形成され、その開口12
から露出した外部端子9b,9c銅薄膜パターン上には
めっき或いはディップ等による半田層13が形成されて
いる。そして、これらの接続部3に設けられた各外部端
子9b,9cは各接続部3a,3b,3c,3dおよび
折り曲げ部2a,2b,2c,2d並びに素子保護部1
上に連続して形成された各配線用リード9aに接続さ
れ、これらの配線用リード9aは素子搭載部1に設けら
れた各開口部4a,4bの開口端の一部に各接続部3
a,3b,3c,3dのブロック毎に集結してその先端
部が各開口部4a,4b内に露出されている。すなわち
同図Aに示すように接続部3aの配線用リード9aは開
口部4aの左上部に、接続部3bの配線用リード9aは
開口部4bの左下部に、接続部3cの配線用リード9a
は開口部4aの右上部に、また接続部3dの配線用リー
ド9aは開口部4bの右下部にそれぞれ配線されてい
る。そして、この基板FPCは、後工程で各接続部3
a,3b,3c,3dが各折り曲げ部2a,2b,2
c,2dで折り曲げられて同図Bに示すように組み合わ
され、半田層13を形成した各外部端子9b,9cが表
面に露出し、また、配線用リード9a,記号9dおよび
インデックスマーク9eは表面がカバーフィルム10に
より被覆されているので、これらのパターンはカバーフ
ィルム10を透かして容易に判断できるように構成され
ている。
In addition, as shown in FIG. 1C, this substrate FPC has a copper thin film 9 (hereinafter referred to as a wiring layer) on a base film 7 made of a polyimide resin film having a thickness of, for example, about 50 μm via an epoxy adhesive 8. When collectively called, it is expressed as 9,
When each part is shown, a subscript is added to 9) is formed, and this is etched into a desired pattern shape, so that wiring leads 9a, circular external terminals 9b, as shown in FIG. Elliptical coil lead connection terminal 9c,
Patterns such as symbols 9d and index marks 9e are formed, and a light-transmitting or semi-light-transmitting cover film 10 is adhered and arranged on the upper surface of the patterns through an adhesive 8 made of the same member as described above. And this substrate FP
In the opening 4 of C, the base film 7 on the chip CHI mounting side (not shown) is formed with a highly precise size, and the upper cover film 10 has a relatively large size. Further, the wiring lead 9a is exposed between the base film 7 and the cover film 10, and the tin plating layer 1 is formed on the surface of the wiring lead 9a.
1 is formed, and the opening shape has a double-layer structure and a double frame structure. On the other hand, in the connection portion 3, a circular opening 12 is formed in a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown) as shown in FIG. 12
A solder layer 13 formed by plating or dipping is formed on the copper thin film patterns of the external terminals 9b and 9c exposed from. The external terminals 9b and 9c provided on these connecting portions 3 are connected to the connecting portions 3a, 3b, 3c and 3d and the bent portions 2a, 2b, 2c and 2d and the element protecting portion 1.
The wiring leads 9a are connected to the wiring leads 9a continuously formed on the upper surface of the device mounting portion 1. The wiring leads 9a are connected to the connecting portions 3 at a part of the opening ends of the opening portions 4a and 4b provided in the element mounting portion 1.
The blocks a, 3b, 3c, and 3d are gathered together, and their tips are exposed in the openings 4a and 4b. That is, as shown in FIG. 3A, the wiring lead 9a of the connecting portion 3a is located in the upper left portion of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting portion 3b is located in the lower left portion of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting portion 3c.
Is wired in the upper right part of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connection part 3d is wired in the lower right part of the opening 4b. Then, this substrate FPC will be used for each connection portion 3 in a later step.
a, 3b, 3c and 3d are bent portions 2a, 2b and 2
The external terminals 9b and 9c on which the solder layer 13 is formed by being bent at c and 2d and combined as shown in FIG. 9B are exposed on the surface, and the wiring leads 9a, the symbol 9d and the index mark 9e are on the surface. Since they are covered with the cover film 10, these patterns are configured so that they can be easily judged through the cover film 10.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部1の4隅に各折り曲げ部2
a,2b,2c,2dを介して各接続部3a,3b,3
c,3dを設けた風車状に構成し、これらの各接続部3
a,3b,3c,3dを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部1と接続部とが2
層配線構造となるので、接続部3の面積を小さくするこ
となく、素子保護部1の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。
In such a structure, the substrate FPC is made of a polyimide resin film, and the bent portions 2 are provided at the four corners of the element protection portion 1.
Each connecting portion 3a, 3b, 3 via a, 2b, 2c, 2d
c and 3d are provided in the shape of a wind turbine, and each of these connecting portions 3
Since the external terminal portion is formed by folding back and combining a, 3b, 3c, and 3d, the element protection portion 1 and the connection portion are separated from each other.
Because of the layered wiring structure, the area of the element protection portion 1 can be increased without reducing the area of the connection portion 3, and at the same time, the external terminal portion can be multi-terminaled and the overall shape can be reduced. .

また、このような構成において、各外部端子9bから素
子保護部1の各開口部4a,4bまでの配線リード9a
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちS/N比の高い信号を
入出力させことができる。さらに接続部3cの一端に基
板突出部6を設けるとともに、この突出部6にインデッ
クスマーク9eを設けたことにより、折り返し組み立て
た際の基板中央部の表示用,ケースRFSおよびSHI
(第2図参照)に組み込む際の位置合せ用,配線リード
9aの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の判別
に利用してその判別が容易となるので、組み立ておよび
基板管理等を合理化することができる。また、基板FP
Cの素子保護部1の両端側に穿孔5a,5b,5cを設
けたことにより、基板FPCの左右の区別,チップCH
Iの位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を合理
化することができる。
Further, in such a configuration, the wiring lead 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the element protection portion 1
Can be significantly shortened, so that the influence of external noise or the like can be greatly reduced. That is, a signal having a high S / N ratio can be input / output. Further, the board protruding portion 6 is provided at one end of the connecting portion 3c, and the index mark 9e is provided on the protruding portion 6, so that the central portion of the board for display and cases RFS and SHI when folded and assembled.
(As shown in FIG. 2) It can be easily used by the identification for alignment, the type of the wiring lead 9a, or the product type display when it is assembled in (see FIG. 2), so that the assembly and the board management are rationalized. can do. Also, the substrate FP
By providing the perforations 5a, 5b, 5c on both end sides of the element protection portion 1 of C, the left and right of the substrate FPC can be distinguished, and the chip CH
Positioning of I, etc. becomes easy, and similarly, the assembling property can be rationalized.

(基板組立体 第5,6,7図) 第5図は前述した基板FPCにチップCHIを搭載した
平面図を示したものである。同図において、基板FPC
の素子搭載部1には2個のチップCHIが開口部4a,
4b間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構成
されており、このチップCHIの1個は、第6図に拡大
平面図で示すように1Mbチップの2ブロックが一体化
して構成され、2個のチップCHIでは4ブロック、合
計で4Mbチップを構成している。なお、第6図に示し
たチップCHIの1ブロックにおいて、太線は導体パタ
ーン,細線はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示し
ている。また、第5図に示したチップCHIは、第7図
A,第7図Bにそれぞれ拡大断面図で示すようにチップ
CHIの端部に金メッキして設けられた各ボンディング
パッド14と、基板FPC開口部4の錫メッキ層11が
形成された配設用リード9aとの間に金バンプ15を介
在させて熱圧着法にによるAu−Su共晶によりリード
ボンディングされて搭載されている。
(Substrate Assembly FIGS. 5, 6 and 7) FIG. 5 is a plan view showing the chip CHI mounted on the above-mentioned substrate FPC. In the figure, the substrate FPC
Two chip CHIs are provided in the element mounting portion 1 of the opening 4a,
Substrate assembly BND is configured by being mounted in parallel between 4b, and one of the chips CHI is constituted by integrating two blocks of 1Mb chips as shown in an enlarged plan view of FIG. Two chips CHI make up four blocks, that is, a total of 4 Mb chips. In one block of the chip CHI shown in FIG. 6, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths. The chip CHI shown in FIG. 5 has bonding pads 14 formed by gold plating on the ends of the chip CHI and the substrate FPC as shown in the enlarged sectional views of FIGS. 7A and 7B. The gold bumps 15 are interposed between the openings 4 and the disposing leads 9a on which the tin-plated layer 11 is formed, and are mounted by lead bonding using Au-Su eutectic by a thermocompression bonding method.

このような構成によれば、基板FPCの開口部4a,4
bの配設用リード9aとチップCHIのボンディングパ
ッド14とがAu−Su共晶によるリードボンディング
により接続されてチップCHIが支持固定できるので、
接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が可能と
なる。また、チップCHIの表面が基板FPCの素子搭
載部1により被覆されるので、チップCHIの表面が保
護され、ハンドリング性を向上させることができるとと
もに、基板FPCの機械的強度を保持することができ
る。また、このような構成によれば、各チップCHIが
2ブロックからなり、2個のチップCHIは4ブロック
で構成されているので、各ブロックをそれぞれ最も近接
する各接続部3a,3b,3c,3dへ分配して配線で
き、チップCHI配置の対称性が得られ、試験,検査等
が極めて容易となる。さらに基板FPCに4個の接続部
3a,3b,3c,3dを設けているので、各チップC
HIの磁気バブル検出器DETおよびマップループ等の
配線を他の機能配線と区別して1個所の接続部に集結さ
せ、この接続部を雑音発生源から遠ざける部位に選定し
て配置することにより、雑音の極めて少ない入出力信号
を授受することができる。
According to such a configuration, the openings 4a, 4a of the substrate FPC are
Since the disposing lead 9a of b and the bonding pad 14 of the chip CHI are connected by lead bonding using Au-Su eutectic, the chip CHI can be supported and fixed.
The connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. Further, since the surface of the chip CHI is covered by the element mounting portion 1 of the substrate FPC, the surface of the chip CHI is protected, the handling property can be improved, and the mechanical strength of the substrate FPC can be maintained. . Further, according to such a configuration, each chip CHI is made up of two blocks and two chips CHI are made up of four blocks. Therefore, each block is closest to each of the connection portions 3a, 3b, 3c, Wiring can be distributed to 3d, the symmetry of the chip CHI arrangement can be obtained, and testing, inspection, etc. are extremely easy. Further, since four connecting portions 3a, 3b, 3c, 3d are provided on the board FPC, each chip C
The wiring of the HI magnetic bubble detector DET and the map loop, etc. is distinguished from other functional wiring in one connection part, and this connection part is selected and arranged at a part away from the noise source to thereby reduce noise. It is possible to send and receive input / output signals with extremely small number.

