JPS61248282A - Magnetic bubble memory device - Google Patents

Magnetic bubble memory device

Info

Publication number
JPS61248282A
JPS61248282A JP8859185A JP8859185A JPS61248282A JP S61248282 A JPS61248282 A JP S61248282A JP 8859185 A JP8859185 A JP 8859185A JP 8859185 A JP8859185 A JP 8859185A JP S61248282 A JPS61248282 A JP S61248282A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
case
magnetic
magnetic field
coils
chip
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP8859185A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPH0648594B2 (en
Inventor
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
Toshio Futami
二見 利男
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60088591A priority Critical patent/JPH0648594B2/en
Publication of JPS61248282A publication Critical patent/JPS61248282A/en
Publication of JPH0648594B2 publication Critical patent/JPH0648594B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To improve assembling efficiency and to make automation possible or easy by assembling a rotating magnetic field confining case, magnetic bubble memory chip mounted on a wiring board and a core wound by coils so as to be laminated in a uniaxial direction. CONSTITUTION:Coils are wound around a rectangular parallelepiped magnetic core 23 consisting of a soft magnetic material, plural taps 24 are formed in each block to form an coil 22a consisting of a serially and unitedly wound coils, e.g. a pair of coils 20a, 20b, a wide groove 25 having a fixed width and a narrow groove 26 are engraved between respective coils 20a and 20b, the narrow groove 26 part is cut off to divide the wide groove 25 into two parts, and then respective divided wide grooves 25 are rectangularly combined and adhered to form a magnetic circuit PFC like a frame. Since the coils 20a, 20b are wound around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 through the tap 24 in a serial direction, it is unnecessary to intersect and connect these coils, so that the winding of the coils can be simplified.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ装置、特に薄形化。[Detailed description of the invention] [Field of application of the invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, particularly a thinner one.

小型化、低消費電力化9組立性の改善に好適な磁気バブ
ルメモリ装置に関する。
The present invention relates to a magnetic bubble memory device suitable for miniaturization, low power consumption, and improved assemblability.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気バブルメモリチップをマウントしたE字状のセラ
ミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造を
有する矩形状ツレ先 ノイドコイルからなる回転磁界発屍用Xコイル。
Magnetic bubble memory devices, which have been put into practical use in recent years, generate a rotating magnetic field consisting of rectangular tip nodoid coils with an asymmetrical structure on an E-shaped ceramic or synthetic resin wiring board on which a magnetic bubble memory chip is mounted. X coil for corpses.

Xコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組み立てた構造
となっている。Xコイル及びXコイルは磁気バブルメモ
リチップだけでな(、チップよりもはるかに大きい配線
基板を巻く構造であるため、各コイルの端から端迄長さ
が長くなり、駆動電圧、消費電力が太き(なってしまう
。また、Xコイル、Xコイルは磁気バブルメモリ素子に
均一かつ安定した面内回転磁界を付与するために均一な
インダクタバランスが要求されることから、そのコイル
形状が互いに異なる非対称構造となりかつ大型化構造と
ならざるを得なかった。さらにはこれらのXコイル、Y
コイルの外面には磁気バブルメモリ素子に垂直方向のバ
イアス磁界を付与する一対の永久磁石板およびその整磁
板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂モールドにより
被覆されている構造であるため、垂直方向の積層厚が増
大し、磁気バブルメモリデバイスの薄形化、小型化への
要請に対して障害となっていた。
It has a structure in which each X coil is inserted and arranged orthogonally. The X coil and the In addition, since the X coil and the In addition, these X coils, Y coils
On the outer surface of the coil, a pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and its magnetic shunt plate are arranged, and the surrounding parts are covered with a resin mold, so that the vertical This increases the stacking thickness in the direction, which has become an obstacle to the demand for thinner and smaller magnetic bubble memory devices.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては特
開昭5a −55129号公報が挙げられる。
The closest prior art to the present invention known to the applicant is JP-A-55129.

この公報には、チップを囲む額縁盤コアとそれらを完全
に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載゛ されている。
This publication describes the structure of a frame core that surrounds the chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them.

しかしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されて
おらず、例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチッ
プへの電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡さ
せることな(行うことは理論的に不可能であり、永久磁
石、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明である
ことも含め、その記載をきっかけに実用化しようと思い
立つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の
実施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報
の記載とたまたま一致したに過ぎない。
However, no further specific structure is shown, and for example, electrical connections to a chip completely surrounded by a conductor case should not be short-circuited to it from outside the conductor case (this is theoretically possible). It is impossible, and the description is clearly insufficient for anyone to think of putting it into practical use, including the fact that the method of attaching permanent magnets, magnetic shunt plates, bias coils, etc. is unknown.In other words, the present invention The embodiment merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core was used as a result.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that can be made thinner.

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリ装置を提供することにある
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that can be miniaturized by reducing the overall volume.

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリ装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device with reduced power consumption.

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリ装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device in which the inductance of a rotating magnetic field generating coil is reduced to reduce the VI product.

本発明の他の目的は、構成部品の組立性を改善し、自動
化を可能又は容易にした磁気バブルメモリ装置を提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device that improves assembly of components and allows or facilitates automation.

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリ装置を提
供することkある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリ装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリ装置を提供することである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device whose cassette can be made smaller.

本発明の更に他の目的は回転磁界の一様性を向上させた
磁気バブルメモリ装置を提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device with improved uniformity of a rotating magnetic field.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の一実施例によれば、額縁盤コアを使用した駆動
磁気回路が提供される。磁気バブルメモリチップは額縁
型コアに囲まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキ
シブル配線基板上に配置される。駆動磁気回路および磁
気バブルメモリチップは非磁性体で良導電体の回転磁界
閉じ込めケース内に収納される。このような構成によれ
ば回転磁界の一様性を向上させかつ全体形状を小型化、
薄形化させることができる。
According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a picture frame board core is provided. The magnetic bubble memory chip is surrounded by a frame-shaped core and arranged on a flexible wiring board so as to be substantially flush with the frame-shaped core. The drive magnetic circuit and the magnetic bubble memory chip are housed in a rotating magnetic field confinement case made of a non-magnetic and highly conductive material. Such a configuration improves the uniformity of the rotating magnetic field and reduces the overall size.
It can be made thinner.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図A、Bは本発明による磁気バブルメ
モリデバイスの一実施例を説明するための図であり、第
1図は一部破断斜視図、第2図Aはその底面図、第2図
Bは第2図Aの2B−2B断面図である。これらの図に
おいて、CHIは磁気バブルメモリチップ(以下チップ
と称する)であり、これらの図ではチップα工は省略し
て1個のみ表示しているが本実施例では2個並べて配置
しているものとする。(1つの大容量チップよりも、合
計記憶容量をそれに合せた複数分割チップ構成の方がチ
ップ歩留が良い。) FPCは2個のチップCHIを搭
載しかつ4隅にチップα工と外部接続端子との結線用線
群延長部を有するフレキシブル配線基板(以下基板と称
する)である。
(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 A and B are diagrams for explaining one embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention, and Figure 1 is a partially cutaway perspective view. 2A is a bottom view thereof, and FIG. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2A. In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip), and in these figures, the chip α is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. shall be taken as a thing. (Rather than a single large-capacity chip, a multi-divided chip configuration that matches the total memory capacity has a better chip yield.) The FPC is equipped with two chips CHI and externally connected to the chip α in the four corners. This is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) having a wire group extension for connection to a terminal.

COIは2個のチップCHIをはぼ同一平面上でとり囲
み対向辺が互いに平行となるように配置された駆動コイ
ル(以下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合
体COIの中空部分を貫通するように固定配置された軟
磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)であり
、このコアCORと各コイルCOIとでチップCHI 
Vc面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成して
いる。
The COI is a drive coil (hereinafter referred to as a coil) that surrounds the two chips CHI on the same plane and is arranged so that the opposing sides are parallel to each other, and the COR penetrates the hollow part of the rectangular coil assembly COI. This is a frame-shaped core (hereinafter referred to as core) made of soft magnetic material fixedly arranged as shown in FIG.
It constitutes a magnetic circuit PFC that applies a Vc in-plane rotating magnetic field.

RJSは基板FPCの中央四角形部分と、2個のチップ
CI(Iおよび磁気回路PFCの全体を収納する回転磁
界閉じ込めケース(以下ケースと称する)である。ケー
スRFSは2枚の独立した板を加工して形成され、ケー
スの側面部で上下の板は電気的に接続されている。これ
らのケースRFSには、チップCHIが配−された部分
よりやや広めの範囲で中央部分の隙間が狭くなるよう周
辺部分に絞り部が形成されている。この絞り部は後述す
る磁石体の位置決めにも利用できる。
RJS is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the central rectangular part of the board FPC, two chips CI (I), and the entire magnetic circuit PFC. The upper and lower plates are electrically connected at the side of the case.These cases RFS have a gap in the center that is slightly wider than the area where the chip CHI is arranged. A constricted portion is formed in the peripheral portion. This constricted portion can also be used for positioning the magnet body, which will be described later.

ケースRFSは回転磁界閉じ込めと軟弱な基板FPCを
機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持っている。
The case RFS has the effect and function of killing two birds with one stone by confining the rotating magnetic field and mechanically supporting the weak FPC board.

ケースuSとチップα工との間には、特にチップCHI
の側面部に隙間SIRがあるが、チップσ工の平面部も
含めてこの隙間部分8I几にはシリコーン樹脂がコーテ
ィング又は充填され、チップ主表面に組立中に異物が付
着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面部に侵
入することが少なくなるよう、バッジベージ1ン効来が
意図されている。もし、ケースRF8の外側で完全な気
密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略しても良
い。
In particular, there is a chip CHI between the case uS and the chip α
There is a gap SIR on the side surface of the chip, but this gap (8I), including the flat surface of the chip, is coated or filled with silicone resin to prevent foreign matter from adhering to the main surface of the chip during assembly, or moisture from entering the chip after assembly. The badge page effect is intended to reduce the chance of intrusion into the main surface or side surfaces of the chip. If complete airtight sealing can be achieved on the outside of case RF8, filling with resin SIR may be omitted.

INMはケースRFSの外側に配置された磁性材からな
る一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜板INMは
左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは右に寄るに
従って板厚が厚くなっており、双方はケースRFa側に
傾斜面が形成されている。傾斜板INMの材料としては
、透磁率μが高く保持力Heの小さいソフト・フェライ
トやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施例では傾斜
面の加工が容易なソフト・フェライトを選んだ。MAG
は一対の傾斜板INMの内側でそれと重ねて配置された
一対の永久磁石板(以下磁石板と称する)である。RO
Mは前記各磁石板MAGの内側でそれと重ねて配置され
たソフト・フェライトのような磁性材からなる一対の整
磁板である。磁石板MAGは全面にわたって均一の板厚
を有して形成されている。INNは一対の整磁板HOM
の内側対向面にそれと重ねて配置された銅のように熱伝
導性が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜板である
。これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほぼ同等の傾
斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されている。傾
斜板INM 、磁石板MAG 、整磁板HOM及び傾斜
板INNは、それぞれ積み重ねて配置し一体化してバイ
アス磁界発生用磁石体BIM(以下磁石体と称する)を
構成したときに、積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面に
わたって均一となるように形成されている。一対の磁石
体BIMはケースRFSの絞り部によって囲まれた中央
の平な部分に接着されている。
INM is a pair of inclined plates made of magnetic material placed outside the case RFS, and in Fig. 2, the thickness of the upper inclined plate INM decreases as it moves to the left, and the thickness of the lower inclined plate INM decreases as it moves to the right. Both have an inclined surface formed on the case RFa side. As the material for the inclined plate INM, soft ferrite, permalloy, etc., which has a high magnetic permeability μ and a small coercive force He, may be used, and in this embodiment, soft ferrite was selected because it is easy to process the inclined surface. M.A.G.
are a pair of permanent magnet plates (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside the pair of inclined plates INM and overlapping them. R.O.
M is a pair of magnetic shunt plates made of a magnetic material such as soft ferrite, which are arranged inside each of the magnet plates MAG and overlap therewith. The magnet plate MAG is formed to have a uniform thickness over the entire surface. INN is a pair of magnetic shunt plates HOM
A pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity, such as copper, are placed on opposing inner surfaces of the magnetic head. These inclined plates INN are formed to have substantially the same inclination angle as the inclined plate INM, and have inclined surfaces in opposite directions. The inclined plate INM, the magnet plate MAG, the magnetic shunt plate HOM, and the inclined plate INN are arranged in a stacked manner and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as the magnet body), when the laminated plate magnet body The entire thickness is formed to be uniform over almost the entire surface. A pair of magnet bodies BIM are adhered to a central flat part surrounded by the constriction part of the case RFS.

