JPS61250888A - Magnetic bubble memory - Google Patents

Magnetic bubble memory

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JPS61250888A
JPS61250888A JP9082485A JP9082485A JPS61250888A JP S61250888 A JPS61250888 A JP S61250888A JP 9082485 A JP9082485 A JP 9082485A JP 9082485 A JP9082485 A JP 9082485A JP S61250888 A JPS61250888 A JP S61250888A
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magnetic
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magnetic field
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辰雄 濱本
Toshio Futami
二見 利男
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
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Abstract

PURPOSE:To decrease the number of components and assembling man-hours, to improve the productivity and reliability and to attain miniaturization and thin profile by forming a bias magnetic coil as a pattern to the surrounding of a magnetic bubble memory element of a flexible substrate on which the magnetic bubble memory element is mounted. CONSTITUTION:A bias coil is formed as a pattern at the surrounding of an element protection part mounted with two chips CHI on the flexible substrate. That is, a copper thin film is formed on a base film 7 via an adhesives 8, the film is etched into a prescribed pattern form to form a coil wiring lead 9h, and a wiring lead 9a or the like. Further, the 2nd base film 7a is arranged via the adhesives 8 and a copper thin film is formed on it via the adhesives 8 and etched into a loop pattern form to form patterns for a coil winding 9f and a coil lead 9g. Further, both ends of the coil winding 9f are connected to the coil wiring lead 9h with a through hole while penetrating the film 7a, a cover film 10 is adhered to the upper face of them via the adhesives 8 to form a BIC.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory, and particularly to a magnetic bubble memory suitable for reduction in thickness, size, and power consumption.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたE字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生用
Xコイル、Yコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み
立てた構造となっている。Xコイル及びYコイルは磁気
バブルメモリチップだけでなく、チップよりもはるかに
大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端か
ら端迄長さが長くなり、駆動電圧、消費電力が大きくな
ってしまう°。また、Xコイル、Yコイルは磁気バブル
メモリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与する
ために均一なインダクタバランスが要求されることから
、そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりかつ
大型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれらの
Xコイル、Yコイルの外面には磁気バブルメモリ素子に
垂直方向のバイアス磁界を付与する一対の永久磁石板お
よびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂モ
ールドにより被覆されている構造であるため、垂直方向
の積層厚が増大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形化
、小型化への要請に対して障害となっていた。
Magnetic bubble memory devices, which have been put into practical use in recent years, consist of rectangular solenoid coils with an asymmetrical structure mounted on an E-shaped ceramic or synthetic resin wiring board on which a magnetic bubble memory chip is mounted. It has a structure in which an X coil and a Y coil are inserted and arranged orthogonally. The X coil and Y coil have a structure in which they wrap not only the magnetic bubble memory chip but also a wiring board that is much larger than the chip, so the length from one end of each coil to the other becomes long, resulting in increased drive voltage and power consumption. ° In addition, the X coil and Y coil require a uniform inductor balance in order to provide a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory element, so the coil shapes are different from each other and have an asymmetric structure, resulting in a larger structure. I had no choice but to do so. Furthermore, a pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and a magnetic shunt plate are arranged on the outer surfaces of these X coils and Y coils, and their peripheral parts are covered with a resin mold. Because of this structure, the stacking thickness in the vertical direction increases, which is an obstacle to the demand for thinner and smaller magnetic bubble memory devices.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和54年特許出願公開第55129号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い立
つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の実
施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報の
記載とたまたま一致したに過ぎない。
The closest prior art to the present invention known to the applicant is Patent Application Publication No. 55129 of 1974. This publication describes the structure of a frame-shaped core that surrounds a chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them. However, no further specific structure is shown, and it is theoretically impossible to make an electrical connection to a chip completely surrounded by a conductor case from outside the conductor case without shorting it. Although it is possible, the description is clearly insufficient for people to think of putting it into practical use, including the fact that the method of attaching permanent magnets, magnetic shunt plates, bias coils, etc. is unknown. In other words, the embodiment of the present invention merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core is used as a result.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be made thinner.

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be miniaturized by reducing the overall volume.

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory with reduced power consumption.

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the VI product is reduced by reducing the inductance of the rotating magnetic field generating coil.

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that allows or facilitates automation of assembly of component parts.

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose cassette can be made smaller.

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose peripheral circuitry can be manufactured at low cost.

本発明の更に他の目的はバイアス磁界調整乃至発生コイ
ルの実装が低コストで、或は簡単にできる磁気バブルメ
モリを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which bias magnetic field adjustment or generation coils can be mounted at low cost or easily.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の一実施例によれば、額縁型コアCORを使用し
た駆動磁気回路が提供される(第8図)。
According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a frame-shaped core COR is provided (FIG. 8).

磁気バブルメモリチップCI(Iは額縁形コアc。Magnetic bubble memory chip CI (I is picture frame-shaped core c.

Rに囲まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキシブ
ル配線基板FPC上に配置される(第13図)。駆動磁
気回路CORおよび磁気バブルメモリチップCHIは非
磁性体で良導電体の回転磁界閉じ込めケースRFS内に
収納される(第13図)。
It is placed on the flexible wiring board FPC so as to be surrounded by R and to be substantially flush with it (FIG. 13). The drive magnetic circuit COR and the magnetic bubble memory chip CHI are housed in a rotating magnetic field confinement case RFS made of a non-magnetic and highly conductive material (FIG. 13).

フレキシブル配線基板FPCには、平面的配置で観ると
、磁気バブルメモリチップCHIを取り囲むように導体
パターン9fが設けられる(第32図)。この導体パタ
ーン9fはバイアス磁石MAGの着磁や磁界強度調整、
バイアス磁界マージン測定、テスティング時や使用時の
バブル消去動作に利用される。
The flexible wiring board FPC is provided with a conductive pattern 9f so as to surround the magnetic bubble memory chip CHI when viewed in a planar arrangement (FIG. 32). This conductor pattern 9f is used for magnetizing the bias magnet MAG, adjusting the magnetic field strength,
It is used for bias magnetic field margin measurement and bubble elimination operations during testing and use.

このような構成によれば、バイアスコイルの低コスト化
、小型化、薄形化、組み立ての低コスト化が可能となる
According to such a configuration, it is possible to reduce the cost, size, and thickness of the bias coil, and reduce the assembly cost.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図(a)、(b)は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第1図は一部破断斜視図、第2図(a)はその底
面図、第2図(b)は第2図(a)の2B−2B断面図
である。これらの図において、CHIは磁気バブルメモ
リチップ(以下チップと称する)であり、これらの図で
はチップCHIは省略して1個のみ表示しているが本実
施例では2個並べて配置しているものとする。
(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 (a) and (b) are diagrams for explaining an embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention. FIG. 2(a) is a partially broken perspective view, FIG. 2(a) is a bottom view thereof, and FIG. 2(b) is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2(a). In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip). In these figures, the chip CHI is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. shall be.

(1つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い)。F
PCは2個のチップCHIを搭載しかつ4隅にチップC
HIと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板(以下基板と称する)である。Co1
は2個のチップCRTをほぼ同一平面」二でとり囲み対
向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイル(
以下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合体C
OIの中空部分を貫通するように設けられた固定配置さ
れた軟磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)
であり、このコアCORと各コイルCOTとでチップC
T−T Iに面内回転磁界を付与する磁気回路I) F
 Cを構成している。R,F Sは基板FPCの中央四
角形部分と、2個のチップCHIおよび磁気回路PFC
の全体を収納する回転磁界閉じ込めケース(以下ケース
と称する)である。
(The chip yield is better with a multi-divided chip configuration that matches the total storage capacity than with one large-capacity chip.) F
The PC is equipped with two chips CHI and a chip C in the four corners.
This is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) having a wire group extension for connecting the HI and external connection terminals. Co1
is a drive coil (2) surrounding two chip CRTs with approximately the same plane (2) and arranged so that opposing sides are parallel to each other.
(hereinafter referred to as coil), COR is a rectangular coil assembly C
A frame-shaped core (hereinafter referred to as the core) made of a fixedly arranged soft magnetic material that is provided so as to penetrate the hollow part of the OI.
, and this core COR and each coil COT make the chip C
Magnetic circuit that applies an in-plane rotating magnetic field to T-T I) F
It constitutes C. R, F S are the central rectangular part of the board FPC, two chips CHI and magnetic circuit PFC.
This is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the entire .

ケースRFSは2枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で」二下の板は電気的に接続されている
。チップCHIが配置された部分よりやや広めの範囲で
中央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成
されている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用で
きる。ケースPFSは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板F
PCを機械的に支持する一石二鳥の効果、aきを持って
いる。
Case RFS is formed by processing two independent plates,
The two bottom plates on the sides of the case are electrically connected. A converging portion is formed in the peripheral portion so that the gap in the central portion is narrowed in a slightly wider range than the portion where the chip CHI is arranged. This constriction can also be used to position the magnet. Case PFS uses magnetic field confinement and soft substrate F.
It has the effect of killing two birds with one stone by mechanically supporting the PC.

ケースPFSとチップCHIとの間には、特にチップC
I(Iの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの
平面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂
がコーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に
異物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側
面部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーショ
ン効果が意図されている。もし、ケースRFSの外側で
完全な気密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略
しても良い。INMはケースRFSの外側に配置された
磁性材からなる一対の傾斜板であり、第2図で」二側の
傾斜板INMは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板IN
Mは右に寄るに従って板厚が厚くなっており、双方はケ
ースRFS側に傾斜面が形成されている。傾斜板INM
の材料としては、透磁率μが高く保持力HCの小さいソ
フト・フェライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本
実施例では傾斜面の加工が容易なソフト・フエライ1−
を選んだ。MAGは一対の傾斜板INMの内側でそれと
重ねて配置された一対の永久磁石板(以下磁石板と称す
る)である。ROMは前記各磁石板MAGの内側でそれ
と重ねて配置されたソフトフェライトのような磁性材か
らなる一対の整磁板である。磁石板M A Gは全面に
わたって均一の板厚を有して形成されている。INNは
一対の整磁板HOMの内側対向面にそれと重ねて配置さ
れた銅のように熱伝導性が良く非磁性体の材料からなる
一対の傾斜板である。これらの傾斜板INNは傾斜板I
NMとほぼ同等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して
形成されている。傾斜板INM、磁石板MAG、整磁板
HOM及び傾斜板INNは、それぞれ積み重ねて配置し
一体化してバイアス磁界発生用磁石体BIM(以下磁石
体と称する)を構成したときに積層板磁石体全体の厚さ
がほぼ全面にわたって均一となるように形成されている
In particular, there is a chip C between the case PFS and the chip CHI.
There is a gap SIR on the side surface of I (I), but this gap SIR, including the flat surface of the chip CHI, is coated or filled with silicone resin to prevent foreign matter from adhering to the main surface of the chip during assembly or after assembly. A passivation effect is intended to reduce moisture intrusion into the main surface or side surfaces of the chip.If a complete hermetic seal can be achieved on the outside of the case RFS, filling of the resin SIR can be omitted. Good. INM is a pair of inclined plates made of magnetic material placed on the outside of the case RFS.
The plate thickness of M becomes thicker toward the right, and both have an inclined surface formed on the case RFS side. Inclined plate INM
As the material, soft ferrite, permalloy, etc., which has a high magnetic permeability μ and a small coercive force HC, may be used.
I chose. MAG is a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside the pair of inclined plates INM and overlapping them. The ROM is a pair of magnetic shunt plates made of a magnetic material such as soft ferrite and arranged inside each magnet plate MAG and overlapping with it. The magnet plate M A G is formed to have a uniform thickness over the entire surface. The INN is a pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity such as copper, which are placed on the inner facing surfaces of the pair of magnetic shunt plates HOM and overlapped therewith. These inclined plates INN are inclined plates I
It is formed with an inclined surface having an inclination angle substantially equal to that of NM and in an opposite direction. The inclined plate INM, magnet plate MAG, magnetic shunt plate HOM, and inclined plate INN are arranged in a stacked manner and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as magnet body), when the entire laminated plate magnet body is formed. The thickness is uniform over almost the entire surface.

一対の磁石体BIMはケースRFSの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。
A pair of magnet bodies BIM are adhered to a central flat part surrounded by the constriction part of the case RFS.