(駆動磁気回路 第8,9図) 第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアCORの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して4組のコイル20a,20b,20
c,20dからなるコイルCOIが巻設され、互いに対
向する辺上のコイル20aと20bとを接続点21bを
介して直列巻きさせてXコイル22aを、コイル20c
と20dとを接続点21aを介して直列巻きさせてYコ
イル22bをそれぞれ構成している。そして、Xコイル
22aおよびYコイル22bに位相の90度異なる電流
IxおよびIy(例えば三角波電流)を供給することに
より、同図Bに示すようにx軸方向に漏洩磁界Hxが、
y軸方向には漏洩磁界Hyが発生し、前述した2個のチ
ップCHIに回転磁界として供給される。
(Driving Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing a magnetic circuit PFC, FIG. A is a perspective view, and FIG. 8B is a plan view showing the driving magnetic circuit. In the figure, the magnetic circuit PFC has four sets of coils 20a, 20b, 20 in which windings are applied in the arrow direction on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COR made of a soft magnetic material.
A coil COI composed of c and 20d is wound, and coils 20a and 20b on opposite sides are wound in series via a connection point 21b to form an X coil 22a and a coil 20c.
And 20d are wound in series via the connection point 21a to form the Y coil 22b. Then, by supplying currents Ix and Iy (for example, triangular wave currents) whose phases are different by 90 degrees to the X coil 22a and the Y coil 22b, the leakage magnetic field Hx in the x-axis direction as shown in FIG.
A leakage magnetic field Hy is generated in the y-axis direction and is supplied to the above-mentioned two chips CHI as a rotating magnetic field.

また、このように構成される磁気回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア23に巻線を複数ブロック毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a,20bからなる一対のXコイル22aを形成した
後、各コイル20aと20bとの間に一定の巾を有する
幅の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削加工
して設け、しかる後、この幅の小さい溝26部分から切
断して両者に分割された幅の広い溝25を互いに直交す
る方向に組み合わせて接着し、第8図に示すように額縁
形に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝25およ
び幅の小さい溝26を予め形成した直方体コア23にコ
イル20a,20bをタップ24を介して巻設し、一対
のXコイル22aを形成してもよい。また、前述した一
対のYコイル22bについても全く同様に形成される。
Further, in the magnetic circuit PFC configured as described above, as shown in a perspective view in FIG. 9, windings are tapped in blocks of a plurality of blocks in a rectangular parallelepiped magnetic core 23 made of one soft magnetic material.
Are provided and wound in series to form a pair of coils, for example, the coil 20.
After forming a pair of X coils 22a composed of a and 20b, a wide groove 25 having a constant width and a narrower groove 26 are provided by cutting between the coils 20a and 20b. Thereafter, the groove 26 having a small width is cut, and the wide groove 25 divided into both is combined and bonded in a direction orthogonal to each other to form a frame shape as shown in FIG. On the contrary, the coils 20a and 20b may be wound via the taps 24 around the rectangular parallelepiped core 23 in which the wide groove 25 and the narrow groove 26 are formed in advance to form the pair of X coils 22a. . Further, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア23にコイ
ル20a,20bを直列方向にタップ24を設けて巻設
しているので、第8図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 by providing the taps 24 in the serial direction. Therefore, when the coils 20a and 20b are assembled as shown in FIG. It is not necessary to make a connection point) and the winding of the winding can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル22aとYコイル2
2bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路PFCはチップCHIの上,下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
Since it has a symmetrical structure with 2b, it becomes a coarse coupling,
The inductance balance is improved, and magnetic interference between the magnetic bodies with respect to the leakage magnetic field can be prevented. Further, since this magnetic circuit PFC has a frame-shaped structure which is not arranged on the upper and lower surfaces of the chip CHI, the thickness in the stacking direction becomes small, and the thickness can be reduced.

(回転磁界閉込めケース 第10,11,12図) 第10図は内側ケースRFSbを示す図であり、同図A
は平面図、同図Bはその10B−10B断面図である。
同図において、内側ケースRFSbは、その中央部分が
凹状となる枠形状の絞り部30と、その対向端辺が上方
向にほぼ90度折り曲げられた折り曲げ部31と、その
各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部32とをそれ
ぞれ有して構成されており、このケースRFSbは良導
電性材料、例えば無酸素銅板をプレス加工して形成され
ている。この場合、絞り部30および折り曲げ部31は
この内側ケースRFSbのねじれ方向の機械的強度を向
上させるとともに、互いに対向する折り曲げ部31相互
間の縦横方向の外径寸法Lを適宜制限することができ
る。また、絞り部30は、このケースRFSbの外面側
に配設される磁石体BIMbと、内面側に配置されるチ
ップCHIとの間の距離を適宜調整することができる。
なお、4隅に設けた切り欠き部32は、このケースRF
Sb内に配設される基板FPCの各折り曲げ部2a,2
b,2c,2dの引出し部分を形成している。
(Rotating magnetic field confinement case, FIGS. 10, 11 and 12) FIG. 10 is a view showing the inner case RFSb.
Is a plan view and FIG. 9B is a sectional view taken along line 10B-10B.
In the figure, the inner case RFSb includes a frame-shaped narrowed portion 30 having a concave central portion, a bent portion 31 having its opposite end sides bent upward by approximately 90 degrees, and four corners thereof in an oblique direction. The case RFSb is formed by pressing a highly conductive material such as an oxygen-free copper plate. In this case, the narrowed portion 30 and the bent portion 31 improve the mechanical strength in the twisting direction of the inner case RFSb, and can appropriately limit the outer diameter dimension L in the vertical and horizontal directions between the bent portions 31 facing each other. . Further, the diaphragm portion 30 can appropriately adjust the distance between the magnet body BIMb arranged on the outer surface side of the case RFSb and the chip CHI arranged on the inner surface side.
The cutouts 32 provided at the four corners are the case RF.
Each of the bent portions 2a, 2 of the substrate FPC arranged in Sb
B, 2c, 2d lead-out portions are formed.

このような構成によれば、内側ケースRFSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。
According to such a configuration, the inner case RFSb can be formed by a press working method, so that the inner case RFSb can be manufactured with high precision and at low cost.

なお、内側ケースRFSbは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅,銀,金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。
Although oxygen-free copper is used for the inner case RFSb, a plate material obtained by plating a copper, silver, gold plate or an alloy plate of these may be used instead.

第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは平面図、同図
Bはその11B−11B断面図である。同図において、
この外側ケースRFSaは、前述した内側ケースRFS
bと同等の材料および製作法により形成され、その構造
は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状の絞
り部33と、その対向端辺が上方向にほぼ90度に折り
曲げられた折り曲げ部34と、その各4隅が斜め方向に
切断された切り欠き部35とを有して構成されている。
この場合、互いに対向する折り曲げ部34は、その相互
間の内側寸法が、前述した内側ケースRFSbの折り曲
げ部31相互間の外側寸法L1、L2とほぼ同等値を有
しかつ高さH1を大きくして形成されている。なお、こ
の絞り部33および切り欠き部35は前述した内側ケー
スRFSbとほぼ同等の寸法を有して形成されている。
FIG. 11 is a view showing an outer case RFSa corresponding to the above-mentioned inner case RFSb. FIG. 11A is a plan view and FIG. 11B is a sectional view taken along line 11B-11B. In the figure,
The outer case RFSa is the inner case RFS described above.
It is formed by the same material and manufacturing method as b, and its structure is the frame-shaped narrowed portion 33 whose central portion is concave and the opposite end sides thereof are bent upward by approximately 90 degrees in the same manner as described above. The bent portion 34 and the four corners of the bent portion 34 are provided with notches 35 cut obliquely.
In this case, the bent portions 34 facing each other have inner dimensions substantially equal to the outer dimensions L1 and L2 between the bent portions 31 of the inner case RFSb described above, and the height H1 is increased. Is formed. The narrowed portion 33 and the cutout portion 35 are formed to have substantially the same dimensions as the inner case RFSb described above.

