JPS61271685A - Magnetic bubble memory - Google Patents

Magnetic bubble memory

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JPS61271685A
JPS61271685A JP11200385A JP11200385A JPS61271685A JP S61271685 A JPS61271685 A JP S61271685A JP 11200385 A JP11200385 A JP 11200385A JP 11200385 A JP11200385 A JP 11200385A JP S61271685 A JPS61271685 A JP S61271685A
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magnetic
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magnetic field
chi
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Toshio Futami
二見 利男
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
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Abstract

PURPOSE:To make the titled memory thin-walled and small-sized and to attain low power consumption by mounting a sense amplifier on a flexible board. CONSTITUTION:A magnetic bubble memory element CHI mounted on the flexible wiring board FPC is arranged on a space formed by a framed core COR applying coils COI so as to make the faced winding pairs parallel. Further, the coil COI, the core COR and the element CHI are all clipped in a good conductor case RFS, a couple of magnets BIM are combined to the outer face of the case RFS and clipped in a case SHI, a sense amplifier detecting a magnetic bubble output is mounted on the board FPC and contained in a packaging case PKG. Thus, a magnetic bubble presence detection signal of TTL level with excellent S/N is obtained and the memory is miniaturized.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory, and particularly to a magnetic bubble memory suitable for reduction in thickness, size, and power consumption.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたE字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Xコイル、Yコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。Xコイル及びYコイルは磁気
バブルメモリチップだけでなく、チップよりもはるかに
大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端か
ら端迄長さが長くなり、駆動電圧、a#*電力が大きく
なってしまう。また、Xコイル、Yコイルは磁気バブル
メモリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与する
ために均一なインダクタバランスが要求されることから
、そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりかつ
大型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれらの
Xコイル、Yコイルの外面には磁気バブルメモリ素子に
垂直方向のバイアス磁界を付与する一対の永久磁石板お
よびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂モ
ールドにより被覆されている構造であるため、垂直方向
の積層厚が増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形化
、小型化への要請に対して障害となっていた。
Magnetic bubble memory devices, which have been put into practical use in recent years, consist of rectangular solenoid coils with an asymmetrical structure mounted on an E-shaped ceramic or synthetic resin wiring board on which a magnetic bubble memory chip is mounted. It has a structure in which an X coil and a Y coil are inserted and arranged orthogonally. The X coil and Y coil have a structure in which they wrap not only the magnetic bubble memory chip but also a wiring board that is much larger than the chip, so the length from one end of each coil to the other is long, and the driving voltage and power are It gets bigger. In addition, the X coil and Y coil require a uniform inductor balance in order to provide a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory element, so the coil shapes are different from each other and have an asymmetric structure, resulting in a larger structure. I had no choice but to do so. Furthermore, a pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and a magnetic shunt plate are arranged on the outer surfaces of these X coils and Y coils, and their peripheral parts are covered with a resin mold. Because of this structure, the stacking thickness in the vertical direction increases, which is an obstacle to the demand for thinner and smaller magnetic bubble memory devices.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和54年特許出願公開第55129号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず1例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。
The closest prior art to the present invention known to the applicant is Patent Application Publication No. 55129 of 1974. This publication describes the structure of a frame-shaped core that surrounds a chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them. However, no further specific structure is shown, and it is theoretically impossible to make an electrical connection to a chip completely surrounded by a conductor case from outside the conductor case without shorting it. Although it is possible, the description is clearly insufficient for people to think of putting it into practical use, including the fact that the method of attaching permanent magnets, magnetic shunt plates, bias coils, etc. is unknown. In other words, the embodiment of the present invention merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core is used as a result.

〔発明の目的〕 本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。
[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be made thinner.

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be miniaturized by reducing the overall volume.

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory with reduced power consumption.

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the VI product is reduced by reducing the inductance of the rotating magnetic field generating coil.

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that allows or facilitates automation of assembly of component parts.

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose cassette can be made smaller.

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose peripheral circuitry can be manufactured at low cost.

本発明の更に他の目的は磁気バブルメモリデバイスから
磁気バブル出力を雑音の重畳の少ないTTレベルの信号
で得られる磁気バブルメモリを提供することにある。
Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which a magnetic bubble output from a magnetic bubble memory device can be obtained as a TT level signal with less noise superimposition.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の一実施例によれば、額縁型コアCORを使用し
た駆動磁気回路が提供される(第8図)。
According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a frame-shaped core COR is provided (FIG. 8).

磁気バブルメモリチップCHIは額縁形コアC0Rに囲
まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキシブル配線
基板FPC上に配置される(第13図)。駆動磁気回路
CORおよび磁気バブルメモリチップCHIは非磁性体
で良導電体の回転磁界閉じ込めケースRFS内に収納さ
れる(第13図)、。
The magnetic bubble memory chip CHI is surrounded by the frame-shaped core C0R and arranged on the flexible wiring board FPC so as to be substantially flush with the frame-shaped core C0R (FIG. 13). The drive magnetic circuit COR and the magnetic bubble memory chip CHI are housed in a rotating magnetic field confinement case RFS made of a non-magnetic and highly conductive material (FIG. 13).

ケースの外面に一対の磁石体を組み合わせて高透磁性ケ
ースう内に挟持させる(第20図)。フレキシブル配線
基板と外部接続端子を植設した端子板とを電気的2機械
的に接続する(第34図)。
A pair of magnets are assembled on the outer surface of the case and held within the highly permeable case (Fig. 20). The flexible wiring board and the terminal board on which the external connection terminals are implanted are electrically and mechanically connected (FIG. 34).

ルレキシブル配線基板の上にセンスアンプを搭載する(
第32回)。
Mounting the sense amplifier on the flexible wiring board (
32nd).

このような構成によれば、磁気バブルメモリ素子から出
力される磁気バブル出力アナログ信号がTTレベルの信
号に変換され出力されるので、雑音の極めて少ない出力
信号が得られる。また、センスアンプがフレキシブル基
板上に搭載されるので、磁気バブルメモリの全体形状を
小形化させることができる。
According to such a configuration, the magnetic bubble output analog signal output from the magnetic bubble memory element is converted into a TT level signal and output, so that an output signal with extremely low noise can be obtained. Furthermore, since the sense amplifier is mounted on the flexible substrate, the overall shape of the magnetic bubble memory can be made smaller.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図(a)、(b)は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第1図は一部破断斜視図、第2図(a)はその底
面図、第2図(b)は第2図(a)の2B−2B断面図
である。これらの図において、CHIは磁気バブルメモ
リチップ(以下チップと称する)であり、これらの図で
はチップCHIは省略して1個のみ表示しているが本実
施例では2個並べて配置しているものとする。
(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 (a) and (b) are diagrams for explaining an embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention. FIG. 2(a) is a partially broken perspective view, FIG. 2(a) is a bottom view thereof, and FIG. 2(b) is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2(a). In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip). In these figures, the chip CHI is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. shall be.

(1つの大容量チップよりも5合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い)。F
PCは2個のチップCHIを搭載しかつ4隅にチップC
HIと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板(以下基板と称する)である。CO工
は2個のチップCHIをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル(以
下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合体CO
Iの中空部分を貫通するように設けられた固定配置され
た軟磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)で
あり、このコアCORと各コイルCOIとでチップCH
Iに面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成して
いる。RFSは基板FPCの中央四角形部分と、2個の
チップCH工および磁気回路PFCの全体を収納する回
転磁界閉じ込めケース(以下ケースと称する)である。
(The chip yield is better with a multi-divided chip configuration in which the total storage capacity of 5 is matched than with one large-capacity chip.) F
The PC is equipped with two chips CHI and a chip C in the four corners.
This is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) having a wire group extension for connecting the HI and external connection terminals. The CO design is a drive coil (hereinafter referred to as a coil) that surrounds two chips CHI on almost the same plane and is arranged so that the opposing sides are parallel to each other, and the COR is a rectangular coil assembly CO.
It is a frame-shaped core (hereinafter referred to as the core) made of a fixedly arranged soft magnetic material that is provided so as to penetrate through the hollow part of I, and this core COR and each coil COI form a chip CH.
A magnetic circuit PFC that applies an in-plane rotating magnetic field to I is configured. The RFS is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the central rectangular portion of the substrate FPC, two chip CHs, and the entire magnetic circuit PFC.

ケースRFSは2枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている。
Case RFS is formed by processing two independent plates,
The upper and lower plates are electrically connected on the side of the case.

チップCHIが配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースPFSは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板FP
Cを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってい
る。
A converging portion is formed in the peripheral portion so that the gap in the central portion is narrowed in a slightly wider range than the portion where the chip CHI is arranged. This constriction can also be used to position the magnet. Case PFS uses magnetic field confinement and soft substrate FP
It has the effect of killing two birds with one stone by mechanically supporting C.

ケースPFSとチップCHIとの間には、特にチップC
HIの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの平
面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され。
In particular, there is a chip C between the case PFS and the chip CHI.
There is a gap SIR on the side surface of the chip CHI, and this gap SIR including the flat surface of the chip CHI is coated or filled with silicone resin.

チップ主表面に組立中に異物が付着したり、組立後に水
分がチップ主表面又は側面部に侵入することが少なくな
るよう、パッシベーション効果が意図されている。もし
、ケースRFSの外側で完全な気密封止ができる場合、
樹脂SIRの充填は省略しても良い。INMはケースR
FSの外側に配置された磁性材からなる一対の傾斜板で
あり、第2図で上側の傾斜板INMは左に寄るに従って
また下側の傾斜板INMは右に寄るに従って板厚が厚く
なっており、双方はケースRFS側に傾斜面が形成され
ている。傾斜板INMの材料としては、透磁率μが高く
保持力Hcの小さいソフト・フェライトやパーマロイ等
を使用すれば良く2本実施例では傾斜面の加工が容易な
ソフト・フェライトを選んだ。MAGは一対の傾斜板I
NMの内側でそれと重ねて配置された一対の永久磁石板
(以下磁石板と称する)である、ROMは前記各磁石板
MAGの内側でそれと重ねて配置されたソフトフェライ
トのような磁性材からなる一対の整磁板である。磁石板
MAGは全面にわたって均一の板厚を有して形成されて
いる。INNは一対の整磁板ROMの内側対向面にそれ
と重ねて配置された銅のように熱伝導性が良く非磁性体
の材料からなる一対の傾斜板である。これらの傾斜板I
NNは傾斜板INMとほぼ同等の傾斜角でかつ逆方向の
傾斜面を有して形成されている。傾斜板INM、磁石板
MAG、II磁板ROM及び傾斜板INNは。
The passivation effect is intended to reduce the adhesion of foreign matter to the main surface of the chip during assembly and the intrusion of moisture into the main surface or side surfaces of the chip after assembly. If a complete airtight seal can be achieved on the outside of the case RFS,
Filling of resin SIR may be omitted. INM is case R
A pair of inclined plates made of magnetic material are placed on the outside of the FS. In Fig. 2, the upper inclined plate INM becomes thicker as it moves to the left, and the lower inclined plate INM becomes thicker as it moves to the right. Both have an inclined surface formed on the case RFS side. As the material for the inclined plate INM, soft ferrite or permalloy having a high magnetic permeability μ and a small coercive force Hc may be used. In this embodiment, soft ferrite was selected because it is easy to process the inclined surface. MAG is a pair of inclined plates I
The ROM is a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside the NM and overlapped with it, and the ROM is made of a magnetic material such as soft ferrite arranged inside each of the magnet plates MAG and overlapped with it. They are a pair of magnetic shunt plates. The magnet plate MAG is formed to have a uniform thickness over the entire surface. The INN is a pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity such as copper, which are placed on the inner facing surfaces of a pair of magnetic shunt plates ROM and overlapped therewith. These inclined plates I
NN is formed with an inclined surface having an inclination angle substantially equal to that of the inclined plate INM and in an opposite direction. Inclined plate INM, magnetic plate MAG, II magnetic plate ROM, and inclined plate INN.

それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイアス磁界発生
用磁石体BIM(以下磁石体と称する)を構成したとき
に積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面にわたって均一と
なるように形成されている。
When stacked and arranged and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as magnet body), the thickness of the entire laminated plate magnet body is formed to be uniform over almost the entire surface.

一対の磁石体BIMはケースRFSの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。
A pair of magnet bodies BIM are adhered to a central flat part surrounded by the constriction part of the case RFS.

BIGは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である、バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去)
する場合に駆動される。SHIは前記チップCHIを搭
載した基板FPCおよび磁気回路PFCを収納したケー
スRFSと、その外側で、一対の磁石体BIMa、BI
MbおよびバイアスコイルBICを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース(以下シールドケースと称
する)である。シールドケースSHHの材料としては、
透磁率μが高く、飽和磁束密度Bsが大きく、Hcの小
さい磁性体が、好ましく、パーマロイやフェライトがそ
のような特性を持っているが1本実施例では折り曲げ加
工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄・
ニッケル合金が選択された。PKGは前記シールドケー
スS HIの外周面に接着あるいははめ込みにより取り
付けられた熱伝導率が高く、加工のし易いAQのような
材質からなるパッケージングケースである。GNPは前
記基板FPCの4隅から延長して設けられ、シールドケ
ースSHIの背面に折り返された外部接続端子に接触す
るように配置されたコンタクトパッドである。TEFは
各コンタクトパッドGNPを開口部の段差部で支持固定
する絶縁性部材からなる端子固定板である。REGはパ
ッケージングケースPKGの内側4隅に封入されかつシ
ールドケースRFS組立体をパッケージングケースPK
G内部に固定する樹脂モールド剤である。
BIG is a bias magnetic field generating coil (
The bias coil BIC (hereinafter referred to as bias coil) is used to adjust the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, or to test for the presence or absence of unnecessary bubble generation defects. erase)
It is driven when SHI includes a case RFS that houses the board FPC on which the chip CHI is mounted and the magnetic circuit PFC, and a pair of magnet bodies BIMa and BI on the outside.
This is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as shield case) made of a magnetic material that houses Mb and bias coil BIC. The materials for the shield case SHH are as follows:
A magnetic material with a high magnetic permeability μ, a large saturation magnetic flux density Bs, and a small Hc is preferable, and permalloy and ferrite have such characteristics, but in this example, they are suitable for bending and are resistant to external mechanical forces. Permalloy iron is strong against
A nickel alloy was chosen. PKG is a packaging case made of a material such as AQ that has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer peripheral surface of the shield case SHI by adhesive or fitting. GNP are contact pads extending from the four corners of the substrate FPC and arranged to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. TEF is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at a stepped portion of an opening. REG is sealed in the four inner corners of packaging case PKG, and the shield case RFS assembly is sealed in packaging case PKG.
This is a resin molding agent that is fixed inside G.