BICは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である。バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去)
する場合に駆動される。
BIC is a bias magnetic field generating coil (
(hereinafter referred to as bias coil). The bias coil BIC adjusts the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, and when testing for the presence or absence of unnecessary bubble generation, it clears all bubbles on the chip CHI.
It is driven when

8HIは前記チップCHIを搭載した基板FPCおよび
磁気回路PFCを収納したケースRFSと、その外側で
、一対の磁石体BIMa 、 BIMbおよびバイアス
コイルBICを収納する磁性材からなる外部磁気シール
ドケース(以下シールドケースと称する)である。シー
ルドケースSHIの材料としては、透磁率μが高く、飽
和磁束密度Bsが太き(、Hcの小さい磁性体が好まし
く、パーマ0イやフェライトがそのような特性を持りて
いるが、本実施例では折り曲げ加工に適し、機械的な外
力に対して強いパーマロイの鉄・ニッケル合金が選択さ
れた。
8HI is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as "shield") consisting of a case RFS that houses the board FPC on which the chip CHI is mounted and the magnetic circuit PFC, and a magnetic material that houses a pair of magnets BIMa and BIMb and a bias coil BIC on the outside. case). As the material for the shield case SHI, a magnetic material with high magnetic permeability μ and large saturation magnetic flux density Bs (and low Hc) is preferable, and permanent magnets and ferrite have such characteristics, but in this implementation In this example, Permalloy, an iron-nickel alloy that is suitable for bending and strong against external mechanical forces, was selected.

PKGは前記シールドケース8HIの外周面に接着ある
いははめ込みにより取り付けられた熱伝導率が高く、加
工のし易い紅のような材質からなるパッケージングケー
スである。GNPは、前記基板FPCの4隅から延長し
て設けられシールドケースSHIの背面に折り返された
外部接続端子に接触するように配置されたコンタクトパ
ッドである。’I”EFは各コンタクトパッドGNPを
開口部の段差部で支持固定する絶縁性部材からなる端子
固定板である。REGはパッケージングケースPKGの
内側4隅に封入されかつシールドケース8HI組立体を
パッケージングケースPKG内部に固定する樹脂モール
ド剤である。
PKG is a packaging case made of a red-like material that has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer circumferential surface of the shield case 8HI by adhesion or fitting. GNPs are contact pads extending from the four corners of the substrate FPC and arranged so as to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. 'I'EF is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at the stepped part of the opening.REG is enclosed in the four inner corners of the packaging case PKG and is attached to the shield case 8HI assembly. This is a resin molding agent that is fixed inside the packaging case PKG.

(全体構造の特長 第1,2図) 第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第5図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。
(Features of the overall structure, FIGS. 1 and 2) The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are enumerated as follows. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanation after Figure 5, but here we will focus on the relationship between each component. The features are described below.

(1)回転磁界発生用の磁気回路PFCを額縁型にして
、バブルメモリチップCHIをその傾向にほぼ同一平面
上で配置しているので、/くプルデバイス全体の厚さを
薄くできる。現今の主流技術では、チップ上下面なX及
びXコイルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の
厚さはチップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関係
となるからである。
(1) Since the magnetic circuit PFC for generating a rotating magnetic field is shaped like a picture frame, and the bubble memory chips CHI are arranged on substantially the same plane, the thickness of the entire /pull device can be reduced. This is because in the current mainstream technology, the chip is wound around the X and X coils on the top and bottom surfaces, so the thickness of the entire device is the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness.

(2)Xコイル及びXコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてXコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and the X coil are arranged on almost the same plane, there are the following effects compared to the conventional structure in which the X coil is wound on top of the X coil.

■コイルの線巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
■The wire winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.

■Xコイル及びXコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布を/くランスのとれたもの
(−機上の向上)とすることができる。
(2) The distance between the X coil and the X coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be made balanced (-machine improvement).

(5)回転磁界発生用の磁気回路PFCをケースRFS
で囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHI k
対する駆動効率を高められる。
(5) Magnetic circuit PFC for generating rotating magnetic field in case RFS
Since the chip is surrounded by
drive efficiency can be increased.

(4)ケースRF8は、回転磁界発生用のコイルCO工
から発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体BI
Mに漏れるのを防ぎ、他方磁石体BIMからチップCH
Iへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流磁界に対し
ては実質的にその通過を妨げないという選択性がある。
(4) In case RF8, the AC magnetic field generated from the coil CO for generating a rotating magnetic field is connected to a magnet body BI with a large magnetic permeability μ.
To prevent leakage to M, on the other hand, from the magnet BIM to the chip CH
There is selectivity to the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb to be applied to I so as not to substantially prevent its passage.

(5)ケースRFSとしては、従来配線基板として使用
されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような材質
を使用しているため、チップCHIを機械的に強固に支
持できる。従って、特に製造歩留を上げるため等の理由
により複数チップ実装構成とした場合は、チップ間の傾
斜角度バラツキが磁気特性に大きな影響を与えるが、本
実施例によればチップ間の傾斜角度のバラツキを小さく
押えられる。
(5) Since the case RFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly. Therefore, especially when a multiple chip mounting structure is used for reasons such as increasing manufacturing yield, the variation in the inclination angle between chips has a large effect on the magnetic properties, but according to this example, the inclination angle between the chips is Variations can be kept small.

(6)  配線基板としてフレキシブル配線基板FPC
を使用し【いるため下記の効果が得られる。
(6) Flexible wiring board FPC as a wiring board
By using [, the following effects can be obtained.

■基板厚を小さくできる。■The board thickness can be reduced.

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤボンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。
■Since the lead bonding method can be used, the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積の磁石板MAG−を使用することができ、デバイス
全体の落盤化又は平面積の縮小化につながる。
■The effects of ■ and ■ above are due to the magnetic circuit gap (magnetic permeability μ
It is possible to use a magnet plate MAG- having a small thickness or a small planar area, which leads to a cave-in or a reduction in the planar area of the entire device.

■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従りて、端子部分の180°の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, the terminal portion can be turned over by 180°, and the planar area of the entire device can be limited.

■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.

(7)基板FPCの外部導出配線を四角形の角1i1集
約させているので、回転磁界閉じ込めケース几F8(1
)開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the external wiring of the board FPC is concentrated in the corners 1i1 of the rectangle, the rotating magnetic field confinement case F8 (1
) Openings can be provided at the corners where the impact is least.

(8)傾斜板INNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the inclined plate INN is not combined with the magnet or magnetization function, the following effects are obtained.

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。
■Materials with good workability, such as copper, can be used to form the slope.

■熱伝導率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生
用のコイルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。
■Materials such as copper with good thermal conductivity can be used, and the heat generated by the coil COI for generating the rotating magnetic field can be efficiently dissipated.

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板RO
Mを通る磁界を乱さないよ5にすることができる。
■ By using non-magnetic material, magnetic shunt plate RO
It can be set to 5 so as not to disturb the magnetic field passing through M.

(9)  傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくする
ためにできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石板M
AGや整磁板HOMに比べて、傾斜角形成に必要十分な
ところに制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形
成を容易としている。
(9) It is preferable that the inclined plate INN be as thin as possible in order to reduce the magnetic gap, and its width should be determined by the magnetic plate M
Compared to AG and magnetic shunt plate HOM, by restricting the angle of inclination to the area necessary and sufficient for forming the inclination angle, it is easier to form the inclination angle with a thinner thickness.

(10)磁石板MAGとシールドケース8HI間には、
透磁率μの大きいソフトフェライトのような傾斜板IN
Mが挿入されているので、その間の磁気的ギャップを埋
めることができる。また、板INMは放熱にも寄与する
。板INMとしては磁石板MAGよりも保持力Hcの小
さい材料を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さを
均一なままにしておくことができる。
(10) Between the magnet plate MAG and shield case 8HI,
Inclined plate IN such as soft ferrite with large magnetic permeability μ
Since M is inserted, the magnetic gap between them can be filled. The plate INM also contributes to heat radiation. Since a material having a smaller coercive force Hc than that of the magnet plate MAG is selected for the plate INM, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.

(11)シールドケースSHIは透磁率μの大キいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石板MAG
を磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので
、磁石板MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(11) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a large magnetic permeability μ, the magnetic plate MAG
Since the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnetic field source as the magnetic field source can be reduced, the thickness and planar area of the magnet plate MAG can be reduced.

(12)シールドケース8HIは飽和磁束密度Bsの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップ1工に伝えない働き
がある。
(12) Since the shield case 8HI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Bs, it has the function of bypassing external magnetic field noise and preventing it from being transmitted to the chip 1.

(15)上記(It) 、 (12)はそれぞれ、シー
ルドケースSHIの厚さを薄くすることにつながる。
(15) The above (It) and (12) each lead to reducing the thickness of the shield case SHI.

(14)シールドケース8HIはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対して、その中に組み込まれた部
品を保護する働きがある。
(14) Since the shield case 8HI is made of an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and protects the parts assembled therein against external mechanical forces.

(15)回転磁界発生用の磁気回路PFCとバイアスコ
イルBICを共にコア産にしているので、ケースRF8
 、 SHI又はPKG内での収納効率又は実装密度を
高めることができる。
(15) Since the magnetic circuit PFC for generating a rotating magnetic field and the bias coil BIC are both made of core material, case RF8
, storage efficiency or packaging density within the SHI or PKG can be increased.

(16)コアCORと整磁板HOMとの間にはケース几
FSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの厚
さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折り
曲げ角度で微調整できる。
(16) Since a case FS is inserted between the core COR and the magnetic shunt plate HOM, the interval between them can be finely adjusted by adjusting the thickness of the rotating magnetic field confinement case RFS and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI. can.

この距離は短ければ短い程全体の平面的な大きさを小さ
くすることができ、コイル長の低減による低消費電力化
につながる。しかしながら、その距離が短か過ぎると磁
石板MAGからの直流バイアス磁界島が透磁率の高いコ
アCORに漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイ
アス磁界の一様性が悪くなる。従って、この距離は上記
特性上非常にシビアであり、本構造によるとその調整が
精密にできる。
The shorter this distance is, the smaller the overall planar size can be, leading to lower power consumption by reducing the coil length. However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field island from the magnet plate MAG will leak into the core COR having high magnetic permeability, and the uniformity of the bias magnetic field in the chip peripheral portion will deteriorate. Therefore, this distance is very critical due to the above-mentioned characteristics, and according to the present structure, it can be precisely adjusted.

(17)回転磁界閉じ込めケースRFSの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易℃あ
る。
(17) Since the constriction portion is provided around the rotating magnetic field confinement case RFS, alignment of the magnet body BIM is easy.

(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に180°の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板HOMや1対の磁石M
AGをほぼ平行に合せることができる。
(18) The inclined plate INN is made by arranging two plates manufactured under the same manufacturing conditions so that there is a rotation angle difference of 180° between the top and bottom surfaces of the chip. A pair of magnetic shunt plates HOM and a pair of magnets M are arranged.
AG can be aligned almost parallel.

(組立の概要 第5図) 第5図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部にチップ搭載部を有する基板
FPC上に2個のチップCHIを搭載した基板組立体B
NDを、底面に絶縁性シート56を接着配置した外側ケ
ースRFSa内に配置し、さらにこの基板FPC上に磁
気回路PFCを組み込んだ後、シリコーン樹脂SIR(
図示せず)を充填しその上部に内側ケース几FSbを外
側ケースRFSaに対して組み込み、外側ケースRFS
aと内側ケース几Febとの側面接触部分を半田付等に
より電気的に接続する。
(Overview of assembly Fig. 5) Fig. 5 is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each component constituting the above-mentioned magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. . In the same figure, first, there is a board assembly B in which two chips CHI are mounted on a board FPC that has input/output wiring connection parts protruding from the four corners and a chip mounting part in the center.
After placing the ND in an outer case RFSa with an insulating sheet 56 adhesively arranged on the bottom surface and incorporating a magnetic circuit PFC on this board FPC, silicone resin SIR (
(not shown), and the inner case box FSb is assembled into the outer case RFSa on the top thereof, and the outer case RFS
The side contact portions of a and the inner case Feb are electrically connected by soldering or the like.

次にこれらの外側ケースRF8aおよび内側ケースRF
Sbの外面に設けられている凹状の絞り部に上側磁石体
BIMaおよび下側磁石体BIMbを配置した後、この
上側磁石体BIMaの外縁部と内側ケースR,FSbの
内側とで形成される図示しない隙間に整列巻きされたバ
イアス;イルBICを配置し、これらを外側シールドケ
ース5HIa内に収納し、更に内側シールドケース5H
Ibを組み込み、外側シールドケース5HIaと内側シ
ールドケース5HIbとの側面接触部分を溶接等により
磁気的に接続する。
Next, these outer case RF8a and inner case RF
After arranging the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb in the concave constriction provided on the outer surface of Sb, the illustration formed by the outer edge of the upper magnet body BIMa, the inner case R, and the inside of FSb Bias coils wound in an aligned manner are arranged in the gaps between the two sides, and these are housed in the outer shield case 5HIa, and then the inner shield case 5H is placed.
Ib is incorporated, and the side contact portions of the outer shield case 5HIa and the inner shield case 5HIb are magnetically connected by welding or the like.