BICは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である。バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去)
する場合に駆動される。SHIは前記チップCHIを搭
載した基板FPCおよび磁気回路PFCを収納したケー
スRFSと、その外側で、一対の磁石体BIMa、BI
MbおよびバイアスコイルBICを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース(以下シールドケースと称
する)である。シールドケースS HIの材料としては
、透磁率μが高く、飽和磁束密度Bsが大きく、Hcの
小さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトがそ
のような特性を持っているが、本実施例では折り曲げ加
工に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄・
ニッケル合金が選択された。PKGは前記シールドケー
スSHIの外周面に接着あるいははめ込みにより取り付
けられた熱伝導率が高く、加工のし易いAflのような
材質からなるパッケージングケースである。GNPは前
記基板FPCの4隅から延長して設けられ、シールドケ
ースS HIの背面に折り返された外部接続端子に接触
するように配置されたコンタクトパッドである。TEF
は各コンタクトパッドGNPを開口部の段差部で支持固
定する絶縁性部材からなる端子固定板である。REGは
パッケージングケースPKGの内側4隅に封入されかつ
シールドケースRFS組立体をパッケージングケースP
KG内部に固定する樹脂モールド剤である。
BIC is a bias magnetic field generating coil (
(hereinafter referred to as bias coil). The bias coil BIC adjusts the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, and when testing for the presence or absence of unnecessary bubble generation, it clears all bubbles on the chip CHI.
It is driven when SHI includes a case RFS that houses the board FPC on which the chip CHI is mounted and the magnetic circuit PFC, and a pair of magnet bodies BIMa and BI on the outside.
This is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as shield case) made of a magnetic material that houses Mb and bias coil BIC. As the material for the shield case S HI, a magnetic material with high magnetic permeability μ, large saturation magnetic flux density Bs, and small Hc is preferable, and permalloy and ferrite have such characteristics, but in this example, bending Permalloy iron, which is suitable for
A nickel alloy was chosen. PKG is a packaging case made of a material such as Afl, which has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer peripheral surface of the shield case SHI by adhesion or fitting. GNP are contact pads extending from the four corners of the board FPC and arranged to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. TEF
is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at the stepped portion of the opening. REG is sealed in the four inner corners of packaging case PKG, and the shield case RFS assembly is sealed in packaging case P.
This is a resin molding agent that is fixed inside the KG.

(全体構造の特長 第1,2図) 第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第3図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。
(Features of the overall structure, FIGS. 1 and 2) The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are enumerated as follows. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanations that follow from Figure 3, but here we will focus on the relationships between each component. The features are described below.

(1)回転磁界発生コイルPFCを額縁型にして、バブ
ルメモリチップCHIをその面内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ」二下面をX及びXコ
イルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さは
チップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関数となる
からである。
(1) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is shaped like a picture frame and the bubble memory chip CHI is arranged on the same plane within the frame, the thickness of the entire bubble device can be reduced. This is because in the current mainstream technology, the lower surface of the chip is wrapped round and round with X and X coils, so the overall thickness of the device is a function of the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness.

(2)Xコイル及びXコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてXコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and the X coil are arranged on almost the same plane, there are the following effects compared to the conventional structure in which the X coil is wound on top of the X coil.

■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
■The total winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.

■Xコイル及びXコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。
(2) The distance between the X coil and the X coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be made balanced.

(3)回転磁界発生コイルPFCを導体ケースRFSで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIに対す
る駆動効率を高められる。
(3) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is surrounded by the conductor case RFS, leakage of magnetic flux is reduced and drive efficiency for the chip CHI can be increased.

(4)導体ケースPFSは、回転磁界Hr発生コイルP
FCから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
BIMに漏れるのを防ぎ、他方磁石体BIMからチップ
CHIへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。
(4) The conductor case PFS is a rotating magnetic field Hr generating coil P
It prevents the alternating current magnetic field generated from the FC from leaking to the magnet body BIM with a large magnetic permeability μ, and on the other hand, substantially blocks the passage of the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb that should be applied from the magnet body BIM to the chip CHI. There is an option not to.

(5)導体ケースPFSとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。
(5) Since the conductor case PFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly.

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。
Therefore, when a multiple-chip mounting configuration is used to increase manufacturing yields, variations in the inclination angle between chips have a large effect on magnetic properties, but according to this embodiment, variations in the inclination angle between chips can be reduced. It can be held small.

(6)配線基板としてフレキシブルフィルム基板FPC
を使用しているため下記の効果が得られる。
(6) Flexible film board FPC as a wiring board
By using , the following effects can be obtained.

■基板厚を小さくできる。■The board thickness can be reduced.

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボン−12= ディング部分が占める厚さを小さくできる。
■Since the lead bonding method can be used, the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.

■上記の、■の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石MAGを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。
■The effect of ■ above is due to the magnetic circuit gap (magnetic permeability μ
A bias magnet MAG having a small thickness or a small planar area can be used, which leads to a thinner overall device or a smaller planar area.

■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の180゜の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, the terminal portion can be turned over by 180°, and the planar area of the entire device can be limited.

■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.

(7)配線基板FPCの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースRFSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the external wiring of the wiring board FPC is concentrated at the corners of the rectangle, the opening of the rotating magnetic field confinement case RFS can be provided at the corner where the influence is least.

(8)傾斜板INNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the inclined plate INN is not combined with the magnet or magnetization function, the following effects are obtained.

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。
■Materials with good workability, such as copper, can be used to form the slope.

■熱導率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。
■Materials with good thermal conductivity such as copper can be used, and the heat generated by the rotating magnetic field generating coil COI can be efficiently dissipated.

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板HO
Mを通る磁界を乱さないようにすることができる。
■By using non-magnetic material, magnetic shunt plate HO
It is possible to avoid disturbing the magnetic field passing through M.

(9)傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石M A 
Gや整磁板HOMに比べて、傾斜角形成に必要十分なと
ころに制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成
を容易としている。
(9) It is preferable that the inclined plate INN be as thin as possible in order to reduce the magnetic gap.
Compared to G and magnetic shunt plate HOM, by restricting the angle of inclination to the area necessary and sufficient for forming the inclination angle, it is easier to form the inclination angle with a thinner thickness.

(■0)磁石M A GとシールドケースS HI間に
は、透磁率μの大きいソフトフェライトのような板TN
Mが挿入されているので、その間の磁気的ギャップを埋
めることができる。また、板INMは放熱にも寄与する
。板INMとしては磁石MAGよりも保持力Heの小さ
い材料を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを均
一なままにしておくことができる。
(■0) Between magnet M A G and shield case S HI, a plate TN such as soft ferrite with high magnetic permeability μ
Since M is inserted, the magnetic gap between them can be filled. The plate INM also contributes to heat radiation. Since a material having a smaller coercive force He than that of the magnet MAG is selected for the plate INM, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.

(11)シールドケースS HIは透磁率μの大きいパ
ーマロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石MAG
を磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので
、磁石MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(11) Since the shield case S HI is made of a magnetic material such as permalloy with a large magnetic permeability μ, the magnet MAG
Since the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnetic field source as the magnetic field source can be reduced, the thickness and planar area of the magnet MAG can be reduced.

(12)シールドケースSHIは飽和磁束密度Bsの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップCHIに伝えない働
きがある。
(12) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Bs, it has the function of bypassing external magnetic field noise and preventing it from being transmitted to the chip CHI.

(13)上記(11) 、 (12)はそれぞれ、シー
ルドケースSHHの厚さを薄くすることにつながる。
(13) The above (11) and (12) each lead to reducing the thickness of the shield case SHH.

(14)シールドケースSHIはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。
(14) Since the shield case SHI uses an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and protects the parts incorporated therein against external mechanical forces.

(15)回転磁界発生コイルPFCとバイアスコイルB
Icを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スS HI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高
めることができる。
(15) Rotating magnetic field generating coil PFC and bias coil B
Since both ICs are core-type, the storage efficiency or packaging density within the packaging case SHI or PKG can be increased.

(16)コアーCORと整磁板HOMとの間にはケース
RFSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。
(16) Since the case RFS is inserted between the core COR and the magnetic shunt plate HOM, the interval can be finely adjusted by adjusting the thickness of the rotating magnetic field confinement case RFS and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI. . The shorter this distance is, the smaller the overall planar size can be, leading to lower power consumption by reducing the coil length.

しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石MAGから
の直流バイアス磁界Hbが透磁率の高いコアーCORに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は一上記特性上非
常にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にで
きる。
However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field Hb from the magnet MAG will leak to the core COR having high magnetic permeability, and the uniformity of the bias magnetic field in the chip peripheral portion will deteriorate. Therefore, this distance is very critical due to the above-mentioned characteristics, and according to the present structure, it can be precisely adjusted.

(17)回転磁界閉じ込めケースRFSの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易であ
る。
(17) Since the constriction portion is provided around the rotating magnetic field confinement case RFS, alignment of the magnet body BIM is easy.

(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に180゜の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板HOMや1対の磁石M
AGをほぼ平行に合せることができる。
(18) The inclined plate INN is made by arranging two plates made under the same manufacturing conditions so that there is a rotation angle difference of 180° between the top and bottom surfaces of the chip, so that the two plates are made under the same manufacturing conditions. A pair of magnetic shunt plates HOM and a pair of magnets M are arranged.
AG can be aligned almost parallel.

(組立の概要 第3図) 第3図は前述した磁・気バブルメモリデバイスを構成す
る各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組
み立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示し
ている。同図において、まず、4隅に突出して入出力配
線の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板
FPC上に2個のチップCHI ’tr搭載した基板組
立体BNDを、底面に点線で示した位置に絶縁性シート
を接着配置した外側ケースRFSa内に配置し、さらに
この基板FPC上に磁気回路PFCを組み込んだ後、シ
リコーン材脂5IR(図示せず)を充填しその上部に内
側ケースRFSbを外側ケースRFSaに対して組み込
み、外側ケースRFS aと内側ケ−スRFSbとの側
面接触部分を半田付等により電気的に接続する。次にこ
れらの外側ケースRFSaおよび内側ケースRFSbの
外面に設けられている凹状の絞り部に上側磁石体B I
 M aおよび下側磁石体BIMbを配置した後、この
−上側磁石体B I M aの外縁部と内側ケースRF
Sbの内側とで形成される図示しない隙間に整列巻きさ
れたバイアスコイルBICを配置し、これらを外側ケー
スS HI a内に収納し、更に内側ケース5HIbを
組み込み、外側ケースS HI aと内側ケース5HI
bとの側面接触部分を溶接等により磁気的に接続する。
(Overview of assembly Fig. 3) Fig. 3 is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each component constituting the above-mentioned magnetic/magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. ing. In the figure, first, a board assembly BND is mounted on a board FPC, which has connection parts for input/output wiring protruding from the four corners and an element mounting part in the center, and two chips CHI'tr mounted on the bottom surface. After placing an insulating sheet in the outer case RFSa with adhesively arranged at the position indicated by the dotted line, and further incorporating a magnetic circuit PFC on this board FPC, silicone resin 5IR (not shown) is filled and the upper part is filled with silicone resin 5IR (not shown). The inner case RFSb is assembled into the outer case RFSa, and the side contact portions of the outer case RFSa and the inner case RFSb are electrically connected by soldering or the like. Next, the upper magnet body B I
After arranging M a and the lower magnet BIMb, the outer edge of the upper magnet B I M a and the inner case RF
A bias coil BIC wound in alignment is arranged in a gap (not shown) formed between the inside of the Sb, and these are housed in the outer case S HI a.The inner case 5 HIb is further incorporated, and the outer case S HI a and the inner case are assembled. 5HI
Magnetically connect the side contact portion with b by welding or the like.

次に内側ケース5HIbの4隅から突出している前記基
板FPCの外部接続端子接続部をこの内側ケース5HI
bの背面に第4図Bに示すように折り返し、一定形状を
有するように組み合わせて配置し、これらの接続部にそ
れぞれ設けられている半田等で被覆された各外部接続端
子に、図示しないコンタクトパッドCOPを各開口部に
搭載した端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等によ
り各外部接続端子とコンタクトパッドCOPを半田付等
により電気的に接続させる。次にこれらの組み立て体に
パッケージングケースPKG内に収納し、端子固定板T
EFとパッケージングケースPKGの接触部においてハ
ーメチックシール等の封止を行って組み立てられる。
Next, connect the external connection terminal connection portions of the board FPC protruding from the four corners of the inner case 5HIb to the inner case 5HIb.
As shown in FIG. 4B, the connectors are folded back on the back side of B and arranged in combination to have a certain shape, and contacts (not shown) are attached to each external connection terminal covered with solder or the like provided at each of these connection parts. A terminal fixing plate TEF with a pad COP mounted in each opening is placed in contact with the terminal fixing plate TEF, and each external connection terminal and contact pad COP are electrically connected by soldering or the like by thermocompression bonding or the like. Next, these assembled bodies are stored in the packaging case PKG, and the terminal fixing plate T is attached.
The EF and the packaging case PKG are assembled by sealing with a hermetic seal or the like at the contact area.