このように構成された外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースRFSbは、第12図Aにその平面図,第12図B
に12B−12B断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スRFSa内に内側ケースRFSbを挿入し、外側ケー
スRFSaの折り曲げ部31の外面とを互いに接触させ
て接続することにより、一体化させケースRFSが組み
立てられる。
The outer case RFSa and the inner case RFSb thus configured are shown in FIG. 12A in a plan view and FIG. 12B.
12B-12B, the inner case RFSb is inserted into the outer case RFSa, and the outer surface of the bent portion 31 of the outer case RFSa is brought into contact with each other to be connected to each other, whereby the case RFS is assembled. To be

(ケース組立体 第13図) 第13図は前述したケースRFS内に基板組立体BND
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースRFSaの底面には、電気的絶縁性シー
トとして、例えば厚さ約0.1mm程度のポリイミドフィ
ルム36が接着配置され、このフィルム36上には基板
組立体BNDが、また、その周縁部には磁気回路FPC
がそれぞれ配置され、さらに基板組立体BNDの上面に
エポキシ系の接着剤37を塗布した後、これらの上方部
には内側ケースRFSbが挿入されて接合配置されてい
る。この場合、外側ケースRFSaの折り曲げ部34の
内面と内側ケースRFSbの折り曲げ部31の外面とが
×印で示す部分でメタルフローあるいは半田付等により
電気的,機械的に接合されている。また、この外側ケー
スRFSaと内側ケースRFSbとの間の隙間部分には
シリコーン樹脂SIRが充填され基板組立体BNDおよ
び磁気回路PFCが固定配置されている。なお、この場
合、これらの外側ケースRFSaおよび内側ケースRF
Sbの4隅に設けられた図示しない各切り欠き部32,
35には基板FPCの折り曲げ部2(2a,2b,2
c,2d)が外部へ引出されている。38はコイルCO
I同志の接続またはコイルCOIと基板FPC上に設け
られた外部端子9cを接続するためのリード線である。
(Case assembly FIG. 13) FIG. 13 shows the board assembly BND in the case RFS described above.
FIG. 6 is a cross-sectional view in which the components are stored and arranged. In the figure, on the bottom surface of the outer case RFSa, a polyimide film 36 having a thickness of, for example, about 0.1 mm is adhesively arranged as an electrically insulating sheet, and the board assembly BND, and A magnetic circuit FPC is provided around the periphery.
, And an epoxy adhesive 37 is applied to the upper surface of the board assembly BND, and the inner case RFSb is inserted and joined to the upper portion of these. In this case, the inner surface of the bent portion 34 of the outer case RFSa and the outer surface of the bent portion 31 of the inner case RFSb are electrically and mechanically joined to each other by a metal flow or soldering at a portion indicated by X. The gap between the outer case RFSa and the inner case RFSb is filled with silicone resin SIR, and the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In this case, these outer case RFSa and inner case RF
Notch portions 32 (not shown) provided at the four corners of Sb,
35 is a bent portion 2 (2a, 2b, 2) of the substrate FPC.
c, 2d) is pulled out to the outside. 38 is a coil CO
I is a lead wire for connecting the terminals or for connecting the coil COI and the external terminal 9c provided on the substrate FPC.

このような構成において、磁気回路FPCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRFSには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に封じ込められ、したがってチ
ップCHIには均一な回転磁界を付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit FPC, an induced current flows in the case RFS so as to form a closed loop, and the rotating magnetic field is confined in the case RFS by the induced current. Is given a uniform rotating magnetic field.

このような構成によれば、外側ケースRFSaおよび内
側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基板F
PCに搭載されたチップCHIを、周縁部分の凸状部内
に磁気回路PFCをそれぞれ挟持させて配置したのでパ
ッケージング効果が向上できるとともに、組立性が大幅
に向上できる。また、外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースRFSbで覆われる体積が減少することにより、V
I積(∝体積)が低減でき、回転磁界を発生させる磁気
回路PFCの小形化が可能となる。さらに外側ケースR
FSaおよび内側ケースRFSbに絞り部30,33で
形成される凹状部を設け対向する凹状部間のギャップを
減少させることにより、回転磁界はチップCHIの平面
に垂直な成分(Z成分)が零に近接して水平な成分のみ
となり、一様性を向上させることができる。
With such a configuration, the substrate F is provided in the central concave portion between the outer case RFSa and the inner case RFSb.
Since the chip CHI mounted on the PC is arranged with the magnetic circuit PFC sandwiched between the convex portions of the peripheral portion, the packaging effect can be improved and the assemblability can be greatly improved. Further, since the volume covered by the outer case RFSa and the inner case RFSb is reduced, V
The I product (∝ volume) can be reduced, and the magnetic circuit PFC that generates the rotating magnetic field can be downsized. Outer case R
By providing concave portions formed by the narrowed portions 30 and 33 on the FSa and the inner case RFSb to reduce the gap between the concave portions facing each other, the component (Z component) perpendicular to the plane of the chip CHI in the rotating magnetic field becomes zero. Only the horizontal components are close to each other, and the uniformity can be improved.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜板INNの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第1の整磁板HOM1と、この第1の整磁板HOM1
の上面側に配置する板厚の均一な磁石板MAGと、この
磁石板MAGの上面側に傾斜面を有する第2の整磁板H
OM2とを順次積層し、エポキシ系の接着剤により一体
化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面にわたっ
て均一となるように構成されている。そして、この磁石
体BIMの上,下面からはほぼ全面にわたって均一なバ
イアス磁界発生用の磁界が放出される。
(Magnet Body FIG. 14) FIG. 14 is a diagram showing a magnet body BIM, FIG. A is a plan view, FIG. B is a side view thereof, and FIG. C is a front view thereof.
In the figure, the magnet body BIM has a slant plate IN made of a non-magnetic material, for example, copper, one of the facing surfaces of which has a predetermined slant surface.
N, a first magnetic compensating plate HOM 1 having a uniform thickness and arranged on the inclined surface side of the inclined plate INN, and the first magnetic compensating plate HOM 1
Magnet plate MAG having a uniform plate thickness, which is disposed on the upper surface side of the magnet plate, and the second magnetic shunt plate H having an inclined surface on the upper surface side of the magnet plate MAG.
OM 2 and OM 2 are sequentially laminated and are integrally formed by an epoxy adhesive, and the overall laminated plate thickness is made uniform over almost the entire surface. Then, a uniform magnetic field for generating a bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of the magnet body BIM over substantially the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B−15B断面図であ
る。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶
縁部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻
線40を、断面が5×4線の配列として全体形状が額縁
状となるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却
させて所定値の額縁形状に成形して構成されている。こ
の場合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂
が互いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が
目詰りして成形され、冷却させることにより、各巻線4
0が結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形
状に形成される。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing a bias coil BIC, FIG. A is a perspective view, and FIG. 15B is a sectional view taken along line 15B-15B. In the drawing, the bias coil BIC is a winding coil 40 whose surface is covered with, for example, a thermosetting resin as an insulating member, and is wound in an array so that the entire shape is a frame shape with a cross section of 5 × 4 lines. After that, it is pressure-bonded by heat welding, cooled, and formed into a frame shape having a predetermined value. In this case, the thermosetting resins coated on the outer surface of each winding wire 40 are heat-welded to each other, and each winding wire 40 is clogged and formed by pressure bonding, and is cooled, whereby each winding wire 4 is wound.
Since 0 is hardened in a bound state, it is formed into a frame shape having a predetermined shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装
第16図) 第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体BNDおよび磁気回路PFCを収納し
たケースRFS組立体の上,下面にはそれぞれ上部磁石
体BIMa下部磁石体BIMbが接着配置され、さらに
この上部磁石体BIMaの周縁部と、内側ケースRFS
bの折り曲げ部31とで囲まれて形成される額縁状溝部
にはバイアスコイルBICが収納配置されている。この
場合、上部磁石体BIMaと下部磁石体BIMbとは全
く同一の材料,寸法で構成されており、これらの磁石体
BIMa,BIMbはその傾斜板INN側が、内側ケー
スRFSbの絞り部30で囲われた凹状部および外側ケ
ースRFSaの絞り部33で囲われた凹状部内にそれぞ
れ密着されて配置される。
(Mounting magnet and bias coil to case assembly
FIG. 16) FIG. 16 is a sectional view showing the case RFS assembly described in FIG. 13 and the magnet body BIM and bias coil BIC described above incorporated therein. In the figure,
An upper magnet body BIMa lower magnet body BIMb is adhesively arranged on the upper and lower surfaces of a case RFS assembly that accommodates a board assembly BND and a magnetic circuit PFC inside, and a peripheral portion of the upper magnet body BIMa and an inner case. RFS
The bias coil BIC is housed in the frame-shaped groove formed by being surrounded by the bent portion 31 of b. In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are made of exactly the same material and size, and these magnet bodies BIMa and BIMb are surrounded by the narrowed portion 30 of the inner case RFSb on the inclined plate INN side. The concave portion and the concave portion surrounded by the narrowed portion 33 of the outer case RFSa are arranged in close contact with each other.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa,
BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小
形,薄形化が可能となる。また、外側ケースRFSaと
下部磁石体BIMbの外縁部分とで額縁状の空間溝が形
成されるので、この部分に前記バイアスコイルBICを
配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けても
良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイア
スコイルを形成することもできる。
In such a configuration, a pair of magnet bodies BIMa, is formed in the concave portion formed on both sides of the central portion of the case RFS assembly.
The BIMb is arranged, and the bias coil BIC can be arranged in the frame-shaped groove formed in the peripheral portion of the BIMb.
The overall thickness of each component in the stacking direction is reduced, which enables downsizing and thinning. Further, since the frame-shaped space groove is formed between the outer case RFSa and the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, the bias coil BIC may be arranged in this portion, or a new bias coil may be provided. Further, it is also possible to form a bias coil by winding a coil bobbin.

(磁気シールドケース 第17,18,19図) 第17図は外側シールドケースSHIaを示す図であ
り、同図Aは平面図、同図Bはその17B−17B断面
図である。同図において、外側シールドケースSHIa
は、平坦部51と、この平坦部51の対向端辺に上方向
にほぼ90度に折り返した折り曲げ部52と、この折り
曲げ部52の中央部に一部が切り欠かれた凹部53と、
その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部54とを
有して構成されており、このシールドケースSHIaは
高透磁率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導
率の大きい材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して
形成されている。
(Magnetic Shield Cases 17, 18, and 19) FIG. 17 is a view showing the outer shield case SHIa, FIG. A is a plan view, and FIG. 17B is a sectional view taken along line 17B-17B. In the figure, the outer shield case SHIa
Is a flat portion 51, a bent portion 52 that is folded upward at an angle of approximately 90 degrees to the opposite end side of the flat portion 51, and a recessed portion 53 that is partially cut away in the central portion of the bent portion 52.
Each of the four corners is configured to have a notch 54 that is cut in an oblique direction, and this shield case SHIa has a high magnetic permeability and a high saturation magnetic flux density, and preferably has a high thermal conductivity. For example, it is formed by pressing a permalloy plate.

