JPS61248283A - Magnetic bubble memory device - Google Patents

Magnetic bubble memory device

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Publication number
JPS61248283A
JPS61248283A JP60088592A JP8859285A JPS61248283A JP S61248283 A JPS61248283 A JP S61248283A JP 60088592 A JP60088592 A JP 60088592A JP 8859285 A JP8859285 A JP 8859285A JP S61248283 A JPS61248283 A JP S61248283A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
magnetic field
magnetic
chip
coil
Prior art date
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Pending
Application number
JP60088592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
Toshio Futami
二見 利男
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60088592A priority Critical patent/JPS61248283A/en
Publication of JPS61248283A publication Critical patent/JPS61248283A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To improve the uniformity of a rotating magnetic field by constituting a core wound by a coil and a rotating magnetic field confining case approximately symmetrically about a shaft vertical to an element surface of a magnetic bubble memory chip. CONSTITUTION:Since recessed parts formed by drawing parts 30, 33 are formed on outer and inner cases RFSa, RFSb to reduce a gap between the opposed recessed parts, a rotating magnetic field is formed only by a horizontal compo nent because a component vertical to the plane of the chip CHI becomes adja cent to zero, so that the uniformity of the magnetic field can be improved. In addition, magnetic circuits PFC, RFS are approximately symmetrical about the shaft vertical to the element surface of the chip CHI. Consequently, the uniformity can be further improved.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置、特に薄形化。[Detailed description of the invention] [Field of application of the invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, particularly a thinner one.

小屋化、低消費電力化9組立性の改善に好適な磁気バブ
ルメモリ装置に関する。
This invention relates to a magnetic bubble memory device suitable for improving ease of assembly and reducing power consumption.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップを!ラントした8字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ツレ先 ノイドコイルからなる回転磁界発屍用Xコイル。
The magnetic bubble memory device that has been put into practical use in recent years is the magnetic bubble memory chip! An X-coil for rotating magnetic field generation, consisting of a rectangular curved-tip noid coil with an asymmetrical structure on a rounded figure-8-shaped wiring board made of ceramic or synthetic resin.

Xコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み立てた構造
となっている。Xコイル及びY:iイルは磁気バブルメ
モリチップだけでなく、チップよりもはるかに大きい配
線基板を巻く構造であるため、各コイルの端から端迄長
さが長くなり、駆動電圧、消費電力が大きくなってしま
う。また、Xコイル、Xコイルは磁気バブルメモリ素子
に均一かつ安定した面内回転磁界を付与するために均一
なインダクタバランスが要求されることから、そのコイ
ル形状が互いに異なる非対称構造となりかつ大型化構造
とならざるを得なかつた。さらkはこれらのXコイル、
Yコイルの外面には磁気バブルメモリ素子に垂直方向の
バイアス磁界を付与する一対の永久磁石板およびその整
磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂モールドによ
り被覆されている構造であるため、垂直方向の積層厚が
増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形化、小屋化へ
の要請に対して障害となりていた。
It has a structure in which each X coil is inserted and arranged orthogonally. The X coil and Y:I coil have a structure in which they wrap not only the magnetic bubble memory chip but also a wiring board that is much larger than the chip, so the length from end to end of each coil is long, reducing drive voltage and power consumption. It gets bigger. In addition, since the X coil and the X coil require a uniform inductor balance in order to provide a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory element, the coil shapes are different from each other and have an asymmetric structure, resulting in a larger structure. I had no choice but to do so. In addition, these X coils,
A pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and a magnetic shunt plate are arranged on the outer surface of the Y coil, and their peripheral parts are covered with a resin mold. The vertical stacking thickness has increased, which has been an obstacle to the desire to make magnetic bubble memory devices thinner and more compact.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては特
開昭54−55129号公報が挙げられる。
The closest prior art to the present invention known to the applicant is JP-A-54-55129.

この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完全
に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。しか
しながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されておら
ず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップへ
の電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させる
ことなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石、
整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であること
も含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立つ
には見るからに不十分である。すなわち、本発明の実施
例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の記
載とたまたま一致したに過ぎない。
This publication describes the structure of a frame-shaped core that surrounds a chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them. However, no further specific structure is shown, and it is theoretically impossible to make an electrical connection to a chip completely surrounded by a conductor case from outside the conductor case without shorting it. Possible and permanent magnet,
Including the fact that it is unclear how to attach the magnetic shunt plates, bias coils, etc., the description is clearly insufficient for people to think about putting it into practical use. In other words, the embodiment of the present invention merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core is used as a result.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that can be made thinner.

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリ装置を提供することにある
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that can be miniaturized by reducing the overall volume.

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリ装置を提供することkある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device with reduced power consumption.

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリ装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device in which the inductance of a rotating magnetic field generating coil is reduced to reduce the VI product.

本発明の他の目的は、構成部品の組立性を改善し、自動
化を可能又は容“易にした磁気バブルメモリ装置を提供
することkある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that has improved assembly of components and allows or facilitates automation.

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリ装置を提
供することkある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリ装置を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device whose cassette can be made smaller.

本発明の更に他の目的は回転磁界の一様性を向上させた
磁気バブルメモリ装置を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device with improved uniformity of a rotating magnetic field.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の一実施例によれば、額縁製コアを使用した駆動
磁気回路が提供される。磁気バブルメモリチップは額縁
塵コアに囲まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキ
シブル配線基板上に配置される。駆動磁気回路および磁
気バブルメモリチップは非磁性体で良導電体の回転磁界
閉じ込めケース内に収納される。このような構成によれ
ば回転磁界の一様性を向上させかつ全体形状を小型化、
薄形化させることができる。
According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a picture frame core is provided. The magnetic bubble memory chip is placed on the flexible wiring board so as to be surrounded by and substantially flush with the frame dust core. The drive magnetic circuit and the magnetic bubble memory chip are housed in a rotating magnetic field confinement case made of a non-magnetic and highly conductive material. Such a configuration improves the uniformity of the rotating magnetic field and reduces the overall size.
It can be made thinner.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図A、Bは本発明による磁気バブルメ
モリデバイスの一実施例を説明するための図であり、第
1図は一部破断斜視図、第2図Aはその底面図、第2図
Bは第2図Aの2B−2B断面図である。これらの図に
おいて、CHIは磁気バブルメモリチップ(以下チップ
と称する)であり、これらの図ではチップα工は省略し
て1個のみ表示しているが本実施例では2個並べ【配置
しているものとする。(1つの大容量チップよりも、合
計記憶容量をそれに合せた複数分割チップ構成の方がチ
ップ歩留が良い。) FPCは2個のチップCHIを搭
載しかっ4隅に千ツブ1工と外部接続端子との結線用線
群延長部を有するフレキシブル配線基板(以下基板と称
する)である。
(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 A and B are diagrams for explaining one embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention, and Figure 1 is a partially cutaway perspective view. 2A is a bottom view thereof, and FIG. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2A. In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip), and in these figures, the chip α is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. It is assumed that there is (Rather than a single large-capacity chip, a multi-divided chip configuration that matches the total memory capacity has a better chip yield.) The FPC is equipped with two chips CHI, and is connected externally to the 1,000-inch chip in each of the four corners. This is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) having a wire group extension for connection to a terminal.

COIは2個のチップCHIを―ぼ同一平面上でとり囲
み対向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイ
ル(以下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合
体COIの中空部分を貫通するように固定配置された軟
磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)であり
、このコアCOR,と各コイルCOIとでチップCHI
 k面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成して
いる。
The COI surrounds the two chips CHI on almost the same plane and is a drive coil (hereinafter referred to as a coil) arranged so that the opposing sides are parallel to each other, and the COR penetrates the hollow part of the rectangular coil assembly COI. This is a frame-shaped core (hereinafter referred to as core) made of soft magnetic material fixedly arranged as shown in FIG.
It constitutes a magnetic circuit PFC that applies a rotating magnetic field in the k-plane.

USは基板FPCの中央四角形部分と、2個のチップQ
−IIおよび磁気回路PFCの全体を収納する回転磁界
閉じ込めケース(以下ケースと称する)である。ケース
RIFISは2枚の独立した板を加工して形成され、ケ
ースの側面部で上下の板は電気的に接続され【いる。こ
れらのケース几F8には、チップCHIが配置された部
分よりやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭(なるよう
周辺部分に絞り部が形成されている。この絞り部は後述
する磁石体の位置決めにも利用できる。
US is the center square part of the board FPC and two chips Q
-II and a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the entire magnetic circuit PFC. The case RIFIS is formed by processing two independent plates, and the upper and lower plates are electrically connected at the side of the case. These case boxes F8 have a constriction part formed around the periphery so that the gap in the center part is narrow (in a slightly wider area than the part where the chip CHI is arranged). It can also be used for positioning.

ケース几F8は回転磁界閉じ込めと軟弱な基板FPCを
機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持つている。
Case F8 has the effect of confining the rotating magnetic field and mechanically supporting the weak FPC board, killing two birds with one stone.

ケースRF8とチップCHIとの間には、特にチップC
HIの側面部に隙間811(、があるが、チップCHI
の平面部も含めてこの隙間部分8I凡にはシリコーン樹
脂がコーティング又は充填され、チップ主表面に組立中
に異物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は
側面部に侵入することが少な(なるよう、パッジベージ
1ン効果が意図されている。もし、ケースRPSの外側
で完全な気密封止ができる場合、樹脂8I凡の充填は省
略しても良い。
In particular, there is a chip C between the case RF8 and the chip CHI.
There is a gap 811 (,) on the side of the HI, but the chip CHI
This gap portion 8I, including the flat surface of the chip, is coated or filled with silicone resin to prevent foreign matter from adhering to the main surface of the chip during assembly, and to prevent moisture from entering the main surface or side surfaces of the chip after assembly. (This is intended to provide a padding effect.) If a complete hermetic seal can be achieved on the outside of the case RPS, filling with resin 8I may be omitted.

INMはケースRIF′8の外側に配置された磁性材か
らなる一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜板IN
Mは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは右に寄
るに従っ【板厚が厚くなりており、双方はケースRF8
1mK傾斜面が形成されている。傾斜板INMの材料と
しては、透磁率μが高く保持カルの小さいソフト・フェ
ライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では
傾斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ。M
AGは一対の傾斜板INMの内側でそれと重ねて配置さ
れた一対の永久磁石板(以下磁石板と称する)である。
INM is a pair of inclined plates made of magnetic material arranged outside the case RIF'8, and in FIG.
As M moves to the left, the lower inclined plate INM becomes thicker as it moves to the right.
A 1 mK slope is formed. As the material for the inclined plate INM, soft ferrite, permalloy, or the like, which has a high magnetic permeability μ and a small retention cal, may be used, and in this embodiment, soft ferrite, which is easy to process into an inclined surface, is selected. M
AG is a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside the pair of inclined plates INM and overlapping them.

ROMは前記各磁石板MAGの内側でそれと重ねて配置
されたソフト・フェライトのような磁性材からなる一対
の整磁板である。磁石板MAGは全面にわたって均一の
板厚を有して形成されている。INNは一対の整磁板H
OMの内側対向面にそれと重ね℃配置された銅のように
熱伝導性が、良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜板
である。これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほぼ同
等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されてい
る。傾斜板INM 、磁石板MAG 、整磁板HOM及
び傾斜板INNは、それぞれ積み重ねて配置し一体化し
てバイアス磁界発生用磁石体BIM (以下磁石体と称
する)を構成したときk、積層板磁石体全体の厚さがほ
ぼ全面にわたって均一となるように形成されている。一
対の磁石体BIMはケース几FSの絞り部によって囲ま
れた中央の平な部分に接着されている。
The ROM is a pair of magnetic shunt plates made of a magnetic material such as soft ferrite and arranged inside and overlapping each of the magnet plates MAG. The magnet plate MAG is formed to have a uniform thickness over the entire surface. INN is a pair of magnetic shunt plates H
A pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity, such as copper, are placed on the inner facing surfaces of the OM and stacked thereon. These inclined plates INN are formed to have substantially the same inclination angle as the inclined plate INM, and have inclined surfaces in opposite directions. When the inclined plate INM, the magnet plate MAG, the magnetic shunt plate HOM, and the inclined plate INN are arranged in a stacked manner and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as a magnet body), a laminated plate magnet body is formed. The entire thickness is formed to be uniform over almost the entire surface. A pair of magnet bodies BIM are adhered to the central flat part surrounded by the constriction part of the case box FS.