(全体構造の特長 第1,2図) 第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし1本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第3図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。
(Features of the overall structure, FIGS. 1 and 2) The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are enumerated as follows. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanations that follow from Figure 3, but here we will focus on the relationship between each component. The features are described below.

(1)回転磁界発生コイルPFCを額縁型にして。(1) Make the rotating magnetic field generating coil PFC into a picture frame shape.

バブルメモリチップCHIをその額内にほぼ同一平面上
で配置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄く
できる。現今の主流技術では、チップ上下面をX及びX
コイルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さ
はチップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関数とな
るからである。
Since the bubble memory chip CHI is arranged on the same plane within the frame, the thickness of the entire bubble device can be reduced. With current mainstream technology, the top and bottom surfaces of the chip are
This is because the thickness of the entire device is a function of the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness since the device is wound around the coil.

(2)Xコイル及びXコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてXコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and the X coil are arranged on almost the same plane, there are the following effects compared to the conventional structure in which the X coil is wound on top of the X coil.

■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
■The total winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.

■Xコイル及びXコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。
(2) The distance between the X coil and the X coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be made balanced.

(3)回転磁界発生コイルPFCを導体ケースRFSで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIに対す
る駆動効率を高められる。
(3) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is surrounded by the conductor case RFS, leakage of magnetic flux is reduced and drive efficiency for the chip CHI can be increased.

(4)導体ケースPFSは、回転磁界Hr発生コイルP
FCから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
BIMに漏れるのを防ぎ。
(4) The conductor case PFS is a rotating magnetic field Hr generating coil P
Prevents the alternating current magnetic field generated from the FC from leaking into the BIM magnet, which has a large magnetic permeability μ.

他方磁石体BIMからチップCHIへ加えられるべきバ
イアス磁界Hbの直流磁界に対しては実質的にその通過
を妨げないという選択性がある。
On the other hand, there is selectivity in that the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb to be applied from the magnet body BIM to the chip CHI does not substantially prevent its passage.

(5)導体ケースPFSとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。
(5) Since the conductor case PFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly.

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。
Therefore, when a multiple-chip mounting configuration is used to increase manufacturing yields, variations in the inclination angle between chips have a large effect on magnetic properties, but according to this embodiment, variations in the inclination angle between chips can be reduced. It can be held small.

(6)配線基板としてフレキシブルフィルム基板FPC
を使用しているため下記の効果が得られる。
(6) Flexible film board FPC as a wiring board
By using , the following effects can be obtained.

■基板厚を小さくできる。■The board thickness can be reduced.

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。
■Since the lead bonding method can be used, the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石MAGを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。
■The effects of ■ and ■ above are due to the magnetic circuit gap (magnetic permeability μ
A bias magnet MAG having a small thickness or a small planar area can be used, which leads to a thinner overall device or a smaller planar area.

■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の180@の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, it is possible to turn over the terminal portion by 180@, and it is possible to limit the planar area of the entire device.

■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.

(7)配線基板FPCの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので1回転磁界閉じ込めケースRFSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the external wiring of the wiring board FPC is concentrated at the corners of the rectangle, the opening of the one-rotation magnetic field confinement case RFS can be provided at the corner where the influence is least.

(8)傾斜mrNNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the gradient mrNN is not combined with the magnet or magnetic shunt function, the following effects are obtained.

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。
■Materials with good workability, such as copper, can be used to form the slope.

■熱温率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。
■Materials such as copper with a good thermal temperature coefficient can be used, and the heat generated by the rotating magnetic field generating coil COI can be efficiently dissipated.

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板RO
Mを通る磁界を乱さないようにすることができる。
■ By using non-magnetic material, magnetic shunt plate RO
It is possible to avoid disturbing the magnetic field passing through M.

(9)傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石MAGや
整磁板HOMに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。
(9) It is preferable for the inclined plate INN to be as thin as possible in order to reduce the magnetic gap.Compared to the magnet MAG and magnetic shunt plate HOM, the inclined plate INN can be made thinner by limiting its width to the area necessary and sufficient for forming the inclined angle. This makes it easy to form an inclined angle in the thickness.

(10)磁石MAGとシールドケースSHI間には、透
磁率μの大きいソフトフェライトのような板INMが挿
入されているので、その間の磁気的ギャップを埋めるこ
とができる。また、板INMは放熱にも寄与する。板I
NMとしては磁石MAGよりも保持力Heの小さい材料
を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均一なま
まにしておくことができる。
(10) Since a plate INM made of soft ferrite having a large magnetic permeability μ is inserted between the magnet MAG and the shield case SHI, the magnetic gap therebetween can be filled. The plate INM also contributes to heat radiation. Board I
Since a material having a smaller coercive force He than that of the magnet MAG is selected as the NM, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.

(11)シールドケースSHIは透磁率μの大きいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石MAGを
磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、
磁石MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(11) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high magnetic permeability μ, the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnet MAG as the magnetic field source can be reduced.
The thickness and planar area of the magnet MAG can be reduced.

(I2)シールドケースSHIは飽和磁束密度Bsの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし。
(I2) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Bs, it bypasses external magnetic field noise.

チップCHIに伝えない働きがある。There is a function that does not inform the chip CHI.

(13)上記(11) 、 (12)はそれぞれ、シー
ルドケースSHIの厚さを薄くすることにつながる。
(13) The above (11) and (12) each lead to reducing the thickness of the shield case SHI.

(14)シールドケースSHEはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。
(14) Since the shield case SHE uses an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and protects the parts incorporated therein against external mechanical forces.

(15)回転磁界発生コイルPFCとバイアスコイルB
ICを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スSHI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。
(15) Rotating magnetic field generating coil PFC and bias coil B
Since both ICs are core-type, the storage efficiency or packaging density within the packaging case SHI or PKG can be increased.

(16)コアー〇ORと整磁板HOMとの間にはケース
RFSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。
(16) Since the case RFS is inserted between the core 〇OR and the magnetic shunt plate HOM, the interval between them can be finely adjusted by the thickness of the rotating magnetic field confinement case RFS and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI. can. The shorter this distance is, the smaller the overall planar size can be, leading to lower power consumption by reducing the coil length.

しかしながら、その距離が短が過ぎると磁石MAGから
の直流バイアス磁界Hbが透磁率の高いコアー〇ORに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。
However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field Hb from the magnet MAG will leak to the core 0OR having high magnetic permeability, and the uniformity of the bias magnetic field in the chip peripheral portion will deteriorate. Therefore, this distance is very critical due to the above-mentioned characteristics, and according to the present structure, it can be precisely adjusted.

(17)回転磁界、閉じ込めケースRFSの周辺に絞り
部を設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易で
ある。
(17) Since the constriction portion is provided around the rotating magnetic field and the confinement case RFS, alignment of the magnet body BIM is easy.

(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に180゜の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板ROMや1対の磁石M
AGをほぼ平行に合せることができる。
(18) The inclined plate INN is made by arranging two plates made under the same manufacturing conditions so that there is a rotation angle difference of 180° between the top and bottom surfaces of the chip, so that the two plates are made under the same manufacturing conditions. A pair of magnetic shunt plates ROM and a pair of magnets M
AG can be aligned almost parallel.

(19)回転磁界閉じ込めケースRFSの側壁部にバイ
アスコイルB工G、BICIをもうけているので、素子
CH工がケースRFS内に収納された状態で不要磁気バ
ブル発生不良の有無をテストすることができ、また、素
子CH工のバブルをオールクリアすることができる。
(19) Since the bias coils B G and BICI are provided on the side wall of the rotating magnetic field confinement case RFS, it is possible to test whether or not unnecessary magnetic bubbles are generated while the element CH is housed in the case RFS. In addition, all bubbles in the element CH process can be cleared.

さらにはバイアスコイルBMCIの使用後にそれをとり
はずしすることもできる。この場合、バブルメモリの部
分点数が減り製造コストを安くすることができる。
Furthermore, it is also possible to remove the bias coil BMCI after use. In this case, the number of partial points in the bubble memory is reduced, making it possible to reduce manufacturing costs.

(組立の概要 第3図) 第3図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板F
PC上に2個の素子CHIを搭載した基板組立体END
を、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着配置
した外側ケースRFSa内に配置し、さらにこの基板F
PC上に磁気回路PFCを組み込んだ後、シリコーン樹
脂SIR(図示せず)を充填しその上部に内側ケースR
FSbを外側ケースRFSaに対して組み込み、外側ケ
ースRF S aと内側ケースRFS bとの側面接触
部分を半田付等により電気的に接続する。次にこれらの
外側ケースRFSaおよび内側ケースRFSbの外面に
設けられている凹状の絞り部に上側磁石体B I M 
aおよび下側磁石体BIMbを配置した後、この上側磁
石体B I M aの外縁部と内側ケースRFSbの内
側とで形成される図示しない隙間に整列巻きされたバイ
アスコイルBICを配置し、これらを外側ケースS H
I a内に収納し、更に内側ケース5HIbを組み込み
、外側ケース5HIaと内側ケース5HIbとの側面接
触部分を溶接等により磁気的に接続する0次に内側ケー
ス5HIbの4隅から突出ルでいる前記基板FPCの外
部接続端子接続部をこの内側ケースS HI bの背面
に第4図Bに示すように折り返し、一定形状を有するよ
うに組み合わせて配置し、これらの接続部にそれぞれ設
けられている半田等で被覆された各外部接続端子に、図
示しないコンタクトバッドCOPを各開口部に搭載した
端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等により各外部
接続端子とコンタクトパッドC○Pを半田付等により電
気的に接続させる0次にこれらの組み立て体にパッケー
ジングケースPKG内に収納し、端子固定板TEFとパ
ッケージングケースPKGの接触部においてハーメチッ
クシール等の封止を行って組み立てられる。
(Overview of assembly Fig. 3) Fig. 3 is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each component constituting the above-mentioned magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. . In the same figure, first, a board F has connection parts for input/output wiring protruding from the four corners and an element mounting part in the center.
Board assembly END with two elements CHI mounted on the PC
is placed inside the outer case RFSa, which has an insulating sheet glued at the position indicated by the dotted line on the bottom surface, and this board F
After incorporating the magnetic circuit PFC on the PC, silicone resin SIR (not shown) is filled and the inner case R is placed on top of it.
FSb is assembled into the outer case RFSa, and the side contact portions of the outer case RF Sa and the inner case RFS b are electrically connected by soldering or the like. Next, the upper magnet body B I M
After arranging the upper magnet body BIMb and the lower magnet body BIMb, a bias coil BIC wound in alignment is arranged in a gap (not shown) formed between the outer edge of the upper magnet body BIMa and the inside of the inner case RFSb. The outer case S
Ia, the inner case 5HIb is further incorporated, and the side surface contact portions of the outer case 5HIa and the inner case 5HIb are magnetically connected by welding or the like. The external connection terminal connection parts of the board FPC are folded back on the back side of this inner case SHIb as shown in FIG. A terminal fixing plate TEF with a contact pad COP (not shown) mounted in each opening is placed in contact with each external connection terminal coated with the like, and each external connection terminal and contact pad C○P are soldered by thermocompression bonding or the like. Then, these assembled bodies are housed in a packaging case PKG, and a hermetic seal or the like is applied to the contact portion between the terminal fixing plate TEF and the packaging case PKG to assemble them.

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.

(フレキシブル配線基板 第4図) 第4図は基板FPCを示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは同
図Aの4G−4G拡拡大面図、同図りは同図Aの4D−
4D拡拡大面図である。同図において、基板FPCは、
中央部に角形状の素子保護部1と、この4隅に巾の小さ
い折り曲げ部2 (2a、2b、2c、2d)と、この
先端部に角形状の外部接続端子接続部(以下接続部と称
する)3 (3a、3b、3c、3d)とを有し、全体
形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、ま
た、この素子保護部1の対向辺側には後述する2個の素
子CHIを搭載しその端子部を接続させる2重枠構造の
矩形状開口部4(4a、4b)および位置決め用の3個
の穿孔5(5a、6b、5c)が設けられ、さらに1個
の接続部3cの先端には位置決め用の基板突出部6が設
けられている。
(Flexible wiring board Fig. 4) Fig. 4 is a diagram showing a board FPC, where A is a plan view thereof and B is a layout in which the connection parts of external connection terminals protruding from the four corners are folded back and combined. The plan view is a 4G-4G enlarged sectional view of the same figure A, and the same figure is 4D- of the same figure A.
It is a 4D enlarged sectional view. In the same figure, the board FPC is
There is a square element protection part 1 in the center, small bent parts 2 (2a, 2b, 2c, 2d) at the four corners, and a square external connection terminal connection part (hereinafter referred to as connection part) at the tip. ) 3 (3a, 3b, 3c, 3d), and the overall shape is approximately windmill-shaped and is integrally formed. A rectangular opening 4 (4a, 4b) with a double-frame structure for mounting two elements CHI and connecting their terminals, and three perforations 5 (5a, 6b, 5c) for positioning are provided. A substrate protrusion 6 for positioning is provided at the tip of each connecting portion 3c.