第18図は前述した外側シールドケースSHIaに対応
する内側シールドケースSHIbを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその18B−18B断面図であ
る。同図において、この内側シールドケースSHIb
は、前述した外側シールドケースSHIaと同等の材料
および製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同
様に平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上方向
にほぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この折り
曲げ部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57と、
その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58とを
有して構成されている。この場合、互いに対向する折り
曲げ部56はその相互間の外側寸法が、前述した外側シ
ールドケースSHIaの折り曲げ部52相互間の内側寸
法L3、L4とほぼ同等値を有しかつ高さH2を小さく
して形成されている。
FIG. 18 is a view showing an inner shield case SHIb corresponding to the outer shield case SHIa described above. FIG. 18A is a plan view and FIG. 18B is a sectional view taken along line 18B-18B. In the figure, this inner shield case SHIb
Is formed by the same material and manufacturing method as the above-mentioned outer shield case SHIa, and the structure thereof is substantially the same as that described above, and the flat portion 55 and the opposite end sides of the flat portion 55 are folded back upward by approximately 90 degrees. A bent portion 56, and a recessed portion 57 that is partially cut away in the center of the bent portion 56,
Each of the four corners has a notch portion 58 cut obliquely. In this case, the bent portions 56 facing each other have an outer dimension between them which is substantially equal to the inner dimension L3, L4 between the bent portions 52 of the outer shield case SHIa described above, and the height H2 is made smaller. Is formed.

このように構成された外側シールドケースSHIaおよ
び内側シールドケースSHIbは第19図Aにその平面
図,第19図Bにその19B−19B断面図でそれぞれ
示すように外側シールドケースSHIa内に内側シール
ドケースSHIbを挿入し、外側シールドケースSHI
aの凹部53と内側シールドケースSHIbの凹部57
とで形成される凹部59にスポット溶接あるいは半田溶
接を施し、磁気的、機械的に固定することにより一体化
させ外側シールドケースSHIaが組み立てられる。
The outer shield case SHIa and the inner shield case SHIb thus constructed are shown in FIG. 19A, a plan view thereof, and FIG. 19B, a sectional view taken along line 19B-19B thereof, respectively. Insert SHIb, outer shield case SHI
The recess 53 of a and the recess 57 of the inner shield case SHIb
The outer shield case SHIa is assembled by spot-welding or solder-welding the recessed portions 59 formed by and magnetically and mechanically fixing them to integrate them.

このような構成において、外側シールドケースSHIa
の折り曲げ部52および内側シールドケースSHIbの
折り曲げ部56を横方向、つまり積層方向と交差する方
向に設定することなく、積層方向に揃えて設定すること
により、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ構成部
品の高集積化が可能となる。
In such a configuration, the outer shield case SHIa
The folded portion 52 and the folded portion 56 of the inner shield case SHIb are set in the laminating direction without being set in the lateral direction, that is, the direction intersecting the laminating direction, thereby reducing the dimension in the lateral direction and reducing the size. In addition, high integration of constituent parts is possible.

(磁気シールドケース組立体 第20図) 第20図は前述したシールドケースSHI組立体内に、
前記第16図で説明した内部に基板組立体BND,磁気
回路FPCを組み込んだケースRFS組立体と、一対の
磁石体BIMa,BIMb、バイアスコイルBICとか
らなる組立体を組み込んだ断面図を示したものである。
同図において、外側シールドケースSHIaの内部に
は、その底面側から中央部に上部磁石体BIMa,周縁
部にバイアスコイルBIC,ケースRFS組立体(内部
に基板組立体BND,磁気回路PFC等が組み込まれて
いる),下部磁石体BIMbを順次積層配置させた後、
内側シールドケースSHIbを挿入し、前述した外側シ
ールドケースSHIaの凹部53と内側シールドケース
SHIbの凹部57とで形成される凹部59(第19図
参照)で溶接固定して封止される。この場合、このシー
ルドケースSHI内にグリース等を充填させておくこと
により、内部の構成部品が実質的に相互に密着すること
になり、ケースRFSから発生する熱がこのシールドケ
ースSHIを介して外部に放出することができる。ま
た、ケースRFSとシールドケースSHIを圧入方式に
より側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させる
ことができる。
(Magnetic shield case assembly FIG. 20) FIG. 20 shows the above-mentioned shield case SHI assembly.
FIG. 16 is a sectional view showing a case RFS assembly in which the substrate assembly BND and the magnetic circuit FPC are incorporated, and an assembly including a pair of magnet bodies BIMa and BIMb and a bias coil BIC as described in FIG. It is a thing.
In the figure, inside the outer shield case SHIa, from the bottom side to the upper magnet body BIMa in the central part, the bias coil BIC in the peripheral part, the case RFS assembly (the board assembly BND, the magnetic circuit PFC, etc. are incorporated inside). The lower magnet body BIMb is sequentially laminated and arranged,
The inner shield case SHIb is inserted and welded and fixed by a recess 59 (see FIG. 19) formed by the recess 53 of the outer shield case SHIa and the recess 57 of the inner shield case SHIb described above. In this case, by filling the inside of this shield case SHI with grease or the like, the internal components substantially come into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS is transferred to the outside via this shield case SHI. Can be released to. Further, the case RFS and the shield case SHI can be made to have a structure in which they are brought into contact with each other on the side surface by a press-fitting method to improve the heat dissipation effect.

このような構成において、外側シールドケースSHIa
の底面側にケースRFS組立体を、その折り曲げ部3
1,34が対向するように積層配置させることによって
外部シールドケースSHIaと内部シールドケースSH
Ibとの間に積層される各構成部品が密着配置できるの
で、小形化,薄形化が可能となるとともに放熱効果も同
時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case SHIa
The case RFS assembly on the bottom side of the
The outer shield case SHIa and the inner shield case SH are arranged by stacking the first and the second stacks so that they face each other.
Since each of the components laminated with Ib can be arranged in close contact with each other, it is possible to make the device compact and thin, and at the same time obtain a heat dissipation effect.

(パッケージングケース 第21図) 第21図はパッケージングケースPKGを示す図であ
り、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21B断面
図である。同図において、パッケージングケースPKG
は、熱伝導の良好な材料、例えば板厚約0.5mmのアル
ミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されない
が、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッ
ケージングケースPKGは、前記外側シールドケースS
HIaの形状を改良して兼用させて使用することができ
る。
(Packaging Case FIG. 21) FIG. 21 is a view showing a packaging case PKG, in which FIG. A is a plan view and FIG. B is a sectional view taken along the line 21B-21B. In the figure, the packaging case PKG
Is formed by drawing an aluminum plate having a good thermal conductivity, for example, an aluminum plate having a plate thickness of about 0.5 mm, and a black coating film is provided on the outer surface thereof, which is not shown. This packaging case PKG is the outer shield case S
The shape of HIa can be improved and used in combination.

このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するポッティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。
In such a configuration, this packaging case P
The KG serves as an outer case after completion of the magnetic bubble memory device and has a function as a heat radiator, and further, an inner corner portion thereof also has a function as a mold at the time of resin molding by a potting method described later.

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22,23図) 第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B−22B断面図、同図Cは
その背面図である。同図において、端子固定板TEF
は、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ
系の樹脂板60からなり、その外形状は前記パッケージ
ングケースPKGの開口部に対して挿入出自在となる縦
横方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板
60の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔61が縦横
方向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設
され、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とは
ならない断面が凹状となる非貫通孔62が設けられ、こ
の非貫通孔62内には例えば方向性あるいは特長を位置
付ける白色の塗膜などによるマーク63が付着されてい
る。また、この樹脂板60に穿設された多数個の貫通孔
61には、同図Bに示すようにその背面側に口径の大き
い開口64が同軸的に連通して設けられており、これら
の開口64の全ては板厚の約60%の深さを有しかつ貫
通孔61とは塗中に段差を有して連通されている。ま
た、この樹脂板60の背面側には同図Cに示すようにそ
の周辺部分に沿って前記開口64の深さとほぼ同等の深
さを有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状と
なる溝65が形成され、この溝65内は前述したコイル
COIの巻線,バイアスコイルBICの巻線の通路部お
よび接続部を構成している。また、この樹脂板60の角
部66は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前
述したパッケージングケースPKGの内側面に体して接
触面を得ている。このように樹脂板60の背面側は板厚
の異なる2段構造を有して形成されている。
(Terminal Fixing Plate and Contact Pads FIGS. 22 and 23) FIG. 22 is a view showing the terminal fixing plate TEF, in which FIG. A is a plan view, FIG. B is a sectional view taken along line 22B-22B, and FIG. It is a rear view. In the figure, the terminal fixing plate TEF
Is made of an electrically insulating material, for example, a glass epoxy resin plate 60, and its outer shape is formed to have vertical and horizontal dimensions that can be inserted into and removed from the opening of the packaging case PKG. In addition, a large number of through holes 61 are formed in a matrix-like arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in a portion excluding the peripheral portion of the resin plate 60, and further at the corners of these through hole groups. Is provided with a non-through hole 62 having a concave cross section that is not rotationally symmetrical, and a mark 63 made of a white coating film or the like for positioning the directionality or the feature is attached to the non-through hole 62. Further, as shown in FIG. 3B, the large number of through holes 61 formed in the resin plate 60 are provided with openings 64 having a large diameter on the back side thereof so as to coaxially communicate with each other. All of the openings 64 have a depth of about 60% of the plate thickness and communicate with the through holes 61 with a step during coating. Further, on the back side of the resin plate 60, as shown in FIG. 6C, the resin plate 60 has a depth substantially equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and the width in the plane direction is different, and its cross section is concave. A groove 65 is formed, and the inside of this groove 65 constitutes a passage portion and a connecting portion of the winding of the coil COI and the winding of the bias coil BIC described above. Further, the corner portion 66 of the resin plate 60 does not have a concave shape, has a predetermined plate thickness dimension, and is fitted to the inner side surface of the packaging case PKG to obtain a contact surface. In this way, the back surface side of the resin plate 60 is formed to have a two-step structure with different plate thicknesses.

