JPS61249721A - 高密度情報記録用デイスクの射出成形金型 - Google Patents
高密度情報記録用デイスクの射出成形金型Info
- Publication number
- JPS61249721A JPS61249721A JP9294885A JP9294885A JPS61249721A JP S61249721 A JPS61249721 A JP S61249721A JP 9294885 A JP9294885 A JP 9294885A JP 9294885 A JP9294885 A JP 9294885A JP S61249721 A JPS61249721 A JP S61249721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cavity
- mold
- molten resin
- molding
- peltier effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/26—Moulds
- B29C45/263—Moulds with mould wall parts provided with fine grooves or impressions, e.g. for record discs
- B29C45/2642—Heating or cooling means therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/72—Heating or cooling
- B29C45/73—Heating or cooling of the mould
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビデオディスク、オーディオディスク、光デ
ィスク等の高密度情報記録用ディスクの射出成形金型に
関する。
ィスク等の高密度情報記録用ディスクの射出成形金型に
関する。
近年、射出成形はその優れた生産性のためにプラスチッ
ク成形品の製造に多様されてい□る。しかしながら、ビ
デオディスク、光ディスク等の高密度情報記録用ディス
クの成形において゛は、・極めて厳しい規格が要求され
ており、通常の射出成形では満足できる製品を得ること
ができない。即ち、これらプラスチックディスクは、通
常厚みが１〜２ｍｍ、直、径１が１００・〜３００ｍｍ
であって極めて扁平であるため、成形キャビティに溶融
樹脂を均一に射出充填することは非常□に困難であり、
樹脂流れ、冷却速度の不均一等を生じて寸法精度を高く
、□残留歪を少なくすることは不可能に近い。
ク成形品の製造に多様されてい□る。しかしながら、ビ
デオディスク、光ディスク等の高密度情報記録用ディス
クの成形において゛は、・極めて厳しい規格が要求され
ており、通常の射出成形では満足できる製品を得ること
ができない。即ち、これらプラスチックディスクは、通
常厚みが１〜２ｍｍ、直、径１が１００・〜３００ｍｍ
であって極めて扁平であるため、成形キャビティに溶融
樹脂を均一に射出充填することは非常□に困難であり、
樹脂流れ、冷却速度の不均一等を生じて寸法精度を高く
、□残留歪を少なくすることは不可能に近い。
このため、プラスチックディスクの成形には、プレス成
形法、射出成形とプレス成形とを組合わ・せた成形法等
が用いられており、ディスク状成形品の寸法精度２．形
状安定性、高速成形性に優れた通常の射出成形法は知ら
れていない。一方、溶融樹脂の成形金型への射出をキャ
ビティ外周から環状フラッシュゲートを介して行うとい
うような特殊な成゛形方法（特開昭６０−１９５１８号
）は、提案されている。
形法、射出成形とプレス成形とを組合わ・せた成形法等