また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Aに示すような配線用リード9a、
円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用端
+9c。
In addition, as shown in FIG. C, this FPC board is made by forming a copper thin film on a base film 7 made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μm, for example, via an epoxy adhesive 8, and then applying the copper thin film to the desired shape. By etching into a pattern shape, wiring leads 9a as shown in FIG.
Circular external terminal 9b, oval coil lead connection end +9c.

記号9dおよびインデックスマーク9e等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム10が接着配置されている。そして、この基板FP
Cの開口部4においては1図示しない素子CHI搭載側
となるベースフィルム7が高い精度の寸法で開口が形成
され、また、その上面側カバーフィルム1oには比較的
寸法の大きい開口が形成され、さらにペースフィル、ム
7とカバーフィルム10との間には配線用り−ド9aが
露出し、この配線用リード9aの表面には錫メッキ層1
1が形成され、開口形状が2層構造でかつ2重枠構造を
有して形成されている。一方、接続部3においては、同
図りに示すようにカバーフィルム10の前記円形状外部
端子9bおよび図示しない楕円状の外部端子9cと対応
する部位に円形状の開口12が形成され、その間口12
から露出した外部端子9b、9c銅薄膜パターン上には
めっき或いはディップ等による半田層13が形成されて
いる。そして、これらの接続部3に設けられた各外部端
子9b、9cは各接続部3a3b、3c、3dおよび折
り曲げ部2a、2b。
Patterns such as symbols 9d and index marks 9e are formed, and a transparent or semi-transparent cover film 10 is adhered to the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. And this board FP
In the opening 4 of C, an opening with highly accurate dimensions is formed in the base film 7 on the side where the element CHI (not shown) is mounted, and an opening with relatively large dimensions is formed in the cover film 1o on the upper surface side. Further, a wiring lead 9a is exposed between the space film 7 and the cover film 10, and a tin plating layer 1 is formed on the surface of the wiring lead 9a.
1 is formed, and the opening shape is formed to have a two-layer structure and a double frame structure. On the other hand, in the connecting portion 3, as shown in the figure, a circular opening 12 is formed at a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown).
A solder layer 13 is formed by plating or dipping on the copper thin film patterns of the external terminals 9b and 9c exposed from the external terminals 9b and 9c. The external terminals 9b, 9c provided on these connecting portions 3 are the respective connecting portions 3a3b, 3c, 3d and the bent portions 2a, 2b.

2c、2d並びに素子保護部1上に連続して形成された
各配線用リード9aに接続され、これらの配線用リード
9aは素子搭載部1に設けられた各開口部4a、4bの
開口端の一部に各接続部3a。
2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the element protection part 1. Each connection portion 3a is partially provided.

3b、3c、3dのブロック毎に集結してその先端部が
各開口部4a、4b内に露出されている。
They are gathered in blocks 3b, 3c, and 3d, and their tips are exposed in the respective openings 4a and 4b.

すなわち同図Aに示すように接続部3aの配線用リード
9aは開口部4aの左上部に、接続部3bの配線用リー
ド9aは開口部4bの左下部に、接続部3cの配線用リ
ード9aは開口部4aの右上部に、また接続部3dの配
線用リード9aは開口部4bの右下部にそれぞれ配線さ
れている。そして、この基板FPCは、後工程で各接続
部3a。
That is, as shown in FIG. A, the wiring lead 9a of the connecting part 3a is located at the upper left of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting part 3b is located at the lower left of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting part 3c is located at the lower left of the opening 4b. is wired to the upper right corner of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connecting portion 3d is wired to the lower right corner of the opening 4b. Then, this board FPC is connected to each connecting portion 3a in a later process.

3b、3c、3dが各折り曲げ部2a、2b、2c、2
dで折り曲げられて同図Bに示すように組み合わされ、
半田層13を形成した各外部端子9b、9cが表面に露
出し、また、配線用リード9a、記号9dおよびインデ
ックスマーク9eは表面がカバーフィルム1oにより被
覆されているので、これらのパターンはカバーフィルム
10を透かして容易に判読できるように構成されている
3b, 3c, 3d are the respective bent portions 2a, 2b, 2c, 2
d and assembled as shown in Figure B,
The external terminals 9b and 9c on which the solder layer 13 is formed are exposed on the surface, and the surfaces of the wiring leads 9a, symbols 9d and index marks 9e are covered with the cover film 1o, so these patterns are covered with the cover film. 10 is constructed so that it can be easily read through.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部1の4隅に各折り曲げ部2
a、2b、2c、2dを介して各接続部3a、3b、3
c、3dを設けた風車状に構成し、これらの各接続部3
a、3b、3ct 3dを折り返し組み合わせて外部端
子部を構成したことにより、素子保護部1と接続部とが
2層配線構造となるので、接続部3の面積を小さくする
ことなく、素子保護部1の面積を大きくさせ、併せて外
部端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化す
ることができる。
In such a configuration, the substrate FPC uses a polyimide resin film, and each bent portion 2 is provided at the four corners of the element protection portion 1.
Each connection 3a, 3b, 3 via a, 2b, 2c, 2d
c, 3d, and each of these connecting parts 3
By folding and combining a, 3b, 3ct 3d to form the external terminal part, the element protection part 1 and the connection part form a two-layer wiring structure, so the element protection part 1 can be connected without reducing the area of the connection part 3. 1, it is possible to increase the number of external terminals, and the overall shape can be made smaller.

また、このような構成において、各外部端子9bから素
子保護部1の各開口部4a、4bまでの配線リード9a
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちS/N比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部3Cの一端に
基板突出部6を設けるとともに、この突出部6にインデ
ックスマーク9eを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースRFSおよびSH
I (第2図参照)に組み込む際の位置合せ用、配線リ
ード9aの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の
判別に利用してその判別が容易となるので、組み立てお
よび基板管理等を合理化することができる。また、基板
FPCの素子保護部1の両端側に穿孔5a、5b、5c
を設けたことにより、基板FPCの左右の区別、素子C
HIの位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を合
理化することができる。
In addition, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the element protection part 1
Since the time can be significantly shortened, the influence of external noise etc. can be significantly reduced. That is, signals with a high S/N ratio can be input and output. Furthermore, a board protrusion 6 is provided at one end of the connecting part 3C, and an index mark 9e is provided on this protrusion 6, so that when the board is folded back and assembled, it can be used for displaying the central part of the board.
I (see Figure 2) can be used for positioning when assembling, distinguishing the type of wiring lead 9a, or displaying the product model. It can be streamlined. Additionally, holes 5a, 5b, 5c are provided at both ends of the element protection portion 1 of the FPC board.
By providing a
The positioning of the HI becomes easy, and the ease of assembly can also be streamlined.

(基板組立体 第5.6.7図) 第5図は前述した基板FPCに素子CHIを搭載した平
面図を示したものである。同図において、基板FPCの
素子搭載部1には2個の素子CHIが開口部4a、4b
間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構成され
ており、この素子CH工の1個は、第6図に拡大平面図
で示すようにIMbチップの2ブロツクが一体化して構
成され。
(Substrate Assembly Figures 5.6.7) Figure 5 is a plan view showing the element CHI mounted on the aforementioned substrate FPC. In the figure, two elements CHI are mounted in the element mounting part 1 of the FPC board through openings 4a and 4b.
A board assembly BND is constructed by being mounted in parallel between them, and one of the elements CH is constructed by integrating two blocks of IMb chips, as shown in an enlarged plan view in FIG.

2個の素子CHIでは4ブロツク、合計で4Mbチップ
を構成している。なお、第6図に示した素子CHIの1
ブロツクにおいて、太線は導体パターン、細線はシェブ
ロンパターン転送路をそれぞれ示している。また、第5
図に示した素子CHIは、第7図A、第7図Bにそれぞ
れ拡大断面図で示すように素子CHIの端部に金メッキ
して設けられた各ポンディングパッド14と、基板FP
C開口部4の錫メッキ層11が形成された配線用リード
9aとの間に金バンプ15を介在させて熱圧着払にによ
るA u −S n共晶によりリードボンディングされ
て搭載されている。
Two elements CHI constitute 4 blocks, a total of 4 Mb chip. Note that 1 of the element CHI shown in FIG.
In the blocks, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths. Also, the fifth
The element CHI shown in the figure has respective bonding pads 14 provided by gold plating on the ends of the element CHI and a substrate FP, as shown in enlarged cross-sectional views in FIGS. 7A and 7B, respectively.
A gold bump 15 is interposed between the wiring lead 9a on which the tin plating layer 11 of the C opening 4 is formed, and lead bonding is carried out using Au-Sn eutectic by thermocompression bonding.

このような構成によれば、基板FPCの開口部4a、4
bの配線用リード9aと素子CH工のポンディングパッ
ド14とがAu−8n共晶によるリードボンディングに
より接続されて素子CHIが支持固定できるので、接続
強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が可能となる
。また、素子CHIの表面が基板FPCの素子搭載部1
により被覆されるので、素子CHIの表面が保護され、
ハンドリング性を向上させることができるとともに、基
板FPCの機械的強度を保持することができる。また、
このような構成によれば、各素子CHIが2ブロツクか
らなり、2個の素子CHIは4ブロツクで構成されてい
るので、各ブロックをそれぞれ最も近接する各接続部3
a、3b、3c。
According to such a configuration, the openings 4a, 4 of the substrate FPC
The wiring lead 9a of b and the bonding pad 14 of the element CH are connected by lead bonding using Au-8n eutectic, and the element CHI can be supported and fixed, so the connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. It becomes possible. In addition, the surface of the element CHI is the element mounting part 1 of the substrate FPC.
Since the surface of the element CHI is covered with
Handling properties can be improved, and the mechanical strength of the FPC board can be maintained. Also,
According to such a configuration, each element CHI is composed of two blocks, and two elements CHI are composed of four blocks, so that each block is connected to the nearest connecting portion 3.
a, 3b, 3c.

3dへ分配して配線でき、素子CHI配置の対称性が得
られ、試験、検査等が極めて容易となる。
Wiring can be distributed over 3D, symmetrical element CHI arrangement can be obtained, and testing, inspection, etc. can be extremely facilitated.

さらに基板FPCに4個の接続部3a、3b、3Q、3
dを設けているので、各素子CHIの磁気バブル検出器
DETおよびマツプループ等の配線を他の機能配線と区
別して1個所の接続部に集結させ、この接続部を雑音発
生源から遠ざける部位に選定して配置することにより、
雑音の極めて少ない入出力信号を授受することができる
Furthermore, there are four connection parts 3a, 3b, 3Q, 3 on the board FPC.
d, the wires for the magnetic bubble detector DET and pine pull of each element CHI are distinguished from other functional wires and gathered at one connection point, and this connection point is selected to be away from the noise source. By placing
It is possible to exchange input/output signals with extremely low noise.

(駆動磁気回路 第8,9図) 第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアCORの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して4組のコイル20a、20b、20
c、20dからなるコイルCOIが巻設され、互いに対
向する辺上のコイル20aと20bとを接続点21bを
介して直列巻きさせてXコイル22aを、コイル20c
と20dとを接続点21aを介して直列巻きさせてYコ
イル22bをそれぞれ構成している。
(Drive Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFC, and FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a plan view showing the drive magnetic circuit. In the figure, the magnetic circuit PFC includes four sets of coils 20a, 20b, 20, which are wound in the direction of the arrows on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COR made of a soft magnetic material.
A coil COI consisting of coils COI c and 20d is wound, and coils 20a and 20b on opposite sides are wound in series via a connection point 21b to form an X coil 22a and a coil 20c.
and 20d are wound in series via the connection point 21a to form the Y coil 22b.

そして、Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の
90度異なる電流IxおよびIy(例えば三角非電流)
を供給することにより、同図Bに示すようにX軸方向に
漏洩磁界Hxが、y軸方向には漏洩磁界Hyが発生し、
前述した2個の素子CHIに回転磁界として供給される
Then, currents Ix and Iy (for example, triangular non-current) whose phases are different by 90 degrees are applied to the X coil 22a and the Y coil 22b.
As shown in Figure B, a leakage magnetic field Hx is generated in the X-axis direction and a leakage magnetic field Hy is generated in the y-axis direction.
It is supplied as a rotating magnetic field to the two elements CHI mentioned above.