次にシールドケース、8HIの4隅から突出している前
記基板FPCの外部接続端子接続部を内側シールドケー
ス5HIbの背面に第4図Bに示すように折り返し、一
定形状を有するように組み合わせて配置し、これらの接
続部にそれぞれ設けられている半田等で被覆された各外
部接続端子に、コンタクトパッドCNPを各開口部に搭
載した端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等により
各外部接続端子とコンタクトパッドGNP’i半田付等
により電気的に接続させる。
Next, the external connection terminal connection portions of the board FPC protruding from the four corners of the shield case 8HI are folded back to the back of the inner shield case 5HIb as shown in FIG. 4B, and arranged in a fixed shape. , A terminal fixing plate TEF with a contact pad CNP mounted in each opening is placed in contact with each external connection terminal covered with solder etc. provided at each of these connection parts, and each external connection terminal is attached by thermocompression bonding or the like. It is electrically connected to the contact pad GNP'i by soldering or the like.

次にこれらの組立体をパッケージングケースPKG内に
収納し、端子固定板TEFとパッケージングケースPK
Gの接触部においてハーメチックシール等の封止を行っ
【組み立てられる。
Next, these assemblies are stored in the packaging case PKG, and the terminal fixing plate TEF and the packaging case PK
A hermetic seal or other seal is applied to the contact area of G. [Assembled]

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.

(7レキシプル配線基板 第4図) 第4図は基板FPC−i示す図であり、同図Aはその平
面図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接
続部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは
同図AのaC−4c拡拡大面図、同図りは同図人の40
−40拡大断面図である。同図において、基板FPCは
、中央部に角形状のチップ搭載部1と、この4隅に巾の
小さい折り曲げ部2 (2a 、 2b 、 2C、2
d )と、この先端部に角形状の外部接続端子接続部(
以下接続部と称する) s (sa、sb、5c、sd
)とを有し、全体形状がほぼ風車状をなして一体的に形
成されており、また、このチップ搭載部1の対向辺側に
は後述する2個のチップCHIを搭載しその端子部を接
続させる2重枠構造の矩形状開口部4(4a、4b)お
よび位置決め用の5個の穿孔5(5a、5b、5c)が
設けられ、さらに1個の接続部3Cの先端には位置決め
用の基板突出部6が設けられている。
(7 lexiple wiring board Fig. 4) Fig. 4 shows the board FPC-i. Fig. 4 A is a plan view thereof, and Fig. 4 B is a combination of the external connection terminals protruding from the four corners by folding them together. The plan view of the arrangement, the same figure C is an enlarged cross-sectional view of aC-4c of the same figure A, the same figure is the 40th person of the same figure.
-40 is an enlarged sectional view. In the figure, the board FPC has a rectangular chip mounting part 1 in the center and small bent parts 2 (2a, 2b, 2C, 2) in the four corners.
d) and a square external connection terminal connection part (
(hereinafter referred to as connection part) s (sa, sb, 5c, sd
), and is integrally formed with an almost windmill-like overall shape, and two chips CHI, which will be described later, are mounted on opposite sides of this chip mounting part 1, and their terminal parts are mounted on opposite sides of the chip mounting part 1. A rectangular opening 4 (4a, 4b) with a double frame structure for connection and five perforations 5 (5a, 5b, 5c) for positioning are provided, and a positioning hole is provided at the tip of one connecting portion 3C. A substrate protrusion 6 is provided.

また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図人に示すような配線用リード9a、
円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用端
子9c、記号9dおよびインデックスマーク9e等のパ
ターンが形成され、さらにこれらの上面には前記同様な
部材からなる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカ
バーフィルム10が接着配置されている。
In addition, as shown in FIG. C, this FPC board is made by forming a copper thin film on a base film 7 made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μm, for example, via an epoxy adhesive 8, and then applying the copper thin film to the desired shape. By etching into a pattern shape, wiring leads 9a as shown in the figure are formed.
Patterns such as a circular external terminal 9b, an elliptical coil lead connection terminal 9c, a symbol 9d, and an index mark 9e are formed on the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. A semi-transparent or semi-transparent cover film 10 is adhesively arranged.

そして、この基板FPCの開口部4においては、図示し
ないチップCHI搭載側となるベースフィルム7が高い
精度の寸法で開口が形成され、また、その上面側カバー
フィルム10には比較的寸法の大きい開口が形成され、
さらにベースフィルム7とカバーフィルム10との間に
は配線用リード9aが露出し、この配線用リード9aの
表面には錫メッキ層11が形成され、開口形状が2層構
造でかつ2重枠構造を有し℃形成されている。
In the opening 4 of this substrate FPC, an opening is formed with highly accurate dimensions in the base film 7 on the chip CHI mounting side (not shown), and a relatively large opening is formed in the cover film 10 on the upper surface side. is formed,
Further, a wiring lead 9a is exposed between the base film 7 and the cover film 10, a tin plating layer 11 is formed on the surface of the wiring lead 9a, and the opening shape has a two-layer structure and a double-frame structure. It is formed at ℃.

一方、接続部5においては、同図りに示すようにカバー
フィルム10の前記円形状外部端子9bおよび図示しな
い楕円状の外部端子9cと対応する部位に円形状の開口
12が形成され、その開口12から露出した外部端子9
b 、 ?cc薄膜パターン上にはめっき或いはディッ
プ等による半田層15が形成されている。そして、これ
らの接続部5に設けられた各外部端子9b 、 9cは
各接続部5a 、 5b。
On the other hand, in the connecting portion 5, as shown in the figure, a circular opening 12 is formed in a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the oval external terminal 9c (not shown). External terminal 9 exposed from
b.? A solder layer 15 is formed on the CC thin film pattern by plating or dipping. The external terminals 9b and 9c provided in these connecting portions 5 are connected to the connecting portions 5a and 5b.

5c 、 5dおよび折り曲げ部2a 、 2b 、 
2c 、 2d並びにチップ搭載部1上に連続して形成
された各配線用リード9aに接続され、これらの配線用
リード9aはチップ搭載部1に設けられた各開口部4a
5c, 5d and bent portions 2a, 2b,
2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the chip mounting part 1, and these wiring leads 9a are connected to each opening 4a provided in the chip mounting part 1.
.

4bの開口端の一部に各接続部5a # 5b 、 5
C、5dのブロック毎に集結してその先端部が各開口部
4a。
Each connection part 5a #5b, 5 is attached to a part of the open end of 4b.
The tips of blocks C and 5d are assembled into openings 4a.

4b内に露出されている。すなわち同図人に示すように
接続部5aの配線用リード9aは開口部4aの左上部に
、接続部5bの配線用リード9aは開口部4bの左下部
に、接続部5Cの配線用リード9aは開口部4aの右上
部に、また接続部5dの配線用リード9aは開口部4b
の右下部にそれぞれ配線されている。
4b is exposed. That is, as shown in the figure, the wiring lead 9a of the connecting part 5a is located at the upper left of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting part 5b is located at the lower left of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting part 5C is located at the lower left of the opening 4b. is located in the upper right corner of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connection part 5d is located in the opening 4b.
are wired at the bottom right of each.

そして、この基板FPCは、後述する工程で各接続部5
a 、 5b 、 5c 、 5dが各折り曲げ部2a
 、 2b 。
Then, this board FPC is connected to each connecting portion 5 in a process described later.
a, 5b, 5c, 5d are each bent portion 2a
, 2b.

2C、2dで折り曲げられて同図Bに示すように組み合
わされ、半田層15を形成した各外部端子9b。
Each external terminal 9b is bent at 2C and 2d and combined as shown in FIG. 2B to form a solder layer 15.

9Cが表面に露出し、また、配線用リード9a、記号9
dおよびインデックスマーク9eは表面がカバーフィル
ム10Vcより被覆されているので、これらのパターン
はカバーフィルム10を透かして容易に判読できるよう
に構成されている。
9C is exposed on the surface, and wiring lead 9a, symbol 9
Since the surfaces of the index mark d and the index mark 9e are covered with the cover film 10Vc, these patterns are configured so that they can be easily read through the cover film 10.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、チップ搭載部1の4隅に各折り曲げ部
za t 2b 、 2G 、 2dを介して各接続部
5a 、 5b 、 5C、5dを設けた風車状に構成
し、これらの各接続部5a 、 5b 、 5c 、 
5dを折り返し組み合わせて外部端子部を構成したこと
により、チップ搭載部1と接続部とが2層配線構造とな
るので、接続部50面積を小さくすることなく、チップ
搭載部1の面積を大きくさせ、併せて外部端子部の多端
子化が可能となり、全体形状を小形化することができる
In such a configuration, the substrate FPC is made of a polyimide resin film, and has connection parts 5a, 5b, 5C, and 5d provided at the four corners of the chip mounting part 1 via respective bending parts 2b, 2G, and 2d. These connecting portions 5a, 5b, 5c,
5d is folded back and combined to form the external terminal section, the chip mounting section 1 and the connection section form a two-layer wiring structure, so the area of the chip mounting section 1 can be increased without reducing the area of the connection section 50. In addition, the external terminal portion can be multi-terminal, and the overall shape can be made smaller.

また、このような構成において、各外部端子9bからチ
ップ搭載部1の各開口部4m 、 4bまでの配線リー
ド9aを大Sに短縮できるので、外部雑音等による影響
を大幅に減らすことができる。
Further, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4m, 4b of the chip mounting section 1 can be shortened to a large S, so that the influence of external noise etc. can be significantly reduced.

すなわちS/N比の高い信号を入出力させることができ
る。さらに接続部5Cの一端に基板突出部6を設けると
ともに、この突出部6にインデックスマーク9eを設け
たことにより、折り返し組み立てた際の基板中央部の表
示用、ケース几FSおよびSHI (第2図参照)に組
み込む際の位置合せ用、配線リード9aの種類の区別用
あるいは製品型式の表示用等の判別に利用してその判別
が容易となるので、組み立ておよび基板管理等を合理化
することができる。また、基板FPCのチップ搭載部1
0両端側に穿孔5a 、 5b 。
That is, signals with a high S/N ratio can be input and output. In addition, a board protrusion 6 is provided at one end of the connecting portion 5C, and an index mark 9e is provided on this protrusion 6, so that the case box FS and SHI can be used to display the central part of the board when folded back and assembled. (Reference)), for distinguishing the type of wiring lead 9a, or for displaying the product model, etc., making it easy to identify, so assembly, board management, etc. can be streamlined. . In addition, the chip mounting part 1 of the board FPC
0 Perforations 5a and 5b on both ends.

5Cを設けたこと忙より、基板FPCの左右の区別、チ
ップCHIの位置決め等が容易となり、同様に組み立て
性を合理化することができる。
By providing 5C, it becomes easy to distinguish between the left and right sides of the board FPC, position the chip CHI, etc., and it is also possible to streamline assembly.

(基板組立体 第5e6e7図) 第5図は前述した基板FPCにチップCHIを搭載した
平面図を示したものである。同図において、基板FPC
のチップ搭載部1には2個のチップCHIが開口部4a
 、 ab間に並列配置して搭載され基板組立体BND
が構成されており、このチップCHIの1個は、第6図
に拡大平面図で示すようにIMbの2ブロツクが一体化
して構成され、2個のチップCHIでは4ブロツク、合
計で4Mbチップを構成している。なお、第6図に示し
たチップ■工の1ブロツクにおいて、太線は導体パルー
ン、細線はシェブロンパターン転送路ヲそれぞれ示して
いる。また、第5図に示したチップCHIは、第7図A
、第7図BKそれぞれ拡大断面図で示すようにチップC
HIの端部に金メッキして設けられた各ポンディングパ
ッド14と、基板FPC開口部4の錫メッキ層11が形
成された配線用リード9aとの間に金バンプ15を介在
させて熱圧着法によるAu −8n共晶によりリードボ
ンディングされて搭載されている。
(Substrate Assembly Figures 5e6e7) Figure 5 shows a plan view of the chip CHI mounted on the FPC board described above. In the same figure, the board FPC
There are two chips CHI in the chip mounting part 1 of the opening 4a.
, board assembly BND mounted in parallel between ab and
As shown in the enlarged plan view in FIG. 6, one chip CHI is constructed by integrating two blocks of IMb, and the two chips CHI have 4 blocks, making a total of 4 Mb chips. It consists of In one block of the chip process shown in FIG. 6, thick lines indicate conductor paroons and thin lines indicate chevron pattern transfer paths. In addition, the chip CHI shown in FIG. 5 is
As shown in the enlarged cross-sectional views of FIG. 7B, the chip C
A gold bump 15 is interposed between each bonding pad 14 provided by gold plating on the end of the HI and the wiring lead 9a on which the tin plating layer 11 of the substrate FPC opening 4 is formed, and the thermocompression bonding is performed. It is mounted by lead bonding using Au-8n eutectic.