BIGは磁石体BIMの周縁部とケースRF8との間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である。バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去)
する場合に駆動される。
BIG is a bias magnetic field generating coil (
(hereinafter referred to as bias coil). The bias coil BIC adjusts the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, and when testing for the presence or absence of unnecessary bubble generation, it clears all bubbles on the chip CHI.
It is driven when

8HIは前記チップCHIを搭載した基板FPCおよび
磁気回路PFCを収納したケースRF8と、その外側で
、一対の磁石体BIMa 、 BIMbおよびバイアス
コイルBICを収納する磁性材からなる外部磁気シール
ドケース(以下シールドケースと称する)である。シー
ルドケース8HIの材料としては、透磁率μが高く、飽
和磁束密度Bsが太き(、Hcの小さい磁性体が好まし
く、パーマロイやフェライトがそのような特性を持って
いるが、本実施例では折り曲げ加工に適し、機械的な外
力に対して強いパーマロイの鉄・ニッケル合金が選択さ
れた。
8HI is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as "shield") consisting of a case RF8 that houses a substrate FPC on which the chip CHI is mounted and a magnetic circuit PFC, and a magnetic material that houses a pair of magnets BIMa and BIMb and a bias coil BIC on the outside of the case RF8. case). The material for the shield case 8HI is preferably a magnetic material with a high magnetic permeability μ, a large saturation magnetic flux density Bs (and a low Hc), and permalloy and ferrite have such characteristics, but in this example, bending Permalloy, an iron-nickel alloy, was selected because it is suitable for machining and is strong against external mechanical forces.

PKGは前記シールドケース8HIの外周面に接着ある
いははめ込みにより取り付けられた熱伝導率が高く、加
工のし易い紅のような材質からなるパッケージングケー
スである。CNPは、前記基板FPCの4隅から延長し
て設けられシールドケースSHIの背面に折り返された
外部接続端子に接触するように配置されたコンタクトパ
ッドである。TEFは各コンタクトパッドGNPを開口
部の段差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子固定
板である。RIGはI(ツケージングケースPKGの内
側4隅に封入されかつシールドケース8HI組立体をパ
ッケージングケースPKG内部に固定する樹脂モールV
剤である。
PKG is a packaging case made of a red-like material that has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer circumferential surface of the shield case 8HI by adhesion or fitting. The CNPs are contact pads extending from the four corners of the substrate FPC and arranged so as to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. TEF is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at a stepped portion of an opening. RIG is I (resin molding V sealed in the four inner corners of the packaging case PKG and fixing the shield case 8HI assembly inside the packaging case PKG)
It is a drug.

(全体構造の特長 第1.2図) 第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第5図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成S品間の関連性を中心として
特長点な述べる。
(Features of the overall structure, FIG. 1.2) The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are enumerated as follows. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanations that follow from FIG. The main features will be described.

(1)  回転磁界発生用の磁気回路PFCを額縁型に
して、バブルメモリチップCHIをその傾向に嫌ぼ同一
平面上で配置しているので、バブルデバイス全体の厚さ
を薄くできる。現今の主流技術では、チップ上下面なX
及びXコイルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体
の厚さはチップ厚、Xコイル厚及びY:フイル厚の和の
関係となるからである。
(1) Since the magnetic circuit PFC for generating a rotating magnetic field is shaped like a picture frame, and the bubble memory chips CHI are arranged on the same plane, the thickness of the entire bubble device can be reduced. With current mainstream technology, X on the top and bottom of the chip
This is because the thickness of the entire device is the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and Y: the film thickness because the device is wound around the X coil and the X coil.

(2)Xコイル及びXコイルがはぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ネてXコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and the X coil are arranged on almost the same plane, there are the following effects compared to the conventional structure in which the X coil is wound over the X coil.

■コイルの線巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
■The wire winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.

■Xコイル及びY:Iイルとチップα工との距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたもの(
−機上の向上)とすることができる。
■The distance between the X coil and Y: I coil and the tip α can be made equal, and the magnetic field distribution can be balanced (
- on-board improvements).

(51回転磁界発生用の磁気回路PFCをケース8F8
で囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIk対
する駆動効率を高められる。
(51 Magnetic circuit PFC for generating rotating magnetic field is installed in case 8F8.
Since it is surrounded by , there is less leakage of magnetic flux and the drive efficiency for the chip CHIk can be increased.

(4)  ケースRF8は、回転磁界発生用のコイルC
OIから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
BIMに漏れるのを防ぎ、他方磁石体BIMからチップ
CHIへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。
(4) Case RF8 has a coil C for generating a rotating magnetic field.
It prevents the alternating current magnetic field generated from the OI from leaking to the magnet body BIM with a large magnetic permeability μ, and on the other hand, substantially prevents the passage of the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb to be applied from the magnet body BIM to the chip CHI. There is an option not to.

(5)  ケースRF8としては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。従り【、特に製造歩留を上げるため等の
理由により複数チップ実装構成とした場合は、チップ間
の傾斜角度バラツキが磁気%注に大きな影響を与えるが
、本実施例によればチップ間の傾斜角度のバラツキを小
さく押えられる。
(5) Since the case RF8 is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly. Therefore, [especially when a multi-chip mounting configuration is used for reasons such as increasing manufacturing yield, the variation in the inclination angle between chips has a large effect on the magnetic %Note, but according to this example, the variation between the chips Variations in inclination angle can be suppressed to a small level.

(6)  配線基板として7レキシプル配線基板FPC
を使用し【いるため下記の効果が得られる。
(6) 7 lexiple wiring board FPC as wiring board
By using [, the following effects can be obtained.

■基板厚を小さくできる。■The board thickness can be reduced.

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤボンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。
■Since the lead bonding method can be used, the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.

■上記■、■の効果は、磁気回路のギヤ、プ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積の磁石板MAGを使用することができ、デバイス全
体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。
■The effects of ■ and ■ above are due to the magnetic circuit gear, pu (magnetic permeability μ
It is possible to use a magnet plate MAG with a small thickness or a small plane area, which leads to a thinner device or a reduction in the plane area of the entire device.

■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の190’の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, the terminal portion 190' can be turned over, and the planar area of the entire device can be limited.

■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.

(7)  基板FPCの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケース几FSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the external wiring of the FPC board is concentrated at the corners of the rectangle, the opening of the rotating magnetic field confinement case FS can be provided at the corner where the influence is least.

(8)傾斜板INNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the inclined plate INN is not combined with the magnet or magnetization function, the following effects are obtained.

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できろ。
■ Materials such as copper that are easy to work with can be used to form the slope.

■熱伝導率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生
用のコイルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。
■Materials such as copper with good thermal conductivity can be used, and the heat generated by the coil COI for generating the rotating magnetic field can be efficiently dissipated.

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板HO
Mを通る磁界を乱さないようkすることができる。
■By using non-magnetic material, magnetic shunt plate HO
k so as not to disturb the magnetic field passing through M.

(9)  傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくする
ためkできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石板M
AGや整磁板HOM k比べて、傾斜角形成に必要十分
なところに制振するととによって、薄い厚さでの傾斜角
形成を容易としている。
(9) In order to reduce the magnetic gap, it is preferable that the inclined plate INN be as thin as possible, and its width should be determined by the magnetic plate M.
Compared to AG and magnetic shunt plate HOM k, the vibration is suppressed to the area necessary and sufficient to form the tilt angle, making it easier to form the tilt angle with a thinner thickness.

(10)磁石板MAGとシールド°ケースaHI間には
、透磁率μの大きいソフトツェライトのよ5な傾斜板I
NMが挿入されているので、その間の磁気的ギャップを
埋めることができる。また、板INMは放熱にも寄与す
る。板INMとしては磁石板MAGよりも保持力Hcの
小さい材料を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さ
を均一なままkしておくことができる。
(10) Between the magnet plate MAG and the shield case aHI, there is a sloped plate I such as soft zerite with a large magnetic permeability μ.
Since NM is inserted, the magnetic gap between them can be filled. The plate INM also contributes to heat radiation. Since a material having a smaller coercive force Hc than that of the magnet plate MAG is selected for the plate INM, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.

(11)シールドケース8HIは透磁率μの大きいI(
−マクイ等の磁性材料で構成しているため、磁石板MA
Gを磁界源とする磁気回路の磁気°抵抗を小さくできる
ので、磁石板MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(11) Shield case 8HI has a large magnetic permeability μ (I(
-Since it is made of magnetic material such as MAQUI, the magnetic plate MA
Since the magnetic resistance of the magnetic circuit using G as the magnetic field source can be reduced, the thickness and planar area of the magnet plate MAG can be reduced.

(12)シールドケース8HIは飽和磁束密度Beの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成し【いるため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップCHIに伝えない働
きがある。
(12) Since the shield case 8HI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Be, it has the function of bypassing external magnetic field noise and preventing it from being transmitted to the chip CHI.

(19上記(11) I (1りはそれぞれ、シールド
ケースSH1の厚さを薄くすることにつながる。
(19 above (11) I (1) each leads to reducing the thickness of the shield case SH1.

(14)  シールドケース8HIはパーマロイのよう
な鉄−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工
に適し、又機械的な外力に対し【その中に組み込まれた
部品を保護する働きがある。
(14) Since the shield case 8HI is made of an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and protects the parts built into it from external mechanical forces.

(15)回転磁界発生用の磁気回路PFCとバイアスコ
イルBICを共にコア型にしているので、ケースRF8
 、8HI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高
めることができる。
(15) Since the magnetic circuit PFC for generating a rotating magnetic field and the bias coil BIC are both core-type, case RF8
, 8HI or PKG can increase storage efficiency or packaging density.

(16)コアCOaと整磁板HOMとの間にはケースR
FSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの厚
さの他に回転磁界閉じ込めケース几F8の厚さ及び折り
曲げ角度で微調整できる。
(16) There is a case R between the core COa and the magnetic shunt plate HOM.
Since the FS is inserted, the interval can be finely adjusted by adjusting the thickness of the rotating magnetic field confinement case F8 and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI.

この距離は短ければ短い程全体の平面的な大きさt小さ
くすることができ、コイル長の低減による低消費電力化
につながる。しかしながら、その距離が短か過ぎると磁
石板MAGからの直流バイアス磁界迩が透磁率の高いコ
アCORに漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイ
アス磁界の一様性が悪(なる。従つ【、この距離は上記
特性上非常にシビアであり、本構造によるとその調整が
精密にできる0(17)回転磁界閉じ込めケースRF8
の周辺に絞り部を設け【いるため、磁石体BIMの位置
合せが容易である。
The shorter this distance is, the smaller the overall planar size t can be, which leads to lower power consumption by reducing the coil length. However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field from the magnet plate MAG will leak to the core COR, which has high magnetic permeability, resulting in poor uniformity of the bias magnetic field around the chip. The distance is very severe due to the above characteristics, and this structure allows for precise adjustment of the 0 (17) rotating magnetic field confinement case RF8.
Since a constriction portion is provided around the magnet, alignment of the magnet BIM is easy.

(1B)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に180@の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板ROMや1対の磁石M
AGをほぼ平行に合せることができ・る。
(1B) Two inclined plates INN made under the same manufacturing conditions are arranged so that there is a rotation angle difference of 180@ between the upper and lower surfaces of the chip. A pair of magnetic shunt plates ROM and a pair of magnets M
AG can be aligned almost parallel.

(組立の概要 第S図) 第S図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出し【入出力配線
の接続部を有しかつ中央部にチップ搭載部を有する基板
FPC上に2個のチップCHIを搭載した基板組立体B
NDを、底面に絶縁性シート56を接着配置した外側ケ
ースRFaa内に配置し、さらにこの基板FPC上に磁
気回路PFCを組み込んだ後、シリコーン樹脂SIR(
図示せず)を充填しその上部に内側ケース几F8bを外
側ケースRP8a IIC対して組み込み、外側ケース
RF8aと内側ケース凡F8bとの側面接触部分を半田
付等により電気的に接続する。
(Overview of assembly, Figure S) Figure S is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each of the components constituting the above-mentioned magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. . In the same figure, first, a board assembly B is shown in which two chips CHI are mounted on a board FPC that has connection parts for input/output wiring and has a chip mounting part in the center, protruding from the four corners.
After placing the ND in an outer case RFaa with an insulating sheet 56 adhesively arranged on the bottom surface and incorporating a magnetic circuit PFC on this board FPC, a silicone resin SIR (
(not shown), and the inner case box F8b is assembled into the outer case RP8a IIC on the top thereof, and the side surface contact portions of the outer case RF8a and the inner case box F8b are electrically connected by soldering or the like.