また、このように構成される磁り回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア23に巻線を複数ブロック毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a、20bからなる一対のXコイル22aを形成した後
、各コイル20aと20bとの間に一定の巾を有する幅
の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削加工し
て設け、しかる後、この幅の小さい溝26部分から切断
して間者に分割された幅の広い溝25を互いに直交する
方向に組み合わせて接着し、第8図に示すように額縁形
に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝25および
幅の小さい溝26を予め形成した直方体コア23にコイ
ル20a、20bをタップ24を介して巻設し、一対の
Xコイル22aを形成してもよい。また、前述した一対
のYコイル22bについても全く同様に形成される。
In addition, the magnetic circuit PFC configured in this manner has windings arranged around a rectangular parallelepiped magnetic core 23 made of one soft magnetic material with taps 24 for each block, as shown in a perspective view in FIG.
are provided and wound in series to form a pair of coils, for example coil 20.
After forming a pair of X coils 22a consisting of coils 20a and 20b, a wide groove 25 having a constant width and a narrower groove 26 are formed by cutting between each coil 20a and 20b. Thereafter, the wide grooves 25 which are cut from the narrow grooves 26 and divided into the intermediate grooves are combined and glued in mutually orthogonal directions to form a picture frame shape as shown in FIG. Alternatively, the pair of X coils 22a may be formed by winding the coils 20a and 20b through the taps 24 around the rectangular parallelepiped core 23 in which the wide groove 25 and the narrow groove 26 described above are formed in advance. . Furthermore, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア23にコイ
ル20a、20bを直列方向にタップ24を設けて巻設
しているので、第8図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル22aとYコイル2
2bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路PFCは素子CHIの上、下面に配置されな
い額縁層構造となるので、積層方向の厚さが小さくなり
、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
2b has a symmetrical structure, resulting in a rough coupling,
The inductance balance is improved, and magnetic interference between magnetic bodies due to leakage magnetic fields can be prevented. Furthermore, since the magnetic circuit PFC has a frame layer structure in which it is not disposed on the upper or lower surface of the element CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.

(回転磁界閉込めケース 第10.11.12図)第1
0図はケースRFSを示す図であり、同図Aは平面図、
同図Bはそのl0B−l0B断面図である。同図におい
て、内側ケースRFSbは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部30と、その対向端辺が上方向にほぼ9
0度折り曲げられた折り曲げ部31と、その洛4隅が斜
め方向に切断された切り欠き部32とをそれぞれ有して
構成されており、このケースRFSbは良導電性材料、
例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。こ
の場合、絞り部30および折り曲げ部31はこの内側ケ
ースRFSbのねじれ方向の機械的強度を向上させると
ともに、互いに対向する折り曲げ部31相互間の縦横方
向の外径寸法りを適宜制限することができる、また、絞
り部3oは、このケースRFSbの外面側に配設される
磁石体BIMbと、内面側に配置される素子CHIとの
間の距離を適宜調整することができる。なお、4隅に設
けた切り欠き部32は、このケースRFSb内に配設さ
れる基板FPCの各折り曲げ部2a。
(Rotating magnetic field confinement case Fig. 10.11.12) 1st
Figure 0 is a diagram showing the case RFS, and Figure A is a plan view.
Figure B is a sectional view taken along the line 10B-10B. In the figure, the inner case RFSb has a frame-shaped constriction part 30 whose central part is concave, and whose opposing end sides extend upward by approximately 90 degrees.
The case RFSb is made of a good conductive material,
For example, it is formed by pressing an oxygen-free copper plate. In this case, the constricted portion 30 and the bent portion 31 can improve the mechanical strength of the inner case RFSb in the torsion direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 31 facing each other. Further, the aperture portion 3o can appropriately adjust the distance between the magnet body BIMb arranged on the outer surface side of this case RFSb and the element CHI arranged on the inner surface side. Note that the cutout portions 32 provided at the four corners are each bent portion 2a of the board FPC disposed within this case RFSb.

2b、2c、2clの引出し部分を形成している。2b, 2c, and 2cl drawer portions are formed.

このような構成によれば、内側ケースRFS bは、プ
レス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低
コストで製作することができる。
According to such a configuration, the inner case RFS b can be formed by a press working method, so it can be manufactured with high precision dimensions and at low cost.

なお、内側ケースRFSbは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。
Note that, although oxygen-free copper is used for the inner case RFSb, a plate material made of copper, silver, gold plate, or an alloy plate thereof may be used.

第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは平面図、同図
BはそのIIB−11B断面図である。同図において、
この外側ケースRFSaは、前述した内側ケースRFS
bと同等の材料および製作法により形成され、その構造
は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状の絞
り部33と、その対向端辺が上方向にほぼ90度に折り
曲げられた折り曲げ部34と、その各4隅が斜め方向に
切断された切り欠き部35とを有して構成されている。
FIG. 11 is a diagram showing an outer case RFSa corresponding to the above-described inner case RFSb, with FIG. 11A being a plan view and FIG. 11B being a sectional view taken along line IIB-11B. In the same figure,
This outer case RFSa is similar to the inner case RFS described above.
It is formed using the same material and manufacturing method as b, and its structure is almost the same as described above, with a frame-shaped constriction part 33 whose central part is concave, and the opposite end thereof is bent upward at approximately 90 degrees. It is configured to include a bent portion 34 and a notch portion 35 cut diagonally at each of its four corners.

この場合、互いに対向する折り曲げ部34は、その相互
間の内側寸法が、前述した内側ケースRFSbの折り曲
げ部31相互間の外側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高
さHを大きくして形成されている。なお、この絞り部3
3および切り欠き部35は前述した内側ケースRFSb
とほぼ同等の寸法を有して形成されている。
In this case, the mutually opposing bent portions 34 are formed so that the inner dimensions thereof are approximately the same as the outer dimensions between the bent portions 31 of the inner case RFSb described above, and the height H is increased. has been done. Note that this aperture part 3
3 and the notch 35 are the inner case RFSb described above.
It is formed to have approximately the same dimensions as.

このように構成された外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースRFSbは、第12図Aにその平面図、第12図B
に12B−12B断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スRFSa内に内側ケースRFSbを挿入し、外側ケー
スRFSaの折り曲げ部31の外面とを互いに接触させ
て接続することにより、一体化させケースRFSが組み
立てられる。
The outer case RFSa and the inner case RFSb configured in this way are shown in a plan view in FIG. 12A and in FIG. 12B.
As shown in the cross-sectional views 12B-12B, the inner case RFSb is inserted into the outer case RFSa, and the outer surfaces of the bent portions 31 of the outer case RFSa are brought into contact with each other and connected, thereby integrating the case RFS and assembling the case RFS. It will be done.

(ケース組立体 第13図) 第13図は前述したケースRFS内に基板組立体BND
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースRFSaの底面には、電気的絶縁性シー
トとして、例えば厚さ約0゜1m程度のポリイミドフィ
ルム36が接着配置され、このフィルム36上には基板
組立体BNDが、また、その周縁部には磁気回路FPC
がそれぞれ配置され、されに基板組立体BNDの上面に
エポキシ系の接着剤37を塗布した後、これらの上方部
には内側ケースRFSbが挿入されて接合配置されてい
る。この場合、この外側ケースRFSaの折り曲げ部3
4の内面と内側ケースRFSbの折り曲げ部31の外面
とがX印で示す部分でメタルフローあるいは半田付等に
より電気的2機械的に接合されている。また、この外側
ケースRFSaと内側ケースRFSbとの間の隙間部分
にはシリコーン樹脂SIRが充填され基板組立体BND
および磁気回路PFCが固定配置されている。なお、こ
の場合、これらの外側ケースRFSaおよび内側ケース
RFSbの4隅に設けられた図示しない各切り欠き部3
2.35には基板FPCの折り曲げ部2 (2a、2b
t 2ct 2d)が外部へ引出されている。38はコ
イルCOI同志の接続またはコイルCOIと基板FPC
上に設けられた外部端子9cを接続するためのリード線
である。
(Case assembly Figure 13) Figure 13 shows the board assembly BND inside the case RFS mentioned above.
This figure shows a cross-sectional view of the storage arrangement. In the figure, a polyimide film 36 with a thickness of about 0.1 m, for example, is adhesively arranged as an electrically insulating sheet on the bottom surface of the outer case RFSa, and a board assembly BND is mounted on this film 36. At its periphery is a magnetic circuit FPC.
are arranged respectively, and after applying an epoxy adhesive 37 to the upper surface of the board assembly BND, an inner case RFSb is inserted and bonded to the upper part of these. In this case, the bent portion 3 of this outer case RFSa
The inner surface of the inner case 4 and the outer surface of the bent portion 31 of the inner case RFSb are electrically and mechanically joined by metal flow, soldering, etc. at the portion indicated by the X mark. In addition, the gap between the outer case RFSa and the inner case RFSb is filled with silicone resin SIR to form the board assembly BND.
and a magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In this case, each notch 3 (not shown) provided at the four corners of these outer case RFSa and inner case RFSb
2.35 is the bent part 2 of the board FPC (2a, 2b
t 2ct 2d) is pulled out. 38 is the connection between the coil COIs or the coil COI and the board FPC
This is a lead wire for connecting the external terminal 9c provided above.

このような構成において、磁気回路FPCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRFSには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に封じ込められ、したがって素
子CHIには均一な回転磁界を付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit FPC, an induced current flows through the case RFS to form a closed loop, and this induced current confines the rotating magnetic field within the case RFS, so that the element CHI is applied with a uniform rotating magnetic field.

このような構成によれば、外側ケースRF S aおよ
び内側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基
板FPCに搭載された素子CHIを、周縁部分の凸状部
内に磁気回路PFCをそれぞれ挟持させて配置したので
パッケージング効果が向上できるとともに、組立性が大
幅に向上できる。
According to such a configuration, the element CHI mounted on the board FPC is sandwiched between the outer case RF S a and the inner case RFS b in the concave part of the central part, and the magnetic circuit PFC is held in the convex part of the peripheral part. Since they are arranged in parallel, the packaging effect can be improved and the ease of assembly can be greatly improved.

また、外側ケースRFSaおよび内側ケースRFsbで
覆われる体積が減少することにより、VI積(体積)が
低減でき、回転磁界を発生させる磁気回路PFCの小形
化が可能となる。さらに外側ケースRFSaおよび内側
ケースRFSbに絞り部30.33で形成される凹状部
を設は対向する凹状部間のギャップを減少させることに
より。
Further, by reducing the volume covered by the outer case RFSa and the inner case RFsb, the VI product (volume) can be reduced, and the magnetic circuit PFC that generates the rotating magnetic field can be downsized. Furthermore, the outer case RFSa and the inner case RFSb are provided with concave portions formed by the constricted portions 30 and 33 to reduce the gap between the opposing concave portions.

回転磁界は素子CHIの平面に垂直な成分(Z成分)が
零に近接して水平・な成分のみとなり、−犠牲を向上さ
せることができる。
In the rotating magnetic field, the component (Z component) perpendicular to the plane of the element CHI approaches zero and becomes only a horizontal component, making it possible to improve the -sacrifice.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which Figure A is a plan view, Figure B is a side view, and Figure C is a front view.

同図において、磁石体BIMは。In the same figure, the magnet body BIM is.

対向面の一方が所定の傾斜面を有する非磁性材、例えば
銅からなる傾斜板I’NNと、この傾斜抜工NNの傾斜
面側に配置する板厚の均一な第1の整磁板HOMよと、
この第1の整磁板HOM1の上面側に配置する板厚の均
一な磁石板MAGと、この磁石板MAGの上面側に傾斜
面を有する第2の整磁板HOM、とを順次積層し、エポ
キシ系の接着剤により一体化されて形成され、全体の積
層板厚がほぼ全面にわたって均一となるように構成され
ている。そして、この磁石体BIMの上、下面からはほ
ぼ全面にわたって均一なバイアス磁界発生用の磁界が放
出される。
An inclined plate I'NN made of a non-magnetic material, such as copper, with one of its opposing surfaces having a predetermined inclined surface, and a first magnetic shunt plate HOM having a uniform plate thickness disposed on the inclined surface side of this inclined cutting NN. Yoto,
A magnet plate MAG having a uniform plate thickness disposed on the upper surface side of the first magnet plate HOM1 and a second magnet plate HOM having an inclined surface on the upper surface side of this magnet plate MAG are sequentially laminated, They are integrally formed using an epoxy adhesive, and are constructed so that the overall thickness of the laminated plate is uniform over almost the entire surface. A uniform magnetic field for generating a bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B−15B断面図である
。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線4oが
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成さ九る。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing the bias coil BIC, where A is a perspective view and FIG. B is a cross-sectional view taken along line 15B-15B. In the same figure, the bias coil BIC has a winding 40 whose outer surface is coated with an insulating member such as a thermosetting resin, and is wound in an array with a cross section of 5 x 4 wires so that the overall shape has a picture frame shape. After that, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 4o is hardened in a bundled state. Therefore, it is formed into a predetermined picture frame shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装 
第16図) 第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体BNDおよび磁気回路PFCを収納し
たケースRFS組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体B I M a下部磁石体B IMbが接着配置され
、さらにこの上部磁石体B I M aの周縁部と、内
側ケースRFSbの折り曲げ部31とで囲まれて形成さ
れる額縁状溝部にはバイアスコイルBICが収納配置さ
れている。この場合、上部磁石体B I M aと下部
磁石体BIMbとは全く同一の材料2寸法で構成されて
おり、これらの磁石体BIMa、BIMbはその傾斜板
INN側が、内側ケースRFSbの絞り部30で囲われ
た凹状部および外側ケースRFSaの絞り部33で囲ね
れた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。
(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
(FIG. 16) FIG. 16 is a sectional view of the case RFS assembly described in FIG. 13 incorporating the magnet body BIM and bias coil BIC. In the same figure,
An upper magnet body BI Ma and a lower magnet body B IMb are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of the case RFS assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside, respectively. A bias coil BIC is housed in a frame-shaped groove formed by being surrounded by the peripheral edge of the inner case RFSb and the bent portion 31 of the inner case RFSb. In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are made of the same material and two dimensions, and the inclined plate INN side of these magnet bodies BIMa and BIMb is connected to the throttle part 30 of the inner case RFSb. and the concave portion surrounded by the constriction portion 33 of the outer case RFSa, respectively, in close contact with each other.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa、
BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
、′f4形化が可能となる。また、外側ケースRF S
 aと下部磁石体B IMbの外縁部分とで額縁状の空
間溝が形成されるので、この部分に前記バイアスコイル
BICを配置しても良く、また新たにバイアスコイルを
設けても良く、さ゛らにはコイルボビンとして巻線を施
してバイアスコイルを形成することもできる。
In such a configuration, a pair of magnet bodies BIMa,
Since the BIMb is placed and the bias coil BIC can be placed in the frame-shaped groove formed on the periphery of the BIMb,
The overall thickness of each component in the stacking direction is reduced, making it possible to make the device compact and into an 'f4 shape. In addition, the outer case RF S
Since a frame-shaped space groove is formed between a and the outer edge portion of the lower magnet BIMb, the bias coil BIC may be placed in this portion, or a new bias coil may be provided. can also be wound as a coil bobbin to form a bias coil.