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.

(フレキシブル配線基板 第4図) 第4図は基板FPCを示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは同
図Aの4C−4G拡拡大面図、同図りは同図Aの4D−
4D拡拡大面図である。同図において、基板FPCは、
中央部に角形状の素子保護部1と、この4隅に巾の小さ
い折り曲げ部2 (2a、2b、2c、2d)と、この
先端部に角形状の外部接続端子接続部(以下接続部と称
する)3 (3a、3b、3c、3d)とを有し、全体
形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、ま
た、この素子保護部1の対向辺側には後述する2個のチ
ップCHIを搭載しその端子部を接続させる2重枠構造
の矩形状開口部4(4a、4b)および位置決め用の3
個の穿孔5(5a、5b、5c)が設けられ、さらに1
個の接続部3Cの先端には位置決め用の基板突出部6が
設けられている。
(Flexible wiring board Fig. 4) Fig. 4 is a diagram showing a board FPC, where A is a plan view thereof and B is a layout in which the connection parts of external connection terminals protruding from the four corners are folded back and combined. Plan view C is an enlarged cross-sectional view of 4C-4G of figure A, and the same figure is 4D- of figure A.
It is a 4D enlarged sectional view. In the same figure, the board FPC is
There is a square element protection part 1 in the center, small bent parts 2 (2a, 2b, 2c, 2d) at the four corners, and a square external connection terminal connection part (hereinafter referred to as connection part) at the tip. ) 3 (3a, 3b, 3c, 3d), and the overall shape is approximately windmill-shaped and is integrally formed. rectangular openings 4 (4a, 4b) with double frame structure to which chips CHI are mounted and their terminals connected, and 3 for positioning.
perforations 5 (5a, 5b, 5c) are provided, and one
A board protrusion 6 for positioning is provided at the tip of each connecting portion 3C.

また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Aに示すような配線用リード9a、
円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用端
子9c。
In addition, as shown in FIG. C, this FPC board is made by forming a copper thin film on a base film 7 made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μm, for example, via an epoxy adhesive 8, and then applying the copper thin film to the desired shape. By etching into a pattern shape, wiring leads 9a as shown in FIG.
A circular external terminal 9b and an oval coil lead connection terminal 9c.

記号9dおよびインデックスマーク9e等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム10が接着配置されている。そして、この基板FP
Cの開口部4においては、図示しないチップCHI搭載
側となるベースフィルム7が高い精度の寸法で開口が形
成され、また、その上面側カバーフィルム10には比較
的寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム
7とカバーフィルム10との間には配線用リード9aが
露出し、この配線用リード9aの表面には錫メッキ層1
1が形成され、開口形状が2層構造でかつ2重枠構造を
有して形成されている。
Patterns such as symbols 9d and index marks 9e are formed, and a transparent or semi-transparent cover film 10 is adhered to the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. And this board FP
In the opening 4 of C, an opening with highly accurate dimensions is formed in the base film 7 on which the chip CHI (not shown) is mounted, and an opening with relatively large dimensions is formed in the cover film 10 on the upper surface side. Further, a wiring lead 9a is exposed between the base film 7 and the cover film 10, and a tin plating layer 1 is formed on the surface of the wiring lead 9a.
1 is formed, and the opening shape is formed to have a two-layer structure and a double frame structure.

一方、接続部3においては、同図りに示すようにカバー
フィルム10.の前記円形状外部端子9bおよび図示し
ない楕円状の外部端子9cと対応する部位に円形状の開
口12が形成され、その間口12から露出した外部端子
9b、9c銅薄膜パターン上にはめっき或いはディップ
等による半田層13が形成されている。そして、これら
の接続部3に設けられた各外部端子9b、9cは各接続
部3a、3b、3c、3dおよび折り曲げ部2a、2b
、2c、2d並びに素子保護部1上に連続して形成され
た各配線用リード9aに接続され、これらの配線用リー
ド9aは素子搭載部1に設けられた各開口部4a、4b
の開口端の一部に各接続部3a、3b、3c、3dのブ
ロック毎に集結してその先端部が各開口部4a、4.b
内に露出されている。すなわち同図Aに示すように接続
部3aの配線用リード9aは開口部4aの左−ヒ部に、
接続部3bの配線用リード9aは開口部4bの左下部に
、接続部3cの配線用リード9aは開口部4aの右上部
に、また接続部3dの配線用リード9aは開口部4bの
右下部にそれぞれ配線されている。
On the other hand, in the connecting portion 3, a cover film 10. A circular opening 12 is formed in a portion corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown), and the copper thin film pattern of the external terminals 9b and 9c exposed from the opening 12 is plated or dipped. A solder layer 13 is formed by, for example. The external terminals 9b, 9c provided on these connecting portions 3 are connected to the connecting portions 3a, 3b, 3c, 3d and the bent portions 2a, 2b.
, 2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the element protection part 1, and these wiring leads 9a are connected to each opening 4a, 4b provided in the element mounting part 1.
The connection parts 3a, 3b, 3c, 3d are gathered in blocks at a part of the opening ends of the openings 4a, 4. b
exposed inside. That is, as shown in FIG.
The wiring lead 9a of the connecting portion 3b is located at the lower left of the opening 4b, the wiring lead 9a of the connecting portion 3c is located at the upper right of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connecting portion 3d is located at the lower right of the opening 4b. are wired to each.

そして、この基板FPCは、後工程で各接続部3a、3
b、3c、3dが各折り曲げ部2a、2b。
Then, this board FPC is connected to each connection part 3a, 3 in a later process.
b, 3c, and 3d are the respective bent portions 2a, 2b.

2c、2dで折り曲げられて同図Bに示すように組み合
わされ、半田層13を形成した各外部端子9b、9cが
表面に露出し、また、配線用リード9a、記号9dおよ
びインデックスマーク9eは表面がカバーフィルム1−
0により被覆されているので、これらのパターンはカバ
ーフィルム1oを透かして容易に判読できるように構成
されている。
2c and 2d are bent and assembled as shown in FIG. is cover film 1-
0, these patterns are configured so that they can be easily read through the cover film 1o.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部1の4隅に各折り曲げ部2
a、2b、2c、2dを介して各接続部3a、3b、3
c、3dを設けた風車状に構成し、これらの各接続部3
a、3b、3c、3dを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部1と接続部とが2
層配線構造となるので、接続部3の面積を小さくするこ
となく、素子保護部1の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。
In such a configuration, the substrate FPC uses a polyimide resin film, and each bent portion 2 is provided at the four corners of the element protection portion 1.
Each connection 3a, 3b, 3 via a, 2b, 2c, 2d
c, 3d, and each of these connecting parts 3
By folding and combining a, 3b, 3c, and 3d to form the external terminal section, the element protection section 1 and the connection section are separated into two parts.
Since it has a layered wiring structure, the area of the element protection part 1 can be increased without reducing the area of the connection part 3, and at the same time, it is possible to increase the number of external terminals, and the overall shape can be made smaller. .

また、このような構成において、各外部端子9bから素
子保護部1の各開口部4a、4bまでの配線リード9a
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちS/N比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部3cの一端に
基板突出部6を設けるとともに、この突出部6にインデ
ックスマーク9eを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースRFSおよび5H
I(第2図参照)に組み込む際の位置合せ用、配線リー
ド9aの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の判
別に利用してその判別が容易となるので、組み立ておよ
び基板管理等を合理化=23− することができる。また、基板FPCの素子保護部1の
両端側に穿孔5a、5b、5cを設けたことにより、基
板FPCの左右の区別、チップCH■の位置決め等が容
易となり、同様に組み立て性を合理化することができる
In addition, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the element protection part 1
Since the time can be significantly shortened, the influence of external noise etc. can be significantly reduced. That is, signals with a high S/N ratio can be input and output. Furthermore, a board protrusion 6 is provided at one end of the connecting part 3c, and an index mark 9e is provided on this protrusion 6, so that it can be used for displaying the central part of the board when folded back and assembled.
I (see Figure 2) for positioning, distinguishing the type of wiring lead 9a, or displaying the product model. Rationalization = 23- can be done. Furthermore, by providing the perforations 5a, 5b, and 5c on both ends of the element protection part 1 of the FPC board, it becomes easy to distinguish between the left and right sides of the FPC board, position the chip CH, etc., and similarly streamline assembly. I can do it.

(基板組立体 第5.6.7図) 第5図は前述した基板FPCにチップCHIを搭載した
平面図を示したものである。同図において、基板FPC
の素子搭載部1には2個のチップCHIが開口部4.a
、4b間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構
成されており、このチップCHIの1個は、第6図に拡
大平面図で示すようにIMbチップの2ブロツクが一体
化して構成され、2個のチップCHIでは4ブロツク、
合計で4. M bチップを構成している。なお、第6
図に示したチップCHIの1ブロツクにおいて、太線は
導体パターン、細線はシェブロンパターン転送路をそれ
ぞれ示している。また、第5図に示したチップCHIは
、第7図A、第7図Bにそれぞれ拡大断面図で示すよう
にチップCHIの端部に=24− 金メッキして設けられた各ポンディングパッド14と、
基板FPC開口部4の錫メッキ層11が形成された配線
用リード9aとの間に金バンプ15を介在させて熱圧着
法にによるA u −S n共晶によりリードボンディ
ングされて搭載されている。
(Substrate Assembly Figures 5.6.7) Figure 5 shows a plan view of the chip CHI mounted on the FPC substrate described above. In the same figure, the board FPC
Two chips CHI are placed in the element mounting section 1 through the opening 4. a
, 4b are arranged in parallel to form a board assembly BND, and one of the chips CHI is constructed by integrating two blocks of IMb chips, as shown in an enlarged plan view in FIG. , 4 blocks for 2 chips CHI,
4 in total. It constitutes the Mb chip. In addition, the 6th
In one block of the chip CHI shown in the figure, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths, respectively. The chip CHI shown in FIG. 5 also has bonding pads 14 provided at the ends of the chip CHI by gold plating, as shown in enlarged cross-sectional views in FIGS. 7A and 7B, respectively. and,
A gold bump 15 is interposed between the tin plated layer 11 of the substrate FPC opening 4 and the wiring lead 9a formed thereon, and lead bonding is carried out using Au-Sn eutectic using a thermocompression bonding method. .

このような構成によれば、基板FPCの開口部4、a、
4bの配線用リード9aとチップCHIのポンディング
パッド1.4とがA u −S n共晶によるリードボ
ンディングにより接続されてチップCHIが支持固定で
きるので、接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形
化が可能となる。また、チップCHIの表面が基板FP
Cの素子搭載部1により被覆されるので、チップCHI
の表面が保護され、ハンドリング性を向上させることが
できるとともに、基板FPCの機械的強度を保持するこ
とができる。また、このような構成によれば、各チップ
CHIが2ブロツクからなり、2個のチップCHIは4
ブロツクで構成されているので、各ブロックをそれぞれ
最も近接する各接続部3 a +3b、3c、3dへ分
配して配線でき、チップCHI配置の対称性が得られ、
試験、検査等が極めて容易となる。さらに基板FPCに
4個の接続部3a、3b、3c、3dを設けているので
、各チップCHHの磁気バブル検出器DETおよびマツ
プループ等の配線を他の機能配線と区別して1個所の接
続部に集結させ、この接続部を雑音発生源から遠ざける
部位に選定して配置することにより、雑音の極めて少な
い入出力信号を授受することができる。
According to such a configuration, the openings 4, a,
The wiring lead 9a of 4b and the bonding pad 1.4 of the chip CHI are connected by lead bonding using Au-Sn eutectic, and the chip CHI can be supported and fixed. It becomes possible to take shape. Also, the surface of the chip CHI is connected to the substrate FP.
Since it is covered by the element mounting part 1 of C, the chip CHI
The surface of the FPC can be protected, handling properties can be improved, and the mechanical strength of the FPC board can be maintained. Furthermore, according to such a configuration, each chip CHI consists of two blocks, and two chips CHI consist of four blocks.
Since it is composed of blocks, each block can be distributed and wired to the nearest connection parts 3a + 3b, 3c, and 3d, and symmetry in the chip CHI arrangement can be obtained.
Tests, inspections, etc. become extremely easy. Furthermore, since four connection parts 3a, 3b, 3c, and 3d are provided on the FPC board, the wiring for the magnetic bubble detector DET and maple loop of each chip CHH can be separated from other functional wiring and connected to one connection part. By selecting and arranging this connecting portion at a location away from the noise generation source, input/output signals with extremely low noise can be exchanged.