次にこれらの外側ケースRFS aおよび内側ケースB
、F8bの外面に設けられている凹状の絞り部に上側磁
石体BIMaおよび下側磁石体BIMbを配置した後、
この上側磁石体BIMaの外縁部と内側ケースRF8b
の内側とで形成される図示しない隙間に整列巻きされた
バイアスコイルBICを配置し、これらを外側シールド
°ケース5HIa内に収納し、更に内側シールド°ケー
ス8HIbヲ組み込み、外側シールドケース8HIaと
内側シールドケース8HIbとの側面接触部分を溶接等
により磁気的に接続する。
Next, these outer case RFS a and inner case B
, after arranging the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb in the concave aperture provided on the outer surface of F8b,
The outer edge of this upper magnet body BIMa and the inner case RF8b
A bias coil BIC wound in an aligned manner is placed in a gap (not shown) formed between the inside of the case 5HIa and the outer shield case 5HIa. The side surface contact portion with case 8HIb is magnetically connected by welding or the like.

次にシールドケース8HIの4隅から突出している前記
基板FPCの外部接続端子接続部を内側シールドケース
5HIbの背面に第4図BVC示すよ5に折り返し、一
定形状を有するように組み合わせて配置し、これらの接
続部にそれぞれ設けられている半田等で被覆された各外
部接続端子k、コンタクトパッドGNPを各開口部に搭
載した端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等により
各外部接続端子とコンタクトパッドGNPを半田付等に
より電気的に接続させる。
Next, the external connection terminal connection parts of the board FPC protruding from the four corners of the shield case 8HI are folded back to the back side of the inner shield case 5HIb as shown in FIG. Each external connection terminal k covered with solder or the like provided in each of these connection parts and a terminal fixing plate TEF with a contact pad GNP mounted in each opening are placed in contact with each other and connected to each external connection terminal by thermocompression bonding or the like. Contact pad GNP is electrically connected by soldering or the like.

次にこれらの組立体をパッケージングケースPkG内に
収納し、端子固定板’I’ll?とパッケージングケー
スPKGの接触部においてハーメチックシール等の封止
を行って組み立てられる。
Next, these assemblies are stored in the packaging case PkG, and the terminal fixing plate 'I'll? The contact area between the packaging case PKG and the packaging case PKG is sealed using a hermetic seal or the like.

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.

(7レキシプル配si板 〆4図) 第4図は基板FPCy示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅ρ1ら突出している外部接続端子の接
続部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは
同図Aの4e−4CC拡大面図、同図りは同図AのaD
−40拡大断面図である。同図において、基板F1’C
は、中央部に角形状のチップ搭載@1と、この4隅に巾
の小さい折り曲げ部2 (2a 、 2b 、 2C、
2d )と、この先端部に角形状の外部接続端子接続部
(以下接続部と称する) 5 (5a、5b、5c、5
d)とを有し、全体形状かはぼ風車状をなして一体的に
形成されており、また、このチップ搭載部1の対向辺側
には後述する2個のチップCHIを搭載しその端子部を
接続させる2重枠構造の矩形状開口部a(aamab)
および位置決め用の5個の穿孔5(5a、5b、5c)
が設けられ、さらに1個の接続部5Cの先端には位置決
め用の基板突出部6が設けられている@ また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介し【銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図AVc示すような配線用リード9a
、円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用
端子9C,記号9dおよびインデックスマーク9e等の
パターンが形成され、さらにこれらの上面には前記同様
な部材からなる接着剤8を介して透光ないし半透光性の
カバーフィルム10が接着配置されている。
(7 Lexiple Si board 〆Figure 4) Figure 4 is a diagram showing the board FPCy, Figure A is its plan view, Figure B is the connection part of the external connection terminal protruding from the four corners ρ1 is folded back and assembled. The arranged plan view, the same figure C is the 4e-4CC enlarged view of the same figure A, the same figure is the aD of the same figure A
-40 is an enlarged sectional view. In the same figure, the substrate F1'C
has a square chip mounted @1 in the center and small bent parts 2 (2a, 2b, 2C,
2d), and a square external connection terminal connection part (hereinafter referred to as a connection part) 5 (5a, 5b, 5c, 5
d), and is integrally formed with the overall shape of a windmill, and two chips CHI, which will be described later, are mounted on opposite sides of the chip mounting section 1, and their terminals are connected to each other. A rectangular opening a (aamab) with a double frame structure that connects the parts.
and 5 perforations 5 (5a, 5b, 5c) for positioning
Further, a board protrusion 6 for positioning is provided at the tip of one connection part 5C.@ Also, as shown in FIG. By forming a copper thin film on the base film 7 made of a resin film via an epoxy adhesive 8 and etching it into a desired pattern shape, wiring leads 9a as shown in the figure AVc are formed.
, a circular external terminal 9b, an elliptical coil lead connection terminal 9C, a symbol 9d, and an index mark 9e. A light or semi-transparent cover film 10 is adhesively arranged.

そして、この基板FPCの開口部4においては、図示し
ないチップCHI搭載側となるベースフィルム7が高い
精度の寸法で開口が形成され、また、その上面側カバー
フィルム10には比較的寸法の大きい開口が形成され、
さらにベースフィルム7とカバーフィルム10との間に
は配線用リード9aが露出し、この配線用リード9aの
表面には錫メッキ層11が形成され、開口形状が2層構
造でかつ2重枠構造を有して形成されている。
In the opening 4 of this substrate FPC, an opening is formed with highly accurate dimensions in the base film 7 on the chip CHI mounting side (not shown), and a relatively large opening is formed in the cover film 10 on the upper surface side. is formed,
Further, a wiring lead 9a is exposed between the base film 7 and the cover film 10, a tin plating layer 11 is formed on the surface of the wiring lead 9a, and the opening shape has a two-layer structure and a double-frame structure. It is formed with

一方、接続部5においては、同図りに示すようにカバー
フィルム10の前記円形状外部端子9bおよび図示しな
い楕円状の外部端子9cと対応する部位に円形状の開口
12が形成され、その開口12から露出した外部端子9
b 、 9c銅薄膜パターン上にはめつき或いはディッ
プ等による半田層15が形成されている。そして、これ
らの接続部5に設けられた各外部端子9b 、 9cは
各接続部5a 、 5b。
On the other hand, in the connecting portion 5, as shown in the figure, a circular opening 12 is formed in a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown). External terminal 9 exposed from
b, 9c A solder layer 15 is formed on the copper thin film pattern by plating or dipping. The external terminals 9b and 9c provided in these connecting portions 5 are connected to the connecting portions 5a and 5b.

5c 、 5dおよび折り曲げ部2a 、 2b 、 
2c 、 2d並びにチップ搭載部1上に連続して形成
された各配線用リード9aに接伏され、これらの配線用
リード9aはチップ搭載部1に設けられた各開口部43
゜4bの開口端の一部に各接続部5a 、 5b 、 
5c e 5dのブロック毎に集結してその先端部が各
開口部4a。
5c, 5d and bent portions 2a, 2b,
2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the chip mounting part 1, and these wiring leads 9a are connected to each opening 43 provided in the chip mounting part 1.
Each connection part 5a, 5b,
5c e 5d are gathered in blocks, and the tips thereof are each opening 4a.

4b内VciB出されている。すなわち同図Aに示すよ
5に接続部5aの配線用リード9aは開口部4aの左上
部に、接続部5bの配線用リード9aは開口部4bの左
下部に、接続部5Cの配線用リード9aは開口部4aの
右上部に、また接続部5dの配線用リード9aは開口部
4bの右下部にそれぞれ配線されている。
VciB in 4b is output. That is, as shown in FIG. 5A, the wiring lead 9a of the connecting portion 5a is placed at the upper left of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting portion 5b is placed at the lower left of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting portion 5C is placed at the lower left of the opening 4b. 9a is wired to the upper right of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connection portion 5d is wired to the lower right of the opening 4b.

そして、この基板FPCは、後述する工程で各接続部5
a 、 5b 、 5c 、 5dが各折り曲げ部2a
 、 2b 。
Then, this board FPC is connected to each connecting portion 5 in a process described later.
a, 5b, 5c, 5d are each bent portion 2a
, 2b.

2c、 2dで折り曲げられて同図Bに示すように組み
合わされ、半田層1Sを形成した各外部端子9b。
Each external terminal 9b is bent at 2c and 2d and combined as shown in FIG. 2B to form a solder layer 1S.

9Cが表面に露出し、また、配線用リード9a、記号9
dおよびインデックスマーク9eは表面がカバーフィル
ム10により被覆されているので、これらのパターンは
カバーフィルム10を透かして容易に判読できるように
構成されている。
9C is exposed on the surface, and wiring lead 9a, symbol 9
d and the index mark 9e are covered with the cover film 10, so that these patterns can be easily read through the cover film 10.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、チップ搭載部1の4隅に各折り曲げ部
za e 2b g 20 # 2aを介して各接続部
5a 、 5b 、 5c 、 5dを設けた風車状に
構成し、これらの各接続部5a 、 5b 、 5c 
、 5dを折り返し組み合わせて外部端子部を構成した
ことにより。
In such a configuration, the substrate FPC is made of a polyimide resin film, and each connection part 5a, 5b, 5c, 5d is provided at the four corners of the chip mounting part 1 via each bent part zae2bg20#2a. Each of these connecting portions 5a, 5b, 5c
, 5d is folded back and combined to form the external terminal section.

チップ搭載部1と接続部とが2層配線構造となるので、
接続部Sの面積を小さくすることなく、チップ搭載部1
0面積を大きくさせ、併せて外部端子部の多端子化が可
能となり、全体形状を小形化することができる。
Since the chip mounting part 1 and the connection part have a two-layer wiring structure,
The chip mounting area 1 can be easily integrated without reducing the area of the connecting area
The zero area can be increased, and at the same time, the number of external terminals can be increased, and the overall shape can be reduced.

また、このような構成において、各外部端子9bからチ
ップ搭載部1の各開口部4a 、 4bまでの配線リー
ド9aを大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響
を大幅に減らすことができる。
Further, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the chip mounting section 1 can be significantly shortened, so that the influence of external noise etc. can be significantly reduced.

すなわち87N比の高い信号を入出力させることができ
る。さらに接続部5Cの一端に基板矢出1@S6を設け
るとともに、この突出部6にインデックスマーク9eを
設けたことにより、折り返し組み立てた際の基板中央部
の表示用、ケース几FSおよび8HI (第2図参照)
に組み込む際の位置合せ用、配線リード9aの種類の区
別用あるいは製品型式の表示用等の判別に利用してその
判別が容易となるので、組み立ておよび基板管理等を合
理化することができる。また、基板FPCのチップ搭載
部1の両端側に穿孔5a 、 5b 。
That is, signals with a high 87N ratio can be input and output. Furthermore, by providing a board arrow 1@S6 at one end of the connecting part 5C and providing an index mark 9e on this protruding part 6, the case box FS and 8HI (No. (See Figure 2)
Since it is easy to use for positioning when assembling the wiring lead 9a, distinguishing the type of wiring lead 9a, or displaying the product model, it is possible to streamline assembly, board management, etc. Additionally, holes 5a and 5b are provided at both ends of the chip mounting portion 1 of the FPC board.

5cを設けたことにより、基板FPCの左右の区別、チ
ップCHIの位置決め等が容易となり、同様に組み立て
性を合理化することができる。
By providing 5c, it becomes easy to distinguish between the left and right sides of the board FPC, position the chip CHI, etc., and it is also possible to streamline assembly.

(基板組立体 第5 = 6 m 7図)第5図は前述
した基板FPCにチップCHIを搭載した平面図を示し
たものである。同図において、基板FPCのチップ搭載
部1には2@1のチップCHIが開口部4a 、 4b
間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構成され
ており、このチップCHIの1個は、第6図に拡大平面
図で示すようにIMbの2プaツクが一体化して構成さ
れ、2個のチップCHIでは4ブロツク、合計で4Mb
チップを構成している。なお、第6図に示したチップC
HIの1ブロツクにおいて、太線は導体パターン、細線
はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示している。ま
た、第5図に示したチップCHIは、第7図A、第7図
BVCそれぞれ拡大断面図で示すようにチップCHIの
端部に金メツΦして設けられた各ポンディングパッド1
4と、基板FPC開口部4の錫メッキ層11が形成され
た配線用リード9aとの間に金バンプ15を介在させて
熱圧着法によるAu −Sn共晶によりリードボンディ
ングされて搭載されている。
(Substrate assembly No. 5 = 6 m Figure 7) Figure 5 shows a plan view of the chip CHI mounted on the aforementioned substrate FPC. In the figure, 2@1 chips CHI are mounted in the chip mounting part 1 of the FPC board through openings 4a and 4b.
A board assembly BND is configured by being mounted in parallel between the two chips, and one of the chips CHI is configured by integrating two chips of IMb, as shown in an enlarged plan view in FIG. With 2 chips CHI, 4 blocks, total 4Mb
It makes up the chip. Note that the chip C shown in FIG.
In one block of HI, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths. In addition, the chip CHI shown in FIG. 5 has each bonding pad 1 provided with a metal fitting Φ at the end of the chip CHI, as shown in the enlarged cross-sectional views of FIG. 7A and FIG. 7 BVC, respectively.
4 and the wiring lead 9a on which the tin plating layer 11 of the substrate FPC opening 4 is formed, gold bumps 15 are interposed, and lead bonding is carried out using Au-Sn eutectic using thermocompression bonding. .

