JPS6254890A - Magnetic bubble memory - Google Patents

Magnetic bubble memory

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JPS6254890A
JPS6254890A JP61094495A JP9449586A JPS6254890A JP S6254890 A JPS6254890 A JP S6254890A JP 61094495 A JP61094495 A JP 61094495A JP 9449586 A JP9449586 A JP 9449586A JP S6254890 A JPS6254890 A JP S6254890A
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magnetic
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chi
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二見 利男
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
Yutaka Akiba
秋葉 豊
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To make the entire body of the titled memory smaller and thinner and to make the packaging of it on a board equipped with an external drive circuit easy by connecting the external-connection terminals of a flexible board with the connection terminals of terminal plate by using a frame-type core. CONSTITUTION:A drive magnetic circuit using the frame-type core COR is formed. A magnetic bubble memory chip CHI is surrounded by the core COR, and is so disposed on the flexible printed circuit board FPC that is makes an approximately the same plane with the core COR. The drive magnetic circuit, the COR, and the chip CHI are stored in a rotary magnetic-field enclosing case RFS made of good conductive non-magnetic material. As the external- connection terminals of the magnetic bubble memory device constituted in such way as above-mentioned, pins arrayed in grid-form (204 and 310) are used. As the result of such a constitution, the flexible printed circuit board can be made smaller, and the entire body of the titled memory can be made smaller and thinner as well as a high-density packaging is made possible because of the easy board-packaging.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
*電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic bubble memory, and particularly to a magnetic bubble memory suitable for thinning, miniaturization, and low power consumption.

〔従来技術〕[Prior art]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントした2字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Xコイル、Yコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。
Magnetic bubble memory devices, which have been put into practical use in recent years, are used to generate a rotating magnetic field, and are composed of rectangular solenoid coils with an asymmetrical structure mounted on a double-shaped ceramic or synthetic resin wiring board on which a magnetic bubble memory chip is mounted. It has a structure in which an X coil and a Y coil are inserted and arranged orthogonally.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

XコイルおよびYコイルは磁気バブルメモリチップだけ
でなく、チップよりもはるかに大きい配線基板を巻く構
造であるため、各コイルの端から端迄長さが長くなり、
駆動電圧、消費電力が大きくなってしまう。また、Xコ
イル、Yコイルは磁気バブルメモリ素子に均一かつ安定
した面内回転磁界を付与するために均一なインダクタバ
ランスが要求されることから、そのコイル形状が互いに
異なる非対称構造となりかつ大型化構造とならざるを得
なかった。さらにはこれらのXコイル、Yコイルの外面
には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバイアス磁界を
付与する一対の永久磁石板およびその整磁板が配置され
てそれらの周辺部分が樹脂モールドにより被覆されてい
る構造であるため、垂直方向の積層厚が増大し、磁気バ
ブルメモリデバイスの薄形化、小型化への要請に対して
障害となっていた。
The X coil and Y coil have a structure in which they wrap not only the magnetic bubble memory chip but also a wiring board that is much larger than the chip, so each coil is long from end to end.
Drive voltage and power consumption will increase. In addition, the X coil and Y coil require a uniform inductor balance in order to provide a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory element, so the coil shapes are different from each other and have an asymmetric structure, resulting in a larger structure. I had no choice but to do so. Furthermore, a pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and a magnetic shunt plate are arranged on the outer surfaces of these X coils and Y coils, and their peripheral parts are covered with a resin mold. Because of this structure, the stacking thickness in the vertical direction increases, which is an obstacle to the demand for thinner and smaller magnetic bubble memory devices.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和54年特許出願公開第55129号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。
The closest prior art to the present invention known to the applicant is Patent Application Publication No. 55129 of 1974. This publication describes the structure of a frame-shaped core that surrounds a chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them. However, no further specific structure is shown, and it is theoretically impossible to make an electrical connection to a chip completely surrounded by a conductor case from outside the conductor case without shorting it. Although it is possible, the description is clearly insufficient for people to think of putting it into practical use, including the fact that the method of attaching permanent magnets, magnetic shunt plates, bias coils, etc. is unknown. In other words, the embodiment of the present invention merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core is used as a result.

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be made thinner.

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be miniaturized by reducing the overall volume.

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory with reduced power consumption.

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the VI product is reduced by reducing the inductance of the rotating magnetic field generating coil.

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that allows or facilitates automation of assembly of component parts.

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose cassette can be made smaller.

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose peripheral circuitry can be manufactured at low cost.

本発明の他の目的はボード実装を容易にした磁気バブル
メモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be easily mounted on a board.

本発明の更に他の目的は高密度実装を可能とした磁気バ
ブルメモリを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that enables high-density packaging.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の一実施例によれば、額縁型コアCORを使用し
た駆動磁気回路が提供される(第8図)。
According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a frame-shaped core COR is provided (FIG. 8).

磁気バブルメモリチップCHIは額縁形コアC○Rに囲
まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキシブル配線
基板FPC上に配置される(第13図)。駆動磁気回路
CORおよび磁気バブルメモリチップCHIは非磁性体
で良導電体の回転磁界閉じ込めケースRFS内に収納さ
れる(第13図)。
The magnetic bubble memory chip CHI is surrounded by the frame-shaped core C○R and arranged on the flexible wiring board FPC so as to be substantially flush with it (FIG. 13). The drive magnetic circuit COR and the magnetic bubble memory chip CHI are housed in a rotating magnetic field confinement case RFS made of a non-magnetic and highly conductive material (FIG. 13).

この構成された磁気バブルメモリデバイスの外部接続端
子としてはグリッド状に配列されたピン(204,31
0)が使用される(第45図、第52図)。
As the external connection terminals of this configured magnetic bubble memory device, pins (204, 31
0) is used (Figures 45 and 52).

〔作用〕[Effect]

このような構成によれば、フレキシブル配線基板を小さ
くさせかつ全体形状を小形化、薄形化させしかもボード
実装が容易で高密度実装が可能となる。
According to such a configuration, the flexible wiring board can be made smaller, the overall shape can be made smaller and thinner, and board mounting is easy and high-density mounting is possible.

〔実施例〕〔Example〕

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図(a)、(b)は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第1図は一部破断斜視図、 、第2図(a)はそ
の底面図、第2図(b)は第2図(a)の2B−2B断
面図である。これらの図において、CHIは磁気バブル
メモリチップ(以下チップと称する)であり、これらの
図ではチップCHIは省略して1個のみ表示しているが
本実施例では2個並べて配置しているものとする。
(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 (a) and (b) are diagrams for explaining an embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention. A partially cutaway perspective view, FIG. 2(a) is a bottom view thereof, and FIG. 2(b) is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2(a). In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip). In these figures, the chip CHI is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. shall be.

(1つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い)。F
PCは2個のチップCHIを搭載しかつ4隅にチップC
H工と外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板(以下基板と称する)である、COI
は2個のチップCHIをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル(以
下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合体CO
Iの中空部分を貫通するように設けられた固定配置され
た軟磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)で
あり、このコアCORと各コイルCOIとでチップCH
Iに面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成して
いる。RFSは基板FPCの中央四角形部分と、2個の
チップCH工および磁気回路PFCの全体を収納する回
転磁界閉じ込めケース(以下ケースと称する)である。
(The chip yield is better with a multi-divided chip configuration that matches the total storage capacity than with one large-capacity chip.) F
The PC is equipped with two chips CHI and a chip C in the four corners.
COI, which is a flexible wiring board (hereinafter referred to as the board) having a wire group extension for connection between the H workpiece and the external connection terminal.
is a drive coil (hereinafter referred to as a coil) that surrounds two chips CHI on almost the same plane and is arranged so that opposing sides are parallel to each other, and COR is a rectangular coil assembly CO.
It is a frame-shaped core (hereinafter referred to as the core) made of a fixedly arranged soft magnetic material that is provided so as to penetrate through the hollow part of I, and this core COR and each coil COI form a chip CH.
A magnetic circuit PFC that applies an in-plane rotating magnetic field to I is configured. The RFS is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the central rectangular portion of the substrate FPC, two chip CHs, and the entire magnetic circuit PFC.

ケースRFSは2枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている。
Case RFS is formed by processing two independent plates,
The upper and lower plates are electrically connected on the side of the case.

チップCHIが配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースPFSは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板FP
Cを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってい
る。
A converging portion is formed in the peripheral portion so that the gap in the central portion is narrowed in a slightly wider range than the portion where the chip CHI is arranged. This constriction can also be used to position the magnet. Case PFS uses magnetic field confinement and soft substrate FP
It has the effect of killing two birds with one stone by mechanically supporting C.

ケースPFSとチップCHIとの間には、特にチップC
HIの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの平
面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースRFSの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略し
ても良い。INMはケースRFSの外側に配置された磁
性材からなる一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜
板INMは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは
右に寄るに従って板厚が厚くなっており、双方はケース
RFS側に傾斜面が形成されている。傾斜板INMの材
料としては、透磁率μが高く保持力Hcの小さいソフト
・フェライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施
例では傾斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選ん
だ。MAGは一対の傾斜板INMの内側でそれと重ねて
配置された一対の永久磁石板(以下磁石板と称する)で
ある。ROMは前記各磁石板MAGの内側でそれと重ね
て配置されたソフトフェライトのような磁性材からなる
一対の整磁板である。磁石板MAGは全面にわたって均
一の板厚を有して形成されている。INNは一対の整磁
板HOMの内側対向面にそれと重ねて配置された銅のよ
うに熱伝導性が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜
板である。これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほぼ
同等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されて
いる。傾斜板INM、磁石板MAG、整磁板HOM及び
傾斜板INNは、それぞれ積み重ねて配置し一体化して
バイアス磁界発生用磁石体BIM(以下磁石体と称する
)を構成したときに積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面
にわたって均一となるように形成されている。
In particular, there is a chip C between the case PFS and the chip CHI.
There is a gap SIR on the side surface of the HI, but this gap SIR, including the flat surface of the chip CHI, is coated or filled with silicone resin to prevent foreign matter from adhering to the main surface of the chip during assembly or moisture from entering after assembly. A passivation effect is intended to reduce intrusion into the main surface or side surfaces of the chip. If complete airtight sealing can be achieved on the outside of the case RFS, filling of the resin SIR may be omitted. INM is a pair of inclined plates made of magnetic material placed outside the case RFS, and in Fig. 2, the thickness of the upper inclined plate INM decreases as it moves to the left, and the thickness of the lower inclined plate INM decreases as it moves to the right. Both have an inclined surface formed on the case RFS side. As the material for the inclined plate INM, soft ferrite, permalloy, or the like, which has a high magnetic permeability μ and a small coercive force Hc, may be used, and in this embodiment, soft ferrite was selected because it is easy to process the inclined surface. MAG is a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside the pair of inclined plates INM and overlapping them. The ROM is a pair of magnetic shunt plates made of a magnetic material such as soft ferrite and arranged inside each magnet plate MAG and overlapping with it. The magnet plate MAG is formed to have a uniform thickness over the entire surface. The INN is a pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity such as copper, which are placed on the inner facing surfaces of the pair of magnetic shunt plates HOM and overlapped therewith. These inclined plates INN are formed to have substantially the same inclination angle as the inclined plate INM, and have inclined surfaces in opposite directions. The inclined plate INM, magnet plate MAG, magnetic shunt plate HOM, and inclined plate INN are arranged in a stacked manner and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as magnet body), when the entire laminated plate magnet body is formed. The thickness is uniform over almost the entire surface.

一対の磁石体BIMはケースRFSの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。
A pair of magnet bodies BIM are adhered to a central flat part surrounded by the constriction part of the case RFS.

BICは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である。バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去)
する場合に駆動される。SHIは前記チップCHIを搭
載した基板FPCおよび磁気回路PFCを収納したケー
スRFSと、その外側で、一対の磁石体BIMa、BI
MbおよびバイアスコイルBICを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース(以下シールドケースと称
する)である。シールドケースSHIの材料としては、
透磁率μが高く、飽和磁束密度Bsが大きく、Heの小
さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトがその
ような特性を持っているが1本実施例では折り曲げ加工
に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄・ニ
ッケル合金が選択された。PKGは前記シールドケース
SHIの外周面に接着あるいははめ込みにより取り付け
られた熱伝導率が高く、加工のし易いAQのような材質
からなるパッケージングケースである。GNPは前記基
板FPCの4隅から延長して設けられ、シールドケース
SHIの背面に折り返された外部接続端子に接触するよ
うに配置されたコンタクトパッドである。TEFは各コ
ンタクトパッドGNPを開口部の段差部で支持固定する
絶縁性部材からなる端子固定板である。REGはパッケ
ージングケースPKGの内側4隅に封入されかつシール
ドケースRFS組立体をパッケージングケースPKG内
部に固定する槓脂モールド剤である。
BIC is a bias magnetic field generating coil (
(hereinafter referred to as bias coil). The bias coil BIC adjusts the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, and when testing for the presence or absence of unnecessary bubble generation, it clears all bubbles on the chip CHI.
It is driven when SHI includes a case RFS that houses the board FPC on which the chip CHI is mounted and the magnetic circuit PFC, and a pair of magnet bodies BIMa and BI on the outside.
This is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as shield case) made of a magnetic material that houses Mb and bias coil BIC. The materials for shield case SHI are as follows:
A magnetic material with a high magnetic permeability μ, a large saturation magnetic flux density Bs, and a small He is preferable, and permalloy and ferrite have such characteristics, but in this example, they are suitable for bending and are resistant to external mechanical forces. A strong permalloy iron-nickel alloy was selected. PKG is a packaging case made of a material such as AQ that has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer circumferential surface of the shield case SHI by adhesion or fitting. GNP are contact pads extending from the four corners of the substrate FPC and arranged to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. TEF is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at a stepped portion of an opening. REG is a resin molding agent that is sealed in the four inner corners of the packaging case PKG and fixes the shield case RFS assembly inside the packaging case PKG.

(全体構造の特長 第1,2図)  ″第1図及び第2
図に示した磁気バブルメモリデバイス全体構造の特長点
は下記のように列挙される。しかし、本実施例による特
長点はこれらに限定されるものではなく、他の特長点は
第3図以降の説明からも明らかとなるであろうが、ここ
では各構成部品間の関連性を中心として特長点を述べる
(Features of the overall structure Figures 1 and 2) ``Figures 1 and 2
The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in the figure are listed below. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanations that follow from Figure 3, but here we will focus on the relationships between each component. The features are described below.

(1)回転磁界発生コイルPFCを額縁型にして、バブ
ルメモリチップC)[をその面内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をX及びYコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関数となるか
らである。
(1) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is shaped like a picture frame and the bubble memory chips C) are arranged on the same plane, the thickness of the entire bubble device can be reduced. This is because in the current mainstream technology, the upper and lower surfaces of the chip are wrapped around the X and Y coils, so the thickness of the entire device is a function of the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness.

(2)Xコイル及びYコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてYコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and Y coil are arranged on almost the same plane, the following effects are achieved compared to the conventional structure in which the Y coil is wound on top of the X coil.

■コイルの縁巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
■The edge winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.

■Xコイル及びYコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。
(2) The distances between the X coil and Y coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be made balanced.

(3)回転磁界発生コイルPFCを導体ケースRFSで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIに対す
る駆動効率を高められる。
(3) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is surrounded by the conductor case RFS, leakage of magnetic flux is reduced and drive efficiency for the chip CHI can be increased.

(4)導体ケースPFSは、回転磁界Hr発生コイルP
FCから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
B ’I Mに漏れるのを防ぎ、他方磁石体BIMから
チップCHIへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流
磁界に対しては実質的にその通過を妨げないという選択
性がある。
(4) The conductor case PFS is a rotating magnetic field Hr generating coil P
The alternating current magnetic field generated from the FC is prevented from leaking to the magnet body B'IM with a large magnetic permeability μ, while the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb to be applied from the magnet body BIM to the chip CHI is substantially prevented from leaking. There is an option of not blocking passage.

(5)導体ケースPFSとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。
(5) Since the conductor case PFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly.

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。
Therefore, when a multiple-chip mounting configuration is used to increase manufacturing yields, variations in the inclination angle between chips have a large effect on magnetic properties, but according to this embodiment, variations in the inclination angle between chips can be reduced. It can be held small.

(6)配線基板としてフレキシブルフィルム基板FPC
を使用しているため下記の効果が得られる。
(6) Flexible film board FPC as a wiring board
By using , the following effects can be obtained.

■基板厚を小さくできる6 ■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。
■ Board thickness can be reduced6 ■ Lead bonding method can be adopted, so the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石MAGを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。
■The effects of ■ and ■ above are due to the magnetic circuit gap (magnetic permeability μ
A bias magnet MAG having a small thickness or a small planar area can be used, which leads to a thinner overall device or a smaller planar area.

■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の180’の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, the terminal portion 180' can be turned over, and the planar area of the entire device can be limited.

■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.

(7)配線基板FPCの外部邂出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースRFSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the external protruding wiring of the wiring board FPC is concentrated at the corners of the rectangle, the opening of the rotating magnetic field confinement case RFS can be provided at the corner where the influence is least.

(8)傾斜板INNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the inclined plate INN is not combined with the magnet or magnetization function, the following effects are obtained.

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。
■Materials with good workability, such as copper, can be used to form the slope.

■熱意率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルCOIで発生した熱を効率良く発散できる6 ■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板HO
Mを通る磁界を乱さないようにすることができる。
■Materials such as copper, which have a high heating rate, can be used to efficiently dissipate the heat generated by the rotating magnetic field generating coil COI.6 ■By using non-magnetic materials, the magnetic field shunt plate HO
It is possible to avoid disturbing the magnetic field passing through M.

(9)傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石MAGや
整磁板ROMに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。
(9) It is preferable that the inclined plate INN be as thin as possible in order to reduce the magnetic gap.Compared to the magnet MAG and the magnetic shunt plate ROM, the inclined plate INN can be made thinner by limiting its width to the area necessary and sufficient for forming the inclined angle. This makes it easy to form an inclined angle in the thickness.

(10)磁石MAGとシールドケースSHI間には。(10) Between magnet MAG and shield case SHI.

透磁率μの大きいソフトフェライトのような板INMが
挿入されているので、その間の磁気的ギャップを埋める
ことができる。また。
Since a plate INM made of soft ferrite having a large magnetic permeability μ is inserted, the magnetic gap therebetween can be filled. Also.

板INMは放熱にも寄与する。板INMとしては磁石M
AGよりも保持力Heの小さい材料を選んでいるので、
永久磁石の実効的な厚さを均一なままにしておくことが
できる。
The plate INM also contributes to heat radiation. Magnet M as plate INM
Since we have selected a material with a smaller holding force He than AG,
The effective thickness of the permanent magnet can remain uniform.

(11)シールドケースSHIは透磁率μの大きいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石MAGを
磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、
磁石MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(11) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high magnetic permeability μ, the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnet MAG as the magnetic field source can be reduced.
The thickness and planar area of the magnet MAG can be reduced.

(12)シールドケースSHIは飽和磁束密度Bsの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし。
(12) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Bs, it bypasses external magnetic field noise.

チップCHIに伝えない働きがある。。There is a function that does not inform the chip CHI. .

(13)上記(11)、(12)はそれぞれ、シールド
ケースSHIの厚さを薄くすることにつながる。
(13) The above (11) and (12) each lead to reducing the thickness of the shield case SHI.

(14)シールドケースSHIはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。
(14) Since the shield case SHI uses an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and protects the parts incorporated therein against external mechanical forces.

(15)回転磁界発生コイルPFCとバイアスコイルB
ICを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スSHI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。
(15) Rotating magnetic field generating coil PFC and bias coil B
Since both ICs are core-type, the storage efficiency or packaging density within the packaging case SHI or PKG can be increased.

(16)コアー〇ORと整磁板HOMとの間にはケース
RFSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長、の低域による低消費電力化につながる。
(16) Since the case RFS is inserted between the core 〇OR and the magnetic shunt plate HOM, the interval between them can be finely adjusted by the thickness of the rotating magnetic field confinement case RFS and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI. can. The shorter this distance is, the smaller the overall planar size can be, leading to lower power consumption due to the lower coil length.

しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石MAGから
の直流バイアス磁界Hbが透磁率の高いコアーCORに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。
However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field Hb from the magnet MAG will leak to the core COR having high magnetic permeability, and the uniformity of the bias magnetic field in the chip peripheral portion will deteriorate. Therefore, this distance is very critical due to the above-mentioned characteristics, and according to the present structure, it can be precisely adjusted.