(駆動磁気回路 第8,9図) 第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図A゛は斜
視図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。
(Drive Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFC, in which figure A is a perspective view and figure B is a plan view showing the drive magnetic circuit.

同図において、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる
額縁形のコアCOl?、の互いに平行な対向する辺上に
、矢印方向に巻線を施して4組のコイル20a、20b
、20c、20dからなるコイルCOIが巻設され、互
いに対向する辺上のコイル20aと20bとを接続点2
1bを介して直列巻きさせてXコイル22aを、コイル
20cと20dとを接続点21aを介して直列巻きさせ
てYコイル22bをそれぞれ構成している。
In the figure, the magnetic circuit PFC has a frame-shaped core COI made of soft magnetic material. , windings are made in the direction of the arrows on opposite sides parallel to each other to form four sets of coils 20a and 20b.
, 20c, and 20d are wound, and the coils 20a and 20b on opposite sides are connected to the connection point 2.
The X coil 22a is formed by winding the coils 20c and 20d in series through the connecting point 21a, and the Y coil 22b is formed by winding the coils 20c and 20d in series through the connection point 21a.

そして、Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の
90度累々る電流IxおよびIy(例えば三角非電流)
を供給することにより、同図Bに示すようにX軸方向に
漏洩磁界Hzが、y軸方向には漏洩磁界Hyが発生し、
前述した2個のチップCHIに回転磁界として供給され
る。
Then, the currents Ix and Iy (for example, triangular non-current) whose phase is accumulated by 90 degrees in the X coil 22a and the Y coil 22b
As shown in Figure B, a leakage magnetic field Hz is generated in the X-axis direction and a leakage magnetic field Hy is generated in the y-axis direction.
It is supplied as a rotating magnetic field to the two chips CHI mentioned above.

また、このように構成される磁気回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア23に巻線を複数ブロック毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a、20bからなる一対のXコイル22aを形成した後
、各コイル20aと20bとの間に一定のl]を有する
幅の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削加工
して設け、しかる後、この幅の小さい溝26部分から切
断して両者に分割された幅の広い溝25を互いに直交す
る方向に組み合わせて接着し、第8図に示すように額縁
形に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝25およ
び幅の小さい溝26を予め形成した直方体コア23にコ
イル20a、20bをタップ24を介して巻設し、一対
のXコイル22aを形成してもよい。また、前述した一
対のYコイル22bについても全く同様に形成される。
In addition, the magnetic circuit PFC configured in this manner has windings arranged around a rectangular parallelepiped magnetic core 23 made of one soft magnetic material with taps 24 for each block, as shown in a perspective view in FIG.
are provided and wound in series to form a pair of coils, for example coil 20.
After forming a pair of X coils 22a consisting of coils 20a and 20b, a wide groove 25 having a constant l] and a narrower groove 26 are cut and provided between each coil 20a and 20b, Thereafter, the wide grooves 25 that are cut from the narrow groove 26 are assembled and glued together in directions orthogonal to each other to form a picture frame shape as shown in FIG. Alternatively, the pair of X coils 22a may be formed by winding the coils 20a and 20b through the taps 24 around the rectangular parallelepiped core 23 in which the wide groove 25 and the narrow groove 26 described above are formed in advance. . Furthermore, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア23にコイ
ル20a、20bを直列方向にタップ24を設けて巻設
しているので、第8図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル22aとYコイル2
2bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路PFCはチップCHIの上、下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
2b has a symmetrical structure, resulting in a rough coupling,
The inductance balance is improved, and magnetic interference between magnetic bodies due to leakage magnetic fields can be prevented. Further, since the magnetic circuit PFC has a frame-shaped structure that is not placed on the upper or lower surface of the chip CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.

(回転磁界閉込めケース 第10.11.12図)第1
0図はケースRFSを示す図であり、同図Aは平面図、
同図Bはそのl0B−l0B断面図である。同図におい
て、内側ケースRFSbは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部30と、その対向端辺が上方向にほぼ9
0度折り曲げられた折り曲げ部31と、その各4隅が斜
め方向に切断された切り欠き部32とをそれぞれ有して
構成されており、このケースRFSbは良導電性材料、
例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。こ
の場合、絞り部30および折り曲げ部31はこの内側ケ
ースRFSbのねじれ方向の機械的強度を向上させると
ともに、互いに対向する折り曲げ部31相互間の縦横方
向の外径寸法りを適宜制限することができる。また、絞
り部30は、このケースRFSbの外面側に配設される
磁石体BIMbと、内面側に配置されるチップCHIと
の間の距離を適宜調整することができる。なお、4隅に
設けた切り欠き部32は、このケースRFSb内に配設
される基板FPCの各折り曲げ部2a。
(Rotating magnetic field confinement case Fig. 10.11.12) 1st
Figure 0 is a diagram showing the case RFS, and Figure A is a plan view.
Figure B is a sectional view taken along the line 10B-10B. In the figure, the inner case RFSb has a frame-shaped constriction part 30 whose central part is concave, and whose opposing end sides extend upward by approximately 90 degrees.
The case RFSb has a bent portion 31 bent at 0 degrees and cutout portions 32 cut diagonally at each of its four corners, and the case RFSb is made of a highly conductive material,
For example, it is formed by pressing an oxygen-free copper plate. In this case, the constricted portion 30 and the bent portion 31 can improve the mechanical strength of the inner case RFSb in the torsion direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 31 facing each other. . Further, the aperture section 30 can appropriately adjust the distance between the magnet body BIMb arranged on the outer surface side of the case RFSb and the chip CHI arranged on the inner surface side. Note that the cutout portions 32 provided at the four corners are each bent portion 2a of the board FPC disposed within this case RFSb.

2b、2c、2dの引出し部分を形成している。It forms the drawer parts 2b, 2c, and 2d.

このような構成によれば、内側ケースRFSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。
According to such a configuration, the inner case RFSb can be formed by a press working method, and therefore can be manufactured with high precision dimensions and at low cost.

なお、内側ケースRFSbは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。
Note that, although oxygen-free copper is used for the inner case RFSb, a plate material made of copper, silver, gold plate, or an alloy plate thereof may be used.

第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは甲面図、同図
Bはその11.8−1. i B断面図である。同図に
おいて、この外側ケースRF S aは、前述した内側
ケースRF S bと同等の材料および製作法により形
成され、その構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状
となる枠形状の絞り部33と、その対向端辺が」二方向
にほぼ90度に折り曲げられた折り曲げ部34と、その
各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部35とを有し
て構成されている。この場合、互いに対向する折り曲げ
部34は、その相互間の内側寸法が、前述した内側ケー
スRFSbの折り曲げ部31相互間の外側寸法りとほぼ
同等値を有しかつ高さHを大きくして形成されている。
FIG. 11 is a diagram showing an outer case RFSa corresponding to the inner case RFSb described above, in which FIG. 11A is a top view and FIG. 11B is a 11.8-1. iB sectional view. In the same figure, this outer case RF S a is formed using the same materials and manufacturing method as the above-mentioned inner case RF S b, and its structure is almost the same as above, with a frame-shaped constriction part with a concave center. 33, a bent portion 34 whose opposing end sides are bent at approximately 90 degrees in two directions, and a notch portion 35 cut diagonally at each of its four corners. In this case, the mutually opposing bent portions 34 are formed so that the inner dimensions thereof are approximately the same as the outer dimensions between the bent portions 31 of the inner case RFSb described above, and the height H is increased. has been done.

なお、この絞り部33および切り欠き部35は前述した
内側ケースRFSbとほぼ同等の寸法を有して形成され
ている。
Note that the constricted portion 33 and the notch portion 35 are formed to have substantially the same dimensions as the aforementioned inner case RFSb.

このように構成された外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースRFSbは、第12図Aにその平面図、第12図B
に1−2 B−12B断面図でそれぞれ示すように外側
ケースRFSa内に内側ケースRFSbを挿入し、外側
ケースRF S aの折り曲げ部31の外面とを互いに
接触させて接続することにより、一体化させケースRF
Sが組み立てられる。
The outer case RFSa and the inner case RFSb configured in this way are shown in a plan view in FIG. 12A and in FIG. 12B.
As shown in the 1-2 B-12B cross-sectional view, the inner case RFSb is inserted into the outer case RFSa, and the outer surfaces of the bent portions 31 of the outer case RFSa are brought into contact with each other and connected. case RF
S is assembled.

(ケース組立体 第13図) 第13図は前述したケースRFS内に基板組立体BNI
”3を収納配置した断面図を示したものである。同図に
おいて、外側ケースRFSaの底面には、電気的絶縁性
シートとして、例えば厚さ約0゜1m程度のポリイミド
フィルム36が接着配置され、このフィルム36上には
基板組立体BNDが、また、その周縁部には磁気回@F
PCがそれぞれ配置され、されに基板組立体BNDの上
面にエポキシ系の接着剤37を塗布した後、これらの上
方31一 部には内側ケースRFSbが挿入されて接合配置されて
いる。この場合、この外側ケースRFSaの折り曲げ部
34の内面と内側ケースRFSbの折り曲げ部31の外
面とがX印で示す部分でメタルフローあるいは半田付等
により電気的9機械的に接合されている。また、この外
側ケースRFSaと内側ケースRFSbとの間の隙間部
分にはシリコーン樹脂SIRが充填され基板組立体BN
Dおよび磁気回路PFCが固定配置されている。なお、
この場合、これらの外側ケースRFS aおよび内側ケ
ースRFSbの4隅に設けられた図示しない各切り欠き
部32.35には基板FPCの折りIl1口f部2 (
2a、2b、2a、2d)が外部へ引出されている。3
8はコイルCOI同志の接続またはコイルCOIと基板
FPC上に設けられた外部端子9cを接続するためのリ
ード線である。
(Case assembly Figure 13) Figure 13 shows the board assembly BNI in the case RFS mentioned above.
In this figure, a polyimide film 36 with a thickness of about 0.1 m, for example, is adhesively arranged on the bottom surface of the outer case RFSa as an electrically insulating sheet. , on this film 36 is a substrate assembly BND, and on its periphery is a magnetic circuit @F.
After the PCs are respectively arranged and an epoxy adhesive 37 is applied to the upper surface of the board assembly BND, an inner case RFSb is inserted into a part of the upper part 31 of these and is arranged to be bonded. In this case, the inner surface of the bent portion 34 of the outer case RFSa and the outer surface of the bent portion 31 of the inner case RFSb are electrically and mechanically joined by metal flow, soldering, etc. at the portion indicated by the X mark. Furthermore, the gap between the outer case RFSa and the inner case RFSb is filled with silicone resin SIR to form the board assembly BN.
D and magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In addition,
In this case, the notches 32 and 35 (not shown) provided at the four corners of the outer case RFSa and the inner case RFSb have the folded Il1 opening f part 2 (
2a, 2b, 2a, 2d) are drawn out. 3
8 is a lead wire for connecting the coil COIs or connecting the coil COI to an external terminal 9c provided on the FPC board.

このような構成において、磁気回路FPCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRFSには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に=32− 封じ込められ、したがってチップCHIには均一な回転
磁界を付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit FPC, an induced current flows through the case RFS to form a closed loop, and this induced current confines the rotating magnetic field within the case RFS. Therefore, a uniform rotating magnetic field is applied to the chip CHI.

このような構成によれば、外側ケースRF S aおよ
び内側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基
板FPCに搭載されたチップCHIを、周縁部分の凸状
部内に磁気回路PFCをそれぞれ挟持させて配置したの
でパッケージング効果が向上できるとともに、組立性が
大幅に向上できる。
According to such a configuration, the chip CHI mounted on the board FPC is held in the concave part of the central part between the outer case RF Sa and the inner case RFSb, and the magnetic circuit PFC is held in the convex part of the peripheral part. Since they are arranged in parallel, the packaging effect can be improved and the ease of assembly can be greatly improved.

また、外側ケースRF S aおよび内側ケースRFs
bで覆われる体積が減少することにより、VI積(体積
)が低減でき、回転磁界を発生させる磁気回路PFCの
小形化が可能となる。さらに外側ケースRF S aお
よび内側ケースRFS bに絞り部30.33で形成さ
れる凹状部を設は対向する凹状部間のギャップを減少さ
せることにより、回転磁界はチップCHIの平面に垂直
な成分(Z成分)が零に近接して水平な成分のみとなり
、一様性を向上させることができる。
In addition, outer case RF S a and inner case RFs
By reducing the volume covered by b, the VI product (volume) can be reduced, and the magnetic circuit PFC that generates the rotating magnetic field can be downsized. Furthermore, by providing concave portions formed by constricted portions 30 and 33 in the outer case RF S a and the inner case RFS b, the gap between the opposing concave portions is reduced, so that the rotating magnetic field has a component perpendicular to the plane of the chip CHI. (Z component) is close to zero and there is only a horizontal component, and uniformity can be improved.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which Figure A is a plan view, Figure B is a side view, and Figure C is a front view.