第23図はコンタクトパッドCNPを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその23B−23B断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドCNPは、良導電
性材料、例えば板厚約0.5mm程度の銅板をプレス加工
により打ち抜いた素片70の表面にニッケルメッキ層7
1,金メッキ層72を形成して構成される。
FIG. 23 is a view showing the contact pad CNP, FIG. 23A is a plan view, and FIG. 23B is a sectional view taken along line 23B-23B. In the figure, the contact pad CNP is a nickel-plated layer 7 formed on the surface of an element 70 obtained by punching out a highly conductive material, for example, a copper plate having a thickness of about 0.5 mm by press working.
1, a gold plating layer 72 is formed.

(最終組立 第20,4,2図) このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG内に、第20図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースPKGの4隅から前記基板組立体
BNDの各接続部3a,3b,3c,3d(第4図A参
照)が各折り曲げ部2a,2b,2c,2dから約90
度で折れ曲がって突出する。次に、このパッケージング
ケースPKGの4隅にポッティング法により樹脂モール
ドを行なってこのパッケージングケースPKG内に各個
性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各接続部3
a,3b,3c,3dを対応する各折り曲げ部2a,2
b,2c,2dでさらに約90度で折り曲げて内側シー
ルドケースSHIbの外面に接着剤を介して前記第4図
Bに示すように組み合わせた後、前記端子固定板TEF
背面側の各開口64内にコンタクトパッドCNPを搭載
し、あるいは更にコンタクトパッドCNPの側面を接着
剤により固着してパッケージングケースPKGに挿入
し、各接続部3a,3b,3c,3dに接触配置させ
る。この場合、各接続部3a,3b,3c,3dに設け
られている各外部端子9bの配列ピッチと各コンタクト
パッドCNPの配列ピッチとが一致しているので、各外
部端子9bとコンタクトパッドCNPとは電気的に接触
する。次に配置した端子固定板TEFの裏側から各貫通
孔61に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタク
トパッドCNPを熱圧着する事により、各外部端子9b
と対応する各コンタクトパッドCNPが電気的に接続さ
れるとともに端子固定板TEFも同時に機械的に固定さ
れて第2図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成さ
れる。
(Final Assembly FIGS. 20, 4, and 2) For each of the components thus configured, first, the shield case assembly described in FIG. 20 is inserted into the packaging case PKG described above. In this state, the connecting portions 3a, 3b, 3c, 3d (see FIG. 4A) of the board assembly BND are connected to the bending portions 2a, 2b, 2c, 2d from the four corners of the packaging case PKG by about 90 degrees.
Bends and protrudes. Next, resin molding is performed on the four corners of the packaging case PKG by the potting method, and the individual parts are fixedly arranged in the packaging case PKG. Continue to each of these connections 3
a, 3b, 3c, 3d corresponding bending portions 2a, 2
B, 2c and 2d are further bent at about 90 degrees and combined with the outer surface of the inner shield case SHIb via an adhesive as shown in FIG. 4B, and then the terminal fixing plate TEF
A contact pad CNP is mounted in each opening 64 on the back side, or the side surface of the contact pad CNP is further fixed by an adhesive and inserted into the packaging case PKG, and arranged in contact with each connection portion 3a, 3b, 3c, 3d. Let In this case, since the arrangement pitch of the external terminals 9b provided in the connection portions 3a, 3b, 3c, 3d and the arrangement pitch of the contact pads CNP are the same, the external terminals 9b and the contact pads CNP are the same. Make electrical contact. Next, from the back side of the terminal fixing plate TEF arranged, for example, by inserting a heating body having a thin tip into each through hole 61 and thermocompression-bonding the contact pad CNP, each external terminal 9b.
The corresponding contact pads CNP are electrically connected and the terminal fixing plate TEF is mechanically fixed at the same time to complete the magnetic bubble memory device shown in FIG.

(磁気バブルメモリ素子 第24,25,26,27,28図) 第24図は前述した磁気バブルメモリチップCHIのボ
ンディングパッドPAD近辺の断面図を示すものであ
る。同図において、GGGは gadolinium−gallium−ga
rnet基板であり、LPEは液相エピタキシャル成長法に
よって形成されたバブル磁性膜であり、その組成の一例
は下記表1に示した通りである。
(Magnetic Bubble Memory Element FIGS. 24, 25, 26, 27, 28) FIG. 24 is a sectional view of the magnetic bubble memory chip CHI in the vicinity of the bonding pad PAD. In the figure, GGG is gadolinium-gallium-ga.
It is a rnet substrate, LPE is a bubble magnetic film formed by a liquid phase epitaxial growth method, and an example of its composition is as shown in Table 1 below.

IONはハードバブル抑制のためにLPE膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。SP1は第1のスペ
ーサであり、例えば3000Åの厚さのSiOが気相
化学反応により形成される。CON1及びCON2は2
層の導体層を示しており、後述するバブル発生,複写
(分割)及び交換を制御する機能を持っており、下の第
1の導体層CON1がMo,上の第2の導体層CON2
がAu等の材料でそれぞれ形成されている。SP2及び
SP3は導体層CONとその上に形成されるパーマロイ
等の転送パターン層Pとを電気的に絶縁するポリイミド
樹脂等から成る層間絶縁膜(第2,第3のスペーサ)で
ある。PASは気相化学反応法により形成されたSiO
2膜等からなるパッシベーション膜である。PADはチ
ップCHIのボンディングパッドを示しており、Al線
等の細いコネクタワイヤがここに熱圧着法や超音波法に
よりボンディングされる。このボンディングパッドPA
Dは下の第1層PAD1がCr,中央の第2層PAD2
Au層,上の第3層PAD3がAuメッキ層等の材料で
それぞれ形成されており、第2層PAD2および第3層
PAD3をCr,Cu等の材料で形成しても良い。Pは
バブルの転送路やバブルの分割,発生,交換及び検出部
更にはガードレール部に用いられる層を示しており、以
後の説明では便宜上転送パターン層と表現する。
ION indicates an ion implantation layer formed on the surface of the LPE film for suppressing hard bubbles. SP1 is a first spacer, and for example, SiO 2 having a thickness of 3000 Å is formed by a vapor phase chemical reaction. CON1 and CON2 are 2
2 shows a conductor layer of a layer and has a function of controlling bubble generation, copying (division) and exchange described later, the lower first conductor layer CON1 is Mo, and the upper second conductor layer CON2.
Are made of a material such as Au. SP2 and SP3 are interlayer insulating films (second and third spacers) made of a polyimide resin or the like for electrically insulating the conductor layer CON and the transfer pattern layer P such as Permalloy formed thereon. PAS is SiO formed by the vapor phase chemical reaction method.
It is a passivation film consisting of two films. PAD indicates a bonding pad of the chip CHI, and a thin connector wire such as an Al wire is bonded thereto by a thermocompression bonding method or an ultrasonic method. This bonding pad PA
D The first layer PAD 1 is Cr, the central second layer PAD 2 is Au layer below the third layer PAD 3 above are respectively formed of a material such as Au plating layer, the second layer PAD 2 and The third layer PAD 3 may be made of a material such as Cr or Cu. Reference symbol P denotes a layer used for a bubble transfer path, bubble division, generation, exchange and detection part, and a guardrail part, and will be referred to as a transfer pattern layer for convenience in the following description.

第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P1にF
e−Siを、上層P2にFe−Niをそれぞれ使用して
いるが、両者の材質を上下入れ替えることも可能であ
る。
In the example of FIG. 24, the transfer pattern layer P is F on the lower layer P 1 .
Although e-Si is used and Fe-Ni is used for the upper layer P 2 , the materials of both may be interchanged.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
CHIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルフアラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第25図はバブル検出
器D部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャーSTが数10段形成され
ている。なお、PRはバブルの転送方向を示している。
ERはバブルの消去器であり、導体層CNDにバブルが
達したとき、消去される。この検出器Dの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、3列のパターン群から成る
ガードレールGRが設けられており、ガードレールGR
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、
第25図以下の平面パターン図では導体層CND以外の
パターンは第24図で説明した転送パターン層Pを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子MEM,MEDを
多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比(S/
N比)が向上した。例えば、転送パターンとして各層間
にSiO2膜を介在させた3層パーマロイ層を使用した
場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表2に示す
ようにS/N比が2倍以上向上させることができる。
Hereinafter, an example in which the above-mentioned transfer pattern layer composed of a plurality of layers is applied to each part of the chip CHI will be described with reference to plan views of FIG. 25 and subsequent drawings. In these plan views, each transfer pattern layer is formed by self-alignment. Note that they are represented by the same contour line. FIG. 25 shows the bubble detector D portion, and MEM is the main magnetoresistive element, and the presence or absence of bubbles is utilized by utilizing the fact that the resistance value changes when a bubble stretched in a lateral strip shape passes therethrough. To detect. The MED is a dummy magnetoresistive element having the same pattern shape as the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect a noise component due to the influence of the rotating magnetic field and the like. Although only two stages are shown above the main magnetoresistive element MEM, several tens of bubble stretchers ST are formed to expand the bubbles in the horizontal direction and transfer the bubbles downward. Note that PR indicates the transfer direction of bubbles.
ER is a bubble eraser, and is erased when the bubble reaches the conductor layer CND. A guard rail GR composed of three rows of pattern groups is provided around the detector D and between the dummy and main detections.
Unnecessary bubbles generated in the inside of the guard rail are pushed out, and unnecessary bubbles generated outside the guardrail GR are prevented from entering the inside. In addition,
In the plan pattern diagrams of FIG. 25 and subsequent figures, the patterns other than the conductor layer CND show the transfer pattern layer P described in FIG. In the figure, by forming the magnetoresistive elements MEM and MED with a multilayer magnetic layer, the signal-to-noise ratio (S /
N ratio) was improved. For example, when a three-layer permalloy layer with a SiO 2 film interposed between each layer is used as a transfer pattern, the S / N ratio is improved by more than 2 times as shown in Table 2 below as compared with that for a single permalloy layer. be able to.

また、ガードレールGRの性能も保持力Hcの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。
In addition, the performance of the guardrail GR is also improved by reducing the holding force Hc and increasing the rejection rate of unnecessary bubbles.