が用いられており、ディスク状成形品の寸法精度２．形
状安定性、高速成形性に優れた通常の射出成形法は知ら
れていない。一方、溶融樹脂の成形金型への射出をキャ
ビティ外周から環状フラッシュゲートを介して行うとい
うような特殊な成゛形方法（特開昭６０−１９５１８号
）は、提案されている。
従って、高密度情報記録用ディスクの製造にあたり、特
殊な形状でなく、比較的簡単な金型構造で、寸法精度と
形状安定性とに優れた射出成形金型が望まれている。
殊な形状でなく、比較的簡単な金型構造で、寸法精度と
形状安定性とに優れた射出成形金型が望まれている。
本発明の目的は、比較的簡単な構造で、寸法精度と形状
安定性とに優れた高密度情報記録用ディスクの射出成形
金型を提供するにある。
安定性とに優れた高密度情報記録用ディスクの射出成形
金型を提供するにある。
〔問題点を解決するための手段および作用〕本発明は、
高密度情報記録用ディスクを成形するための成形キャビ
ティの扁平な面に沿ってペルチェ効果素子を配置すると
ともに、このペルチェ効果素子は少なくとも溶融樹脂の
充填時には発熱面が成形キャビティ側に設けられている
ように構成し、これにより充填時のキャビティ表面温度
を高くして充填時における溶融樹脂の流動を円滑にキャ
ビティの周縁部にまで行わせ、樹脂の配向の偏りを少な
くして残留歪を少なくし、前記目的を達成しようとする
ものである。
高密度情報記録用ディスクを成形するための成形キャビ
ティの扁平な面に沿ってペルチェ効果素子を配置すると
ともに、このペルチェ効果素子は少なくとも溶融樹脂の
充填時には発熱面が成形キャビティ側に設けられている
ように構成し、これにより充填時のキャビティ表面温度
を高くして充填時における溶融樹脂の流動を円滑にキャ
ビティの周縁部にまで行わせ、樹脂の配向の偏りを少な
くして残留歪を少なくし、前記目的を達成しようとする
ものである。
以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図には本発明に係る金型の一実施例の概略構成が示
されている。この図において、金型１０は固定金型１１
と可動金型１２とから構成され、これらの両金型１１１
２の対向面側にはそれぞれ内側金型１３．１４が収容さ
れている。これらの内側金型１３．１４の合わせ面には
それぞれ凹部１５．＋６が形成され、これらの凹部１５
，１６によりディスク成形用の扁平な成形キャビティ１
７が形成されるようになっている。
されている。この図において、金型１０は固定金型１１
と可動金型１２とから構成され、これらの両金型１１１
２の対向面側にはそれぞれ内側金型１３．１４が収容さ
れている。これらの内側金型１３．１４の合わせ面には
それぞれ凹部１５．＋６が形成され、これらの凹部１５
，１６によりディスク成形用の扁平な成形キャビティ１
７が形成されるようになっている。
前記固定金型１１の外面側中央部には、ノズル受け１８
が埋込まれるとともに、このノズル受け１８および前記
内側金型１３を貫通してスプルー１９が設けられ、この
スプルー１９と前記成形キャビティ１７とは狭い隙間か
らなるゲート２ｏを介して連通され、スプルー１９に供
給される溶融樹脂がゲート２０を介してキャビティ“１
７内に射出、充填されるようになっている。
が埋込まれるとともに、このノズル受け１８および前記
内側金型１３を貫通してスプルー１９が設けられ、この
スプルー１９と前記成形キャビティ１７とは狭い隙間か
らなるゲート２ｏを介して連通され、スプルー１９に供
給される溶融樹脂がゲート２０を介してキャビティ“１
７内に射出、充填されるようになっている。
前記両内側金型１３．１４内には、それぞれ温度調節手
段２１．２２が配置されている。これらの温度調節手段
２１．２２は、加熱或いは冷却用流体が通る流路、ヒー