同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜板■NNの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第1の整磁板HOM 1と、この第1の整磁板HO
M□の上面側に配置する板厚の均一な磁石板MAGと、
この磁石板MAGの上面側に傾斜面を有する第2の整磁
板HOM2とを順次積層し、エポキシ系の接着剤により
一体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面にわ
たって均一となるように構成されている。そして、この
磁石体BIMの上、下面からはほぼ全面にわたって均一
なバイアス磁界発生用の磁界が放出される。
In the figure, the magnetic body BIM includes an inclined plate IN made of a non-magnetic material, such as copper, and one of the opposing surfaces has a predetermined inclined surface.
N, this inclined plate ■ A first magnetic shunt plate HOM 1 of uniform plate thickness arranged on the slope side of NN, and this first magnetic shunt plate HO
A magnet plate MAG with uniform plate thickness placed on the upper surface side of M□,
A second magnetic shunt plate HOM2 having an inclined surface is sequentially laminated on the upper surface side of this magnet plate MAG, and is integrated with an epoxy adhesive, so that the entire laminated plate thickness is uniform over almost the entire surface. It is configured as follows. A uniform magnetic field for generating a bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B−15B断面図である
。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線40が
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成される。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing the bias coil BIC, where A is a perspective view and FIG. B is a cross-sectional view taken along line 15B-15B. In the same figure, the bias coil BIC has a winding 40 whose outer surface is coated with an insulating member such as a thermosetting resin, and is wound in an array with a cross section of 5 x 4 wires so that the overall shape has a picture frame shape. After that, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 40 is hardened in a bundled state. Therefore, it is formed into a predetermined picture frame shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装 
第16図) 第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体BNDおよび磁気回路PFCを収納し
たケースRFS組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体B I M a下部磁石体B IMbが接着配置され
、さらにこの上部磁石体B I M aの周縁部と、内
側ケースRFSbの折り曲げ部31とで囲まれて形成さ
れる額縁状溝部にはバイアスコイルBICが収納配置さ
れている。この場合、上部磁石体B I M aと下部
磁石体B IMbとは全く同一の材料9寸法で構成され
ており、これらの磁石体BIMa、BIMbはその傾斜
板INN側が、内側ケースRFSbの絞り部30で囲わ
れた凹状部および外側ケースRFSaの絞り部33で囲
われた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。
(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
(FIG. 16) FIG. 16 is a sectional view of the case RFS assembly described in FIG. 13 incorporating the magnet body BIM and bias coil BIC. In the same figure,
An upper magnet body BI Ma and a lower magnet body B IMb are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of the case RFS assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside, respectively. A bias coil BIC is housed in a frame-shaped groove formed by being surrounded by the peripheral edge of the inner case RFSb and the bent portion 31 of the inner case RFSb. In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are made of the same material and 9 dimensions, and the inclined plate INN side of these magnet bodies BIMa and BIMb is connected to the constriction part of the inner case RFSb. 30 and the concave portion surrounded by the constriction portion 33 of the outer case RFSa in close contact with each other.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa、
BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
、薄形化が可能となる。また、外側ケースRF S a
と下部磁石体B IMbの外縁部分とで額縁状の空間溝
が形成されるので、この部分に前記バイアスコイルBI
Cを配置しても良く、また新たにバイアスコイルを設け
ても良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバ
イアスコイルを形成することもできる。
In such a configuration, a pair of magnet bodies BIMa,
Since the BIMb is placed and the bias coil BIC can be placed in the frame-shaped groove formed on the periphery of the BIMb,
The overall thickness of each component in the stacking direction is reduced, making it possible to make it smaller and thinner. In addition, the outer case RF Sa
A frame-shaped space groove is formed between the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, and the bias coil BI is inserted into this portion.
C may be arranged, a bias coil may be newly provided, and furthermore, a bias coil may be formed by winding a wire as a coil bobbin.

(磁気シールドケース 第17.18.19図)第17
図はシールドケースSHIを示す図であり、同図Aは平
面図、同図Bはその17B−17B断面図である。同図
において、外側シールドケースS HI aは、平坦部
51と、この平坦部51の対向端辺に上方向にほぼ90
度に折り返した折り曲げ部52と、この折り曲げ部52
の中央部に一部が切り欠かれた凹部53と、その各4隅
が斜め方向に切断された切り欠き部54とを有して構成
されており、このシールドケースS HI aは高透磁
率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大
きい材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成さ
れている。
(Magnetic shield case Fig. 17, 18, 19) Fig. 17
The figures show the shield case SHI, with figure A being a plan view and figure B being a 17B-17B cross-sectional view thereof. In the same figure, the outer shield case S HI a has a flat portion 51 and an end side opposite to the flat portion 51 that extends upward by approximately 90 mm.
The folded part 52 that is folded back at the same time, and the folded part 52
The shield case S HI a has a recess 53 partially cut out in the center thereof, and a notch 54 cut diagonally at each of its four corners.This shield case S HI a has a high magnetic permeability. It is formed by pressing a material having a high saturation magnetic flux density and preferably a high thermal conductivity, such as a permalloy plate.

第18図は前述した外側シールドケース5HIaに対応
する内側シールドケース5HIbを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその18B−18B断面図である
。同図において、この内側シールドケース5HIbは、
前述した外側シールドケースS HI aと同等の材料
および製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同
様に平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に」二方
向にほぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この折
り曲げ部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57と
、その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58と
を有して構成されている。この場合、互いに対向する折
り曲げ部56はその相互間の外側寸法が、前述した外側
シールドケースS HI aの折り曲げ部52相互間の
内側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高さI−■を小さく
して形成されている。
FIG. 18 is a diagram showing an inner shield case 5HIb corresponding to the above-mentioned outer shield case 5HIa, with FIG. 18A being a plan view and FIG. 18B being a 18B-18B sectional view thereof. In the figure, this inner shield case 5HIb is
It is formed using the same material and manufacturing method as the outer shield case SHI a described above, and its structure is almost the same as described above, with a flat part 55 and an opposite edge of the flat part 55 folded at approximately 90 degrees in two directions. It has a bent portion 56, a recessed portion 57 partially cut out in the center of the bent portion 56, and notched portions 58 cut diagonally at each of its four corners. In this case, the mutually opposing bent portions 56 have an outer dimension approximately equal to the inner dimension between the bent portions 52 of the outer shield case SHIa, and have a height I-■. It is made smaller.

このように構成された外側シールドケースS HTaお
よび内側シールドケース5HIbは第19図Aにその平
面図、第1−9図Bにその19 B −19B断面図で
それぞれ示すように外側シールドケースS HI a内
に内側シールドケースS HI bを挿入し、外側シー
ルドケースS I−T I aの凹部53と内側シール
ドケースS HI bの凹部57とで形成される四部5
9にスポット溶接あるいは半田溶接を施し、磁気的、機
械的に固定することにより一体化させ外側シールドケー
スS HI aが組み立てられる。
The outer shield case SHTa and the inner shield case 5HIb configured in this way are shown in FIG. 19A as a plan view and as shown in FIGS. Insert the inner shield case S HI b into the inner shield case S HI b, and remove the four parts 5 formed by the recess 53 of the outer shield case S HI b and the recess 57 of the inner shield case S HI b.
9 is subjected to spot welding or solder welding, and is magnetically and mechanically fixed to be integrated, thereby assembling the outer shield case S HI a.

このような構成において、外側シールドケースS HI
 aの折り曲げ部52および内側シールドケースS H
I bの折り曲げ部56を横方向、つまり積層方向と交
差す方向に設定することなく、積層方向に揃えて設定す
ることにより、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ
構成部品の高集積化が可能となる。
In such a configuration, the outer shield case S HI
The bent part 52 of a and the inner shield case S H
By setting the bent portion 56 of Ib in the lateral direction, that is, in the direction that intersects with the stacking direction, by aligning it with the stacking direction, the lateral dimension can be reduced, resulting in a small size and high integration of component parts. becomes possible.

(磁気シールドケース組立体 第20図)第20図は前
述したシールドケースS HI組立体内に、前記第16
図で説明した内部に基板組立体END、磁気回路FPC
を組み込んだケースRFS組立体と、一対の磁石板BI
Ma、BIMb、バイアスコイルBICとからなる組立
体を組み込んだ断面図を示したものである。同図におい
て、外側シールドケースS HI aの内部には、その
底面側から中央部に上部磁石体B I M a 、周縁
部にバイアスコイルBIC,ケースRFS組立体(内部
に基板組立体END、磁気回路PFC等が組み込まれて
いる)、下部磁石体BIMbを順次積層配置させた後、
内側シールドケースS HI bを挿人し、前述した外
側シールドケースS HI aの凹部53と内側シール
ドケース5HIbの凹部57とで形成される凹部59(
第19図参照)で溶接固定して封止される。この場合、
このシールドケースS HI内にグリース等を充填させ
ておくことにより、内部の構成部品が実質的に相互に密
着することになり、ケースRFSから発生する熱がこの
シールドケースSHIを介して外部に放出することがで
きる。また、ケースRFSとシールドケースS T(I
を圧入方式により側面で接触させる構造にして放熱効果
を向上させることができる。
(Magnetic shield case assembly Fig. 20) Fig. 20 shows the above-mentioned shield case SHI assembly.
The board assembly END and magnetic circuit FPC are inside as explained in the figure.
A case RFS assembly incorporating the BI
A cross-sectional view incorporating an assembly consisting of Ma, BIMb, and bias coil BIC is shown. In the figure, inside the outer shield case S HI a, there is an upper magnet body B I M a from the bottom side to the center, a bias coil BIC at the periphery, and a case RFS assembly (board assembly END and magnetic After sequentially stacking the lower magnet body BIMb (in which the circuit PFC etc. is incorporated),
Insert the inner shield case S HI b and insert the recess 59 (
(see Fig. 19) and is fixed and sealed by welding. in this case,
By filling this shield case SHI with grease, etc., the internal components will come into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS will be released to the outside through this shield case SHI. can do. In addition, case RFS and shield case ST (I
The heat dissipation effect can be improved by using a structure in which the parts are brought into contact with each other on the sides using a press-fitting method.

このような構成において、外側シールドケースS T(
I aの底面側にケースRFS組立体を、その折り曲げ
部31.34が対向するように積層配置させることによ
って外部シールドケースS HI aと内部シールドケ
ース5HIbとの間に積層される各構成部品が密着配置
できるので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱
効果も同時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case ST (
By stacking the case RFS assembly on the bottom side of Ia so that the bent parts 31 and 34 thereof face each other, each component stacked between the outer shield case SHIa and the inner shield case 5HIb can be stacked. Since they can be placed in close contact with each other, they can be made smaller and thinner, and a heat dissipation effect can be obtained at the same time.

(パッケージングケース 第21図) 第21図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21B断面図
である。同図において、パッケージングケースPKGは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚約0.5mmのアル
ミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されない
が、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッ
ケージングケースPKGは、前記外側シールドケース5
HIaの形状を改良して兼用させて使用することができ
る。
(Packaging case FIG. 21) FIG. 21 is a diagram showing a packaging case PKG, in which FIG. 21A is a plan view and FIG. 21B is a 21B-21B sectional view thereof. In the figure, the packaging case PKG is formed by drawing a material with good thermal conductivity, for example, an aluminum plate with a thickness of about 0.5 mm, and has a black coating on its outer surface (not shown). There is. This packaging case PKG includes the outer shield case 5.
The shape of HIa can be improved and used for both purposes.

このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するポツティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。
In such a configuration, this packaging case P
The KG serves as an outer case after the magnetic bubble memory device is completed and also functions as a heat sink, and its inner corner also functions as a mold during resin molding by the potting method described later.

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22.23図)
第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B−22B断面図、同図Cは
その背面図である。同図において、端子固定板TEFは
、電気的絶縁性を有する材料。
(Terminal fixing plate and contact pad Fig. 22.23)
FIG. 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF, in which FIG. 22A is a plan view, FIG. 22B is a sectional view taken along line 22B-22B, and FIG. 22C is a rear view thereof. In the figure, the terminal fixing plate TEF is made of an electrically insulating material.