第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ、磁気バブルの発生器の
導体層CNDの寿命を長くすることが可能となった。従
って、導体層CNDの駆動回路も電流容量値の小さい半
導体素子が使用でき、低価格化が可能となる。
FIG. 26 shows a magnetic bubble generator GEN. By making the transfer pattern layers P multi-layered, the generated current of the magnetic bubble can be reduced, and the life of the conductor layer CND of the magnetic bubble generator is lengthened. It became possible to do. Therefore, the drive circuit of the conductor layer CND can also use a semiconductor element having a small current capacity value, and the cost can be reduced.

第27図はPa〜Ph等の転送パターンで形成されたマ
イナループm,Pw1〜Pw3等の転送パターン列で形成
された書き込みメイジャーラインWML及びヘアピン状
導体層CNDで形成されたスワップゲート部を示してい
る。同図において、P7は第26図のバブル発生器GE
Nにおける転送パターンP7と同一のものであり、言い
換えればバブル発生器GENで発生されたバブルはP1
〜P7の転送路を通って書き込みメイジャーラインWM
Lに転送される。スワップ導体層CNDに電流を流した
とき、マイナループm1の転送パターンPdの磁気バブ
ルは転送パターンPl,Pmを通ってメイジャーライン
WMLの転送パターンPw3に転送され、メイジャーラ
インPw1からの磁気バブルは転送パターンPk,P
j,Piを経てマイナループの転送パターンPeに転送
されてバブルの交換、すなわち情報の書き換えが行なわ
れる。なお、右端のマイナループmdにはスワップゲー
トが設けられていないが、これは、周辺効果を軽減する
ための磁気バブルを注入しないダミーのループである。
このように変換位置における転送パターン層Pi〜Pm
を多層化することにより、小さい電流値で磁気バブルの
交換を行なうことができる。
FIG. 27 shows a swap gate portion formed of a write loop line MML formed by a transfer pattern row of minor loops m, Pw 1 -Pw 3, etc. formed of transfer patterns of Pa to Ph and a hairpin-shaped conductor layer CND. Shows. In the figure, P 7 is the bubble generator GE of FIG.
It is the same as the transfer pattern P 7 in N, in other words, the bubble generated in the bubble generator GEN is P 1
~ Write major line WM through P 7 transfer path
Is transferred to L. When a current is applied to the swap conductor layer CND, the magnetic bubbles of the transfer pattern Pd of the minor loop m 1 are transferred to the transfer pattern Pw 3 of the major line WML through the transfer patterns Pl and Pm, and the magnetic bubbles from the major line Pw 1 are transferred. Is the transfer pattern Pk, P
After passing through j and Pi, the data is transferred to the transfer pattern Pe of the minor loop and bubbles are exchanged, that is, information is rewritten. A swap gate is not provided in the minor loop md at the right end, but this is a dummy loop that does not inject magnetic bubbles to reduce the peripheral effect.
Thus, the transfer pattern layers Pi to Pm at the conversion position
By forming multiple layers, it is possible to exchange magnetic bubbles with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn〜Pq,Ps〜Pxの
順路で転送されており、導体層CNDに電流を流したと
き、転送パターンPqの位置でバブルは分割され、分割
された1つの磁気バブルはPy,P8〜P10を経て読出
しメイジャーラインRMLに転送される。
Further, as shown in FIG. 28, a small current value can be driven in a magnetic bubble copying machine, that is, a divider. In the figure, the normal magnetic bubbles are transferred along the route of Pn to Pq and Ps to Px, and when a current is passed through the conductor layer CND, the bubbles are divided at the position of the transfer pattern Pq, and one divided magnetic field is generated. bubble Py, is transferred to the read main jar line RML through P 8 to P 10.

(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図) 磁石板MAGはチップCHIに対して約2度程度傾斜さ
せて配置される。これはチップCHIに対しバイアス磁
界Hbが垂直方向よりややずれて印加されるようにした
もので、それによってバブル転送のスタート、ストップ
マージンを約6〔Oe〕向上させるホールディング磁界
Hdcを生み出す(第29図A)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field FIG. 29) The magnet plate MAG is arranged with an inclination of about 2 degrees with respect to the chip CHI. The bias magnetic field Hb is applied to the chip CHI with a slight deviation from the vertical direction, thereby generating a holding magnetic field Hdc that improves the start and stop margins of bubble transfer by about 6 [Oe] (29th). (Figure A).

第29図Aに示したように磁石体BIMとチップCHI
との角度θの傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内
の成分Hdcを持つことになる。そして、この面内成分
Hdcの大きさは、Hz・sinθとなり、通常Hdc
=5〔Oe〕〜6〔Oe〕になるように傾斜角度θが選
定される。また、この面内成分Hdcの方向は、回転磁
界Hrのスタート・ストップ(St/Sp)方向(+x
軸方向)に一致するように傾斜されている。そして、そ
のxy面内成分Hdcは、回転磁界Hrのスタート・ス
トップ(St/Sp)動作に対して有効な働きをし、ホ
ールディングフィールドと呼ばれている公知の磁界であ
る。なお、チップCHI面に垂直に作用するバイアス磁
界Hbの大きさはHz・cosθとなる。
As shown in FIG. 29A, the magnet body BIM and the chip CHI
The DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane due to the inclination of the angle θ with. The magnitude of this in-plane component Hdc is Hz · sin θ, which is the normal Hdc.
The inclination angle θ is selected so as to be 5 [Oe] to 6 [Oe]. The direction of the in-plane component Hdc is the start / stop (St / Sp) direction of the rotating magnetic field Hr (+ x
It is inclined so as to match the (axial direction). The xy in-plane component Hdc is a known magnetic field called a holding field, which works effectively for the start / stop (St / Sp) operation of the rotating magnetic field Hr. The magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly to the surface of the chip CHI is Hz · cos θ.

さて、上述したホールディングフィールドHdcは、チ
ップCHIのxy面に対して常時作用するため、第29
図Bに図解したように前記チップCHIに作用する回転
磁界Hr′は偏心する。同図において、Hrは外部から
加えられる回転磁界、Hr′は、チップCHIに作用す
る回転磁界である。この場合、CHIに作用する回転磁
界Hr′は外部から加えられる回転磁界Hr′と面内成
分Hdcとを合成したものとなり、その回転磁界Hr′
の中心O′はスタート・ストップ(St/Sp)方向で
ある+x軸方向に面内成分Hdc分だけ平行移動する。
このため、同図の結果から明らかなように、外部から加
えている回転磁界Hrの強さが|Hr|であっても実効
的にチップCHIに作用する回転磁界の強度|Hr′|
は回転磁界Hrの位相によって異なる。すなわちSt/
Sp方向での|Hr′|は、|Hr|+|Hdc|とな
り、|Hr|に比べてホールディングフィールドHdc
の強さ|Hdc|だけ強くなっている。逆に、St/S
p方向と逆方向の場合の|Hr′|は|Hr|−|Hd
c|となり、|Hr|に比べて|Hdc|だけ弱まって
いる。
Since the holding field Hdc described above always acts on the xy plane of the chip CHI, the holding field Hdc is
As illustrated in FIG. B, the rotating magnetic field Hr ′ acting on the chip CHI is eccentric. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr 'is a rotating magnetic field acting on the chip CHI. In this case, the rotating magnetic field Hr ′ acting on CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr ′ applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the rotating magnetic field Hr ′.
The center O'of is moved in parallel in the + x axis direction which is the start / stop (St / Sp) direction by the in-plane component Hdc.
Therefore, as is clear from the result of FIG. 7, even if the strength of the rotating magnetic field Hr applied from the outside is | Hr |, the strength | Hr '| of the rotating magnetic field that effectively acts on the chip CHI.
Varies depending on the phase of the rotating magnetic field Hr. That is, St /
| Hr '| in the Sp direction becomes | Hr | + | Hdc |, which is a holding field Hdc compared to | Hr |
Is stronger by | Hdc |. Conversely, St / S
| Hr '| in the case of the direction opposite to the p direction is | Hr |-| Hd
c |, which is weakened by | Hdc | as compared with | Hr |.

(周辺回路 第30図) 最後にチップCHIの周辺回路を第30図で説明する。
RFはチップCHIのX及びYコイルに90゜位相差の電
流を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。S
AはチップCHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル検
出信号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリング
し感知、増幅するセンスアンプである。DRは、MBM
デバイスの書き込みに関係するバブル発生及びスワップ
並びに読み出しに関係するレプリケートの各機能導体に
所定のタイミングで電流を流す駆動回路である。以上の
回路は回転磁界Hrのサイクル及び位相角に同期して動
作するようタイミング発生回路TGによって同期化され
ている。
(Peripheral Circuit FIG. 30) Finally, the peripheral circuit of the chip CHI will be described with reference to FIG.
RF is a circuit for generating a rotating magnetic field Hr by passing a current having a 90 ° phase difference through the X and Y coils of the chip CHI. S
A is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies a minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of the chip CHI at the timing of the rotating magnetic field. DR is MBM
This is a drive circuit for supplying a current to each functional conductor of the bubble generation and swap related to the writing of the device and the replicate related to the reading related to the device at a predetermined timing. The above circuit is synchronized by the timing generation circuit TG so as to operate in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.

(回転磁界分布特性 第31図) 第31図は前述した磁気回路PECの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心をOとしてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度Hx
=OとしたときのX軸方向の回転磁界強度Hxをそれぞ
れ示すと、曲線Iで示すような回転磁界分布特性が得ら
れた。同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向
するコアCOR間の内側までの距離−Xc+Xcの範囲
まではほぼ均一な回転磁界強度Hxが得られ、また、チ
ップCHIの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範
囲)−Xe〜+Xeの範囲では±約2%の磁界強度一様
性が得られた。なお、破線で示す曲線IIは従来構成の磁
気回路による回転磁界分布特性である。
(Rotating magnetic field distribution characteristic FIG. 31) FIG. 31 shows the rotating magnetic field distribution characteristic of the above-mentioned magnetic circuit PEC. That is, in the figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center in the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B as O, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction.
When the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction when = 0 is shown, the rotating magnetic field distribution characteristics shown by the curve I were obtained. As is clear from the figure, a substantially uniform rotating magnetic field strength Hx is obtained up to the range of the distance −Xc + Xc to the inside between the opposing cores COR of the magnetic circuit PFC, and the effective area of the chip CHI (the rotating magnetic field is (Minimum range to be given) In the range of -Xe to + Xe, the magnetic field intensity uniformity of ± about 2% was obtained. A curve II shown by a broken line is a rotating magnetic field distribution characteristic of the conventional magnetic circuit.

