JPS61264579A - Magnetic bubble memory - Google Patents

Magnetic bubble memory

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JPS61264579A
JPS61264579A JP10370785A JP10370785A JPS61264579A JP S61264579 A JPS61264579 A JP S61264579A JP 10370785 A JP10370785 A JP 10370785A JP 10370785 A JP10370785 A JP 10370785A JP S61264579 A JPS61264579 A JP S61264579A
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case
magnetic
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coil
shield case
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二見 利男
Tatsuo Hamamoto
辰雄 濱本
Yutaka Akiba
豊 秋庭
Kazuo Hirota
和夫 廣田
Nobuo Kijiro
木城 伸夫
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Abstract

PURPOSE:To make the shape of the whole of a magnetic bubble memory device small-sized and thin-walled and to operate the device in a wide temperature range without degrading the operation margin by reducing the rise of temperature of the device. CONSTITUTION:Since an element CHI counted on a substrate FPC is arranged in a central recessed part between an outside case RFSa and an inside case RFSb and a magnetic circuit PFC is arranged in a peripheral projecting part there, the packaging effect is improved and the assemblability is improved considerably. When a case RFS assembly is laminated and arranged on the bottom face side of an outside shield case SHIa so that its bending parts 31 and 34 face each other, constituting parts laminated between the outside shield case SHIa and an inside shield case SHIb are arranged close, thereby making the device small-sized and thin walled and attaining the heat radiation effect.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ、特に薄形化、小型化、低消
費電力化に好適な磁気バブルメモリに関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory, and particularly to a magnetic bubble memory suitable for reduction in thickness, size, and power consumption.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

ここ数年実用化されている磁気バブルメモリデバイスは
、磁気ツメプルメモリチップをマウントしたE字状のセ
ラミックや合成樹脂等の配線基板に、互いに非対称構造
を有する矩形状ソレノイドコイルからなる回転磁界発生
用Xコイル、Yコイルをそれぞれ挿入し直交配置して組
み立てた構造となっている。Xコイル及びYコイルは磁
気バブルメモリチップだけでなく、チップよりもはるか
に大きい配線基板を巻く構造であるため、各コイルの端
から端迄長さが長くなり、駆動電圧、消費電力が大きく
なってしまう。また、Xコイル、Yコイルは磁気バブル
メモリ素子に均一かつ安定した面内回転磁界を付与する
ために均一なインダクタバランスが要求されることから
、そのコイル形状が互いに異なる非対称構造となりかつ
大型化構造とならざるを得なかった。さらにはこれらの
Xコイル、Yコイルの外面には磁気バブルメモリ素子に
垂直方向のバイアス磁界を付与する一対の一永久磁石板
およびその整磁板が配置されてそれらの周辺部分が樹脂
モールドにより被覆されている構造であるため、垂直方
向の積層厚が増大し、磁気Aプルメモリデバイスの薄形
化、小型化への要請し二対して障害となっていた。
Magnetic bubble memory devices, which have been put into practical use in recent years, generate a rotating magnetic field consisting of rectangular solenoid coils with an asymmetrical structure on an E-shaped ceramic or synthetic resin wiring board on which a magnetic claw memory chip is mounted. The structure is constructed by inserting the X coil and Y coil respectively and arranging them orthogonally. The X coil and Y coil have a structure in which they wrap not only the magnetic bubble memory chip but also a wiring board that is much larger than the chip, so the length from one end of each coil to the other becomes long, resulting in increased drive voltage and power consumption. I end up. In addition, the X coil and Y coil require a uniform inductor balance in order to provide a uniform and stable in-plane rotating magnetic field to the magnetic bubble memory element, so the coil shapes are different from each other and have an asymmetric structure, resulting in a larger structure. I had no choice but to do so. Furthermore, on the outer surfaces of these X coils and Y coils, a pair of permanent magnet plates that apply a perpendicular bias magnetic field to the magnetic bubble memory element and its magnetization plate are arranged, and their peripheral parts are covered with a resin mold. This structure increases the stacking thickness in the vertical direction, which is an obstacle to the demands for thinner and smaller magnetic A-pull memory devices.

本件出願人が知る本発明に最も近い先行技術としては昭
和54年特許出願公開第55129号公報が挙げられる
。この公報には、チップを囲む額縁型コアとそれらを完
全に囲む導電性磁界反射箱の構造が記載されている。し
かしながら、それ以上の具体的な構造は何ら示されてお
らず1例えば導体ケースで完全にとり囲んでいるチップ
への電気的結線を導体ケースの外側からそれに短絡させ
ることなく行うことは理論的に不可能であり、永久磁石
、整磁板、バイアスコイル等の取付方法が不明であるこ
とも含め、その記′載をきっかけに実用化しようと思い
立つには見るからに不十分である。すなわち、本発明の
実施例が結果として額縁型コアを使用した点で上記公報
の記載とたまたま一致したに過ぎない。
The closest prior art to the present invention known to the applicant is Patent Application Publication No. 55129 of 1974. This publication describes the structure of a frame-shaped core that surrounds a chip and a conductive magnetic field reflection box that completely surrounds them. However, no further specific structure is shown, and it is theoretically impossible to make an electrical connection to a chip completely surrounded by a conductor case from outside the conductor case without shorting it. However, this description is clearly insufficient for people to think about putting it into practical use, including the fact that the method of attaching permanent magnets, magnetic shunt plates, bias coils, etc. is unknown. In other words, the embodiment of the present invention merely coincidentally coincides with the description in the above-mentioned publication in that a frame-shaped core is used as a result.

〔発明の目的〕 本発明の目的は、薄形化を可能とした磁気バブルメモリ
を提供することにある。
[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be made thinner.

本発明の他の目的は、全体の体積を小さくして小型化を
可能とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that can be miniaturized by reducing the overall volume.

本発明の他の目的は、消費電力を低減させた磁気バブル
メモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory with reduced power consumption.

本発明の他の目的は、回転磁界発生用コイルのインダク
タンスを小さくしてVI積を小さくさせた磁気バブルメ
モリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the VI product is reduced by reducing the inductance of the rotating magnetic field generating coil.

本発明の他の目的は、構成部品の組立の自動化を可能又
は容易にした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory that allows or facilitates automation of assembly of component parts.

本発明の他の目的は、大容量化等に入出力等の接続端子
数を増大させることができる磁気バブルメモリを提供す
ることにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory capable of increasing the number of connection terminals for input/output, etc., such as increasing capacity.

本発明の他の目的は、磁気バブルメモリ素子のバイアス
磁界方向に対する傾斜角度を容易かつ高精度で設定可能
とした磁気バブルメモリを提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory in which the inclination angle of the magnetic bubble memory element with respect to the direction of the bias magnetic field can be set easily and with high precision.

本発明の他の目的はカセットの小型化が可能な磁気バブ
ルメモリを提供することである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose cassette can be made smaller.

本発明の他の目的は磁気バブルメモリデバイスの周辺回
路を安いコストで製造できる磁気バブルメモリを提供す
ることである。
Another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory whose peripheral circuitry can be manufactured at low cost.

本発明の更に他の目的は動作周囲温度を拡大させた磁気
バブルメモリを提供することである。
Still another object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory with expanded operating ambient temperature.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の一実施例によれば、額縁型コアCORを使用し
た駆動磁気回路が提供される(第8図)。
According to one embodiment of the present invention, a drive magnetic circuit using a frame-shaped core COR is provided (FIG. 8).

磁気バブルメモリチップCHIは額縁形コアC○Rに囲
まれそれとほぼ同一平面を成すようにフレキシブル配線
基板FPC上に配置される(第13図)。駆動磁気回路
CORおよび磁気バブルメモリチップCHIは非磁性体
で良導電体の回転磁界閉じ込めケースRFS内に収納さ
れる(第13図)。
The magnetic bubble memory chip CHI is surrounded by the frame-shaped core C○R and arranged on the flexible wiring board FPC so as to be substantially flush with it (FIG. 13). The drive magnetic circuit COR and the magnetic bubble memory chip CHI are housed in a rotating magnetic field confinement case RFS made of a non-magnetic and highly conductive material (FIG. 13).

ケースの外面に一対の磁石体を組み合わせて高透磁性ケ
ースう内に挟持させる(第20図)。フレキシブル配線
基板の外部接続端子と端子板の接続端子とを接合する(
第35図)。高透磁性ケースの端子板接続端子引き出し
側に放熱体を密着配置する(第36図)。
A pair of magnets are assembled on the outer surface of the case and held within the highly permeable case (Fig. 20). Join the external connection terminals of the flexible wiring board and the connection terminals of the terminal board (
Figure 35). A heat sink is placed in close contact with the terminal board connection terminal pull-out side of the highly permeable case (Fig. 36).

このような構成によれば、全体形状を小形化。According to this configuration, the overall shape is made smaller.

薄形化にして放熱性が向上し、動作周囲温度の大きい磁
気バブルメモリを得ることができる。
It is possible to obtain a magnetic bubble memory that is thinner, has improved heat dissipation, and has a higher operating ambient temperature.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の詳細な説明する。 Next, the present invention will be explained in detail using the drawings.

(全体構造の概要 第1,2図) 第1図および第2図(a)、(b)は本発明による磁気
バブルメモリデバイスの一実施例を説明するための図で
あり、第1図は一部破断斜視図、第2図(a)はその底
面図、第2図(b)は第2図(a)の2B−2B断面図
である。これらの図において、CHIは磁気バブルメモ
リチップ(以下チップと称する)であり、これらの図で
はチップCHIは省略して1個のみ表示しているが本実
施例では2個並べて配置しているものとする。
(Overview of overall structure Figures 1 and 2) Figures 1 and 2 (a) and (b) are diagrams for explaining an embodiment of the magnetic bubble memory device according to the present invention. FIG. 2(a) is a partially broken perspective view, FIG. 2(a) is a bottom view thereof, and FIG. 2(b) is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 2(a). In these figures, CHI is a magnetic bubble memory chip (hereinafter referred to as a chip). In these figures, the chip CHI is omitted and only one chip is shown, but in this example, two chips are arranged side by side. shall be.

(1つの大容量チップよりも、合計記憶容量をそれに合
せた複数分割チップ構成の方がチップ歩留が良い)。F
PCは2個のチップCHIを搭載しかつ4隅にチップC
HIと外部接続端子との結線用線群延長部を有するフレ
キシブル配線基板(以下基板と称する)である。COI
は2個のチップCHIをほぼ同一平面上でとり囲み対向
辺が互b)に平行となるように配置された駆動コイル(
以下コイルと称する)、CORは四角形コイル集合体C
OIの中空部分を貫通するように設けられた固定配置さ
れた軟磁性材からなる額縁形コア(以下コアと称する)
であり、このコアCORと各コイルCOIとでチップC
HIに面内回転磁界を付与する磁気回路PFCを構成し
ている。RFSは基板FPCの中央四角形部分と、2個
のチップCHIおよび磁気回路PFCの全体を収納する
回転磁界閉じ込めケース(以下ケースと称する)である
(The chip yield is better with a multi-divided chip configuration that matches the total storage capacity than with one large-capacity chip.) F
The PC is equipped with two chips CHI and a chip C in the four corners.
This is a flexible wiring board (hereinafter referred to as a board) having a wire group extension for connecting the HI and external connection terminals. COI
is a drive coil (b) that surrounds two chips CHI on almost the same plane and is arranged so that the opposing sides are parallel to each other (b).
(hereinafter referred to as coil), COR is a rectangular coil assembly C
A frame-shaped core (hereinafter referred to as the core) made of a fixedly arranged soft magnetic material that is provided so as to penetrate the hollow part of the OI.
The chip C is calculated by this core COR and each coil COI.
It constitutes a magnetic circuit PFC that applies an in-plane rotating magnetic field to HI. The RFS is a rotating magnetic field confinement case (hereinafter referred to as the case) that houses the central rectangular portion of the substrate FPC, two chips CHI, and the entire magnetic circuit PFC.

ケースRFSは2枚の独立した板を加工して形成され、
ケースの側面部で上下の板は電気的に接続されている。
Case RFS is formed by processing two independent plates,
The upper and lower plates are electrically connected on the side of the case.

チップCHIが配置された部分よりやや広めの範囲で中
央部分の隙間が狭くなるよう周辺部分に絞り部が形成さ
れている。この絞り部は磁石体の位置決めにも利用でき
る。ケースPFSは磁気磁界閉じ込めと軟弱な基板FP
Cを機械的に支持する一石二鳥の効果、働きを持ってし
)る。
A converging portion is formed in the peripheral portion so that the gap in the central portion is narrowed in a slightly wider range than the portion where the chip CHI is arranged. This constriction can also be used to position the magnet. Case PFS uses magnetic field confinement and soft substrate FP
It has the effect of killing two birds with one stone by mechanically supporting C).

ケースPFSとチップCHIとの間には、特にチップC
HIの側面部に隙間SIRがあるが、チップCHIの平
面部も含めてこの隙間部分SIRにはシリコーン樹脂が
コーティング又は充填され、チップ主表面に組立中に異
物が付着したり、組立後に水分がチップ主表面又は側面
部に侵入することが少なくなるよう、パッシベーション
効果が意図されている。もし、ケースRFSの外側で完
全な気密封止ができる場合、樹脂SIRの充填は省略し
ても良い。INMはケースRFSの外側に配置された磁
性材からなる一対の傾斜板であり、第2図で上側の傾斜
板INMは左に寄るに従ってまた下側の傾斜板INMは
右に寄るに従って板厚が厚くなっており、双方はケース
RFS側に傾斜面が形成されている。傾斜板INMの材
料としては、透磁率μが高く保持力Hcの小さいソフト
・フェライトやパーマロイ等を使用すれば良く、本実施
例では傾斜面の加工が容易なソフト・フェライトを選ん
だ。MAGは一対の傾斜板INMの内側でそれと重ねて
配置された一対の永久磁石板C以下磁石板と称する)で
ある。ROMは前記各磁石板MAGの内側でそれと重ね
て配置されたソフトフェライトのような磁性材からなる
一対の整磁板である。磁石板MAGは全面にわたって均
一の板厚を有して形成されている。INNは一対の整磁
板ROMの内側対向面にそれと重ねて配置された銅のよ
うに熱伝導性が良く非磁性体の材料からなる一対の傾斜
板である。これらの傾斜板INNは傾斜板INMとほぼ
同等の傾斜角でかつ逆方向の傾斜面を有して形成されて
いる。傾斜板INM、磁石板MAG、整磁板HOM及び
傾斜板INNは、それぞれ積み重ねて配置し一体化して
バイアス磁界発生用磁石体BIM(以下磁石体と称する
)を構成したときに積層板磁石体全体の厚さがほぼ全面
にわたって均一となるように形成されている。
In particular, there is a chip C between the case PFS and the chip CHI.
There is a gap SIR on the side surface of the HI, but this gap SIR, including the flat surface of the chip CHI, is coated or filled with silicone resin to prevent foreign matter from adhering to the main surface of the chip during assembly or moisture from entering after assembly. A passivation effect is intended to reduce intrusion into the main surface or side surfaces of the chip. If complete airtight sealing can be achieved on the outside of the case RFS, filling of the resin SIR may be omitted. INM is a pair of inclined plates made of magnetic material placed outside the case RFS, and in Fig. 2, the thickness of the upper inclined plate INM decreases as it moves to the left, and the thickness of the lower inclined plate INM decreases as it moves to the right. Both have an inclined surface formed on the case RFS side. As the material for the inclined plate INM, soft ferrite, permalloy, or the like, which has a high magnetic permeability μ and a small coercive force Hc, may be used, and in this embodiment, soft ferrite was selected because it is easy to process the inclined surface. MAG is a pair of permanent magnet plates C (hereinafter referred to as magnet plates) arranged inside and overlapping the pair of inclined plates INM. The ROM is a pair of magnetic shunt plates made of a magnetic material such as soft ferrite and arranged inside each magnet plate MAG and overlapping with it. The magnet plate MAG is formed to have a uniform thickness over the entire surface. The INN is a pair of inclined plates made of a non-magnetic material with good thermal conductivity such as copper, which are placed on the inner facing surfaces of a pair of magnetic shunt plates ROM and overlapped therewith. These inclined plates INN are formed to have substantially the same inclination angle as the inclined plate INM, and have inclined surfaces in opposite directions. The inclined plate INM, magnet plate MAG, magnetic shunt plate HOM, and inclined plate INN are arranged in a stacked manner and integrated to form a bias magnetic field generating magnet body BIM (hereinafter referred to as magnet body), when the entire laminated plate magnet body is formed. The thickness is uniform over almost the entire surface.

一対の磁石体BIMはケースRFSの絞り部によって囲
まれた中央の平な部分に接着されている。
A pair of magnet bodies BIM are adhered to a central flat part surrounded by the constriction part of the case RFS.