例えばガラスエポキシ系の樹脂板60からなり、その外
形状は前記パッケージングケースPKGの開口部に対し
て挿入出自在となる縦横方向の寸法を有して形成されて
おり、またこの樹脂板60の周辺部を除く部位には多数
個の貫通孔61が縦横方向に所定の間隔をもってマトリ
ックス状の配列で穿設され、さらにこれらの貫通孔群の
角部には回転対称とはならない断面が凹状となる非貫通
孔62が設けられ、この非貫通孔62内には例えば方向
性あるいは特長を位置付ける白色の塗膜などによるマー
ク63が付着されている。また、この樹脂板60に穿設
された多数個の貫通孔61には、同図Bに示すようにそ
の背面側に口径の大きい開口64が同軸的に連通して設
けられており、これらの開口64の全ては板厚の約60
%の深さを有しかつ貫通孔61とは途中に段差を有して
連通されている。また、この樹脂板60の背面側には同
図Cに示すようにその周辺部分に沿って前記開口64の
深さとほぼ同等の深さを有しかつ平面方向の幅が異なり
その断面が凹形状となる溝65が形成され、この溝65
内は前述したコイルCOIの巻線、バイアスコイルBI
Cの巻線の通路部および接続部を構成している。また、
この樹脂板6゜の角部66は凹形状とはならず、所定の
板厚寸法を有し、前述したパッケージングケースPKG
の内側面に体して接触面を得ている。このように樹脂板
60の背面側は板厚の異なる2段構造を有して形成され
ている。
For example, it is made of a glass epoxy resin plate 60, and its outer shape is formed to have vertical and horizontal dimensions that allow it to be inserted into and removed from the opening of the packaging case PKG. A large number of through holes 61 are formed in a matrix arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in areas other than the peripheral area, and furthermore, the corners of these through holes have concave cross sections that are not rotationally symmetrical. A non-through hole 62 is provided, and a mark 63 made of, for example, a white coating film for locating directionality or features is attached inside this non-through hole 62. In addition, as shown in FIG. B, a large number of through holes 61 formed in the resin plate 60 are provided with large diameter openings 64 coaxially communicating with each other on the back side thereof, as shown in FIG. All of the openings 64 are approximately 60 mm thick of the plate.
%, and communicates with the through hole 61 with a step in the middle. Further, as shown in FIG. C, the back side of the resin plate 60 has a depth approximately equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and has a different width in the plane direction and a concave cross section. A groove 65 is formed, and this groove 65
Inside is the winding of the coil COI mentioned above, and the bias coil BI.
It constitutes the passage section and connection section of the winding C. Also,
The corner portion 66 of this resin plate 6° does not have a concave shape, but has a predetermined thickness dimension, and is used in the packaging case PKG described above.
The contact surface is obtained by touching the inner surface of the In this way, the back side of the resin plate 60 is formed to have a two-tiered structure with different plate thicknesses.

第23図はコンタクトパッドGNPを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその23B−23B断面図であ
る。同図において、コンタクトパッド(、NPは、良導
電性材料、例えば板厚約0゜5田程度の銅板をプレス加
工により打ち抜いた素片70の表面にニッケルメッキ層
71.金メッキ層72を形成して構成される。
FIG. 23 is a diagram showing the contact pad GNP, with FIG. 23A being a plan view and FIG. 23B being a sectional view taken along line 23B-23B. In the figure, contact pads (NP, NP) are formed by forming a nickel plating layer 71 and a gold plating layer 72 on the surface of a piece 70 punched out of a highly conductive material, for example, a copper plate with a thickness of approximately 0.5 mm. It consists of

(最終組立 第20.4.2図) このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースF’KG内に、第20図で説明
したシールドケース組立体を挿入すGの4隅から前記基
板組立体BNDの各接続部3a、3b、3c、3d (
第4図A参照)が各折り曲げ部2a、2b、2c、2d
から約90度で折れ曲がって突出する。次に、このパッ
ケージングケースPKGの4隅にボッティング法により
樹脂モールドを行なってこのパッケージングケースPK
G内に各個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの
各接続部3a、3b、3c、3dを対応する各折り曲げ
部2a、2b、2c、2dでさらに約90度で折り曲げ
て内側シールドケース5HIbの外面に接着剤を介して
前記第4図Bに示すように組み合わせた後、前記端子固
定板TEF背面側の各開口64内にコンタクトパッドG
NPを搭載し、あるいは更にコンタクトパッドGNPの
側面を接着剤により固着してパッケージングケースPK
Gに挿入し、各接続部3a、3b、3c。
(Final assembly Figure 20.4.2) Each component configured in this way is first assembled by inserting the shield case assembly described in Figure 20 into the packaging case F'KG described above. Connecting portions 3a, 3b, 3c, 3d (
(see Fig. 4A) are each bent portion 2a, 2b, 2c, 2d.
It bends at about 90 degrees and protrudes. Next, resin molding is performed on the four corners of this packaging case PKG by the botting method to make this packaging case PKG.
Each unique part is fixedly arranged in G. Subsequently, these connecting portions 3a, 3b, 3c, and 3d are further bent at approximately 90 degrees at the corresponding bending portions 2a, 2b, 2c, and 2d, and attached to the outer surface of the inner shield case 5HIb with adhesive as shown in FIG. After assembling as shown in B, contact pads G are inserted into each opening 64 on the back side of the terminal fixing plate TEF.
A packaging case PK is created by mounting the NP or by fixing the side surface of the contact pad GNP with adhesive.
G, and each connection part 3a, 3b, 3c.

3dに接触配置させる。この場合、各接続部3a。Place it in contact with 3d. In this case, each connection part 3a.

3b、3c、3dに設けられている各外部端子9bの配
列ピッチと各コンタクトパッドGNPの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子9bとコンタクトパッド
GNPとは電気的に接触する。。
Since the arrangement pitch of each external terminal 9b provided in 3b, 3c, and 3d matches the arrangement pitch of each contact pad GNP, each external terminal 9b and contact pad GNP are in electrical contact. .

次に配置した端子固定板TEFの裏側から各貫通孔61
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドCNPを熱圧着する事により、各外部端子9bと対応
する各コンタクトパッドGNPが電気的に接続されると
ともに端子固定板TEFも同時に機械的に固定されて第
2図に示した磁気バブルメモリデバ、イスが完成される
Next, from the back side of the terminal fixing plate TEF placed, each through hole 61
For example, by inserting a heating element with a thin tip into the contact pad CNP and thermocompressing the contact pad CNP, each external terminal 9b and the corresponding contact pad GNP are electrically connected, and the terminal fixing plate TEF is also mechanically connected at the same time. Once fixed, the magnetic bubble memory device and chair shown in FIG. 2 are completed.

(磁気バブルメモリ素子 第24.25,26.27.
28図)第24図は前述した磁気バブルメモリチップC
HIのポンディングパッドPAD近辺の断面図を示すも
のである。同図において、GGGはgadoliniu
m −gal lium −garnet基板であり、
LPEは液相エピタキシャル成長法によって形成された
バブル磁性膜であり、その組成の一例は次頁表1に示し
た通りである。
(Magnetic bubble memory element No. 24.25, 26.27.
Figure 28) Figure 24 shows the above-mentioned magnetic bubble memory chip C.
It shows a cross-sectional view of the vicinity of the bonding pad PAD of HI. In the same figure, GGG is gadoliniu
m-galium-garnet substrate,
LPE is a bubble magnetic film formed by liquid phase epitaxial growth, and an example of its composition is shown in Table 1 on the next page.

(本頁、以下余白) 表   1 1ONはハードバブル抑制のためにT−P E膜表面に
形成されたイオン打込層を示している。SPIは第1の
スペーサであり、例えば3000人の厚さのSjo、が
気相化学反応により形成される。
(This page, below in the margins) Table 1 1ON shows an ion implantation layer formed on the surface of the T-PE film to suppress hard bubbles. SPI is the first spacer, for example 3000 thick Sjo, formed by gas phase chemical reaction.

CND]及びCND2は2層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写(分割)及び交換を制御する機
能を持っており、下の第1の導体層CND1がM o 
、上の第2の導体層CND2がAU等の材料でそれぞれ
形成されている。SF3及びSF3は導体層CNDとそ
の」二に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pと
を電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁
膜(第2゜第3のスペーサ)である。PASは気相化学
反応法により形成されたSin、膜等からなるパッシベ
ーション膜である。PADはチップCHIのポンディン
グパッドを示しており、AQ線等の細いコネクタワイヤ
がここに熱圧着法や超音波法によりボンディングされる
。このポンディングパッドP A、 Dは下の第1層P
AD、がCr 、中央の第2層PAD2がAu層、上の
第3層PAD3がAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成
されており、第2層PAD2および第3層PA、D、を
Cr、Cu等の材料で形成しても良い。Pはバブルの転
送路やバブルの分割9発生、交換及び検出部更にはガー
ドレール部に用いられる層を示しており、以後の説明で
は便宜上転送パターン層と表現する。
CND] and CND2 indicate two conductor layers, which have the function of controlling bubble generation, copying (splitting) and exchange, which will be described later, and the lower first conductor layer CND1 is M o
, and the upper second conductor layers CND2 are each formed of a material such as AU. SF3 and SF3 are interlayer insulating films (second and third spacers) made of polyimide resin or the like that electrically insulate the conductor layer CND and the transfer pattern layer P of permalloy or the like formed thereon. PAS is a passivation film made of Sin, film, etc. formed by a vapor phase chemical reaction method. PAD indicates a bonding pad of the chip CHI, to which a thin connector wire such as an AQ wire is bonded by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. These bonding pads P A and D are the lower first layer P.
The second layer PAD2 in the center is made of Au layer, and the third layer PAD3 on top is made of Au plating layer.The second layer PAD2 and the third layer PA, D, are made of Cr. It may be formed of a material such as Cu. P indicates a layer used for a bubble transfer path, a bubble division 9 generation, exchange and detection section, and a guardrail section, and in the following description, it will be expressed as a transfer pattern layer for convenience.

第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P、にF
 e −N iを、上層P2にFe−Niをそれぞれ使
用しているが、前述したように両者の材質を上下入れ替
えることも可能である。
In the example of FIG. 24, this transfer pattern layer P is attached to the lower layer P, F
e-Ni is used for the upper layer P2, and Fe-Ni is used for the upper layer P2, but as described above, it is also possible to interchange the two materials vertically.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
CHIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第25図はバブル検出
器り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子MEMの」二方には2段分しか図示し
ていないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転
送していくバブルストレッチャーSTが数10段形成さ
れて=48− いる。なお、PRはバブルの転送方向を示している。E
Rはバブルの消去器であり、導体層CHDにバブルが達
したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミー
及びメイン検出の間には、3列のパターン群から成るガ
ードレールGRが設けられており、ガードレールGRの
内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出したり
、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブルがそ
の内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、第
25図以下の平面パターン図では導体層CND以外のパ
ターンは第24図で説明した転送パターン層Pを示して
いる。同図において、磁気抵抗素子MEM、MEDを多
層磁性層で形成することにより、信号対雑音比(S/N
比)が向上した。例えば、転送パターンとして各層間に
Sj、02膜を介在させた3層パーマロイ層を使用した
場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表2に示す
ようにS/N比が2倍以上向上させることができる。
Hereinafter, an example in which the transfer pattern layer consisting of multiple layers described above is applied to each part of the chip CHI will be explained using the plan views from FIG. Note that they are represented by the same contour line because they are the same. Figure 25 shows the bubble detector part, where MEM is the main magnetoresistive element, which uses the change in resistance value when bubbles stretched in a strip shape in the horizontal direction pass through it to detect the presence or absence of bubbles. Detect. MED is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field. On both sides of the main magnetoresistive element MEM, several ten stages of bubble stretchers ST are formed, although only two stages are shown, which stretch the bubbles laterally and transfer them downward. Note that PR indicates the bubble transfer direction. E
R is a bubble eraser, and when a bubble reaches the conductor layer CHD, it is erased. A guardrail GR consisting of three rows of pattern groups is provided around this detector and between the dummy and main detection. It is designed to prevent unnecessary bubbles generated on the outside from entering the inside. In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CND indicate the transfer pattern layer P explained in FIG. 24. In the same figure, by forming the magnetoresistive elements MEM and MED with multilayer magnetic layers, the signal-to-noise ratio (S/N
ratio) improved. For example, when a three-layer permalloy layer with Sj, 02 film interposed between each layer is used as a transfer pattern, the S/N ratio is more than doubled compared to that for a single layer of permalloy, as shown in Table 2 below. can be done.

表   2 また、ガードレールGRの性能も保持力Hcの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。
Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail GR is also improved, such as by increasing the removal rate of unnecessary bubbles due to the reduction in the holding force Hc.

第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより。
FIG. 26 shows a magnetic bubble generator GEN in which the transfer pattern layer P is multilayered.