(I7)回転磁界閉じ込めケースRFSの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易であ
る。
(I7) Since the constriction portion is provided around the rotating magnetic field confinement case RFS, alignment of the magnet body BIM is easy.

(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に1801の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板HOMや1対の磁石M
AGをほぼ平行に合せることができる。
(18) The inclined plate INN is made by arranging two plates manufactured under the same manufacturing conditions so that there is a rotation angle difference of 1801 in plane between the upper and lower surfaces of the chip, so that they are placed on the upper and lower surfaces with the chip sandwiched between them. A pair of magnetic shunt plates HOM and a pair of magnets M
AG can be aligned almost parallel.

(組立の概要 第3図) 第3図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板F
PC上に2個の素子CHIを搭載した基板組立体BND
を、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着配置
した外側ケースRFSa内に配置し、さらにこの基板F
PC上に磁気回路PFCを組み込んだ後、シリコーン樹
脂SIR(図示せず)を充填しその上部に内側ケースR
FSbを外側ケースRF S a IC対して組み込み
、外側ケースRFSaと内側ケースRFSbとの側面接
触部分を半田付等により電気的に接続する。次にこれら
の外側ケースRFSaおよび内側ケースRFSbの外面
に設けられている凹状の絞り部に上側磁石体B I M
 aおよび下側磁石体BIMbを配置した後、この上側
磁石体B I M aの外縁部と内側ケースRFSbの
内側とで形成される図示しない隙間に整列巻きされたバ
イアスコイルBICを配置し、これらを外側ケース5H
Ia内に収納し、更に内側ケース5HIbを組み込み、
外側ケースS HI aと内側ケース5HIbとの側面
接触部分を溶接等により磁気的に接続する0次に内側ケ
ース5HIbの4隅から突出している前記基板FPCの
外部接続端子接続部をこの内側ケース5HIbの背面に
第4図Bに示すように折り返し、一定形状を有するよう
に組み合わせて配置し、これらの接続部にそれぞれ設け
られている半田等で被覆された各外部接続端子に、図示
しないコンタクトパッドCoPを各開口部に搭載した端
子固定板TEFを接触配置して熱圧着等により各外部接
続端子とコンタクトパッドC○Pを半田付等により電気
的に接続させる。次にこれらの組み立て体にパッケージ
ングケースPKG内に収納し、端子固定板TEFとパッ
ケージングケースPKGの接触部においてハーメチック
シール等の封止を行って組み立てられる。
(Overview of assembly Fig. 3) Fig. 3 is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each component constituting the above-mentioned magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. . In the same figure, first, a board F has connection parts for input/output wiring protruding from the four corners and an element mounting part in the center.
Board assembly BND with two CHI elements mounted on a PC
is placed inside the outer case RFSa, which has an insulating sheet glued at the position indicated by the dotted line on the bottom surface, and this board F
After incorporating the magnetic circuit PFC on the PC, silicone resin SIR (not shown) is filled and the inner case R is placed on top of it.
FSb is assembled into the outer case RFSa IC, and the side contact portions of the outer case RFSa and the inner case RFSb are electrically connected by soldering or the like. Next, the upper magnet body B I M
After arranging the upper magnet body BIMb and the lower magnet body BIMb, a bias coil BIC wound in alignment is arranged in a gap (not shown) formed between the outer edge of the upper magnet body BIMa and the inside of the inner case RFSb. The outer case 5H
Store it in Ia, and further incorporate the inner case 5HIb,
The side surface contact portions of the outer case SHIa and the inner case 5HIb are magnetically connected by welding or the like. As shown in FIG. 4B, the connectors are folded back and arranged in combination to have a certain shape, and contact pads (not shown) are attached to each external connection terminal covered with solder or the like provided at each of these connection parts. A terminal fixing plate TEF with a CoP mounted in each opening is arranged in contact with each other, and each external connection terminal and contact pad C○P are electrically connected by soldering or the like by thermocompression bonding or the like. Next, these assembled bodies are housed in a packaging case PKG, and sealed with a hermetic seal or the like at the contact portion between the terminal fixing plate TEF and the packaging case PKG, and then assembled.

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.

(フレキシブル配線基板 第4図) 第4図は基板FPCを示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは同
図Aの4G−4CC拡大面図、同図りは同図Aの40−
40拡大断面図である。同図において、基板FPCは、
中央部に角形状の素子保護部1と、この4隅に巾の小さ
い折り曲げ部2 (2a、2b、2c、2d)と、この
先端部に角形状の外部接続端子接続部(以下接続部と称
する)3 (3a、3b、3c、3d)とを有し、全体
形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、ま
た、この素子保護部1の対向辺側には後述する2個の素
子CHIを搭載しその端子部を接続させる2重枠構造の
矩形状開口部4(4a、4b)および位置決め用の3個
の穿孔5(5a、5b、5c)が設けられ、さらに1個
の接続部3cの先端には位置決め用の基板突出部6が設
けられている。
(Flexible wiring board Fig. 4) Fig. 4 is a diagram showing a board FPC, where A is a plan view thereof and B is a layout in which the connection parts of external connection terminals protruding from the four corners are folded back and combined. The plan view C is an enlarged sectional view of 4G-4CC of the same figure A, and the same figure is the 40-4CC of the same figure A.
40 is an enlarged sectional view. In the same figure, the board FPC is
There is a square element protection part 1 in the center, small bent parts 2 (2a, 2b, 2c, 2d) at the four corners, and a square external connection terminal connection part (hereinafter referred to as connection part) at the tip. ) 3 (3a, 3b, 3c, 3d), and the overall shape is approximately windmill-shaped and is integrally formed. A rectangular opening 4 (4a, 4b) with a double-frame structure for mounting two elements CHI and connecting their terminals, and three perforations 5 (5a, 5b, 5c) for positioning are provided. A substrate protrusion 6 for positioning is provided at the tip of each connecting portion 3c.

また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Aに示すような配線用リード9a、
円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用端
子9c。
In addition, as shown in FIG. C, this FPC board is made by forming a copper thin film on a base film 7 made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μm, for example, via an epoxy adhesive 8, and then applying the copper thin film to the desired shape. By etching into a pattern shape, wiring leads 9a as shown in FIG.
A circular external terminal 9b and an oval coil lead connection terminal 9c.

記号9dおよびインデックスマーク9e等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム10が接着配置されている。そして、この基板FP
Cの開口部4においては、図示しない索子CHI搭載側
となるベースフィルム7が高い精度の寸法で開口が形成
され、また、その上面側カバーフィルム10には比較的
寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム7
とカバーフィルム10との間には配線用り一ド9aが露
出し、この配線用リード9aの表面には錫メッキ層11
が形成され、開口形状が2層構造でかつ2重枠構造を有
して形成されている。一方、接続部3においては、同図
りに示すようにカバーフィルム10の前記円形状外部端
子9bおよび図示しない楕円状の外部端子9cと対応す
る部位に円形状の開口12が形成され、その間口12か
ら露出した外部端子9b、9c銅薄膜パターン上にはめ
っき或いはディップ等による半田層13が形成されてい
る。そして、これらの接続部3に設けられた各外部端子
9b、9cは各接続部3a。
Patterns such as symbols 9d and index marks 9e are formed, and a transparent or semi-transparent cover film 10 is adhered to the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. And this board FP
In the opening 4 of C, an opening with highly accurate dimensions is formed in the base film 7 on which the cable CHI (not shown) is mounted, and an opening with relatively large dimensions is formed in the cover film 10 on the upper side thereof. , and further base film 7
A wiring lead 9a is exposed between the wiring lead 9a and the cover film 10, and a tin plating layer 11 is formed on the surface of the wiring lead 9a.
is formed, and the opening shape is formed to have a two-layer structure and a double frame structure. On the other hand, in the connecting portion 3, as shown in the figure, a circular opening 12 is formed at a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown). A solder layer 13 is formed by plating or dipping on the copper thin film patterns of the external terminals 9b and 9c exposed from the external terminals 9b and 9c. Each of the external terminals 9b and 9c provided in these connection parts 3 is each connection part 3a.

3b、3c、3dおよび折り曲げ部2a、2b。3b, 3c, 3d and bent portions 2a, 2b.

2c、2d並びに素子保護部1上に連続して形成された
各配線用リード9aに接続され、これらの配線用リード
9aは素子搭載部1に設けられた各開口部4a、4bの
開口端の一部に各接続部3a。
2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the element protection part 1. Each connection portion 3a is partially provided.

3b、3c、3dのブロック毎に集結してその先端部が
各開口部4a、4b内に露出されている。
They are gathered in blocks 3b, 3c, and 3d, and their tips are exposed in the respective openings 4a and 4b.

すなわち同図Aに示すように接続部3aの配線用リード
9aは開口部4aの左上部に、接続部3bの配線用リー
ド9aは開口部4bの左下部に、接続部3cの配線用リ
ード9aは開口部4aの右上部に、また接続部3dの配
線用リード9aは開口部4bの右下部にそれぞれ配線さ
れている。そして、この基板FPCは、後工程で各接続
部3a。
That is, as shown in FIG. A, the wiring lead 9a of the connecting part 3a is located at the upper left of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting part 3b is located at the lower left of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting part 3c is located at the lower left of the opening 4b. is wired to the upper right corner of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connecting portion 3d is wired to the lower right corner of the opening 4b. Then, this board FPC is connected to each connecting portion 3a in a later process.

3b、3c、3dが各折り曲げ部2a、2b、2c、2
dで折り曲げられて同図Bに示すように組み合わされ、
半田層13を形成した各外部端子9b、9cが表面に露
出し、また、配線用リード9a、記号9dおよびインデ
ックスマーク9eは表面がカバーフィルム10により被
覆されているので、これらのパターンはカバーフィルム
10を透かして容易に判読できるように構成されている
3b, 3c, 3d are the respective bent portions 2a, 2b, 2c, 2
d and assembled as shown in Figure B,
The external terminals 9b and 9c on which the solder layer 13 is formed are exposed on the surface, and the surfaces of the wiring leads 9a, symbols 9d and index marks 9e are covered with the cover film 10, so these patterns are covered with the cover film. 10 is constructed so that it can be easily read through.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部1の4隅に各折り曲げ部2
a、2b、2c、2dを介して各接続部3a、3b、3
c、3dを設けた風車状に構成し、これらの各接続部3
a、3b、3c、3dを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部1と接続部とが2
層配線構造となるので、接続部3の面積を小さくするこ
となく、素子保護部1の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。
In such a configuration, the substrate FPC uses a polyimide resin film, and each bent portion 2 is provided at the four corners of the element protection portion 1.
Each connection 3a, 3b, 3 via a, 2b, 2c, 2d
c, 3d, and each of these connecting parts 3
By folding and combining a, 3b, 3c, and 3d to form the external terminal section, the element protection section 1 and the connection section are separated into two parts.
Since it has a layered wiring structure, the area of the element protection part 1 can be increased without reducing the area of the connection part 3, and at the same time, it is possible to increase the number of external terminals, and the overall shape can be made smaller. .

また、このような構成において、各外部端子9bから素
子保護部1の各開口部4a、4bまでの配線リード9a
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちS/N比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部3cの一端に
基板突出部6を設けるとともに、この突出部6にインデ
ックスマーク9eを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースRFSおよびSH
I (第2図参照)に組み込む際の位置合せ用、配線リ
ード9aの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の
判別に利用してその判別が容易となるので、組み立てお
よび基板管理等を合理化することができる。また、基板
FPCの素子保護部1の両端側に穿孔5a、5b、5c
を設けたことにより、基板FPCの左右の区別、素子C
HIの位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を合
理化することができる。
In addition, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the element protection part 1
Since the time can be significantly shortened, the influence of external noise etc. can be significantly reduced. That is, signals with a high S/N ratio can be input and output. Furthermore, a board protrusion 6 is provided at one end of the connecting part 3c, and an index mark 9e is provided on this protrusion 6, so that when the board is folded back and assembled, it can be used for displaying the central part of the board.
I (see Figure 2) can be used for positioning when assembling, distinguishing the type of wiring lead 9a, or displaying the product model. It can be streamlined. Additionally, holes 5a, 5b, 5c are provided at both ends of the element protection portion 1 of the FPC board.
By providing a
The positioning of the HI becomes easy, and the ease of assembly can also be streamlined.

(基板組立体 第5.6.7図) 第5図は前述した基板FPCに素子CHIを搭載した平
面図を示したものである。同図において、基板FPCの
素子搭載部1には2個の素子CHIが開口部4a、4b
間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構成され
ており、この素子CH工の1個は、第6図に拡大平面図
で示すようにIMbチップの2ブロツクが一体化して構
成され、2個の素子CHIでは4ブロツク、合計で4M
bチップを構成している。なお、第6図に示した素子C
HIの1ブロツクにおいて、太線は導体パターン、細線
はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示している。ま
た、第5図に示した素子CHIは、第7図A、第7図B
にそれぞれ拡大断面図で示すように素子CHIの端部に
金メッキして設けられた各ポンディングパッド14と、
基板FPC開口部4の錫メッキ層11が形成された配線
用リード9aとの間に金バンプ15を介在させて熱圧着
法にによるA u −S n共晶によりリードボンディ
ングされて搭載されている。
(Substrate Assembly Figures 5.6.7) Figure 5 is a plan view showing the element CHI mounted on the aforementioned substrate FPC. In the figure, two elements CHI are mounted in the element mounting part 1 of the FPC board through openings 4a and 4b.
A board assembly BND is constructed by being mounted in parallel between the two blocks, and one of the elements CH is constructed by integrating two blocks of IMb chips, as shown in an enlarged plan view in FIG. 4 blocks for 2 elements CHI, 4M in total
It constitutes the b chip. Note that the element C shown in FIG.
In one block of HI, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths. In addition, the element CHI shown in FIG. 5 is shown in FIG. 7A and FIG. 7B.
As shown in the enlarged cross-sectional views in FIG.
A gold bump 15 is interposed between the tin plated layer 11 of the substrate FPC opening 4 and the wiring lead 9a formed thereon, and lead bonding is carried out using Au-Sn eutectic using a thermocompression bonding method. .

このような構成によれば、基板FPCの開口部4a、4
bの配線用リード9aと素子CHIのポンディングパッ
ド14とがA u −S n共晶によるリードボンディ
ングにより接続されて素子CHIが支持固定できるので
、接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が可能
となる。また、素子CHIの表面が基板FPCの素子搭
載部1により被覆されるので、素子CHIの表面が保護
され、ハンドリング性を向上させることができるととも
に、基板FPCの機械的強度を保持することができる。
According to such a configuration, the openings 4a, 4 of the substrate FPC
The wiring lead 9a of b and the bonding pad 14 of the element CHI are connected by lead bonding using Au-Sn eutectic, and the element CHI can be supported and fixed, so the connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. becomes possible. In addition, since the surface of the element CHI is covered with the element mounting part 1 of the FPC board, the surface of the element CHI is protected, the handling property can be improved, and the mechanical strength of the FPC board can be maintained. .

また、このような構成によれば、各素子CHIが2ブロ
ツクからなり、2個の素子CHIは4ブロツクで構成さ
れているので、各ブロックをそれぞれ最も近接する各接
続部3a、3b、3c。
Further, according to such a configuration, since each element CHI is composed of two blocks, and two elements CHI are composed of four blocks, each block is connected to the respective connecting parts 3a, 3b, and 3c closest to each other.

3dへ分配して配線でき、素子CHI配置の対称性が得
られ、試験、検査等が極めて容易となる。
Wiring can be distributed over 3D, symmetrical element CHI arrangement can be obtained, and testing, inspection, etc. can be extremely facilitated.

さらに基板FPCに4個の接続部3a、3b、3c、3
dを設けているので、各素子CHIの磁気バブル検出器
DETおよびマツプループ等の配線を他の機能配線と区
別して1個所の接続部に集結させ、この接続部を雑音発
生源から遠ざける部位に選定して配置することにより、
雑音の極めて少ない入出力信号を授受することができる
Furthermore, four connection parts 3a, 3b, 3c, 3 are attached to the board FPC.
d, the wires for the magnetic bubble detector DET and pine pull of each element CHI are distinguished from other functional wires and gathered at one connection point, and this connection point is selected to be away from the noise source. By placing
It is possible to exchange input/output signals with extremely low noise.

(駆動磁気回路 第8,9図) 第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアCORの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して4組のコイル20a、20b、20
c、20dからなるコイルCOIが巻設され、互いに対
向する辺上のコイル20aと20bとを接続点21bを
介して直列巻きさせてXコイル22aを、コイル20c
と20dとを接続点2 ]−aを介【、て直列巻きさせ
てYコイル22bをそれぞれ構成している。
(Drive Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFC, and FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a plan view showing the drive magnetic circuit. In the figure, the magnetic circuit PFC includes four sets of coils 20a, 20b, 20, which are wound in the direction of the arrows on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COR made of a soft magnetic material.
A coil COI consisting of coils COI c and 20d is wound, and coils 20a and 20b on opposite sides are wound in series via a connection point 21b to form an X coil 22a and a coil 20c.
and 20d are wound in series through connection points 2 and 2 to form Y coils 22b.

そして、Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の
90度異なる電流IxおよびIy(例えば三角非電流)
を供給することにより、同図Bに示すようにX軸方向に
漏洩磁界Hxが、y軸方向には漏洩磁界Hyが発生し、
前述した2個の素子CHIに回転磁界として供給される
Then, currents Ix and Iy (for example, triangular non-current) whose phases are different by 90 degrees are applied to the X coil 22a and the Y coil 22b.
As shown in Figure B, a leakage magnetic field Hx is generated in the X-axis direction and a leakage magnetic field Hy is generated in the y-axis direction.
It is supplied as a rotating magnetic field to the two elements CHI mentioned above.

また、このように構成される磁気回路PFCは。Moreover, the magnetic circuit PFC configured in this way is as follows.

第9図に斜視図で示すように]本の軟磁性材料からなる
直方体状の磁気コア23に巻線を複数ブロック毎にタッ
プ24を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイ
ル20a、20bからなる一対のXコイル22aを形成
した後、各コイル20aと20bとの間に一定の巾を有
する幅の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削
加工して設け、しかる後、この幅の小さい溝26部分か
ら切断して両者に分割された幅の広い溝25を互いに直
交する方向に組み合わせて接着し、第8図に示すように
額縁形に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝25
および幅の小さい溝26を予め形成した直方体コア23
にコイル20a、20bをタップ24を介して巻設し、
一対のXコイル22aを形成してもよい。また、前述し
た一対のYコイル22bについても全く同様に形成され
る。
[As shown in a perspective view in FIG. 9] A rectangular parallelepiped magnetic core 23 made of a soft magnetic material is wound with a tap 24 for each block, and wound in series to form a pair of coils, for example coils 20a and 20b. After forming a pair of X coils 22a consisting of a pair of The wide grooves 25, which are cut from the narrow groove 26 and divided into two parts, are combined and glued together in directions perpendicular to each other to form a picture frame shape as shown in FIG. Moreover, on the contrary, the wide groove 25 described above
and a rectangular parallelepiped core 23 with a small width groove 26 formed in advance.
The coils 20a and 20b are wound through the tap 24,
A pair of X coils 22a may be formed. Furthermore, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア23にコイ
ル20a、20bを直列方向にタップ24を設けて巻設
しているので、第8図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル”22aとYコイル
22bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり
、インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する
磁性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、
この磁気回路PFCは素子CHIの上、下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil "22a" and the Y coil 22b have a symmetrical structure, resulting in coarse coupling, improving the inductance balance, and preventing magnetic interference between magnetic bodies with respect to leakage magnetic fields. You can.Also,
Since the magnetic circuit PFC has a frame-shaped structure that is not disposed on the upper or lower surface of the element CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.

(回転磁界閉込めケース 第10.11.12図)第1
0図はケースRFSを示す図であり、同図Aは平面図、
同図Bはその1.0B−10B断面図である。同図にお
いて、内側ケースRFSbは、その中央部分が凹状とな
る枠形状の絞り部30と、その対向端辺が上方向にほぼ
90度折り曲げられた折り曲げ部31と、その各4隅が
斜め方向に切断された切り欠き部32とをそれぞれ有し
て構成されており、このケースRFSbは良導電性材料
、例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。
(Rotating magnetic field confinement case Fig. 10.11.12) 1st
Figure 0 is a diagram showing the case RFS, and Figure A is a plan view.
Figure B is a cross-sectional view taken along line 1.0B-10B. In the figure, the inner case RFSb has a frame-shaped aperture part 30 whose central part is concave, a bent part 31 whose opposite end side is bent upward by approximately 90 degrees, and each of the four corners of which are bent in an oblique direction. The case RFSb is formed by pressing a highly conductive material such as an oxygen-free copper plate.