タおよびクーラ、ヒートパイプ等、の従来通常の金型加
熱および／または冷却手段から構成され、成形開始時に
おける金型１０の加熱用熱源、或いは充填後の溶融樹脂
の速やかな冷却を行うための冷却手段として作用するよ
うになっている。
段２１．２２が配置されている。これらの温度調節手段
２１．２２は、加熱或いは冷却用流体が通る流路、ヒー
タおよびクーラ、ヒートパイプ等、の従来通常の金型加
熱および／または冷却手段から構成され、成形開始時に
おける金型１０の加熱用熱源、或いは充填後の溶融樹脂
の速やかな冷却を行うための冷却手段として作用するよ
うになっている。
また、両内側金型１３．１４内において、前記温度調節
手段２１．２２と凹部１’５．１．６との間において、
成形キャビティ１７に沿って複数のペルチェ効果素子２
３．２４が配置され、これらの素子２３．２４は、一部
しか図示しないリード線２５、．２６によりそれぞれ切
換スイッチ２７．２８を介して直流電源２９に連結され
、これらの切換スイッチ２７．２８を同時に連動して切
換えることにより各素子２３，２４．に流れる電流の方
向が切換え得るようになっている。
手段２１．２２と凹部１’５．１．６との間において、
成形キャビティ１７に沿って複数のペルチェ効果素子２
３．２４が配置され、これらの素子２３．２４は、一部
しか図示しないリード線２５、．２６によりそれぞれ切
換スイッチ２７．２８を介して直流電源２９に連結され
、これらの切換スイッチ２７．２８を同時に連動して切
換えることにより各素子２３，２４．に流れる電流の方
向が切換え得るようになっている。
ここにおいて、前記ペルチェ効果素子２３，２４はｎ型
およびｎ型半導体が互いに絶縁状態で交互に平面状に多
数配列されるとともに、これらの各ｎ型およびｎ型半導
体がその表面で交互に電気的に接続され、且つ、これら
の半導体の接合体の上下面が絶縁材で被われて構成され
たものであり、直流電源２９への接続によりｎ型半導体
からｎ型半導体へと電子の流れる面で発熱が起こり、逆
に流れる面で冷却が起こるようになっている。即ち、ペ
ルチェ効果素子２３．２４は、電流が供給されることに
よって吸熱面と放熱面との間で、低温、高温側が一定の
温度差となる熱ポンプ作用をなすものである。また、前
記各半導体の材料としては、Ｐｂ’Ｔｅ、ＩｎＡｓ、Ｇ
ｅ、、Ｓｔ、Ｐｂ５ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ３等が用いられ、好
ましくはＢ１−Ｔｅ−３ｅ−３ｂの４元−６−＆が用い
られる。絶縁材としては、ゴム、プラスチック、セラミ
ックス等およびこれらの複合体が用いられる。
およびｎ型半導体が互いに絶縁状態で交互に平面状に多
数配列されるとともに、これらの各ｎ型およびｎ型半導
体がその表面で交互に電気的に接続され、且つ、これら
の半導体の接合体の上下面が絶縁材で被われて構成され
たものであり、直流電源２９への接続によりｎ型半導体
からｎ型半導体へと電子の流れる面で発熱が起こり、逆
に流れる面で冷却が起こるようになっている。即ち、ペ
ルチェ効果素子２３．２４は、電流が供給されることに
よって吸熱面と放熱面との間で、低温、高温側が一定の
温度差となる熱ポンプ作用をなすものである。また、前
記各半導体の材料としては、Ｐｂ’Ｔｅ、ＩｎＡｓ、Ｇ
ｅ、、Ｓｔ、Ｐｂ５ｅ、Ｓｂ、Ｔｅ３等が用いられ、好
ましくはＢ１−Ｔｅ−３ｅ−３ｂの４元−６−＆が用い
られる。絶縁材としては、ゴム、プラスチック、セラミ
ックス等およびこれらの複合体が用いられる。
前記ペルチェ効果素子２３．２４の内側金型１３．１４
内における配置は、溶融樹脂の射出、充填時における両
スイッチ２７．２８の切換え状態、例えば図示の状態に
おいて、各素子２３．２４のキャビティ側面２３Ａ、２
４Ａが放熱面となるよう配置され、胃内側金型１３．１