このような構成によれば、基板FPCの開口部4a 、
 4bの配線用リード9aとチップCHIのポンディン
グパッド14とがAu −Sn共晶によるリードボンデ
ィングにより接続されてチップCHIが支持固定できる
ので、接続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が
可能となる。また、チップCHIの表面が基板FPCの
チップ搭載部1により被覆されるので、チップCHIの
表面が保護され、ハンドリング性を向上させることがで
きるとともに、基板FPCの機械的強度を保持すること
ができる。また、このような構成によれば、各チップC
HIが2ブロツクからなり、2個のチップCHIは4ブ
ロツクで構成されているので、各ブロックをそれぞれ最
も近接する各接続部5g 、 5b。
According to such a configuration, the opening 4a of the substrate FPC,
The wiring lead 9a of 4b and the bonding pad 14 of the chip CHI are connected by lead bonding using Au-Sn eutectic, and the chip CHI can be supported and fixed, so the connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. becomes. In addition, since the surface of the chip CHI is covered by the chip mounting part 1 of the FPC board, the surface of the chip CHI is protected, the handling property can be improved, and the mechanical strength of the FPC board can be maintained. . Moreover, according to such a configuration, each chip C
Since the HI consists of two blocks and the two chips CHI consists of four blocks, each block is connected to the nearest connecting portions 5g and 5b.

5c 、 5dへ分配して配線でき、チップCHI配置
の対称性が得られ、試験、検査等が極めて容易となる。
Wiring can be distributed to 5c and 5d, and symmetry of chip CHI arrangement can be obtained, making testing, inspection, etc. extremely easy.

さらに基板FPCに4個の接続部5a 、 5b 。Furthermore, there are four connection parts 5a and 5b on the FPC board.

5c 、 5dを設けているので、各チップCHIの磁
気バブル検出器DEFおよびマツグループ等の配線を他
の機能配線と区別して1個所の接続部に集結させ(第6
図参照)、この接続部を雑音発生源から遠ざける部位に
選定して配置することにより、雑音の極めて少ない入出
力信号を授受することができる。
5c and 5d, the wires for the magnetic bubble detector DEF and the pine group of each chip CHI are distinguished from other functional wires and concentrated in one connection part (6th
(see figure), by selecting and arranging this connection at a location away from the noise source, input/output signals with extremely low noise can be exchanged.

(駆動磁気回路 第8,9図) 第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路PFCは、軟磁性材料からなる額
縁形のコアCORの互いに平行な対向する辺上に、矢印
方向に巻線を施して4組のコイk 20a 、 20b
 、 20c 、 20dからなるコイルCOIが巻設
され、互いに対向する辺上のコイル20aと20bとを
接続点21bを介して直列巻きさせてXコイル22aを
、コイル20cと20dとを接続点射aを介して直列巻
きさせてY:Fイル22bをそれぞれ構成している。そ
して、Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の9
0度異なる電流IxおよびIy(例えば三角波電流)を
供給すること姥より、同図BVc示すようllCx軸方
向に漏洩磁界Hxが、y軸方向には漏洩磁界HYが発生
し、前述した2個のチップCHIに回転磁界として供給
される。
(Drive Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFC, and FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a plan view showing the drive magnetic circuit. In the figure, the magnetic circuit PFC consists of four sets of coils k 20a and 20b wound in the direction of the arrows on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COR made of a soft magnetic material.
, 20c, and 20d are wound. Coils 20a and 20b on opposing sides are wound in series via a connection point 21b to form an X coil 22a, and coils 20c and 20d are connected to form an injection a. The Y:F coils 22b are formed by winding the coils in series through the Y:F coils 22b. Then, the X coil 22a and the Y coil 22b have a phase of 9.
In addition to supplying currents Ix and Iy (for example, triangular wave currents) that differ by 0 degrees, a leakage magnetic field Hx is generated in the llCx axis direction and a leakage magnetic field HY is generated in the y-axis direction, as shown by BVc in the same figure, and the two aforementioned It is supplied to the chip CHI as a rotating magnetic field.

また、このように構成される磁気回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア25に巻線を複数ブロック毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a 、 20bからなる一対のXコイル22aを形成し
た後、各フィル2Daと20bとの間に一定の巾を有す
る幅の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削加
工して設け。
In addition, the magnetic circuit PFC configured in this manner has windings arranged around a rectangular parallelepiped magnetic core 25 made of one soft magnetic material with taps 24 for each block, as shown in a perspective view in FIG.
are provided and wound in series to form a pair of coils, for example coil 20.
After forming a pair of X coils 22a consisting of a and 20b, a wide groove 25 having a constant width and a narrower groove 26 are formed by cutting between each fill 2Da and 20b.

しかる後、この幅の小さい溝26部分から切断して両者
に分割された幅の広い溝25を互いに直交する方向に組
み合わせて接着し、第8図に示すように額縁形に構成す
る。また、逆に前述した幅の広い溝25および幅の小さ
い溝26を予め形成した直方体コア25にコイル20a
 、 20bをタップ24を介して巻設し、一対のXコ
イル22aを形成してもよい。また、前述した一対のY
コイル22bについても全く同様に形成される。
Thereafter, the wide grooves 25 that are cut from the narrow groove 26 are assembled and glued together in directions orthogonal to each other to form a picture frame shape as shown in FIG. Conversely, the coil 20a is attached to the rectangular parallelepiped core 25 in which the wide groove 25 and the narrow groove 26 described above are formed in advance.
, 20b may be wound through the tap 24 to form a pair of X coils 22a. In addition, the pair of Y
The coil 22b is formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア25にコイ
ル20a 、 20bを直列方向にタップ24を設けて
巻設しているので、第8図に示すように組み立て構成し
た場合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がな
くなり、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 25 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル22aトYコイル2
2bとが対称構造となるので、粗カップリングとなり、
インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する磁
性体間の磁気的干渉を防止することができる。また、こ
の磁気回路PFCはチップCHIの上、下面に配置され
ない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さくな
り、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
2b has a symmetrical structure, resulting in a rough coupling,
The inductance balance is improved, and magnetic interference between magnetic bodies due to leakage magnetic fields can be prevented. Further, since the magnetic circuit PFC has a frame-shaped structure that is not placed on the upper or lower surface of the chip CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.

(回転磁界閉じ込めケース 第10.11.12図)第
10図は内側ケース几FSbを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその1oB −toB断面図である。
(Rotating magnetic field confinement case Figures 10, 11, and 12) Figure 10 is a diagram showing the inner case FSb, in which Figure A is a plan view and Figure B is a 1oB-toB sectional view thereof.

同図において、内側ケース几Febは、その中央部分が
凹状となる枠形状の絞り部50と、その対向端辺が上方
向にほぼ90度折り曲げられた折り曲げ部51と、その
各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部52とをそれ
ぞれ有して構成されており、このケースRF8bは良導
電性材料、例えば無酸素銅板をプレス加工して形成され
ている。この場合、絞り部50および折り曲げ部51は
この内側ケースRF8bのねじれ方向の機械的強度を向
上させるとともに、互いに対向する折り曲げ部51相互
間の縦横方向の外径寸法りを適宜制限することができる
。また、絞り部50は、このケースRFSbの外面側に
配設される磁石体BIMbと、内面側に配置されるチッ
プCHIとの間の距離を適宜調整することができる。な
お、4隅に設けた切り欠き部S2は、このケースRFS
b内に配設される基板FPCの各折り曲げ部2a 、 
2b。
In the figure, the inner case Feb has a frame-shaped constriction part 50 whose central part is concave, a bent part 51 whose opposite end is bent upward by approximately 90 degrees, and each of the four corners of which is diagonally bent. The case RF8b is formed by pressing a highly conductive material such as an oxygen-free copper plate. In this case, the constricted portion 50 and the bent portion 51 can improve the mechanical strength of the inner case RF8b in the torsional direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 51 facing each other. . Furthermore, the aperture section 50 can appropriately adjust the distance between the magnet body BIMb disposed on the outer surface side of the case RFSb and the chip CHI disposed on the inner surface side. Note that the notches S2 provided at the four corners are
Each bent part 2a of the board FPC arranged in b,
2b.

2C、2dの引出し部分を形成している。It forms the drawer parts of 2C and 2d.

このような構成によれば、内側ケース几FSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。
According to such a configuration, the inner case box FSb can be formed by a press working method, so that it can be manufactured with high precision dimensions and at low cost.

なお、内側ケース几F8bは、無酸素銅を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。
Note that although oxygen-free copper is used for the inner case box F8b, a plate material made of copper, silver, gold plate, or a plated alloy plate of these may also be used.

第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは平面図、同図
Bはその11B −11B断面図である。
FIG. 11 is a diagram showing an outer case RFSa corresponding to the inner case RFSb described above, in which FIG. 11A is a plan view and FIG. 11B is a 11B-11B sectional view thereof.

同図において、この外側ケースRFSaは、前述した内
側ケース几Febと同等め材料および製作法により形成
され、その構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状と
なる枠形状の絞り部55と、その対向端辺が上方向にほ
ぼ90度に折り曲げられた折り曲げ部34と、その各4
隅が斜め方向に切断された切り欠き部55とを有して構
成されている。この場合、互いに対向する折り曲げ部3
4は、その相互間の内側寸法が、前述した内側ケースR
FSbの折り曲げ部51相互間の外側寸法りとほぼ同等
値を有しかつ高さHを大きくして形成されている。なお
、この絞り部35および切り欠き部55は前述した内側
ケース几Febとほぼ同等の寸法を有して形成されてい
る。
In the figure, the outer case RFSa is formed using the same materials and manufacturing method as the inner case Feb described above, and its structure includes a frame-shaped constriction part 55 with a concave center part, almost the same as the above-described structure. A bent portion 34 whose opposite end side is bent upward at approximately 90 degrees, and each of the bent portions 34
The corner has a notch 55 cut diagonally. In this case, the bent portions 3 facing each other
4, the inner dimension between them is the inner case R mentioned above.
It is formed to have approximately the same value as the outer dimension between the folded portions 51 of the FSb, and to have a larger height H. Note that the constricted portion 35 and the cutout portion 55 are formed to have substantially the same dimensions as the aforementioned inner case box Feb.

このように構成された外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースR,F8bは、第12図Aにその平面図。
FIG. 12A is a plan view of the outer case RFSa and the inner cases R and F8b configured in this way.

第12図Bに12B−12B断面図でそれぞれ示すよう
に、外側ケースRFaa内に内側ケースRFSbを挿入
し、外側ケースRFSaの折り曲げ部31の外面とを互
いに接触させて接続することにより、一体化されたケー
スRF8が組み立てられる。
As shown in the 12B-12B sectional view in FIG. 12B, the inner case RFSb is inserted into the outer case RFaa, and the outer surfaces of the bent portions 31 of the outer case RFSa are brought into contact with each other and connected. The case RF8 is assembled.

(ケース組立体 第15図) 第15図は前述したケース’RFS内に基板組立体EN
Dを収納配置した断面図を示したものである。
(Case assembly Fig. 15) Fig. 15 shows the board assembly EN in the case 'RFS mentioned above.
It shows a cross-sectional view of D being housed and arranged.

同図において、外側ケースRF8 aの底面には、電気
的絶縁性シートとして、例えば厚さ約α1m程度のポリ
イミドフィルム56が接着配置され、このフィルム36
上には基板組立体BNDが、また、その周縁部には磁気
回路PFCがそれぞれ配置され、さらに基板組立体EN
Dの上面にエポキシ系の接着剤57を塗布した後、これ
らの上方部には内側ケースRFSbが挿入されて接合配
置されている。この場合、この外側ケースRFSaの折
り曲げ部54の内面と内側ケースRF′Sbの折り曲げ
部51の外面とがx印で示す部分でメタル7E2−ある
いは半田付等により電気的1機械的に接合されている。
In the figure, a polyimide film 56 with a thickness of about α1 m, for example, is adhesively arranged as an electrically insulating sheet on the bottom surface of the outer case RF8a.
A board assembly BND is arranged on the top, a magnetic circuit PFC is arranged on the periphery of the board assembly BND, and a board assembly EN is arranged on the top.
After applying an epoxy adhesive 57 to the upper surface of D, an inner case RFSb is inserted into the upper part of these and arranged to be joined. In this case, the inner surface of the bent portion 54 of the outer case RFSa and the outer surface of the bent portion 51 of the inner case RF'Sb are electrically and mechanically joined by metal 7E2- or soldering at the portion indicated by the x mark. There is.

また、この外側ケースRF8aと内側ケースRFSbと
の間の隙間部分にはシリコーン樹脂8IRが充填され基
板組立体BNDおよび磁気回路PFCが固定配置されて
いる。なお、この場合、これらの外側ケースRF8aお
よび内側ケースRFS bの4隅に設けられた図示しな
い各切り欠き部52 、55には基板FPCの折り曲げ
部2 (2a 。
Further, a gap between the outer case RF8a and the inner case RFSb is filled with silicone resin 8IR, and the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In this case, each notch 52 and 55 (not shown) provided at the four corners of the outer case RF8a and the inner case RFSb has a bent portion 2 (2a) of the board FPC.

zb −2C# 2d )が外部へ引出されている。5
BはコイルCOI同志の接続またはコイルCOIと基板
FPC上に設けられた外部端子9Cを接続するためのリ
ード線である。
zb-2C#2d) is drawn out. 5
B is a lead wire for connecting the coil COIs or connecting the coil COI to the external terminal 9C provided on the FPC board.