BIGは磁石体BIMの周縁部とケースRFSとの間の
溝状隙間部分に配置されたバイアス磁界発生用コイル(
以下バイアスコイルと称する)である・バイアスコイル
BICは磁石板MAGの磁力をチップCHIの特性に合
せて調整したり、不要バブル発生不良の有無をテストす
る際、チップCHIのバブルをオールクリア(全消去)
する場合に駆動される。SHIは前記チップCHIを搭
載した基板FPCおよび磁気回路PFCを収納したケー
スRFSと、その外側で、一対の磁石体BIMa、BI
MbおよびバイアスコイルBICを収納する磁性材から
なる外部磁気シールドケース(以下シールドケースと称
する)である。シールドケースSHIの材料としては、
透磁率μが高く、飽和磁束密度Bsが大きく、Hcの小
さい磁性体が好ましく、パーマロイやフェライトがその
ような特性を持っているが、本実施例では折り曲げ加工
に適し、機械的な外力に対して強いパーマロイの鉄・ニ
ッケル合金が選択された。PKGは前記シールドケース
、SHIの外周面に接着あるいはばめ込みにより取り付
けられた熱伝導率が高く、加工のし易いAQのような材
質からなるパッケージングケースである。GNPは前記
基板FPCの4隅から延長して設けられ、シールドケー
スSHIの背面に折り返された外部接続端子に接触する
ように配置されたコンタクトパッドである。TEFは各
コンタクトパッドGNPを開口部の段差部で支持固定す
る絶縁性部材からなる端子固定板である。REGはパッ
ケージングケースPKGの内側4隅に封入されかつシー
ルドケースRFS組立体をパッケージングケースPKG
内部に固定する樹脂モールド剤である。
BIG is a bias magnetic field generating coil (
The bias coil BIC is used to adjust the magnetic force of the magnet plate MAG to match the characteristics of the chip CHI, or to test for the presence or absence of unnecessary bubble generation defects. erase)
It is driven when SHI includes a case RFS that houses the board FPC on which the chip CHI is mounted and the magnetic circuit PFC, and a pair of magnet bodies BIMa and BI on the outside.
This is an external magnetic shield case (hereinafter referred to as shield case) made of a magnetic material that houses Mb and bias coil BIC. The materials for shield case SHI are as follows:
A magnetic material with a high magnetic permeability μ, a large saturation magnetic flux density Bs, and a small Hc is preferable, and permalloy and ferrite have such characteristics. A strong permalloy iron-nickel alloy was selected. PKG is a packaging case made of a material such as AQ that has high thermal conductivity and is easy to process, and is attached to the outer peripheral surface of the shield case, SHI, by adhesive or fitting. GNP are contact pads extending from the four corners of the substrate FPC and arranged to contact external connection terminals folded back on the back surface of the shield case SHI. TEF is a terminal fixing plate made of an insulating material that supports and fixes each contact pad GNP at a stepped portion of an opening. REG is sealed in the four inner corners of packaging case PKG, and the shield case RFS assembly is sealed in packaging case PKG.
It is a resin molding agent that is fixed inside.

(全体構造の特長 第1,2図) 第1図及び第2図に示した磁気バブルメモリデバイス全
体構造の特長点は下記のように列挙される。しかし、本
実施例による特長点はこれらに限定されるものではなく
、他の特長点は第3図以降の説明からも明らかとなるで
あろうが、ここでは各構成部品間の関連性を中心として
特長点を述べる。
(Features of the overall structure, FIGS. 1 and 2) The features of the overall structure of the magnetic bubble memory device shown in FIGS. 1 and 2 are enumerated as follows. However, the features of this embodiment are not limited to these, and other features will become clear from the explanations that follow from Figure 3, but here we will focus on the relationships between each component. The features are described below.

(1)回転磁界発生コイルPFCを額縁型にして、バブ
ルメモリチップCHIをその額内にほぼ同一平面上で配
置しているので、バブルデバイス全体の厚さを薄くでき
る。現今の主流技術では、チップ上下面をX及びXコイ
ルでぐるぐる巻いているため、デバイス全体の厚さはチ
ップ厚、Xコイル厚及びYコイル厚の和の関数となるか
らである。
(1) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is shaped like a picture frame and the bubble memory chip CHI is arranged within the frame on almost the same plane, the thickness of the entire bubble device can be reduced. This is because in the current mainstream technology, the upper and lower surfaces of the chip are wrapped around the X and X coils, so the thickness of the entire device is a function of the sum of the chip thickness, the X coil thickness, and the Y coil thickness.

(2)Xコイル及びXコイルがほぼ同一平面に配置され
ているので、従来のXコイル上に重ねてXコイルを巻い
た構造に比べ下記の効果がある。
(2) Since the X coil and the X coil are arranged on almost the same plane, there are the following effects compared to the conventional structure in which the X coil is wound on top of the X coil.

■コイルの総巻線長が長くならない。従ってインダクタ
ンスLを小さくでき、低電圧駆動や低消費電力化を可能
とした。
■The total winding length of the coil does not become long. Therefore, the inductance L can be reduced, making it possible to drive at low voltage and reduce power consumption.

■Xコイル及びXコイルとチップCHIとの距離を等し
くすることができ、磁界分布をバランスのとれたものと
することができる。
(2) The distance between the X coil and the X coil and the chip CHI can be made equal, and the magnetic field distribution can be made balanced.

(3)回転磁界発生コイルPFCを導体ケースRFSで
囲んでいるので磁束の漏れが少なくチップCHIに対す
る駆動効率を高められる。
(3) Since the rotating magnetic field generating coil PFC is surrounded by the conductor case RFS, leakage of magnetic flux is reduced and drive efficiency for the chip CHI can be increased.

(4)導体ケースPFSは、回転磁界Hr発生コイルP
FCから発生された交流磁界が透磁率μの大きい磁石体
BIMに漏れるのを防ぎ、他方磁石体B工Mからチップ
CHIへ加えられるべきバイアス磁界Hbの直流磁界に
対しては実質的にその通過を妨げないという選択性があ
る。
(4) The conductor case PFS is a rotating magnetic field Hr generating coil P
The alternating current magnetic field generated from the FC is prevented from leaking to the magnet body BIM with a large magnetic permeability μ, while the direct current magnetic field of the bias magnetic field Hb to be applied from the magnet body B engineering M to the chip CHI is substantially prevented from passing through. There is a selectivity of not interfering with

(5)導体ケースPFSとしては、従来配線基板として
使用されていたエポキシガラス等に比べ硬い銅のような
材質を使用しているため、チップCHIを機械的に強固
に支持できる。
(5) Since the conductor case PFS is made of a material such as copper, which is harder than epoxy glass or the like conventionally used for wiring boards, it can mechanically support the chip CHI firmly.

従って、特に製造歩留を上げるため等に複数チップ実装
構成とした場合は、チップ間の傾斜角度バラツキが磁気
特性に大きな影響を与えるが、本実施例によればチップ
間の傾斜角度のバラツキを小さく押えられる。
Therefore, when a multiple-chip mounting configuration is used to increase manufacturing yields, variations in the inclination angle between chips have a large effect on magnetic properties, but according to this embodiment, variations in the inclination angle between chips can be reduced. It can be held small.

(6)配線基板としてフレキシブルフィルム基板FPC
を使用しているため下記の効果が得られる。
(6) Flexible film board FPC as a wiring board
By using , the following effects can be obtained.

■基板厚を小さくできる。■The board thickness can be reduced.

■リードボンディング方式を採用できるので従来のワイ
ヤホンディング方式に比ベボンディング部分が占める厚
さを小さくできる。
■Since the lead bonding method can be used, the thickness occupied by the bonding part can be reduced compared to the conventional wire bonding method.

■上記■、■の効果は、磁気回路のギャップ(透磁率μ
の小さい部分)を小さくでき小さい厚さ、又は小さい平
面積のバイアス磁石MAGを使用することができ、デバ
イス全体の薄型化又は平面積の縮小化につながる。
■The effects of ■ and ■ above are due to the magnetic circuit gap (magnetic permeability μ
A bias magnet MAG having a small thickness or a small planar area can be used, which leads to a thinner overall device or a smaller planar area.

■チップCHIからの配線の折り曲げ等が自由自在であ
る。従って、端子部分の180’の裏返し等が可能であ
り、デバイス全体の平面積を制限することができる。
■Wiring from the chip CHI can be bent freely. Therefore, the terminal portion 180' can be turned over, and the planar area of the entire device can be limited.

■回転磁界閉じ込めケースRFSの配線取り出し用開口
幅を小さくできる。従って、回転磁界の漏れを最小限に
留めることができる。
■The width of the opening for wiring out of the rotating magnetic field confinement case RFS can be made smaller. Therefore, leakage of the rotating magnetic field can be kept to a minimum.

(7)配線基板FPCの外部導出配線を四角形の角部に
集約させているので、回転磁界閉じ込めケースRFSの
開口を最も影響の小さい角部に設けることができる。
(7) Since the external wiring of the wiring board FPC is concentrated at the corners of the rectangle, the opening of the rotating magnetic field confinement case RFS can be provided at the corner where the influence is least.

(8)傾斜板INNの機能を磁石或は整磁機能と兼用さ
せていないので下記の効果がある。
(8) Since the function of the inclined plate INN is not combined with the magnet or magnetization function, the following effects are obtained.

■傾斜角を形成するために、加工性の良い銅等の材料を
使用できる。
■Materials with good workability, such as copper, can be used to form the slope.

■熱温率の良い銅等の材料を使用でき、回転磁界発生コ
イルCOIで発生した熱を効率良く発散できる。
■Materials such as copper with a good thermal temperature coefficient can be used, and the heat generated by the rotating magnetic field generating coil COI can be efficiently dissipated.

■非磁性体の材料を使用することによって、整磁板HO
Mを通る磁界を乱さないようにすることができる。
■By using non-magnetic material, magnetic shunt plate HO
It is possible to avoid disturbing the magnetic field passing through M.

(9)傾斜板INNは磁気的ギャップを小さくするため
にできるだけ薄い方が好ましく、その幅を磁石MAGや
整磁板HOMに比べて、傾斜角形成に必要十分なところ
に制限することによって、薄い厚さでの傾斜角形成を容
易としている。
(9) It is preferable for the inclined plate INN to be as thin as possible in order to reduce the magnetic gap.Compared to the magnet MAG and magnetic shunt plate HOM, the inclined plate INN can be made thinner by limiting its width to the area necessary and sufficient for forming the inclined angle. This makes it easy to form an inclined angle in the thickness.

(]0)磁石MAGとシールドケースSHI間には。(]0) Between magnet MAG and shield case SHI.

透磁率μの大きいソフトフェライトのような板INMが
挿入されているので、その間の磁気的ギャップを埋める
ことができる。また、板INMは放熱にも寄与する。板
INMとしては磁石M、 A、 Gよりも保持力Heの
小さい材料を選んでいるので、永久磁石の実効的な厚さ
を均一なままにしておくことができる。
Since a plate INM made of soft ferrite having a large magnetic permeability μ is inserted, the magnetic gap therebetween can be filled. The plate INM also contributes to heat radiation. Since a material having a smaller coercive force He than the magnets M, A, and G is selected for the plate INM, the effective thickness of the permanent magnet can be kept uniform.

(]1)シールドケースSHIは透磁率μの大きいパー
マロイ等の磁性材料で構成しているため、磁石MAGを
磁界源とする磁気回路の磁気抵抗を小さくできるので、
磁石MAGの厚さや平面積を小さくできる。
(]1) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high magnetic permeability μ, the magnetic resistance of the magnetic circuit using the magnet MAG as the magnetic field source can be reduced.
The thickness and planar area of the magnet MAG can be reduced.

(12)シールドケースSHIは飽和磁束密度Bsの大
きいパーマロイ等の磁性材料で構成しているため、外来
の磁界ノイズをバイパスし、チップCHIに伝えない働
きがある。
(12) Since the shield case SHI is made of a magnetic material such as permalloy with a high saturation magnetic flux density Bs, it has the function of bypassing external magnetic field noise and preventing it from being transmitted to the chip CHI.

(13)上記(11) 、 (L2)はそれぞれ、シー
ルドケースSHIの厚さを薄くすることにつながる。
(13) The above (11) and (L2) each lead to reducing the thickness of the shield case SHI.

(14)シールドケースSHIはパーマロイのような鉄
−ニッケル合金を使用しているため、折り曲げ加工に適
し、又機械的な外力に対してその中に組み込まれた部品
を保護する働きがある。
(14) Since the shield case SHI uses an iron-nickel alloy such as permalloy, it is suitable for bending and protects the parts incorporated therein against external mechanical forces.

(15)回転磁界発生コイルPFCとバイアスコイルB
ICを共にコア型にしているので、パッケージングケー
スSHI又はPKG内での収納効率又は実装密度を高め
ることができる。
(15) Rotating magnetic field generating coil PFC and bias coil B
Since both ICs are core-type, the storage efficiency or packaging density within the packaging case SHI or PKG can be increased.

(16)コアーCORと整磁板HOMとの間にはケース
RFSを挿入しているため、その間隔はコイルCOIの
厚さの他に回転磁界閉じ込めケースRFSの厚さ及び折
り曲げ角度で微調整できる。この距離は短ければ短い程
全体の平面的な大きさを小さくすることができ、コイル
長の低減による低消費電力化につながる。
(16) Since the case RFS is inserted between the core COR and the magnetic shunt plate HOM, the interval can be finely adjusted by adjusting the thickness of the rotating magnetic field confinement case RFS and the bending angle in addition to the thickness of the coil COI. . The shorter this distance is, the smaller the overall planar size can be, leading to lower power consumption by reducing the coil length.

しかしながら、その距離が短か過ぎると磁石MAGから
の直流バイアス磁界Hbが透磁率の高いコアー〇ORに
漏れてしまい、チップ周辺部分におけるバイアス磁界の
一様性が悪くなる。従って、この距離は上記特性上非常
にシビアであり、本構造によるとその調整が精密にでき
る。
However, if the distance is too short, the DC bias magnetic field Hb from the magnet MAG will leak to the core 0OR having high magnetic permeability, and the uniformity of the bias magnetic field around the chip will deteriorate. Therefore, this distance is very critical due to the above-mentioned characteristics, and according to the present structure, it can be precisely adjusted.

(17)回転磁界閉じ込めケースRFSの周辺に絞り部
を設けているため、磁石体BIMの位置合せが容易であ
る。
(17) Since the constriction portion is provided around the rotating magnetic field confinement case RFS, alignment of the magnet body BIM is easy.

(18)傾斜板INNは同じ製造条件で作った2枚のも
のを、チップの上下面で平面的に180゜の回転角度差
があるように配置することによって、チップをはさんで
上下面に配置された1対の整磁板ROMや1対の磁石M
AGをほぼ平行に合せることができる。
(18) The inclined plate INN is made by arranging two plates made under the same manufacturing conditions so that there is a rotation angle difference of 180° between the top and bottom surfaces of the chip, so that the two plates are made under the same manufacturing conditions. A pair of magnetic shunt plates ROM and a pair of magnets M
AG can be aligned almost parallel.

(19)回転磁界閉じ込めケースRFSの側壁部にバイ
アスコイルBIC,BICIをもうけているので、素子
CHIがケースRFS内に収納された状態で不要磁気バ
ブル発生不良の有無をテストすることができ、また、素
子CM工のバブルをオールクリアすることができる。
(19) Since bias coils BIC and BICI are provided on the side wall of the rotating magnetic field confinement case RFS, it is possible to test whether or not unnecessary magnetic bubbles are generated while the element CHI is housed in the case RFS. , it is possible to clear all the bubbles of element CM engineering.

さらにはバイアスコイルBICIの使用後にそれをとり
はずしすることもできる。この場合、バブルメモリの部
分点数が減り製造コストを安くすることができる。
Furthermore, it is also possible to remove the bias coil BICI after use. In this case, the number of partial points in the bubble memory is reduced, making it possible to reduce manufacturing costs.