４の表面即ちキャビティ１７部分の温度が上昇されるよ
うになっている。一方、両スイッチ２７．２８が図示と
は反対側に切換えられたときは、キャビティ側面２３Ａ
、２４Ａはそれぞれ吸熱面となる。
内における配置は、溶融樹脂の射出、充填時における両
スイッチ２７．２８の切換え状態、例えば図示の状態に
おいて、各素子２３．２４のキャビティ側面２３Ａ、２
４Ａが放熱面となるよう配置され、胃内側金型１３．１
４の表面即ちキャビティ１７部分の温度が上昇されるよ
うになっている。一方、両スイッチ２７．２８が図示と
は反対側に切換えられたときは、キャビティ側面２３Ａ
、２４Ａはそれぞれ吸熱面となる。
このような構成の金型１０を用いて高密度情報記録用デ
ィスクを射出成形するには、まず、温度調節手段２１．
２２を加熱手段となるようにして金型１０全体を所定の
゛温度に上昇させた後、温度調節手段２１．２２を冷却
手段に切り換えて溶融樹脂の冷却に備えるとともに、ス
プルー１９に溶融樹脂を供給してゲート２０から成形キ
ャビティ１７内に溶融樹脂を射出、充填する。この際、
各スイッチ゛２７，２８は図示の切換状態とされている
ため、各ペルチェ効果素子２３．２４は、キャビティ側
面２３Ａ、２４Ａが放熱面とされており、内側金型１３
．１４のキャビティ近傍を部分的に加熱した状態とされ
、溶融樹脂の急激な冷却が防止され、樹脂の配向の偏り
が少なくされている。
ィスクを射出成形するには、まず、温度調節手段２１．
２２を加熱手段となるようにして金型１０全体を所定の
゛温度に上昇させた後、温度調節手段２１．２２を冷却
手段に切り換えて溶融樹脂の冷却に備えるとともに、ス
プルー１９に溶融樹脂を供給してゲート２０から成形キ
ャビティ１７内に溶融樹脂を射出、充填する。この際、
各スイッチ゛２７，２８は図示の切換状態とされている
ため、各ペルチェ効果素子２３．２４は、キャビティ側
面２３Ａ、２４Ａが放熱面とされており、内側金型１３
．１４のキャビティ近傍を部分的に加熱した状態とされ
、溶融樹脂の急激な冷却が防止され、樹脂の配向の偏り
が少なくされている。
従って、成形キャビティ１７内に流入された溶融樹脂は
、キャビティ１７の周縁にまで迅速、且つ、均一に流動
してキャビティ１７内に均一に充填されることとなる。
、キャビティ１７の周縁にまで迅速、且つ、均一に流動
してキャビティ１７内に均一に充填されることとなる。
このようにして均一な充填が完了すると、各スイッチ２
７．２８は自動的に切換えられ、各ペルチェ効果素子２
３．２４のキャビティ側面２３Ａ。
７．２８は自動的に切換えられ、各ペルチェ効果素子２
３．２４のキャビティ側面２３Ａ。
２４Ａは吸熱面とされ、今度は充填樹脂の冷却を促進す
るように作用する。
るように作用する。
充填樹脂の冷却が完了すると、可動金型１２が固定金型
１１から離れる方向に移動されていわゆる型開きがなさ
れ、成形品が取出されることとなる。
１１から離れる方向に移動されていわゆる型開きがなさ
れ、成形品が取出されることとなる。
以下、上述の溶融樹脂充填以後の動作を繰返すことによ
って順次、成形品即ち高密度情報記録用ディスクを成形
できる。
って順次、成形品即ち高密度情報記録用ディスクを成形
できる。
上述のような本実施例によれば、成形キャビティ１７内
に射出充填される溶融樹脂の配向の偏りを少なくできて
残留歪を少なくでき、従って残留歪による影響を排除で
きて寸法精度、形状安定性に優れた高密度情報記録用デ
ィスクを提供できるという効果がある。また、残留歪が
小さいことから複屈折のばらつきがなく、均一で良好な
光学特性を得ることができ、光ディスクに好適である。
に射出充填される溶融樹脂の配向の偏りを少なくできて
残留歪を少なくでき、従って残留歪による影響を排除で
きて寸法精度、形状安定性に優れた高密度情報記録用デ