この場合、絞り部30および折り曲げ部31はこの内側
ケースRFSbのねじれ方向の機械的強度を向上させる
とともに、互いに対向する折り曲げ郁31相互間の縦横
方向の外径寸法りを適宜制限することができる。また、
絞り部30は、このケースRFSbの外面側に配設され
る磁石体BIMbと、内面側に配置される素子CHIと
の間の距離を適宜調整することができる。なお、4隅に
設けた切り欠き部32は、このケースRFS b内に配
設される基板FPCの各折り曲げ部2a。
In this case, the constricted portion 30 and the bent portion 31 can improve the mechanical strength of the inner case RFSb in the torsion direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 31 facing each other. . Also,
The aperture section 30 can appropriately adjust the distance between the magnet body BIMb arranged on the outer surface side of this case RFSb and the element CHI arranged on the inner surface side. Note that the cutout portions 32 provided at the four corners are each bent portion 2a of the board FPC disposed within this case RFSb.

2b、2c、2dの引出し部分を形成している。It forms the drawer parts 2b, 2c, and 2d.

このような構成によれば、内側ケースRFSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。
According to such a configuration, the inner case RFSb can be formed by a press working method, and therefore can be manufactured with high precision dimensions and at low cost.

なお、内側ケースRFSbは、無酸素鋼を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。
Although the inner case RFSb is made of oxygen-free steel, it may also be made of copper, silver, gold plate, or a plated alloy plate thereof.

第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは平面図、同図
BはそのIIB−11B断面図である。同図において、
この外側ケースRFS aは。
FIG. 11 is a diagram showing an outer case RFSa corresponding to the above-described inner case RFSb, with FIG. 11A being a plan view and FIG. 11B being a sectional view taken along line IIB-11B. In the same figure,
This outer case RFS a.

前述した内側ケースRFSbと同等の材料および製作法
により形成され、その構造は前述とほぼ同様にその中央
部が凹状となる枠形状の絞り部33と、その対向端辺が
上方向にほぼ90度に折り曲げられた折り曲げ部34と
、その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部35と
を有して構成されている。この場合、互いに対向する折
り曲げ部34は、その相互間の内側寸法が、前述した内
側ケースRFSbの折り曲げ部31相互間の外側寸法り
とほぼ同等値を有しかつ高さHを大きくして形成されて
いる。なお、この絞り耶33および切り欠き部35は前
述した内側ケースRFSbとほぼ同等の寸法を有して形
成されている。
It is formed using the same material and manufacturing method as the inner case RFSb described above, and its structure is almost the same as described above, with a frame-shaped constriction part 33 whose center part is concave, and the opposite end of the constriction part 33 upwardly extending at an angle of approximately 90 degrees. It has a bent part 34 which is bent in a direction, and a notch part 35 which is cut diagonally at each of its four corners. In this case, the mutually opposing bent portions 34 are formed so that the inner dimensions thereof are approximately the same as the outer dimensions between the bent portions 31 of the inner case RFSb described above, and the height H is increased. has been done. Note that the aperture 33 and the notch 35 are formed to have substantially the same dimensions as the aforementioned inner case RFSb.

このように構成された外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースRFSbは、第12図Aにその平面図、第12図B
に12B−12B断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スRFSa内に内側ケースRFSbを挿入し、外側ケー
スRF S aの折り曲げ部31の外面とを互いに接触
させて接続することにより、一体化させケースRFSが
組み立てられる。
The outer case RFSa and the inner case RFSb configured in this way are shown in a plan view in FIG. 12A and in FIG. 12B.
As shown in the cross-sectional views 12B-12B, the inner case RFSb is inserted into the outer case RFSa, and the outer surfaces of the bent portions 31 of the outer case RFSa are brought into contact with each other and connected, thereby integrating the case RFS. is assembled.

(ケース組立体 第13図) 第13図は前述したケースRFS内に基板組立体BND
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースRFSaの底面には、電気的絶縁性シー
トとして、例えば厚さ約0゜1m程度のポリイミドフィ
ルム36が接着配置され、このフィルム36上には基板
組立体BNDが、また、その周縁部には磁気回路FPC
がそれぞれ配置され、されに基板組立体BNDの上面に
エポキシ系の接着剤37を塗布した後、これらの上方部
には内側ケースRFSbが挿入されて接合配置されてい
る。この場合、この外側ケースRFSaの折り曲げ部3
4の内面と内側ケースRFSbの折り曲げ部31の外面
とがx印で示す部分でメタルフローあるいは半田付等に
より電気的、Ia械的に接合されている。また、この外
側ケースRFSaと内側ケースRFSbとの間の隙間部
分にはシリコーン樹脂SIRが充填され基板組立体BN
Dおよび磁気回路PFCが固定配置されている。なお、
この場合、これらの外側ケースRFSaおよび内側ケー
スRFSbの4隅に設けられた図示しない各切り欠き部
32.35には基板FPCの折り曲げ部2 (2a、2
b、2c、2d)が外部へ引出されている。38はコイ
ルC○工同志の接続またはコイルCOIと基板FPC上
に設けられた外部端子9cを接続するためのリード線で
ある。
(Case assembly Figure 13) Figure 13 shows the board assembly BND inside the case RFS mentioned above.
This figure shows a cross-sectional view of the storage arrangement. In the figure, a polyimide film 36 with a thickness of about 0.1 m, for example, is adhesively arranged as an electrically insulating sheet on the bottom surface of the outer case RFSa, and a board assembly BND is mounted on this film 36. At its periphery is a magnetic circuit FPC.
are arranged respectively, and after applying an epoxy adhesive 37 to the upper surface of the board assembly BND, an inner case RFSb is inserted and bonded to the upper part of these. In this case, the bent portion 3 of this outer case RFSa
The inner surface of the inner case 4 and the outer surface of the bent portion 31 of the inner case RFSb are electrically and Ia mechanically joined by metal flow, soldering, etc. at the portion indicated by the x mark. Furthermore, the gap between the outer case RFSa and the inner case RFSb is filled with silicone resin SIR to form the board assembly BN.
D and magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In addition,
In this case, the bent portions 2 (2a, 2
b, 2c, 2d) are drawn out. 38 is a lead wire for connecting the coil COI or connecting the coil COI to the external terminal 9c provided on the FPC board.

このような構成において、磁気回路FPCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRFSには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に封じ込められ、したがって素
子CHIには均一な回転磁界を付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit FPC, an induced current flows through the case RFS to form a closed loop, and this induced current confines the rotating magnetic field within the case RFS, so that the element CHI is applied with a uniform rotating magnetic field.

このような構成によれば、外側ケースRF S aおよ
び内側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基
板FPCに搭載された素子CHIを、周縁部分の凸状部
内に磁気回路PFCをそれぞれ挟持させて配置したので
パッケージング効果が向上できるとともに、組立性が大
幅に向上できる。
According to such a configuration, the element CHI mounted on the board FPC is sandwiched between the outer case RF S a and the inner case RFS b in the concave part of the central part, and the magnetic circuit PFC is held in the convex part of the peripheral part. Since they are arranged in parallel, the packaging effect can be improved and the ease of assembly can be greatly improved.

また、外側ケースRFSaおよび内側ケースRFsbで
覆われる体積が減少することにより、VI積(体積)が
低減でき、・回転磁界を発生させる磁気回路PF、Cの
小形化が可能となる。さらに外側ケースRF S aお
よび内側ケースRFSbに絞り部30.33で形成され
る凹状部を設は対向する凹状部間のギャップを減少させ
ることにより、回転磁界は素子CHIの平面に垂直な成
分(Z成分)が零に近接して水平な成分のみとなり、一
様性を向上させることができる。
Furthermore, by reducing the volume covered by the outer case RFSa and the inner case RFsb, the VI product (volume) can be reduced, and the magnetic circuits PF and C that generate the rotating magnetic field can be made smaller. Furthermore, by providing concave portions formed by constricted portions 30 and 33 in the outer case RF S a and the inner case RFS b and reducing the gap between the opposing concave portions, the rotating magnetic field has a component perpendicular to the plane of the element CHI ( Z component) is close to zero and there is only a horizontal component, and uniformity can be improved.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which Figure A is a plan view, Figure B is a side view, and Figure C is a front view.

同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜抜工NNの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第1の整磁板HOMえと、この第1の整磁板HOM
1の上面側に配置する板厚の均一な磁石板MAGと、こ
の磁石板MAGの上面側に傾斜面を有する第2の整磁板
HOM、とを順次積層し、エポキシ系の接着剤により一
体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面にわた
って均一となるように構成されている。そして、この磁
石体BIMの上、下面からはほぼ全面にわたって均一な
バイアス磁界発生用の磁界が放出される。
In the figure, the magnetic body BIM includes an inclined plate IN made of a non-magnetic material, such as copper, and one of the opposing surfaces has a predetermined inclined surface.
N, a first magnetic shunt plate HOM of uniform plate thickness disposed on the slope side of this inclined drawing NN, this first magnetic shunt plate HOM
A magnet plate MAG having a uniform thickness and placed on the upper surface of the first magnet plate MAG and a second magnetic shunt plate HOM having an inclined surface on the upper surface of this magnet plate MAG are sequentially laminated and integrated with an epoxy adhesive. The laminated plate thickness is uniform over almost the entire surface. A uniform magnetic field for generating a bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B−15B断面図である
。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線40が
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成される。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing the bias coil BIC, where A is a perspective view and FIG. B is a cross-sectional view taken along line 15B-15B. In the same figure, the bias coil BIC has a winding 40 whose outer surface is coated with an insulating member such as a thermosetting resin, and is wound in an array with a cross section of 5 x 4 wires so that the overall shape has a picture frame shape. After that, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 40 is hardened in a bundled state. Therefore, it is formed into a predetermined picture frame shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装 
第16図) 第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体ENDおよび磁気回路PFCを収納し
たケースRFS組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体B I M a下部磁石体BIMbが接着配置され、
さらにこの上部磁石体B I M aの周縁部と、内側
ケースRFSbの折り曲げ部31とで囲まれて形成され
る額縁状溝部にはバイアスコイルBICが収納配置され
ている。この場合、上部磁石体B I M aと下部磁
石体B IMbとは全く同一の材料9寸法で構成されて
おり、これらの磁石体BIMa、BIMbはその傾斜板
INN側が、内側ケースRFSbの絞り部30で囲われ
た凹状部および外側ケースRFSaの絞り部33で囲わ
れた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。
(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
(FIG. 16) FIG. 16 is a sectional view of the case RFS assembly described in FIG. 13 incorporating the magnet body BIM and bias coil BIC. In the same figure,
An upper magnet body B I M a and a lower magnet body BIM b are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of the case RFS assembly that houses the board assembly END and the magnetic circuit PFC inside, respectively.
Further, a bias coil BIC is housed in a frame-shaped groove formed by being surrounded by the peripheral edge of the upper magnet B I Ma and the bent portion 31 of the inner case RFSb. In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are made of the same material and 9 dimensions, and the inclined plate INN side of these magnet bodies BIMa and BIMb is connected to the constriction part of the inner case RFSb. 30 and the concave portion surrounded by the constriction portion 33 of the outer case RFSa in close contact with each other.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa、
BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
9gI形化が可能となる。また、外側ケースRF S 
aと下部磁石体BIMbの外縁部分とで額縁状の空間溝
が形成されるので、この部分に前記バイアスコイルBI
Cを配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設け
ても良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバ
イアスコイルを形成することもてきる。
In such a configuration, a pair of magnet bodies BIMa,
Since the BIMb is placed and the bias coil BIC can be placed in the frame-shaped groove formed on the periphery of the BIMb,
The overall thickness of each component in the stacking direction is reduced, allowing for a compact 9gI shape. In addition, the outer case RF S
Since a frame-shaped space groove is formed between a and the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, the bias coil BI
C may be arranged, a bias coil may be newly provided, and furthermore, a bias coil may be formed by winding a wire as a coil bobbin.

(磁気シールドケース 第17.18.19図)第17
図はシールドケースSHIを示す図であり、同図Aは平
面図、同図Bはその17B−17B断面図である。同図
において、外側シールドケース5HIaは、平坦部51
と、この平坦部51の対向端辺に上方向にほぼ90度に
折り返した折り曲げ部52と、この折り曲げ部52の中
央部に一部が切り欠かれた凹部53と、その各4隅が斜
め方向に切断された切り欠き部54とを有して構成され
ており、このシールドケースS HI aは高透磁率お
よび高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大きい
材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成されて
いる。
(Magnetic shield case Fig. 17, 18, 19) Fig. 17
The figures show the shield case SHI, with figure A being a plan view and figure B being a 17B-17B cross-sectional view thereof. In the figure, the outer shield case 5HIa has a flat portion 51.
A bent part 52 is formed on the opposite end of the flat part 51 by folding upward at approximately 90 degrees, a recessed part 53 is partially cut out in the center of the bent part 52, and each of its four corners is diagonally shaped. This shield case S HI a is made of a material having high magnetic permeability and high saturation magnetic flux density, and preferably high thermal conductivity, such as a permalloy plate. It is formed by pressing.

第18図は前述した外側シールドケース5HIaに対応
する内側シールドケース5HIbを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその18B−18B断面図である
。同図において、この内側シールドケース5HIbは、
前述した外側シールドケースS HI aと同等の材料
および製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同
様に平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上方向
にほぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この折り
曲げ部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57と、
その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58とを
有して構成されている。この場合、互いに対向する折り
曲げ部56はその相互間の外側寸法が、前述した外側シ
ールドケースS HI aの折り曲げ部52相互間の内
側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高さHを小さくして形
成されている。
FIG. 18 is a diagram showing an inner shield case 5HIb corresponding to the above-mentioned outer shield case 5HIa, with FIG. 18A being a plan view and FIG. 18B being a 18B-18B sectional view thereof. In the figure, this inner shield case 5HIb is
It is formed using the same material and manufacturing method as the above-mentioned outer shield case S HI a, and its structure is almost the same as above, with a flat part 55 and an opposite end of the flat part 55 folded upward at approximately 90 degrees. a bent portion 56; a recessed portion 57 partially cut out in the center of the bent portion 56;
Each of its four corners has a notch 58 cut diagonally. In this case, the mutually opposing bent portions 56 have an outer dimension approximately equal to the inner dimension between the bent portions 52 of the outer shield case SHIa described above, and have a reduced height H. It is formed by

このように構成された外側シールドケース5HIaおよ
び内側シールドケース5HIbは第19図Aにその平面
図、第19図Bにその19B−49B断面図でそれぞれ
示すよう、に外側シールドケースS HI a内に内側
シールドケース5HIbを挿入し、外側シールドケース
5HIaの凹部53と内側シールドケースSHI bの
凹部57とで形成される凹部59にスポット溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的1機械的に固定することによ
り一体化させ外側シールドケースS HI aが組み立
てられる。
The outer shield case 5HIa and the inner shield case 5HIb configured in this manner are shown in a plan view in FIG. 19A and in a sectional view taken along 19B-49B in FIG. 19B. By inserting the inner shield case 5HIb and performing spot welding or solder welding to the recess 59 formed by the recess 53 of the outer shield case 5HIa and the recess 57 of the inner shield case SHIb, and fixing it magnetically and mechanically. The integrated outer shield case SHIa is assembled.

このような構成において、外側シールドケース5HIa
の折り曲げ部52および内側シールドケース5HIbの
折り曲げ部56を横方向、つまり積層方向と交差す方向
に設定することなく、積層方向に揃えて設定することに
より、横方向の寸法  −を小さくさせ、小形でかつ構
成部品の高集積化が可能となる。
In such a configuration, the outer shield case 5HIa
By setting the bent portion 52 of the inner shield case 5HIb and the bent portion 56 of the inner shield case 5HIb in the lateral direction, that is, in the direction that intersects with the laminating direction, by aligning them with the laminating direction, the lateral dimension - can be reduced and the size can be reduced. It also enables high integration of component parts.

(磁気シールドケース組立体 第20図)第20図は前
述したシールドケースSHI組立体内に、前記第16図
で説明した内部に基板組立体BND、磁気回路FPCを
組み込んだケースRFS組立体と、一対の磁石板BIM
a、BIMb、バイアスコイルBICとからなる組立体
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
、外側シールドケースS HI aの内部には、その底
面側から中央部に上部磁石体B I M a 、周縁部
にバイアスコイルBIC,ケースRFS組立体(内部に
基板組立体BND、磁気回路PFC等が組み込まれてい
る)、下部磁石体BIMbを順次積層配置させた後、内
側シールドケース5HIbを挿入し、前述した外側シー
ルドケースS HI aの凹部53と内側シールドケー
ス5HIbの凹部57とで形成される凹部59(第19
図参照)で溶接固定して封止される。この場合、このシ
ールドケースSHI内にグリース等を充填させておくこ
とにより、内部の構成部品が実質的に相互に密着するこ
とになり、ケースRFSから発生する熱がこのシールド
ケースSHIを介して外部に放出することができる。ま
た、ケースRFSとシールドケースSHIを圧入方式に
より側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させる
ことができる。
(Magnetic shield case assembly FIG. 20) FIG. 20 shows the case RFS assembly, which incorporates the board assembly BND and magnetic circuit FPC inside the shield case SHI assembly described in FIG. magnetic plate BIM
Fig. 3a shows a cross-sectional view incorporating an assembly consisting of BIMb and bias coil BIC. In the figure, inside the outer shield case SHI a, there is an upper magnet body B I M a from the bottom side to the center, a bias coil BIC at the periphery, and a case RFS assembly (board assembly BND inside, magnetic After sequentially stacking and arranging the lower magnet body BIMb (in which the circuit PFC, etc. is incorporated), the inner shield case 5HIb is inserted, and the recess 53 of the outer shield case SHIa and the recess 57 of the inner shield case 5HIb described above are inserted. recess 59 (19th
(see figure) is welded and sealed. In this case, by filling the shield case SHI with grease or the like, the internal components will come into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS will be transferred to the outside through the shield case SHI. can be released to Furthermore, the heat dissipation effect can be improved by making the case RFS and the shield case SHI contact each other at their sides by press-fitting.

このような構成において、外側シールドケースS HI
 aの底面側にケースRFS組立体を、その折り曲げ部
31.34が対向するように積層配置させることによっ
て外部シールドケースS HI aと内部シールドケー
ス5HIbとの間に積層される各構成部品が密着配置で
きるので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱効
果も同時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case S HI
By stacking the case RFS assembly on the bottom side of the case RFS a so that the bent parts 31 and 34 thereof face each other, each component stacked between the outer shield case S HI a and the inner shield case 5 HI b is brought into close contact with each other. Since it can be arranged, it can be made smaller and thinner, and a heat dissipation effect can be obtained at the same time.

(パッケージングケース 第21図) 第21図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21B断面図
である。同図において、パッケージングケースPKGは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚約0.51のアルミ
ニウム板を絞り加工を施して形成され1図示されないが
、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッケ
ージングケースPKGは、前記外側シールドケース5H
Iaの形状を改良して兼用させて使用することができる
(Packaging case FIG. 21) FIG. 21 is a diagram showing a packaging case PKG, in which FIG. 21A is a plan view and FIG. 21B is a 21B-21B sectional view thereof. In the same figure, the packaging case PKG is formed by drawing a material with good thermal conductivity, for example, an aluminum plate with a thickness of about 0.51 mm.Although not shown, the packaging case PKG has a black coating on its outer surface. There is. This packaging case PKG is the outer shield case 5H.
It is possible to improve the shape of Ia and use it for both purposes.

このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するボッティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。
In such a configuration, this packaging case P
The KG serves as the outer case after the magnetic bubble memory device is completed and also functions as a heat sink, and its inner corner also functions as a mold during resin molding using the botting method described below. .