このような構成において、磁気回路PFCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRF8には閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に閉じ込められ、したがってチ
ップCHIには均一な回転磁界が付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit PFC, an induced current flows through the case RF8 to form a closed loop, and this induced current confines the rotating magnetic field within the case RFS, so that the chip CHI is applied with a uniform rotating magnetic field.

このような構成によれば、外側ケースRFSaおよび内
側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基板F
PCに搭載されたチップCHIを、周縁部分の凸状部内
に磁気回路PFCをそれぞれ挾持させて配置したのでパ
ッケージング効果が向上できるとともに、組立性が大幅
に向上できる。また、外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースgpsbで覆われる体積が減少することにより、V
I積(OC体積)が低減でき、回転磁界を発生させる磁
気回路PFCの小形化が可能となる。さらに外側ケース
RFSaおよび内側ケースRFSbに絞り部50 、5
5で形成される凹状部を設は対向する凹状部間のギャッ
プを減少させることにより、回転磁界はチップCHIの
平面に垂直な成分(2成分)が零に近接して水平な成分
のみとなり、−根性を向上させることができる@また、
チッブCHIの素子面に垂直な軸に対して磁気回路PF
C及びケースRFSがほぼ対称構造であるため、一様注
を更に向上させることができる。
According to such a configuration, the board F is placed in the concave portion at the center between the outer case RFSa and the inner case RFSb.
Since the chip CHI mounted on the PC is arranged with the magnetic circuit PFC sandwiched within the convex portion of the peripheral portion, the packaging effect can be improved and the ease of assembly can be greatly improved. In addition, by reducing the volume covered by the outer case RFSa and the inner case gpsb, V
The I product (OC volume) can be reduced, and the magnetic circuit PFC that generates the rotating magnetic field can be downsized. Further, there are throttle portions 50, 5 in the outer case RFSa and the inner case RFSb.
By reducing the gap between the opposing concave portions, the rotating magnetic field has a component (two components) perpendicular to the plane of the chip CHI that approaches zero and becomes only a horizontal component. - You can improve your guts @Also,
The magnetic circuit PF is aligned with the axis perpendicular to the element surface of the chip CHI.
Since C and case RFS have nearly symmetrical structures, uniform injection can be further improved.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which Figure A is a plan view, Figure B is a side view, and Figure C is a front view.

同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜板I洲の傾斜面側に配置する板厚の均一
な整磁板HOMと、この整磁板HOMの上面側に配置す
る板厚の均一な磁石板MAGと、この磁石板MAGの上
面側に傾斜面を有する傾斜板INMとを順次秋層し、エ
ポキシ系の接着剤により一体化されて形成され、全体の
積層板厚がほぼ全面にわたって均一となるように構成さ
れている。そして、この磁石体BIMの上、下面からは
ほぼ全面にわたって均一なバイアス磁界が放出される。
In the figure, the magnetic body BIM includes an inclined plate IN made of a non-magnetic material, such as copper, and one of the opposing surfaces has a predetermined inclined surface.
N, a magnet plate HOM with a uniform plate thickness arranged on the inclined surface side of this inclined plate I, a magnet plate MAG with a uniform plate thickness arranged on the upper surface side of this magnet plate HOM, and this magnet plate. An inclined plate INM having an inclined surface on the upper surface side of the MAG is sequentially layered and integrated with an epoxy adhesive, so that the overall laminated plate thickness is uniform over almost the entire surface. . A uniform bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアス;イルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B −15B断面図であ
る。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶
縁部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻
線40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁状
となるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却さ
せて所定値の額縁形状に成形して構成されている。この
場合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂が
互いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が目
詰りして成形され、冷却させることにより、各巻線40
が結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状
に形成される。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing a bias coil BIC, and FIG. 15A is a perspective view, and FIG. 1B is a 15B-15B sectional view thereof. In the same figure, the bias coil BIC has a winding 40 whose outer surface is coated with an insulating member such as a thermosetting resin, and is wound in an array with a cross section of 5 x 4 wires so that the overall shape has a picture frame shape. After that, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 40 is
Since it is cured in a bundled state, it is formed into a predetermined picture frame shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装 
第16図) 第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
内に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBIC
を組み込んだ断面図を示したものである。
(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
Figure 16) Figure 16 shows the magnet body BIM and bias coil BIC described above inside the case RFS assembly explained in Figure 13.
This figure shows a cross-sectional view incorporating the.

同図において、内部に基板組立体BNDおよび磁気回路
PFCを収納したケースRF8組立体の上。
In the same figure, the top of the case RF8 assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside.

下面にはそれぞれ上部磁石体BIMa 、下部磁石体B
IMbが接着配置され、さらにこの上部磁石体BIMa
の周縁部と、内側ケースR,FSbの折り曲げ部51と
で囲まれて形成される額縁状溝部にはバイアスコイルB
ICが収納配置されている。
Upper magnet BIMa and lower magnet B are on the bottom surface, respectively.
IMb is adhesively arranged, and this upper magnet body BIMa
A bias coil B is placed in a frame-shaped groove surrounded by the peripheral edge of the inner case R and the bent portion 51 of the inner case R and FSb.
IC is stored and arranged.

この場合、上部磁石体BIMaと下部磁石体BIMbと
は全く同一の材料2寸法で構成されており、これらの磁
石体BIMa 、 BIMbはその傾斜板1洲側が、内
側ケースRFSbの絞り部50で囲われた凹状部および
外側ケースRFSaの絞り55で囲われた凹状部内にそ
れぞれ密着されて配置される。
In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are made of exactly the same material with two dimensions, and the inclined plate 1 side of these magnet bodies BIMa and BIMb is surrounded by the constricted part 50 of the inner case RFSb. and a concave portion surrounded by the aperture 55 of the outer case RFSa, in close contact with each other.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa 
、 BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成され
る額縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるの
で、各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、
小形、薄形化が可能となる。また、外側ケース几FSa
と下部磁石体B IMbの外縁部分とで額縁状の空間溝
が形成されるので、この部分に前記バイアスコイルBI
Cを配置しても良く、また新たにノくイアスコイルを設
けても良く、さらにはコイルボビンとして巻線を施して
バイアスコイルを形成することもできる。
In such a configuration, a pair of magnets BIMa are placed in the concave portions formed on both sides of the central portion of the case RFS assembly.
, BIMb is disposed, and the bias coil BIC can be disposed within the frame-shaped groove formed at the periphery of the BIMb, so the overall thickness of each component in the stacking direction is reduced.
It is possible to make it smaller and thinner. In addition, the outer case 几FSa
A frame-shaped space groove is formed between the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, and the bias coil BI is inserted into this portion.
C may be arranged, or a new bias coil may be provided, and furthermore, a bias coil may be formed by winding a wire as a coil bobbin.

(磁気シールドケース 第17 、18 、19図)第
17図は外側シールドケース5HIaを示す図であり、
同図Aは平面図、同図Bはその17B−17B断面図で
ある。同図において、外側シールドケース8HIaは、
平坦部51と、この平坦部51の対向端辺に上方向にほ
ぼ90度に折り返した折り曲げ部52と、この折り曲げ
部52の中央部に一部が切り欠かれた凹部55と、その
各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部54とを有し
て構成されており、この外側シールドケース5HIaは
高透磁率および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導
率の大きい材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して
形成されている。
(Magnetic shield case Figs. 17, 18, 19) Fig. 17 is a diagram showing the outer shield case 5HIa,
Figure A is a plan view, and Figure B is a cross-sectional view taken along line 17B-17B. In the figure, the outer shield case 8HIa is
A flat part 51, a bent part 52 which is folded upward at an angle of approximately 90 degrees on the opposite end of the flat part 51, a recessed part 55 which is partially cut out in the center of this bent part 52, and each of the four parts. The outer shield case 5HIa is made of a material having high magnetic permeability and high saturation magnetic flux density, and preferably high thermal conductivity, such as permalloy. It is formed by pressing a plate.

第18図は前述した外側シールドケース8HIaに対応
する内側シールドケース8HIbを示す図であり、同図
人は平面図、同図Bはその18B −taB断面図であ
る。同図において、この内側シールドケース5HIbは
、前述した外側シールドケース8HIaと同等の材料お
よび製作法により形成され、その構造は前述とほぼ同様
に平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上方向に
ほぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この折り曲
げ部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57と、そ
の各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58とを有
して構成されている。この場合、互いに対向する折り曲
げ部56はその相互間の外側寸法L4が、前述した外側
シールドケース5HIaの折り曲げ部52相互間の内側
寸法L4とほぼ同等値を有しかつ高さHな小さくして形
成されている。
FIG. 18 is a diagram showing an inner shield case 8HIb corresponding to the above-mentioned outer shield case 8HIa, and FIG. 18 is a plan view, and FIG. 18B is a cross-sectional view taken along line 18B-taB. In the figure, this inner shield case 5HIb is formed using the same materials and manufacturing method as the above-mentioned outer shield case 8HIa, and its structure is almost the same as that described above, with a flat part 55 and an opposite edge of this flat part 55. A bent portion 56 that is folded upward at approximately 90 degrees, a recessed portion 57 that is partially cut out in the center of this bent portion 56, and notched portions 58 that are cut diagonally at each of its four corners. It is configured with In this case, the mutually opposing bent portions 56 have an outer dimension L4 between them that is approximately the same as the inner dimension L4 between the bent portions 52 of the outer shield case 5HIa described above, and have a small height H. It is formed.

このように構成された外側シールドケース5HIaおよ
び内側シールドケース8HI bは第19図Aにその平
面図、第19図Bにその19B−19B断面図でそれぞ
れ示すように、外側シールドケ、−ス5HIa内に内側
シールドケース5HIbを挿入し、外側シールドケース
5HIaの凹部55と内側シールドケースSHI bの
凹部57とで形成される凹部59にスポット溶接あるい
は半田溶接を施し、磁気的、機械的に固定することによ
り一体化させシールドケース8HIが組み立てられる。
The outer shield case 5HIa and the inner shield case 8HIb configured in this way are shown in a plan view in FIG. 19A and in a sectional view taken along line 19B-19B in FIG. The inner shield case 5HIb is inserted into the inner shield case 5HIb, and the recess 59 formed by the recess 55 of the outer shield case 5HIa and the recess 57 of the inner shield case SHIb is spot welded or soldered to fix it magnetically and mechanically. The shield case 8HI is assembled by integrating the shield case 8HI.

このような構成におい【、外側シールドケース5HIa
の折り曲げ部52および内側シールドケース8HIbの
折り曲げ部56を横方向、つまり積層方向と交差する方
向に設定することなく、積層方向に揃えて設定すること
により、横方向の寸法を小さくさせ、小形でかつ構成部
品の高集積化が可能となる。
In such a configuration, the outer shield case 5HIa
By setting the bent portion 52 of the inner shield case 8HIb and the bent portion 56 of the inner shield case 8HIb in the lateral direction, that is, in the direction that intersects with the laminating direction, by aligning them with the laminating direction, the lateral dimension can be reduced, making it compact. In addition, high integration of component parts becomes possible.

(磁気シールドケース組立体 第20図)第20図は前
述したシールドケース8HI組立体内に、前記第16図
で説明した内部に基板組立体BND 、磁気回路PFC
を組み込んだケースRFS組立体と、一対の磁石体BI
Ma 、 BIMb、バイアスコイルBICとからなる
組立体を組み込んだ断面図を示したものである。同図に
おいて、外側シールドケース8HIaの内部には、その
底面側から中央部に上部磁石体BIMa 、周縁部にバ
イアスコイルBIC、ケースRFS組立体(内部に基板
組立体END 、磁気回路PFC等が組み込まれている
)、下部磁石体BIMbを順次積層配置させた後、内側
シールドケース81(I bを挿入し、前述した外側シ
ールドケースSHI aの凹部55と内側シールドケー
ス5HIbの凹部57とで形成される凹部59(第19
図参照)で溶接固定して封止される。この場合、このシ
ールドケースSHI内にグリース等を充填させてお(こ
とにより、内部の構成部品が実質的に相互に密着するこ
とになり、ケースRFSから発生する熱がこのシールド
ケースSHIを介して外部に放出することができる。
(Magnetic shield case assembly Fig. 20) Fig. 20 shows a board assembly BND and a magnetic circuit PFC inside the above-mentioned shield case 8HI assembly as explained in Fig. 16 above.
A case RFS assembly incorporating the BI
A cross-sectional view incorporating an assembly consisting of Ma, BIMb, and bias coil BIC is shown. In the figure, the inside of the outer shield case 8HIa includes an upper magnet body BIMa in the center from the bottom side, a bias coil BIC in the periphery, and a case RFS assembly (board assembly END, magnetic circuit PFC, etc. are incorporated inside). After sequentially stacking and arranging the lower magnet bodies BIMb, the inner shield case 81 (Ib) is inserted, and the recess 55 of the outer shield case SHIa and the recess 57 of the inner shield case 5HIb described above are formed. recess 59 (19th
(see figure) is welded and sealed. In this case, the shield case SHI is filled with grease or the like (thereby, the internal components are substantially brought into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS is transferred through the shield case SHI). Can be released to the outside.

また、ケースRFSとシールドケース8HIを圧入方式
により側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させ
ることができる。
Furthermore, the heat dissipation effect can be improved by making the case RFS and the shield case 8HI contact each other at their sides by press-fitting.