(組立の概要 第3図) 第3図は前述した磁気バブルメモリデバイスを構成する
各構成部材の積重ね組み立て手順を説明するための組み
立て斜視図であり、前述と同一符号は同一部材を示して
いる。同図において、まず、4隅に突出して入出力配線
の接続部を有しかつ中央部に素子搭載部を有する基板F
PC上に2個の素子CH工を搭載した基板組立体END
を、底面に点線で示した位置に絶縁性シートを接着配置
した外側ケースRFSa内に配置し、さらにこの基板F
PC上に磁気回路PFCを組み込んだ後、シリコーン樹
脂SIR(図示せず)を充填しその上部に内側ケースR
FSbを外側ケースRFSaに対して組み込み、外側ケ
ースRFSaと内側ケースRFSbとの側面接触部分を
半田付等により電気的に接続する1次にこれらの外側ケ
ースRFSaおよび内側ケースRFSbの外面に設けら
れている凹状の絞り部に上側磁石体B I M aおよ
び下側磁石体B IMbを配置した後、この上側磁石体
B I M aの外縁部と内側ケースRFSbの内側と
で形成される図示しない隙間に整列巻きされたバイアス
コイルBICを配置し、これらを外側ケースS HI 
a内に収納し、更に内側ケース5HIbを組み込み、外
側ケース5HIaと内側ケース5HIbとの側面接触部
分を溶接等により磁気的に接続する。次に内側ケース5
HIbの4隅から突出している前記基板FP(Eの外部
接続端子接続部をこの内側ケース5HIbの背面に第4
図Bに示すように折り返し、一定形状を有するように組
み合わせて配置し、これらの接続部にそれぞれ設けられ
ている半田等で被覆された各外部接続端子に。
(Overview of assembly Fig. 3) Fig. 3 is an assembly perspective view for explaining the procedure for stacking and assembling each component constituting the above-mentioned magnetic bubble memory device, and the same reference numerals as above indicate the same members. . In the same figure, first, a board F has connection parts for input/output wiring protruding from the four corners and an element mounting part in the center.
Board assembly END with two element CHs mounted on the PC
is placed inside the outer case RFSa, which has an insulating sheet glued at the position indicated by the dotted line on the bottom surface, and this board F
After incorporating the magnetic circuit PFC on the PC, silicone resin SIR (not shown) is filled and the inner case R is placed on top of it.
FSb is assembled into the outer case RFSa, and the side contact portions of the outer case RFSa and the inner case RFSb are electrically connected by soldering or the like. After arranging the upper magnet body BI Ma and the lower magnet body B IMb in the concave constriction part, a gap (not shown) formed between the outer edge of the upper magnet body BI Ma and the inside of the inner case RFSb is Arrange the bias coils BIC wound in alignment on the outer case SHI.
a, further incorporate the inner case 5HIb, and magnetically connect the side contact portions of the outer case 5HIa and the inner case 5HIb by welding or the like. Next, inner case 5
Connect the external connection terminal connection portions of the board FP (E) protruding from the four corners of HIb to the fourth corner on the back of this inner case 5HIb.
As shown in Figure B, they are folded back and arranged in combination to have a certain shape, and each external connection terminal is provided at each of these connection parts and covered with solder or the like.

図示しないコンタクトパッドCOPを各開口部に搭載し
た端子固定板TEFを接触配置して熱圧着等により各外
部接続端子とコンタクトパッドC0Pを半田付等により
電気的に接続させる。次にこれらの組み立て体にパッケ
ージングケースPKG内に収納し、端子固定板TEFと
パッケージングケースPKGの接触部においてハーメチ
ックシール等の封止を行って組み立てられる。
A terminal fixing plate TEF with contact pads COP (not shown) mounted in each opening is arranged in contact with each other, and each external connection terminal and contact pad COP are electrically connected by soldering or the like by thermocompression bonding or the like. Next, these assembled bodies are housed in a packaging case PKG, and sealed with a hermetic seal or the like at the contact portion between the terminal fixing plate TEF and the packaging case PKG, and then assembled.

次に前述した各構成部品の構造について説明する。Next, the structure of each component mentioned above will be explained.

(フレキシブル配線基板 第4図) 第4図は基板FPCを示す図であり、同図Aはその平面
図、同図Bは4隅から突出している外部接続端子の接続
部を折り返し組み合わせて配置した平面図、同図Cは同
図Aの4G−4G拡拡大面図、同図りは同図Aの4 D
−4D拡大断面図である。同図において、基板FPCは
、中央部に角形状の素子保護部1と、この4隅に巾の小
さい折り曲げ部2 (2a、2b、2c、2d)と、こ
の先端部に角形状の外部接続端子接続部(以下接続部と
称する)3 (3a、3b、3c、3d)とを有し、全
体形状がほぼ風車状をなして一体的に形成されており、
また、この素子保護部1の対向辺側には後述する2個の
素子CHIを搭載しその端子部を接続させる2重枠構造
の矩形状開口部4(4a、4b)および位置決め用の3
個の穿孔5(5a、5b、5c)が設けられ、さらに1
個の接続部3cの先端には位置決め用の基板突出部6が
設けられている。
(Flexible wiring board Fig. 4) Fig. 4 is a diagram showing a board FPC, where A is a plan view thereof and B is a layout in which the connection parts of external connection terminals protruding from the four corners are folded back and combined. The plan view, C is an enlarged sectional view of 4G-4G in figure A, and the same figure is 4D in figure A.
-4D enlarged sectional view. In the figure, the board FPC has a square element protection part 1 in the center, small bent parts 2 (2a, 2b, 2c, 2d) at the four corners, and a square external connection at the tip. It has a terminal connection part (hereinafter referred to as a connection part) 3 (3a, 3b, 3c, 3d), and is integrally formed with an almost windmill-like overall shape,
Further, on the opposite sides of the element protection part 1, there are rectangular openings 4 (4a, 4b) with a double frame structure in which two elements CHI, which will be described later, are mounted and the terminal parts thereof are connected, and a positioning 3 for positioning.
perforations 5 (5a, 5b, 5c) are provided, and one
A substrate protrusion 6 for positioning is provided at the tip of each connecting portion 3c.

また、この基板FPCは、同図Cに示すように厚さ例え
ば約50μm程度のポリイミド樹脂フィルムからなるベ
ースフィルム7上にエポキシ系の接着剤8を介して銅薄
膜を形成し、これを所要のパターン形状にエツチングす
ることにより、同図Aに示すような配線用リード9a、
円形状の外部端子9b、楕円状のコイルリード接続用端
子9c。
In addition, as shown in FIG. C, this FPC board is made by forming a copper thin film on a base film 7 made of a polyimide resin film with a thickness of about 50 μm, for example, via an epoxy adhesive 8, and then applying the copper thin film to the desired shape. By etching into a pattern shape, wiring leads 9a as shown in FIG.
A circular external terminal 9b and an oval coil lead connection terminal 9c.

記号9dおよびインデックスマーク9e等のパターンが
形成され、さらにこれらの上面には前記同様な部材から
なる接着剤8を介して透光ないし半透光性のカバーフィ
ルム10が接着配置されている。そして、この基板FP
Cの開口部4においては、図示しない素子CHI搭載側
となるベースフィルム7が高い精度の寸法で開口が形成
され、また、その上面側カバーフィルム10には比較的
寸法の大きい開口が形成され、さらにベースフィルム7
とカバーフィルム10との間には配線用り一ド9aが露
出し、この配線用リード9aの表面には錫メッキ層11
が形成され、開口形状が2層構造でかつ2重枠構造を有
して形成されている。一方、接続部3においては、同図
りに示すようにカバーフィルム10の前記円形状外部端
子9bおよび図示しない楕円状の外部端子9Cと対応す
る部位に円形状の開口12が形成され、その開口12か
ら露出した外部端子9b、9c銅薄膜パターン上にはめ
っき或いはディップ等による半田層13が形成されてい
る。そして、これらの接続部3に設けられた各外部端子
9b、9cは各接続部3a。
Patterns such as symbols 9d and index marks 9e are formed, and a transparent or semi-transparent cover film 10 is adhered to the upper surface of these through an adhesive 8 made of the same material as described above. And this board FP
In the opening 4 of C, an opening with highly accurate dimensions is formed in the base film 7 on the side where the element CHI (not shown) is mounted, and an opening with relatively large dimensions is formed in the cover film 10 on the upper surface side. Furthermore, base film 7
A wiring lead 9a is exposed between the wiring lead 9a and the cover film 10, and a tin plating layer 11 is formed on the surface of the wiring lead 9a.
is formed, and the opening shape is formed to have a two-layer structure and a double frame structure. On the other hand, in the connecting portion 3, as shown in the figure, a circular opening 12 is formed at a portion of the cover film 10 corresponding to the circular external terminal 9b and the unillustrated elliptical external terminal 9C. A solder layer 13 is formed by plating or dipping on the copper thin film patterns of the external terminals 9b and 9c exposed from the external terminals 9b and 9c. Each of the external terminals 9b and 9c provided in these connection parts 3 is each connection part 3a.

3b、3c、3dおよび折り曲げ部2a、2b。3b, 3c, 3d and bent portions 2a, 2b.

2c、2d並びに素子保護部1上に連続して形成された
各配線用リード9aに接続され、これらの配線用リード
9aは素子搭載部1に設けられた各開口部4a、4bの
開口端の一部に各接続部3a。
2c, 2d and each wiring lead 9a formed continuously on the element protection part 1. Each connection portion 3a is partially provided.

3b、3c、3dのブロック毎に集結してその先端部が
各開口部4a、4b内に露出されている。
They are gathered in blocks 3b, 3c, and 3d, and their tips are exposed in the respective openings 4a and 4b.

すなわち同図Aに示すように接続部3aの配線用リード
9aは開口部4aの左上部に、接続部8bの配線用リー
ド9aは開口部4bの左下部に、接続部3cの配線用リ
ード9aは開口部4aの右上部に、また接続部3dの配
線用リード9aは開口部4bの右下部にそれぞれ配線さ
れている。そして、この基板FPCは、後工程で各接続
部3a。
That is, as shown in FIG. A, the wiring lead 9a of the connecting part 3a is located at the upper left of the opening 4a, the wiring lead 9a of the connecting part 8b is located at the lower left of the opening 4b, and the wiring lead 9a of the connecting part 3c is located at the lower left of the opening 4b. is wired to the upper right corner of the opening 4a, and the wiring lead 9a of the connecting portion 3d is wired to the lower right corner of the opening 4b. Then, this board FPC is connected to each connecting portion 3a in a later process.

3b、3c、3dが各折り曲げ部2a、2b、2c、2
dで折り曲げられて同図Bに示すように組み合わされ、
半田層13を形成した各外部端子9b、9cが表面に露
出し、また、配線用リード9a、記号9dおよびインデ
ックスマーク9eは表面がカバーフィルム10により被
覆されているので、これらのパターンはカバーフィルム
10を透かして容易に判読できるように構成されている
3b, 3c, 3d are the respective bent portions 2a, 2b, 2c, 2
d and assembled as shown in Figure B,
The external terminals 9b and 9c on which the solder layer 13 is formed are exposed on the surface, and the surfaces of the wiring leads 9a, symbols 9d and index marks 9e are covered with the cover film 10, so these patterns are covered with the cover film. 10 is constructed so that it can be easily read through.

このような構成において、基板FPCはポリイミド樹脂
フィルムを用い、素子保護部1の4隅に各折り曲げ部2
a、2b、2c、2dを介して各接続部3a、3b、3
c、3dを設けた風車状に構成し、これらの各接続部3
a、3b、3c、3dを折り返し組み合わせて外部端子
部を構成したことにより、素子保護部1と接続部とが2
層配線構造となるので、接続部3の面積を小さくするこ
となく、素子保護部1の面積を大きくさせ、併せて外部
端子部の多端子化が可能となり、全体形状を小形化する
ことができる。
In such a configuration, the substrate FPC uses a polyimide resin film, and each bent portion 2 is provided at the four corners of the element protection portion 1.
Each connection 3a, 3b, 3 via a, 2b, 2c, 2d
c, 3d, and each of these connecting parts 3
By folding and combining a, 3b, 3c, and 3d to form the external terminal section, the element protection section 1 and the connection section are separated into two parts.
Since it has a layered wiring structure, the area of the element protection part 1 can be increased without reducing the area of the connection part 3, and at the same time, it is possible to increase the number of external terminals, and the overall shape can be made smaller. .

また、このような構成において、各外部端子9bから素
子保護部1の各開口部4a、4bまでの配線リード9a
を大幅に短縮できるので、外部雑音等による影響を大幅
に減らすことができる。すなわちS/N比の高い信号を
入出力させることができる。さらに接続部3Cの一端に
基板突出部6を設けるとともに、この突出部6にインデ
ックスマーク9eを設けたことにより、折り返し組み立
てた際の基板中央部の表示用、ケースRFSおよびSH
I (第2図参照)に組み込む際の位置合せ用、配線リ
ード9aの種類の区別用あるいは製品型式の表示用等の
判別に利用してその判別が容易となるので、組み立てお
よび基板管理等を合理化することができる。また、基板
FPCの素子保護部1の両端側に穿孔5a、5b、5c
を設けたことにより、基板FPCの左右の区別、素子C
HIの位置決め等が容易となり、同様に組み立て性を合
理化することができる。
In addition, in such a configuration, the wiring leads 9a from each external terminal 9b to each opening 4a, 4b of the element protection part 1
Since the time can be significantly shortened, the influence of external noise etc. can be significantly reduced. That is, signals with a high S/N ratio can be input and output. Furthermore, a board protrusion 6 is provided at one end of the connecting part 3C, and an index mark 9e is provided on this protrusion 6, so that when the board is folded back and assembled, it can be used for displaying the central part of the board.
I (see Figure 2) can be used for positioning when assembling, distinguishing the type of wiring lead 9a, or displaying the product model. It can be streamlined. Additionally, holes 5a, 5b, 5c are provided at both ends of the element protection portion 1 of the FPC board.
By providing a
The positioning of the HI becomes easy, and the ease of assembly can also be streamlined.

(基板組立体 第5.6.7図) 第5図は前述した基板FPCに素子CHIを搭載した平
面図を示したものである。同図において、基板FPCの
素子搭載部1には2個の素子CHIが関ロ部4a、4b
間に並列配置して搭載され基板組立体BNDが構成され
ており、この素子CH工の1個は、第6図に拡大平面図
で示すようにIMbチップの2ブロツクが一体化して構
成され、2個の素子CHIでは4ブロツク、合計で4M
bチップを構成している。なお、第6図に示した素子C
HIの1ブロツクにおいて、太線は導体パターン、細線
はシェブロンパターン転送路をそれぞれ示している。ま
た、第5図に示した素子CHIは、第7図A、第7図B
にそれぞれ拡大断面図で示すように素子CHIの端部に
金メッキして設けられた各ポンディングパッド14と、
基板FPC開口部4の錫メッキ層11が形成された配線
用リード9aとの間に金バンプ15を介在させて熱圧着
法にによるAu−8n共晶によりリードボンディングさ
れて搭載されている。
(Substrate Assembly Figures 5.6.7) Figure 5 is a plan view showing the element CHI mounted on the aforementioned substrate FPC. In the figure, two elements CHI are mounted on the element mounting part 1 of the FPC board at the rear parts 4a and 4b.
A board assembly BND is constructed by being mounted in parallel between the two blocks, and one of the elements CH is constructed by integrating two blocks of IMb chips, as shown in an enlarged plan view in FIG. 4 blocks for 2 elements CHI, 4M in total
It constitutes the b chip. Note that the element C shown in FIG.
In one block of HI, thick lines indicate conductor patterns and thin lines indicate chevron pattern transfer paths. In addition, the element CHI shown in FIG. 5 is shown in FIG. 7A and FIG. 7B.
As shown in the enlarged cross-sectional views in FIG.
A gold bump 15 is interposed between the wiring lead 9a on which the tin plating layer 11 of the substrate FPC opening 4 is formed, and lead bonding is performed using Au-8n eutectic using a thermocompression bonding method.

このような構成によれば、基板FPCの開口部4a、4
bの配線用リード9aと素子C)LIのポンディングパ
ッド14とがAu−8n共晶によるリードボンディング
により接続されて素子CHIが支持固定できるので、接
続強度を大幅に向上できるとともに、薄形化が可能とな
る。また、素子CHIの表面が基板FPCの素子搭載部
1により被覆されるので、素子CHIの表面が保護され
、ハンドリング性を向上させることができるとともに、
基板FPCの機械的強度を保持することができる。また
、このような構成によれば、各素子CHIが2ブロツク
からなり、2個の素子CHIは4ブロツクで構成されて
いるので、各ブロックをそれぞれ最も近接する各接続部
3a、3b、3c。
According to such a configuration, the openings 4a, 4 of the substrate FPC
The wiring lead 9a of (b) and the bonding pad 14 of element (C) LI are connected by lead bonding using Au-8n eutectic, and the element CHI can be supported and fixed, so the connection strength can be greatly improved and the thickness can be reduced. becomes possible. Furthermore, since the surface of the element CHI is covered with the element mounting part 1 of the substrate FPC, the surface of the element CHI is protected, and handling properties can be improved.
The mechanical strength of the FPC board can be maintained. Further, according to such a configuration, since each element CHI is composed of two blocks, and two elements CHI are composed of four blocks, each block is connected to the respective connecting parts 3a, 3b, and 3c closest to each other.

3dへ分配して配線でき、素子CHI配置の対称性が得
られ、試験、検査等が極めて容易となる。
Wiring can be distributed over 3D, symmetrical element CHI arrangement can be obtained, and testing, inspection, etc. can be extremely facilitated.

さらに基板FPCに4個の接続部3a、3b、3c、3
dを設けているので、各素子CHIの磁気バブル検出器
DETおよびマツプループ等の配線を他の機能配線と区
別して1個所の接続部に集結させ、この接続部を雑音発
生源から遠ざける部位に選定して配置することにより、
雑音の極めて少ない入出力信号を授受することができる
Furthermore, four connection parts 3a, 3b, 3c, 3 are attached to the board FPC.
d, the wires for the magnetic bubble detector DET and pine pull of each element CHI are distinguished from other functional wires and gathered at one connection point, and this connection point is selected to be away from the noise source. By placing
It is possible to exchange input/output signals with extremely low noise.