このような構成によれば、基板FPCの開口部aa 、
 abの配線用リード9aとチップCHIのポンディン
グパッド14とがAu −8n共晶によるリードボンデ
ィングにより接続されてチップCHIが支持固定できる
ので、接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が
可能となる。また、チップCHIの表面が基板FPCの
チップ搭載部1により被覆されるので、チップCHIの
表面が保護され、ハンドリング性を向上させることがで
きるとともに、基板FPCの機械的強度を保持すること
ができる。また、このような構成によれば、各チップC
HIが2ブロツクからなり、2個のチップCHIは4ブ
ロツクで構成されているので、各ブロックをそれぞれ最
も近接する各接続部SR、5b。
According to such a configuration, the openings aa of the substrate FPC,
The ab wiring lead 9a and the bonding pad 14 of the chip CHI are connected by lead bonding using Au-8n eutectic, and the chip CHI can be supported and fixed, so the connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. becomes. In addition, since the surface of the chip CHI is covered by the chip mounting part 1 of the FPC board, the surface of the chip CHI is protected, the handling property can be improved, and the mechanical strength of the FPC board can be maintained. . Moreover, according to such a configuration, each chip C
Since the HI consists of two blocks and the two chips CHI consists of four blocks, each block is connected to its closest connecting portion SR, 5b.

5c 、 5dへ分配して配線でき、チップCHI配置
の対称性が得られ、試験、検査等が極めて容易となる。
Wiring can be distributed to 5c and 5d, and symmetry of chip CHI arrangement can be obtained, making testing, inspection, etc. extremely easy.

さらに基板FP(、&C4個の接続部5a 、 5b 
Furthermore, the board FP (, &C4 connection parts 5a, 5b
.

5c 、 5dを設けているので、各手ツブCHIの磁
気パズル検出器DEFおよびマツグループ等の配線を他
の機能配線と区別して1個所の接続部に集結させ(第6
図参照)、この接続部を雑音発生源から遠ざける部位に
選定して配置することにより、雑音の極めて少ない入出
力信号を授受することができる。
5c and 5d, the wiring for the magnetic puzzle detector DEF and pine group of each handpiece CHI can be distinguished from other functional wiring and concentrated in one connection part (6th
(see figure), by selecting and arranging this connection at a location away from the noise source, input/output signals with extremely low noise can be exchanged.

(駆動磁気回路 第8.9図) 第8図は磁気回路PFCi示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図におい【、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアCOaの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して4組のコイル20a 、 20b 
、 20C、20dからなるコイルCOIが巻設され、
互いに対向する辺上のコイ#2Qaと20bとを接続点
21bを介して直列巻きさせてXコイル22aを、コイ
ル20cト20dとを接続点21aを介して直列巻きさ
せてYコイル22bをそれぞれ構成している。そして、
Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の90度異
なる電流IxおよびIy(例えば三角波電流)を供給す
ることにより、同aBに示すようにX軸方向に漏洩磁界
Hxが、y軸方向には漏洩磁界H7が発生し、前述した
2個のチップCHIk回転磁界として供給される。
(Driving magnetic circuit FIG. 8.9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFCi, where A is a perspective view and FIG. B is a plan view showing the driving magnetic circuit. In the same figure, the magnetic circuit PFC consists of four sets of coils 20a and 20b wound in the direction of the arrows on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COa made of a soft magnetic material.
A coil COI consisting of , 20C and 20d is wound,
Coils #2Qa and 20b on opposing sides are wound in series via a connection point 21b to form an X coil 22a, and coils 20c and 20d are wound in series via a connection point 21a to form a Y coil 22b. are doing. and,
By supplying currents Ix and Iy (for example, triangular wave currents) with phases different by 90 degrees to the X coil 22a and the Y coil 22b, a leakage magnetic field Hx is generated in the X-axis direction and a leakage magnetic field is generated in the y-axis direction, as shown in aB. H7 is generated and supplied as the above-mentioned two chip CHIk rotating magnetic fields.

また、このように構成される磁気回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア25に巻線を複数プaツク毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a 、 20bからなる一対のXコイル22aを形成し
た後、各コイル20gと20bとの間に一定の巾を有す
る幅の広い溝25とさらに幅の小さい@26とを切削加
工して設け、しかる後、この幅の小さい#126部分か
ら切断し【両者に分割された幅の広い11125を互い
に直交する方向に組み合わせて接着し、第8図に示すよ
うに額縁形に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝
25および幅の小さい溝261に予め形成した直方体コ
ア25にコイル20a 、 20bをタップ24を介し
て巻設し、一対のXコイル22aを形成してもよい。ま
た、前述した一対のY゛コイル22bついても全く同様
に形成される。
Further, in the magnetic circuit PFC configured in this way, as shown in a perspective view in FIG.
are provided and wound in series to form a pair of coils, for example coil 20.
After forming a pair of X coils 22a consisting of coils 20g and 20b, a wide groove 25 having a constant width and a narrower groove 26 are formed by cutting, and then After that, the small width #126 part is cut out, and the wide two parts 11125 are combined and glued together in directions perpendicular to each other to form a picture frame shape as shown in FIG. Alternatively, the pair of X coils 22a may be formed by winding the coils 20a and 20b through the taps 24 around the rectangular parallelepiped core 25 previously formed in the wide groove 25 and the narrow groove 261 described above. . Furthermore, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア25にコイ
ル20a 、 20bを直列方向にタップ24を設けて
巻設しているので、第8図に示すように組み立て構成し
た場合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がな
くなり、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 25 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル22aとYコイル2
2bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路PPCはチップCHIの上、下面に配置され
ない額゛縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さく
なり、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
2b has a symmetrical structure, resulting in a rough coupling,
The inductance balance is improved, and magnetic interference between magnetic bodies due to leakage magnetic fields can be prevented. Furthermore, since the magnetic circuit PPC has a frame-shaped structure that is not placed on the upper or lower surface of the chip CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.

(回転磁界閉じ込めケース 第10 、11 、12図
)第10図は内側ケースRF8bを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその1oB −1oB断面図であ
る。同図において、内側ケースRF8bは、その中央部
分が凹状となる枠形状の絞り部50と、その対向端辺が
上方向にほぼ90度折り曲げられた折り曲げ部51と、
その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部S2とを
それぞれ有して構成   1されており、このケースR
,F8bは良導電性材料、例えば無酸素鋼板をプレス加
工して形成されている。この場合、絞り部50および折
り曲げ部S1はこの内側ケースRF8bのねじれ方向の
機械的強度を向上させるとともに、互いに対向する折り
曲げ部31相互間の縦横方向の外径寸法りを適宜制限す
ることができる。また、絞り部SOは、このケースEt
F8bの外面側に配設される磁石体BIMbと、内面側
に配置されるチップCHIとの間の距離を適宜調整する
ことができる。なお、4隅に設けた切り欠き部52は、
このケースHFISb内に配役される基板FPCの各折
り曲げ部2a 、 2b。
(Rotating magnetic field confinement case Figures 10, 11, and 12) Figure 10 is a diagram showing the inner case RF8b, in which Figure A is a plan view and Figure B is a 1oB-1oB sectional view thereof. In the figure, the inner case RF8b includes a frame-shaped constriction part 50 whose central part is concave, and a bent part 51 whose opposing end side is bent upward by approximately 90 degrees.
Each of its four corners has a notch S2 cut diagonally.
, F8b are formed by pressing a highly conductive material, for example, an oxygen-free steel plate. In this case, the constricted portion 50 and the bent portion S1 can improve the mechanical strength of the inner case RF8b in the torsion direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 31 facing each other. . In addition, the aperture part SO is in this case Et
The distance between the magnet body BIMb arranged on the outer surface side of F8b and the chip CHI arranged on the inner surface side can be adjusted as appropriate. Note that the notches 52 provided at the four corners are
Each bent part 2a, 2b of the board FPC is placed in this case HFISb.

2c 、 2dの引出し部分を形成している。It forms the drawer parts 2c and 2d.

このような構成によれば、内側ケースRFSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することかできる。
According to such a configuration, the inner case RFSb can be formed by a press working method, so it can be manufactured with high precision dimensions and at low cost.

なお、内側ケースR,P8bは、無酸素銅を用いたが、
この他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキ
を施した板材を用いても良い。
In addition, although oxygen-free copper was used for the inner case R and P8b,
In addition, copper, silver, gold plates, or plated alloy plates of these may be used.

第11因は前述した内側ケースRF8bに対応する外側
ケースRF8aを示す図であり、同図Aは平面図、同図
BはそのIIB −11B断面図である。
The eleventh factor is a diagram showing an outer case RF8a corresponding to the inner case RF8b described above, where A is a plan view and B is a sectional view taken along line IIB-11B.

同図において、この外側ケースRFSaは、前述した内
側ケースRF8bと同等の材料および製作法により形成
され、その構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状と
なる枠形状の絞り部5Sと、その対向端辺が上方向にほ
ぼ90度に折り曲げられた折り曲げ部54と、その各4
隅が斜め方向に切断された切り欠き部55とを有して構
成されている。この場合、互いに対向する折り曲げ部5
4は、その相互間の内側寸法が、前述した内側ケースR
F8bの折り曲げ部51相互間の外側寸法りとほぼ同等
値を有しかつ高さHを大きくして形成され゛ている。な
お、この絞り部55および切り欠き部55は前述した内
側ケースRFsbとほぼ同等の寸法を有して形成されて
いる。
In the same figure, the outer case RFSa is formed using the same materials and manufacturing method as the inner case RF8b described above, and its structure is almost the same as described above, including a frame-shaped constriction part 5S with a concave central part, and A bent portion 54 whose opposing end side is bent upward at approximately 90 degrees, and each of the bent portions 54
The corner has a notch 55 cut diagonally. In this case, the bent portions 5 facing each other
4, the inner dimension between them is the inner case R mentioned above.
It is formed to have approximately the same value as the outer dimension between the folded portions 51 of F8b, and to have a larger height H. Note that the constricted portion 55 and the cutout portion 55 are formed to have substantially the same dimensions as the aforementioned inner case RFsb.

とのよ51Cfll成された外側ケースRF8aおよび
内側ケースRFSbは、第12図人にその平面図。
FIG. 12 is a plan view of the outer case RF8a and the inner case RFSb, which are constructed as shown in FIG.

第12図Bに12B −12B断面図でそれぞれ示すよ
うに、外側ケ−x RFaa内に内側ケースRFSbを
挿入し、外側ケースRF8aの折り曲げ部51の外面と
を互いに接触させて接続することにより、一体化された
ケース几F8が組み立てられる。
As shown in the 12B-12B sectional view in FIG. 12B, by inserting the inner case RFSb into the outer case x RFaa and connecting the outer surface of the bent portion 51 of the outer case RF8a by bringing them into contact with each other, An integrated case box F8 is assembled.

(ケース組立体 第15図) 第1S図は前述したケース組立体に基板組立体BNDを
収納配置した断面図を示したものである。
(Case Assembly FIG. 15) FIG. 1S is a sectional view showing the board assembly BND housed in the case assembly described above.

同図において、外側ケースRF8aの底面には、電気的
絶縁性シートとして、例えば厚さ約α111m1程度の
ポリイミドフィルム56が接着配置され、このフィルム
56上には基板組立体BNDが、また、その周縁部には
磁気回路PFCがそれぞれ配置され、さらに基板組立体
ENDの上面にエポキシ系の接着剤57を塗布した後、
これらの上方部には内側ケースRF8bが挿入されて接
合配置されている。この場合、この外側ケース几FSa
の折り曲げ部54の内面と内側ケースuSbの折り曲げ
部51の外面とがX印で示す部分でメタル70−あるい
は半田付等により電気的1機械的に接合されている。ま
た、この外側ケースRFSaと内側ケース凡FSbとの
間の隙間部分にはシリコーン樹脂SIR,が充填され基
板組立体BNDおよび磁気回路PFCが固定配置されて
いる。なお、この場合、これらの外側ケース凡F8aお
よび内側ケースuSbの4隅に設けられた図示しない各
切り欠き部52 、55には基板FPCの折り曲げ部2
(2a。
In the same figure, a polyimide film 56 with a thickness of approximately α111 m1 is adhesively arranged as an electrically insulating sheet on the bottom surface of the outer case RF8a, and a board assembly BND is placed on this film 56, and its peripheral edge is A magnetic circuit PFC is arranged in each part, and after applying an epoxy adhesive 57 to the upper surface of the board assembly END,
An inner case RF8b is inserted into the upper part of these and arranged to be joined. In this case, this outer case 几FSa
The inner surface of the bent portion 54 of the inner case uSb and the outer surface of the bent portion 51 of the inner case uSb are electrically and mechanically joined by metal 70 or soldering at a portion indicated by an X mark. Further, the gap between the outer case RFSa and the inner case FSb is filled with silicone resin SIR, and the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In this case, the bent portions 2 of the FPC board are inserted into the not shown notches 52 and 55 provided at the four corners of the outer case F8a and the inner case uSb.
(2a.

zb 、 2C、2d )が外部へ引出されている。5
8はコイルCOI同志の接続またはコイルCOIとfi
板FPC上に設けられた外部端子9cを接続するための
リード線である。
zb, 2C, 2d) are drawn out. 5
8 is the connection between coil COI or coil COI and fi
This is a lead wire for connecting the external terminal 9c provided on the FPC board.