(磁気シールドケース 第17.18.19図)第17
図はシールドケースSHIを示す図であり、同図Aは平
面図、同図Bはその17B−17B断面図である。同図
において、外側シールドケ−ス5HIaは、平坦部51
と、この平坦部51の対向端辺に上方向にほぼ90度に
折り返した折り曲げ部52と、この折り曲げ部52の中
央部に一部が切り欠かれた凹部53と、その各4隅が斜
め方向に切断された切り欠き部54とを有して構成され
ており、このシールドケースS HI aは高透磁率お
よび高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大きい
材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成されて
いる。
(Magnetic shield case Fig. 17, 18, 19) Fig. 17
The figures show the shield case SHI, with figure A being a plan view and figure B being a 17B-17B cross-sectional view thereof. In the figure, the outer shield case 5HIa has a flat portion 51.
A bent part 52 is formed on the opposite end of the flat part 51 by folding upward at approximately 90 degrees, a recessed part 53 is partially cut out in the center of the bent part 52, and each of its four corners is diagonally shaped. This shield case S HI a is made of a material having high magnetic permeability and high saturation magnetic flux density, and preferably high thermal conductivity, such as a permalloy plate. It is formed by pressing.

第18図は前述した外側シールドケース5HIaに対応
する内側シールドケース5HIbを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその18B−18B断面図である
。同図において、この内側シールドケース5HIbは、
前述した外側シールドケース5HIaと同等の材料およ
び製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同様に
平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上方向にほ
ぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この折り曲げ
部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57と、その
各41114が斜め方向に切断された切り欠き部58と
を有して構成されている。この場合、互いに対向する折
り曲げ部56はその相互間の外側寸法が、前述した外側
シールドケース5HIaの折り曲げ部52相互間の内側
寸法りとほぼ同等値を有しかつ高さHを小さくして形成
されている。
FIG. 18 is a diagram showing an inner shield case 5HIb corresponding to the above-mentioned outer shield case 5HIa, with FIG. 18A being a plan view and FIG. 18B being a 18B-18B sectional view thereof. In the figure, this inner shield case 5HIb is
It is formed using the same material and manufacturing method as the outer shield case 5HIa described above, and its structure is almost the same as described above, including a flat part 55 and a bent part bent upward at approximately 90 degrees on the opposite end of the flat part 55. 56, a recessed portion 57 partially cut out in the center of the bent portion 56, and a notched portion 58 in which each of the bent portions 41114 is cut diagonally. In this case, the mutually opposing bent portions 56 are formed so that the outer dimensions thereof are approximately the same as the inner dimensions between the bent portions 52 of the outer shield case 5HIa described above, and the height H is reduced. has been done.

このように構成された外側シールドケース5HIaおよ
び内側シールドケース5HIbは第19図Aにその平面
図、第19図Bにその19B−19B断面図でそれぞれ
示すように外側シールドケースS HI a内に内側シ
ールドケース5HIbを挿入し、外側シールドケースS
 HI aの凹部53と内側シールドケース5HIbの
凹部57とで形成される凹部59にスポット溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的、機械的に固定することによ
り一体化させ外側シールドケースS HI aが組み立
てられる。 このような構成において、外側シールドケ
ース5HIaの折り曲げ部52および内側シールドケー
ス5HIbの折り曲げ部S6を横方向、つまり積層方向
と交差す方向に設定することなく、積層方向に揃えて設
定することにより、横方向の寸法を小さくさせ、小形で
かつ構成部品の高集積化が可能となる。
The outer shield case 5HIa and the inner shield case 5HIb configured in this way are arranged inside the outer shield case SHIa as shown in FIG. 19A as a plan view and as shown in FIG. Insert shield case 5HIb and remove outer shield case S.
Spot welding or solder welding is applied to the recess 59 formed by the recess 53 of the HI a and the recess 57 of the inner shield case 5HIb, and the outer shield case S HI a is assembled by magnetically and mechanically fixing the recess 59. It will be done. In such a configuration, by setting the bent portion 52 of the outer shield case 5HIa and the bent portion S6 of the inner shield case 5HIb in the lateral direction, that is, in the direction intersecting the stacking direction, but aligned in the stacking direction, By reducing the lateral dimension, it is possible to achieve compactness and high integration of component parts.

(磁気シールドケース組立体 第20図)第20図は前
述したシールドケースSHI組立体内に、前記第16図
で説明した内部に基板組立体BND、磁気回路FPCを
組み込んだケースRFS組立体と、一対の磁石板BIM
a、BIMb、バイアスコイルBICとからなる組立体
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
(Magnetic shield case assembly FIG. 20) FIG. 20 shows the case RFS assembly, which incorporates the board assembly BND and magnetic circuit FPC inside the shield case SHI assembly described in FIG. magnetic plate BIM
Fig. 3a shows a cross-sectional view incorporating an assembly consisting of BIMb and bias coil BIC. In the same figure.

外側シールドケースS HI aの内部には、その底面
側から中央部に上部磁石体B I M a 、周縁部に
バイアスコイルBIC,ケースRFS組立体(内部に基
板組立体BND、磁気回路PFC等が組み込まれている
)、下部磁石体BIMbを順次積層配置させた後、内側
シールドケース5HIbを挿入し、前述した外側シール
ドケースS H工aの凹部53と内側シールドケース5
HIbの凹部57とで形成される凹部59(第19図参
照)で溶接固定して封止される。この場合、このシール
ドケー入SHI内にグリース等を充填させておくことに
より、内部の構成部品が実質的に相互に密着することに
なり、ケースRFSから発生する熱がこのシールドケー
スSHIを介して外部に放出することができる。また、
ケースRFSとシールドケースSHIを圧入方式により
側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させること
ができる。
Inside the outer shield case S HI a, there is an upper magnet body B I M a in the center from the bottom side, a bias coil BIC in the peripheral part, and a case RFS assembly (board assembly BND, magnetic circuit PFC, etc. inside). After sequentially stacking and arranging the lower magnet bodies BIMb (incorporated), the inner shield case 5HIb is inserted, and the recess 53 of the outer shield case SH engineering a and the inner shield case 5
It is fixed and sealed by welding in a recess 59 (see FIG. 19) formed with the recess 57 of HIb. In this case, by filling the shield case SHI with grease or the like, the internal components will come into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS will be transferred through the shield case SHI. Can be released to the outside. Also,
The heat dissipation effect can be improved by making the case RFS and the shield case SHI contact each other at their sides by press-fitting.

このような構成において、外側シールドケースSHI 
aの底面側にケースRFS組立体を、その折り曲げ部3
1.34が対向するように積層配置させることによって
外部シールドケースS HI aと内部シールドケース
S HI bとの間に積層される各構成部品が密着配置
できるので、小形化、Wt形化が可能となるとともに放
熱効果も同時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case SHI
Place the case RFS assembly on the bottom side of
By arranging them in a stacked manner so that 1.34 faces each other, each component stacked between the outer shield case S HI a and the inner shield case S HI b can be placed in close contact with each other, making it possible to downsize and make it Wt-shaped. At the same time, a heat dissipation effect can be obtained at the same time.

(パッケージングケース 第21図) 第21@はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21B断面図
である。同図において、パッケージングケースPKGは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚約0゜5国のアルミ
ニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されないが
、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッケ
ージングケースPKGは、前記外側シールドケース5H
Iaの形状を改良して兼用させて使用することができる
(Packaging case FIG. 21) FIG. 21 is a diagram showing the packaging case PKG, where A is a plan view and B is a sectional view taken along line 21B-21B. In the figure, the packaging case PKG is formed by drawing a material with good thermal conductivity, such as an aluminum plate with a thickness of about 0.5 mm, and has a black coating on its outer surface (not shown). ing. This packaging case PKG is the outer shield case 5H.
It is possible to improve the shape of Ia and use it for both purposes.

このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するボッティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。
In such a configuration, this packaging case P
The KG serves as the outer case after the magnetic bubble memory device is completed and also functions as a heat sink, and its inner corner also functions as a mold during resin molding using the botting method described below. .

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22.23図)
第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B−22B断面図、同図Cは
その背面図である。同図において、端子固定板TEFは
、電気的絶縁性を有する材料。
(Terminal fixing plate and contact pad Fig. 22.23)
FIG. 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF, in which FIG. 22A is a plan view, FIG. 22B is a sectional view taken along line 22B-22B, and FIG. 22C is a rear view thereof. In the figure, the terminal fixing plate TEF is made of an electrically insulating material.

例えばガラスエポキシ系の樹脂板60からなり、その外
形状は前記パッケージングケースPKGの開口部に対し
て挿入出自在となる縦横方向の寸法を有して形成されて
おり、またこの樹脂板60の周辺部を除く部位には多数
個の貫通孔61が縦横方向に所定の間隔をもってマトリ
ックス状の配列で穿設され、さらにこれらの貫通孔群の
角部には回転対称とはならない断面が凹状となる非貫通
孔62が設けられ、この非貫通孔62内には例えば方向
性あるいは特長を位置付ける白色の塗膜などによるマー
ク63が付着されている。また、この樹脂板60に穿設
された多数個の貫通孔61には、同図Bに示すようにそ
の背面側に口径の大きい開口64が同軸的に連通して設
けられており、これらの開口64の全ては板厚の約60
%の深さを有しかつ貫通孔61とは途中に段差を有して
連通されている。また、この樹脂板60の背面側には同
図Cに示すようにその周辺部分に沿って前記開口64の
深さとほぼ同等の深さを有しかつ平面方向の幅が異なり
その断面が凹形状となる溝65が形成され、この溝65
内は前述したコイルCO工の巻線、バイアスコイルBI
Cの巻線の通路部および接続部を構成している。また、
この樹脂板60の角部66は凹形状とはならず、所定の
板厚寸法を有し、前述したパッケージングケースPKG
の内側面に体して接触面を得ている。このように樹脂板
60の背面側は板厚の異なる2段構造を有して形成され
ている。
For example, it is made of a glass epoxy resin plate 60, and its outer shape is formed to have vertical and horizontal dimensions that allow it to be inserted into and removed from the opening of the packaging case PKG. A large number of through holes 61 are formed in a matrix arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in areas other than the peripheral area, and furthermore, the corners of these through holes have concave cross sections that are not rotationally symmetrical. A non-through hole 62 is provided, and a mark 63 made of, for example, a white coating film for locating directionality or features is attached inside this non-through hole 62. In addition, as shown in FIG. B, a large number of through holes 61 formed in the resin plate 60 are provided with large diameter openings 64 coaxially communicating with each other on the back side thereof, as shown in FIG. All of the openings 64 are approximately 60 mm thick of the plate.
%, and communicates with the through hole 61 with a step in the middle. Further, as shown in FIG. C, the back side of the resin plate 60 has a depth approximately equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and has a different width in the plane direction and a concave cross section. A groove 65 is formed, and this groove 65
Inside are the coil CO windings and bias coil BI mentioned above.
It constitutes the passage section and connection section of the winding C. Also,
The corners 66 of this resin plate 60 do not have a concave shape, but have a predetermined thickness dimension, and are
The contact surface is obtained by touching the inner surface of the In this way, the back side of the resin plate 60 is formed to have a two-tiered structure with different plate thicknesses.

第23図はコンタクトパッドGNPを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその23B−23B断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドGNPは、良導電
性材料、例えば板厚約0゜51111程度の銅板をプレ
ス加工により打ち抜いた素片70の表面にニッケルメッ
キ層71.金メッキ層72を形成して構成される。
FIG. 23 is a diagram showing the contact pad GNP, with FIG. 23A being a plan view and FIG. 23B being a sectional view taken along line 23B-23B. In the figure, the contact pad GNP is formed by forming a nickel plating layer 71 on the surface of a piece 70 punched out of a highly conductive material, for example, a copper plate with a thickness of about 0°51111 by press working. It is constructed by forming a gold plating layer 72.