(駆動磁気回路 第8,9図) 第8図は磁気回路PFCを示す図であり、同図Aは斜視
図、同図Bはその駆動磁気回路を示す平面図である。同
図において、磁気回路PFCは。
(Drive Magnetic Circuit FIGS. 8 and 9) FIG. 8 is a diagram showing the magnetic circuit PFC, and FIG. 8A is a perspective view, and FIG. 8B is a plan view showing the drive magnetic circuit. In the figure, the magnetic circuit PFC is.

軟磁性材料からなる額縁形のコアCORの互いに平行な
対向する辺上に、矢印方向に巻線を施して4組のコイル
20a、20b、20c、20dからなるコイルCOI
が巻設され、互いに対向する辺上のコイル20aと20
bとを接続点21bを介して直列巻きさせてXコイル2
2aを、コイル20cと20dとを接続点21aを介し
て直列巻きさせてYコイル22bをそれぞれ構成してい
る。
A coil COI consisting of four sets of coils 20a, 20b, 20c, and 20d is formed by winding wires in the direction of the arrows on mutually parallel opposing sides of a frame-shaped core COR made of a soft magnetic material.
are wound, and the coils 20a and 20 on opposite sides
B is wound in series through the connection point 21b to form the X coil 2.
2a is wound in series with coils 20c and 20d via a connection point 21a to form a Y coil 22b.

そして、Xコイル22aおよびYコイル22bに位相の
90度異なる電流IxおよびIy(例えば三角非電流)
を供給することにより、同図Bに示すようにX軸方向に
漏洩磁界Hzが、y軸方向には漏洩磁界Hyが発生し、
前述した2個の素子CHIに回転磁界として供給される
Then, currents Ix and Iy (for example, triangular non-current) whose phases are different by 90 degrees are applied to the X coil 22a and the Y coil 22b.
As shown in Figure B, a leakage magnetic field Hz is generated in the X-axis direction and a leakage magnetic field Hy is generated in the y-axis direction.
It is supplied as a rotating magnetic field to the two elements CHI mentioned above.

また、このように構成される磁気回路PFCは、第9図
に斜視図で示すように1本の軟磁性材料からなる直方体
状の磁気コア23に巻線を複数ブロック毎にタップ24
を設け、直列巻きして一対のコイル、例えばコイル20
a、20bからなる一対のXコイル22aを形成した後
、各コイル20aと20bとの間に一定の巾を有する幅
の広い溝25とさらに幅の小さい溝26とを切削加工し
て設け、しかる後、この幅の小さい溝26部分から切断
して両者に分割された幅の広い溝25を互いに直交する
方向に組み合わせて接着し、第8図に示すように額縁形
に構成する。また、逆に前述した幅の広い溝25および
幅の小さい溝26を予め形成した直方体コア23にコイ
ル20a、20bをタップ24を介して巻設し、一対の
Xコイル22aを形成してもよい。また、前述した一対
のYコイル22bについても全く同様に形成される。
In addition, the magnetic circuit PFC configured in this manner has windings arranged around a rectangular parallelepiped magnetic core 23 made of one soft magnetic material with taps 24 for each block, as shown in a perspective view in FIG.
are provided and wound in series to form a pair of coils, for example coil 20.
After forming a pair of X coils 22a consisting of coils 20a and 20b, a wide groove 25 having a constant width and a narrower groove 26 are formed by cutting between each coil 20a and 20b. Thereafter, the wide grooves 25 which are cut from the narrow groove 26 and then glued together in directions perpendicular to each other are formed into a picture frame shape as shown in FIG. Alternatively, the pair of X coils 22a may be formed by winding the coils 20a and 20b through the taps 24 around the rectangular parallelepiped core 23 in which the wide groove 25 and the narrow groove 26 described above are formed in advance. . Furthermore, the pair of Y coils 22b described above are formed in exactly the same manner.

このような構成において、直方体状磁気コア23にコイ
ル20a、20bを直列方向にタップ24を設けて巻設
しているので、第8図に示すように組み立て構成した場
合、互いに交差させて結線(接続点)する必要がなくな
り、巻線の引き廻しを簡素化することができる。
In such a configuration, the coils 20a and 20b are wound in series around the rectangular parallelepiped magnetic core 23 with taps 24 provided, so when assembled as shown in FIG. 8, the wires are connected by crossing each other ( connection points), and the winding routing can be simplified.

このような構成によれば、Xコイル22aとYコイル2
2bと、が対称構造となるので、粗カップリングとなり
、インダクタンスバランスが向上し、漏洩磁界に対する
磁性体間の磁気的子、渉を防止することができる。゛ま
た、この磁気回路PFCは素子CHIの上、下面に配置
されない額縁形構造となるので、積層方向の厚さが小さ
くなり、薄形化が可能となる。
According to such a configuration, the X coil 22a and the Y coil 2
2b and 2b have a symmetrical structure, the coupling becomes rough, the inductance balance is improved, and magnetic interference between the magnetic bodies due to the leakage magnetic field can be prevented. Furthermore, since the magnetic circuit PFC has a frame-shaped structure that is not disposed on the upper or lower surface of the element CHI, the thickness in the stacking direction is reduced, making it possible to reduce the thickness.

(回転磁界閉込めケース 第10.11.12図)第1
0図はケースRFSを示す図であり、同図Aは平面図、
同図Bはそのl0B−l0B断面図である。同図におい
て、内側ケースRFSbは、その中央部分が凹状となる
枠形状の絞り部30と、その対向端辺が上方向にほぼ9
0度折り曲げられた折り曲げ部31と、その各4隅が斜
め方向に切断された切り欠き部32とをそれぞれ有して
構成されており、このケースRFSbは良導電性材料、
例えば無酸素銅板をプレス加工して形成されている。こ
の場合、絞り部30および折り曲げ部31はこの内側ケ
ースRFSbのねじれ方向の機械的強度を向上させると
ともに、互いに対向する折り曲げ部31相互間の縦横方
向の外径寸法りを適宜制限することができる。また、絞
り部30は、このケースRFSbの外面側に配設される
磁石体BIMbと、内面側に配置される素子CHIとの
間の距離を適宜調整することができる。なお、4隅に設
けた切り欠き部32は、このケースRFS b内に配設
される基板FPCの各折り曲げ部2a。
(Rotating magnetic field confinement case Fig. 10.11.12) 1st
Figure 0 is a diagram showing the case RFS, and Figure A is a plan view.
Figure B is a sectional view taken along the line 10B-10B. In the figure, the inner case RFSb has a frame-shaped constriction part 30 whose central part is concave, and whose opposing end sides extend upward by approximately 90 degrees.
The case RFSb has a bent portion 31 bent at 0 degrees and cutout portions 32 cut diagonally at each of its four corners, and the case RFSb is made of a highly conductive material,
For example, it is formed by pressing an oxygen-free copper plate. In this case, the constricted portion 30 and the bent portion 31 can improve the mechanical strength of the inner case RFSb in the torsion direction, and can appropriately limit the outer diameter dimensions in the longitudinal and lateral directions between the bent portions 31 facing each other. . Further, the aperture section 30 can appropriately adjust the distance between the magnet body BIMb arranged on the outer surface side of this case RFSb and the element CHI arranged on the inner surface side. Note that the cutout portions 32 provided at the four corners are each bent portion 2a of the board FPC disposed within this case RFSb.

2b、2c、2dの引出し部分を形成している。It forms the drawer parts 2b, 2c, and 2d.

このような構成によれば、内側ケースRFSbは、プレ
ス加工法により形成できるので、高精度寸法でかつ低コ
ストで製作することができる。
According to such a configuration, the inner case RFSb can be formed by a press working method, and therefore can be manufactured with high precision dimensions and at low cost.

なお、内側ケースRFSbは、無酸素鋼を用いたが、こ
の他に銅、銀、金板あるいはこれらの合金板にメッキを
施した板材を用いても良い。
Although the inner case RFSb is made of oxygen-free steel, it may also be made of copper, silver, gold plate, or a plated alloy plate thereof.

第11図は前述した内側ケースRFSbに対応する外側
ケースRFSaを示す図であり、同図Aは平面図、同図
BはそのIIB−11B断面図である。同図において、
この外側ケースRF S aは、前述した内側ケースR
FSbと同等の材料および製作法により形成され、その
構造は前述とほぼ同様にその中央部が凹状となる枠形状
の絞り部33と、その対向端辺が上方向にほぼ90度に
折り曲げられた折り曲げ部34と、その各4隅が斜め方
向に切断された切り欠き部35とを有して構成されてい
る。この場合、互いに対向する折り曲げ部34は、その
相互間の内側寸法が、前述した内側ケースRFSbの折
り曲げ部31相互間の外側寸法りとほぼ同等値を有しか
つ高さHを大きくして形成されている。なお、この絞り
部33および切り欠き部35は前述した内側ケースRF
Sbとほぼ同等の寸法を有して形成されている。
FIG. 11 is a diagram showing an outer case RFSa corresponding to the above-described inner case RFSb, with FIG. 11A being a plan view and FIG. 11B being a sectional view taken along line IIB-11B. In the same figure,
This outer case RF Sa is similar to the inner case R described above.
It is formed using the same material and manufacturing method as FSb, and its structure is almost the same as described above, with a frame-shaped constriction part 33 whose center part is concave, and the opposite end thereof is bent upward at approximately 90 degrees. It is configured to include a bent portion 34 and a notch portion 35 cut diagonally at each of its four corners. In this case, the mutually opposing bent portions 34 are formed so that the inner dimensions thereof are approximately the same as the outer dimensions between the bent portions 31 of the inner case RFSb described above, and the height H is increased. has been done. Note that the constriction portion 33 and the notch portion 35 are connected to the inner case RF described above.
It is formed to have substantially the same dimensions as Sb.

このように構成された外側ケースRFSaおよび内側ケ
ースRFSbは、第12図Aにその平面図、第12@已
に12B−12B断面図でそれぞれ示すように外側ケー
スRFSa内に内側ケースRFSbを挿入し、外側ケー
スRFSaの折り曲げ部31の外面とを互いに接触させ
て接続することにより、一体化させケースRFSが組み
立てられる。
The outer case RFSa and the inner case RFSb configured in this way are constructed by inserting the inner case RFSb into the outer case RFSa, as shown in the plan view in FIG. 12A and the 12B-12B sectional view in FIG. , and the outer surface of the bent portion 31 of the outer case RFSa are brought into contact with each other and connected, thereby integrating the case RFS and assembling the case RFS.

(ケース組立体 第13図) 第13図は前述したケースRFS内に基板組立体BND
を収納配置した断面図を示したものである。同図におい
て、外側ケースRF S aの底面には、電気的絶縁性
シートとして、例えば厚さ約0゜11m程度のポリイミ
ドフィルム36が接着配置され、このフィルム36上に
は基板組立体BNDが、また、その周縁部には磁気回路
FPCがそれぞれ配置され、されに基板組立体ENDの
上面にエポキシ系の接着剤37を塗布した後、これらの
上方部には内側ケースRFSbが挿入されて接合配置さ
れている。この場合、この外側ケースRFSaの折り曲
げ部34の内面と内側ケースRFSbの折り曲げ部31
の外面とがx印で示す部分でメタルフローあるいは半田
付等により電気的2機械的に接合されている。また、こ
の外側ケースRFSaと内側ケースRFSbとの間の隙
間部分にはシリコーン樹脂SIRが充填され基板組立体
BNDおよび磁気回路PFCが固定配置されている。な
お、この場合、これらの外側ケースRFSaおよび内側
ケースRFSbの4隅に設けられた図示しない各切り欠
き部32.35には基板FPCの折り曲げ部2 (2a
、2b、2c、2d)が外部へ引出されている。38は
コイルC○工同志の接続またはコイルCO工と基板FP
C上に設けられた外部端子9Cを接続するためのリード
線である。
(Case assembly Figure 13) Figure 13 shows the board assembly BND inside the case RFS mentioned above.
This figure shows a cross-sectional view of the storage arrangement. In the figure, a polyimide film 36 with a thickness of about 0° and 11 m, for example, is adhesively arranged as an electrically insulating sheet on the bottom surface of the outer case RF Sa, and a board assembly BND is mounted on this film 36. In addition, magnetic circuit FPCs are arranged on the peripheral edges thereof, and after applying an epoxy adhesive 37 to the upper surface of the board assembly END, an inner case RFSb is inserted into the upper part of these and arranged to be bonded. has been done. In this case, the inner surface of the bent portion 34 of the outer case RFSa and the bent portion 31 of the inner case RFSb
The outer surface of the substrate is electrically and mechanically joined by metal flow, soldering, etc. at the portion indicated by the x mark. Further, a gap between the outer case RFSa and the inner case RFSb is filled with silicone resin SIR, and the board assembly BND and the magnetic circuit PFC are fixedly arranged. In this case, the bent portions 2 (2a
, 2b, 2c, 2d) are drawn out. 38 is the connection of the coil CO worker or the coil CO worker and the board FP
This is a lead wire for connecting an external terminal 9C provided on C.

このような構成において、磁気回路FPCの駆動により
漏洩磁界が発生すると、ケースRFSには閉ループを形
成するように誘起電流が流れ、この誘起電流によって回
転磁界がケースRFS内に封じ込められ、したがって素
子CHIには均一な回転磁界を付与される。
In such a configuration, when a leakage magnetic field is generated by driving the magnetic circuit FPC, an induced current flows through the case RFS to form a closed loop, and this induced current confines the rotating magnetic field within the case RFS, so that the element CHI is applied with a uniform rotating magnetic field.

このような構成によれば、外側ケースRF S aおよ
び内側ケースRFSbとの間に中央部分の凹状部内に基
板FPCに搭載された素子CHIを。
According to such a configuration, the element CHI mounted on the substrate FPC is placed in the concave portion of the central portion between the outer case RF Sa and the inner case RFSb.

周縁部分の凸状部内に磁気回路PFCをそれぞれ挟持さ
せて配置したのでパッケージング効果が向上できるとと
もに、組立性が大幅に向上できる。
Since the magnetic circuits PFC are sandwiched and disposed within the convex portions of the peripheral portion, the packaging effect can be improved and the ease of assembly can be greatly improved.

また、外側ケースRFSaおよび内側ケースRFsbで
覆われる体積が減少することにより、VI積(体積)が
低減でき、回転磁界を発生させる磁気回路PFCの小形
化が可能となる。さらに外側ケースRFSaおよび内側
ケースRFSbに絞り部30.33で形成される凹状部
を設は対向する凹状部間のギャップを減少させることに
より。
Further, by reducing the volume covered by the outer case RFSa and the inner case RFsb, the VI product (volume) can be reduced, and the magnetic circuit PFC that generates the rotating magnetic field can be downsized. Furthermore, the outer case RFSa and the inner case RFSb are provided with concave portions formed by the constricted portions 30 and 33 to reduce the gap between the opposing concave portions.

回転磁界は素子CHIの平面に垂直な成分(Z成分)が
零に近接して水平な成分のみとなり、一様性を向上させ
ることができる。
In the rotating magnetic field, the component (Z component) perpendicular to the plane of the element CHI is close to zero, and there is only a horizontal component, so that uniformity can be improved.

(磁石体 第14図) 第14図は磁石体BIMを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその側面図、同図Cはその正面図である。
(Magnet Figure 14) Figure 14 is a diagram showing the magnet body BIM, in which Figure A is a plan view, Figure B is a side view, and Figure C is a front view.

同図において、磁石体BIMは、対向面の一方が所定の
傾斜面を有する非磁性材、例えば銅からなる傾斜板IN
Nと、この傾斜抜工NNの傾斜面側に配置する板厚の均
一な第1の整磁板HOMユと、この第1の整磁板HOM
1の上面側に配置する板厚の均一な磁石板MAGと、こ
の磁石板MAGの上面側に傾斜面を有する第2の整磁板
HOM、とを順次積層し、エポキシ系の接着剤により一
体化されて形成され、全体の積層板厚がほぼ全面にわた
って均一となるように構成されている。そして、この磁
石体BIMの上、下面からはほぼ全面にわたって均一な
バイアス磁界発生用の磁界が放出される。
In the figure, the magnetic body BIM includes an inclined plate IN made of a non-magnetic material, such as copper, and one of the opposing surfaces has a predetermined inclined surface.
N, a first magnetic shunt plate HOM Yu with a uniform plate thickness disposed on the slope side of this inclined punching NN, and this first magnetic shunt plate HOM
A magnet plate MAG having a uniform thickness and placed on the upper surface of the first magnet plate MAG and a second magnetic shunt plate HOM having an inclined surface on the upper surface of this magnet plate MAG are sequentially laminated and integrated with an epoxy adhesive. The laminated plate thickness is uniform over almost the entire surface. A uniform magnetic field for generating a bias magnetic field is emitted from the upper and lower surfaces of this magnet body BIM over almost the entire surface.