このような構成において、磁気回路PFCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRF8には閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFa内に閉じ込められ、したがってチ
ップCHIには均一な回転磁界が付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit PFC, an induced current flows through the case RF8 to form a closed loop, and this induced current confines the rotating magnetic field within the case RFa, thus causing the chip CHI is applied with a uniform rotating magnetic field.

このような構成によれば、外側ケースRF8aおよび内
側ケースFLFSbとの間に中央部分の凹状部内に基板
FPCに搭載されたチップCHIを、周縁部分の凸状部
内に磁気回路PFCをそれぞれ挾持させて配置したので
パッケージング効果が向上できるとと、もに、組立性が
大幅に向上できる。また、外側ケースKFSaおよび内
側ケースapsbで覆われる体積が減少することにより
、VI積((体積)が低減でき、回転磁界を発生させる
磁気回M PFCの小形化が可能となる。さらに外側ケ
ースRF8aおよび内側ケースRF8bに絞り部50 
、55で形成される凹状部を設は対向する凹状部間のギ
ャップを減少させることにより、回転磁界はチップCH
Iの平面に垂直な成分(Z成分)が零に近接して水平な
成分のみとなり、−根性を向上させることができる。ま
た、チップCHIの素子面に垂直な軸に対して磁気回路
PFC及びケースRF8がほぼ対称構造であるため、−
根性を更に向上させることができろ。
According to such a configuration, the chip CHI mounted on the board FPC is sandwiched between the outer case RF8a and the inner case FLFSb in the concave part of the central part, and the magnetic circuit PFC is held in the convex part of the peripheral part. This arrangement not only improves the packaging effect but also greatly improves the ease of assembly. In addition, by reducing the volume covered by the outer case KFSa and the inner case apsb, the VI product ((volume) can be reduced, and the magnetic circuit M PFC that generates the rotating magnetic field can be made smaller. Furthermore, the outer case RF8a and a throttle part 50 on the inner case RF8b.
, 55 by reducing the gap between the opposing recesses, the rotating magnetic field can be applied to the chip CH
The component perpendicular to the plane of I (Z component) is close to zero and there is only a horizontal component, which can improve the sense of courage. Furthermore, since the magnetic circuit PFC and the case RF8 have a nearly symmetrical structure with respect to the axis perpendicular to the element surface of the chip CHI, -
You can improve your guts even further.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図人は平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which the person in the figure is a plan view, the figure B is a side view, and the figure C is a front view.

同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜板1NNの傾斜面側に配置する板厚の均
一な整磁板HOMと、この整磁板HOMの上面側に配置
する板厚の均一な磁石板MAGと、この磁石板MAGの
上面側に傾斜面を有する傾斜板INMとを順次積層し、
エポキシ系の接着剤に工り一体化されて形成され、全体
の積層板厚がほぼ全面にわたりて均一となるように構成
されてし・る。そして、この磁石体BIMの上、下面か
らはほぼ全面にわたっ【均一なバイアス磁界が放出され
る。
In the figure, the magnetic body BIM includes an inclined plate IN made of a non-magnetic material, such as copper, and one of the opposing surfaces has a predetermined inclined surface.
N, a magnetic shunt plate HOM with a uniform thickness placed on the slope side of the slope plate 1NN, a magnet plate MAG with a uniform thickness placed on the top side of this magnetic shunt plate HOM, and this magnetic plate MAG. Inclined plates INM having an inclined surface on the upper surface side are sequentially stacked,
It is formed by being integrated with an epoxy adhesive, and is constructed so that the overall thickness of the laminate is uniform over almost the entire surface. A uniform bias magnetic field is emitted from the top and bottom surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
人は斜視図、同図Bはその15B −15B 断面図で
ある。同図において、バイアス;イルBICは、表面に
絶縁部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された
巻線40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁
状となるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却
させて所定値の額縁形状に成形して構成されている。こ
の場合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂
が互いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が
目詰りして成形され、冷却させることにより、各巻線4
0が結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形
状に形成される。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing the bias coil BIC, in which the person in the figure is a perspective view, and the figure B is a 15B-15B sectional view thereof. In the same figure, the bias BIC has winding wires 40 whose outer surfaces are coated with, for example, thermosetting resin as an insulating member, and arranged so that the cross section is a 5 x 4 wire arrangement and the overall shape is like a picture frame. After being rolled up, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 40 is
Since the 0s are cured in a bundled state, they are formed into a predetermined picture frame shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装 
第16図) 第16図は前記第15図で説明したケースRF8組立体
内に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBIG
を組み込んだ断面図を示したものである。
(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
Figure 16) Figure 16 shows the magnet body BIM and bias coil BIG described above in the case RF8 assembly explained in Figure 15.
This figure shows a cross-sectional view incorporating the.

同図において、内部に基板組立体BNDおよび磁気回路
PFCを収納したケースRF8組立体の上。
In the same figure, the top of the case RF8 assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside.

下面にはそれぞれ上部磁石体BIMa 、下部磁石体B
IMbが接着配置され、さらにこの上部磁石体BIMa
の周縁部と、内側ケースRF8bの折り曲げ部51とで
囲まれ℃形成される額縁状溝部にはバイアスコイルBI
Cが収納配置されている。
Upper magnet BIMa and lower magnet B are on the bottom surface, respectively.
IMb is adhesively arranged, and this upper magnet body BIMa
A bias coil BI is placed in the frame-shaped groove formed by the peripheral edge of the inner case RF8b and the bent portion 51 of the inner case RF8b.
C is stored.

この場合、上部磁石体BIMaと下部磁石体BIMbと
は全(同一の材料1寸法で構成されており、これらの磁
石体BIMa 、 BIMbはその傾斜板1洲側が、内
側ケースRFSbの絞り部50で囲われた凹状部および
外側ケースRFSaの絞り55で囲われた凹状部内にそ
れぞれ密着されて配置される。
In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are entirely made of the same material and dimension, and the inclined plate 1 side of these magnet bodies BIMa and BIMb is the constricted part 50 of the inner case RFSb. They are arranged in close contact with each other in the enclosed concave portion and the concave portion surrounded by the aperture 55 of the outer case RFSa.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa 
、 BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成され
る額縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるの
で、各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、
小形、薄形化が可能となる。また、外側ケース几F8a
と下部磁石体BIMbの外縁部分とで額縁状の空間溝が
形成されるので、この部分に前記バイアスコイルBIC
を配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けて
も良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイ
アスコイルを形成することもできる。
In such a configuration, a pair of magnets BIMa are placed in the concave portions formed on both sides of the central portion of the case RFS assembly.
, BIMb is disposed, and the bias coil BIC can be disposed within the frame-shaped groove formed at the periphery of the BIMb, so the overall thickness of each component in the stacking direction is reduced.
It is possible to make it smaller and thinner. In addition, the outer case box F8a
A frame-shaped space groove is formed between the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, and the bias coil BIC is inserted into this portion.
Alternatively, a new bias coil may be provided, and furthermore, a bias coil may be formed by winding a wire as a coil bobbin.

(磁気シールドケース 第17 、18 、19囚)第
17図は外側シールドケース8HI aを示す図であり
、同図人は平面図、同図Bはその17B−j7B断面図
である。同図において、外側シールドケース5HIaは
、平坦部51と、この平坦部51の対向端辺に上方向に
ほぼ90度に折り返した折り曲げ部52と、この折り曲
げ部52の中央部に一部が切り欠かれた凹部55と、そ
の各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部54とを有
して構成されており、この外側シールドケース5HIa
は高透磁率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝
導率の大きい材料、例えばパーマロイ板をプレス加工し
て形成されている。
(Magnetic Shield Cases Nos. 17, 18, and 19) FIG. 17 is a diagram showing the outer shield case 8HIa, and FIG. 17 is a plan view, and FIG. In the figure, the outer shield case 5HIa includes a flat part 51, a bent part 52 that is folded upward at approximately 90 degrees on the opposite end of the flat part 51, and a part cut out in the center of the bent part 52. The outer shield case 5HIa has a cutout recess 55 and a notch 54 cut diagonally at each of its four corners.
is formed by pressing a material having high magnetic permeability, high saturation magnetic flux density, and preferably high thermal conductivity, such as a permalloy plate.

第18図は前述した外側シールドケース8HIaに対応
する内側シールドケース5HIbを示す図であり、同図
人は平面図、同図Bはその18B−18B断面図である
。同図において、この内側シールドケース5HIbは、
前述した外側シールドケース8HIaと同等の材料およ
び製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同様に
平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上方向にほ
ぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この折り曲げ
部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57と、その
各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58とを有し
て構成され℃いる。この場合、互いに対向する折り曲げ
部56はその相互間の外側寸法L4が、前述した外側シ
ールドケース8HIaの折り曲げ部52相互間の内側寸
法L4とほぼ同等値を有しかつ高さHを小さ゛くして形
成され(℃−る。
FIG. 18 is a diagram showing an inner shield case 5HIb corresponding to the above-mentioned outer shield case 8HIa, and FIG. 18 is a plan view, and FIG. In the figure, this inner shield case 5HIb is
It is formed using the same material and manufacturing method as the outer shield case 8HIa described above, and its structure is almost the same as described above, including a flat part 55 and a bent part bent upward at approximately 90 degrees on the opposite end of the flat part 55. 56, a recessed portion 57 partially cut out in the center of the bent portion 56, and notched portions 58 cut diagonally at each of the four corners thereof. In this case, the mutually opposing bent portions 56 have an outer dimension L4 between them that is approximately the same as the inner dimension L4 between the bent portions 52 of the outer shield case 8HIa described above, and the height H is reduced. It is formed at (℃-).

このように構成された外側シールドケース5HIaおよ
び内側シールドケース5HIbは第19図Aにその平面
図、第19図Bにその19B−19B断面図でそれぞれ
示すように、外側シールドケース5HIa内に内側シー
ルドケース5HIbを挿入し、外側シールドケース8H
Iaの凹部55と内側シールドケース8HIbの凹部5
7とで形成される凹部59にスポット溶接あるいは半田
溶接を施し、磁気的、機械的に固定することにより一体
化させシールドケース8HIが組み立てられる。このよ
うな構成において、外側シールドケース5HIaの折り
曲げ部52および内側シールドケース8HIbの折り曲
げ部56を横方向、つまり積層方向と交差する方向に設
定することなく、積層方向に揃え℃設定することにより
、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ構成部品の高
集積化が可能となる。
The outer shield case 5HIa and the inner shield case 5HIb configured in this way have an inner shield inside the outer shield case 5HIa, as shown in FIG. 19A as a plan view and as shown in FIG. Insert case 5HIb and remove outer shield case 8H.
Recess 55 of Ia and recess 5 of inner shield case 8HIb
Spot welding or solder welding is performed on the concave portion 59 formed by 7 and 7, and the shield case 8HI is assembled by magnetically and mechanically fixing the shield case 8HI. In such a configuration, by setting the bent portion 52 of the outer shield case 5HIa and the bent portion 56 of the inner shield case 8HIb in the lateral direction, that is, in the direction intersecting the laminating direction, by aligning them with the laminating direction and setting them at °C. By reducing the lateral dimension, it is possible to achieve compactness and high integration of component parts.