(本発明の特徴部分) 以上本発明が適用されるべき磁気バルブメモリを説明し
たが、以下本発明の特徴部分を第32図〜第36図を用
いて説明する。
(Characteristic portion of the present invention) The magnetic valve memory to which the present invention is applied has been described above. The characteristic portion of the present invention will be described below with reference to FIGS. 32 to 36.

第32図はホールディング磁界を測定するためのソレノ
イドコイルSOCを付加した本発明の実施例の全体構造
を示す図である。SOCはケースRFSの外面に巻設さ
れたソレノイドコイルであり、この場合、このソレノイ
ドコイルSOCは、ケースRFSの外面に細線を寸法的
裕度をもたせて巻設したコイルボビンを挿入し、ケース
RFSの上下面方向からプレス成形することにより、ケ
ースRFSの外面に沿った形状で密着配置される。
FIG. 32 is a diagram showing the overall structure of an embodiment of the present invention in which a solenoid coil SOC for measuring a holding magnetic field is added. The SOC is a solenoid coil wound on the outer surface of the case RFS. In this case, the solenoid coil SOC is formed by inserting a coil bobbin wound by winding a fine wire on the outer surface of the case RFS with a dimensional margin. By press molding from the upper and lower surfaces, the shape is closely arranged along the outer surface of the case RFS.

第33図はソレノイドコイルSOCを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその33B−33B断面図であ
る。同図において、ソレノイドコイルSOCは、表面に
絶縁部材として例えば熱硬性樹脂が外面に被覆された巻
線4Dを、内径がケースRFS組立体を十分な寸法裕度
を有して挿入でき、しかも全体形状が長方円筒体状とな
るように整列巻きした後、熱溶着で互いに接着し、冷却
させて所定値のコイルボビン状に成形してコイル組立体
41が形成されている。
FIG. 33 is a view showing a solenoid coil SOC, FIG. 33A is a plan view, and FIG. 33B is a sectional view taken along the line 33B-33B. In the figure, the solenoid coil SOC has a winding 4D having an outer surface coated with, for example, a thermosetting resin as an insulating member, and an inner diameter capable of inserting the case RFS assembly with a sufficient dimensional margin. Coil assemblies 41 are formed by aligning and winding so as to form a rectangular cylindrical shape, then bonding them by heat welding, cooling and forming into a coil bobbin shape of a predetermined value.

第34図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述したソレノイドコイルSOC,磁石体BIMおよ
びバイアスコイルBICを組み込んだ断面図を示したも
のである。同図において、内部に基板組立体BNDおよ
び磁気回路PFCを収納したケースRFS組立体にコイ
ル組立体41を挿入し、上下方向からプレス成形するこ
とにより、ケースRFS組立体の外面形状に沿ってソレ
ノイドコイルSOCが密着配置される。また、このソレ
ノイドコイルSOCの上,下面にはそれぞれ上部磁石体
BIMa下部磁石体BIMbが接着配置される。
FIG. 34 is a sectional view showing the case RFS assembly described in FIG. 13 with the solenoid coil SOC, magnet body BIM and bias coil BIC incorporated therein. In the figure, the coil assembly 41 is inserted into the case RFS assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC therein, and press molding is performed from above and below to form a solenoid along the outer surface shape of the case RFS assembly. The coil SOC is closely arranged. Further, an upper magnet body BIMa and a lower magnet body BIMb are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of the solenoid coil SOC.

このように構成された磁気バブルメモリデバイスにおい
て、スタート・ストップ特性を測定する場合、まず磁気
バブルメモリデバイスを駆動させるとともに、内部にチ
ップCHIを収納した回転磁界閉じ込めケースRFS組
立体の外面に配設したソレノイドコイルSOCに、第3
5図に示すような直流電流Idを流す。なおIrは回転
磁界発生用の三角波電流である(第8図AのIxやIy
に対応)。これによってケースRFS組立体内に収納さ
れたチップCHIの表面には回転磁界Hrとともにこの
直流電流Idによる直流磁界Hが重畳されて印加され
る。この場合、この直流磁界HはケースRFS内に閉じ
込められてチップCHIの表面に平行かつ前記ホールデ
イング磁界Hdcとは逆方向の反磁界となって発生す
る。したがって前記直流電流Idを除々に増大させ、チ
ップCHIが誤動作を発生する程度まで印加して反磁界
を増加させることにより、第36図に示すように磁気バ
ブルメモリデバイスの動作領域Aにおけるホールディン
グ磁界Hdcの動作裕度ΔHが測定でき、この値からホ
ールディング磁界Hdcの設定値を得ることができるの
で、ホールディング磁界の適否の判断が容易に可能とな
る。
In measuring the start / stop characteristics of the magnetic bubble memory device configured as described above, the magnetic bubble memory device is first driven and is arranged on the outer surface of the rotating magnetic field confinement case RFS assembly in which the chip CHI is housed. To the solenoid coil SOC
A direct current Id as shown in FIG. 5 is passed. Ir is a triangular wave current for generating a rotating magnetic field (Ix and Iy in FIG. 8A).
Corresponding to). As a result, the DC magnetic field H due to this DC current Id is applied together with the rotating magnetic field Hr to the surface of the chip CHI housed in the case RFS assembly. In this case, this DC magnetic field H is confined in the case RFS and is generated as a demagnetizing field parallel to the surface of the chip CHI and opposite to the holding magnetic field Hdc. Therefore, the DC current Id is gradually increased and applied to the extent that the chip CHI malfunctions to increase the demagnetizing field, so that the holding magnetic field Hdc in the operating area A of the magnetic bubble memory device is increased as shown in FIG. Since the operating margin ΔH can be measured and the setting value of the holding magnetic field Hdc can be obtained from this value, it is possible to easily determine whether the holding magnetic field is appropriate.

なお、このソレノイドコイルSOCは約100e程度ま
での磁束が得られれば良いので、巻線厚は薄くても良
く、磁気バブルメモリデバイスの薄形化,小型化を阻害
することはない。
Since this solenoid coil SOC only needs to obtain a magnetic flux of up to about 100 e, the winding thickness may be thin and does not hinder the thinning and miniaturization of the magnetic bubble memory device.