(バイアスコイル 第15図) 第15図はバイアスコイルBICを示す図であり、同図
Aは斜視図、同図Bはその15B−15B断面図である
。同図において、バイアスコイルBICは、表面に絶縁
部材として例えば熱硬化性樹脂が外面に被覆された巻線
40を、断面が5×4線の配列とし全体形状が額縁状と
なるように整列巻きした後、熱溶着で圧着し、冷却させ
て所定値の額縁形状に成形して構成されている。この場
合、各巻線40の外面に被覆されている熱硬化樹脂が互
いに熱溶着するとともに、圧着により各巻線40が目詰
りして成形され、冷却させることにより、各巻線40が
結束した状態で硬化されるので、所定形状の額縁形状に
形成される。
(Bias Coil FIG. 15) FIG. 15 is a diagram showing the bias coil BIC, where A is a perspective view and FIG. B is a cross-sectional view taken along line 15B-15B. In the same figure, the bias coil BIC has a winding 40 whose outer surface is coated with an insulating member such as a thermosetting resin, and is wound in an array with a cross section of 5 x 4 wires so that the overall shape has a picture frame shape. After that, it is crimped by heat welding, cooled, and formed into a frame shape of a predetermined value. In this case, the thermosetting resin coated on the outer surface of each winding 40 is thermally welded to each other, and each winding 40 is clogged and formed by pressure bonding, and by cooling, each winding 40 is hardened in a bundled state. Therefore, it is formed into a predetermined picture frame shape.

(ケース組立体への磁石体及びバイアスコイルの実装 
第16図) 第16図は前記第13図で説明したケースRFS組立体
に前述した磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを
組み込んだ断面図を示したものである。同図において、
内部に基板組立体BNDおよび磁気回路PFCを収納し
たケースRFS組立体の上、下面にはそれぞれ上部磁石
体B I M a下部磁石体BIMbが接着配置され、
さらにこの上部磁石体B I M aの周縁部と、内側
ケースRFSbの折り曲げ部31とで囲まれて形成され
る額縁状溝部にはバイアスコイルBICが収納配置され
ている。この場合、上部磁石体B I M aと下部磁
石体B IMbとは全く同一の材料9寸法で構成されて
おり、これらの磁石体BIMa、BIMbはその傾斜板
INN側が、内側ケースRFSbの絞り部30で囲われ
た凹状部および外側ケースRFSaの絞り部33で囲わ
れた凹状部内にそれぞれ密着されて配置される。
(Mounting the magnet and bias coil on the case assembly
(FIG. 16) FIG. 16 is a sectional view of the case RFS assembly described in FIG. 13 incorporating the magnet body BIM and bias coil BIC. In the same figure,
An upper magnet body B I M a and a lower magnet body BIM b are adhesively arranged on the upper and lower surfaces of the case RFS assembly that houses the board assembly BND and the magnetic circuit PFC inside, respectively.
Further, a bias coil BIC is housed in a frame-shaped groove formed by being surrounded by the peripheral edge of the upper magnet B I Ma and the bent portion 31 of the inner case RFSb. In this case, the upper magnet body BIMa and the lower magnet body BIMb are made of the same material and 9 dimensions, and the inclined plate INN side of these magnet bodies BIMa and BIMb is connected to the constriction part of the inner case RFSb. 30 and the concave portion surrounded by the constriction portion 33 of the outer case RFSa in close contact with each other.

このような構成において、ケースRFS組立体の中央部
両面側に形成された凹状部内に一対の磁石体BIMa、
BIMbが配置され、さらにその周縁部に形成される額
縁状溝部内にバイアスコイルBICが配設できるので、
各構成部品の積層方向の全体の厚さが小さくなり、小形
、薄形化が可能となる。また、外側ケースRFSaと下
部磁石体BIMbの外縁部分とで額縁状の空間溝が形成
されるので、この部分に前記バイアスコイルBICを配
置しても良く、また新たにバイアスコイルを設けても良
く、さらにはコイルボビンとして巻線を施してバイアス
コイルを形成することもできる。
In such a configuration, a pair of magnet bodies BIMa,
Since the BIMb is placed and the bias coil BIC can be placed in the frame-shaped groove formed on the periphery of the BIMb,
The overall thickness of each component in the stacking direction is reduced, making it possible to make it smaller and thinner. Further, since a frame-shaped space groove is formed between the outer case RFSa and the outer edge portion of the lower magnet body BIMb, the bias coil BIC may be placed in this portion, or a new bias coil may be provided. Furthermore, it is also possible to form a bias coil by winding the wire as a coil bobbin.

(磁気シールドケース 第17.18.19図)第17
図はシールドケースSHIを示す図であり、同図Aは平
面図、同図Bはその17B−17B断面図である。同図
において、外側シールドケース5HIaは、平坦部51
と、この平坦部51の対向端辺に上方向にほぼ90度に
折り返した折り曲げ部52と、この折り曲げ部52の中
央部に一部が切り欠かれた凹部53と、その各4−隅が
斜め方向に切断された切り欠き部54とを有して構成さ
れており、このシールドケースS HI aは高透磁率
および高飽和磁束密度を有し望ましくは熱伝導率の大き
い材料、例えばパーマロイ板をプレス加工して形成され
ている。
(Magnetic shield case Fig. 17, 18, 19) Fig. 17
The figures show the shield case SHI, with figure A being a plan view and figure B being a 17B-17B cross-sectional view thereof. In the figure, the outer shield case 5HIa has a flat portion 51.
, a bent part 52 which is bent upward at an angle of approximately 90 degrees on the opposite end side of this flat part 51 , a recessed part 53 with a part cut out in the center of this bent part 52 , and each of the four corners thereof. The shield case SHIa is made of a material having high magnetic permeability and high saturation magnetic flux density, and preferably high thermal conductivity, such as a permalloy plate. It is formed by pressing.

第18図は前述した外側シールドケース5HIaに対応
する内側シールドケース5HIbを示す図であり、同図
Aは平面図、同図Bはその18B−18B断面図である
。同図において、この内側シールドケース5I(I b
は、前述した外側シールドケースS HI aと同等の
材料および製作法により形成され、その構造は前述とほ
ぼ同様に平坦部55と、この平坦部55の対向端辺に上
方向にほぼ90度に折り返した折り曲げ部56と、この
折り曲げ部56の中央部に一部が切り欠かれた凹部57
と、その各4隅が斜め方向に切断された切り欠き部58
とを有して構成されている。この場合。
FIG. 18 is a diagram showing an inner shield case 5HIb corresponding to the above-mentioned outer shield case 5HIa, with FIG. 18A being a plan view and FIG. 18B being a 18B-18B sectional view thereof. In the figure, this inner shield case 5I (I b
is formed using the same material and manufacturing method as the above-mentioned outer shield case S HI a, and its structure is almost the same as above, with a flat part 55 and an opposite edge of the flat part 55 extending upward at approximately 90 degrees. A folded portion 56 and a recessed portion 57 partially cut out in the center of the bent portion 56.
and a notch 58 cut diagonally at each of its four corners.
It is composed of: in this case.

互いに対向する折り曲げ部56はその相互間の外側寸法
が、前述した外側シールドケースS HX aの折り曲
げ部52相互間の内側寸法りとほぼ同等値を有しかつ高
さHを小さくして形成されている。
The mutually opposing bent portions 56 are formed so that the outer dimensions thereof are approximately the same as the inner dimensions between the bent portions 52 of the outer shield case S HX a described above, and the height H is reduced. ing.

このように構成された外側シールドケース5HIaおよ
び内側シールドケースS HI ’bは第19図Aにそ
の平面図、第19図Bにその19B−19B断面図でそ
れぞれ示すように外側シールドケース5HIa内に内側
シールドケース5HIbを挿入し、外側シールドケース
S HI aの凹部53と内側シールドケース5HIb
の凹部57とで形成される凹部59にスポット溶接ある
いは半田溶接を施し、磁気的、機械的に固定することに
より一体化させ外側シールドケース5HIaが組み立て
られる。 このような構成において、外側シールドケー
スS HI aの折り曲げ部52および内側シールドケ
ース5HIbの折り曲げ部56を横方向、つまり積層方
向と交差す方向に設定することなく、積層方向に揃えて
設定することにより、横方向の寸法を小さくさせ、小形
でかつ構成部品の高集積化が可能となる。
The outer shield case 5HIa and the inner shield case S HI'b configured in this way are arranged inside the outer shield case 5HIa, as shown in a plan view in FIG. Insert the inner shield case 5HIb and connect the recess 53 of the outer shield case SHIa and the inner shield case 5HIb.
The outer shield case 5HIa is assembled by performing spot welding or solder welding to the recess 59 formed with the recess 57 of the outer shield case 5HIa and magnetically and mechanically fixing the recess 59 and the recess 57. In such a configuration, the bent portion 52 of the outer shield case S HI a and the bent portion 56 of the inner shield case 5 HIb should not be set in the lateral direction, that is, in a direction that intersects with the laminated direction, but aligned in the laminated direction. As a result, the lateral dimension can be reduced, making it possible to achieve compactness and high integration of component parts.

(磁気シールドケース組立体 第20図)第20図は前
述したシールドケースSHI組立体内に、前記第16図
で説明した内部に基板組立体BND、磁気回路FPCを
組み込んだケースRFS組立体と、一対の磁石板BIM
a、BIMb、バイアスコイルBICとからなる組立体
を組み込んだ断面図を示したものである。同図において
(Magnetic shield case assembly FIG. 20) FIG. 20 shows the case RFS assembly, which incorporates the board assembly BND and magnetic circuit FPC inside the shield case SHI assembly described in FIG. magnetic plate BIM
Fig. 3a shows a cross-sectional view incorporating an assembly consisting of BIMb and bias coil BIC. In the same figure.

外側シールドケースS HI aの内部には、その底面
側から中央部に上部磁石体B I M a 、周縁部に
バイアスコイルBIC,ケースRFS組立体く内部に基
板組立体BND、磁気回路PFC等が組み込まれている
)、下部磁石体B IMbを順次積層配置させた後、内
側シールドケース5HIbを挿入し、前述した外側シー
ルドケースSH工aの凹部53と内側シールドケースS
HI bの凹部57とで形成される凹部59(第19図
参照)で溶接固定して封止される。この場合、このシー
ルドケースSHI内にグリース等を充填させておくこと
により、内部の構成部品が実質的に相互に密着すること
になり、ケースRFSから発生する熱がこのシールドケ
ースSHIを介して外部に放出することができる。また
、ケースRFSとシールドケースSHIを圧入方式によ
り側面で接触させる構造にして放熱効果を向上させるこ
とができる。
Inside the outer shield case SHI a, there is an upper magnet body B I M a in the center from the bottom side, a bias coil BIC in the periphery, a board assembly BND, a magnetic circuit PFC, etc. inside the case RFS assembly. After sequentially stacking and arranging the lower magnet bodies B IMb (incorporated), the inner shield case 5HIb is inserted, and the recess 53 of the outer shield case SH a and the inner shield case S are inserted.
It is fixed and sealed by welding in a recess 59 (see FIG. 19) formed with the recess 57 of HI b. In this case, by filling the shield case SHI with grease or the like, the internal components will come into close contact with each other, and the heat generated from the case RFS will be transferred to the outside through the shield case SHI. can be released to Furthermore, the heat dissipation effect can be improved by making the case RFS and the shield case SHI contact each other at their sides by press-fitting.

このような構成において、外側シールドケースS HI
 aの底面側にケースRFS組立体を、その折り曲げ部
31.34が対向するように積層配置させることによっ
て外部シールドケース5HIaと内部シールドケースS
HI bとの間に積層される各構成部品が密着配置でき
るので、lJX形化、薄形化が可能となるとともに放熱
効果も同時に得られる。
In such a configuration, the outer shield case S HI
The outer shield case 5HIa and the inner shield case S are stacked on the bottom side of the case RFS assembly so that the bent parts 31 and 34 thereof face each other.
Since each component laminated between the HI b and the HI b can be placed in close contact with each other, it is possible to make the IJX shape and thinner, and at the same time, a heat dissipation effect can be obtained.

(パッケージングケース 第21図) 第21図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその21B−21B断面図
である。同図において、パッケージングケースPKGは
、熱伝導の良好な材料、例えば板厚約0.5mmのアル
ミニウム板を絞り加工を施して形成され、図示されない
が、その外面には黒色被膜が設けられている。このパッ
ケージングケースPKGは、前記外側シールドケース5
)(Iaの形状を改良して兼用させて使用することがで
きる。
(Packaging case FIG. 21) FIG. 21 is a diagram showing a packaging case PKG, in which FIG. 21A is a plan view and FIG. 21B is a 21B-21B sectional view thereof. In the figure, the packaging case PKG is formed by drawing a material with good thermal conductivity, for example, an aluminum plate with a thickness of about 0.5 mm, and has a black coating on its outer surface (not shown). There is. This packaging case PKG includes the outer shield case 5.
) (The shape of Ia can be improved and used for both purposes.)

このような構成において、このパッケージングケースP
KGは、磁気バブルメモリデノ(イス完成後の外側ケー
スとなるとともに放熱体としての機能を有し、さらにそ
の内側角部は後述するポツティング法による樹脂モール
ド時の型としての機能も同時に有している。
In such a configuration, this packaging case P
KG is a magnetic bubble memory deno (which functions as an outer case and a heat sink after the chair is completed, and its inner corner also functions as a mold during resin molding using the potting method described later). ing.

(端子固定板及びコンタクトパッド 第22.23図)
第22図は端子固定板TEFを示す図であり、同図Aは
平面図、同図Bはその22B−22B断面図、同図Cは
その背面図である。同図において、端子固定板TEFは
、電気的絶縁性を有する材料、例えばガラスエポキシ系
の樹脂板60からなり、その外形状は前記パッケージン
グケースPKGの開口部に対して挿入出自在となる縦横
方向の寸法を有して形成されており、またこの樹脂板6
0の周辺部を除く部位には多数個の貫通孔61が縦横方
向に所定の間隔をもってマトリックス状の配列で穿設さ
れ、さらにこれらの貫通孔群の角部には回転対称とはな
らない断面が凹状となる非貫通孔62が設けられ、この
非貫通孔62内には例えば方向性あるいは特長を位置付
ける白色の塗膜などによるマーク63が付着されている
。また、この樹脂板60に穿設された多数個の貫通孔6
1には、同図Bに示すようにその背面側に口径の大きい
開口64が同軸的に連通して設けられており、これらの
開口64の全ては板厚の約60%の深さを有しかつ貫通
孔61とは途中に段差を有して連通されている。また、
この樹脂板60の背面側には同図Cに示すようにその周
辺部分に沿って前記開口64の深さとほぼ同等の深さを
有しかつ平面方向の幅が異なりその断面が凹形状となる
溝65が形成され、この溝65内は前述したコイルCO
Iの巻線、バイアスコイルB工Cの巻線の通路部および
接続部を構成している。また、この樹脂板60の角部6
6は凹形状とはならず、所定の板厚寸法を有し、前述し
たパッケージングケースPKGの内側面に体して接触面
を得ている。このように樹脂板60の背面側は板厚の異
なる2段構造を有して形成されている6 第23図はコンタクトパッドGNPを示す図であり、同
図Aは平面図、同図Bはその23B−23B断面図であ
る。同図において、コンタクトパッドGNPは、良導電
性材料、例えば板厚約0゜5m程度の銅板をプレス加工
により打ち抜いた素片70の表面にニッケルメッキ層7
1.金メッキ層72を形成して構成される。
(Terminal fixing plate and contact pad Fig. 22.23)
FIG. 22 is a diagram showing the terminal fixing plate TEF, in which FIG. 22A is a plan view, FIG. 22B is a sectional view taken along line 22B-22B, and FIG. 22C is a rear view thereof. In the same figure, the terminal fixing plate TEF is made of an electrically insulating material, for example, a glass epoxy resin plate 60, and its external shape is such that it can be freely inserted into and removed from the opening of the packaging case PKG. The resin plate 6 is formed to have dimensions in the direction.
A large number of through holes 61 are formed in a matrix arrangement at predetermined intervals in the vertical and horizontal directions except for the peripheral area of 0, and the corners of these through holes have cross sections that are not rotationally symmetrical. A concave non-through hole 62 is provided, and a mark 63 made of, for example, a white coating film for locating directionality or features is attached inside the non-through hole 62. In addition, a large number of through holes 6 are formed in this resin plate 60.
As shown in FIG. 1B, large-diameter openings 64 are coaxially communicated with each other on the back side of the plate, and all of these openings 64 have a depth of about 60% of the plate thickness. In addition, it communicates with the through hole 61 with a step in the middle. Also,
As shown in Figure C, the back side of this resin plate 60 has a depth approximately equal to the depth of the opening 64 along its peripheral portion, and has a different width in the plane direction and a concave cross section. A groove 65 is formed, and the above-mentioned coil CO is placed inside this groove 65.
It constitutes a passage section and a connection section for the winding of bias coil B and C of bias coil B and C. In addition, the corner portion 6 of this resin plate 60
6 does not have a concave shape, but has a predetermined plate thickness, and forms a contact surface with the inner surface of the packaging case PKG described above. In this way, the back side of the resin plate 60 is formed to have a two-stage structure with different plate thicknesses. 6 Figure 23 shows the contact pad GNP, where Figure A is a plan view and Figure B is a plan view. It is the 23B-23B sectional view. In the figure, the contact pad GNP is formed by forming a nickel plating layer 7 on the surface of a piece 70 punched out of a highly conductive material, for example, a copper plate with a thickness of approximately 0.5 m.
1. It is constructed by forming a gold plating layer 72.