(磁気シールドケース組立体 jI20図)第20図は
前述したシールドケース8HI組立体内に、前記第16
図で説明し゛た内部に基板組立体BND 、 Wl+気
回路PFCを組み込んだケースRFS組立体と、一対の
磁石体BIMa 、 BIMb、バイアスコイルBIC
とからなる組立体を組み込んだ断面図を示したものであ
る。同図において、外側シ・−ルドケース5HIaの内
部には、その底面側から中央部に上部磁石体BIMa 
m周縁部にバイアスコイルBIC、ケースRF’8組立
体(内部に基板組立体BND 、磁気回路PF’C等が
組み込まれている)、下部磁石体BIMbを順次積層配
置させた後、内側シールドケース5HIbを挿入し、前
述した外側シールドケース5HIaの凹部55と内側シ
ールドケース8HIbの凹部57とで形成される凹部5
9(第19図参照)で溶接固定して封止される。この場
合、このシールドケース8HI内にグリース等を充填さ
せておくことにより、内部の構成部品が実質的に相互に
密着することになり、ケースRF8から発生する熱がこ
のシールドケース8HIを介して外部に放出することが
できる。
(Magnetic shield case assembly jI20) Figure 20 shows the above-mentioned 16th magnetic shield case assembly inside the above-mentioned shield case 8HI assembly.
The case RFS assembly includes the board assembly BND, Wl + air circuit PFC inside as explained in the figure, a pair of magnet bodies BIMa, BIMb, and bias coil BIC.
FIG. 3 shows a cross-sectional view of an assembly including the following. In the figure, inside the outer shield case 5HIa, there is an upper magnet body BIMa extending from the bottom side to the center.
After sequentially stacking the bias coil BIC, case RF'8 assembly (board assembly BND, magnetic circuit PF'C, etc. are incorporated inside), and lower magnet body BIMb on the periphery of m, the inner shield case is assembled. 5HIb is inserted into the recess 5 formed by the recess 55 of the outer shield case 5HIa described above and the recess 57 of the inner shield case 8HIb.
9 (see FIG. 19), it is welded and fixed and sealed. In this case, by filling the shield case 8HI with grease or the like, the internal components will come into close contact with each other, and the heat generated from the case RF8 will be transferred to the outside through the shield case 8HI. can be released to

また、ケースジSとシールドケース8HIを圧入方式に
より側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させる
ことができる。
Furthermore, the heat dissipation effect can be improved by forming the case S and the shield case 8HI into contact with each other at their sides by a press-fitting method.

このような構成において、外側シールドケース8HIa
の底面側にケース几F8組立体を、その折り曲げ部51
 、54が対向するように積層配置させることによって
外部シールドケース8HIaと内部シールドケース5)
II bとの間に積層される各構成部品が密着配置でき
るので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱効果
も同時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case 8HIa
Place the case box F8 assembly on the bottom side of the
, 54 are stacked to face each other, thereby forming an outer shield case 8HIa and an inner shield case 5).
Since each component laminated between IIb and IIb can be arranged in close contact with each other, it is possible to make the device smaller and thinner, and at the same time, a heat dissipation effect can be obtained.

(パ“ツケージングケース 第21図)第21囚はパッ
ケージングケースPKGを示す図であり、同図人は平面
図、同図Bはその21B−21B断面図である。同図に
おいて、パッケージングケースPKGは、熱伝導の良好
な材料、例えば板厚的0.5amのアルミニウム板を絞
り加工を施して形成され、図示されないが、その外面に
は黒色被膜が設けられている。このパッケージングケー
スPKGは、前記外側シールドケース8HIaの形状を
改良して兼用させて使用することができる。
(Packaging case Fig. 21) The 21st figure is a diagram showing the packaging case PKG. The case PKG is formed by drawing a material with good thermal conductivity, for example, an aluminum plate with a thickness of 0.5 am, and has a black coating on its outer surface (not shown).This packaging case The PKG can be used in combination with the outer shield case 8HIa by improving its shape.

このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するボッティング法による樹脂モールド
時の聾としての機能も同時に有している。
In such a configuration, this packaging case P
The KG functions as an outer case after the magnetic bubble memory device is completed, and also functions as a heat sink, and its inner corner also functions as a hearing aid during resin molding using the botting method, which will be described later. .

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22 、25図
) 第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面例、同図Bはその22B −22B断面図、同包C
はその背面図である。同図において、端子固定板TEF
は、電気的絶縁性を有する材料、何重ばガラスエポキシ
系の樹脂板60からなり、法を有して形成されており、
またこの樹脂板60の周辺部を除(部位忙は多数個の貫
通孔61が縦横方向に所定の間隔をもって!トリックス
状の配列で穿設され、さらにこれらの貫通孔群の角部に
は回転対称とはならない断面が凹状となる非貫通孔62
が設けられ、この非貫通孔62内には例えば方向性ある
いは特長を位置付ける白色の塗膜などkよるマーク65
が付着されている。また、この樹脂板60に穿設された
多数個の貫通孔、61には、同図BK示すようにその背
面側に口径の大きい開口64が同軸的に連通して設けら
れており、これらの開口64の全ては板厚の約60チの
深さを有しかつ貫通孔61とは途中に段差を有して連通
されている。また、この樹脂板60の背面@には同図C
に示すようにその周辺部分に沿って前記開口64の深さ
とほぼ同等の深さを有しかつ平面方向の幅が異なりその
断面が凹形状となる溝65が形成され、この溝65内は
前述したコイルCOIの巻線、バイアスコイルBICの
巻線の通路部および接続部を構成している。また、この
樹脂板60の角部66は凹形状とはならず、所定の板厚
寸法を有し、前述したパッケージングケースPKGの内
側面に対して接触面を得ている。このように樹脂板60
の背面側は板厚の異なる2段構造を有して形成されてい
る。
(Terminal fixing plate and contact pad Figures 22 and 25) Figure 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF.
is its rear view. In the same figure, the terminal fixing plate TEF
is made of an electrically insulating material, a multilayered glass epoxy resin plate 60, and is formed using a method,
In addition, except for the peripheral part of this resin plate 60, a large number of through holes 61 are formed in a trix-like arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions, and furthermore, at the corners of these through holes, rotating holes are formed. Non-through hole 62 with a concave cross section that is not symmetrical
A mark 65 such as a white coating film for locating directionality or features is provided in the non-through hole 62.
is attached. In addition, the large number of through holes 61 drilled in the resin plate 60 are provided with large diameter openings 64 coaxially communicating with each other on the back side thereof, as shown in BK of the same figure. All of the openings 64 have a depth of about 60 inches, which is the thickness of the plate, and communicate with the through hole 61 with a step in the middle. Also, on the back side of this resin plate 60, C
As shown in FIG. 2, a groove 65 is formed along its peripheral portion, having a depth substantially equal to the depth of the opening 64, and having a different width in the plane direction and a concave cross section. It constitutes a passage section and a connection section for the winding of the coil COI and the winding of the bias coil BIC. Further, the corner portion 66 of this resin plate 60 does not have a concave shape, but has a predetermined thickness, and provides a contact surface with the inner surface of the packaging case PKG described above. In this way, the resin plate 60
The back side of is formed to have a two-stage structure with different plate thicknesses.

第25図はコンタクトパッドCNPを示す図であり、同
図人は平面図、同図Bはその断面図である。同図におい
て、コンタクトパッドCNPは、良導電性材料、例えば
板厚約Q、5m程度の銅板をプレス加工により打ち抜い
た素片70の表面にニッケルメッキ層71.金メツ會層
72を形成し【構成される。
FIG. 25 is a diagram showing the contact pad CNP, where the figure shows a plan view and the figure B shows a cross-sectional view. In the figure, the contact pad CNP is formed by forming a nickel plating layer 71 on the surface of a piece 70 punched out of a highly conductive material, for example, a copper plate with a thickness of about Q and about 5 m by press working. A metal layer 72 is formed.

(最終組立 第20.4.2図) このよ5に構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG内k。
(Final assembly Figure 20.4.2) Each of the components configured in this way is first placed in the packaging case PKG described above.

第20図で説明したシールドケース組立体を挿入する。Insert the shield case assembly described in FIG. 20.

この状態ではこのパッケージングケースPKGの4隅か
ら前記基板組立体BNDの各接続部5a 、 5b 、
 5c 、 5d (第4図人参照)が各折り曲げ部2
a 、 2b 、 2c 、 2dから約90度で折れ
曲がって突出する。次に、このパッケージングケースP
KGの4隅にポツティング法により樹脂モールドを行な
ってこのパッケージングケースPKG内に各個性部品を
固定配置させる。引き続きこれらの各接続部5a 、 
5b 、 5c 、 5dを対応する各折り曲げ部2a
 、 2b 、 2c 、 2dでさらに約90度で折
り曲げて内側シールドケース8HI bの外面に接着剤
を介して前記第4図Bに示すように組み合わせた後、前
記端子固定板TEF背面側の各開口64内にコンタクト
パッド○ぼを搭載し、あるいは更にコンタクトパッドG
NPの側面を接着剤により固着してパッケージングケー
スPKGに挿入し、各接続部5m 、 5b 、 5C
、5dK接触配置させる。この場合、争接続部5a 、
 5b 、 5c 、 5dに設けられている各外部端
子9bの配列ピッチと各コンタクトパッドCNPの配列
ピッチとが一致し【いるので、各外部端子9blHンタ
クトバツドCNPとは電気的に接触する。次に配置した
端子固定板TBFの裏側から各貫通孔b1kc例えば先
端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッドGNPを
熱圧着する事により、各外部端子9bと対応する各コン
タクトパッドGNPが電気的に接続されるとともに端子
固定板’I’BPも同時に機械的に固定されて第2図に
示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。
In this state, each connection part 5a, 5b,
5c and 5d (see Figure 4) are each bent part 2.
It bends at about 90 degrees and protrudes from a, 2b, 2c, and 2d. Next, this packaging case P
Resin molding is performed at the four corners of the PKG by a potting method, and each individual component is fixedly arranged within this packaging case PKG. Subsequently, each of these connection parts 5a,
5b, 5c, and 5d at the corresponding bent portions 2a.
, 2b, 2c, and 2d are further bent at about 90 degrees and assembled to the outer surface of the inner shield case 8HIb with adhesive as shown in FIG. 4B, and then each opening on the back side of the terminal fixing plate TEF is A contact pad ○ is mounted in 64, or a contact pad G is installed in addition.
Fix the sides of the NP with adhesive, insert it into the packaging case PKG, and connect each connection part 5m, 5b, 5C.
, 5dK contact placement. In this case, the dispute connection part 5a,
Since the arrangement pitch of each external terminal 9b provided on 5b, 5c, and 5d matches the arrangement pitch of each contact pad CNP, each external terminal 9blH contacts electrically with the contact pad CNP. Next, each contact pad GNP corresponding to each external terminal 9b is electrically At the same time, the terminal fixing plate 'I'BP is also mechanically fixed at the same time, thereby completing the magnetic bubble memory device shown in FIG.

(磁気バブルメモリチップ 第24 、25 、26 
、27゜28図) 第24図は前述した磁気バブルメモリチップCHIのポ
ンディングパッドPAD近辺の断面図を示すものである
。同図において、GGG(gadolininn−ga
 11 ium −garnet )は基板であり、L
PEは液1′4相エピタキシャル成長法によって形成さ
れたバブル磁性膜であり、その組成の一例は下記表1に
示した通りである。
(Magnetic bubble memory chip No. 24, 25, 26
, 27° and 28) FIG. 24 shows a cross-sectional view of the vicinity of the bonding pad PAD of the magnetic bubble memory chip CHI described above. In the same figure, GGG (gadolininn-ga
11ium-garnet) is the substrate, and L
PE is a bubble magnetic film formed by a liquid 1'4-phase epitaxial growth method, and an example of its composition is shown in Table 1 below.

表    1 1ONはハードバブル抑制のためK LPE膜表面に形
成されたイオン打込層を示している。SPlは第1のス
ペーサであり、例えば5000 A’の厚さの8i02
が気相化学反応により形成される。CON 1及びCO
N 2は2層の導体層を示しており、後述するバブル発
生、複写(分割)及び交換を制御する機能を持っており
、下の第1の導体層CON 1がMo 、 上(1)第
2の導体層CON 2がAu等の材料でそれぞれ形成さ
れている。8P2及び8P sは導体層CONとその上
に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pとを電気
的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る眉間絶縁膜(第
2、第5のスペーサ)である。PASは気相化学反応法
により形成された5i02a等からなるパッジベージ曹
ン膜である。PADはチップCHIのポンディングパッ
ドを示し【おり、社線等の細いコネクタワイヤがここに
熱圧着法や超音波法によりポンディングされる。このポ
ンディングパッドPADは下の第1層PAD 1がCr
 、中央の第2層PAD 2がAu層、上の第5層PA
D sがAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成されてお
り・第2層PAD2および第5層PAD 5をCr 、
 Cu等の材料で形成しても良い。Pはバブルの転送路
やバブルの分割9発生、交換及び検出部更にはガードレ
ール部に用いられる層を示しており、以後の説明では便
宜上転送パターン層と表現する。
Table 1 1ON shows the ion implantation layer formed on the surface of the K LPE film to suppress hard bubbles. SPl is the first spacer, for example 8i02 with a thickness of 5000 A'
is formed by a gas phase chemical reaction. CON 1 and CO
N2 indicates a two-layer conductor layer, which has the function of controlling bubble generation, copying (splitting), and exchange, which will be described later.The lower first conductor layer CON1 is Mo, and the upper (1) Two conductor layers CON2 are each formed of a material such as Au. 8P2 and 8Ps are glabellar insulating films (second and fifth spacers) made of polyimide resin or the like that electrically insulate the conductor layer CON and the transfer pattern layer P, such as permalloy, formed thereon. PAS is a padded carbon film made of 5i02a or the like formed by a gas phase chemical reaction method. PAD indicates the bonding pad of the chip CHI, and a thin connector wire such as a wire is bonded here by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. This bonding pad PAD has the lower first layer PAD 1 made of Cr.
, the second layer PAD 2 in the center is an Au layer, and the upper fifth layer PA
Ds are each made of a material such as an Au plating layer, and the second layer PAD2 and the fifth layer PAD5 are made of Cr,
It may be formed of a material such as Cu. P indicates a layer used for a bubble transfer path, a bubble division 9 generation, exchange and detection section, and a guardrail section, and in the following description, it will be expressed as a transfer pattern layer for convenience.