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22.23図)
第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B−228断面図、同図Cは
その背面図である。同図において、端子固定板TEFは
、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ系
の樹脂板6oからなり、その外形状は前記パッケージン
グケースPKGの開口部に対して挿入出自在となる縦横
方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板6
0の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔61が縦横方
向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設さ
れ、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とはな
らない断面が凹状となる非貫通孔62が設けられ、この
非貫通孔62内には例えば方向性あるいは特長を位置付
ける白色の塗膜などによるマーク63が付着されている
。また、この樹脂板60に穿設された多数個の貫通孔6
1には、同図Bに示すようにその背面側に口径の大きい
開口64が同軸的に連通して設けられており、これらの
開口64の全ては板厚の約60%の深さを有しかつ貫通
孔61とは途中に段差を有して連通されている。また、
この樹脂板60の背面側には同図Cに示すようにその周
辺部分に沿って前記開口64の深さとほぼ同等の深さを
有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状となる
溝65が形成され、この溝65内は前述したコイルCO
Iの巻線、バイアスコイルBICの巻線の通路部および
接続部を構成している。また、この樹脂板60の角部6
6は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前述し
たパッケージングケースPKGの内側面に体して接触面
を得ている。このように樹脂板60の背面側は板厚の異
なる2段構造を有して形成されている。
(Terminal fixing plate and contact pad Fig. 22.23)
FIG. 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF, in which FIG. 22A is a plan view, FIG. 22B is a sectional view taken along line 22B-228, and FIG. 22C is a rear view thereof. In the figure, the terminal fixing plate TEF is made of an electrically insulating material, for example, a glass epoxy resin plate 6o, and its external shape is such that it can be inserted and removed freely into the opening of the packaging case PKG. The resin plate 6 is formed to have dimensions in the direction.
A large number of through holes 61 are formed in a matrix arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions except for the peripheral area of 0, and the corners of these through holes have cross sections that are not rotationally symmetrical. A concave non-through hole 62 is provided, and a mark 63 made of, for example, a white coating film for locating directionality or features is attached inside the non-through hole 62. In addition, a large number of through holes 6 are formed in this resin plate 60.
As shown in FIG. 1B, large-diameter openings 64 are coaxially communicated with each other on the back side of the plate, and all of these openings 64 have a depth of about 60% of the plate thickness. In addition, it communicates with the through hole 61 with a step in the middle. Also,
As shown in Figure C, the back side of this resin plate 60 has a depth approximately equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and has a different width in the plane direction and a concave cross section. A groove 65 is formed, and the above-mentioned coil CO is placed inside this groove 65.
It constitutes a passage section and a connection section for the winding of I and the winding of bias coil BIC. In addition, the corner portion 6 of this resin plate 60
6 does not have a concave shape, but has a predetermined plate thickness, and forms a contact surface with the inner surface of the packaging case PKG described above. In this way, the back side of the resin plate 60 is formed to have a two-tiered structure with different plate thicknesses.

第23図はコンタクトパッドGNPを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその23B−23B断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドGNPは、良導電
性材料、例えば板厚的0゜5fiI!1程度の銅板をプ
レス加工により打ち抜いた素片70の表面にニッケルメ
ッキ層71.金メッキ層72を形成して構成される。
FIG. 23 is a diagram showing the contact pad GNP, with FIG. 23A being a plan view and FIG. 23B being a sectional view taken along line 23B-23B. In the figure, the contact pad GNP is made of a highly conductive material, for example, with a plate thickness of 0°5fiI! A nickel plating layer 71. is formed on the surface of a blank piece 70, which is made by punching out a copper plate of about 1.5 mm in size by press working. It is constructed by forming a gold plating layer 72.

(最終組立 第20.4.2図) このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG内に、第20図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースPKGの4隅から前記基板組立体
BNDの各接続部3a、3b、3c、3d (第4図A
参照)が各折り曲げ部2a、2b、2c、2dから約9
0度で折れ曲がって突出する。次に、このパッケージン
グケースPKGの4隅にポツティング法により樹脂モー
ルドを行なってこのパッケージングケースPKG内に各
個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各接続部
3a、3b、3c、3dを対応する各折り曲げ部2a、
2b、2c、2dでさらに約90度で折り曲げて内側シ
ールドケース5HIbの外面に接着剤を介して前記第4
図Bに示すように組み合わせた後、前記端子固定板TE
F背面側の各開口64内にコンタクトパッドGNPを搭
載し、あるいは更にコンタクトパッドGNPの側面を接
着剤により固着してパッケージングケースPKGに挿入
し、各接続部3a、3b、3c。
(Final assembly FIG. 20.4.2) For each component configured in this way, first, the shield case assembly described in FIG. 20 is inserted into the packaging case PKG described above. In this state, the connection parts 3a, 3b, 3c, and 3d of the board assembly BND are connected from the four corners of this packaging case PKG (Fig. 4A).
(see) is about 9 from each bending part 2a, 2b, 2c, 2d.
It bends at 0 degrees and protrudes. Next, resin molding is performed at the four corners of this packaging case PKG by a potting method, and each individual component is fixedly arranged inside this packaging case PKG. Subsequently, these connecting portions 3a, 3b, 3c, and 3d are connected to the corresponding bent portions 2a,
2b, 2c, and 2d are further bent at about 90 degrees and attached to the outer surface of the inner shield case 5HIb with adhesive.
After combining as shown in Figure B, the terminal fixing plate TE
A contact pad GNP is mounted in each opening 64 on the back side of F, or the side surface of the contact pad GNP is further fixed with an adhesive, and inserted into the packaging case PKG, and each connection portion 3a, 3b, 3c is formed.

3dに接触配置させる。この場合、各接続部3a。Place it in contact with 3d. In this case, each connection part 3a.

3b、3c、3dに設けられている各外部端子9bの配
列ピッチと各コンタクトパッドGNPの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子9bとコンタクトパッド
GNPとは電気的に接触する。
Since the arrangement pitch of each external terminal 9b provided in 3b, 3c, and 3d matches the arrangement pitch of each contact pad GNP, each external terminal 9b and contact pad GNP are in electrical contact.

次に配置した端子固定板TEFの裏側から各貫通孔61
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドGNPを熱圧着する事により、各外部端子9bと対応
する各コンタクトパッドGNPが電気的に接続されると
ともに端子固定板TEFも同時に機械的に固定されて第
2図に示した磁気バブルメモリデバイスが完成される。
Next, from the back side of the terminal fixing plate TEF placed, each through hole 61
For example, by inserting a heating element with a thin tip into the contact pad GNP and thermocompressing the contact pad GNP, each external terminal 9b and the corresponding contact pad GNP are electrically connected, and the terminal fixing plate TEF is also mechanically connected at the same time. After fixing, the magnetic bubble memory device shown in FIG. 2 is completed.

(磁気バブルメモリ素子 第24.25,26,27,
213図)第24図は前述した磁気バブルメモリ素子C
H工のポンディングパッドPAD近辺の断面図を示すも
のである。同図において、GGGはgadoliniu
m −gallium −garnet基板であり、L
PEは液相エピタキシャル成長法によって形成されたバ
ブル磁性膜であり、その組成の一例は次頁表1に示した
通りである。
(Magnetic bubble memory element No. 24, 25, 26, 27,
Figure 213) Figure 24 shows the above-mentioned magnetic bubble memory element C.
It shows a cross-sectional view of the vicinity of the pounding pad PAD of the H construction. In the same figure, GGG is gadoliniu
m-gallium-garnet substrate, L
PE is a bubble magnetic film formed by liquid phase epitaxial growth, and an example of its composition is shown in Table 1 on the next page.

(本頁、以下余白) 表   1 1ONはハードバブル抑制のためにLPE膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。SPIは第1のスペ
ーサであり、例えば3000人の厚さのSio2が気相
化学反応により形成される。
(This page, the following margins) Table 1 1ON indicates an ion implantation layer formed on the surface of the LPE film to suppress hard bubbles. SPI is the first spacer, for example 3000 N thick Sio2 is formed by gas phase chemical reaction.

GNDl及びCND2は2層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写(分割)及び交換を制御する機
能を持っており、下の第1の導体層CND1がM o 
、上の第2の導体層CND2がAU等の材料でそれぞれ
形成されている。SF3及びSF3は導体層CNDとそ
の上に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pとを
電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁膜
(第2゜第3のスペーサ)である、PASは気相化学反
応法により形成された5int膜等からなるパッシベー
ション膜である。PADは素子CHIのポンディングパ
ッドを示しており、Aim等の細いコネクタワイヤがこ
こに熱圧着法や超音波法によりボンディングされる。こ
のポンディングパッドPADは下の第1層PADiがC
r、中央の第2層PAD、がAu層、上の第3層PAD
、がAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成されており、
第2MPAD、および第3層PAD、をCr、Cu等の
材料で形成しても良い、Pはバブルの転送路やバブルの
分割9発生、交換及び検出部更にはガードレール部に用
いられる層を示しており、以後の説明では便宜上転送パ
ターン層と表現する。
GND1 and CND2 indicate two conductor layers, which have the function of controlling bubble generation, copying (splitting) and exchange, which will be described later, and the lower first conductor layer CND1 is M o
, and the upper second conductor layers CND2 are each formed of a material such as AU. SF3 and SF3 are interlayer insulating films (second and third spacers) made of polyimide resin, etc., which electrically insulate the conductor layer CND and the transfer pattern layer P, such as permalloy, formed thereon. This is a passivation film made of a 5-inch film or the like formed by a vapor phase chemical reaction method. PAD indicates a bonding pad of the element CHI, and a thin connector wire such as Aim is bonded here by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. This bonding pad PAD has a lower first layer PADi of C
r, second layer PAD in the center, Au layer, third layer PAD above
, are each made of a material such as an Au plating layer,
The second MPAD and the third layer PAD may be formed of a material such as Cr or Cu. P represents a layer used for a bubble transfer path, a bubble division 9 generation, replacement, and detection section, and a guardrail section. In the following explanation, this layer will be referred to as a transfer pattern layer for convenience.

第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P1にF
e−Niを、上層P2にFa−Niをそれぞれ使用して
いるが、前述したように両者の材質を上下入れ替えるこ
とも可能である。
In the example of FIG. 24, this transfer pattern layer P is transferred to the lower layer P1.
Although e-Ni is used for the upper layer P2 and Fa-Ni is used for the upper layer P2, it is also possible to interchange the materials of the two above and below, as described above.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層を素子C
HIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説明
するが、これらの平面図では転送パターン層の各層はセ
ルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表さ
れていることに注意されたい。第25図はバブル検出器
り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子であ
り、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通過
するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を検
出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様なパ
ターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の影
響等による雑音成分を検出するために用いられる。メイ
ン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示してい
ないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送し
ていくバブルストレッチャーSTが数10段形成されて
いる。なお、PRはバブルの転送方向を示している。
Hereinafter, the transfer pattern layer consisting of the plurality of layers described above will be transferred to the element C.
An example of application to each part of the HI will be explained using the plan views from Figure 25 onwards. In these plan views, each layer of the transfer pattern layer is formed with self-aligned lines, so they are represented by the same outline. Please be careful. Figure 25 shows the bubble detector part, where MEM is the main magnetoresistive element, which uses the change in resistance value when bubbles stretched in a strip shape in the horizontal direction pass through it to detect the presence or absence of bubbles. Detect. MED is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field. Above the main magnetoresistive element MEM, several ten stages of bubble stretchers ST are formed, although only two stages are shown, which stretch the bubbles laterally and transfer them downward. Note that PR indicates the bubble transfer direction.

ERはバブルの消去器であり、導体層CNDにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、3列のパターン群から成る
ガードレールGRが設けられており、ガードレールGR
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、
第25図以下の平面パターン図では導体層CND以外の
パターンは第24図で説明した転送パターン層Pを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子MEM、MEDを
多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比(S/
N比)が向上した。例えば、転送パターンとして各層間
に5in2膜を介在させた3層パーマロイ層を使用した
場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表2に示す
ようにS/N比が2倍以上向上させることができる。
ER is a bubble eraser, and when a bubble reaches the conductor layer CND, it is erased. A guardrail GR consisting of three rows of pattern groups is provided around this detector and between the dummy and main detection.
It is designed to expel unnecessary bubbles generated inside the guardrail GR to the outside thereof, and prevent unnecessary bubbles generated outside the guardrail GR from entering inside it. In addition,
In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CND indicate the transfer pattern layer P explained in FIG. 24. In the figure, the signal-to-noise ratio (S/
N ratio) was improved. For example, when using a three-layer permalloy layer with a 5in2 film interposed between each layer as a transfer pattern, the S/N ratio can be improved by more than twice as compared to a single-layer permalloy layer, as shown in Table 2 below. I can do it.

表   2 また、ガードレールGRの性能も保持力Hcの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。
Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail GR is also improved, such as by increasing the removal rate of unnecessary bubbles due to the reduction in the holding force Hc.

第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ、磁気バブル発生器の導
体層CNDの寿命を長くすることが可能となった。従っ
て、導体層CNDの駆動回路も電流容量値の小さい半導
体素子が使用でき、低価格可が可能となる。
FIG. 26 shows the magnetic bubble generator GEN, and by making the transfer pattern layer P multilayer, the current generated by the magnetic bubble can be reduced, and the life of the conductor layer CND of the magnetic bubble generator can be extended. It became possible. Therefore, a semiconductor element with a small current capacity value can be used for the drive circuit of the conductor layer CND, and the cost can be reduced.

第27図はP a ” P h等の転送パターンで形成
されたマイナループm、Pw、〜Pw3等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインWML及び
ヘアピン状導体層CNDで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において。
FIG. 27 shows a write major line WML formed by transfer pattern rows such as minor loops m, Pw, to Pw3 formed by transfer patterns such as P a "P h, and a swap gate section formed by a hairpin-shaped conductor layer CND. In the same figure.

P7は第26図のバブル発生器GENにおける転送パタ
ーンP7と同一のものであり、言い換えればバブル発生
器GENで発生されたバブルはP1〜P7の転送路を通
って書き込みメイジャーラインWMLに転送される。ス
ワップ導体層CNDに電流を流したとき、マイナループ
m1の転送パターンPdの磁気バブルは転送パターンP
Q、Pmを通ってメイジャーラインWMLの転送パター
ンPw3に転送され、メイジャーラインPw1からの磁
気バブルは転送パターンPk、Pj、Piを経てマイナ
ループの転送パターンPaに転送されてバブルの交換、
すなわち情報の書き換えが行なわれる。なお、右端のマ
イナループmdにはスワップゲートが設けられていない
が、これは、周辺効果を軽減するための磁気バブルを注
入しないダミーのループである。このように交換位置に
おける転送パターン層P i ” P mを多層化する
ことにより、小さい電流値で磁気バブルの交換を行なう
ことができる。
P7 is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEN in FIG. 26. In other words, the bubble generated in the bubble generator GEN is transferred to the write major line WML through the transfer path P1 to P7. . When a current is passed through the swap conductor layer CND, the magnetic bubble of the transfer pattern Pd of the minor loop m1 becomes the transfer pattern P.
The magnetic bubble is transferred to transfer pattern Pw3 of major line WML through Q and Pm, and the magnetic bubble from major line Pw1 is transferred to transfer pattern Pa of minor loop via transfer patterns Pk, Pj, and Pi, and the bubble is exchanged.
That is, information is rewritten. Note that the rightmost minor loop md is not provided with a swap gate, but this is a dummy loop in which no magnetic bubble is injected to reduce the peripheral effect. By multilayering the transfer pattern layer P i '' P m at the exchange position in this way, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、ip
−ち分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。
In addition, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copier, an IP
- Similarly, the divider can also be driven with a small current value.

同図において、通常磁気バブルはPn〜Pg、Ps”P
xの順路で転送されており、導体層CHDに電流を流し
たとき、転送パターンPgの位置でバブルは分割され、
分割された1つの磁気バブルはP’)’yPs〜P1゜
を経て読出しメイジャーラインRMLに転送される。
In the same figure, the normal magnetic bubbles are Pn~Pg, Ps”P
The bubble is transferred along the normal path of x, and when a current is passed through the conductor layer CHD, the bubble is split at the position of the transfer pattern Pg,
One divided magnetic bubble is transferred to the read major line RML via P')'yPs to P1°.

(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図)磁石板
MAGは素子CHIに対して約2度程度傾斜させて配置
される。これは素子CHIに対しバイアス磁界Hbが垂
直方向よりややずれて印加されるようにしたもので、そ
れによってバブル転送のスタート、ストップマージンを
約6 (Oe)向上させるホールディング磁界Hdeを
生み出す(第29図A)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field FIG. 29) Magnet plate MAG is arranged at an angle of about 2 degrees with respect to element CHI. This is so that the bias magnetic field Hb is applied to the element CHI with a slight deviation from the perpendicular direction, thereby creating a holding magnetic field Hde that improves the start and stop margins of bubble transfer by about 6 (Oe) (No. 29 Figure A).

第29図Aに示したように磁石体BIMと素子CHIと
の角度θの傾斜により、直流磁界Hzは。
As shown in FIG. 29A, due to the inclination of the angle θ between the magnet body BIM and the element CHI, the DC magnetic field Hz is as follows.

xy平面内の成分Hdcを持つことになる。そして、こ
の面内成分Hdcの大きさは、HdC−8inθとなり
、通常Hdc−sinθ=5 (Os)〜6(Oe)に
なるように傾斜角度θが選定される。また、この面内成
分Hdcの方向は、回転磁界Hrのスタート・ストップ
(St/Sp)方向(+x軸方向)に一致するように傾
斜されている。
It has a component Hdc in the xy plane. The magnitude of this in-plane component Hdc is HdC-8 in θ, and the inclination angle θ is usually selected so that Hdc-sin θ=5 (Os) to 6 (Oe). Further, the direction of this in-plane component Hdc is inclined so as to coincide with the start/stop (St/Sp) direction (+x-axis direction) of the rotating magnetic field Hr.

そして、このxy面内成分Hdcは、回転磁界Hrのス
タート・ストップ(St/Sp)動作に対して有効な働
きをし、ホールディングフィールドと呼ばれている公知
の磁界である。なお、素子CHI面に垂直に作用するバ
イアス磁界Hbの大きさはH2−cosθとなる。
This xy-plane component Hdc is a known magnetic field called a holding field, which functions effectively for the start/stop (St/Sp) operation of the rotating magnetic field Hr. Note that the magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly to the element CHI surface is H2-cos θ.

さて、上述したホールディングフィールドHdCは、素
子CHIのxy面に対して常時作用するため、第29図
已に図解したように前記素子CH1に作用する回転磁界
Hr’は偏心する。同図において、Hrは外部から加え
られる回転磁界、Hr′は、素子CHIに作用する回転
磁界である。
Now, since the above-mentioned holding field HdC always acts on the xy plane of the element CH1, the rotating magnetic field Hr' acting on the element CH1 is eccentric as illustrated in FIG. 29. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr' is a rotating magnetic field acting on the element CHI.

この場合、CHIに作用する回転磁界Hr’は外部から
加えられる回転磁界Hrと面内成分Hdc−とを合成し
たものとなり、その回転磁界Hr’の中心0′はスター
ト・ストップ(St/Sp)方向である+x軸方向に面
内成分Hdc分だけ平行移動する。このため、同図の結
果から明らかなように、外部から加えている回転磁界H
rの強さが1Hrlであっても実効的に阻止CHIに作
用する回転磁界の強度IHr’lは回転磁界Hrの位相
によって異なる。すなわちSt/Sp方向でのIHr′
1は、IHrl+1Hdclとなり、1Hrlに比べて
ホールディングフィールドHdcの強さIHdclだけ
強くなっている。逆に、S t / S p方向と逆方
向の場合のlHr’lは1Hrl  IHdclとなり
、IHrlに比べて1Hdclだけ弱まっている。
In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc-, and the center 0' of the rotating magnetic field Hr' is the start/stop (St/Sp). It is translated by an in-plane component Hdc in the +x-axis direction. Therefore, as is clear from the results in the same figure, the rotating magnetic field H applied from the outside
Even if the strength of r is 1 Hrl, the strength IHr'l of the rotating magnetic field that effectively acts on the blocking CHI varies depending on the phase of the rotating magnetic field Hr. That is, IHr' in the St/Sp direction
1 is IHrl+1Hdcl, which is stronger than 1Hrl by the strength of the holding field Hdc, IHdcl. Conversely, lHr'l in the opposite direction to the S t / S p direction is 1Hrl IHdcl, which is weaker than IHrl by 1Hdcl.