(最終組立 第20.4.2図) このように構成された各構成部品は、まず最初に前述し
たパッケージングケースPKG内に、第20図で説明し
たシールドケース組立体を挿入する。この状態ではこの
パッケージングケースPKGの4隅から前記基板組立体
BNDの各接続部3a、3b、3c、3d (第4図A
参照)が各折り曲げ部2a、2b、2c、2dから約9
0度で折れ曲がって突出する。次に、このパッケージン
グケースPKGの4隅にポツティング法により樹脂モー
ルドを行なってこのパッケージングケースPKG内に各
個性部品を固定配置させる。引き続きこれらの各接続部
3a、3b、3c、3dを対応する各折り曲げ部2a、
2b、2c、2dでさらに約90度で折り曲げて内側シ
ールドケース5RIbの外面に接着剤を介して前記第4
図Bに示すように組み合わせた後、前記端子固定板TE
F背面側の各開口64内にコンタクトパッドGNPを搭
載し、あるいは更にコンタクトパッドGNPの側面を接
着剤により固着してパッケージングケースPKGに挿入
し、各接続部3a、3b、3c。
(Final assembly FIG. 20.4.2) For each component configured in this way, first, the shield case assembly described in FIG. 20 is inserted into the packaging case PKG described above. In this state, the connection parts 3a, 3b, 3c, and 3d of the board assembly BND are connected from the four corners of this packaging case PKG (Fig. 4A).
(see) is about 9 from each bending part 2a, 2b, 2c, 2d.
It bends at 0 degrees and protrudes. Next, resin molding is performed at the four corners of this packaging case PKG by a potting method, and each individual component is fixedly arranged inside this packaging case PKG. Subsequently, these connecting portions 3a, 3b, 3c, and 3d are connected to the corresponding bent portions 2a,
2b, 2c, and 2d are further bent at approximately 90 degrees and attached to the outer surface of the inner shield case 5RIb with adhesive.
After combining as shown in Figure B, the terminal fixing plate TE
A contact pad GNP is mounted in each opening 64 on the back side of F, or the side surface of the contact pad GNP is further fixed with an adhesive, and inserted into the packaging case PKG, and each connection portion 3a, 3b, 3c is formed.

3dに接触配置させる。この場合、各接続部3a。Place it in contact with 3d. In this case, each connection part 3a.

3b、3c、3dに設けられている各外部端子9bの配
列ピッチと各コンタクトパッドGNPの配列ピッチとが
一致しているので、各外部端子9bとコンタクトパッド
GNPとは電気的に接触する。
Since the arrangement pitch of each external terminal 9b provided in 3b, 3c, and 3d matches the arrangement pitch of each contact pad GNP, each external terminal 9b and contact pad GNP are in electrical contact.

次に配置した端子固定板TEFの裏側から各貫通孔61
に例えば先端部の細い加熱体を挿入し、コンタクトパッ
ドGNPを熱圧着する事により、各外部端子9bと対応
する各コンタクトパッドGNPが電気的に接続されると
ともに端子画定板TEFも同時に機械的に固定されて第
2図に示−した磁気バブルメモリデバイスが完成される
Next, from the back side of the terminal fixing plate TEF placed, each through hole 61
For example, by inserting a heating element with a thin tip into the contact pad GNP and thermocompressing the contact pad GNP, each external terminal 9b and the corresponding contact pad GNP are electrically connected, and the terminal defining plate TEF is also mechanically connected at the same time. Once fixed, the magnetic bubble memory device shown in FIG. 2 is completed.

(磁気バブルメモリ素子 第24.25,26.27.
28図)第24図は前述した磁気バブルメモリ素子CH
工のポンディングパッドPAD近辺の断面図を示すもの
である。同図において、GGGはgadolinium
 −gallium −garnet基板であり、LP
Eは液相エピタキシャル成長法によって形成されたバブ
ル磁性膜であり、その組成の一例は次頁表1に示した通
りである。
(Magnetic bubble memory element No. 24.25, 26.27.
Figure 28) Figure 24 shows the above-mentioned magnetic bubble memory element CH.
3 shows a cross-sectional view of the vicinity of the pumping pad PAD of the construction. In the same figure, GGG is gadolinium
-gallium -garnet substrate, LP
E is a bubble magnetic film formed by liquid phase epitaxial growth, and an example of its composition is shown in Table 1 on the next page.

(本頁、以下余白) 表   1 1ONはハードバブル抑制のためにLPE膜表面に形成
されたイオン打込層を示している。SPIは第1のスペ
ーサであり、例えば3000人の厚さのSio2が気相
化学反応により形成される。
(This page, the following margins) Table 1 1ON indicates an ion implantation layer formed on the surface of the LPE film to suppress hard bubbles. SPI is the first spacer, for example 3000 N thick Sio2 is formed by gas phase chemical reaction.

CNDl及びCND2は2層の導体層を示しており、後
述するバブル発生、複写(分割)及び交換を制御する機
能を持っており、下の第1の導体層CND1がM o 
、上の第2の導体層CND2がAU等の材料でそれぞれ
形成されている。SF3及びSF3は導体層CNDとそ
の上に形成されるパーマロイ等の転送パターン層Pとを
電気的に絶縁するポリイミド樹脂等から成る層間絶縁膜
(第2゜第3のスペーサ)である。PASは気相化学反
応法により形成された5in2膜等からなるパッシベー
ション膜である。PADは素子CHIのポンディングパ
ッドを示しており、AU線等の細いコネクタワイヤがこ
こに熱圧着法や超音波法によりボンディングされる。こ
のポンディングパッドPADは下の第1層PAD工がC
r、中央の第2層PAD、がAu層、上の第3層PAD
、がAuメッキ層等の材料でそれぞれ形成されており、
第2層PAD、および第3層PAD3をCr、Cu等の
材料で形成しても良い6Pはバブルの転送路やバブルの
分割2発生、交換及び検出部更にはガードレール部に用
いられる層を示しており、以後の説明では便宜上転送パ
ターン層と表現する。
CND1 and CND2 indicate two conductor layers, which have the function of controlling bubble generation, copying (splitting) and exchange, which will be described later, and the lower first conductor layer CND1 is
, and the upper second conductor layers CND2 are each formed of a material such as AU. SF3 and SF3 are interlayer insulating films (second and third spacers) made of polyimide resin or the like that electrically insulate the conductor layer CND and the transfer pattern layer P formed thereon, such as permalloy. PAS is a passivation film made of a 5in2 film or the like formed by a vapor phase chemical reaction method. PAD indicates a bonding pad of the element CHI, and a thin connector wire such as an AU wire is bonded here by thermocompression bonding or ultrasonic bonding. This bonding pad PAD has the lower first layer PAD
r, second layer PAD in the center, Au layer, third layer PAD above
, are each made of a material such as an Au plating layer,
The second layer PAD and the third layer PAD3 may be made of materials such as Cr and Cu. 6P indicates a layer used for a bubble transfer path, a bubble division 2 generation, replacement and detection section, and a guardrail section. In the following explanation, this layer will be referred to as a transfer pattern layer for convenience.

第24図の例ではこの転送ノ(ターン層P番±下層P□
にF e −N iを、上層P2にF e −N iを
それぞれ使用している゛が、前述したように両者の材質
を上下入れ替えることも可能である。
In the example of Fig. 24, this transfer (turn layer P number ± lower layer P□
Fe-Ni is used for the upper layer P2, and Fe-Ni is used for the upper layer P2, but as described above, it is also possible to interchange the materials of the two above and below.

以下、前述した複数層から成る転送パターン層を素子C
HIの各′部に適用した例を第25図以降の平面図で説
明するが、これらの平面図では転送パターン層の各層は
セルファラインで形成されているため、同じ輪郭線で表
されていることに注意されたい。第25図はバブル検出
器り部分を示しており、MEMはメイン磁気抵抗素子で
あり、横方向に帯状に引き伸ばされたバブルがそこを通
過するとき抵抗値が変ることを利用してバブルの有無を
検出する。MEDはメイン磁気抵抗素子MEMと同様な
パターン形状のダミー磁気抵抗素子であり、回転磁界の
影響等による雑音成分を検出するために用いられる。メ
イン磁気抵抗素子MEMの上方には2段分しか図示して
いないがバブルを横方向に引き伸ばしながら下方に転送
していくバブルストレッチャーSTが数10段形成され
ている、なお、PRはバブルの転送方向を示している。
Hereinafter, the transfer pattern layer consisting of the plurality of layers described above will be transferred to the element C.
An example of application to each part of the HI will be explained using the plan views from Figure 25 onwards. In these plan views, each layer of the transfer pattern layer is formed by self-line, so it is represented by the same contour line. Please note that. Figure 25 shows the bubble detector part, where MEM is the main magnetoresistive element, which uses the change in resistance value when bubbles stretched in a strip shape in the horizontal direction pass through it to detect the presence or absence of bubbles. Detect. MED is a dummy magnetoresistive element having a pattern similar to that of the main magnetoresistive element MEM, and is used to detect noise components due to the influence of a rotating magnetic field. Above the main magnetoresistive element MEM, several dozen stages of bubble stretchers ST are formed, although only two stages are shown, which stretch the bubbles laterally and transfer them downward. Indicates the transfer direction.

ERはバブルの消去器であり、導体層CHDにバブルが
達したとき、消去される。この検出器りの周囲及びダミ
ー及びメイン検出の間には、3列のパターン群から成る
ガードレールGRが設けられており、ガードレールGR
の内部に発生した不要なバブルをその外側に追い出した
り、ガードレールGRの外側で発生した不要なバブルが
その内側に入り込むのを防ぐようになっている。なお、
第25図以下の平面パターン図では導体層CND以外の
パターンは第24図で説明した転送パターンMPを示し
ている。同図において、磁気抵抗素子MEM、MEDを
多層磁性層で形成することにより、信号対雑音比(S/
N比)が向上した0例えば、転送パターンとして各層間
にS i O,膜を介在させた3層パーマロイ層を使用
した場合は、パーマロイ単層用のものに比べ下記表2に
示すようにS/N比が2倍以上向上させることができる
6表   2 また、ガードレールGRの性能も保持力Hcの低減によ
り不要バブルの排除率が高くなるなど改善される。
ER is a bubble eraser, and when a bubble reaches the conductor layer CHD, it is erased. A guardrail GR consisting of three rows of pattern groups is provided around this detector and between the dummy and main detection.
It is designed to expel unnecessary bubbles generated inside the guardrail GR to the outside thereof, and prevent unnecessary bubbles generated outside the guardrail GR from entering inside it. In addition,
In the plane pattern diagrams shown in FIG. 25 and subsequent figures, patterns other than the conductor layer CND show the transfer pattern MP explained in FIG. 24. In the figure, the signal-to-noise ratio (S/
For example, when a three-layer permalloy layer with a SiO film interposed between each layer is used as a transfer pattern, the S /N ratio can be improved by more than 2 times Table 2 Furthermore, the performance of the guardrail GR is also improved, such as the removal rate of unnecessary bubbles becoming higher due to the reduction of the holding force Hc.

第26図は磁気バブル発生器GENを示しており、転送
パターン層Pを多層化することにより、磁気バブルの発
生電流を小さくすることができ、磁気バブル発生器の導
体層CNDの寿命を長くすることが可能となった。従っ
て、導体層CHDの駆動回路も電流容量値の小さい半導
体素子が使用でき、低価格可が可能となる。
FIG. 26 shows the magnetic bubble generator GEN, and by making the transfer pattern layer P multilayer, the current generated by the magnetic bubble can be reduced, and the life of the conductor layer CND of the magnetic bubble generator can be extended. It became possible. Therefore, a semiconductor element with a small current capacity value can be used for the drive circuit of the conductor layer CHD, and the cost can be reduced.

第27図はP a ” P h等の転送パターンで形成
されたマイナループm、Pw工〜Pw3等の転送パター
ン列で形成された書き込みメイジャーラインWML及び
ヘアピン状導体層CNDで形成されたスワップゲート部
を示している。同図において、P7は第26図のバブル
発生器GEHにおける転送パターンP7と同一のもので
あり、言い換えればバブル発生器GENで発生されたバ
ブルはP工〜P7の転送路を通って書き込みメイジャー
ラインWMLに転送される。スワップ導体層CNDに電
流を流したとき、マイナループm1の転送パターンPd
の磁気バブルは転送パターンPQ、Pmを通ってメイジ
ャーラインWMLの転送パターンPw、に転送され、メ
イジャーラインPw1からの磁気バブルは転送パターン
Pk、Pj、Piを経てマイナループの転送パターンP
aに転送されてバブルの交換、すなわち情報の書き換え
が行なわれる。なお、右端のマイナループmdにはスワ
ップゲートが設けられていないが、これは、周辺効果を
軽減するための磁気バブルを注入しないダミーのループ
である。このように交換位置における転送パターン層P
i”Pmを多層化することにより、小さい電流値で磁気
バブルの交換を行なうことができる。
FIG. 27 shows a minor loop m formed by a transfer pattern such as P a ” P h, a write major line WML formed by a transfer pattern row such as Pw to Pw 3, and a swap gate portion formed by a hairpin-shaped conductor layer CND. In the same figure, P7 is the same as the transfer pattern P7 in the bubble generator GEH in FIG. When a current is passed through the swap conductor layer CND, the transfer pattern Pd of the minor loop m1 is transferred to the write major line WML.
The magnetic bubbles are transferred to the transfer pattern Pw of the major line WML through transfer patterns PQ and Pm, and the magnetic bubbles from the major line Pw1 are transferred to the transfer pattern P of the minor loop via transfer patterns Pk, Pj, and Pi.
The data is transferred to A and the bubbles are exchanged, that is, the information is rewritten. Note that the rightmost minor loop md is not provided with a swap gate, but this is a dummy loop in which no magnetic bubble is injected to reduce the peripheral effect. In this way, the transfer pattern layer P at the exchange position
By multilayering i''Pm, magnetic bubbles can be exchanged with a small current value.

また、第28図に示すように磁気バブルの複写器、即ち
分割器でも同様に小さい電流値駆動が可能となる。同図
において、通常磁気バブルはPn〜Pg、Ps”Pxの
順路で転送されており、導体層CNDに電流を流したと
き、転送パターンPgの位置でバブルは分割され、分割
された1つの磁気バブルはPy?PI〜P1.を経て読
出しメイジャーラインRMLに転送される。
Further, as shown in FIG. 28, a magnetic bubble copying machine, that is, a divider, can be driven with a small current value as well. In the figure, a magnetic bubble is normally transferred along a path from Pn to Pg, Ps''Px, and when a current is passed through the conductor layer CND, the bubble is divided at the position of the transfer pattern Pg, and one divided magnetic bubble is transferred. The bubble is transferred to the read major line RML via Py?PI to P1.

(ホールディング磁界及び回転磁界 第29図)磁石板
MAGは素子CHIに対して約2度程度傾斜させて配置
される。これは素子CHIに対しバイアス磁界Hbが垂
直方向よりややずれて印加されるようにしたもので、そ
れによってバブル転送のスタート、ストップマージンを
約6 (Os)向上させるホールディング磁界Hdcを
生み出す(第29図A)。
(Holding magnetic field and rotating magnetic field FIG. 29) Magnet plate MAG is arranged at an angle of about 2 degrees with respect to element CHI. This is so that the bias magnetic field Hb is applied to the element CHI with a slight deviation from the perpendicular direction, thereby creating a holding magnetic field Hdc that improves the start and stop margins of bubble transfer by about 6 (Os) (No. 29 Figure A).

第29図Aに示したように磁石体BIMと素子CHIと
の角度θの傾斜により、直流磁界Hzは、xy平面内の
成分Hdcを持つことになる。そして、この面内成分H
dcの大きさは、Hdc−sinθとなり、通常Hdc
−sinθ=5 (Os)〜6 (Oe)になるように
傾斜角度θが選定さ九る、また、この面内成分Hdcの
方向は、回転磁界Hrのスタート・ストップ(St/S
p)方向(+xX軸方向に一致するように傾斜されてい
る。
As shown in FIG. 29A, due to the inclination of the angle θ between the magnet body BIM and the element CHI, the DC magnetic field Hz has a component Hdc in the xy plane. And this in-plane component H
The magnitude of dc is Hdc-sinθ, and usually Hdc
The inclination angle θ is selected so that −sin θ=5 (Os) to 6 (Oe), and the direction of this in-plane component Hdc is determined by the start/stop (St/S) of the rotating magnetic field Hr.
p) direction (+xX axis direction).