また、ソレノイドコイルSOCをケースRFS組立体の
外側に配設したが、このケースRFS組立体の内側に配
設しても前述と全く同様の効果が得られる。
Although the solenoid coil SOC is arranged outside the case RFS assembly, the same effect as described above can be obtained by disposing the solenoid coil SOC inside the case RFS assembly.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように本発明によれば、フレキシブル配線
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を、額縁形コアの回
転磁気回路の空間部に配設するとともに、その全体を良
導電性材の回転磁界閉じ込めケース内に挟持させそのケ
ースの外面にソレノイドコイルを設けて周縁部を電気的
に接続したことにより、漏洩磁界を発生させる空間を小
さくできるので小さなVI積で一様性の高い回転磁界が
得られるとともに、回転磁界閉じ込めケースを小形化で
きることにより低消費電力が図られ、かつ全体形状を小
形,薄形化し、しかも磁気バブルのスタート・ストップ
特性が確実に保証された磁気バブルメモリデバイスが得
られるという極めて優れた効果が得られる。
As described above, according to the present invention, the magnetic bubble memory device mounted on the flexible wiring board is arranged in the space of the rotating magnetic circuit of the frame-shaped core, and the whole is confined in the rotating magnetic field of the good conductive material. Since a space for generating a leakage magnetic field can be made small by sandwiching it in a case and providing a solenoid coil on the outer surface of the case to electrically connect the peripheral edge portion, a highly uniform rotating magnetic field can be obtained with a small VI product. At the same time, the miniaturization of the rotating magnetic field confinement case results in low power consumption, a compact and thin overall shape, and a magnetic bubble memory device with guaranteed start / stop characteristics of the magnetic bubble. An extremely excellent effect can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図は本発明が適用される磁気バブルメモリデバイス
の全体を示す一部破断斜視図、第2図Aは底面図、第2
図Bは同図Aの2B−2B断面図、第3図は積み重ね構
造を示す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する
図、第5図は基板FPCにチップCHIを搭載した基板
組立体BNDを示す平面図、第6図はチップCHIを示
す図、第7図は基板組立体BNDのリードボンディング
を説明する図、第8図は磁気回路PFCを説明する図、
第9図は磁気回路PFCの製作方法を説明する図、第1
0図は内側ケースRFSbを示す図、第11図は外側ケ
ースRFSaを示す図、第12図はケースRFSの組立
図、第13図はケースRFS内に基板組立体BNDおよ
び磁気回路FPCを収納した組立体の断面図、第14図
は磁石体BIMの構成を説明する図、第15図はバイア
スコイルを説明する図、第16図はケースRFS組立体
に一対の磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを組
み込んだ組立体の断面図、第17図は外側シールドケー
スSHIaを示す図、第18図は内側シールドケースS
HIbを示す図、第19図はシールドケースSHIの組
立図、第20図は第16図に示す組立体をシールドケー
スSHI内に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパ
ッケージングケースPKGを示す図、第22図は端子固
定板TEFの構成を説明する図、第23図はコンタクト
パッドの構成を示す図、第24図はチップCHIの断面
図、第25図はチップCHIの磁気バブル検出器Dの構
成を示す図、第26図はチップCHIの磁気バブル発生
器GENの構成を示す図、第27図はチップCHIのス
ワップゲートSWPの構成を示す図、第28図はチップ
CHIのレプリケートゲートREPの構成を示す図、第
29図Aはバイアス磁界Hbとホールディング磁界Hd
cの関係を示す図、同図Bはトータル回転磁界Hr′を
示す図、第30図は磁気バブルメモリボードの全体回路
を示す図、第31図は回転磁界分布特性図である。第3
2図はホールディング磁界測定用のソレノイドコイルS
OCを付加した本発明の実施例の全体構造を示す図、第
33図A,BはそれぞれソレノイドコイルSOCの平面
と断面構造を示す図、第34図はソレノイドコイルSO
Cの実装を説明するための図、第35図はソレノイドコ
イルSOCに流す電流の波形図、第36図はそのバイア
ス磁界マージンを示す図である。 CHI……磁気バブルメモリチップ(素子)、FPC…
…フレキシブル配線基板(基板)、BND……基板組立
体、COI……駆動コイル(コイル)、COR……額縁
形コア(コア)、PFC……磁気回路、RFS……回転
磁界閉じ込めケース(ケース)、RFSa……外側ケー
ス、RFSb……内側ケース、BIM……バイアス磁界
発生用磁石体(磁石体)、BIMa……上部磁石体、B
IMb……下部磁石体、INM……傾斜板、MAG……
永久磁石板(磁石板)、HOM……整磁板、INN……
非磁性傾斜板、BIC……バイアス磁界発生用コイル
(バイアスコイル)、SHI……外部磁気シールドケー
ス(シールドケース)、SHIa……外側シールドケー
ス、SHIb……内側シールドケース、PKG……パッ
ケージングケース、TEF……端子固定板、CNP……
コンタクトパッド、1……素子搭載部、2,2a,2
b,2c,2d……折り曲げ部、3,3a,3b,3
c,3d……外部接続端子接続部、4,4a,4b……
開口部、5,5a,5b,5c……穿孔、6……基板突
出部、7……ベースフィルム、8……接着剤、9a……
配線用リード、9b……外部端子、9c……接続用端
子、9d……記号、9e……インデックスマーク、10
……カバーフィルム、11……錫メッキ層、12……開
口、13……半田メッキ層、14……ボンディングパッ
ド、15……金バンプ、20a,20b,20c,20
d……ヘリツクスコイル、21a,21b……接続点、
22a……Xコイル、22b……Yコイル、23……磁
気コア、24……タップ、25……幅の大きい溝、26
……幅の小さい溝、30……絞り部、31……折り曲げ
部、32……切欠き部、33……絞り部、34……折り
曲げ部、35……切欠き部、36……ポリイミドフィル
ム、37……接着剤、38……コイル巻線、40……巻
線、51……平坦部、52……折り曲げ部、53……凹
部、54……切欠き部、55……平坦部、56……折り
曲げ部、57……凹部、58……切欠き部、59……凹
部、60……樹脂板、61……貫通孔、62……非貫通
孔、63……マーク、64……開口、65……溝、66
……角部、70……素片、71……ニッケルメッキ層、
72……金メッキ層。
1 is a partially cutaway perspective view showing the entire magnetic bubble memory device to which the present invention is applied, FIG. 2A is a bottom view, and FIG.
FIG. B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. A, FIG. 3 is an exploded perspective view showing a stacking structure, FIG. 4 is a view for explaining a substrate FPC, and FIG. 5 is a substrate assembly in which a chip CHI is mounted on the substrate FPC. FIG. 6 is a plan view showing a three-dimensional BND, FIG. 6 is a view showing a chip CHI, FIG. 7 is a view explaining lead bonding of a substrate assembly BND, FIG. 8 is a view explaining a magnetic circuit PFC,
FIG. 9 is a diagram for explaining a method of manufacturing the magnetic circuit PFC, first
0 is a view showing the inner case RFSb, FIG. 11 is a view showing the outer case RFSa, FIG. 12 is an assembly view of the case RFS, and FIG. 13 is a case assembly in which the board assembly BND and the magnetic circuit FPC are housed. FIG. 14 is a cross-sectional view of the assembly, FIG. 14 is a view for explaining the structure of the magnet body BIM, FIG. 15 is a view for explaining the bias coil, and FIG. 16 is a case RFS assembly with a pair of magnet body BIM and bias coil BIC. FIG. 17 is a sectional view of the assembled assembly, FIG. 17 is a view showing the outer shield case SHIa, and FIG. 18 is an inner shield case S.
HIb, FIG. 19 is an assembly view of the shield case SHI, FIG. 20 is a sectional view of an assembly in which the assembly shown in FIG. 16 is incorporated in the shield case SHI, and FIG. 21 is a packaging case PKG. FIG. 22, FIG. 22 is a view for explaining the structure of the terminal fixing plate TEF, FIG. 23 is a view for showing the structure of the contact pad, FIG. 24 is a sectional view of the chip CHI, and FIG. 25 is a magnetic bubble detection of the chip CHI. 26 is a diagram showing the configuration of the device D, FIG. 26 is a diagram showing the configuration of the magnetic bubble generator GEN of the chip CHI, FIG. 27 is a diagram showing the configuration of the swap gate SWP of the chip CHI, and FIG. 28 is a replicate of the chip CHI. FIG. 29A shows the structure of the gate REP, and FIG. 29A shows a bias magnetic field Hb and a holding magnetic field Hd.
FIG. 30 is a diagram showing a total rotating magnetic field Hr ′, FIG. 30 is a diagram showing an entire circuit of the magnetic bubble memory board, and FIG. 31 is a rotating magnetic field distribution characteristic diagram. Third
Figure 2 shows solenoid coil S for holding magnetic field measurement
The figure which shows the whole structure of the Example of this invention which added OC, FIG. 33A and B are the figures which respectively show the plane and cross-section of solenoid coil SOC, and FIG. 34 is solenoid coil SO.
FIG. 35 is a diagram for explaining mounting of C, FIG. 35 is a waveform diagram of a current passed through the solenoid coil SOC, and FIG. 36 is a diagram showing a bias magnetic field margin thereof. CHI ... Magnetic bubble memory chip (element), FPC ...
... Flexible wiring board (board), BND ... Board assembly, COI ... Drive coil (coil), COR ... Frame-shaped core (core), PFC ... Magnetic circuit, RFS ... Rotating magnetic field confinement case (case) , RFSa ... Outer case, RFSb ... Inner case, BIM ... Bias magnetic field generating magnet body (magnet body), BIMa ... Upper magnet body, B
IMb ... Lower magnet body, INM ... Inclined plate, MAG ...
Permanent magnet plate (magnet plate), HOM ... magnetic shunt plate, INN ...
Non-magnetic inclined plate, BIC ... Coil for bias magnetic field generation (bias coil), SHI ... External magnetic shield case (shield case), SHIa ... Outer shield case, SHIb ... Inner shield case, PKG ... Packaging case , TEF …… Terminal fixing plate, CNP ……
Contact pad, 1 ... Element mounting part, 2, 2a, 2
b, 2c, 2d ... Bent portions, 3, 3a, 3b, 3
c, 3d ... External connection terminal connection part, 4, 4a, 4b ...
Openings, 5, 5a, 5b, 5c ... Perforations, 6 ... Substrate protrusions, 7 ... Base film, 8 ... Adhesive, 9a ...
Wiring lead, 9b ... External terminal, 9c ... Connecting terminal, 9d ... Symbol, 9e ... Index mark, 10
...... Cover film, 11 ...... tin plating layer, 12 ...... opening, 13 ...... solder plating layer, 14 ...... bonding pad, 15 ...... gold bump, 20a, 20b, 20c, 20
d ... Helix coil, 21a, 21b ... Connection point,
22a ... X coil, 22b ... Y coil, 23 ... magnetic core, 24 ... tap, 25 ... wide groove, 26
...... Narrow groove, 30 ...... Draw part, 31 ...... Bend part, 32 ...... Notch part, 33 ...... Draw part, 34 ...... Bend part, 35 ...... Notch part, 36 ...... Polyimide film , 37 ... Adhesive, 38 ... Coil winding, 40 ... Winding, 51 ... Flat portion, 52 ... Bent portion, 53 ... Recessed portion, 54 ... Notched portion, 55 ... Flat portion, 56 ... Bent portion, 57 ... Recessed portion, 58 ... Notched portion, 59 ... Recessed portion, 60 ... Resin plate, 61 ... Through hole, 62 ... Non-through hole, 63 ... Mark, 64 ... Opening, 65 ... Groove, 66
...... Corner part, 70 …… Element, 71 …… Nickel plating layer,
72 ... Gold-plated layer.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣田 和夫 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 木城 伸夫 千葉県茂原市早野3350番地の2 日立デバ イスエンジニアリング株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Kazuo Hirota, Kazuo Hirota, 292 Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama City, Kanagawa Prefecture, Ltd., Production Engineering Laboratory, Hitachi, Ltd. (72) Nobuo Kishiro, 3350, Hayano, Mobara, Chiba, Hitachi Device Engineering Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】向い合う巻線の組が互いに平行となるよう
にコイルを施した額縁形コアで形成される空間部に、フ
レキシブル基板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設
し、前記コイル,コアおよび磁気バブルメモリ素子の全
体を良導電性材ケース内に挾持させかつ前記磁気バブル
メモリ素子の表面に平行な直流磁界を印加するソレノイ
ドコイルを前記良導電性材ケースの近傍に配設し、上記
ソレノイドコイルに流す電流値を徐々に増大させながら
上記磁気バブルメモリを動作させることによりホールデ
ィング磁界の動作裕度を測定することを特徴とする磁気
バブルメモリの特性評価方法。
1. A magnetic bubble memory device mounted on a flexible substrate is arranged in a space formed by a frame-shaped core in which coils are arranged such that sets of windings facing each other are parallel to each other, and the coil, A solenoid coil for holding the entire core and the magnetic bubble memory element in a case of a good conductive material and applying a DC magnetic field parallel to the surface of the magnetic bubble memory element is arranged in the vicinity of the good conductive material case, A characteristic evaluation method of a magnetic bubble memory, characterized in that an operating margin of a holding magnetic field is measured by operating the magnetic bubble memory while gradually increasing a current value flowing in the solenoid coil.
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