(周辺回路 第30図) 最後に素子CHIの周辺回路を第30図で説明する。R
Fは素子CHIのX及びYコイルに90’位相差の電流
を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。SA
は素子CHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル検出信
号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリングし感
知、増幅するセンスアンプである。DRは、MBMデバ
イスの書き込みに関係するバブル発生及びスワップ並び
に読み出しに関係するレプリケートの各機能導体に所定
のタイミングで電流を流す駆動回路である。
(Peripheral Circuit FIG. 30) Finally, the peripheral circuit of element CHI will be explained with reference to FIG. 30. R
F is a circuit for causing a current with a phase difference of 90' to flow through the X and Y coils of the element CHI to generate a rotating magnetic field Hr. S.A.
is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies the minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of element CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. The DR is a drive circuit that applies current at predetermined timing to each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap and read related to writing of the MBM device.

以上の回路は回転磁界Hrのサイクル及び位相角に同期
して動作するようタイミング発生回路TGによって同期
化されている。
The above circuit is synchronized by a timing generation circuit TG so as to operate in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.

(回転磁界分布特性 第31図) 第31図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心をOとしてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度Hx
=OとしたときのX軸方向の回転磁界強度H’xをそれ
ぞれ示すと、曲線工で示すような回転磁界分布特性が得
られた。
(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 31) FIG. 31 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center of the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B as O, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction.
When the rotating magnetic field strength H'x in the X-axis direction when =O is shown, rotating magnetic field distribution characteristics as shown by curved lines were obtained.

同図から明らかなように、磁気回路PF−Cの対向する
コアCOR間の内側までの距離−Xc〜+XCの範囲ま
でほぼ均一な回転磁界強度Hxが得られ、また、素子C
HIの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範囲) 
−Xs〜十Xeの範囲では±約2%の磁界強度一様性が
得られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回
路による回転磁界分布特性である。
As is clear from the figure, a substantially uniform rotating magnetic field strength Hx is obtained within the range of distance -Xc to +XC between the opposing cores COR of the magnetic circuit PF-C, and
Effective area of HI (minimum range to which rotating magnetic field should be applied)
In the range of -Xs to 10Xe, a magnetic field strength uniformity of ±2% was obtained. Note that the curve (2) indicated by a broken line is the rotating magnetic field distribution characteristic due to the magnetic circuit of the conventional configuration.

(変形例1) 次に、第1図乃至第23図の一連の実施例の変形例を第
32図乃至第4.5図を参照しながら説明する。
(Modification 1) Next, a modification of the series of embodiments shown in FIGS. 1 to 23 will be described with reference to FIGS. 32 to 4.5.

なお、第1図乃至第23図と同様な構成(材料、構造、
方法)、効果は説明を省略する。
Note that the configuration (materials, structure,
method) and effects will be omitted.

(フレキシブル配線基板変形例1、第32図)第32図
にフレキシブル配線基板の変形例を示す。同図における
フレキシブル配線基板FPC2は第4図のそれと次の点
で異なる。
(Flexible wiring board modification 1, FIG. 32) FIG. 32 shows a modification of the flexible wiring board. The flexible wiring board FPC2 in the figure differs from that in FIG. 4 in the following points.

■ 配線100の引出し方向は、回転磁界閉じ込めケー
ス内から外側に導き出される部分102a〜102dで
は4方向となっているが、後述する(第42図)セラミ
ックス印刷基板との接続部分(フィルム101の開口部
104jil、104に部分)では左右の2方向に集約
されている。
■ The wiring 100 is drawn out in four directions in the parts 102a to 102d led out from inside the rotating magnetic field confinement case. In the section 104jil, section 104), it is concentrated in two directions, left and right.

■ フレキシブル基板FPC2は、折り曲げをしないで
、外部端子(第42図で説明するピングリッド)との電
気的結線が行われる。
(2) The flexible substrate FPC2 is electrically connected to an external terminal (pin grid explained in FIG. 42) without being bent.

■ フレキシブル基板FPC2に配線100の延長部分
100dを設け、組立途中段階での特性検査ができるよ
うにした。端子109bはプローブ針等を接触させるこ
とができる端子である。
- An extended portion 100d of the wiring 100 is provided on the flexible board FPC2 so that characteristics can be inspected during the assembly process. The terminal 109b is a terminal that can be contacted with a probe needle or the like.

■ 自動組立等を容易にするため、或は業界標準仕様の
フィルム基板や製造装置を使用できるように、フィルム
基板101 (FPC2)の幅(図中縦の長さ)を35
m+に制限した(■で述べたように配線を2方向に集約
した理由の一つ)。また、フィルム101には送り穴1
05aが設けられている。
■ The width (vertical length in the figure) of the film substrate 101 (FPC2) is set to 35 mm in order to facilitate automatic assembly, etc., or to use industry standard film substrates and manufacturing equipment.
m+ (one of the reasons for consolidating the wiring in two directions as mentioned in ■). In addition, the film 101 has a sprocket hole 1.
05a is provided.

このフィルム101は、組立途中で、図の一点鎖線で示
した線で切断され、完成品として不要な部分は切り離さ
れる。基板FPC2は、厚さ50μs程度のポリイミド
樹脂フィルムから成るベースフィルム上にエポキシ系の
接着剤によって銅薄膜を貼り合わせ、銅薄膜をエツチン
グ技術によりパターニングして得られた銅下地配線パタ
ーンを有する。銅下地配線層上には電気メツキ法等によ
り。
During assembly, this film 101 is cut along the dashed line in the figure, and parts unnecessary for the finished product are cut away. The board FPC2 has a copper-based wiring pattern obtained by bonding a copper thin film with an epoxy adhesive onto a base film made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μs, and patterning the copper thin film using an etching technique. By electroplating method etc. on the copper underlying wiring layer.

Niメッキ層、Auメッキ層が順次形成される。A Ni plating layer and an Au plating layer are sequentially formed.

このAuメッキ層は、銅層の電気的マイグレーションを
防止したり、磁気バブルメモリチップCH工のポンディ
ングパッドとの熱圧着ボンディングを容易にするために
設けられる。Ni層は銅層と金層との密着性を良くする
ために使用される。各コマの配線パターン100はこの
段階においては図中外周に設けられた枠状のパターンや
延長部分100eによってつながっているが、これは電
気メッキのためである。
This Au plating layer is provided to prevent electrical migration of the copper layer and to facilitate thermocompression bonding with the bonding pad of the magnetic bubble memory chip CH process. The Ni layer is used to improve the adhesion between the copper layer and the gold layer. At this stage, the wiring patterns 100 of each frame are connected by frame-shaped patterns and extensions 100e provided on the outer periphery in the figure, but this is due to electroplating.

1コマのフィルム基板FPC2は前述したように、配線
100の外部接続部分100cが左右2方向に集約され
ている。上下方向でなく左右方向に集約させている一つ
の理由は前述した35mフィルムとのコンパチビリティ
である。別の理由は次の通りである。フィルム基板FP
C2はその下にメモリチップCHIがフェスアップボン
ディングされるが、後述するように基板FPC2とチッ
プC,HIは、図中の左右方向で傾斜させられる(第2
B図と同じバイアス条件下では、磁石体を基準にして左
が高く右が低くなるように、右下がりの傾斜にされる)
。従って、フィルム基板FPC2は上下方向には傾斜さ
せられないので、チップCHIを後述の導体ケースにボ
ンディングしてからフィルム基板FPCとチップCHI
との電気的接続を行う場合はフィルム基板FPC2のチ
ップとの接続部分100cとチップCHIのパッドとの
ボンディング時に、左側の全接続部分には均一な圧力が
加わり、また右側も同様に均一なボンディングができる
。このことはフィルム基板FPCと後述する印刷基板と
の接続についても言える。
As described above, in the one-frame film board FPC2, the external connection portions 100c of the wiring 100 are concentrated in two directions, left and right. One reason for consolidating them horizontally rather than vertically is compatibility with the aforementioned 35m film. Another reason is as follows. Film substrate FP
The memory chip CHI is face-up bonded to the bottom of C2, but as will be described later, the substrate FPC2 and the chips C and HI are tilted in the left-right direction in the figure (second
Under the same bias conditions as in Figure B, the slope is downward to the right so that the left side is high and the right side is low with respect to the magnet body.)
. Therefore, since the film board FPC2 cannot be tilted in the vertical direction, the chip CHI is bonded to the conductor case described later, and then the film board FPC and the chip CHI are bonded.
When making an electrical connection with the chip, uniform pressure is applied to all the connection parts on the left side, and uniform bonding is also applied to the right side when bonding the connection part 100c with the chip of the film substrate FPC2 and the pad of the chip CHI. I can do it. This also applies to the connection between the film substrate FPC and a printed circuit board, which will be described later.

(回転磁界閉込めケース変形例1、第33.34゜35
図) 第33図は内側ケースRFS2bを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその33B−33B断面図である
。このケースRFS2bは第10図のそれと比較して、
絞り部が省略されているのと、底面部の板厚が右側に寄
るに従って厚くされている点が異なっている。同図すに
示すように、底抜の上側の面に対し下側の面は右下がり
の傾斜が約1.7°の値で設けられている。第388図
から判るように、上側面には整磁板と永久磁石の磁石体
が取付けられ、下側面にはチップCHIが配置される。
(Rotating magnetic field confinement case modification example 1, No. 33.34°35
FIG. 33 is a diagram showing the inner case RFS2b, in which FIG. 33A is a plan view and FIG. 33B is a 33B-33B sectional view thereof. This case RFS2b is compared with that in Fig. 10,
The difference is that the drawing part is omitted and the thickness of the bottom part increases as it approaches the right side. As shown in the figure, the lower surface is inclined downwardly to the right at an angle of approximately 1.7° with respect to the upper surface of the bottom. As can be seen from FIG. 388, a magnet body including a magnetization plate and a permanent magnet is attached to the upper side, and a chip CHI is arranged on the lower side.

つまりこのケースにおける厚みの片寄りは、磁石体とチ
ップCHIとの傾斜によるチップCHIにホールディン
グ磁界Hdcを与えるために設けられている。前述した
導体ケースの傾斜面は300トン程度の加重によるプレ
ス加工(偏肉リボン加工)で形成される。この傾斜面は
他の方法として切削によって形成することもでき、また
圧延時のローラを傾けること等によって形成することも
できる。
That is, the uneven thickness in this case is provided to apply a holding magnetic field Hdc to the chip CHI due to the inclination of the magnet body and the chip CHI. The inclined surface of the conductor case described above is formed by press working (uneven thickness ribbon processing) under a load of about 300 tons. Alternatively, this inclined surface can be formed by cutting, or by tilting a roller during rolling.

第10図に示すような絞り部を無くしたことにより、フ
ィルム基板が絞り部に沿って曲げられることがなくなる
ので、フィルム基板に加わるストレスが緩和される。ま
た、導体ケースRFS2b自体に傾斜面を設けているの
で、第14図に示すような傾斜板INMやINNが不要
となり(全部で4枚分)部品点数を減らすことができる
。部品点数の減少は材料費や組立費の節減につながる。
By eliminating the constriction part as shown in FIG. 10, the film substrate is no longer bent along the constriction part, so that the stress applied to the film substrate is alleviated. Further, since the conductor case RFS2b itself is provided with an inclined surface, the inclined plates INM and INN as shown in FIG. 14 are not required (to four in total), and the number of parts can be reduced. Reducing the number of parts leads to savings in material and assembly costs.

第34図は外側ケースRF S 2 aを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその34B−34B断面図
である。外側ケースRFS2aが内側ケースRFS2b
と異なる点は磁気コアーPFCを収納或ははめ込むため
の絞り部133を設けている点である。外側ケースRF
S2aの底板の上側の面には、内側ケースRFS2bの
底板の下側の面と同様な右下がりの傾斜面が設けられて
いる。
FIG. 34 is a diagram showing the outer case RF S 2 a, with FIG. 34A being a plan view and FIG. 34B being a 34B-34B sectional view thereof. Outer case RFS2a is inner case RFS2b
The difference is that a constriction part 133 is provided for housing or fitting the magnetic core PFC. outer case RF
The upper surface of the bottom plate of S2a is provided with an inclined surface downward to the right, similar to the lower surface of the bottom plate of inner case RFS2b.

第35図は外側及び内側ケースRFS2a及びRFS2
bだけを組合せた状態を示す図であり(第12図と同様
、チップCHI、フィルム基板FPC2及び磁気コアー
PFCを図から省略している)、同図Aは平面図、同図
Bはその35B−35B断面図である。
Figure 35 shows outer and inner cases RFS2a and RFS2
(Same as in FIG. 12, the chip CHI, the film substrate FPC2, and the magnetic core PFC are omitted from the diagram.) Figure A is a plan view, and Figure B is its 35B. -35B sectional view.

(ケース組立体変形例1、第36図) 第36図はチップCHI、フレキシブル基板FPC2、
磁気回路PFCを外側ケースRF S 2 a内に実装
した状態(内側ケースRFS2bでふたをする前の状態
)を示す図であり、同図Aは上面図、同図Bはその36
B−36B断面図である。
(Case assembly modification example 1, Fig. 36) Fig. 36 shows the chip CHI, flexible board FPC2,
It is a diagram showing the state in which the magnetic circuit PFC is mounted in the outer case RF S 2 a (the state before the lid is covered with the inner case RFS 2 b), where A is a top view and B is a 36th view of the top view.
It is a sectional view of B-36B.

チップCHIはケースRF S 2 a内に収納される
前に基板FPC2に取付けられる。フレキシブル基板F
PC2の配線100がある方の面を表(おもて)面と命
名すると、チップCHIは、ポンディングパッド、配線
、転送路がある主面を上にして(フェースアップ)フレ
キシブル基板FPC2の裏面に取付けられる。勿論、接
続される部分は基板FPC2の配線部分100aとチッ
プCHIのパッド部分であるが、両者はリード部分10
0aを上側からキャピラリ等の治具によりパッドへ熱圧
着することによりボンディングされる。
The chip CHI is attached to the board FPC2 before being housed in the case RF S 2 a. Flexible board F
If the side of PC2 with the wiring 100 is named the front side, the chip CHI is placed on the back side of the flexible substrate FPC2 with the main surface with the bonding pads, wiring, and transfer paths facing up (face up). mounted on. Of course, the parts to be connected are the wiring part 100a of the board FPC2 and the pad part of the chip CHI, but both are connected to the lead part 10.
Bonding is performed by thermocompression bonding 0a to the pad from above using a jig such as a capillary.

ボンディング後複数の基板FPC2が連なったフィルム
基板101は個々の基板FPC2に切り離され、また周
囲のメッキ時に使用した不要な配線部分や補強部分は第
36図Aのように切り落される。
After bonding, the film substrate 101 on which a plurality of substrates FPC2 are connected is separated into individual substrates FPC2, and unnecessary wiring portions and reinforcing portions used during surrounding plating are cut off as shown in FIG. 36A.

心棒ケースRF S 2 aはスタンプ式でエポキシ系
樹脂等の接着剤が塗布され、その部分に、フィルム基板
FPC2にボンディングされたチップCHIの裏面が接
着される。このときのチップCH工とケースRF S 
2 aとの位置関係は、ケースRFS2aの切欠き部分
135とフィルム基板FPC2の外部導出経路部分10
2 a = dで精度良く決められる。必要あれば更に
微細な位置決め調整は治具等を使用して可能である。
Adhesive such as epoxy resin is applied to the mandrel case RF S 2 a using a stamp method, and the back surface of the chip CHI bonded to the film substrate FPC2 is adhered to that part. Chip CH and case RF S at this time
2a, the notch portion 135 of the case RFS2a and the external lead-out path portion 10 of the film substrate FPC2.
2 It can be determined with high accuracy by a = d. If necessary, more fine positioning adjustments can be made using a jig or the like.

続いて磁気回路PFCがケースRF S 2 aの絞り
部133と外側の壁134とで形成される溝にはめ込ま
れる。
Subsequently, the magnetic circuit PFC is fitted into the groove formed by the constricted portion 133 and the outer wall 134 of the case RF S 2 a.

この状態でチップCHIの周辺にシリコーン・レジンR
EG2がポツティングされ、加熱処理によりシリコーン
・レジンREG2は流動性を増し。
In this state, apply silicone resin R around the chip CHI.
EG2 is potted, and the silicone resin REG2 increases its fluidity through heat treatment.

毛細管現象によりフレキシブル基板FPC2の裏面とチ
ップCHIの主面との間に入り込み、チップCHIはゴ
ミの付着や湿気の侵入等から保護される。
It enters between the back surface of the flexible substrate FPC2 and the main surface of the chip CHI due to capillary action, and the chip CHI is protected from adhesion of dust and intrusion of moisture.

ケースRFS2aの絞り部133の高さは、磁気回路F
PCの厚さ、チップCHHの厚さ等を考慮し、第36B
図に示すようにフレキシブル基板FPC2がケース内全
体にわたって平らになるように決められる。その後ケー
スRFS2bがケースRFS2aとの面接触部分で超音
波溶接法にょって溶接される。
The height of the aperture part 133 of the case RFS2a is equal to the height of the magnetic circuit F.
Considering the thickness of the PC, the thickness of the chip CHH, etc., the 36th B
As shown in the figure, the flexible substrate FPC2 is designed to be flat throughout the entire inside of the case. Thereafter, the case RFS2b is welded at the surface contact portion with the case RFS2a by ultrasonic welding.

(磁石体変形例1、第37図) 第37図は磁石体BIM2を示す図であり、同図Aは平
面図、同図Bはその側面図、同図Cはその37G−37
G断面図である。同図の磁石体BIM2は第14図のそ
れ(BIM)と、傾斜抜工NM及びINNを省略した点
で異なる。
(Magnet modification example 1, Fig. 37) Fig. 37 is a diagram showing the magnet BIM2, in which figure A is a plan view, figure B is a side view, and figure C is its 37G-37
It is a sectional view of G. The magnet body BIM2 in the same figure differs from that (BIM) in FIG. 14 in that the oblique punching NM and INN are omitted.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装変
形例1、第38図) 第38図は第36図で説明したケースRFS 2組立体
に第37図の磁石体BIM2及び第15図のバイアスコ
イルBICを組み込んだ状態を示す図であり、同図Aは
上面図、同図Bはその38B 。
(Modified example 1 of mounting the magnet body and bias coil on the case assembly, Fig. 38) Fig. 38 shows the case RFS explained in Fig. 36. The magnet body BIM2 of Fig. 37 and the bias coil of Fig. 15 are attached to the case RFS 2 assembly explained in Fig. 36. These are diagrams showing a state in which the coil BIC is installed, in which figure A is a top view and figure B is its 38B.

−38B断面図である。-38B sectional view.

上側磁石体B I M 2 aとバイアスコイルBIC
はお皿状の内側ケースRFS2bに取付けられ、下側磁
石体BIM2bは外側ケースRFS2aの絞り部38に
囲まれた平らな部分に取付けられる。
Upper magnet body BIM2a and bias coil BIC
is attached to the dish-shaped inner case RFS2b, and the lower magnet body BIM2b is attached to a flat part surrounded by the constricted part 38 of the outer case RFS2a.

同図Bから判るように、チップCHI及び磁気回路PF
Cは上下磁石体B I M 2 a及びBIM2bが作
る平行面に対し左右方向に傾斜させられている。また、
磁気回路PFCとチップCHIとを平行に配置する条件
は第13図及び第16図の例と変わり無いが、磁気回路
PFCの最上端面とチップCHIの上面はほぼ同一面と
なるように、チップCHIの厚さ、磁気回路PFCの厚
さ、外側ケースRF、82aの絞り部38の高さが設計
され、フレキシブル基板FPC2に応力が加わらないよ
うにされている。
As can be seen from Figure B, the chip CHI and the magnetic circuit PF
C is inclined in the left-right direction with respect to the parallel plane formed by the upper and lower magnet bodies B I M 2 a and BIM2b. Also,
The conditions for arranging the magnetic circuit PFC and the chip CHI in parallel are the same as in the examples shown in FIGS. 13 and 16, but the chip CHI is , the thickness of the magnetic circuit PFC, the outer case RF, and the height of the constricted portion 38 of 82a are designed so that no stress is applied to the flexible substrate FPC2.