そして、このxy面内成分Hdcは、回転磁界Hrのス
タート・ストップ(St/Sp)動作に対して有効な働
きをし、ホールディングフィールドと呼ばれている公知
の磁界である。なお、素子CHI面に垂直に作用するバ
イアス磁界Hbの大きさはH2−cosθとなる。
This xy-plane component Hdc is a known magnetic field called a holding field, which functions effectively for the start/stop (St/Sp) operation of the rotating magnetic field Hr. Note that the magnitude of the bias magnetic field Hb acting perpendicularly to the element CHI surface is H2-cos θ.

さて、上述したホールディングフィールドHdCは、素
子CHIの11面に対して常時作用するため、第29図
Bに図解したように前記素子CHIに作用する回転磁界
Hr’は偏心する。同図において、Hrは外部から加え
られる回転磁界、HF2は、素子CHIに作用する回転
磁界である。
Now, since the above-mentioned holding field HdC always acts on the 11 planes of the element CHI, the rotating magnetic field Hr' acting on the element CHI is eccentric, as illustrated in FIG. 29B. In the figure, Hr is a rotating magnetic field applied from the outside, and HF2 is a rotating magnetic field acting on the element CHI.

この場合、CHIに作用する回転磁界Hr’は外部から
加えられる回転磁界Hrと面内成分Hdcとを合成した
ものとなり、その回転磁界Hr’の中心0′はスタート
・ストップ(St/Sp)方向である+X軸方向に面内
成分Hdc分だけ平行移動する。このため、同図の結果
から明らかなように、外部から加えている回転磁界Hr
の強さがl Hr lであっても実効的に阻止CHIに
作用する。
In this case, the rotating magnetic field Hr' acting on the CHI is a combination of the rotating magnetic field Hr applied from the outside and the in-plane component Hdc, and the center 0' of the rotating magnetic field Hr' is in the start/stop (St/Sp) direction. It moves in parallel in the +X-axis direction by an in-plane component Hdc. Therefore, as is clear from the results in the same figure, the rotating magnetic field Hr applied from the outside
Even if the strength of is l Hr l, it effectively acts on inhibiting CHI.

回転磁界の強度IHr’lは回転磁界Hrの位相によっ
て異なる。すなわちS t / S p方向でのIHr
lは、IHrl+IHdclとなり、1Hrlに比べて
ホールディングフィールドHdcの強さIHdclだけ
強くなっている。逆に、S t / S p方向と逆方
向の場合のlHr’lは1Hrl−lHdclとなり、
l Hr lに比べて1Hdelだけ弱まっている。
The strength IHr'l of the rotating magnetic field varies depending on the phase of the rotating magnetic field Hr. That is, IHr in S t / S p direction
1 becomes IHrl+IHdcl, which is stronger than 1Hrl by the strength of the holding field Hdc, IHdcl. Conversely, lHr'l in the opposite direction to the S t / Sp direction becomes 1Hrl - lHdcl,
l Hr It is weaker by 1Hdel compared to l.

(周辺回路 第30図) 最後に素子CHIの周辺回路を第30図で説明する。R
Fは素子CHIのX及びYコイルに90″位相差の電流
を流し回転磁界Hrを発生するための回路である。SA
は素子CHIの磁気抵抗素子からの微小なバブル検出信
号を回転磁界のタイミングと合わせてサンプリングし感
知、増幅するセンスアンプである。DRは、MBMデバ
イスの書き込みに関係するバブル発生及びスワップ並び
に読み出しに関係するレプリケートの各機能導体に所定
のタイミングで電流を流す駆動回路である。
(Peripheral Circuit FIG. 30) Finally, the peripheral circuit of element CHI will be explained with reference to FIG. 30. R
F is a circuit for generating a rotating magnetic field Hr by passing a current with a phase difference of 90'' through the X and Y coils of the element CHI.SA
is a sense amplifier that samples, senses, and amplifies the minute bubble detection signal from the magnetoresistive element of element CHI in synchronization with the timing of the rotating magnetic field. The DR is a drive circuit that applies current at predetermined timing to each functional conductor of a replicate that is related to bubble generation and swap and read related to writing of the MBM device.

以上の回路は回転磁界Hrのサイクル及び位相角に同期
して動作するようタイミング発生回路TGによって同期
化されている。
The above circuit is synchronized by a timing generation circuit TG so as to operate in synchronization with the cycle and phase angle of the rotating magnetic field Hr.

(回転磁界分布特性 第31図) 第31図は前述した磁気回路PFCの回転磁界分布特性
を示したものである。すなわち同図において、横軸に第
8図Bで示した磁気回路PFC内の中心を0としてX軸
方向の長さを、縦軸にそのX軸方向の回転磁界強度Hx
 = OとしたときのX軸方向の回転磁界強度Hzをそ
れぞれ示すと1曲線工で示すような回転磁界分布特性が
得られた。
(Rotating magnetic field distribution characteristics FIG. 31) FIG. 31 shows the rotating magnetic field distribution characteristics of the magnetic circuit PFC described above. That is, in the figure, the horizontal axis represents the length in the X-axis direction with the center of the magnetic circuit PFC shown in FIG. 8B as 0, and the vertical axis represents the rotating magnetic field strength Hx in the X-axis direction.
When the rotating magnetic field strength Hz in the X-axis direction when = O is shown, a rotating magnetic field distribution characteristic as shown by a one-curve line was obtained.

同図から明らかなように、磁気回路PFCの対向するコ
アCOR間の内側までの距離−Xc〜+XCの範囲まで
ほぼ均一な回転磁界強度Hxが得られ、また、素子CH
Iの有効エリア(回転磁界を付与すべき最小範囲)−X
s〜+Xsの範囲では±約2%の磁界強度一様性が得ら
れた。なお、破線で示す曲線■は従来構成の磁気回路に
よる回転磁界分布特性である。
As is clear from the figure, a substantially uniform rotating magnetic field strength Hx is obtained within the range of -Xc to +XC between the opposing cores COR of the magnetic circuit PFC, and
Effective area of I (minimum range to which a rotating magnetic field should be applied) -X
In the range from s to +Xs, a magnetic field strength uniformity of about ±2% was obtained. Note that the curve (2) indicated by a broken line is the rotating magnetic field distribution characteristic due to the magnetic circuit of the conventional configuration.

(変形例) 以上第1図、第2図に示す磁気バブルメモリの全体構造
に関連して細部を説明したが、本発明は下記のような変
形で実施することができる。
(Modifications) Although the details have been described above in relation to the overall structure of the magnetic bubble memory shown in FIGS. 1 and 2, the present invention can be implemented in the following modifications.

第32図は本発明の他の実施例を説明するための基板F
PCの平面図であり、前述の図と同一部分は同一符号を
付しである。同図において、基板FPCは、中央部に角
形状の素子保護部1と、その周辺部に枠形状の外部接続
端子接続部(以下接続部と称する)3’ (3a’ 、
3b’ 、3c’ 、3d’ )とを有し、全体形状が
ほぼ矩形状をなして一体的に形成されており、また、こ
の素子保護部1の対向辺側には、2個の素子CHIを搭
載しその端子部を接続させる2重枠構造の矩形状開口部
4(4a、4b)および素子CH1位置決め用の3個の
穿孔5 (5a、5b、5c)が設けられ、さらにこの
素子保護部1の周辺部には外側ケースRFSaの折り曲
げ部34および外側シールドケース5H1aの折り曲げ
部52を貫通させる2組の台形状開口部4’  (4a
’ 、4b’ 、4c’ 、4d’ )が設けられてい
る。一方、接続部3′には周辺部分に円環状の導体パタ
ーン9fを形成しその中央部に円形状の開口4′を穿設
した複数個の外部接続端子(以下接続端子と称する)9
′が所定のピッチで整列配設され、これらの接続端子9
′には素子CHIに接続された配線用リード9aが接続
されて基板組立体BNDが構成されている。
FIG. 32 shows a substrate F for explaining another embodiment of the present invention.
It is a plan view of the PC, and the same parts as in the previous figure are given the same reference numerals. In the figure, the board FPC has a square element protection part 1 in the center and a frame-shaped external connection terminal connection part (hereinafter referred to as connection part) 3'(3a',
3b',3c',3d'), and are integrally formed with an almost rectangular overall shape, and two elements CHI are provided on opposite sides of the element protection part 1. A rectangular opening 4 (4a, 4b) with a double frame structure for mounting the device and connecting its terminal portion, and three perforations 5 (5a, 5b, 5c) for positioning the element CH1 are provided, and a At the periphery of the portion 1, there are two sets of trapezoidal openings 4' (4a
', 4b', 4c', 4d') are provided. On the other hand, the connection portion 3' has a plurality of external connection terminals (hereinafter referred to as connection terminals) 9, each having an annular conductor pattern 9f formed on the periphery and a circular opening 4' formed in the center thereof.
' are arranged at a predetermined pitch, and these connection terminals 9
A wiring lead 9a connected to the element CHI is connected to the board assembly BND.

第33図は端子板PGAを示す図であり、同図Aは平面
図、同図Bはその33B−33B断面図、同図Cは同図
Aの33G−33G断面図である。
FIG. 33 is a diagram showing the terminal plate PGA; FIG. 33A is a plan view, FIG. 33B is a sectional view taken along line 33B-33B, and FIG.

同図において、端子板PGAは、電気的絶縁性を有する
材料、例えばガラスエポキシ系の樹脂板60′からなり
、中央部には前述したシールドケースSHI組立体が挿
入可能な角形状の開口部60a′を有し、その外形状は
後述するパッケージングケースPKGの開口部が挿入で
きる縦横方向の寸法を有して形成されており、また、こ
の樹脂板60′の周辺部には前記基板FPCに設けられ
た外部接続端子9′の配列と同等のピッチを有して複数
本の金属製ピン73が植設されている。
In the figure, the terminal board PGA is made of an electrically insulating material, for example, a glass epoxy resin plate 60', and has a square opening 60a in the center into which the shield case SHI assembly described above can be inserted. ', and its outer shape has dimensions in the vertical and horizontal directions that allow insertion of an opening of a packaging case PKG, which will be described later, and the peripheral part of this resin plate 60' is provided with the board FPC. A plurality of metal pins 73 are implanted at the same pitch as the arrangement of the provided external connection terminals 9'.

第34図はパッケージングケースPKGを示す図であり
、同図Aは平面図、同図Bはその34B−34B断面図
である。パッケージングケースPKGは、熱伝導性の良
好な材料5例えば板厚約0゜5amのアルミニウム板を
絞り加工を施し、本体部81と、内部周辺に空間部を形
成する鍔部82と、開口端周辺部を固定する係止部83
とを有して一体的に成形され、図示しないが、その外面
には黒色被膜が形成されており、磁気バブルメモリデバ
イス完成後の外側ケースおよび放熱体としての機能を有
している。
FIG. 34 is a diagram showing the packaging case PKG, with FIG. 34A being a plan view and FIG. 34B being a 34B-34B sectional view thereof. The packaging case PKG is made by drawing a material 5 with good thermal conductivity, such as an aluminum plate with a thickness of approximately 0°5 am, and includes a main body portion 81, a flange portion 82 that forms a space around the inside, and an open end. Locking part 83 that fixes the peripheral part
Although not shown, a black film is formed on the outer surface of the magnetic bubble memory device, and it functions as an outer case and a heat sink after the magnetic bubble memory device is completed.

このような構成された各構成部品は、まず最初に第32
図で説明した基板組立体BNDを第13図に示すような
磁気回路PFCとともに外側ケースRF S aと下側
ケースRFSbとの間に挟持させて接合する。この場合
、基板FPCに形成された4個の台形状開口部4 a’
 、 4 b’ 、 4 c’ 、 4 d’に外側ケ
ースRF S aの各折り曲げ部34が貫通し、ケース
RFS組立体の周辺部に基板FPCの各接続部3′が枠
形状に突出されることになる。
Each of the components constructed in this way is first
The board assembly BND explained in the figure is sandwiched and joined between the outer case RF Sa and the lower case RFSb together with the magnetic circuit PFC as shown in FIG. 13. In this case, four trapezoidal openings 4a' formed in the substrate FPC
, 4b', 4c', and 4d' are penetrated by the bent portions 34 of the outer case RF S a, and the connecting portions 3' of the board FPC are protruded in a frame shape from the periphery of the case RFS assembly. It turns out.

次にこのケースRFS組立体を前述した一対の磁石体B
rMおよびバイアスコイルBICとともに外側シールド
ケースSHI aと内側シールドケース5HIbとの間
に積層し挟持させて電気的9機械的に接続する。この場
合も基板FPCに形成された4個の台形状開口部4 a
 / 、 4 b / 、 4 C/。
Next, this case RFS assembly is connected to the above-mentioned pair of magnets B.
rM and bias coil BIC are stacked and sandwiched between the outer shield case SHI a and the inner shield case 5 HIb, and are electrically and mechanically connected. In this case as well, four trapezoidal openings 4a formed in the substrate FPC
/ , 4 b / , 4 C /.

4d’に外側シールドケースS HI aの各折り曲げ
部52が貫通し、同様にシールドケースSHI組立体の
周辺部には基板FPCの各接続部3′が枠形状に突出さ
れることになる。引き続きこのシールドケースSHI組
立体を第33図で説明した端子板PGA上に搭載し、端
子板PGA上に突出している各ピン73の先端部に、基
板FPCの接続部3′に設けられている各接続端子9′
の開口4′を挿入して第35図に拡大断面図で示すよう
に半田90により電気的2機械的に接続して配置される
。この場合、端子板PGAに設けられている開口部60
a’内にはシールドケースSHI組立体が寸法的裕度を
もって挿入されている。次にこのシールドケースSHI
組立体を搭載したパッケージングケースPKG内に挿入
する(第36図)、この状態ではパッケージングケース
PKGの4隅から前記基板組立体BNDの各接続部3a
’、、3b’ 、3c’ 、3d’ が約90度で折れ
曲がり、さらに逆方向に約90度で折れ曲がってパッケ
ージングケースPKGの鍔部82内に配置される。
4d' are penetrated by the bent portions 52 of the outer shield case SHIa, and similarly, each connection portion 3' of the board FPC is projected in a frame shape from the periphery of the shield case SHI assembly. Subsequently, this shield case SHI assembly is mounted on the terminal board PGA explained in FIG. Each connection terminal 9'
The opening 4' is inserted and the two are electrically and mechanically connected by solder 90, as shown in an enlarged cross-sectional view in FIG. In this case, the opening 60 provided in the terminal plate PGA
A shield case SHI assembly is inserted into a' with dimensional tolerance. Next, this shield case SHI
Insert the assembly into the packaging case PKG (Fig. 36). In this state, each connection part 3a of the board assembly BND is inserted from the four corners of the packaging case PKG.
', 3b', 3c', and 3d' are bent at about 90 degrees, further bent at about 90 degrees in the opposite direction, and placed in the flange 82 of the packaging case PKG.

次にこのパッケージングケースPKG内にポツティング
法により樹脂モールドを行ってこのパッケイージングケ
ースPKG内に各構成部品を固定配置させるとともにパ
ッケージングケースPKGの係止部83を端子板PGA
の底面周辺部に係止させる。また、端子板PGAの開口
部60a’に露出しているシールドケースSHI組立体
(内側シールドケース5HIb)の表面には、熱伝導性
の良好な材料1例えば、アルミニウム材をプレス成形加
工を施してブロック状に形成した放熱体RADが熱伝導
性の良好なシリコン系接着材により密着配置されている
Next, resin molding is performed inside this packaging case PKG by a potting method to securely arrange each component inside this packaging case PKG, and the locking part 83 of the packaging case PKG is attached to the terminal plate PGA.
Attach it to the periphery of the bottom. In addition, the surface of the shield case SHI assembly (inner shield case 5HIb) exposed in the opening 60a' of the terminal plate PGA is made of a material 1 with good thermal conductivity, such as aluminum, which is press-molded. A heat radiator RAD formed in a block shape is closely placed with a silicon adhesive having good thermal conductivity.

このようにして構成された磁気バブルメモリデバイスは
、第36図に示すように第30図で説明した駆動回路を
実装し、かつ挿入用の複数の開口100および配線パタ
ーン101を形成したボードBOD上に実装して端子板
PGAのピン73とボードBODの配線パターン101
とを半田90により接続されて完成される。この場合、
シールドケースSHI組立体の裏面上に密着配置された
放熱体RADはその裏面側がボードBODの表面に接触
して密着配置される。
As shown in FIG. 36, the magnetic bubble memory device configured in this manner is mounted on a board BOD on which the drive circuit described in FIG. Mounted on pin 73 of terminal board PGA and wiring pattern 101 of board BOD.
are connected by solder 90 and completed. in this case,
The heat radiator RAD, which is closely disposed on the back surface of the shield case SHI assembly, is disposed in close contact with the front surface of the board BOD with its back surface side in contact with the surface of the board BOD.