第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P1にF
e−Niを、上層P 2 KFe−Niをそれぞれ使用
しているが、前述したように両者の材質を上下入れ替え
ろことも可能である。
In the example of FIG. 24, this transfer pattern layer P is transferred to the lower layer P1.
Although e-Ni and upper layer P 2 KFe-Ni are used, as described above, it is also possible to interchange the two materials vertically.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
CHIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第25図はバブル検出
器り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。MgDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャー8Tが数10段形成され
ている。なお、 PRはバブルの転送方向を示している
。ERはバブルの消去器であり、導体層CNDKバブル
が達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダ
ミー及びメイン検出の間には、5列のパターン群から成
るガードレールGRが設けられており、ガードレールG
Rの内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出し
たり、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブル
がその内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお
、第25図以下の平面パターン図では導体層CND以外
のパターンは第24図で説明した転送パターン層Pを示
している。同図において、磁気抵抗素子MEM 。
Hereinafter, an example in which the transfer pattern layer consisting of multiple layers described above is applied to each part of the chip CHI will be explained using the plan views from FIG. Note that they are represented by the same contour line because they are the same. Figure 25 shows the bubble detector part, where MEM is the main magnetoresistive element, which uses the change in resistance value when bubbles stretched in a strip shape in the horizontal direction pass through it to detect the presence or absence of bubbles. Detect. MgD is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field and the like. Although only two stages of bubble stretchers 8T are shown above the main magnetoresistive element MEM, there are several dozen stages of bubble stretchers 8T that stretch bubbles laterally and transfer them downward. Note that PR indicates the bubble transfer direction. ER is a bubble eraser and is erased when the conductor layer CNDK bubble reaches it. A guardrail GR consisting of five rows of pattern groups is provided around this detector and between the dummy and main detection.
It is designed to expel unnecessary bubbles generated inside the guardrail GR to the outside thereof, and prevent unnecessary bubbles generated outside the guardrail GR from entering inside thereof. In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CND indicate the transfer pattern layer P explained in FIG. 24. In the figure, a magnetoresistive element MEM.

MEDを多層磁性層で形成することにより、信号対雑音
比(87N比)が向上した。例えば、転送パターンとし
て各層間に8i0.J[を介在させた5層パーマロイ層
を使用した場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記
表2に示すようにSZN比が2倍以上向上させることが
できる。
By forming the MED with multilayer magnetic layers, the signal-to-noise ratio (87N ratio) was improved. For example, as a transfer pattern, 8i0. When a 5-layer permalloy layer with J[ interposed therebetween is used, the SZN ratio can be increased by more than twice as shown in Table 2 below, compared to a permalloy single layer.

表    2 また、ガードレールGRの性能も保持°力HCの低減に
より不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。
Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail GR is also improved, such as by increasing the removal rate of unnecessary bubbles due to the reduction of the holding force HC.

826図は磁気バブル発生器GffNを示しており、転
送パターン層Pを多層化することにより、磁気バブルの
発生電流を小さくすることができ、磁気バブル発生器の
導体層CHDの寿命を長(することが可能となった。従
って、導体1fli CNDの駆動回路も電流容量値の
小さい半導体素子が使用でき、低価格が可能となる。
Figure 826 shows a magnetic bubble generator GffN, and by making the transfer pattern layer P multi-layered, the current generated by the magnetic bubble can be reduced, and the life of the conductor layer CHD of the magnetic bubble generator can be extended. Therefore, a semiconductor element with a small current capacity value can be used in the drive circuit of the conductor 1fli CND, and the cost can be reduced.

第27図はPa−Ph等の転送パターンで形成されたマ
イナループm 、 Pw1〜Pw5等の転送パターン列
で形成された書き込みメイジャーライyWML及びヘア
ピン状導体層CNDで形成されたスワップゲート部を示
している。同図において、Pyは第26図のバブル発生
器GENにおける転送パターンP7と同一のものであり
、言い換えればバブル発生器GBNで発生されたバブル
はP1〜P7の転送路を通って書き込みメイジャーライ
ンwML#/c転送される。スワップ導体層CNDに電
流を流したとき、マイナループm1の転送パターンPd
の磁気バブルは転送パターンPL 、 Pmを通ってメ
イジャーラインWMLの転送パターンPw 5に転送さ
れ、メイジャーラインPw 1からの磁気バブルは転送
パターンPk、Pj、Piを経てマイナルーズの転送パ
ターンPeに転送されてバブルの交換、すなわち情報の
書き換えが行なわれる。なお、右端のマイナループml
にはスワップゲートが設けられていないが、これは、周
辺効果を軽減するための磁気バブルを注入しないダミー
のループである。このよ5に交換位置における転送パタ
ーン層PixPmを多層化することにより、小さい電流
値で磁気バブルの交換を行なうことができる。
FIG. 27 shows a minor loop m formed by a transfer pattern such as Pa-Ph, a write major lie yWML formed by a transfer pattern sequence such as Pw1 to Pw5, and a swap gate portion formed by a hairpin-shaped conductor layer CND. There is. In the same figure, Py is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEN in FIG. #/c Transferred. When a current is passed through the swap conductor layer CND, the transfer pattern Pd of the minor loop m1
The magnetic bubbles from major line Pw1 are transferred to transfer pattern Pw5 of major line WML through transfer patterns PL and Pm, and the magnetic bubbles from major line Pw1 are transferred to transfer pattern Pe of minor loose via transfer patterns Pk, Pj, and Pi. Then, bubbles are exchanged, that is, information is rewritten. In addition, the rightmost minor loop ml
does not have a swap gate, but it is a dummy loop that does not inject magnetic bubbles to reduce fringe effects. By multilayering the transfer pattern layer PixPm at the exchange position 5 in this way, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn M−Py 、 Ps
 4 Pxの順路で転送されており、導体層CNDに電
流を流したとき、転送パターンPfの位置でバブルは分
割され、分割された1つの磁気バブルはPy、Pa〜P
IOを経て読出しメイジャーラインRMLに転送される
Further, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copying machine, that is, a divider, can be driven with a small current value as well. In the same figure, the normal magnetic bubbles are Pn M-Py, Ps
4 The bubble is transferred along the normal path of Px, and when a current is passed through the conductor layer CND, the bubble is divided at the position of the transfer pattern Pf, and one divided magnetic bubble is Py, Pa to P
It is transferred to the read major line RML via IO.

(ホールディング磁界及び回転磁界 @29図)磁石板
MAGはチップCHIに対して約2炭種度傾斜させて配
置されろ。これはチップCHI k対しバイアス磁界施
が垂直方向よりややずれて印加されるよう圧したもので
、それによってバブル転送のスタート、ストップマージ
ンを約6υe〕向上させるホールディング磁界Hdcを
生み出す(第29図A)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field @Fig. 29) The magnet plate MAG is arranged to be inclined by about 2 degrees relative to the chip CHI. This applies pressure so that the bias magnetic field is applied to the chip CHI k in a direction slightly deviated from the perpendicular direction, thereby creating a holding magnetic field Hdc that improves the start and stop margins of bubble transfer by approximately 6υe (see Figure 29A). ).

第29図AK示したように磁石体BIMとチップCHI
との角度Iの傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内
の成分Hdcを持つことになる。そして、この面内成分
Hdcの大きさは、Hdc−sinθとなり、通常Hd
c−s inθ= 5 [)e]−6(Oe)になるよ
うに傾斜角度〃が選定されろ。また、この面内成分Hd
cの方向は、回転磁界Hrのスタート・ストップ(8t
/8p)方向(+x軸方向)に一致するように傾斜され
ている。そして、このxy面内成分Hdcは、回転磁界
Hrのスタート・ストップ(at/8p)動作に対して
有効な働きをし、ホールディングフィールドと呼ばれて
いる公知の磁界である。なお、チップCHI面に垂直に
作用するバイアス磁界Hbの大きさはHz・cosθと
なる。
As shown in Figure 29 AK, magnet body BIM and chip CHI
Due to the inclination of angle I with , the DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane. The magnitude of this in-plane component Hdc is Hdc-sinθ, and normally Hd
The inclination angle should be selected so that c-s inθ=5[)e]-6(Oe). Moreover, this in-plane component Hd
The direction of c is the start and stop of the rotating magnetic field Hr (8t
/8p) direction (+x-axis direction). This xy in-plane component Hdc is a known magnetic field called a holding field, which functions effectively for the start/stop (at/8p) operation of the rotating magnetic field Hr. Note that the magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly to the chip CHI surface is Hz·cos θ.

さて、上述したホールディングフィールドHdcは、チ
ップCHIのxy面に対して常時作用するため、@29
図Bに図解したように前記チップCHI K作用する回
転磁界Hr’は偏心する。同図において、Hrは外部か
ら加えられる回転磁界、Hr゛はチップCHIK作用す
る回転磁界である。この場合、チップCHIに作用する
回転磁界Hr’は外部から加えられる回転磁界Hrと面
内成分Hdcとを合成したものとなり、その回転磁界H
r’の中心0はスタート・ストップ(at/8p)方向
である+X軸方向に面内成分Hdc分だけ平行移動する
Now, since the above-mentioned holding field Hdc always acts on the xy plane of the chip CHI, @29
As illustrated in Figure B, the rotating magnetic field Hr' acting on the chip CHIK is eccentric. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr is a rotating magnetic field that acts on the chip CHIK. In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on the chip CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the rotating magnetic field H
The center 0 of r' is translated by an in-plane component Hdc in the +X-axis direction, which is the start/stop (at/8p) direction.

このため、同図の結果から明らかなように、外部から加
えている回転磁界Hrの強さが1Hrlであっても実効
的にチップCHIに作用する回転磁界の強度I Hr’
 lは回転磁界掛の位相によって異なる。すなわちSt
/Sp方向でのlHr’lは、1Hrl+1Hdclと
なり、1Hrlに比べてホールディングフィールドHd
cの強さ1Hdelだけ強りんっている。逆K 、 S
t /8p方向と逆方向の場合のlHr’lは1Hrl
 −IHdclとなり、1Hrlは比べて1Hdclだ
け弱まっている。
Therefore, as is clear from the results in the figure, even if the strength of the externally applied rotating magnetic field Hr is 1 Hrl, the strength of the rotating magnetic field that effectively acts on the chip CHI is I Hr'
l differs depending on the phase of the rotating magnetic field. That is, St
lHr'l in the /Sp direction is 1Hrl+1Hdcl, and the holding field Hd is smaller than 1Hrl.
The strength of c is 1Hdel. Reverse K, S
lHr'l in the opposite direction to the t/8p direction is 1Hrl
-IHdcl, which is weaker by 1Hdcl compared to 1Hrl.

(周辺回路 第50図) 最後にチップCHIの周辺回路を第50図で説明する。(Peripheral circuit Fig. 50) Finally, the peripheral circuit of chip CHI will be explained with reference to FIG.

RFはチップCHIのX及びYコイルに90゜位相差の
電流を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。
RF is a circuit for generating a rotating magnetic field Hr by passing currents with a phase difference of 90° through the X and Y coils of the chip CHI.

8AはチップCHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル
検出信号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリン
グし感知、増幅するセンスアンプである。DRは、磁気
バブルメモリデバイスMBMの書き込みに関係するバブ
ル発生及びスワップ並びに読み出しに関係するレプリケ
ートの各機能導体に所定のタイミングで電流を流す駆動
回路である。以上の回路は回転磁界Hrのサイクル及び
位相角に同期して動作するようタイミング発生回路TG
Kよって同期化されている。
8A is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies a minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of the chip CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. DR is a drive circuit that causes current to flow at a predetermined timing through each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap related to writing and reading of the magnetic bubble memory device MBM. The above circuit is a timing generation circuit TG that operates in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.
It is synchronized by K.