(磁気シールドケース変形例1、第39.40図)第3
9図は上側シールドケースS HI 2 aを示す図で
あり、同図Aは上面図、同図Bは右側面図、同図Cは下
側面図である。同図Aから判るように上側シールドケー
スS HI 2 aの平面形状は正方形状で同じ点を通
る4本の水平、垂直及び右下がり、右上がり45°中心
線(図示せず)のどの軸に対しても対象形とされている
。なお、45°中心線と垂直に交わる4角の切欠き部1
54は第32図のフィルム基板FPCの4角の導出部分
1゜2a〜102dを通すために設けられている。15
1はケースの平面部であり、152は垂直方向に立って
いる壁部分である。壁152には各辺の中央部分に突出
部152a〜152dが設けられている。左右辺の突出
部152a及び152cの高さはh2とされ、突出高さ
そのもの(h2 hl)は、第40図で示す下側シール
ドケース5HI2bの厚みt、と同じにされる。また、
上下辺の突出部152b及び152dの高さはり、とさ
れ、突出高さそのもの(ha  bt)は、下側シール
ドケース5I(I2bの厚さtoよりも若干大きくされ
る。例えば、h1=4.s、h、=s、o; h、=5
.3.to=0.5とされ、上下シールドケースS H
I 2 a及び5HI2bを組立てたとき、上側シール
ドケースS HI 2 aの上下辺突出部152b及び
152dが下側シールドケース5HI2bの下側平面部
に対し僅かに(h x  h 1t @ =O−3)飛
び出るようにされ、第42図に示すセラミック印刷配線
基板との位置決めを容易にするよう工夫されている(各
数値の単位はいずれも■である)。
(Magnetic shield case modification example 1, Figure 39.40) 3rd
FIG. 9 shows the upper shield case S HI 2 a, in which A is a top view, B is a right side view, and C is a bottom view. As can be seen from Figure A, the planar shape of the upper shield case S HI 2 a is square, and it is difficult to determine which axis among the four horizontal, vertical, downward-sloping, and upward-rightward 45° center lines (not shown) passing through the same point. It is also considered to be an object form. In addition, the four corner notches 1 perpendicular to the 45° center line
Reference numeral 54 is provided to pass through the four corner lead-out portions 1.degree. 2a to 102d of the film substrate FPC shown in FIG. 15
1 is a flat part of the case, and 152 is a wall part standing vertically. The wall 152 is provided with protrusions 152a to 152d at the center of each side. The heights of the protrusions 152a and 152c on the left and right sides are h2, and the protrusion height itself (h2 hl) is the same as the thickness t of the lower shield case 5HI2b shown in FIG. Also,
The heights of the protrusions 152b and 152d on the upper and lower sides are set to 1, and the protrusion height itself (ha bt) is slightly larger than the thickness to of the lower shield case 5I (I2b. For example, h1=4. s, h, = s, o; h, = 5
.. 3. to=0.5, upper and lower shield cases S H
When I 2 a and 5HI2b are assembled, the upper and lower side protrusions 152b and 152d of the upper shield case S HI 2 a are slightly (h x h 1t @ = O-3 ) is made to protrude, and is devised to facilitate positioning with the ceramic printed wiring board shown in FIG. 42 (the unit of each numerical value is ■).

第40図は下側シールドケース5HI2bを示しており
、同図Aは平面図、同図Bは下側面図を示している。板
状の下側シールドケース5HI2bは左右上下の4辺に
上側シールドケース5HI2aの壁152の厚さtoに
相当する凹部を有し、この部分に上側ケースの突出部1
52a〜152dがはめ込まれるようになっている。第
39及び40図に示した各ケースの縦及び横方向の長さ
LiO3及びLiO2は例えば22.41[aで同じに
設計される。
FIG. 40 shows the lower shield case 5HI2b, with FIG. 40A showing a plan view and FIG. 40B showing a bottom side view. The plate-shaped lower shield case 5HI2b has recesses corresponding to the thickness to of the wall 152 of the upper shield case 5HI2a on the left, right, upper and lower sides, and the protrusion 1 of the upper case
52a to 152d are fitted. The vertical and horizontal lengths LiO3 and LiO2 of each case shown in FIGS. 39 and 40 are designed to be the same, for example, 22.41[a].

下側シールドケース5HI2bは、第18図のそれ(S
HIb)と比べて、曲げ加工が不要であり、低コストと
なるだけでなく、出来上がりデバイスの厚みを小さくで
きる。
The lower shield case 5HI2b is the same as that shown in Fig. 18 (S
Compared to HIb), there is no need for bending, which not only results in lower costs, but also allows the thickness of the finished device to be reduced.

(磁気シールドケース組立体変形例1、第41図)第4
1図は第39.40図に示した磁気シールドケース5H
I2a、5HI2b内に第38図で示した中間組立体を
実装した図を示しており、第41A図はその平面図、同
B図はその41B−41B断面図を表わしている。
(Magnetic shield case assembly modification 1, Fig. 41) 4th
Figure 1 shows the magnetic shield case 5H shown in Figures 39 and 40.
This figure shows the intermediate assembly shown in FIG. 38 mounted in I2a, 5HI2b, and FIG. 41A is a plan view thereof, and FIG. 41B is a sectional view taken along line 41B-41B.

第41図に示した組立体は、最終組立品としては不要な
端子109a、109bやメッキ用配線延長部分100
eを残しているが、この段階で中間組立体の動作試験や
良品の選別を行うことができ、1個当りの平均組立コス
トの低減が可能となる。
The assembly shown in FIG. 41 includes terminals 109a, 109b and plating wiring extension part 100 that are unnecessary as a final assembly.
However, at this stage, the operation test of the intermediate assembly and selection of non-defective products can be performed, and the average assembly cost per unit can be reduced.

なお、フィルム基板FPC2とチップCHIとの導通チ
ェックや短絡チェックは前述したフェースアップボンデ
ィング後や、導体ケースRFS2− 等を組立てたそれ
ぞれの段階で行われる。
Note that the continuity check and short circuit check between the film substrate FPC2 and the chip CHI are performed after the aforementioned face-up bonding and at each stage when the conductor case RFS2- and the like are assembled.

上側及び下側シールドケースRFS2a及びRFS2b
はスポット溶接法やレーザ溶接法等で接着される。
Upper and lower shield cases RFS2a and RFS2b
are bonded by spot welding, laser welding, etc.

(ピングリッド端子配線基板、第42図)第42図は、
第41図で示したシールドケース組立体をピングリッド
外部接続端子に電気的に接続するための配線基板であり
、同図Aはその上面図、同図Bはその42B−42B断
面図、同図Cはその下面図である。
(Pin grid terminal wiring board, Fig. 42) Fig. 42 shows the following:
This is a wiring board for electrically connecting the shield case assembly shown in FIG. 41 to the pin grid external connection terminal, and FIG. 41A is a top view thereof, FIG. C is its bottom view.

201は上面に配線205が施されたセラミックス基板
であり、この基板は上面スルーホール接続端子206、
スルーホール207、下面スルーホール接続端子208
を有する。配線205の他端部205aはフレキシブル
配線基板FPC2のアウターリード部100cが接続さ
れる部分を示している。グリッド状に配置された外部接
続ピン204はスルーホール207内に形成された感電
層を通じて上面端子206に電気的に接続される。
201 is a ceramic substrate with wiring 205 on the top surface, and this substrate has through-hole connection terminals 206 on the top surface,
Through hole 207, bottom through hole connection terminal 208
has. The other end portion 205a of the wiring 205 indicates a portion to which the outer lead portion 100c of the flexible wiring board FPC2 is connected. External connection pins 204 arranged in a grid are electrically connected to top terminals 206 through an electric shock layer formed in through holes 207 .

配線205のうちやや太めのものはXコイル、Yコイル
及びバイアスコイル接続用である(Ix、 IY、Ib
各各端端子。
The slightly thicker wires 205 are for connecting the X coil, Y coil, and bias coil (Ix, IY, Ib
Each end terminal.

202はセラミックス板であり、この上にエポキシ樹脂
等によって下側シールドケースSHI 2bが接着され
る。つまり、このセラミックス板2o2は、下側シール
ドケース5HI2bによって。
202 is a ceramic plate, onto which the lower shield case SHI 2b is adhered with epoxy resin or the like. In other words, this ceramic plate 2o2 is protected by the lower shield case 5HI2b.

その下に位置することになる配線部分205bが短絡す
るのを防ぐ絶縁板の役割を果たしている。
It plays the role of an insulating plate that prevents the wiring portion 205b located below from short-circuiting.

またセラミックス板202は凹部202b、202dを
有し、この部分に前述した上側シールドケースS HI
 2 aの突出部152b、152dがはめ込まれるよ
うになっており、シールドケース組立体の接着時の位置
決めの役割も兼ねている。セラミックス基板201及び
セラミックス板202はグリーンセラミックスの状態で
重ね合わされ、その後焼結される。
Further, the ceramic plate 202 has recesses 202b and 202d, and the above-mentioned upper shield case SHI
The protruding portions 152b and 152d of 2a are fitted into the shield case assembly, and also serve as positioning when bonding the shield case assembly. The ceramic substrate 201 and the ceramic plate 202 are stacked together in the state of green ceramics, and then sintered.

203は枠状の封止用リングであり、セラミックス基板
201の縁に銀ろう材等によって接着され、基板201
から外側に飛び出している部分に。
Reference numeral 203 denotes a frame-shaped sealing ring, which is bonded to the edge of the ceramic substrate 201 with silver brazing material or the like.
to the part that protrudes outward.

後衛するパッケージングキャップPKG2が溶接される
ようになっている。フレーム203及びグリッドピン2
04の材質としてはセラミックスと熱膨張係数が近いF
e−N1−co合金(通称KOVAR)が選ばれる。
The rear packaging cap PKG2 is welded on. Frame 203 and grid pin 2
The material for 04 is F, which has a coefficient of thermal expansion close to that of ceramics.
e-N1-co alloy (commonly known as KOVAR) is selected.

配線205.端子206,208.スルーホール207
及びフレーム203をろう付けする部分のセラミックス
基板201にはWのメタライズ層が形成されている。
Wiring 205. Terminals 206, 208. Through hole 207
A metallized layer of W is formed on the ceramic substrate 201 in a portion to which the frame 203 is brazed.

2枚のセラミックス材201,202が焼結された後に
、グリッド・ピン204及びフレーム203は銀ろう材
によってセラミックス基板201にろう付けされる。W
メタライズ層は銀ろうとの接着力を強める働きがある。
After the two ceramic materials 201 and 202 are sintered, the grid pin 204 and the frame 203 are brazed to the ceramic substrate 201 using silver solder. W
The metallized layer has the function of strengthening the adhesive force with silver solder.

その状態で、ピングリッド配線基板TPT2に対して、
すなわち露出したWメタライズ層上及びコバール材上に
、順次Ni、Au層が電気メッキされるm Nx層はW
層とAu層との接着力を強めるために設けられる。ピン
204はコバール材から成るがAuメッキされているの
でユーザにおけるプリント基板等への実装に関連した半
田付は性が良くなる。配線205の端部205aのAu
メッキ層はフィルム基板FPC2のAuメッキが施され
たアウターリード100cとの熱圧着ボンディングを可
能とする。フレーム203のAuメッキ層は後述するパ
ッケージングキャップPKG2の気密封止に役立つ。
In this state, for the pin grid wiring board TPT2,
That is, Ni and Au layers are sequentially electroplated on the exposed W metallized layer and the Kovar material.
This layer is provided to strengthen the adhesive force between the Au layer and the Au layer. Since the pin 204 is made of Kovar material and is plated with Au, the user can easily solder the pin 204 when mounting it on a printed circuit board or the like. Au at the end 205a of the wiring 205
The plating layer enables thermocompression bonding with the Au-plated outer lead 100c of the film substrate FPC2. The Au plating layer of the frame 203 is useful for hermetically sealing the packaging cap PKG2, which will be described later.

セラミックス基板201の裏面にはWメタライズ層、す
なわちAuメッキ層が209及び208の輪郭線で示さ
れるようにフレーム203およびピン204との接着面
より広めに形成され、それらの接着界面に銀ろう材等に
よるすき間が生じないようにとており、セラミックス材
の使用及び後述するパッケージングキャップPKG2の
使用と併せて気密封止が達成される。
On the back surface of the ceramic substrate 201, a W metallized layer, that is, an Au plating layer, is formed wider than the bonding surface with the frame 203 and the pin 204, as shown by outlines 209 and 208, and a silver brazing material is applied to the bonding interface between them. By using a ceramic material and using a packaging cap PKG2, which will be described later, airtight sealing is achieved.

なお、配線205のセラミックス板202の下に位置す
る部分205bにはAuメッキ層が形成されないが、前
述したフィルム基板FPC2よりも配線のピッチが広い
ので電気マイグレーションの問題はない。
Although the Au plating layer is not formed on the portion 205b of the wiring 205 located below the ceramic board 202, there is no problem with electrical migration because the pitch of the wiring is wider than that of the film substrate FPC2 described above.

(ピングリッド配線基板組立体、第43図)第43図は
第41図に示すシールドケース組立体を第42図のピン
グリッド配線基板TEF2に実装した状態を示す図であ
り、同図Aはその上面図、同図Bはその43B−43B
断面図である。
(Pin grid wiring board assembly, Fig. 43) Fig. 43 is a diagram showing the state in which the shield case assembly shown in Fig. 41 is mounted on the pin grid wiring board TEF2 shown in Fig. Top view, figure B is 43B-43B
FIG.

この組立体の作り方は、第42図に関連して説明したの
で省略する。
The method for making this assembly has been explained in connection with FIG. 42, so a description thereof will be omitted.

(パッケージングキャップ変形例2、第44図)第44
図は封止用キャップを示す図で、同図Aはその平面図、
同図Bはその44B−44B断面図である。
(Packaging cap modification example 2, Fig. 44) Fig. 44
The figure shows the sealing cap, and figure A is its plan view;
Figure B is a sectional view taken along line 44B-44B.

コバール製キャップPKG2は2つの壁部分221.2
22を有し、2つの壁部分221と222の間の折り曲
げは、壁222が第45図からも判るように上側シール
ドケースS HI 2 aとほぼ接するようにして、放
熱性を上げるために設けられている。
Kovar cap PKG2 has two wall sections 221.2
22, and the bend between the two wall portions 221 and 222 is provided to improve heat dissipation so that the wall 222 is almost in contact with the upper shield case SHI2a, as can be seen from FIG. It is being

底面部分223はコバール製フレーム223のセラミッ
クス基板201から露出した部分に抵抗溶接法等によっ
て溶接される。従って、上記フレーム223の露出部分
とセラミックス基板201の側面との段差はキャップP
KG2のはめ込みの位置合わせに役立つ。
The bottom portion 223 is welded to the portion of the Kovar frame 223 exposed from the ceramic substrate 201 by resistance welding or the like. Therefore, the level difference between the exposed portion of the frame 223 and the side surface of the ceramic substrate 201 is
Useful for positioning the KG2 inset.

(完成デバイス構造変形例1、第45図)第45図は第
32図〜第44図で説明した一連の変形例の完成構造、
すなわち第43図の中間組立体を第44図のキャップP
KG2で封止した構造を示す図であり、同図Aはその上
面図、同図Bはその45B−45B断面図、同図Cはそ
の右側面図である。
(Completed device structure modification example 1, FIG. 45) FIG. 45 shows the completed structure of the series of modifications explained in FIGS. 32 to 44.
That is, the intermediate assembly shown in FIG. 43 is replaced with the cap P shown in FIG.
FIG. 2 is a diagram showing a structure sealed with KG2, in which FIG. A is a top view, B is a cross-sectional view taken along line 45B-45B, and C is a right side view.

(変形例2、第46図、第47図) この変形例2は、第1図乃至第31図を用いて説明した
第1の実施例のフレキシブル配線基板FPCを改良した
もので、基板FPCに、ボード搭載時の接続端子となる
ピンPINを植立させておくものである。
(Modification 2, FIGS. 46 and 47) This modification 2 is an improvement of the flexible wiring board FPC of the first embodiment explained using FIGS. 1 to 31. , a pin PIN that will serve as a connection terminal when mounted on the board is installed.

第46図は、変形例2に使用される基板FPCの斜視図
であり、第3図及び第4図に示された基板FPCと異な
っている点は、外部接続端子接続部3に予めボードに接
続するためのピンPINが植立されている。その他の構
成は、第3図及び第4図に示した基板FPCと同一であ
る。
FIG. 46 is a perspective view of the FPC board used in Modification 2. The difference from the FPC board shown in FIGS. 3 and 4 is that the external connection terminal connecting portion 3 is A pin PIN for connection is installed. The other configurations are the same as the FPC board shown in FIGS. 3 and 4.

第46図に示した基板FPCを用いることによって、第
23図に示したコンタクトパッドGNPが不要となる。
By using the substrate FPC shown in FIG. 46, the contact pad GNP shown in FIG. 23 becomes unnecessary.

これは、基板FPCに植立されたピンPINが、コンタ
クトパッドGNPの持つ電気的接能を果たすからである
This is because the pin PIN planted on the substrate FPC performs the electrical connection that the contact pad GNP has.

さて、第46図の基板FPCを用いたモジュールの組立
方法は、第1図乃至第22図に説明した方法と殆ど同一
である。異なる点を説明すると、まず、第4D図の接続
部3には、円形状外部端子9bの上に半田層13を介し
てピンPINが植立されている。そして第13図、第1
6図及び第20図のケース組立体において、ケースRF
Sから延び出ている基板FPCの接続部3には、上方向
にピンPINが突出している。そして、第20図の組立
体を第1の実施例と同様にパッケージングケースPKG
内に挿入した後、延び出た接続部3を内側シールドケー
ス5HIbの下面の沿うように接着する。しかる後、ピ
ンPINを端子固定板TEFの開口に挿入し、端子固定
板TEFをシールドケースSHI及びパッケージングケ
ースPKGに固着することにより、第47図に示すモジ
ュールが得られる。
Now, the method of assembling the module using the substrate FPC shown in FIG. 46 is almost the same as the method explained in FIGS. 1 to 22. To explain the difference, first, in the connecting portion 3 of FIG. 4D, a pin PIN is planted on the circular external terminal 9b with a solder layer 13 interposed therebetween. and Figure 13, 1st
In the case assembly shown in FIGS. 6 and 20, case RF
A pin PIN protrudes upward from the connecting portion 3 of the board FPC extending from S. Then, as in the first embodiment, the assembly shown in FIG. 20 is assembled into a packaging case PKG.
After being inserted into the inner shield case 5HIb, the extending connecting portion 3 is bonded along the lower surface of the inner shield case 5HIb. Thereafter, the module shown in FIG. 47 is obtained by inserting the pin PIN into the opening of the terminal fixing plate TEF and fixing the terminal fixing plate TEF to the shield case SHI and the packaging case PKG.

このモジュールによれば、外部駆動回路を搭載したボー
ドへモジュールを直接実装することができる。
According to this module, the module can be directly mounted on a board equipped with an external drive circuit.

(変形例3、第48図乃至第52図) この変形例3は、端子板に接続端子を予め植立させてお
き、基板FPCの外部接続端子と上記接続端子とを接合
させ、端子板の接続端子によってボードへ直接実装する
ようになすものである。
(Modification 3, FIGS. 48 to 52) In this modification 3, connection terminals are planted on the terminal board in advance, and the external connection terminals of the board FPC and the above connection terminals are joined, and the terminal board is It is designed to be directly mounted on the board using connection terminals.

第48図は本発明の変形例3を説明するための基板FP
Cの平面図であり、前述の図と同一部分は同一符号を付
しである。同図において、基板Fpcは、中央部に角形
状のチップ搭載部1と、その周辺部に枠形状の外部接続
端子接続部(以下接続部と称する)3’  (3a’ 
、3b’ 、3c’ 、3d′)とを有し、全体形状が
ほぼ矩形状をなして一体的に形成されている6また、こ
のチップ搭載部1の対向辺側には、2個の素子CHIを
搭載しその端子部を接続させる2重枠構造の矩形状開口
部4 (4a、4b)およびチップCHI位置決め用の
3個の穿孔5 (5a、5b、5c)が設けられている
。さらにこのチップ搭載部1の周辺部には外側ケースR
FSaの折り曲げ部34および外側シールドケースS 
HI aの折り曲げ部52を貫通させる2組の台形状開
口部4’  (4a’ 、4b’ 。
FIG. 48 shows a substrate FP for explaining modification 3 of the present invention.
It is a top view of C, and the same parts as in the above-mentioned figure are attached with the same reference numerals. In the figure, the board Fpc has a square chip mounting part 1 in the center and a frame-shaped external connection terminal connection part (hereinafter referred to as a connection part) 3'(3a') in the periphery.
. A rectangular opening 4 (4a, 4b) with a double frame structure for mounting the CHI and connecting its terminal portion, and three perforations 5 (5a, 5b, 5c) for positioning the chip CHI are provided. Furthermore, an outer case R is provided around the chip mounting portion 1.
FSa bending part 34 and outer shield case S
Two sets of trapezoidal openings 4'(4a',4b') pass through the bent portion 52 of HI a.