磁気バブルの発生電流を小さくすることができ、磁気バ
ブル発生器の導体層CNDの寿命を長くすることが可能
となった。従って、導体層CNDの駆動回路も電流容量
値の小さい半導体素子が使用でき、低価格化が可能とな
る。
The current generated by magnetic bubbles can be reduced, and the life of the conductor layer CND of the magnetic bubble generator can be extended. Therefore, a semiconductor element with a small current capacity value can be used for the drive circuit of the conductor layer CND, and the cost can be reduced.

第27図はP a ” P h等の転送パターンで形成
されたマイナループm、Pw、〜PW3等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインWML及び
ヘアピン状導体層CNDで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、P7は第26図のバブル
発生器GENにおける転送パターンP7と同一のもので
あり、言い換えればバブル発生器GENで発生されたバ
ブルはP。
FIG. 27 shows a swap gate section formed of a write major line WML formed of transfer pattern rows such as minor loops m, Pw, to PW3 formed of transfer patterns such as P a "P h, and a hairpin-shaped conductor layer CND. In the same figure, P7 is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEN of FIG. 26. In other words, the bubble generated by the bubble generator GEN is P.

〜P7の転送路を通って書き込みメイジャーラインWM
Lに転送される。スワップ導体層CHDに電流を流した
とき、マイナループm1の転送パターンPdの磁気バブ
ルは転送パターンPfl、Pmを通ってメイジャーライ
ンWMLの転送パターンPw3に転送され、メイジャー
ラインPw、からの磁気バブルは転送パターンPk、P
j、Piを経てマイナループの転送パターンPeに転送
されてバブルの交換、すなわち情報の書き換えが行なわ
れる。なお、右端のマイナループmdにはスワップゲー
トが設けられていないが、これは、周辺効果を軽減する
ための磁気バブルを注入しないダミーのループである。
~ Write major line WM through the transfer path of P7
Transferred to L. When a current is applied to the swap conductor layer CHD, the magnetic bubbles of the transfer pattern Pd of the minor loop m1 are transferred to the transfer pattern Pw3 of the major line WML through the transfer patterns Pfl and Pm, and the magnetic bubbles from the major line Pw are transferred. Pattern Pk, P
The data is transferred to the minor loop transfer pattern Pe via j and Pi, and the bubbles are exchanged, that is, the information is rewritten. Note that the rightmost minor loop md is not provided with a swap gate, but this is a dummy loop in which no magnetic bubble is injected to reduce the peripheral effect.

このように交換位置における転送パターン層P i −
P mを多層化することにより、小さい電流値で磁気バ
ブルの交換を行なうことができる。
In this way, the transfer pattern layer P i − at the exchange position
By forming P m into multiple layers, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn〜Pg、Ps”Pxの
順路で転送されており、導体層CHDに電流を流したと
き、転送パターンPgの位置でバブルは分割され、分割
された1つの磁気バブルはP ’/ t P、〜P、。
Further, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copying machine, that is, a divider, can be driven with a small current value as well. In the figure, a magnetic bubble is normally transferred along a path from Pn to Pg, Ps''Px, and when a current is passed through the conductor layer CHD, the bubble is divided at the position of the transfer pattern Pg, and one divided magnetic bubble is transferred. The bubble is P'/t P, ~P,.

を経て読出しメイジャーラインRMLに転送される。and is transferred to the read major line RML.

(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図)磁石板
MAGはチップCHIに対して約2度程度傾斜させて配
置される。これはチップCHIに対しバイアス磁界Hb
が垂直方向よりややずれて印加されるようにしたもので
、それによってバブル転送のスタート、ストップマージ
ンを約6 (Oe〕向上させるホールディング磁界Hd
Ctil−生み出す(第29図A)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field FIG. 29) Magnet plate MAG is arranged at an angle of about 2 degrees with respect to chip CHI. This is the bias magnetic field Hb for the chip CHI.
The holding magnetic field Hd is applied with a slight deviation from the vertical direction, thereby improving the start and stop margins of bubble transfer by approximately 6 (Oe).
Ctil-generates (Figure 29A).

第29図Aに示したように磁石体BIMとチップCHI
との角度0の傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内
の成分Hdcを持つことになる。
As shown in Figure 29A, the magnet body BIM and the chip CHI
Due to the zero angle inclination with , the DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane.

そして、この面内成分Hdcの大きさは、Hdc・5i
nlllとなり、通常HdC−5inθ=5〔Oe〕〜
6(Oelになるように傾斜角度θが選定される。また
、この面内成分Hdcの方向は、回転磁界Hrのスター
ト・ストップ(St/Sp)方向(+x軸方向)に一致
するように傾斜されている。そして、このxy面内成分
Hdcは、回転磁界Hrのスタート・ストップ(St/
Sp)動作に対して有効な働きをし、ホールディングフ
ィールドと呼ばれている公知の磁界である。なお、チッ
プCHI面に垂、直に作用するバイアス磁界Hbの大き
さはHz−CO5θとなる。
Then, the size of this in-plane component Hdc is Hdc・5i
Normally HdC-5inθ=5[Oe]~
The inclination angle θ is selected so that the in-plane component Hdc is aligned with the start/stop (St/Sp) direction (+x-axis direction) of the rotating magnetic field Hr. This xy-plane component Hdc is determined by the start/stop (St/
Sp) This is a well-known magnetic field called a holding field that has an effective effect on the operation. Note that the magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly and directly on the chip CHI surface is Hz-CO5θ.

さて、上述したホールディングフィールドHdCは、チ
ップCHIのxy面に対して常時作用するため、第29
図Bに図解したように前記チップCHIに作用する回転
磁界Hr’は偏心する。同図において、Hrは外部から
加えられる回転磁界、Hr’は、チップCHIに作用す
る回転磁界である。この場合、CHHに作用する回転磁
界Hr’は外部から加えられる回転磁界Hrと面内成分
Hdcとを合成したものとなり、その回転磁界Hr′の
中心0′はスタート・ストップ(St/Sp)方向であ
る+x軸方向に面内成分Hdc分だけ平行移動する。こ
のため、同図の結果から明らかなように、外部から加え
ている回転磁界Hrの強さがl T−Tr lであって
も実効的にチップCHIに作用する回転磁界の強度1r
rr’lは回転磁界Hrの位相によって異なる。すなわ
ちSt/Sp方向での1r−rr’lは、IT(rl+
IHd clとなり、l Hr lに比べてホールディ
ングフィールドHdCの強さl■Tdclだけ強くなっ
ている。逆に、St/Sp方向と逆方向の場合のIT−
frlはl I−1r l  I I−(dclとなり
、l Hr lに比べて1I(delだけ弱まっている
Now, since the above-mentioned holding field HdC always acts on the xy plane of the chip CHI, the 29th
As illustrated in FIG. B, the rotating magnetic field Hr' acting on the chip CHI is eccentric. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr' is a rotating magnetic field acting on the chip CHI. In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on the CHH is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the center 0' of the rotating magnetic field Hr' is in the start/stop (St/Sp) direction. It is translated by an in-plane component Hdc in the +x-axis direction. Therefore, as is clear from the results in the same figure, even if the strength of the externally applied rotating magnetic field Hr is l T-Tr l, the strength of the rotating magnetic field 1r that effectively acts on the chip CHI is
rr'l differs depending on the phase of the rotating magnetic field Hr. That is, 1r-rr'l in the St/Sp direction is IT(rl+
IHd cl, which is stronger than l Hr l by the holding field HdC strength l■Tdcl. On the other hand, IT- in the opposite direction to the St/Sp direction
frl becomes l I-1r l I I-(dcl, and is weakened by 1I(del) compared to l Hr l.

(周辺回路 第30図) 最後にチップCHIの周辺回路を第30図で説明する。(Peripheral circuit Fig. 30) Finally, the peripheral circuit of chip CHI will be explained with reference to FIG.

RFはチップCHIのX及びYコイルに90°位相差の
電流を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。
RF is a circuit for generating a rotating magnetic field Hr by passing currents with a phase difference of 90° through the X and Y coils of the chip CHI.

SAはチップCHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル
検出信号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリン
グし感知、増幅するセンスアンプである。DRは、MB
Mデバイスの書き込みに関係するバブル発生及びスワッ
プ並びに読み出しに関係するレプリケートの各機能導体
に所定のタイミングで電流を流す駆動回路である。以上
の回路は回転磁界Hrのサイクル及び位相角に同期して
動作するようタイミング発生回路TGによって同期化さ
れている。
SA is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies a minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of the chip CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. DR is MB
This is a drive circuit that causes current to flow at a predetermined timing to each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap related to write and read of the M device. The above circuit is synchronized by a timing generation circuit TG so as to operate in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.

(回転磁界分布特性 第31図) 第31図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心をOとしてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度Hx
 = OとしたときのX軸方向の回転磁界強度Hxをそ
れぞれ示すと、曲線Iで示すような回転磁界分布特性が
得られた。
(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 31) FIG. 31 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center of the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B as O, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction.
When the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction is shown when = O, a rotating magnetic field distribution characteristic as shown by curve I was obtained.

同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向するコ
アCOR間の内側までの距離−Xc〜+XCの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Hxが得られ、また、チップC
HIの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範囲) 
−X、 e〜十Xeの範囲では士約2%の磁界強度一様
性が得られた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁
気回路による回−55= 転磁界分布特性である。
As is clear from the figure, a substantially uniform rotating magnetic field strength Hx is obtained within the range of -Xc to +XC between the opposing cores COR of the magnetic circuit PFC, and
Effective area of HI (minimum range to which rotating magnetic field should be applied)
In the range of −X, e to 10Xe, a magnetic field strength uniformity of about 2% was obtained. Note that the curve (2) indicated by a broken line is the rotational magnetic field distribution characteristic of the magnetic circuit of the conventional configuration.

(変形例) 以」二第1図、第2図に示す磁気バブルメモリの全体構
造に関連して細部を説明したが、本発明は下記のような
変形で実施することができる。
(Modifications) Although the details have been described in connection with the overall structure of the magnetic bubble memory shown in FIGS. 1 and 2, the present invention can be implemented in the following modifications.

第32図はバイアスコイルをプリント配線技術でフレキ
シブル配線基板FPCに設けた本発明の変形を示す図で
あり、同図Aは基板FPCの要部平面図、同図Bは同図
Aの32B−32B断面図を示し、前述の図と同一部分
は同一符号を付しである。同図において、基板FPCに
は2個のチップCHIを搭載した素子保護部1周辺部に
、2個のチップCHIにバイアスコイルBICがパター
ン形成されており、このバイアスコイルBICはループ
状のコイル巻線9fの両端側コイルリード9gが所定の
折り曲げ部2a方向に延長して引き出され、第4図に示
すコイルリード接続用端子9Cに接続される。
FIG. 32 is a diagram showing a modification of the present invention in which a bias coil is provided on a flexible wiring board FPC using printed wiring technology. 32B sectional view is shown, and the same parts as in the previous figure are given the same reference numerals. In the same figure, a bias coil BIC is patterned on the two chips CHI around the periphery of an element protection part 1 on which two chips CHI are mounted on the substrate FPC, and this bias coil BIC has a loop-shaped coil winding. The coil leads 9g on both ends of the wire 9f are extended in the direction of the predetermined bending portion 2a, and are connected to the coil lead connection terminal 9C shown in FIG. 4.

また、この基板FPCは、同図Bに示すように例えば厚
さ約50μm程度のポリイミドフィルムからなる第1の
ベースフィルム7上に接着剤8を介して[9膜を形成し
、これを所要のパターン形状にエツチングすることによ
り、コイル配線り一ド9hおよび配線リード98等が形
成され、さらに接着剤8を介して第2のベースフィルム
7aを配置し、このベースフィルム7a上に接着剤8を
介して銅薄膜を形成し、これを同図Aに示すようにルー
プ状のパターン、形状にエツチングすることにより、コ
イル巻線9fおよびコイルリード9gのパターンが形成
され、されにコイル巻線9fの両端側が第2のベースフ
ィルム7aを貫通してコイル配線リード9hにスルーホ
ール接続され、されにこれらの上面には前述と同様な部
材からなる接着剤8を介してカバーフィルム10が接着
配置されてバイアスコイルBICが形成されている。
In addition, as shown in FIG. By etching in a pattern shape, the coil wiring board 9h, the wiring lead 98, etc. are formed, and the second base film 7a is placed via the adhesive 8, and the adhesive 8 is applied on the base film 7a. By forming a copper thin film through the coil and etching it into a loop pattern and shape as shown in FIG. Both end sides penetrate the second base film 7a and are connected to the coil wiring leads 9h through through-holes, and a cover film 10 is adhered to the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. A bias coil BIC is formed.