このような構成によれば、シールドケースSHI組立体
の背面に放熱体RADを密着配置したので、磁気回路P
FCから放出された熱は、シールドケースSHI組立体
(内側シールドケース5HIb)を経由して放熱体RA
Dに伝導され、その一部分は4辺方向(点線で示す矢印
A方向)へ。
According to this configuration, since the heat sink RAD is closely arranged on the back surface of the shield case SHI assembly, the magnetic circuit P
The heat released from the FC is transferred to the heat sink RA via the shield case SHI assembly (inner shield case 5HIb).
D, and part of it goes in the direction of the four sides (in the direction of arrow A indicated by the dotted line).

また一部分はボードBODの内部(点線で示す矢印B方
向)へ、さらに、一部分はボードBODを介して外部(
点線で示す矢印C方向)へそれぞれ放熱される。したが
って素子CHIの温度上昇を低減することができる。ま
た、このような構成によれば、シールドケースSHI組
立体の底面側に放熱体RADを設けているので、磁気バ
ブルメモリデバイスのボードBODへの実装時の位置決
め用治具としての機能も同時に得られ、されにはビン7
3にストッパを不要とした端子板PGAが使用可能とな
るなどの効果が得られる。
Also, a part goes inside the board BOD (in the direction of arrow B shown by the dotted line), and a part goes outside (in the direction of arrow B shown by the dotted line) through the board BOD.
The heat is radiated in the direction of arrow C indicated by the dotted line. Therefore, the temperature rise of the element CHI can be reduced. In addition, according to this configuration, since the heat sink RAD is provided on the bottom side of the shield case SHI assembly, it can also function as a positioning jig when mounting the magnetic bubble memory device on the board BOD. Then there is bottle 7
3. Effects such as being able to use a terminal board PGA that does not require a stopper can be obtained.

第37図は本発明の他の実施例を示したものであり、第
36図と異なる点は、磁気バブルメモリデバイスを搭載
するボードBODの表裏面にそれぞれ信号回路用配線パ
ターンとは異なる第1の導体パターン102および第2
の導体パターン103を設け、両者をスルーホール10
4により電気的2機械的に接続させ、ボードBOD表面
上の第1の導体パターン102に放熱体RADを密着配
置することにより、放熱性をさらに向上させることがで
きる。
FIG. 37 shows another embodiment of the present invention, and the difference from FIG. 36 is that a first wiring pattern different from the signal circuit wiring pattern is provided on the front and back surfaces of the board BOD on which the magnetic bubble memory device is mounted. conductor pattern 102 and the second
A conductor pattern 103 is provided, and both are connected through a through hole 10.
4, and by arranging the heat dissipating body RAD in close contact with the first conductor pattern 102 on the surface of the board BOD, the heat dissipation performance can be further improved.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、向い合う巻線の組
が互いに平行となるようにコイルを施した*縁形コアで
形成される空間部に、フレキシブル基板に搭載した磁気
バブルメモリ素子を配設し、前記コイル、コアおよび磁
気バブルメモリ素子の全体を良導電性材ケース内に挟持
させ、かつ前記良導電性ケースの外面に一対の磁石体を
組み合わせて高透磁性材ケース内に挟持させるとともに
、前記フレキシブル基板の外部接続端子と端子板の接続
端子とを接合し、前記高透磁性材ケースの端子板接続端
子引き出し側に放熱体を密着配置したことにより、磁気
バブルメモリデバイスの温度上昇を低減できるので、全
体形状を小形化、薄形化にして動作マージンを低下させ
ることなく、広い温度範囲での動作が可能となるなどの
極めて優れた効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, a magnetic bubble memory element mounted on a flexible substrate is placed in the space formed by the edge-shaped core, which is coiled so that the pairs of windings facing each other are parallel to each other. The coil, the core, and the magnetic bubble memory element are all sandwiched within a case made of a highly conductive material, and a pair of magnets are combined with the outer surface of the case made of a highly conductive material, and the entirety of the coil, core, and magnetic bubble memory element are sandwiched within a case made of a highly permeable material. At the same time, the external connection terminals of the flexible board and the connection terminals of the terminal board are bonded together, and a heat sink is closely placed on the terminal board connection terminal drawer side of the highly permeable material case, thereby reducing the temperature of the magnetic bubble memory device. Since the increase in temperature can be reduced, extremely excellent effects such as the ability to operate in a wide temperature range can be obtained without reducing the overall shape and reducing the operating margin.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明による磁気バブルメモリデバイスの全体
を示す一部破断斜視図、第2図Aは底面図、第2図Bは
同図Aの2B−2B断面図、第3図は積み重ね構造を示
す分解斜視図、第4図は基板FPCを説明する図、第5
図は基板FPCに素子CHIを搭載した基板組立体BN
Dを示す平面図、第6図は素子CHIを示す図、第7図
は基板組立体BNDのリードボンディングを説明する図
、第8図は磁気回路PFCを説明する図、第9図は磁気
回路PFCの製作方法を説明する図、第10図は内側ケ
ースRFSbを示す図、第11図は外側ケースRF S
 aを示す図、第12図はケースRFSの組立図、第1
3図はケースRFS内に基板組立体ENDおよび磁気回
路FPCを収納した組立体の断面図、第14図は磁石体
BIMの構成を説明する図、第15図はバイアスコイル
を説明する図、第16図はケースRFS組立体に一対の
磁石体BIMおよびバイアスコイルBICを組み込んだ
組立体の断面図、第17図は外側シールドケースS H
I aを示す図、第18図は内側シールドケース5HI
bを示す図、第19図はシールドケースSHIの組立図
、第20図は第16図に示す組立体をシールドケースS
HI内に組み込んだ組立体の断面図、第21図はパッケ
ージジグケースPKGを示す図、第22図は端子固定板
T−’E Fの構成を説明する図、第23図はコンタク
トパッドの構成を示す図、第24図は素子CHIの断面
図。 第25図は素子CHIの磁気バブル検出器りの構成を示
す図、第26図は素子CHIの磁気バブル発生器GEN
の構成を示す図、第27図は素子CHIのスワップゲー
トswpの構成を示す図、第28図は素子CHIのレプ
リケートゲートREPの構成を示す図、第29図Aはバ
イアス磁界Hbとホールアイング磁界Hdcの関係を示
す図、同図Bはトータル回転磁界Hr’ を示す図、第
30図は磁気バブルメモリボードの全体回路を示す図。 第31図は回転磁界分布特性図、第32図ないし第37
図は本発明の他の実施例を説明する図である。 CHI・・・磁気バブルメモリチップ(素子)。 FPC・・・フレキシブル配線基板(基板)、BND・
・・基板組立体、COI・・・駆動コイル(コイル) 
、COR・・・額縁形コア(コア)、RFC・・・磁気
回路、RFS・・・回転磁界閉じ込めケース(ケース)
、RFSa・・・外側ケース、RFSb・・・内側ケー
ス、BIM・・・バイアス磁界発生用磁石体(磁石体)
・BIMa。 ・・上部磁石体、BIMb・・・下部磁石体、工NM・
・・傾斜板、MAG・・・永久磁石板(磁石板)、HO
M・・・整磁板、INN町・・非磁性傾斜板、BIC・
・・バイアス磁界発生用コイル(バイアスコイル)、S
HI・・・外部磁気シールドケース(シールドケース)
、5HIa・・・外側シールドケース、5HIb・・・
内側シールドケース、REG・・・樹脂モールド剤、P
KG・・・パッケージングケース、TEF・・・端子固
定板、GNP・・・コンタクトパッド、RAD・・・放
熱体、BOD・・・ボード、1・・・素子搭載部、2,
2a、2b、2c、2d ・・・折り曲げ部、3.3’
 、3a、3a’ t 3bt 3b’ p3c、3c
’ 、3d、3d’  ・・・外部接続端子接続部、4
,4’ 、4a、4a’ 、4b、4b’ 。 4c′、4d′、・・・開口部、4’−−・開口、5.
5a、5b、5c・・・穿孔、6・・・基板突出部、7
働・・ベースフィルム、8・・・接着剤、9′ ・・・
外部接続端子、9a・・・配線用リード、9b・・・外
部端子、9c・・・接続用端子、9d・・・記号、9e
・・・インデックスマーク、9f・・・導体パターン、
10・・・カバーフィルム、11・・・錫メッキ層、1
2・・・開口、13・・・半田メッキ層、14・・・ポ
ンディングパッド、15・・・金バンプ、 20ap2
0b、20c、20d・・・ヘリックスコイル。 21a、21b・・・接続点、22a・・・Xコイル、
22b・・・Yコイル、23・・・磁気コア、24・・
・タップ、25・・・幅の大きい溝、26・・・幅の小
さい溝、30・・・絞り部、31・・・折り曲げ部、3
2・・・切欠き部、33・・・絞り部、34・・・折り
曲げ部、35・・・切欠き部、36・・・ポリイミドフ
ィルム、37・・・接着剤、38・・・コイル巻線、4
0・・・巻線、51・・・平坦部、52・・・折り曲げ
部、53・・・凹部、54・・・切欠き部、55・・・
平坦部、56・・・折り曲げ部、57・・・凹部。 58・・・切欠き部、59・・・凹部、6o、60′ 
・・・樹脂板、60a’  ・・・開口部、61・・・
貫通孔、62・・・非貫通孔、263・・・マーク、6
4・・・開口、65・・・溝、66・・・角部、70・
・、・素片、71・・・ニッケルメッキ層、72・・・
金メッキ層、73・・・ピン、73a・・・先端部、8
1・・・本体部、82・・・鍔部、83・;・係止部、
90・・・半田、100・・・開口、101・・・配線
パターン、102・・・第1の導体パターン、103・
・・第第4図C 第4図り 第5図 第6図 取 第8図B 第9図 第10図A HFb(1 第14図A   第14図B 第14図C 第15図B 第17図A 第19図A 第19図B 第21図A 旦吸 第21図B ヱ 第22図A 第22図B 第22図C 7寸 Q−の 第26図 、第28図 第33図 C 正込 手続補正書(、、yよ。
FIG. 1 is a partially cutaway perspective view showing the whole magnetic bubble memory device according to the present invention, FIG. 2A is a bottom view, FIG. 2B is a sectional view taken along line 2B-2B of FIG. 3, and FIG. 3 is a stacked structure. Figure 4 is a diagram explaining the board FPC, Figure 5 is an exploded perspective view showing the
The figure shows a board assembly BN in which the element CHI is mounted on the board FPC.
6 is a diagram showing the element CHI, FIG. 7 is a diagram illustrating lead bonding of the board assembly BND, FIG. 8 is a diagram illustrating the magnetic circuit PFC, and FIG. 9 is a diagram illustrating the magnetic circuit. A diagram explaining the manufacturing method of PFC, FIG. 10 is a diagram showing the inner case RFSb, and FIG. 11 is a diagram showing the outer case RF S.
Figure 12 is an assembly diagram of the case RFS.
3 is a cross-sectional view of an assembly in which the board assembly END and the magnetic circuit FPC are housed in the case RFS, FIG. 14 is a diagram explaining the configuration of the magnet body BIM, FIG. 15 is a diagram explaining the bias coil, Figure 16 is a cross-sectional view of the case RFS assembly incorporating a pair of magnets BIM and bias coil BIC, and Figure 17 is the outer shield case S H
The figure showing I a, Fig. 18 is the inner shield case 5HI
Figure 19 is an assembly diagram of the shield case SHI, and Figure 20 is an assembly diagram of the shield case SHI shown in Figure 16.
21 is a diagram showing the package jig case PKG, FIG. 22 is a diagram explaining the configuration of the terminal fixing plate T-'E F, and FIG. 23 is the configuration of the contact pad. FIG. 24 is a cross-sectional view of the element CHI. Fig. 25 shows the configuration of the magnetic bubble detector of element CHI, and Fig. 26 shows the magnetic bubble generator GEN of element CHI.
27 is a diagram showing the configuration of the swap gate swp of the element CHI, FIG. 28 is a diagram showing the configuration of the replicate gate REP of the element CHI, and FIG. 29A is a diagram showing the configuration of the bias magnetic field Hb and the Halling magnetic field. FIG. 30 is a diagram showing the relationship between Hdc and Hdc, FIG. 30 is a diagram showing the total rotating magnetic field Hr', and FIG. 30 is a diagram showing the entire circuit of the magnetic bubble memory board. Figure 31 is a rotating magnetic field distribution characteristic diagram, Figures 32 to 37
The figure is a diagram illustrating another embodiment of the present invention. CHI...Magnetic bubble memory chip (element). FPC...Flexible wiring board (substrate), BND/
・・Substrate assembly, COI・・Drive coil (coil)
, COR...frame-shaped core (core), RFC...magnetic circuit, RFS...rotating magnetic field confinement case (case)
, RFSa...outer case, RFSb...inner case, BIM...magnet for generating bias magnetic field (magnet)
・BIMa. ...Top magnet body, BIMb...Bottom magnet body, Engineering NM・
... Inclined plate, MAG... Permanent magnet plate (magnet plate), HO
M...Magnetic adjustment plate, INN town...Non-magnetic inclined plate, BIC...
・・Bias magnetic field generation coil (bias coil), S
HI...External magnetic shield case (shield case)
, 5HIa...outer shield case, 5HIb...
Inner shield case, REG...resin molding agent, P
KG...Packaging case, TEF...Terminal fixing plate, GNP...Contact pad, RAD...Heat sink, BOD...Board, 1...Element mounting part, 2,
2a, 2b, 2c, 2d...Bending portion, 3.3'
, 3a, 3a' t 3bt 3b' p3c, 3c
' , 3d, 3d' ... External connection terminal connection part, 4
, 4', 4a, 4a', 4b, 4b'. 4c', 4d',...opening, 4'--opening, 5.
5a, 5b, 5c...perforation, 6...board protrusion, 7
Function...Base film, 8...Adhesive, 9'...
External connection terminal, 9a...Wiring lead, 9b...External terminal, 9c...Connection terminal, 9d...Symbol, 9e
...index mark, 9f...conductor pattern,
10...Cover film, 11...Tin plating layer, 1
2... Opening, 13... Solder plating layer, 14... Ponding pad, 15... Gold bump, 20ap2
0b, 20c, 20d... Helix coil. 21a, 21b...connection point, 22a...X coil,
22b...Y coil, 23...magnetic core, 24...
・Tap, 25... Large width groove, 26... Small width groove, 30... Squeezed part, 31... Bent part, 3
2... Notch part, 33... Squeezed part, 34... Bending part, 35... Notch part, 36... Polyimide film, 37... Adhesive, 38... Coil winding line, 4
0... Winding wire, 51... Flat part, 52... Bent part, 53... Concave part, 54... Notch part, 55...
Flat part, 56... Bent part, 57... Concave part. 58... Notch, 59... Recess, 6o, 60'
... Resin plate, 60a' ... Opening, 61...
Through hole, 62...Non-through hole, 263...Mark, 6
4...Opening, 65...Groove, 66...Corner, 70...
・・・Element piece, 71... Nickel plating layer, 72...
Gold plating layer, 73... Pin, 73a... Tip, 8
1... Main body part, 82... Flange part, 83... Locking part,
90... Solder, 100... Opening, 101... Wiring pattern, 102... First conductor pattern, 103...
...Fig. 4 C Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6 Fig. 8 B Fig. 9 Fig. 10 A HFb (1 Fig. 14 A Fig. 14 B Fig. 14 C Fig. 15 B Fig. 17 A Fig. 19 A Fig. 19 B Fig. 21 A Figure 21 B E Fig. 22 A Fig. 22 B Fig. 22 C 7 size Q- Fig. 26, Fig. 28 Fig. 33 C Inset Procedural amendment (,, y.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 向い合う巻線の組が互いに平行となるようにコイルを施
した額縁形コアで形成される空間部に、フレキシブル基
板に搭載した磁気バブルメモリ素子を配設し、前記コイ
ル、コアおよび磁気バブルメモリ素子の全体を良導電性
材ケース内に挟持させ、かつ前記良導電性材ケースの外
面に一対の磁石体を組み合わせて高透磁性材ケース内に
挟持させるとともに、前記フレキシブル基板の外部接続
端子と端子板の接続端子とを接合し、前記高透磁性材ケ
ースの端子板接続端子引き出し側に放熱体を密着配置し
たことを特徴とする磁気バブルメモリ。
A magnetic bubble memory element mounted on a flexible substrate is disposed in a space formed by a frame-shaped core coiled so that sets of opposing windings are parallel to each other, and the coil, core, and magnetic bubble memory element are mounted on a flexible substrate. The entire element is sandwiched within a case made of a highly conductive material, and a pair of magnets are combined with the outer surface of the case made of a highly conductive material and sandwiched within the case made of a highly permeable material. A magnetic bubble memory characterized in that the connection terminals of the terminal board are bonded to each other, and a heat dissipation body is closely disposed on the terminal board connection terminal pull-out side of the highly magnetically permeable material case.
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