4c’ 、 4d’ )が設けられている。一方、接続
部3′には周辺部分に円環状の尊体パターン9fを形成
しその中央部に円形状の開口4#を穿設した複数個の欠
部接続端子(以下接続端子と称する)9′が所定のピッ
チで整列配設され、これらの接続端子9′にはチップC
HIに接続された配線用リード9aが接続されて基板組
立体BNDが構成されている。
4c', 4d') are provided. On the other hand, the connection portion 3' has a plurality of cut-out connection terminals (hereinafter referred to as connection terminals) 9 in which an annular pattern 9f is formed in the peripheral portion and a circular opening 4# is bored in the center thereof. ' are arranged at a predetermined pitch, and these connection terminals 9' are connected to chips C.
A wiring lead 9a connected to HI is connected to form a board assembly BND.

第49図は端子板PGAを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその49B−49B断面図、同図Cは同図
Aの49G−49G断面図である。
FIG. 49 is a diagram showing the terminal plate PGA; FIG. 49A is a plan view, FIG. 49B is a sectional view taken along line 49B-49B, and FIG.

同図において、端子板PGAは、電気的絶縁性を有する
材料1例えばガラスエポキシ系の樹脂板200からなり
、中央部には前述したシールドケースSHI組立体が挿
入可能な角形状の開口部201を有し、その外形状は後
述するパッケージングケースPKGの開口部が挿入でき
る縦横方向の寸法を有して形成されている。また、この
樹脂板200の周辺部には前記基板FPCに設けられた
外部接続端子9′の配列と同等のピッチを有して複数本
の金属製ピン202が植設されている。
In the figure, the terminal plate PGA is made of an electrically insulating material 1, such as a glass epoxy resin plate 200, and has a square opening 201 in the center into which the shield case SHI assembly described above can be inserted. The external shape is formed to have dimensions in the vertical and horizontal directions that allow insertion of an opening of a packaging case PKG, which will be described later. Further, a plurality of metal pins 202 are implanted around the resin plate 200 at a pitch equivalent to the arrangement of the external connection terminals 9' provided on the FPC board.

第50図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその50B−50B断面図
である。パッケージングケースPKGは、熱伝導性の良
好な材料、例えば板厚約0゜5田のアルミニウム板を絞
り加工を施し、本体部210と、内部周辺に空間部を形
成する鍔部211と、開口端周辺部を固定する係止部2
12とを有して一体的に成形され、図示しないが、その
外面には黒色被膜が形成されており、磁気バブルメモリ
デバイス完成後の外側ケースおよび放熱体としての機能
を有している。
FIG. 50 is a diagram showing the packaging case PKG, in which FIG. 50A is a plan view and FIG. 50B is a 50B-50B sectional view thereof. The packaging case PKG is made of a material with good thermal conductivity, such as an aluminum plate with a thickness of approximately 0°5, which is drawn and has a main body part 210, a flange part 211 that forms a space around the inside, and an opening. Locking part 2 that fixes the peripheral part of the end
Although not shown, a black film is formed on the outer surface of the magnetic bubble memory device, and it functions as an outer case and a heat sink after the magnetic bubble memory device is completed.

このように構成された各構成部品は、まず最初に第48
図で説明した基板組立体BNDを第13図に示すような
磁気回路PFCとともに外側ケースRFSaと下側ケー
スRFSbとの間に挟持させて接合する。この場合、基
板FPCに形成された4個の台形状開口部4a’ 、4
b’ 、4c’ 、4d’に外側ケースRFSaの各折
り曲げ部34が貫通し、ケースRFS組立体の周辺部に
基板FPCの各接続部3′が枠形状に突出されることに
なる。
Each component configured in this way is first
The board assembly BND explained in the figure is sandwiched and joined between the outer case RFSa and the lower case RFSb together with the magnetic circuit PFC as shown in FIG. 13. In this case, four trapezoidal openings 4a', 4 formed in the substrate FPC
The bent portions 34 of the outer case RFSa penetrate b', 4c', and 4d', and the connecting portions 3' of the board FPC are projected in a frame shape from the periphery of the case RFS assembly.

次にこのケースRFS組立体を前述した一対の磁石体B
IMおよびバイアスコイルBICとともに外側シールド
ケースS HI aと内側シールドケース5HIbとの
間に積層し挟持させて電気的。
Next, this case RFS assembly is connected to the above-mentioned pair of magnets B.
The IM and bias coil BIC are stacked and sandwiched between the outer shield case S HI a and the inner shield case 5 HI b for electrical connection.

機械的に接続する。この場合も基板FPCに形成された
4個の台形状開口部4a’ 、 4b’ 、 4c’ 
H4d’に外側シールドケース5HIaの各折り曲げ部
52が貫通し、同様にシールドケースSHI組立体の周
辺部には基板FPCの各接続部3′が枠形状に突出され
ることになる。
Connect mechanically. Also in this case, four trapezoidal openings 4a', 4b', 4c' are formed in the substrate FPC.
Each bent portion 52 of the outer shield case 5HIa passes through H4d', and similarly, each connection portion 3' of the board FPC is projected in a frame shape from the periphery of the shield case SHI assembly.

引き続きこのシールドケースSHI組立体を第49図で
説明した端子板PGA上に搭載し、端子板PGA上に突
出している各ピン202の先端部に、基板FPCの接続
部3′に設けられている各接続端子9′の開口4″′を
挿入して第51図に拡大断面図で示すように半田203
により電気的。
Subsequently, this shield case SHI assembly is mounted on the terminal board PGA explained in FIG. Insert the solder 203 into the opening 4'' of each connection terminal 9' as shown in the enlarged cross-sectional view in FIG.
More electrical.

機械的に接続して配置される。この場合、端子板PGA
に設けられている開口部201内にはシールドケースS
HI組立体が寸法的余裕をもって挿入されている。次に
このシールドケースSHI組立体をパッケージングケー
スPKG内に挿入する(第52図)。この状態ではパッ
ケージングケースPKGの4隅から前記基板組立体BN
Dの各接続部3a’ 、3b’ 、3c’ 、3d’が
約90度で折れ曲がり、さらに逆方向に約90度で折れ
曲がってパッケージングケースPKGの鍔部211内に
配置される。次にこのパッケージングケースPKG内に
ポツティング法により樹脂モールドを行ってこのパッケ
イージングケースPKG内に各構成部品を固定配置させ
るとともにパッケージングケースPKGの係止部212
を端子板PGAの底面周辺部に係止させて磁気バブルメ
モリデバイスが完成される。
Mechanically connected and arranged. In this case, the terminal board PGA
There is a shield case S in the opening 201 provided in the
The HI assembly is inserted with dimensional allowance. Next, this shield case SHI assembly is inserted into the packaging case PKG (FIG. 52). In this state, the board assembly BN is inserted from the four corners of the packaging case PKG.
Each of the connecting portions 3a', 3b', 3c', and 3d' of D is bent at about 90 degrees, further bent at about 90 degrees in the opposite direction, and placed in the flange 211 of the packaging case PKG. Next, resin molding is performed inside this packaging case PKG by a potting method to securely arrange each component inside this packaging case PKG, and the locking part 212 of the packaging case PKG is
A magnetic bubble memory device is completed by locking the terminal plate to the peripheral portion of the bottom surface of the terminal plate PGA.

このような構成によれば、基板FPCの周辺部に、チッ
プCHIの各配線リード9Cに接続された接続端子9′
を集結し整列配置する接続部3′を設けたので、基板F
PCの縦横方向の幅寸法を小さくすることが可能となり
、標準の35mmフィルムが使用可能となって材料コス
ト、生産コスト等が低減できる。また、基板FPCの周
辺部に接続部3′を設けたことにより、周辺部に対応す
る複数本のピン202が植設された端子板PGAに電気
的2機械的に接続できるので、第51図に示すように外
部駆動回路を搭載したボードBODへの実装が容易とな
るとともに外部駆動回路へ4方向からの配線リードの引
き出しが可能となる。特にチップCHI数が増大した場
合、その効果が極めて大きい。換言すれば、素子CHI
の高密度実装が容易に可能となる。さらに基板FPCの
接続部3′および端子板PGAのピン202の配列を周
辺部に一重構造とすることにより、接続端子の高密度配
置が可能となり、チップCHIにより一層の高密度実装
が可能となる。
According to such a configuration, the connection terminals 9' connected to each wiring lead 9C of the chip CHI are provided at the periphery of the board FPC.
Since the connection part 3' is provided to gather and align the
It becomes possible to reduce the vertical and horizontal width dimensions of the PC, and it becomes possible to use a standard 35 mm film, thereby reducing material costs, production costs, etc. Furthermore, by providing the connecting portion 3' in the peripheral portion of the FPC board, it is possible to electrically and mechanically connect to the terminal plate PGA in which a plurality of pins 202 corresponding to the peripheral portion are implanted. As shown in FIG. 2, mounting on a board BOD equipped with an external drive circuit becomes easy, and wiring leads can be drawn out from four directions to the external drive circuit. Especially when the number of chips CHI increases, the effect is extremely large. In other words, the element CHI
High-density packaging is easily possible. Furthermore, by arranging the connecting portion 3' of the board FPC and the pins 202 of the terminal board PGA in a single layer structure at the periphery, it is possible to arrange the connecting terminals at high density, and even higher density mounting is possible with the chip CHI. .

以上説明したように本発明の変形例3によれば、フレキ
シブル基板の外部接続端子と端子板の接続端子とを接合
したことにより、フレキシブル配線基板の形状が小さく
でき、全体形状を小形化、′4形化できるとともに、外
部駆動回路を搭載したボードへの実装が容易となりかつ
磁気バブルメモリ素子の高密度実装が容易となるなどの
極めて優れた効果が得られる。
As explained above, according to the third modification of the present invention, by joining the external connection terminals of the flexible board and the connection terminals of the terminal board, the shape of the flexible wiring board can be made smaller, and the overall shape can be made smaller. Extremely excellent effects can be obtained, such as making it possible to make it into a quadrilateral shape, making it easy to mount it on a board equipped with an external drive circuit, and making it easy to mount the magnetic bubble memory element at high density.

(変形例4.第53図乃至第57図) この変形例4は、モジュールの側面に接続ピンを植設し
た端子板を設け、これによりボード上にモジュールを積
層配置するようになしたものである。
(Modification 4. Figures 53 to 57) In this modification 4, a terminal board with connection pins embedded in the side of the module is provided, and thereby the modules can be stacked on the board. be.

この変形例4の基板としては、変形例3にて説明した第
48図の基板FPCが用いられる。
As the substrate of this modification 4, the substrate FPC shown in FIG. 48 described in modification 3 is used.

第53図は端子板PGAを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその53B−53B断面図である。同図に
おいて、端子板PGAは、電気的絶縁性を有する材料、
例えばガラスエポキシ系の樹脂板300からなり、その
外形状はシールドケースSHI組立体の高さおよび横幅
寸法とほぼ同等の縦横方向の寸法を有する矩形状をなし
て形成されている。またこの樹脂板300の中央部には
第48図の基板FPCに設けられた接続端子9′の配列
ピッチと同等のピッチを有して複数本の導電性ピン31
0が植設固定されている。この導電性ピン310は外部
駆動回路と電気的に接続させる外部接続端子としての機
能を有している。
FIG. 53 is a diagram showing the terminal plate PGA, with FIG. 53A being a plan view and FIG. 53B being a 53B-53B sectional view thereof. In the figure, the terminal plate PGA is made of a material having electrical insulation properties,
For example, it is made of a glass epoxy resin plate 300, and its outer shape is a rectangle with vertical and horizontal dimensions that are approximately the same as the height and width dimensions of the shield case SHI assembly. Further, in the center of this resin plate 300, a plurality of conductive pins 31 are arranged at a pitch equivalent to the arrangement pitch of the connection terminals 9' provided on the FPC board shown in FIG.
0 is implanted and fixed. This conductive pin 310 has a function as an external connection terminal for electrically connecting to an external drive circuit.

第54図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその54B−54B断面図
である。同図において、パッケージングケースPKGは
熱伝導性の良好な材料、例えば板厚約0.5+s+のア
ルミニウム板をプレス加工を施して形成されており、そ
の外面には図示しないが、黒色被膜が形成され、磁気バ
ブルメモリデバイス完成後の外側ケースおよび放熱体と
しての機能を有している。
FIG. 54 is a diagram showing the packaging case PKG, with FIG. 54A being a plan view and FIG. 54B being a 54B-54B sectional view thereof. In the figure, the packaging case PKG is formed by pressing a material with good thermal conductivity, for example, an aluminum plate with a thickness of about 0.5+s+, and a black coating is formed on the outer surface (not shown). It functions as an outer case and heat dissipation body after the magnetic bubble memory device is completed.

このように構成された各構成部品は、まず最初に変形例
3の第48図で説明した基板組立体BNDを、第13図
に示すような磁気回路PFCとともに外側ケースRFS
aと下側ケースRFSbとの間に挟持させて接合する。
Each of the components configured in this way is first assembled into the outer case RFS together with the magnetic circuit PFC as shown in FIG.
A and the lower case RFSb are sandwiched and joined together.

この場合、基板FPCに形成された4個の台形状開口部
4a’ 、4b’ 。
In this case, four trapezoidal openings 4a', 4b' are formed in the substrate FPC.

4c’ 、4d’に外側ケースRFSaの各折り曲げ部
34が貫通し、ケースRFS組立体の周辺部には基板F
PCの各接続部3′が枠形状となって突出されることに
なる。
4c' and 4d' are penetrated by the bent portions 34 of the outer case RFSa, and the board F is provided at the periphery of the case RFS assembly.
Each connection part 3' of the PC becomes a frame shape and protrudes.

次にこのケースRFS組立体を前述した一対の磁石体B
IMおよびバイアスコイルBICとともに外側シールド
ケースS HI aと内側シールドケース5HIbとの
間に積層し挟持させて電気的。
Next, this case RFS assembly is connected to the above-mentioned pair of magnets B.
The IM and bias coil BIC are stacked and sandwiched between the outer shield case S HI a and the inner shield case 5 HI b for electrical connection.

機械的に接続する。この場合も基板FPCに形成された
4個の台形状開口部4 a’ 、 4b’ 、 4c’
 。
Connect mechanically. Also in this case, four trapezoidal openings 4a', 4b', 4c' are formed in the substrate FPC.
.

4d’に外側シールドケースS HI aの各折り曲げ
部52が貫通し、同様にシールドケースSHI組立体の
周辺部には基板FPCの各接続部3′が枠形状となって
突出されることになる。
4d', each bent part 52 of the outer shield case SHI a penetrates, and similarly, each connection part 3' of the board FPC becomes a frame shape and protrudes from the peripheral part of the shield case SHI assembly. .

次に第56図に示すように基板FPCの各接続部3′を
戦術した端子板PGAのビン310先端部側に配置し、
各接続部3′に設けられている各接続端子9′の開口4
1を各ピン310の先端部310aに挿入して半田32
0により電気的2機械的に接続固定する。
Next, as shown in FIG. 56, each connection part 3' of the board FPC is placed on the tip side of the bottle 310 of the terminal board PGA,
Opening 4 of each connection terminal 9' provided in each connection part 3'
1 into the tip 310a of each pin 310 and solder 32.
0 electrically and mechanically connected and fixed.

次に基板FPCの各接続部3′に接続固定された4個の
端子板PGAを、第55図に示すように基板組立体BN
Dに対して約180度折り曲げてシールドケースSHI
組立体の4周辺部に配置し、前述した板状のパッケージ
ングケースPKGを上下方向から図示しない接着剤によ
り接着する。なお、その内部にポツティング法により樹
脂モールドをおこなってこのパッケージングケースPK
G間に各構成部品を固定配置させることにより、第57
図に平面図で示すように4側面側に複数本の接続ピン3
10が整列配置された外部接続端子を有する磁気バブル
メモリデバイスが完成される。
Next, the four terminal plates PGA connected and fixed to each connection part 3' of the board FPC are connected to the board assembly BN as shown in FIG.
Bend approximately 180 degrees to D and attach the shield case SHI.
They are placed around the four peripheries of the assembly, and the plate-shaped packaging case PKG described above is adhered from above and below using an adhesive (not shown). In addition, this packaging case PK is made by performing resin molding inside it using the potting method.
By fixing each component between G, the 57th
As shown in the plan view in the figure, there are multiple connection pins 3 on the 4 side sides.
A magnetic bubble memory device having external connection terminals 10 arranged in an array is completed.

このようにして構成された磁気バブルメモリデバイスD
EVは、第58図に示すように所定の配列で例えば3個
積み重ねてこれらの端子板PGAの外部接続ピン310
に、配線パターン320を形成した回路基板PCBを半
田付により接続して一体化させ、駆動回路を搭載したボ
ードBODの開口部330に挿入し、ボードBODの裏
面に形成されている図示しない回路用導体パターンと、
回路基板PCBに形成されている配線パターンとを半田
付により接続して装着される。なお、第58図において
は3個の磁気バブルメモリデバイスDEVの対向する2
辺側に回路基板PCBが接続配置されているが、実際に
は隣接する対向2辺側にも同様にして配置される。
Magnetic bubble memory device D configured in this way
For example, three EVs are stacked in a predetermined arrangement as shown in FIG.
Then, the circuit board PCB on which the wiring pattern 320 is formed is connected and integrated by soldering, and inserted into the opening 330 of the board BOD on which the drive circuit is mounted, and the circuit board PCB (not shown) formed on the back side of the board BOD is inserted. conductor pattern,
It is mounted by connecting it to the wiring pattern formed on the circuit board PCB by soldering. In addition, in FIG. 58, two opposing two of three magnetic bubble memory devices DEV are shown.
Although the circuit board PCB is connected and arranged on one side, in reality, it is arranged similarly on two adjacent opposite sides.

このような構成によれば、磁気バブルメモリデバイスD
EVがボードBOD上に3個積層配置されるので、並列
駆動が可能となり、高速度の書き込み、読み出しができ
る。また、3個の磁気ジキバブルメモリデバイスDEV
の同一ファンクション部の外部接続ピン310が同一配
列個所に配列されるので、外部接続配線が極めて容易と
なる。
According to such a configuration, the magnetic bubble memory device D
Since three EVs are stacked on the board BOD, parallel driving is possible and high-speed writing and reading are possible. In addition, three magnetic bubble memory devices DEV
Since the external connection pins 310 of the same function section are arranged in the same arrangement location, external connection wiring becomes extremely easy.

なお、前述した変形例4においては、外部接続ピン31
0を設けた端子板PGAをモジュールの4側面に設けた
場合について説明したが、本発明はこれに限定されるも
のではなく、対向する2個面に設けても同様の効果が得
られることは言うまでもない。
In addition, in the above-mentioned modification 4, the external connection pin 31
Although the case where the terminal board PGA provided with 0 is provided on the four sides of the module has been described, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained even if the terminal board PGA is provided on two opposing sides. Needless to say.