(最終組立 第20.4.2図) このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG内に、第20図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースPKGの4隅から前記基板組立体
BNDの各接続部3a、3b、3c、3d (第4図A
参照)が各折り曲げ部2a、2b+ 2c、2dから約
90度で折れ曲がって突出する。次に、このパッケージ
ングケースPKGの4隅にボッティング法により樹脂モ
ールドを行なってこのパッケージングケースPKG内に
各個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各接続
部3a、3b、3c、3dを対応する各折り曲げ部2a
、 2b、2at 2dでさらに約90度で折り曲げて
内側シールドケース5HIbの外面に接着剤を介して前
記第4図Bに示すように組み合わせた後、前記端子固定
板TEF背面側の各開口64内にコンタクトパッドGN
Pを搭載し、あるいは更にコンタクトパッドGNPの側
面を接着剤により固着してパッケージングケースPKG
に挿入し、各接続部3a、3b、3c。
(Final assembly FIG. 20.4.2) For each component configured in this way, first, the shield case assembly described in FIG. 20 is inserted into the packaging case PKG described above. In this state, the connection parts 3a, 3b, 3c, and 3d of the board assembly BND are connected from the four corners of this packaging case PKG (Fig. 4A).
) is bent at about 90 degrees and protrudes from each bent portion 2a, 2b+2c, 2d. Next, resin molding is performed at the four corners of this packaging case PKG by a botting method, and each individual component is fixedly arranged inside this packaging case PKG. Subsequently, each of these connecting portions 3a, 3b, 3c, and 3d is connected to each of the corresponding bent portions 2a.
, 2b, 2at and 2d at about 90 degrees and assembled to the outer surface of the inner shield case 5HIb with adhesive as shown in FIG. contact pad GN
Packaging case PKG is mounted by mounting P or further fixing the side surface of contact pad GNP with adhesive.
and each connection part 3a, 3b, 3c.

3dに接触配置させる。この場合、各接続部3a。Place it in contact with 3d. In this case, each connection part 3a.

3b、3c、3dに設けられている各外部端子9bの配
列ピッチと各コンタクトパッドGNPの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子9bとコンタクトパッド
GNPとは電気的に接触する。
Since the arrangement pitch of each external terminal 9b provided in 3b, 3c, and 3d matches the arrangement pitch of each contact pad GNP, each external terminal 9b and contact pad GNP are in electrical contact.

次に配置した端子固定板TEFの裏側から各貫通孔61
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドGNPを熱圧着する事により、各外部端子9bと対応
する各コンタクトパッドGNPが電気的に接続されると
ともに端子固定板TEFも同時に機械的に固定されて第
2図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。
Next, from the back side of the terminal fixing plate TEF placed, each through hole 61
For example, by inserting a heating element with a thin tip into the contact pad GNP and thermocompressing the contact pad GNP, each external terminal 9b and the corresponding contact pad GNP are electrically connected, and the terminal fixing plate TEF is also mechanically connected at the same time. After fixing, the magnetic bubble memory device shown in FIG. 2 is completed.

(磁気バブルメモリ素子 第24.25,26.27.
28図)第24図は前述した磁気バブルメモリ素子CH
IのポンディングパッドPAD近辺の断面図を示すもの
である。同図において、GGGはgadolinium
−gallium−garnet基板であり、LPEは
液相エピタキシャル成長法によって形成されたバブル磁
性膜であり、その組成の一例は次頁表1に示した通りで
ある。
(Magnetic bubble memory element No. 24.25, 26.27.
Figure 28) Figure 24 shows the above-mentioned magnetic bubble memory element CH.
1 shows a cross-sectional view of the vicinity of the bonding pad PAD of I. In the same figure, GGG is gadolinium
-Gallium-garnet substrate, LPE is a bubble magnetic film formed by liquid phase epitaxial growth method, and an example of its composition is as shown in Table 1 on the next page.

(本頁、以下余白) 表   1 1ONはハードバブル抑制のためにLPE膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。SPYは第1のスペ
ーサであり、例えば3000人の厚さのSio2が気相
化学反応により形成される。
(This page, the following margins) Table 1 1ON indicates an ion implantation layer formed on the surface of the LPE film to suppress hard bubbles. SPY is the first spacer, for example 3000 thick Sio2 is formed by gas phase chemical reaction.

CNDl及びCND2は2層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写(分割)及び交換を制御する機
能を持っており、下の第1の導体層CND1がMo2上
の第2の導体層CND2がAU等の材料でそれぞれ形成
されている。SF3及びSF3は導体層CNDとその上
に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pとを電気
的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁膜(第
2゜第3のスペーサ)である、PASは気相化学反応法
により形成された5i02膜等からなるパッシベーショ
ン膜である。PADは素子CHIのポンディングパッド
を示しており、AQa等の細いコネクタワイヤがここに
熱圧着法や超音波法によりボンディングされる。このポ
ンディングパッドPADは下の第1層PAD工がCr 
、中央の第2層PAD、がAu層、上の第3層PAD3
がAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成されており、第
2層PAD、および第3層PAD3をCr、Cu等の材
料で形成しても良い。Pはバブルの転送路やバブルの分
割2発生、交換及び検出部更にはガードレール部に用い
られる層を示しており、以後の説明では便宜上転送パタ
ーン層と表現する。
CNDl and CND2 indicate two conductor layers, which have the function of controlling bubble generation, copying (splitting) and exchange, which will be described later, and the lower first conductor layer CND1 is the second conductor layer on Mo2. Each layer CND2 is formed of a material such as AU. SF3 and SF3 are interlayer insulating films (second and third spacers) made of polyimide resin, etc., which electrically insulate the conductor layer CND and the transfer pattern layer P, such as permalloy, formed thereon. This is a passivation film made of a 5i02 film or the like formed by a vapor phase chemical reaction method. PAD indicates a bonding pad of the element CHI, and a thin connector wire such as AQa is bonded here by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. This bonding pad PAD has a lower first layer PAD made of Cr.
, the second layer PAD in the center is the Au layer, and the third layer PAD3 above
are formed of a material such as an Au plating layer, and the second layer PAD and third layer PAD3 may be formed of a material such as Cr or Cu. P indicates a layer used for a bubble transfer path, a bubble division 2 generation, exchange and detection section, and a guardrail section, and in the following description, it will be expressed as a transfer pattern layer for convenience.

第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P1にF
a−Niを、上層P2にF a −N iをそれぞれ使
用しているが、前述したように両者の材質を上下入れ替
えることも可能である。
In the example of FIG. 24, this transfer pattern layer P is transferred to the lower layer P1.
Although a-Ni is used for the upper layer P2 and F a -Ni is used for the upper layer P2, as described above, it is also possible to interchange the two materials vertically.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層を素子C
HIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説明
するが、これらの平面図では転送パターン層の各層はセ
ルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表さ
れていることに注意されたい、第25図はバブル検出器
り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子であ
り、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通過
するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を検
出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様なパ
ターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の影
響等による雑音成分を検出するために用いられる。メイ
ン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示してい
ないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送し
ていくバブルストレッチャーSTが数10段形成されて
いる。なお、PRはバブルの転送方向を示している。
Hereinafter, the transfer pattern layer consisting of the plurality of layers described above will be transferred to the element C.
An example of application to each part of the HI will be explained using the plan views from Figure 25 onwards. In these plan views, each layer of the transfer pattern layer is formed with self-aligned lines, so they are represented by the same outline. Please note that Figure 25 shows the bubble detector part, and MEM is the main magnetoresistive element, which utilizes the fact that the resistance value changes when a bubble stretched horizontally in a band shape passes through it. to detect the presence or absence of bubbles. MED is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field. Above the main magnetoresistive element MEM, several ten stages of bubble stretchers ST are formed, although only two stages are shown, which stretch the bubbles laterally and transfer them downward. Note that PR indicates the bubble transfer direction.

ERはバブルの消去器であり、導体層CHDにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、3列のパターン群から成る
ガードレールGRが設けられており、ガードレールGR
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、
第25図以下の平面パターン図では導体層CHD以外の
パターンは第24図で説明した転送パターン層Pを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子MEM、MEDを
多1層磁性層で形成することにより、信号対雑音比(S
/N比)が向上した。例えば、転送パターンとして各層
間にS i O,膜を介在させた3層パーマロイ層を使
用した場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表2
に示すようにS/N比が2倍以上向上させることができ
る。
ER is a bubble eraser, and when a bubble reaches the conductor layer CHD, it is erased. A guardrail GR consisting of three rows of pattern groups is provided around this detector and between the dummy and main detection.
It is designed to expel unnecessary bubbles generated inside the guardrail GR to the outside thereof, and prevent unnecessary bubbles generated outside the guardrail GR from entering inside it. In addition,
In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CHD indicate the transfer pattern layer P explained in FIG. 24. In the figure, the signal-to-noise ratio (S
/N ratio) was improved. For example, when using a three-layer permalloy layer with a SiO film interposed between each layer as a transfer pattern, the following table 2
As shown in the figure, the S/N ratio can be improved by more than twice.

表   2 また、ガードレールORの性能も保持力Heの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。
Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail OR is also improved, such as by increasing the removal rate of unnecessary bubbles due to the reduction of the holding force He.

第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより。
FIG. 26 shows a magnetic bubble generator GEN in which the transfer pattern layer P is multilayered.

磁気バブルの発生電流を小さくすることができ、磁気バ
ブル発生器の導体層CNDの寿命を長くすることが可能
となった。従って、導体層CNDの駆動回路も電流容量
値の小さい半導体素子が使用でき、低価格可が可能とな
る。
The current generated by magnetic bubbles can be reduced, and the life of the conductor layer CND of the magnetic bubble generator can be extended. Therefore, a semiconductor element with a small current capacity value can be used for the drive circuit of the conductor layer CND, and the cost can be reduced.

第27図はP a ” P h等の転送パターンで形成
されたマイナループm、Pw1〜Pw、等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインWML及び
ヘアピン状導体層CNDで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、P7は第26図のバブル
発生器GENにおける転送パターンP7と同一のもので
あり、言い換えればバブル発生器GENで発生されたバ
ブルはP工〜P7の転送路を通って書き込みメイジャー
ラインWMLに転送される。スワップ導体層CNDに電
流を流したとき、マイナループm□の転送パターンPd
の磁気バブルは転送パターンPΩ、Pmを通ってメイジ
ャーラインWMLの転送パターンPw3に転送され、メ
イジャーラインPw工からの磁気バブルは転送パターン
Pk、Pj、Piを経てマイナループの転送パターンP
aに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き換え
が行なわれる。なお、右端のマイナループmdにはスワ
ップゲートが設けられていないが、これは、周辺効果を
軽減するための磁気バブルを注入しないダミーのループ
である。このように交換位置における転送パターン層P
i−Pmを多層化することにより、小さい電流値で磁気
バブルの交換を行なうことができる。
FIG. 27 shows a minor loop m formed by a transfer pattern such as P a ” P h, a write major line WML formed by a transfer pattern array such as Pw1 to Pw, and a swap gate portion formed by a hairpin-shaped conductor layer CND. In the figure, P7 is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEN in Fig. 26. In other words, the bubbles generated in the bubble generator GEN follow the transfer path from P to P7. When a current is passed through the swap conductor layer CND, the transfer pattern Pd of the minor loop m□ is transferred to the write major line WML.
The magnetic bubbles are transferred to the transfer pattern Pw3 of the major line WML through the transfer patterns PΩ and Pm, and the magnetic bubbles from the major line Pw are transferred to the transfer pattern P of the minor loop via the transfer patterns Pk, Pj, and Pi.
The data is transferred to A and the bubbles are exchanged, that is, the information is rewritten. Note that the rightmost minor loop md is not provided with a swap gate, but this is a dummy loop in which no magnetic bubble is injected to reduce the peripheral effect. In this way, the transfer pattern layer P at the exchange position
By multilayering i-Pm, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn〜Pg、Ps=Pxの
順路で転送されており、導体層CNDに電流を流したと
き、転送パターンPgの位置でバブルは分割され、分割
された1つの磁気バブルはPyePs〜P1゜を経て読
出しメイジャーラインRMLに転送される。
Further, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copying machine, that is, a divider, can be driven with a small current value as well. In the figure, a magnetic bubble is normally transferred along a path from Pn to Pg, Ps=Px, and when a current is passed through the conductor layer CND, the bubble is divided at the position of the transfer pattern Pg, and one divided magnetic bubble is generated. The bubble is transferred to the read major line RML via PyePs~P1°.

(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図)磁石板
MAGは素子CHIに対して約2度程度傾斜させて配置
される。これは素子CHIに対しバイアス磁界Hbが垂
直方向よりややずれて印加されるようにしたもので、そ
れによってバブル転送のスタート、ストップマージンを
約6(Oe)向上させるホールディング磁界Hdcを生
み出す(第29図A)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field FIG. 29) Magnet plate MAG is arranged at an angle of about 2 degrees with respect to element CHI. This is so that the bias magnetic field Hb is applied to the element CHI with a slight deviation from the perpendicular direction, thereby creating a holding magnetic field Hdc that improves the start and stop margins of bubble transfer by about 6 (Oe) (No. 29 Figure A).

第29図Aに示したように磁石体BIMと素子CHIと
の角度θの傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内の
成分Hdcを持つことになる。そして、この面内成分H
dcの大きさは、Hdc−8inθとなり、通常Hdc
−sinθ=5 (Oe)〜6 [:Oe)になるよう
に傾斜角度0が選定される、また、この面内成分Hdc
の方向は、回転磁界Hrのスタート・ストップ(St/
Sp)方向(+x軸方向)に一致するように傾斜されて
いる。
As shown in FIG. 29A, due to the inclination of the angle θ between the magnet body BIM and the element CHI, the DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane. And this in-plane component H
The size of dc is Hdc-8inθ, which is usually Hdc
The inclination angle 0 is selected so that −sinθ=5 (Oe) to 6 [:Oe), and this in-plane component Hdc
The direction of the rotation magnetic field Hr is the start/stop (St/
Sp) direction (+x-axis direction).

そして、このxy面内成分Hdcは9回転磁界Hrのス
タート・ストップ(St/Sp)動作に対して有効な働
きをし、ホールディングフィールドと呼ばれている公知
の磁界である。なお、素子CHI面に垂直に作用するバ
イアス磁界Hbの大きさはHz−c o sθとなる。
This xy-plane component Hdc functions effectively for the start/stop (St/Sp) operation of the 9-rotation magnetic field Hr, and is a known magnetic field called a holding field. Note that the magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly to the element CHI surface is Hz-cosθ.