このような構成において、外側シールドケース5HIa
の底面側にケース几FS組立体を、その折り曲げ部51
 、54が対向するように積層配置させることによって
外部シールドケース8HIaと内部シールドケース8H
I bとの間に積層される各構成部品が密着配置できる
ので、小形化、薄形化が可能となるとともに放熱効果も
同時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case 5HIa
Place the case FS assembly on the bottom side of the
, 54 are stacked to face each other, thereby forming an outer shield case 8HIa and an inner shield case 8H.
Since each component laminated between Ib and Ib can be arranged in close contact with each other, it is possible to make the device smaller and thinner, and at the same time, a heat dissipation effect can be obtained.

(パッケージングケース 第21図) 第21図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21B断面図
である。同図において、パッケージングケースPKGは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚的0.5四のアルミ
ニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されないが
、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッケ
ージングケースPKGは、前記外側シールドケース8H
Iaの形状を改良して兼用させて使用することができる
(Packaging case FIG. 21) FIG. 21 is a diagram showing a packaging case PKG, in which FIG. 21A is a plan view and FIG. 21B is a 21B-21B sectional view thereof. In the figure, the packaging case PKG is formed by drawing a material with good thermal conductivity, for example, an aluminum plate with a thickness of 0.54 mm, and has a black coating on its outer surface (not shown). ing. This packaging case PKG is the outer shield case 8H.
It is possible to improve the shape of Ia and use it for both purposes.

このような構成部おいて、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデバイス完成後の外側ケース
となるとともに放熱体としての機能を有し、さらにその
内側角部は後述するポツティング法による樹脂モールド
時の型としての機能も同時に有している。
In such a component, this packaging case P
The KG serves as an outer case after the magnetic bubble memory device is completed and also functions as a heat sink, and its inner corner also functions as a mold during resin molding by the potting method described later.

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22 、25図
) 第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B −22B断面図、同図C
はその背面図である。同図において、端子固定板TEF
は、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ
系の樹脂板60からなり、その外形状は前記パッケージ
ングケースPKGの開口部に保して挿入出自在となる縦
横方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板
60の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔61が縦横
方向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設
され、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とは
ならない断面が凹状となる非貫通孔62が設けられ、こ
の非貫通孔62内には例えば方向性あるいは特長を位置
付ける白色の塗膜などによるマーク65が付着されてい
る。また、この樹脂板60に穿設された多数個の貫通孔
61には、同図Bに示すようにその背面側に口径の大き
い開口64が同軸的に連通して設けられており、これら
の開口64の全ては板厚の約60%の深さを有しかつ貫
通孔61とは途中に段差を有して連通されている。また
、この樹脂板60の背面側には同図Cに示すようにその
周辺部分に沿って前記開口64の深さとほぼ同等の深さ
を有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状とな
る溝65が形成され、この溝65内は前述したコイルC
OIの巻線、バイアスコイルBICの巻線の通路部およ
び接続部を構成している。また、この樹脂板60の角部
66は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前述
したパッケージングケースPKGの内側面に対して接触
面を得ている。このように樹脂板60の背面側は板厚の
異なる2段構造を有して形成され【いる。
(Terminal fixing plate and contact pad Figures 22 and 25) Figure 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF, where A is a plan view, B is a cross-sectional view 22B-22B, and C is a cross-sectional view of the terminal fixing plate TEF.
is its rear view. In the same figure, the terminal fixing plate TEF
is made of an electrically insulating material, for example, a glass epoxy resin plate 60, and its outer shape has dimensions in the vertical and horizontal directions that allow it to be inserted and inserted into the opening of the packaging case PKG. In addition, a large number of through holes 61 are formed in a matrix arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions in the resin plate 60 except for the periphery, and the corners of these through holes are A non-through hole 62 having a concave cross section that is not rotationally symmetrical is provided in the non-through hole 62, and a mark 65 made of, for example, a white coating film for locating the directionality or feature is attached to the inside of the non-through hole 62. In addition, as shown in FIG. B, a large number of through holes 61 formed in the resin plate 60 are provided with large diameter openings 64 coaxially communicating with each other on the back side thereof, as shown in FIG. All of the openings 64 have a depth of about 60% of the plate thickness, and communicate with the through hole 61 with a step in the middle. Further, as shown in FIG. C, the back side of the resin plate 60 has a depth approximately equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and has a different width in the plane direction and a concave cross section. A groove 65 is formed, and the above-mentioned coil C is placed inside this groove 65.
It constitutes a passage section and a connection section for the winding of the OI and the winding of the bias coil BIC. Further, the corner portion 66 of this resin plate 60 does not have a concave shape, but has a predetermined thickness, and provides a contact surface with the inner surface of the packaging case PKG described above. In this way, the back side of the resin plate 60 is formed to have a two-stage structure with different plate thicknesses.

第25図はコンタクトパッドGNPを示す図であり、同
図人は平面図、同図Bはその断面図である。同図におい
て、コンタクトパッドGNPは、良導電性材料、例えば
板厚約0.5m程度の銅板をプレス加工により打ち抜い
た素片7oの表面にニッケルメッキ層71.金メッキ層
72を形成して構成される。
FIG. 25 is a diagram showing the contact pad GNP, in which FIG. 25 is a plan view and FIG. 25B is a sectional view thereof. In the figure, the contact pad GNP is formed by forming a nickel plating layer 71 on the surface of a blank piece 7o punched out of a highly conductive material, for example, a copper plate with a thickness of about 0.5 m, by press working. It is constructed by forming a gold plating layer 72.

(最終組立 第20.4.2図) このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG 内に、第20図で説明
したシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこ
のパッケージングケースPKGの4隅から前記基板組立
体BNDの各接続部5a 、 5b 、 5c 、 5
d (第4図A参照)が各折り曲げ部2a 、 2b 
、 2c 、 2dから約90度で折れ曲がって突出す
る。次に、このパッケージングケースPKGの4隅にボ
ッティング法により樹脂モールドを行なってこのパッケ
ージングケースPKG内に各個性部品を固定配置させる
。引き続きこれらの各接続部5a 、 5b 、 5c
 、 5dを対応する各折り曲げ部2a 、 2b 、
 2c 、 2dでさらに約90度で折り曲げて内側シ
ールドケース8HI bの外面に接着剤を介して前記第
4図Bに示すように組み合わせた後、前記端子固定板T
EF背面側の各開口64内にコンタクトパッドCNPを
搭載し、あるいは更にコンタクトパッドGNPの側面を
接着剤により固着してパッケージングケースPKG K
挿入し、各接続部5a 、 5b 、 5c 、 5d
に接触配置させる。この場合、各接続部5a 、 5b
 、 5c 、 5dに設けられている各外部端子9b
の配列ピッチと各コンタクトパッドCNPの配列ピッチ
とが一致しているので、各外部端子9bとコンタクトパ
ッドGNPとは電気的に接触する。次に配置した端子固
定板TEFの裏側から各貫通孔61に例えば先端部の細
い加熱体を挿入し、コンタクトパッドGNPを熱圧着す
る事により、各外部端子9bと対応する各コンタクトパ
ッドGNPが電気的に接続されるとともに端子固定板T
EFも同時に機械的に固定されて第2図に示した磁気バ
ブルメモリデバイスが完成される。
(Final Assembly FIG. 20.4.2) For each component configured in this way, first insert the shield case assembly described in FIG. 20 into the packaging case PKG described above. In this state, each connection part 5a, 5b, 5c, 5 of the board assembly BND is connected from the four corners of this packaging case PKG.
d (see Fig. 4A) is the bending portion 2a, 2b.
, 2c, and 2d, bending at about 90 degrees and protruding. Next, resin molding is performed at the four corners of this packaging case PKG by a botting method, and each individual component is fixedly arranged inside this packaging case PKG. Subsequently, each of these connection parts 5a, 5b, 5c
, 5d to the corresponding bent portions 2a, 2b,
2c and 2d are further bent at about 90 degrees and assembled to the outer surface of the inner shield case 8HIb with adhesive as shown in FIG. 4B, and then the terminal fixing plate T
A packaging case PKG K is created by mounting a contact pad CNP in each opening 64 on the back side of the EF, or by further fixing the side surface of the contact pad GNP with adhesive.
Insert each connection part 5a, 5b, 5c, 5d
Place it in contact with the In this case, each connection part 5a, 5b
, 5c, and each external terminal 9b provided on 5d.
Since the arrangement pitch of and the arrangement pitch of each contact pad CNP match, each external terminal 9b and contact pad GNP are in electrical contact with each other. Next, by inserting, for example, a heating element with a thin tip into each through hole 61 from the back side of the arranged terminal fixing plate TEF and thermocompressing the contact pad GNP, each contact pad GNP corresponding to each external terminal 9b is electrically connected. Terminal fixing plate T
EF is also mechanically fixed at the same time to complete the magnetic bubble memory device shown in FIG.

(磁気バブルメモリチップ 第24 、25 、26 
、27゜28図) 第24図は前述した磁気バブルメモリチップCHIのポ
ンディングパッドPAD近辺の断面図を示すものである
。同図において、GGG (gado l iniAm
−gall ium −garnet )は基板であり
、LPEは液相エピタキシャル成長法によって形成され
たバブル磁性膜であり、その組成の一例は下記表1に示
した通りである。
(Magnetic bubble memory chip No. 24, 25, 26
, 27° and 28) FIG. 24 shows a cross-sectional view of the vicinity of the bonding pad PAD of the magnetic bubble memory chip CHI described above. In the same figure, GGG (gado l ini Am
-gallium-garnet) is a substrate, LPE is a bubble magnetic film formed by a liquid phase epitaxial growth method, and an example of its composition is as shown in Table 1 below.

IONはハードバブル抑制のためK LPB膜表面に形
成されたイオン打込層を示している。8P 1は第1の
スペーサであり1例えば5000 A′の厚さの8i0
2が気相化学反応により形成される。CON 1及びC
ON 2は2層の導体層を示しており、後述するバブル
発生、複写(分割)及び交換を制御する機能を持ってお
り、下の第1の導体層CON 1がMo 、上の第2の
導体層CON 2がAu等の材料でそれぞれ形成されて
いる。8P 2及び8P sは導体層CONとその上に
形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pとを電気的
に絶縁するポリイミド樹脂等から成る眉間絶縁膜(第2
、第5のスペーサ)である。PASは気相化学反応法部
より形成された8i02膜等からなるバッジベージ璽ン
膜である。PADはチップCHIのポンディングパッド
を示しており、社線等の細いコネクタワイヤがここに熱
圧着法や超音波法によりボンディングされる。このポン
ディングパッドPADは下の第1層PAD 1がCr 
、中央の第2層PAD 2がAu層、上の第5層PAD
 sがAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成されており
、第2層PAD 2および第5層PAD sをCr 、
 Cu等の材料で形成しても良い。Pはバブルの転送路
やバブルの分割1発生、交換及び検出部更にはガードレ
ール部に用いられる層を示しており、以後の説明では便
宜上転送パターン層と表現する。
ION indicates an ion implantation layer formed on the surface of the KLPB film to suppress hard bubbles. 8P 1 is the first spacer 1, for example 8i0 with a thickness of 5000 A'
2 is formed by a gas phase chemical reaction. CON 1 and C
ON 2 indicates a two-layer conductor layer, which has the function of controlling bubble generation, copying (splitting), and exchange, which will be described later. The lower first conductor layer CON 1 is Mo, and the upper second conductor layer The conductor layers CON 2 are each made of a material such as Au. 8P 2 and 8P s are glabella insulating films (second
, fifth spacer). PAS is a badge film made of 8i02 film or the like produced by the vapor phase chemical reaction department. PAD indicates a bonding pad of the chip CHI, and a thin connector wire such as a company wire is bonded here by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. This bonding pad PAD has the lower first layer PAD 1 made of Cr.
, the second layer PAD 2 in the center is the Au layer, and the fifth layer PAD above
The second layer PAD 2 and the fifth layer PAD s are made of Cr,
It may be formed of a material such as Cu. P indicates a layer used for a bubble transfer path, a bubble division 1 generation, exchange and detection section, and a guardrail section, and in the following description, it will be expressed as a transfer pattern layer for convenience.

第24図の例ではこの転送パターン層Pは下層P1にF
e−Niを、上層P2にFe−Niをそれぞれ使用して
いるが、前述したように両者の材質を上下入れ替えるこ
とも可能である。
In the example of FIG. 24, this transfer pattern layer P is transferred to the lower layer P1.
Although e-Ni is used for the upper layer P2 and Fe-Ni is used for the upper layer P2, as described above, it is also possible to interchange the two materials vertically.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層をチップ
CHIの各部に適用した例を第25図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第25図はバブル検出
器り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャー8Tが数10段形成され
ている。なお、PRはバブルの転送方向を示している。
Hereinafter, an example in which the transfer pattern layer consisting of multiple layers described above is applied to each part of the chip CHI will be explained using the plan views from FIG. Note that they are represented by the same contour line because they are the same. Figure 25 shows the bubble detector part, where MEM is the main magnetoresistive element, which uses the change in resistance value when bubbles stretched in a strip shape in the horizontal direction pass through it to detect the presence or absence of bubbles. Detect. MED is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field. Although only two stages of bubble stretchers 8T are shown above the main magnetoresistive element MEM, there are several dozen stages of bubble stretchers 8T that stretch bubbles laterally and transfer them downward. Note that PR indicates the bubble transfer direction.