(回転磁界分布特性 第51図) 第51図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心な0としてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度風=
0としたときのX軸方向の回転磁界強度風をそれぞれ示
すと、曲線Iで示すような回転磁界分布特性が得られた
。同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向する
37008間の内側までの距離−Xc^+Xc f) 
ffJ!囲までほぼ均一な回転磁界強度服が得られ、ま
た、チップ口工の有効エリア(回転磁界を付与すべき最
小範囲) −Xe〜+Xsの範囲では±約2優の磁界強
度−S注が得られた。なお、破線で示す曲線■は従来構
成の磁気回路による回転磁界分布特性である。
(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 51) FIG. 51 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the same figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center 0 in the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength in the X-axis direction =
When the rotational magnetic field intensity wind in the X-axis direction is shown when it is 0, a rotating magnetic field distribution characteristic as shown by curve I was obtained. As is clear from the figure, the distance to the inside between the opposing 37008 of the magnetic circuit PFC -Xc^+Xc f)
ffJ! In addition, in the effective area of the chip opening (minimum range to which a rotating magnetic field should be applied) -Xe to +Xs, a magnetic field strength of approximately ±2 superior can be obtained. It was done. Note that the curve (2) indicated by a broken line is the rotating magnetic field distribution characteristic due to the magnetic circuit of the conventional configuration.

′ 〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、フレキシブル配線
基板に搭載した磁気バブルメモリチップを、額縁形コア
の回転磁気回路の空間部に配設するとともに、その全体
を良導電性材の回転磁界閉じ込めケース内に挾持させそ
の周縁部を電気的に接続したことにより、漏洩磁界を発
生させる空間を小さくできるので小さなVI積で一様性
の高い回転磁界が得られるとともk、回転磁界閉じ込め
ケースを小形化できることにより低消費電力が図られ、
かつ全体形状を小形。
[Effects of the Invention] As explained above, according to the present invention, a magnetic bubble memory chip mounted on a flexible wiring board is disposed in the space of a rotating magnetic circuit of a frame-shaped core, and the whole is made of a highly conductive material. By sandwiching the magnetic material in a rotating magnetic field confinement case and electrically connecting its periphery, the space in which leakage magnetic fields are generated can be made smaller, and a highly uniform rotating magnetic field can be obtained with a small VI product. , low power consumption is achieved by making the rotating magnetic field confinement case smaller.
And the overall shape is small.

薄形化し組立比が改善された磁気バブルメモリデバイス
が得られるという極めて優れた効果が得られる。
The extremely excellent effect of obtaining a magnetic bubble memory device that is thinner and has an improved assembly ratio can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2図人は底面図、第2図Bは
同図への2B−2B断面図、第5図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、第5
図は基板FPCにチップCHIを搭載した基板組立体B
NDを示す平面図、第6図はチップ口工を示す図、第7
図は基板組立体BNDのリードボンディングを説明する
図、第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図は磁
気回路PFCの製作方法を説明する図、第10図は内側
ケースRF8bを示す図、第11図は外側ケースRF8
aを示す図、第12図はケース几F8の組立図、第1S
図はケースRFa内に基板組立体BNDおよび磁気回路
PFCを収納した組立体の断面図、第14図は磁石体B
IMの構成を説明する図、第15図はバイアスコイルB
ICを説明する図、#II6図はケースRF8組立体に
一対の磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを組み
込んだ組立体の断面図、第17図は外側シールドケース
5HIaを示す図、第18図は内側シールドケースSH
Ibを示す図、第19図はシールドケース8HIの組立
図、第20図は第16図に示す組立体をシールドケース
8HI内に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパッ
ケージングケースPKGを示す図、第22図は端子固定
板TEFの構成を説明する図、第25図はコンタクトパ
ッドGNPの構成を示す図、第24図はチップCHIの
断面図、第25図はチップCHIの磁気バブル検出器り
の構成を示す図、第26図はチップCHIの磁気バブル
発生器GENの構成を示す図、第27図はチップCHI
のスワップゲ−) SWPの構成を示す図、第28図は
チップCHIのレズリケートゲー) REPの構成を示
す図、第29図Aはバイアス磁界Hbとホールディング
磁界Hdcの関係を示す図、同図Bはトータル回転磁界
Hrを示す図、第50図は磁気バブルメモリボードの全
体回路を示す図、第51図は回転磁界分布特性図である
。 CHI s磁気バブルメモリチップ(チヴプ)、FPC
sフレキシブル配線基板(基板)、BND s基板組立
体、 COI s駆動コイル(コイル)、 CUR寥額縁形コア(コア)、 PFC寥磁気回路、 RFS s回転磁界閉じ込めケース(ケース)、RF8
a  1外側ケース、 几FSb1内側ケ・−ス、 BIM  sバイアス磁界発生用磁石体(磁石体)、B
IMa  s上部磁石体、 BIMb  +下部磁石体、 INM s傾斜板、 MAG s永久磁石板(磁石板)、 HOM s整磁板、 INN s非磁性傾斜板、 BIC、バイアス磁界発生用コイル(バイアスコイル)
、 8)II 、外部磁気シールドケース(シールドケース
)、 5HIa  1外側シールドケース、 5HIb  謬内側シールドケース、 PKG  番パッケージングケース、 TEF s端子固定板、 CNP sコンタクトパッド、 1Sチップ搭載部、 2.2a、2b、2C,2d l折り曲げ部、5.5a
、5b、5c、5d s外部接続端子接続部、4.4a
、ab、開口部、 5.5a、5b、5c;穿孔、 6s基板突出部、 71ベースフイルム、 81接着剤、 9a審配線用リード、 9b s外部端子、 9c s接続用端子、 9d s記号、 9e募インデツクスマーク、 10 sカバーフィルム、 111錫メッキ層、 128開口、 15s半田メッキ層、 14 %ポンディングパッド、 15 s金バンプ、 20a、20b、20c、20d s ’:lイル21
a、21b s接続点、 22a s Xコイル、 22b蓚Yコイル 25;磁気コア、 24菖タツプ、 25 s幅の大きい溝、 26 s幅の小さい溝、 50審絞り部、 511折り曲げ部、 52 s切欠き部、 551絞り部、 54嘗折り曲げ部、 55 S切欠き部、 56 Sポリイミドフィルム、 57璽接着剤、 58 sコイル巻線、 401巻線、 51 を平坦部、 521折り曲げ部、 55寡凹部、 54寡切欠き部、 55 s平坦部、 561切り曲げ部、 578凹部、 58富切欠き部、 591凹部、 60 s樹脂板、 61寡買通孔、 62 s非貫通孔、 65 sマーク、 64 s開口、 65s@。 661角部、 70 s素片、 ハ1ニッケルメッキ層、 72B金メッキ層。
Fig. 1 is a partially cutaway perspective view showing the whole magnetic bubble memory device according to the present invention, Fig. 2 is a bottom view, Fig. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B in the same figure, and Fig. 5 is a stacked structure. Figure 4 is a diagram explaining the board FPC, Figure 5 is an exploded perspective view showing the
The figure shows board assembly B with chip CHI mounted on the board FPC.
A plan view showing the ND, Figure 6 is a diagram showing the chip opening, and Figure 7 is a plan view showing the ND.
The figure is a figure explaining the lead bonding of the board assembly BND, Figure 8 is a figure explaining the magnetic circuit PFC, Figure 9 is a figure explaining the manufacturing method of the magnetic circuit PFC, and Figure 10 shows the inner case RF8b. Figure 11 shows the outer case RF8.
Figure 12 is an assembly diagram of case box F8, 1S
The figure is a sectional view of the assembly in which the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are housed in the case RFa, and Figure 14 is the magnet body B.
A diagram explaining the configuration of the IM, Figure 15 shows the bias coil B.
A diagram explaining the IC, Figure #II6 is a cross-sectional view of the case RF8 assembly incorporating a pair of magnets BIM and bias coil BIC, Figure 17 is a diagram showing the outer shield case 5HIa, and Figure 18 is the inner side. Shield case SH
19 is an assembly diagram of the shield case 8HI, FIG. 20 is a sectional view of the assembly shown in FIG. 16 incorporated into the shield case 8HI, and FIG. 21 is an assembly diagram of the packaging case PKG. 22 is a diagram explaining the structure of the terminal fixing plate TEF, FIG. 25 is a diagram showing the structure of the contact pad GNP, FIG. 24 is a cross-sectional view of the chip CHI, and FIG. 25 is a diagram showing the magnetic bubble of the chip CHI. A diagram showing the configuration of the detector, FIG. 26 is a diagram showing the configuration of the magnetic bubble generator GEN of the chip CHI, and FIG. 27 is a diagram showing the configuration of the chip CHI.
Figure 28 is a diagram showing the configuration of SWP (swap game), Figure 28 is a diagram showing the configuration of REP (resilicate game) of chip CHI, Figure 29A is a diagram showing the relationship between bias magnetic field Hb and holding magnetic field Hdc, Figure 29B is a diagram showing the relationship between bias magnetic field Hb and holding magnetic field Hdc. 50 is a diagram showing the total rotating magnetic field Hr, FIG. 50 is a diagram showing the entire circuit of the magnetic bubble memory board, and FIG. 51 is a diagram showing the distribution characteristics of the rotating magnetic field. CHI s magnetic bubble memory chip (Chivpu), FPC
s Flexible wiring board (substrate), BND s Substrate assembly, COI s Drive coil (coil), CUR picture frame core (core), PFC s Magnetic circuit, RFS s Rotating magnetic field confinement case (case), RF8
a1 outer case, FSb1 inner case, BIM s bias magnetic field generation magnet (magnet), B
IMa s upper magnet body, BIMb + lower magnet body, INM s inclined plate, MAG s permanent magnet plate (magnetic plate), HOM s magnetizing plate, INN s non-magnetic inclined plate, BIC, bias magnetic field generation coil (bias coil) )
, 8) II, External magnetic shield case (shield case), 5HIa 1 outer shield case, 5HIb inner shield case, PKG packaging case, TEF s terminal fixing plate, CNP s contact pad, 1S chip mounting part, 2. 2a, 2b, 2C, 2d l bent part, 5.5a
, 5b, 5c, 5d s External connection terminal connection section, 4.4a
, ab, opening, 5.5a, 5b, 5c; perforation, 6s board protrusion, 71 base film, 81 adhesive, 9a wiring lead, 9b s external terminal, 9c s connection terminal, 9d s symbol, 9e recruitment index mark, 10s cover film, 111 tin plating layer, 128 opening, 15s solder plating layer, 14% bonding pad, 15s gold bump, 20a, 20b, 20c, 20d s':Ile 21
a, 21b s connection point, 22a s Notch part, 551 drawing part, 54 folded part, 55 S notch part, 56 S polyimide film, 57 screw adhesive, 58 S coil winding, 401 winding wire, 51 flat part, 521 folded part, 55 small part Recessed part, 54 small notch part, 55 s flat part, 561 cut and bent part, 578 recessed part, 58 rich notch part, 591 recessed part, 60 s resin plate, 61 small through hole, 62 s non-through hole, 65 s mark , 64s aperture, 65s@. 661 corner, 70s piece, 1 nickel plating layer, 72B gold plating layer.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 配線基板に搭載されこれと電気的に接続された磁気バブ
ルメモリチップを、2組の対向する2辺にそれぞれ巻線
を施こした長方形環状のコアに囲まれた位置に配置し、
上記磁気バブルメモリチップ、巻線及びコアを回転磁界
閉じ込めケースで覆うようになした磁気バブルメモリ装
置において、上記回転磁界閉じ込めケースを上記磁気バ
ブルメモリチップの上側と下側とで分割して構成すると
ともに、上記磁気バブルメモリチップの素子面に垂直な
軸に対して、巻線を施こしたコア及び上記回転磁界閉じ
込めケースをほぼ対称構造となしたことを特徴とする磁
気バブルメモリ装置。
A magnetic bubble memory chip mounted on a wiring board and electrically connected thereto is placed in a position surrounded by two sets of rectangular annular cores each having a wire wound on two opposing sides.
In the magnetic bubble memory device in which the magnetic bubble memory chip, the winding, and the core are covered with a rotating magnetic field confinement case, the rotating magnetic field confinement case is divided into an upper side and a lower side of the magnetic bubble memory chip. Also, a magnetic bubble memory device characterized in that the core having wire winding and the rotating magnetic field confinement case have a substantially symmetrical structure with respect to an axis perpendicular to the element surface of the magnetic bubble memory chip.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455129A (en) * 1977-09-30 1979-05-02 Ibm Bubble memory drive unit
JPS54102931A (en) * 1977-12-29 1979-08-13 Plessey Handel Investment Ag Magnetic domain device

Patent Citations (2)

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