さて、上述したホールディングフィールドHdCは、素
子CHIのxy面に対して常時作用するため、第29図
Bに図解したように前記素子CHIに作用する回転磁界
Hr’は偏心する。同図において、Hrは外部から加え
られる回転磁界、Hr′は、素子CHIに作用する回転
磁界である。
Now, since the above-mentioned holding field HdC always acts on the xy plane of the element CHI, the rotating magnetic field Hr' acting on the element CHI is eccentric, as illustrated in FIG. 29B. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr' is a rotating magnetic field acting on the element CHI.

この場合、CHIに作用する回転磁界Hr’は外部から
加えられる回転磁界Hrと面内成分Hdcとを合成した
ものとなり、その回転磁界Hr’の中心0′はスタート
・ストップ(S t/S p)方向である+X#方向に
面内成分Hdc分だけ平行移動する。このため、同図の
結果から明らかなように、外部から加えている回転磁界
Hrの強さが1Hrlであっても実効的に阻止CHIに
作用する回転磁界の強度IHr’lは回転磁界Hrの位
相によって異なる。すなわちS t/S p方向でのI
Hr’lは、I Hr l + I Hd a lとな
り、1Hrlに比べてホールディングフィールドHdc
の強さIHdelだけ強くなっている。逆に、St/S
p方向と逆方向の場合のlHr’lは1Hrl  1H
dclとなり、IHrlに比べてIHdclだけ弱まっ
ている。
In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the center 0' of the rotating magnetic field Hr' is the start/stop (S t/S p ) direction, which is the +X# direction, by an in-plane component Hdc. Therefore, as is clear from the results in the figure, even if the strength of the externally applied rotating magnetic field Hr is 1 Hrl, the strength IHr'l of the rotating magnetic field that effectively acts on the blocking CHI is the same as that of the rotating magnetic field Hr. Depends on the phase. That is, I in the S t/S p direction
Hr'l becomes I Hr l + I Hd a l, and compared to 1Hrl, the holding field Hdc
The strength of IHdel has become stronger. On the contrary, St/S
lHr'l in the opposite direction to the p direction is 1Hrl 1H
dcl, which is weaker by IHdcl than IHrl.

(周辺回路 第30図) 最後に素子CHIの周辺回路を第30図で説明する。R
Fは素子CHIのX及びYコイルに90゜位相差の電流
を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。SA
は素子CHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル検出信
号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリングし感
知、増幅するセンスアンプである。DRは、MBMデバ
イスの書き込みに関係するバブル発生及びスワップ並び
に読み出しに関係するレプリケートの各機能導体に所定
のタイミングで電流を流す駆動回路である。
(Peripheral Circuit FIG. 30) Finally, the peripheral circuit of element CHI will be explained with reference to FIG. 30. R
F is a circuit for causing currents with a phase difference of 90° to flow through the X and Y coils of the element CHI to generate a rotating magnetic field Hr. S.A.
is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies the minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of element CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. The DR is a drive circuit that applies current at predetermined timing to each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap and read related to writing of the MBM device.

以上の回路は回転磁界Hrのサイクル及び位相角に同期
して動作するようタイミング発生回路TGによって同期
化されている。
The above circuit is synchronized by a timing generation circuit TG so as to operate in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.

(回転磁界分布特性 第31図) 第31図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心をOとしてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度Hx
=OとしたときのX軸方向の回転磁界強度Hxをそれぞ
れ示すと、曲aIで示すような回転磁界分布特性が得ら
れた。
(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 31) FIG. 31 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center of the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B as O, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction.
When the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction when =O is shown, a rotating magnetic field distribution characteristic as shown by curve aI was obtained.

同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向するコ
アCOR間の内側までの距離−Xc〜+XCの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Hzが得られ、また、素子CH
Iの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範囲)−X
e〜+Xeの範囲では±約2%の磁界強度−犠牲が得ら
れた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回路に
よる回転磁界分布特性である。
As is clear from the figure, an almost uniform rotating magnetic field strength Hz is obtained within the range of -Xc to +XC between the opposing cores COR of the magnetic circuit PFC, and
Effective area of I (minimum range to which a rotating magnetic field should be applied) -X
In the range of e to +Xe, a magnetic field strength-sacrifice of about ±2% was obtained. Note that the curve (2) indicated by a broken line is the rotating magnetic field distribution characteristic due to the magnetic circuit of the conventional configuration.

(変形例) 以上第1図、第2図に示す磁気バブルメモリの全体構造
に関連して細部を説明したが、本発明は下記のような変
形で実施することができる。
(Modifications) Although the details have been described above in relation to the overall structure of the magnetic bubble memory shown in FIGS. 1 and 2, the present invention can be implemented in the following modifications.

第32図は本発明の他の実施例を説明するための基板F
PCの平面図であり、前述の図と同一部分は同一符号を
付しである。同図において、基板FPCは、中央部に角
形状の素子保護部1と、その9周辺部に枠形状の外部接
続端子接続部(以下接続部と称する)3’ (3a’ 
、3b’ 、3c’ 、3d’ )とを有し、全体形状
がほぼ矩形状をなして一体的に形成されており、また、
この素子保護部1の対向辺側には、2個の素子CHIを
搭載しその端子部を接続させる2重枠構造の矩形状開口
部4(4a、4b)および素子CHI位置決め用の3個
の穿孔5 (5a、5b、5c)が設けられ、さらにこ
の素子保護部1の周辺部には外側ケースRFSaの折り
曲げ部34および外側シールドケースSHI aの折り
曲げ部52を貫通させる2組の台形状開口部4’  (
4a’ 、4b’ 、4c’ 、4d’ )が設けられ
ている。一方、接続部3′には周辺部分に円環状の導体
パターン9fを形成しその中央部に円形状の開口4′を
穿設した外部接続端子(以下接続端子と称する)9′が
所定のピッチで複数個整列配置されている。そして、こ
れらの接続端子9′は前述した配線用リード9aに接続
されその接続端子9′の表面は導体パターンが露出され
ている。また、この基板FPC上の2隅には2個の素子
CHIに対応するセンスアンプSA(第30図参照)が
配設されている。この場合、このセンスアンプSAは側
面に複数個の端子を有し、一方これに対応する基板FP
C上には前述した配線用リード9aの導体パターンが露
出され、この導体パターン上に前記センスアンプSAの
端子が半田付により接続され、その上面に樹脂モールド
剤REGを塗布し接着固化させて装着配置され、基板組
立体BNDが構成されている。
FIG. 32 shows a substrate F for explaining another embodiment of the present invention.
It is a plan view of the PC, and the same parts as in the previous figure are given the same reference numerals. In the figure, the board FPC has a square element protection part 1 in the center and a frame-shaped external connection terminal connection part (hereinafter referred to as connection part) 3'(3a'
, 3b', 3c', 3d'), and is integrally formed with an almost rectangular overall shape, and
On the opposite sides of the element protection part 1, there are rectangular openings 4 (4a, 4b) with a double frame structure in which two elements CHI are mounted and their terminals are connected, and three openings for positioning the elements CHI. Perforations 5 (5a, 5b, 5c) are provided, and two sets of trapezoidal openings are provided at the periphery of the element protection portion 1 to pass through the bent portion 34 of the outer case RFSa and the bent portion 52 of the outer shield case SHI a. Part 4' (
4a', 4b', 4c', 4d') are provided. On the other hand, external connection terminals (hereinafter referred to as connection terminals) 9', which have a circular conductor pattern 9f formed in the peripheral part and a circular opening 4' in the center of the connection part 3', are arranged at a predetermined pitch. Multiple pieces are arranged in a row. These connection terminals 9' are connected to the wiring leads 9a described above, and a conductor pattern is exposed on the surface of the connection terminals 9'. Furthermore, sense amplifiers SA (see FIG. 30) corresponding to the two elements CHI are arranged at two corners of this substrate FPC. In this case, this sense amplifier SA has a plurality of terminals on the side surface, while the corresponding board FP
The conductor pattern of the wiring lead 9a described above is exposed on C, and the terminal of the sense amplifier SA is connected to this conductor pattern by soldering, and a resin molding agent REG is applied to the upper surface and bonded and solidified to attach it. The substrate assembly BND is configured.

第33図は端子板PGAを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその33B−33B断面図、同図Cは同図
Aの33C−33C断面図である。
FIG. 33 is a diagram showing the terminal plate PGA; FIG. 33A is a plan view, FIG. 33B is a sectional view taken along line 33B-33B, and FIG.

同図において、端子板PGAは、電気的絶縁性を有する
材料1例えばガラスエポキシ系の樹脂板60′からなり
、中央部には前述したシールドケースSHI組立体が挿
入可能な角形状の開口部608′を有し、その外形状は
後述するパッケージングケースPKGの開口部が挿入で
きる縦横方向の寸法を有して形成されており、また、こ
の樹脂板60′の周辺部には前記基板FPCに設けられ
た外部接続端子9′の配列と同等のピッチを有して複数
本の金属製ピン73が植設されている。
In the figure, the terminal plate PGA is made of an electrically insulating material 1, such as a glass epoxy resin plate 60', and has a square opening 608 in the center into which the shield case SHI assembly described above can be inserted. ', and its outer shape has dimensions in the vertical and horizontal directions that allow insertion of an opening of a packaging case PKG, which will be described later, and the peripheral part of this resin plate 60' is provided with the board FPC. A plurality of metal pins 73 are implanted at the same pitch as the arrangement of the provided external connection terminals 9'.

このような構成された各構成部品は、まず最初に第32
図で説明した基板組立体BNDを第13図に示すような
磁気回路PFCとともに外側ケースRFSaと下側ケー
スRFSbとの間に挟持させて接合する。この場合、基
板FPCに形成された4個の台形状開口部4 a’ 、
 4 b’ 、 4 c’ 、 4 d’に外側ケース
RFSaの各折り曲げ部34が貫通し、ケースRFS組
立体の周辺部に基板FPCの各接続部3′が枠形状に突
出されることになる。
Each of the components constructed in this way is first
The board assembly BND explained in the figure is sandwiched and joined between the outer case RFSa and the lower case RFSb together with the magnetic circuit PFC as shown in FIG. 13. In this case, four trapezoidal openings 4 a' formed in the substrate FPC,
Each bent part 34 of the outer case RFSa penetrates through 4 b', 4 c', and 4 d', and each connection part 3' of the board FPC is projected in a frame shape from the periphery of the case RFS assembly. .

次にこのケースRFS組立体を前述した一対の磁石体B
IMおよびバイアスコイルBICとともに外側シールド
ケース5HIaと内側シールドケースS HI bとの
間に積層し挟持させて電気的1機械的に接続するにの場
合も基板FPCに形成された4個の台形状開口部4 a
’ 、 4b’ 、 4c’ 。
Next, this case RFS assembly is connected to the above-mentioned pair of magnets B.
Four trapezoidal openings formed in the substrate FPC are used to stack and sandwich the IM and bias coil BIC between the outer shield case 5HIa and the inner shield case SHIb for electrical and mechanical connection. Part 4 a
', 4b', 4c'.

4d’に外側シールドケースS HI aの各折り曲げ
部52が貫通し、同様にシールドケースSHI組立体の
周辺部には基板FPCの各接続部3′が枠形状に突出さ
れることになる。引き続きこのシールドケースSHI組
立体を第33図で説明した端子板PGA上に搭載し、端
子板PGA上に突出している各ピン73の先端部73a
に、基板FPCの接続部3′に設けられている各接続端
子9′の開口4′を挿入して第34図に拡大断面図で示
すように半田90により電気的9機械的に接続して配置
される。この場合、端子板PGAに設けられている開口
部608′内にはシールドケースSHI組立体が寸法的
裕度をもって挿入されている。
4d' are penetrated by the bent portions 52 of the outer shield case SHIa, and similarly, each connection portion 3' of the board FPC is projected in a frame shape from the periphery of the shield case SHI assembly. Subsequently, this shield case SHI assembly is mounted on the terminal plate PGA explained in FIG.
Then, insert the openings 4' of each connection terminal 9' provided in the connection part 3' of the FPC board, and connect them electrically and mechanically with solder 90, as shown in the enlarged cross-sectional view in FIG. Placed. In this case, the shield case SHI assembly is inserted into the opening 608' provided in the terminal plate PGA with a dimensional tolerance.

次にこのシールドケースSHI組立体を搭載した端子板
PGA組立体を第35図に示すようにパッケージングケ
ースPKG内に挿入し、ポツティング法により樹脂モー
ルドをおこなってこのパッケージングケースPKG内に
各構成部品を固定配置させる。
Next, the terminal board PGA assembly mounted with this shield case SHI assembly is inserted into the packaging case PKG as shown in Fig. 35, and resin molding is performed by the potting method to place each structure inside the packaging case PKG. Place parts in a fixed position.