BRはバブルの消去器であり、導体層CNDにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、5列のパターン群から成る
ガードレール()Rが設けられており、ガードレールG
R,の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出
したり、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブ
ルがその内側に入り込むのを防ぐよう忙なっている。な
お、第25図以下の平面パターン図では導体層CND以
外のパターンは第24図で説明した転送パターン層Pを
示している。同図において、磁気抵抗素子■M。
BR is a bubble eraser, and when a bubble reaches the conductor layer CND, it is erased. A guardrail ()R consisting of a group of five patterns is provided around this detector and between the dummy and main detection, and the guardrail G
They are busy expelling unnecessary bubbles generated inside the guardrail GR to the outside, and preventing unnecessary bubbles generated outside the guardrail GR from entering inside. In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CND indicate the transfer pattern layer P explained in FIG. 24. In the figure, magnetoresistive element ■M.

MEDを多層磁性層で形成することにより、信号対雑音
比(87N比)が向上した。例えば、転送パターンとし
て各層間に8i02膜を介在させたS層パーマロイ層を
使用した場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表
2に示すようにSZN比が2倍以上向上させることがで
きる。
By forming the MED with multilayer magnetic layers, the signal-to-noise ratio (87N ratio) was improved. For example, if an S-layer permalloy layer with an 8i02 film interposed between each layer is used as a transfer pattern, the SZN ratio can be improved by more than twice compared to a single-layer permalloy layer, as shown in Table 2 below. .

表    2 また、ガードレールGRの性能も保持力Hcの低減によ
り不要バブルの排除率が高(なるなど改善される。
Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail GR is also improved by reducing the holding force Hc, such as increasing the removal rate of unnecessary bubbles.

第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ。
FIG. 26 shows the magnetic bubble generator GEN, and by making the transfer pattern layer P multilayered, the current generated by magnetic bubbles can be reduced.

磁気バブル発生器の導体層CHDの寿命を長くすること
が可能となった。従って、導体N CNDの駆動回路も
電流容量値の小さい早導体素子が使用でき、低価格が可
能となる。
It has become possible to extend the life of the conductor layer CHD of the magnetic bubble generator. Therefore, a fast conductor element with a small current capacity value can be used in the drive circuit for the conductor N CND, and the cost can be reduced.

第27図はPaxPh等の転送パターンで形成されたマ
イナループfn 、 P%v1〜Pw5等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインWML及び
ヘアピン状導体層CNDで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、Pyは第26図のバブル
発生器GEN Kおける転送パターンP7と同一のもの
であり、言い換えればバブル発生器GENで発生された
バブルはP1〜P7の転送路を通って書き込みメイジャ
ーラインWMLK転送される。スワップ導体層CNDに
電流を流したとき、マイナループm1の転送パターンP
dの磁気バブルは転送パターンPL、 Pmを通ってメ
イジャーラインWMLの転送パターンPw 5 ic転
送され、メイジャーラインPw 1からの磁気バブルは
転送パターンPk、Pj、Piを経てマイナルーズの転
送パターンPei転送されてバブルの交換、すなわち情
報の書き換えが行なわれる。なお、右端のマイナループ
mlにはスワップゲートが設けられていないが、これは
、周辺効果を軽減するための磁気パズルを注入しないダ
ミーのループである。このように交換位置における転送
パターン層PixPmを多層化することにより、小さい
電流値で磁気バブルの交換を行なうことができる。
FIG. 27 shows a minor loop fn formed by a transfer pattern such as PaxPh, a write major line WML formed by a transfer pattern sequence such as P%v1 to Pw5, and a swap gate portion formed by a hairpin-shaped conductor layer CND. There is. In the same figure, Py is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEN K in FIG. WMLK transfer. When a current is passed through the swap conductor layer CND, the transfer pattern P of the minor loop m1
The magnetic bubble of d is transferred to the transfer pattern Pw 5 ic of the major line WML through the transfer patterns PL and Pm, and the magnetic bubble from the major line Pw 1 is transferred to the transfer pattern Pei of the minor loose via the transfer patterns Pk, Pj, and Pi. Then, bubbles are exchanged, that is, information is rewritten. Note that the rightmost minor loop ml is not provided with a swap gate, but this is a dummy loop in which no magnetic puzzle is injected to reduce the peripheral effect. By multilayering the transfer pattern layer PixPm at the exchange position in this manner, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn −Py 、 Ps 
P−Pxの順路で転送されており、導体層CNDに電流
を流したとき、転送パターンP)の位置でバブルは分割
され、分割された1つの磁気バブルはPy、P8〜P1
0を経て読出しメイジャーラインRML <転送される
Further, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copying machine, that is, a divider, can be driven with a small current value as well. In the same figure, the normal magnetic bubbles are Pn-Py, Ps
The bubble is transferred along the normal path P-Px, and when a current is applied to the conductor layer CND, the bubble is divided at the position of the transfer pattern P), and one divided magnetic bubble is Py, P8 to P1.
Read major line RML <transferred via 0.

(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図)磁石板
MAGはチップCHIに対し【約2度程度傾斜させ℃配
置される。これはチップCHIに対しバイアス磁界島が
垂直方向よりややずれて印加されるようにしたもので、
それによってバブル転送のスタート、ストップマージン
を約6rOe〕向上させるホールディング磁界Hdcを
生み出す(第29図人)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field Fig. 29) Magnet plate MAG is placed at an angle of about 2 degrees with respect to chip CHI. This is done so that the bias magnetic field island is applied to the chip CHI with a slight deviation from the perpendicular direction.
This creates a holding magnetic field Hdc that improves the start and stop margins of bubble transfer by about 6 rOe (Figure 29).

第29図人に示したように磁石体BIMとチップCHI
との角度θの傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内
の成分Hdcを持つことになる。そして、この面内成分
Hdcの大きさは、Hdc−sinθとなり、通常Hd
c −s inθ= s C0e) 〜6 (Oe〕に
なるように傾斜角度θが選定される。また、この面内成
分Hdcの方向は、回転磁界Hrのスタート・ストップ
(8t/8p)方向(+x軸方向)に一致するように傾
斜されている。そして、このxy面内成分Hdcは、回
転磁界Hrのスタート・ストップ(St/Sp)動作に
対し【有効な働きをし、ホールディングフィールドと呼
ばれている公知の磁界である。なお、チップCHI面忙
垂直に作用するバイアス磁界Hbの大きさはHz・(o
sθとなる。
As shown in Figure 29, magnet body BIM and chip CHI
Due to the inclination of the angle θ with , the DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane. The magnitude of this in-plane component Hdc is Hdc-sinθ, and normally Hd
The inclination angle θ is selected so that c −s in θ=s C0e) ~ 6 (Oe). Also, the direction of this in-plane component Hdc is the start/stop (8t/8p) direction of the rotating magnetic field Hr ( + This is a well-known magnetic field that acts on the chip CHI surface.The magnitude of the bias magnetic field Hb that acts perpendicular to the chip CHI surface is Hz・(o
It becomes sθ.

さて、上述したホールディングフィールドHdcは、チ
ップCHIOxy面に対して常時作用するため、第29
図BK図解したように前記チップCHI K作用する回
転磁界Hr’は偏心する。同図におい【、Hrは外部か
ら加えられる回転磁界、Hr’はチップCHIに作用す
る回転磁界である。この場合、チップCHIに作用する
回転磁界Hr’は外部から加えられる回転磁界Hrと面
内成分Hdcとを合成したものとなり、その回転磁界H
r’の中心0′はスタート・ストップ(St /8p 
)方向である+X軸方向に面内成分Hdc分だけ平行移
動する。
Now, since the above-mentioned holding field Hdc always acts on the chip CHIOxy surface, the 29th
As illustrated in Figure BK, the rotating magnetic field Hr' acting on the chip CHIK is eccentric. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and Hr' is a rotating magnetic field acting on the chip CHI. In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on the chip CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the rotating magnetic field H
The center 0' of r' is the start/stop (St/8p
) direction, which is the +X-axis direction, by an in-plane component Hdc.

このため、同図の結果から明らかな、ように、外部から
加えている回転磁界Hrの強さが1Hrlであっても実
効的にチップCHIに作用する回転磁界の強度I Hr
’ lは回転磁界Hrの位相によって異なる。すなわち
at/8p方向でのl Hr’ lは、1Hrl+1H
dclとなり、1Hrlに比べてホールディングフィー
ルドHdcの強さl Hd e lだけ強くなっている
。逆に、St/Sp方向と逆方向の場合のlHr’lは
1Hrl −IHdclとなり、1Hrlは比べて1H
dclだけ弱まっている。
Therefore, as is clear from the results in the same figure, even if the strength of the externally applied rotating magnetic field Hr is 1 Hrl, the strength of the rotating magnetic field that effectively acts on the chip CHI is
'l varies depending on the phase of the rotating magnetic field Hr. That is, l Hr' l in the at/8p direction is 1Hrl+1H
dcl, which is stronger than 1Hrl by the strength of the holding field Hdc l Hd e l. Conversely, lHr'l in the opposite direction to the St/Sp direction becomes 1Hrl -IHdcl, and 1Hrl is 1H in comparison.
Only dcl is weakened.

(周辺回路 第50図) 最後にチップCHIの周辺回路を第50図で説明する。(Peripheral circuit Fig. 50) Finally, the peripheral circuit of chip CHI will be explained with reference to FIG.

R,FはチップCHIのX及びYコイルVc90@位相
差の電流を流し回転磁界Hrを発生するための回路であ
る。8AはチップCHIの磁気抵抗素子からの微小なバ
ブル検出信号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプ
リングし感知、増幅するセンスアンプである。DBは、
磁気バブルメモリデバイスMBMの書き込みに関係する
バブル発生及びスワップ並びに読み出しに関係するレプ
リケートの各機能導体に所定のタイミングで電流を流す
駆動回路である。以上の回路は回転磁界Hrのサイクル
及び位相角に同期して動作するようタイミング発生回路
TGKより【同期化されている。
R and F are circuits for flowing currents with a phase difference between the X and Y coils Vc90 of the chip CHI to generate a rotating magnetic field Hr. 8A is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies a minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of the chip CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. DB is
This is a drive circuit that causes current to flow at a predetermined timing through each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap related to writing and reading of the magnetic bubble memory device MBM. The above circuit is synchronized by the timing generation circuit TGK so that it operates in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.