以上説明したように変形例4によれば、フレキシブル配
線基板の周辺部に設けた外部接続端子部と端子板の外部
接続ピンとを接合し、該端子板を良導電性材ケースの側
面に配置して磁気バブルメモリデバイスを構成し、この
デバイスを駆動回路基板上に複数個積層配置して電気的
に接続したことにより、磁気バブルメモリデバイス1個
当りの小さな占有面積で複数個実装配置できるので、磁
気バブルメモリ素子およびデバイスの高密度実装が容易
に実現できるとともに直列、並列駆動が可能となるなど
の極めて優れた効果が得られる。
As explained above, according to the fourth modification, the external connection terminal portion provided on the periphery of the flexible wiring board and the external connection pin of the terminal board are joined, and the terminal board is placed on the side surface of the case of a highly conductive material. By constructing a magnetic bubble memory device, and by stacking and electrically connecting a plurality of these devices on a drive circuit board, it is possible to mount and arrange a plurality of magnetic bubble memory devices with a small footprint per one magnetic bubble memory device. High-density packaging of magnetic bubble memory elements and devices can be easily realized, and extremely excellent effects such as serial and parallel driving are possible can be obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、フレキシブル基板
の外部接続端子と端子板の接続端子とを接合したことに
より、フレキシブル配線基板の形状が小さくでき、全体
形状を小形化、薄形化できるとともに、外部駆動回路を
搭載したボードへの実装が容易となりかつ磁気バブルメ
モリ素子の高密度実装が容易となるなどの極めて優れた
効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, by joining the external connection terminals of the flexible board and the connection terminals of the terminal board, the shape of the flexible wiring board can be reduced, and the overall shape can be made smaller and thinner. , extremely excellent effects such as ease of mounting on a board equipped with an external drive circuit and high-density mounting of magnetic bubble memory elements can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2図Aは底面図、第2図Bは
同図Aの2B−2B断面図、第3図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、第5
図は基板FPCに素子CHIを搭載した基板組立体BN
Dを示す平面図、第6図は素子CHIを示す図、第7図
は基板組立体BNDのリードボンディングを説明する図
、第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図は磁気
回路PFCの製作方法を説明する図、第10図は内側ケ
ースRFSbを示す図、第11図は外側ケースRFSa
を示す図、第12図はケースRFSの組立図、第13図
はケースRFS内に基板組立体BNDおよび磁気回路F
PCを収納した組立体の断面図、第14図は磁石体BI
Mの構成を説明する図、第15図はバイアスコイルを説
明する図、第16図はケースRFS組立体に一対の磁石
体BIMおよびバイアスコイルBICを組み込んだ組立
体の断面図、第17図は外側シールドケースS HI 
aを示す図、第18図は内側シールドケース5HIbを
示す図、第19図はシールドケースSHIの組立図、第
20図は第16図に示す組立体をシールドケースSHI
内に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパッケージ
ングケースPKGを示す図、第22図は端子固定板TE
Fの構成を説明する図、第23図はコンタクトパッドの
構成を示す図、第24図は素子CHIの断面図、第25
図は素子CHIの磁気バブル検出器りの構成を示す図、
第26図は素子CHIの磁気バブル発生器GENの構成
を示す図、第27図は素子CHIのスワップゲートSW
Pの構成を示す図、第28図は素子CHIのレプリケー
トゲートREPの構成を示す図、第29図Aはバイアス
磁界Hbとホールディング磁界Hdcの関係を示す図、
同図Bはトータル回転磁界Hr’ を示す図、第30図
は磁気バブルメモリボルドの全体@路を示す図、第31
図は回転磁界分布特性図、第32図はフレキシブル配線
基板の変形例を示す図、第33図は内側ケースRFS2
bを示す図であり、同図Aは平面図、同図Bはその33
B−33B断面図、第34図は外側ケースRFS2aを
示す図であり、同図Aは平面図、同図Bはその34B−
34B断面図、第35図は外側及び内側ケースRFS2
a及びRFS2bだけを組合せた状態を示す図であり、
同図Aは平面図、同図Bはその35B−35B断面図、
第36図はチップCHI、フレキシブル基板FPC2、
磁気回路PFCを外側ケースRFS2a内に実装した状
態(内側ケースRFS 2bでふたをする前の状1m)
を示す図であり、同図Aは上面図、同図Bはその36B
−36B断面図、第37図は磁石体BIM2を示す図で
あり、同図Aは平面図、同図Bはその側面図、同図Cは
その37C−37C断面図、第38図は第36図で説明
したケースRF52組立体に第37図の磁石体BIM2
及び第15図のバイアスコイルB工Cを組み込んだ状態
を示す図であり、同図Aは上面図、同図Bはその38B
−38B断面図、第39図は上側シールドケースS H
I 2 aを示す図であり、同図Aは上面図、同図Bは
右側面図、同図Cは下側面図、第40図は下側シールド
ケース5HI2bを示しており、同図Aは平面図、同図
Bは下側面図、第41図は第39.40図に示した磁気
シールドケース5HI2a、5HI2b内に第38図で
示した中間組立体を実装した図を示しており、第41A
図はその平面図、同B図はその41B−41B断面図、
第42図は、第41図で示したシールドケース組立体を
ピングリッド外部接続端子に電気的に接続するための配
線基板であり、同図Aはその上面図、同図Bはその42
B−42B断面図、同図Cはその下面図、第43図は第
41図に示すシールドケース組立体を第42図のビング
リッド配線基板TEF2に実装した状態を示す図であり
、同図Aはその上面図、同図Bはその43B−43B断
面図、第44図は封止用キャップを示す図で、同図Aは
その平面図、同図Bはその44B−44B断面図、第4
5図は第32図〜第44図で説明した一連の変形例の完
成構造、すなわち第43図の中間組立体を第44図のキ
ャップPKG2で封止した構造を示す図であり、同図A
はその上面図、同図Bはその45B−45B断面図、同
図Cはその右側面図である。第46図は変形例2に使用
される基板FPCの斜視図、第47図は変形例2の断面
図、第48図は変形例3,4に使用される基板FPCの
平面図、第49図は変形例3に使用される端子板PGA
の平面図及び断面図、第50図は変形例3に使用される
パッケージングケースPKGの平面図及び断面図、第5
1図は変形例3の端子部の拡大断面図、第52図は変形
例3の断面図、第53図は端子板PGAを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその53B−53B断面図
、第54図はパンケージングケースPKGを示す図であ
り、同図Aは平面図、同図Bはその54B−54B断面
図、第55図は側面に接続ピンを設けたデバイスの断面
図、第56図は基板FPCと接続ピン310との接続を
示す断面図。 第57図は4側面に接続ピンを設けたデバイスの平面図
、第58図はデバイスをボードに実装した斜視図である
。 CHI・・・磁気バブルメモリチップ(素子)、FPC
・・・フレキシブル配線基板(基板)、BND・・・基
板組立体、COI・・・駆動コイル(コイル)、COR
・・・額縁形コア(コア)。 PFC・・・磁気回路、RFS・・・回転磁界閉じ込め
ケース(ケース)、RFSa・・・外側ケース、RFS
b・・・内側ケース、SIR・・・シリコーン樹脂、B
IM・・・バイアス磁界発生用磁石体(磁石体)、BI
Ma・・・上部磁石体、B IMb・・・下部磁石体、
INM・・・傾斜板。 MAG・・・永久磁石板(磁石板)、HOM・・・整磁
板、INN・・・非磁性傾斜板、BIC・・・バイアス
磁界発生用コイル(バイアスコイル)、SHI・・・外
部磁気シールドケース(シールドケース)、5HIa・
・・外側シールドケース、S HI b・・・内側シー
ルドケース、REG・・・樹脂モールド剤、PKG・・
・パンケージングケース、TEF・・・端子固定板、G
NP・・・コンタクトパッド、PGA・・・端子板、B
OD・・・ボード、1・・・素子Wr載部、2,2a、
2b。 2c、2d・・・折り曲げ部、3.3’ 、3a。 3a’ 、3b、3b’ 、3c、3c’ 、3d、3
d′ ・・・外部接続端子接続部、4.4’ 、4a。 4a’ 、4b、4b’ 、4c’ 、4d’ 、4’
 ・・・開口部、5.5a、5b、5c ・・・穿孔、
6・・・基板突出部、7・・・ベースフィルム、8・・
・接着剤、9′ ・・・外部接続端子、9a・・・配線
用リード、9b・・・外部端子、9c・・・接続用端子
、9d・・・記号、9e・・・インデックスマーク、9
f・・・導体パターン、10・・・カバーフィルム、1
1・・・錫メッキ層、12・・・開口、13・・・半田
メッキ層、14・・・ポンディングパッド、15・・・
金バンプ、20a、20b、20c、20d・・・ヘリ
ックスコイル、21a、21b・・・接続点、22a・
・・Xコイル、22b・・・Yコイル、23・・・磁気
コア、24・・・タップ、25・・・幅の大きい溝、2
6・・・輪の小さい溝、30・・・絞り部、31・・・
折り曲げ部、32・・・切欠き部、33・・・絞り部、
34・・・折り曲げ部、35・・・切欠き部、36・・
・ポリイミドフィルム、37・・・接着剤、38・・・
コイル巻線、40・・・巻線、51・・・平坦部、52
・・・折り曲げ部、53・・・凹部、54・・・切欠き
部、55・・・平坦部、56・・・折り曲げ部、57・
・・凹部、58・・・切欠き部、59・・・凹部、60
.200・・・樹脂板、61・・・貫通孔、62・・・
非貫通孔、63・・・マーク、64・・・開口、65・
・・溝、66・・・角部、70・・・素片、71・・・
ニッケルメッキ層、72・・・金メッキ層、201・・
・開口部、202・・・ピン、202a・・・先端部、
203・・・半田、210・・・本体部、211・・・
鍔部、212・第4図C 第4図り 第5図 第6図 Iy 第8図B 第9図 第10図A Ni″)a 第12図A 第12図B 第14図A   第14図B 第14図C HOM            INNNN第1六 第17図A 第18図A 第18図B 第19図A HI 第19図B 第21図へ 旦吸 第21図B ヱ 第22図A 第22図B OL  タ式二 <LLL Q−の 第26図 第28図 RFS2a Kト52己 第37図A     第37図B 第37図C huriン 第44図A PKG2 第44図B 臓ゾ咀 PGA 第49図C 凪込 第54図A 旦K] 第54図B 華互 頁の続き Σ失権主張  0昭60(1985) 4月26日[相
]日本(J P)[相]特願 昭60−[相]昭60(
1985) 5月17日[相]日本(J P)[相]特
願 昭60−[相]昭60(1985) 5月27日[
相]日本(J P)[株]特願 昭60−@昭60(1
985) 5月27日6日本(J P)@特if  昭
60−5 明 者 木 城   伸 夫 茂原市早野3
681番地 旧会社内
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the whole magnetic bubble memory device according to the present invention, FIG. 2A is a bottom view, FIG. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 3, and FIG. 3 is a stacked structure. Figure 4 is a diagram explaining the board FPC, Figure 5 is an exploded perspective view showing the
The figure shows a board assembly BN in which the element CHI is mounted on the board FPC.
6 is a diagram showing the element CHI, FIG. 7 is a diagram illustrating lead bonding of the board assembly BND, FIG. 8 is a diagram illustrating the magnetic circuit PFC, and FIG. 9 is a diagram illustrating the magnetic circuit. A diagram explaining the manufacturing method of PFC, FIG. 10 is a diagram showing the inner case RFSb, and FIG. 11 is a diagram showing the outer case RFSa.
12 is an assembly diagram of the case RFS, and FIG. 13 is a diagram showing the board assembly BND and magnetic circuit F in the case RFS.
A cross-sectional view of the assembly containing the PC, Figure 14 is the magnet BI
FIG. 15 is a diagram explaining the configuration of M, FIG. 15 is a diagram explaining the bias coil, FIG. 16 is a cross-sectional view of an assembly in which a pair of magnets BIM and bias coil BIC are incorporated in the case RFS assembly, and FIG. 17 is a diagram explaining the structure of M. Outer shield case S HI
a, FIG. 18 is a diagram showing the inner shield case 5HIb, FIG. 19 is an assembly diagram of the shield case SHI, and FIG. 20 is an assembly diagram of the shield case SHI shown in FIG. 16.
Figure 21 is a cross-sectional view of the assembly assembled inside, Figure 21 is a diagram showing the packaging case PKG, Figure 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TE.
FIG. 23 is a diagram illustrating the configuration of contact pad F, FIG. 24 is a cross-sectional view of element CHI, and FIG.
The figure shows the configuration of the magnetic bubble detector of element CHI,
FIG. 26 shows the configuration of the magnetic bubble generator GEN of element CHI, and FIG. 27 shows the swap gate SW of element CHI.
28 is a diagram showing the configuration of the replicate gate REP of element CHI, FIG. 29A is a diagram showing the relationship between bias magnetic field Hb and holding magnetic field Hdc,
Figure B shows the total rotating magnetic field Hr', Figure 30 shows the entire magnetic bubble memory board, and Figure 31 shows the entire magnetic bubble memory board.
The figure is a rotating magnetic field distribution characteristic diagram, Figure 32 is a diagram showing a modification of the flexible wiring board, and Figure 33 is an inner case RFS2.
Fig. 3A is a plan view of Fig. b, and Fig. B is a plan view thereof.
B-33B sectional view, FIG. 34 is a diagram showing the outer case RFS2a, the same figure A is a plan view, and the same figure B is the 34B-
34B sectional view, Figure 35 is the outer and inner case RFS2
It is a diagram showing a state in which only a and RFS2b are combined,
Figure A is a plan view, Figure B is a 35B-35B cross-sectional view,
Figure 36 shows chip CHI, flexible board FPC2,
Magnetic circuit PFC mounted inside outer case RFS2a (1 m before covering with inner case RFS2b)
Figure A is a top view, and Figure B is its 36B.
-36B sectional view, FIG. 37 is a diagram showing the magnet body BIM2, the figure A is a plan view, the figure B is its side view, the figure C is its 37C-37C sectional view, and FIG. The case RF52 assembly explained in the figure is attached to the magnet body BIM2 shown in Fig. 37.
15 is a diagram showing a state in which the bias coil B construction C shown in FIG. 15 is installed; FIG.
-38B sectional view, Figure 39 is upper shield case S H
40 shows the lower shield case 5HI2b, and FIG. 40 shows the lower shield case 5HI2b. FIG. 41 shows the intermediate assembly shown in FIG. 38 mounted in the magnetic shielding cases 5HI2a and 5HI2b shown in FIGS. 39 and 40. 41A
The figure is its plan view, and the figure B is its 41B-41B sectional view.
FIG. 42 shows a wiring board for electrically connecting the shield case assembly shown in FIG. 41 to the pin grid external connection terminal; FIG.
B-42B is a sectional view, C is a bottom view thereof, and FIG. 43 is a diagram showing the shield case assembly shown in FIG. 41 mounted on the bin grid wiring board TEF2 of FIG. 42, and FIG. 44 is a diagram showing a sealing cap, A is a plan view thereof, B is a 44B-44B sectional view thereof, and FIG.
5 is a diagram showing a completed structure of the series of modifications explained in FIGS. 32 to 44, that is, a structure in which the intermediate assembly in FIG. 43 is sealed with the cap PKG2 in FIG.
is a top view thereof, B is a sectional view taken along line 45B-45B, and C is a right side view thereof. FIG. 46 is a perspective view of the FPC board used in Modification 2, FIG. 47 is a sectional view of Modification 2, FIG. 48 is a plan view of the FPC board used in Modifications 3 and 4, and FIG. 49 is the terminal board PGA used in modification 3
50 is a plan view and a sectional view of the packaging case PKG used in Modification 3, and FIG.
Fig. 1 is an enlarged sectional view of the terminal portion of Modification 3, Fig. 52 is a sectional view of Modification 3, and Fig. 53 is a diagram showing the terminal plate PGA. 53B-53B sectional view, FIG. 54 is a diagram showing the pancasing case PKG, FIG. 54A is a plan view, FIG. FIG. 56 is a cross-sectional view showing the connection between the board FPC and the connection pin 310. FIG. 57 is a plan view of a device provided with connection pins on four sides, and FIG. 58 is a perspective view of the device mounted on a board. CHI...magnetic bubble memory chip (element), FPC
...Flexible wiring board (board), BND...board assembly, COI...drive coil (coil), COR
...Picture frame-shaped core (core). PFC...magnetic circuit, RFS...rotating magnetic field confinement case (case), RFSa...outer case, RFS
b...Inner case, SIR...Silicone resin, B
IM...Magnet for generating bias magnetic field (magnet), BI
Ma... Upper magnet body, B IMb... Lower magnet body,
INM... Inclined plate. MAG...Permanent magnet plate (magnet plate), HOM...Magnetic shunt plate, INN...Nonmagnetic gradient plate, BIC...Bias magnetic field generation coil (bias coil), SHI...External magnetic shield Case (shield case), 5HIa・
...Outer shield case, S HI b...Inner shield case, REG...Resin molding agent, PKG...
・Pan caging case, TEF...terminal fixing plate, G
NP...Contact pad, PGA...Terminal board, B
OD... Board, 1... Element Wr mounting part, 2, 2a,
2b. 2c, 2d... bending portion, 3.3', 3a. 3a', 3b, 3b', 3c, 3c', 3d, 3
d'...External connection terminal connection section, 4.4', 4a. 4a', 4b, 4b', 4c', 4d', 4'
... opening, 5.5a, 5b, 5c ... perforation,
6... Board protrusion, 7... Base film, 8...
・Adhesive, 9'... External connection terminal, 9a... Wiring lead, 9b... External terminal, 9c... Connection terminal, 9d... Symbol, 9e... Index mark, 9
f...Conductor pattern, 10...Cover film, 1
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1...Tin plating layer, 12...Opening, 13...Solder plating layer, 14...Ponding pad, 15...
Gold bump, 20a, 20b, 20c, 20d... Helix coil, 21a, 21b... Connection point, 22a.
...X coil, 22b...Y coil, 23...magnetic core, 24...tap, 25...wide groove, 2
6...Small groove of the ring, 30...Aperture part, 31...
Bending part, 32... Notch part, 33... Squeezing part,
34...Bending portion, 35...Notch portion, 36...
・Polyimide film, 37... Adhesive, 38...
Coil winding, 40... Winding wire, 51... Flat part, 52
...Bent part, 53... Recessed part, 54... Notch part, 55... Flat part, 56... Bent part, 57...
... recess, 58 ... notch, 59 ... recess, 60
.. 200...Resin plate, 61...Through hole, 62...
non-through hole, 63... mark, 64... opening, 65.
... Groove, 66... Corner, 70... Piece, 71...
Nickel plating layer, 72...Gold plating layer, 201...
- Opening, 202... pin, 202a... tip,
203...Solder, 210...Main body, 211...
Flange, 212/Fig. 4C Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6 Fig. Iy Fig. 8 B Fig. 9 Fig. 10 A Ni'') a Fig. 12 A Fig. 12 B Fig. 14 A Fig. 14 B Figure 14 C HOM INNNN 16 Figure 17 A Figure 18 A Figure 18 B Figure 19 A HI Figure 19 B Go to Figure 21 Figure 21 B ヱ Figure 22 A Figure 22 B OL Figure 26 Figure 28 RFS2a K52 Figure 37 A Figure 37 B Figure 37 C Hurin Figure 44 A PKG2 Figure 44 B Chozotsui PGA Figure 49 C Nagigomi Figure 54 A DanK] Figure 54 B Continuation of Hua Mu page Σ Claim for forfeiture 0 1985 (1985) April 26th [phase] Japan (JP) [phase] Patent application 1988-[phase] 1986 (
1985) May 17th [phase] Japan (JP) [phase] patent application 1986-[phase] May 27th [1985]
Japan (JP) [Co., Ltd.] Patent Application 1986-@1986 (1986)
985) May 27th 6 Japan (JP) @ special if 1986-5 Akira Nobuo Kijo 3 Hayano, Mobara City
No. 681 Inside the old company

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1、向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイル
を施した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブ
ル基板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記
コイル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導
電性材ケース内に挟持させ、前記フレキシブル基板の外
部接続端子と端子板の接続端子とを接合したことを特徴
とする磁気バブルメモリ。
1. A magnetic bubble memory element mounted on a flexible substrate is disposed in a space formed by a frame-shaped core coiled so that sets of opposing windings are parallel to each other, and the coil, core and magnetic 1. A magnetic bubble memory characterized in that the entire bubble memory element is sandwiched within a case made of a highly conductive material, and the external connection terminals of the flexible substrate and the connection terminals of the terminal board are bonded.
JP61094495A 1985-04-26 1986-04-25 Magnetic bubble memory Expired - Lifetime JPH07114073B2 (en)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8859385 1985-04-26
JP8867085 1985-04-26
JP60-88593 1985-04-26
JP60-112004 1985-05-27
JP60-112002 1985-05-27
JP60-88670 1985-05-27
JP60-103706 1985-05-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6254890A true JPS6254890A (en) 1987-03-10
JPH07114073B2 JPH07114073B2 (en) 1995-12-06

Family

ID=26429952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61094495A Expired - Lifetime JPH07114073B2 (en) 1985-04-26 1986-04-25 Magnetic bubble memory

Country Status (1)

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JP (1) JPH07114073B2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7090279B2 (en) 2002-01-22 2006-08-15 Shirouma Saiensu Kabushiki Kaisha Bicycle with cover

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5514506A (en) * 1978-07-14 1980-02-01 Nec Corp Bubble memory plane
JPS6015888A (en) * 1983-07-06 1985-01-26 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory module

Patent Citations (2)

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US7090279B2 (en) 2002-01-22 2006-08-15 Shirouma Saiensu Kabushiki Kaisha Bicycle with cover

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JPH07114073B2 (en) 1995-12-06

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