このような構成によれば、シールドケースSH工組立体
の外部に引出された素子CHIの配線用リード9aが、
基板FPC上に搭載されたセンスアンプSAに接続され
、パッケージングケースPKGで磁気バブル出力アナロ
グ信号がTTレベルの信号に変換、増幅されてピン73
から取り出すことができるので、雑音が重畳されないバ
ブル有無検出信号が得られる。また、このように構成さ
れる磁気バブルメモリデバイスはセンスアンプSAが搭
載され雑音の少ないTTレベルの信号が得られるので、
磁気バブルカセットとして構成することができる。
According to such a configuration, the wiring lead 9a of the element CHI drawn out to the outside of the shield case SH assembly is
It is connected to the sense amplifier SA mounted on the board FPC, and the magnetic bubble output analog signal is converted to a TT level signal and amplified by the packaging case PKG and sent to pin 73.
Since the bubble detection signal can be extracted from the bubble detection signal, a bubble presence/absence detection signal without superimposed noise can be obtained. In addition, the magnetic bubble memory device configured in this way is equipped with a sense amplifier SA and can obtain a TT level signal with less noise.
It can be configured as a magnetic bubble cassette.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、向い合う巻線の組
が互いに平行となるようにコイルを施した額縁形コアで
形成される空間部に、フレキシブル配線基板に搭載した
磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイル、コアおよ
び磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性材ケース内に
挟持させるとともに前記良導電性材ケースの外面に一対
の磁石体を組み合わせて高透磁性材ケース内に挟持させ
、前記フレキシブル配線基板に磁気バブル出力を検知す
るセンスアンプを搭載しパッケージングケース内に収納
したことにより、S/N比の良好なTTレベルの磁気バ
ブル有無検出信号が得られるとともに磁気バブルメモリ
を小形化することができるなどの極めて優れた効果が得
られる。
As explained above, according to the present invention, a magnetic bubble memory element mounted on a flexible wiring board is placed in a space formed by a frame-shaped core coiled so that sets of opposing windings are parallel to each other. The coil, the core, and the magnetic bubble memory element are all sandwiched within a case made of a highly conductive material, and a pair of magnets are combined with the outer surface of the case made of a highly conductive material, which is sandwiched within the case made of a highly permeable material. By mounting a sense amplifier for detecting magnetic bubble output on the flexible wiring board and storing it in a packaging case, a TT level magnetic bubble presence detection signal with a good S/N ratio can be obtained, and a magnetic bubble memory Extremely excellent effects such as being able to downsize the device can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2rxIAは底面図、第2図
Bは同図Aの2B−2B断面図、第3図は積み重ね構造
を示す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、
第5図は基板FPCに素子CHIを搭載した基板組立体
BNDを示す平面組立体ENDのす〜ドボンディングを
説明する図。 第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図は磁気回
路PFCの製作方法を説明する図、第10図は内側ケー
スRFSbを示す図、第11図は外側ケースRFSaを
示す図、第12図はケースRFSの組立図、第13図は
ケースRFS内に基板組立体BNDおよび磁気回路FP
Cを収納した組立体の断面図、第14図は磁石体BIM
の構成を説明する図、第15cgiはバイアスコイルを
説明する図、第16図はケースRFS組立体に一対の磁
石体BIMおよびバイアスコイルBICを組み込んだ組
立体の断面図、第17図は外側シールドケース5HIa
を示す図、第18図は内側シールドケース5HIbを示
す図、第19図はシールドケースSHIの組立図、第2
0図は第16図に示す組立体をシールドケースSHI内
に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパッケージン
グケースPKGを示す図、第22図は端子固定板TEF
の構成を説明する図、第23図はコンタクトパッドの構
成を示す図、第24図は素子CHIの断面図、第25図
は素子CHIの磁気バブル検出器りの構成を示す図、第
26図は素子CHIの磁気バブル発生器GEHの構成を
示す図、第27図は素子CHIのスワップゲートSWP
の構成を示す図、第28図は素子CHIのレプリケート
ゲートREPの構成を示す図、第29図Aはバイアス磁
界Hbとホールディング磁界Hdcの関係を示す図、同
図Bはトータル回転磁界Hr’ を示す図、第30図は
磁気バブルメモリボードの全体回路を示す図、第31図
は回転磁界分布特性図、第32図ないし第35図は本発
明の詳細な説明する図である。 CHI・・・磁気バブルメモリチップ(素子)、FPC
・・・フレキシブル配線基板(基板)、BND・・・基
板組立体、COI・・・駆動コイル(コイル)、COR
・・・額縁形コア(コア)、PFC・・・磁気回路、R
FS・・・回転磁界閉じ込めケース(ケース)、RFS
a・・・外側ケース、RFSb・・・内側ケース、SI
R・・・シリコーン樹脂、BIM・・・バイアス磁界発
生用磁石体(磁石体)、BIMa・・・上部磁石体、B
IMb・・・下部磁石体、INM・・・傾斜板。 MAG・・・永久磁石板(磁石板)、HOM・・・整磁
板、INN・・・非磁性傾斜板、BIC・・・バイアス
磁界発生用コイル(バイアスコイル)。 SHI・・・外部磁気シールドケース(シールドケース
)、5HIa・・・外側シールドケース、5HIb・・
・内側シールドケース、REG・・・樹脂モールド剤、
PKG・・・パッケージングケース、TEF・・・端子
固定板、GNP・・・コンタクトパッド、SA・・・セ
ンスアンプ、1・・・素子搭載部、2,2a、2b、2
c、2d ・・・折り曲げ部、3.3’ 、3a、3a
’ 、3b、3b’ 、3c、3c’ 、3d、3d’
  ・・・外部接続端子接続部、4,4’ 、4a、4
a’ 、4b。 4b’、4c’、4d’、4’ ・・・開口部、5゜5
a、5b、5c・・・穿孔、6・・・基板突出部、7・
・・ベースフィルム、8・・・接着剤、9′ ・・・外
部接続端子、9a・・・配線用リード、9b・・・外部
端子、9c・・・接続用端子。 9d・・・記号、9e・・・インデックスマーク、9f
・・・導体パターン、10・・・カバーフィルム、11
・・・錫メッキ層、12・・・開口、13・・・半田メ
ッキ層、14・・・ポンディングパッド、15−−−金
バンプ、20a、20b。 20c、20d・・・ヘリツタスコイル、21a。 21b・・・接続点、22a・・・Xコイル、22b・
・・Yコイル、23・φ・磁気コア、24・・・タップ
、25・・・幅の大きい溝、26・・・幅の小さい溝、
30・・・絞り部、31・・・折り曲げ部、32・・・
切欠き部、33・・・絞り部、34・・・折り曲げ部、
35・・・切欠き部、36・・・ポリイミドフィルム、
37・・・接着剤、38・・・コイル巻線、40・・・
巻線、51・・・平坦部、52・・・折り曲げ部、53
・・・凹部、54・・・切欠き部、55・・・平坦部、
56・・・折り曲げ部、57・・・凹部、58・・・切
欠き部、59・・・凹部、60,60’  ・・・樹脂
板、60a′ ・・・開口部、61・・・貫通孔、62
・・・非貫通孔、63・・・マーク、64・・・開口、
65・・・溝、66・・・角部、70・・・素片、71
・・・ニッケルメッキ層。 72・・・金メッキ層、73・・・ビン、73a・・・
先端部、90・・・半田。 IPl    1+ 第4図C 第4図り 第5図 第6図 I)/ 第8図B 第9図 第10図A )(?bQ 第12図A 第12図B 第14図A   第14図B 第14図C HOM            INNNN第1ム 第18図A 第18図B 第19図A 第19図B 第211八 旦吸 第21図B 二 第22図A 第22図B 第22図C cL  ζn: <LLL Q−の 第26図 第28図 第33図 C 影訪 手続補正帯(方式) 昭和 6都 9月 13B
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the entire magnetic bubble memory device according to the present invention, 2rxIA is a bottom view, FIG. 2B is a cross-sectional view taken along line 2B-2B of FIG. An exploded perspective view, FIG. 4 is a diagram explaining the board FPC,
FIG. 5 is a diagram illustrating bonding of a planar assembly END showing a board assembly BND in which an element CHI is mounted on a board FPC. FIG. 8 is a diagram for explaining the magnetic circuit PFC, FIG. 9 is a diagram for explaining the manufacturing method of the magnetic circuit PFC, FIG. 10 is a diagram for showing the inner case RFSb, FIG. 11 is a diagram for explaining the outer case RFSa, Figure 12 is an assembly diagram of the case RFS, and Figure 13 shows the board assembly BND and magnetic circuit FP inside the case RFS.
A cross-sectional view of the assembly containing C, Figure 14 is the magnet body BIM
15th cgi is a diagram explaining the bias coil, Figure 16 is a cross-sectional view of the assembly in which a pair of magnets BIM and bias coil BIC are incorporated in the case RFS assembly, and Figure 17 is the outer shield. Case 5HIa
FIG. 18 is a diagram showing the inner shield case 5HIb, FIG. 19 is an assembly diagram of the shield case SHI, and FIG.
Figure 0 is a sectional view of the assembly shown in Figure 16 incorporated into the shield case SHI, Figure 21 is a diagram showing the packaging case PKG, and Figure 22 is the terminal fixing plate TEF.
23 is a diagram showing the configuration of the contact pad, FIG. 24 is a sectional view of the element CHI, FIG. 25 is a diagram showing the configuration of the magnetic bubble detector of the element CHI, and FIG. 26 is a diagram illustrating the configuration of the element CHI. 27 shows the configuration of the magnetic bubble generator GEH of the element CHI, and FIG. 27 shows the swap gate SWP of the element CHI.
FIG. 28 is a diagram showing the configuration of the replicate gate REP of element CHI, FIG. 29A is a diagram showing the relationship between the bias magnetic field Hb and the holding magnetic field Hdc, and FIG. 30 is a diagram showing the entire circuit of the magnetic bubble memory board, FIG. 31 is a rotating magnetic field distribution characteristic diagram, and FIGS. 32 to 35 are diagrams explaining the present invention in detail. CHI...magnetic bubble memory chip (element), FPC
...Flexible wiring board (board), BND...board assembly, COI...drive coil (coil), COR
...Picture frame-shaped core (core), PFC...magnetic circuit, R
FS...Rotating magnetic field confinement case (case), RFS
a...Outer case, RFSb...Inner case, SI
R...Silicone resin, BIM...Magnet for generating bias magnetic field (magnet), BIMa...Upper magnet, B
IMb...lower magnet body, INM...inclined plate. MAG...Permanent magnet plate (magnet plate), HOM...Magnetic shunt plate, INN...Nonmagnetic gradient plate, BIC...Coil for bias magnetic field generation (bias coil). SHI...External magnetic shield case (shield case), 5HIa...Outer shield case, 5HIb...
・Inner shield case, REG...resin molding agent,
PKG...Packaging case, TEF...Terminal fixing plate, GNP...Contact pad, SA...Sense amplifier, 1...Element mounting section, 2, 2a, 2b, 2
c, 2d...Bending portion, 3.3', 3a, 3a
', 3b, 3b', 3c, 3c', 3d, 3d'
...External connection terminal connection part, 4, 4', 4a, 4
a', 4b. 4b', 4c', 4d', 4'...opening, 5°5
a, 5b, 5c...perforation, 6...board protrusion, 7.
...Base film, 8...Adhesive, 9'...External connection terminal, 9a...Wiring lead, 9b...External terminal, 9c...Connection terminal. 9d...Symbol, 9e...Index mark, 9f
...Conductor pattern, 10...Cover film, 11
...Tin plating layer, 12...Opening, 13...Solder plating layer, 14...Ponding pad, 15---Gold bump, 20a, 20b. 20c, 20d... Heritutus coil, 21a. 21b...Connection point, 22a...X coil, 22b...
・・Y coil, 23・φ・Magnetic core, 24...Tap, 25...Wide groove, 26...Small width groove,
30... Squeezed part, 31... Bent part, 32...
Notch part, 33... constricted part, 34... bent part,
35... Notch portion, 36... Polyimide film,
37...Adhesive, 38...Coil winding, 40...
Winding wire, 51... Flat part, 52... Bent part, 53
... recessed part, 54... notch part, 55... flat part,
56...Bent part, 57...Concave part, 58...Notch part, 59...Concave part, 60, 60'...Resin plate, 60a'...Opening part, 61...Penetration Hole, 62
...Non-through hole, 63...Mark, 64...Opening,
65... Groove, 66... Corner, 70... Piece, 71
...Nickel plating layer. 72...Gold plating layer, 73...Bin, 73a...
Tip, 90...solder. IPl 1+ Fig. 4 C Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6 Fig. 6 I) / Fig. 8 B Fig. 9 Fig. 10 A ) (?bQ Fig. 12 A Fig. 12 B Fig. 14 A Fig. 14 B Fig. 14 C HOM INNNN 1st mu Fig. 18 A Fig. 18 B Fig. 19 A Fig. 19 B 211 Yadansu Fig. 21 B 2 Fig. 22 A Fig. 22 B Fig. 22 C cL ζn: < LLL Q-Figure 26 Figure 28 Figure 33 C Shadow visit procedure correction band (method) Showa 6th September 13B

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイルを施
した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
ル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
材ケース内に挟持させるとともに前記良導電性材ケース
の外面に一対の磁石体を組み合わせて高透磁性材ケース
内に挟持させ、前記フレキシブル配線基板に磁気バブル
出力を検知するセンスアンプを搭載し、パッケージング
ケース内に収納したことを特徴とする磁気バブルメモリ
A magnetic bubble memory element mounted on a flexible substrate is disposed in a space formed by a frame-shaped core coiled so that sets of opposing windings are parallel to each other, and the coil, core, and magnetic bubble memory element are mounted on a flexible substrate. The entire element is sandwiched within a case made of a highly conductive material, and a pair of magnets are combined with the outer surface of the case made of a highly conductive material and sandwiched within the case made of a highly permeable material, and the magnetic bubble output is detected by the flexible wiring board. Magnetic bubble memory is equipped with a sense amplifier and is housed inside a packaging case.
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4868786A (en) * 1986-04-10 1989-09-19 Fujitsu Limited Magnetic bubble memory with main and auxiliary printed wiring film

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