(回転磁界分布特性 第51図) 第51図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心な0とし【X軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強産出=
0としたときのX軸方向の一転磁界強度服をそれぞれ示
すと、曲線Iで示すような回転磁界分布特性が得られた
。同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向する
コアCOR間の内側までの距離−Xc〜+Xcの範囲ま
でほぼ均一な回転磁界強産出が得られ、また、チップC
HIの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範囲) 
−Xe〜十Xeの範囲では±約2%の磁界強度−機上が
得られた。なお、破線で示す曲線璽は従来構成の磁気回
路による回転磁界分布特性である。
(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 51) FIG. 51 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the same figure, the horizontal axis represents the center 0 in the magnetic circuit PFC shown in FIG.
When the single rotational magnetic field strength in the X-axis direction is shown when it is set to 0, a rotating magnetic field distribution characteristic as shown by curve I was obtained. As is clear from the figure, an almost uniform strong rotating magnetic field can be produced within the range of -Xc to +Xc between the opposing cores COR of the magnetic circuit PFC, and the chip C
Effective area of HI (minimum range to which rotating magnetic field should be applied)
In the range of -Xe to 10Xe, a magnetic field strength of ±2% was obtained. Incidentally, the curved line indicated by the broken line is the rotating magnetic field distribution characteristic due to the magnetic circuit of the conventional configuration.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、7レキシプル配線
基板に搭載した磁気バブルメモリチップを、額縁形コア
の回転磁気回路の空間部に配設するとともに、その全体
を良導電性材の回転磁界閉じ込めケース内に挾持させそ
の周縁部を電気的に接続したことにより、漏洩磁界を発
生させる空間を小さくできるので小さなVI積で一様性
の高い回転磁界が得られるとともに、回転磁界閉じ込め
ケースを小形化できることにより低消費電力が図られ、
かつ全体形状を小形薄形化し組立性が改善された磁気バ
ブルメモリデバイスが得られるという極めて優れた効果
が得られる。
As explained above, according to the present invention, the magnetic bubble memory chip mounted on the 7-lexiple wiring board is disposed in the space of the rotating magnetic circuit of the frame-shaped core, and the whole is placed in the rotating magnetic field of the highly conductive material. By sandwiching it inside the confinement case and electrically connecting its peripheral edge, the space in which the leakage magnetic field is generated can be made smaller, so a highly uniform rotating magnetic field can be obtained with a small VI product, and the rotating magnetic field confinement case can be made smaller. By being able to reduce power consumption,
Moreover, an extremely excellent effect can be obtained in that a magnetic bubble memory device whose overall shape is made smaller and thinner and whose assemblability is improved can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2図Aは底面図、第2図Bは
同図Aの2B−2B断面図、第5図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、第5
図は基板FPCにチップCHIを搭載した基板組立体E
NDを示す平面図、第6図はチップCHIを示す図、第
7図は基板組立体BNDのリードボンディングを説明す
る図、第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図は
磁気回路PFCの製作方法を説明する図、第10図は内
側ケースRFSbを示す図、第11図は外側ケースRF
8aを示す図、第12図はケースRF8の組立図、第1
3図はケースRFa内に基板組立体BNDおよび磁気回
路PFCを収納した組立体の断面図、第14図は磁石体
BIMの構成を説明する図、第15図はバイアスコイル
BICを説明する図、第16図はケースRF8組立体に
一対の磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを組み
込んだ組立体の断面図、第17図は外側シールドケース
5HIaを示す図、第18図は内側シールドケースSH
Ibを示す図、第19図はシールドケース8HIの組立
図、第20図は第16図に示す組立体をシールドケース
8HI内に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパッ
ケージングケースPKGを示す図、第22図は端子固定
板TBFの構成を説明する図、第25図はコンタクトバ
ッドCNPの構成を示す図、第24図はチップCHIの
断面図、第25図はチップCHIの磁気バブル検出器り
の構成を示す図、第26図はチップC)(Iの磁気バブ
ル発生器GENの構成を示す図、第27図はチップCH
Iのスワップゲ−)SWPの構成を示す図、第28図は
チップCHIのレプリケートゲート肚Pの構成を示す図
、第29図Aはバイアス磁界Hbとホールディング磁界
Hdcの関係を示す図、同図Bはトータル回転磁界Hr
’を示す図、第50図は磁気バブルメモリボードの全体
回路を示す図、第51図は回転磁界分布特性図である。 CHI s磁気バブルメモリチップ(チップ)、FPC
sフレキシブル配線基板(基板)、BND s基板組立
体、 COI s駆動コイル(コイル)、 CO九1額縁形コア(:1ア)、 PFCs磁気回路、 RPS s回転磁界閉じ込めケース(ケース)、RF8
a  s外側ケース、 RF8b  寡内側ケ・−ス、 BIM  sバイアス磁界発生用磁石体(磁石体)、B
IMa  s上部磁石体、 BIMb  sT部磁石体、 INM s傾斜板、 MAG s永久磁石板(磁石板)、 HOM s整磁板、 INN i非磁性傾斜板、 BICs バイアス磁界発生用コイル(バイアスコイル
)、 8HI s外部磁気シールドケース(シールドケース)
、 8HIa  s外側シールドケース、 8HIb  s内側シールドケース、 PKG  sパッケージングケース、 TBF s端子固定板、 CNP 、コンタクトパッド、 1sチップ搭載部、 2.2m、2b、2C,2d l折り曲げ部、5 、5
a、5b、5c、5d s外部接続端子接続部、4.4
a、4b、開口部、 5.5a、5b、5c;穿孔・ 61基板突出部、 71ベースフイルム、 8a接着剤、 9a S配線用リード、 9b s外部端子、 9c s接続用端子、 9d s記号、 9e sインデックスマーク、 10 sカバーフィルム、 11 s錫メッキ層、 12a開口、 15s半田メッキ層、 14 sポンディングパッド、 15s金バンプ、 20a、20b、20c、20d sコイル、21a、
21b s接続点、 22asXコイル 22bsYコイル、 25 S磁気コア、 24 sタップ、 25 s幅の大きい溝、 261幅の小さい溝、 50 g絞り部、 51纂折り曲げ部、 52%切欠き部、 551絞り部、 541折り曲げ部、 55 i切欠き部、 56 sポリイミドフィルム、 571接着剤、 58にコイル巻線、 401巻線、 51%平坦部、 52 s折り曲げ部、 55 l凹部、 54寡切欠き部、 55 s平坦部、 56B切り曲げ部、 57s凹部、 58 s切欠き部、 591凹部、 60富樹脂板、 61審貫通孔、 621非貫通孔、 65寡マーク、 64 s開口、 65墓溝、 66 s角部、 70 s素片、 71 sニッケルメッキ層、 第4図C 第4図り 第5図 第6図 IY 第8図B Hト5α 第12図A 第12図B 第14図A   第14図B 第14図C )(OX            INNNN第1ム 第17図A 第18図A 第18図B 第19図A SH夏 第19図B 第21図へ 旦吸 第21図B 月亜 第22図A 第22図B +llL  ζtコ <LL (L(1) 第26図 第28図
Fig. 1 is a partially cutaway perspective view showing the entire magnetic bubble memory device according to the present invention, Fig. 2A is a bottom view, Fig. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of Fig. 5A, and Fig. 5 is a stacked structure. Figure 4 is a diagram explaining the board FPC, Figure 5 is an exploded perspective view showing the
The figure shows board assembly E with chip CHI mounted on the board FPC.
FIG. 6 is a plan view showing the chip CHI, FIG. 7 is a diagram explaining lead bonding of the board assembly BND, FIG. 8 is a diagram explaining the magnetic circuit PFC, and FIG. 9 is a diagram showing the magnetic circuit. A diagram explaining the manufacturing method of PFC, FIG. 10 is a diagram showing the inner case RFSb, and FIG. 11 is a diagram showing the outer case RF.
8a, Figure 12 is an assembly diagram of case RF8, 1st
3 is a sectional view of an assembly in which the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are housed in the case RFa, FIG. 14 is a diagram illustrating the configuration of the magnet body BIM, and FIG. 15 is a diagram illustrating the bias coil BIC. FIG. 16 is a cross-sectional view of a case RF8 assembly incorporating a pair of magnets BIM and bias coil BIC, FIG. 17 is a diagram showing the outer shield case 5HIa, and FIG. 18 is a diagram showing the inner shield case SH.
19 is an assembly diagram of the shield case 8HI, FIG. 20 is a sectional view of the assembly shown in FIG. 16 incorporated into the shield case 8HI, and FIG. 21 is an assembly diagram of the packaging case PKG. 22 is a diagram explaining the structure of the terminal fixing plate TBF, FIG. 25 is a diagram showing the structure of the contact pad CNP, FIG. 24 is a cross-sectional view of the chip CHI, and FIG. 25 is a diagram showing the magnetic bubble of the chip CHI. Figure 26 shows the configuration of the magnetic bubble generator GEN of chip C) (Figure 27 shows the configuration of the magnetic bubble generator GEN of chip CH)
FIG. 28 is a diagram showing the configuration of the replicate gate arm P of the chip CHI, FIG. 29A is a diagram showing the relationship between the bias magnetic field Hb and the holding magnetic field Hdc, and FIG. is the total rotating magnetic field Hr
50 is a diagram showing the entire circuit of the magnetic bubble memory board, and FIG. 51 is a diagram showing the rotating magnetic field distribution characteristics. CHI's magnetic bubble memory chip (chip), FPC
s Flexible wiring board (board), BND s Substrate assembly, COI s Drive coil (coil), CO91 picture frame core (:1A), PFCs magnetic circuit, RPS s Rotating magnetic field confinement case (case), RF8
a s outer case, RF8b inner case, BIM s bias magnetic field generation magnet (magnet), B
IMa s upper magnet body, BIMb sT section magnet body, INM s inclined plate, MAG s permanent magnet plate (magnetic plate), HOM s magnetic shunt plate, INN i non-magnetic inclined plate, BICs bias magnetic field generation coil (bias coil) , 8HIs external magnetic shield case (shield case)
, 8HIas outer shield case, 8HIbs inner shield case, PKGs packaging case, TBFs terminal fixing plate, CNP, contact pad, 1s chip mounting part, 2.2m, 2b, 2C, 2d l bending part, 5, 5
a, 5b, 5c, 5d s External connection terminal connection section, 4.4
a, 4b, opening, 5.5a, 5b, 5c; perforation/61 board protrusion, 71 base film, 8a adhesive, 9a S wiring lead, 9b s external terminal, 9c s connection terminal, 9d s symbol , 9e s index mark, 10s cover film, 11s tin plating layer, 12a opening, 15s solder plating layer, 14s bonding pad, 15s gold bump, 20a, 20b, 20c, 20d s coil, 21a,
21b s connection point, 22 as part, 541 bent part, 55 i notch part, 56 s polyimide film, 571 adhesive, 58 coil winding, 401 winding, 51% flat part, 52 s bent part, 55 l concave part, 54 small notch part , 55 s flat part, 56 B cut and bent part, 57 s recessed part, 58 s notch part, 591 recessed part, 60 rich resin board, 61 through hole, 621 non-through hole, 65 small mark, 64 s opening, 65 grave groove, 66 s corner, 70 s piece, 71 s nickel plating layer, Fig. 4 C Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6 IY Fig. 8 B HT 5α Fig. 12 A Fig. 12 B Fig. 14 A Figure 14B Figure 14C ) (OX INNNN 1st mu Figure 17A Figure 18A Figure 18B Figure 19A Figure A Figure 22B +llL ζtko<LL (L(1) Figure 26Figure 28

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 配線基板に搭載されこれと電気的に接続された磁気バブ
ルメモリチップを、2組の対向する2辺にそれぞれ巻線
を施こした長方形環状のコアに囲まれた位置に配置し、
上記磁気バブルメモリチップ、巻線及びコアを回転磁界
閉じ込めケースで覆うようになした磁気バブルメモリ装
置において、上記回転磁界閉じ込めケースを上記磁気バ
ブルメモリチップの上側と下側とで分割して構成すると
ともに、該回転磁界閉じ込めケース、配線基板に搭載さ
れた磁気バブルメモリチップ及び巻線を施こしたコアを
、一軸方向に積重ねて組立てたことを特徴とする磁気バ
ブルメモリ装置。
A magnetic bubble memory chip mounted on a wiring board and electrically connected thereto is placed in a position surrounded by two sets of rectangular annular cores each having a wire wound on two opposing sides.
In the magnetic bubble memory device in which the magnetic bubble memory chip, the winding, and the core are covered with a rotating magnetic field confinement case, the rotating magnetic field confinement case is divided into an upper side and a lower side of the magnetic bubble memory chip. Also, a magnetic bubble memory device characterized in that the rotating magnetic field confinement case, the magnetic bubble memory chip mounted on the wiring board, and the wound core are assembled by stacking them in a uniaxial direction.
JP60088591A 1985-04-26 1985-04-26 Method for assembling magnetic bubble memory device Expired - Lifetime JPH0648594B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60088591A JPH0648594B2 (en) 1985-04-26 1985-04-26 Method for assembling magnetic bubble memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60088591A JPH0648594B2 (en) 1985-04-26 1985-04-26 Method for assembling magnetic bubble memory device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61248282A true JPS61248282A (en) 1986-11-05
JPH0648594B2 JPH0648594B2 (en) 1994-06-22

Family

ID=13947076

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60088591A Expired - Lifetime JPH0648594B2 (en) 1985-04-26 1985-04-26 Method for assembling magnetic bubble memory device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0648594B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455129A (en) * 1977-09-30 1979-05-02 Ibm Bubble memory drive unit
JPS54102931A (en) * 1977-12-29 1979-08-13 Plessey Handel Investment Ag Magnetic domain device
JPS59217285A (en) * 1983-05-23 1984-12-07 Fujitsu Ltd Magnetic bubble memory device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5455129A (en) * 1977-09-30 1979-05-02 Ibm Bubble memory drive unit
JPS54102931A (en) * 1977-12-29 1979-08-13 Plessey Handel Investment Ag Magnetic domain device
JPS59217285A (en) * 1983-05-23 1984-12-07 Fujitsu Ltd Magnetic bubble memory device

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0648594B2 (en) 1994-06-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0201781B1 (en) Magnetic bubble memory module
JPS61248282A (en) Magnetic bubble memory device
EP0189926B1 (en) Magnetic bubble memory module
JPS61227286A (en) Magnetic bubble memory
JPS61250888A (en) Magnetic bubble memory
JPS61250889A (en) Method for driving magnetic bubble memory
JPS61271685A (en) Magnetic bubble memory
JPH0646508B2 (en) Magnetic bubble memory
JPS61264579A (en) Magnetic bubble memory
JP2667813B2 (en) Magnetic bubble memory
JPS61250892A (en) Magnetic bubble memory
JPS61248283A (en) Magnetic bubble memory device
JPS6254890A (en) Magnetic bubble memory
JPS61250891A (en) Magnetic bubble memory
EP0201007A2 (en) Method for measuring holding field of a magnetic bubble memory module using picture-frame-core
EP0201009A2 (en) Magnetic bubble memory module
JPS61250890A (en) Magnetic bubble memory
JPS61248291A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61248286A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61248289A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61248292A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61248290A (en) Magnetic bubble memory device
JPS61248285A (en) Magnetic bubble memory device
JPH0638313B2 (en) Magnetic bubble memory device
JPS61248288A (en) Magnetic bubble memory device