この場合、このバイアスコイルBICは、前述した配線
用のり一ド98等の形成層よりも上の層に形成するいわ
ゆる3層構造からなる2層配線構造で構成したが、それ
以上の積層構造で構成することも可能である。
In this case, this bias coil BIC was constructed with a two-layer wiring structure consisting of a so-called three-layer structure formed on a layer above the formation layer of the wiring glue 98, etc. described above, but a laminated structure with more than that is formed. It is also possible to configure

このような構成によれば、バイアスコイルBICが基板
FPCに一体化されるので、新たに独立してバイアスコ
イルを設けるとともにその組込み作業が不要となり、部
品点数および組立工数が低減される。さらにシールドケ
ースSHI組立体として構成した場合には全体形状を一
層薄形化、小形化することができる。
According to such a configuration, since the bias coil BIC is integrated into the substrate FPC, it is not necessary to provide a new independent bias coil and to assemble it, and the number of parts and assembly man-hours are reduced. Furthermore, when configured as a shield case SHI assembly, the overall shape can be made even thinner and smaller.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、磁気バブルメモリ
素子を搭載したフレキシブル基板の該磁気バブルメモリ
素子周辺部にバイアス磁界コイルをパターン形成したこ
とにより、部品点数および組立工数が低減され、生産性
および信頼性を向上させかつ全体形状をさらに小形、薄
形化した磁気バブルメモリデバイスが得られるという極
めて優れた効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, the bias magnetic field coil is patterned around the magnetic bubble memory element of the flexible substrate on which the magnetic bubble memory element is mounted, thereby reducing the number of parts and assembly man-hours, and improving productivity. Moreover, an extremely excellent effect can be obtained in that a magnetic bubble memory device with improved reliability and a smaller and thinner overall shape can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2図Aは底面図、第2図Bは
同図Aの2B−2B断面図、第3図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、第5
図は基板FPCにチップCHIを搭載した基板組立体B
NDを示す平面図、第6図はチップCHIを示す図、第
7図は基板組立体ENDのり一ドボンディングを説明す
る図、第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図は
磁気回路PFCの製作方法を説明する図、第10図は内
側ケースRFSbを示す図、第11図は外側ケースRF
Saを示す図、第12図はケースRFSの組立図、第1
3図はケースRFS内に基板組立体BNDおよび磁気回
路FPCを収納した組立体の断面図、第14図は磁石体
BIMの構成を説明する図、第15図はバイアスコイル
を説明する図、第16図はケースRFS組立体に一対の
磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを組み込んだ
組立体の断面図、第17図は外側シールドケースS H
I aを示す図、第18図は内側シールドケース5HI
bを示す図、第19図はシールドケースSHIの組立図
、第20図は第16図に示す組立体をシールドケースS
HI内に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパッケ
ージングケースPKGを示す図、第22図は端子固定板
TEFの構成を説明する図、第23図はコンタクトパッ
ドの構成を示す図、第24図はチップCHIの断面図、
第25図はチップCHHの磁気バブル検出器りの構成を
示す図、第26図はチップCHIの磁気バブル発生器G
ENの構成を示す図、第27図はチップCHIのスワッ
プゲートSWPの構成を示す図、第28図はチップCH
IのレプリケートゲートREPの構成を示す図、第29
図Aはバイアス磁界Hbとホールディング磁界Hdcの
関係を示す図、同図Bはトータル回転磁界Hr′を示す
図、第30図は磁気バブルメモリボードの全体回路を示
す図、第31図は回転磁界分布特性図である。第32図
はバイアスコイルをFPCに設けた本発明の変形を示す
図である。 CHI・・・磁気バブルメモリチップ(素子)、FPC
・・・フレキシブル配線基板(基板)、BND・・・基
板組立体、CO工・・・駆動コイル(コイル)、COR
・・・額縁形コア(コア)、6O− PFC・・・磁気回路、RFS・・・回転磁界閉じ込め
ケース(ケース)、RFSa・・・外側ケース、RFS
b・・・内側ケース、BIM・・・バイアス磁界発生用
磁石体(磁石体)、BIMa・・・上部磁石体、BIM
b・・・下部磁石体、1NM・・・傾斜板、MAG・・
・永久磁石板(磁石板) 、HOM・・・整磁板、IN
N・・・非磁性傾斜板、BIG・、・・バイアス磁界発
生用コイル(バイアスコイル)、SHI・・・外部磁気
シールドケース(シールドケース)、5HIa・・・−
外側シールドケース、5HIb・・・内側シールドケー
ス、PKG・・・パッケージングケース、TEF・・・
端子固定板、GNP・・・コンタクトパッド、1・・・
素子搭載部、2,2a、2b。 2c、2d・・・折り曲げ部、3,3a、3b。 3c、3d・・・外部接続端子接続部、4,4a。 4b−−−開口部、5,5a、5b、5C−−・穿孔、
6・・・基板突出部、7・・・ベースフィルム、8・・
・接着剤、9a・・・配線用リード、9b・・・外部端
子、9C・・・接続用端子、9d・・・記号、9e・・
・インデックスマーク、9f・・・コイル巻線、9g・
・・コイルリード、9h・・・コイル配線リード、10
・・・カバーフィルム、11・・・錫メッキ層、12・
・・開口、」3・・・半田メッキ層、14・・・ボンデ
インクハツト、15・・・金バンプ、20a、20b、
20G、20d・・・ヘリックスコイル、2]−a、2
1−b・・・接続点、22a・・・Xコイル、22b・
・・Yコイル、23・・・磁気コア、24・・・タップ
、25・・・幅の大きい溝、26・・・幅の小さい溝、
30・・・絞り部、3]・・・折り曲げ部、32・・・
切欠き部、33・・・絞り部、34・・・折り曲げ部、
35・・・切欠き部、36・・・ポリイミドフィルム、
37・・・接着剤、38・・・コイル巻線、40・・・
巻線、51・・・平坦部、52・・・折り曲げ部、53
・・・凹部、54・・・切欠き部、55・・・平坦部、
56・・・折り曲げ部、57・・・凹部、58・・・切
欠き部、59・・・凹部、60・・・樹脂板、61・・
・貫通孔、62・・・非貫通孔、63・・・マーク、6
4・・・開口、65・・・溝、66・・・角部、70・
・・素片、71・・・ニッケルメッキ層、72・・・金
メッキ層。 rn     l+ 派       ゛ n   −O +t−ba 第14図C 1−LIM             INNNN第1
六 iし面台1 第17図A 第18図A 第18図B GA: (:、C1− 第22図A 第22図B 第22図C C0− o−>わ〕 く表   U− 1の 手続補正書(方式) 昭和6へ 8月26日
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the whole magnetic bubble memory device according to the present invention, FIG. 2A is a bottom view, FIG. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 3, and FIG. 3 is a stacked structure. Figure 4 is a diagram explaining the board FPC, Figure 5 is an exploded perspective view showing the
The figure shows board assembly B with chip CHI mounted on the board FPC.
FIG. 6 is a plan view showing the chip CHI, FIG. 7 is a diagram explaining the glue bonding of the board assembly END, FIG. 8 is a diagram explaining the magnetic circuit PFC, and FIG. 9 is a diagram showing the magnetic circuit PFC. A diagram explaining the manufacturing method of the circuit PFC, FIG. 10 is a diagram showing the inner case RFSb, and FIG. 11 is a diagram showing the outer case RF.
Figure 12 is an assembly diagram of case RFS, Figure 1 shows Sa.
3 is a sectional view of an assembly in which the board assembly BND and the magnetic circuit FPC are housed in the case RFS, FIG. 14 is a diagram explaining the configuration of the magnet body BIM, FIG. 15 is a diagram explaining the bias coil, Figure 16 is a cross-sectional view of the case RFS assembly incorporating a pair of magnets BIM and bias coil BIC, and Figure 17 is the outer shield case S H
The figure showing I a, Fig. 18 is the inner shield case 5HI
Figure 19 is an assembly diagram of the shield case SHI, and Figure 20 is an assembly diagram of the shield case SHI shown in Figure 16.
21 is a diagram showing the packaging case PKG; FIG. 22 is a diagram explaining the configuration of the terminal fixing plate TEF; FIG. 23 is a diagram showing the configuration of the contact pad; FIG. 24 is a cross-sectional view of the chip CHI,
Figure 25 shows the configuration of the magnetic bubble detector of chip CHH, and Figure 26 shows the magnetic bubble generator G of chip CHI.
A diagram showing the configuration of EN, FIG. 27 is a diagram showing the configuration of swap gate SWP of chip CHI, and FIG. 28 is a diagram showing the configuration of swap gate SWP of chip CH.
Figure 29 showing the configuration of the replicate gate REP of I.
Figure A shows the relationship between the bias magnetic field Hb and the holding magnetic field Hdc, Figure B shows the total rotating magnetic field Hr', Figure 30 shows the overall circuit of the magnetic bubble memory board, and Figure 31 shows the rotating magnetic field. It is a distribution characteristic diagram. FIG. 32 is a diagram showing a modification of the present invention in which a bias coil is provided on the FPC. CHI...magnetic bubble memory chip (element), FPC
...Flexible wiring board (board), BND...board assembly, CO work...drive coil (coil), COR
...Picture frame-shaped core (core), 6O-PFC...magnetic circuit, RFS...rotating magnetic field confinement case (case), RFSa...outer case, RFS
b...Inner case, BIM...Magnet for generating bias magnetic field (magnet), BIMa...Top magnet, BIM
b...lower magnet, 1NM...inclined plate, MAG...
・Permanent magnet plate (magnetic plate), HOM...Magnetic shunt plate, IN
N...Nonmagnetic gradient plate, BIG...Bias magnetic field generation coil (bias coil), SHI...External magnetic shield case (shield case), 5HIa...-
Outer shield case, 5HIb...Inner shield case, PKG...Packaging case, TEF...
Terminal fixing plate, GNP...Contact pad, 1...
Element mounting section, 2, 2a, 2b. 2c, 2d... bending portions, 3, 3a, 3b. 3c, 3d...External connection terminal connection section, 4, 4a. 4b---opening, 5, 5a, 5b, 5C---perforation,
6... Board protrusion, 7... Base film, 8...
・Adhesive, 9a... Wiring lead, 9b... External terminal, 9C... Connection terminal, 9d... Symbol, 9e...
・Index mark, 9f...Coil winding, 9g・
...Coil lead, 9h...Coil wiring lead, 10
...Cover film, 11...Tin plating layer, 12.
...Opening, 3...Solder plating layer, 14...Bonde ink hat, 15...Gold bump, 20a, 20b,
20G, 20d... Helix coil, 2]-a, 2
1-b...Connection point, 22a...X coil, 22b...
... Y coil, 23... Magnetic core, 24... Tap, 25... Wide groove, 26... Small width groove,
30... Drawing part, 3]... Bending part, 32...
Notch part, 33... constricted part, 34... bent part,
35... Notch portion, 36... Polyimide film,
37...Adhesive, 38...Coil winding, 40...
Winding wire, 51... Flat part, 52... Bent part, 53
... recessed part, 54... notch part, 55... flat part,
56...Bending portion, 57...Concave portion, 58...Notch portion, 59...Concave portion, 60...Resin plate, 61...
・Through hole, 62...Non-through hole, 63...Mark, 6
4...Opening, 65...Groove, 66...Corner, 70...
... elemental piece, 71 ... nickel plating layer, 72 ... gold plating layer. rn l+ faction ゛n -O +t-ba Figure 14 C 1-LIM INNNN 1st
6i Surface stand 1 Fig. 17 A Fig. 18 A Fig. 18 B GA: (:, C1- Fig. 22 A Fig. 22 B Fig. 22 C C0- o->W) Table U-1 Procedural amendment (method) to Showa 6 August 26th

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイルを施
した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
ル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
材ケース内に挟持させ、前記フレキシブル基板の磁気バ
ブルメモリ素子周辺部にバイアス磁界コイルをパターン
形成したことを特徴とする磁気バブルメモリ。
A magnetic bubble memory element mounted on a flexible substrate is disposed in a space formed by a frame-shaped core coiled so that sets of opposing windings are parallel to each other, and the coil, core, and magnetic bubble memory element are mounted on a flexible substrate. 1. A magnetic bubble memory characterized in that the entire element is sandwiched within a case made of a highly conductive material, and a bias magnetic field coil is patterned around the magnetic bubble memory element on the flexible substrate.
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JPS6015888A (en) * 1983-07-06 1985-01-26 Hitachi Ltd Magnetic bubble memory module

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