ィスクを提供できるという効果がある。また、残留歪が
小さいことから複屈折のばらつきがなく、均一で良好な
光学特性を得ることができ、光ディスクに好適である。
更に１、ペルチェ効果素子２３．２４による放熱、吸熱
作用を切換スイッチ２７．２８により容易、且つ、迅速
に行えるから、溶融樹脂の射出、充填および冷却を迅速
に行えて成形サイクルを短縮でき、生産性を良好にでき
る。また、ペルチェ効果素子２３．２４により金型１０
の所要部分を部分的に加熱、冷却できるから、この加熱
、冷却も短時間で行え、この点からもサイクルタイムを
短縮できる。更に、従来の環状フラッシュゲートを用い
る金型等と異なり、特殊な金型、射出方法を用いること
な（、通常の射出方法を用い、比較的簡単な構造の金型
１０により成形でき、安価な成形品を得ることができる
。
作用を切換スイッチ２７．２８により容易、且つ、迅速
に行えるから、溶融樹脂の射出、充填および冷却を迅速
に行えて成形サイクルを短縮でき、生産性を良好にでき
る。また、ペルチェ効果素子２３．２４により金型１０
の所要部分を部分的に加熱、冷却できるから、この加熱
、冷却も短時間で行え、この点からもサイクルタイムを
短縮できる。更に、従来の環状フラッシュゲートを用い
る金型等と異なり、特殊な金型、射出方法を用いること
な（、通常の射出方法を用い、比較的簡単な構造の金型
１０により成形でき、安価な成形品を得ることができる
。
第２図および第３図には、本発明のそれぞれ異なる他の
実施例の要部が示され、これらの実施例においては、各
ペルチェ効果素子２３．２４（図では固定金型側の素子
２３の一部のみが示されている。）をゲート２０から遠
ざかるに従って発熱量が太き（なるように構成したもの
である。ここにおいて、これらの各実施例の前記実施例
と同一もしくは相当構成部分には、同一符号を用い説明
を省略もしくは簡略にする。
実施例の要部が示され、これらの実施例においては、各
ペルチェ効果素子２３．２４（図では固定金型側の素子
２３の一部のみが示されている。）をゲート２０から遠
ざかるに従って発熱量が太き（なるように構成したもの
である。ここにおいて、これらの各実施例の前記実施例
と同一もしくは相当構成部分には、同一符号を用い説明
を省略もしくは簡略にする。
第２図は、各ペルチェ効果素子２３の反キャビティ側の
リード線を分岐させて２本のリード線２６Ａ、２６Ｂに
するとともに、これらの各リード線２６Ａ、２６Ｂの途
中にそれぞれ前記スイッチ２７．２Ｅｌと連動するスイ
ソ、チ３１，３２を設ける。これらのスイッチ３１．
３２は、スイッチ２７の一方の接点２７Ａに接続される
リードｔｓ２６Ａに設けられたスイッチ３１が接点２７
Ａと同時に開閉し、他方の接点２ ’７ Ｂに接続され
るリード線２６Ｂに設けられたスイッチ３２が接点２７
Ｂと同時に開閉するよう作動され、これにより、いずれ
か一方のリード線２６Ａ或いは２６Ｂのみを介して各ペ
ルチェ効果素子２３と電源２９とが電気的に接続される
ようになっている。
リード線を分岐させて２本のリード線２６Ａ、２６Ｂに
するとともに、これらの各リード線２６Ａ、２６Ｂの途
中にそれぞれ前記スイッチ２７．２Ｅｌと連動するスイ
ソ、チ３１，３２を設ける。これらのスイッチ３１．
３２は、スイッチ２７の一方の接点２７Ａに接続される
リードｔｓ２６Ａに設けられたスイッチ３１が接点２７
Ａと同時に開閉し、他方の接点２ ’７ Ｂに接続され
るリード線２６Ｂに設けられたスイッチ３２が接点２７
Ｂと同時に開閉するよう作動され、これにより、いずれ
か一方のリード線２６Ａ或いは２６Ｂのみを介して各ペ
ルチェ効果素子２３と電源２９とが電気的に接続される
ようになっている。
前記一方のリード線２６Ａには、各ペルチェ効果素子２
３の反キャビティ側に、各素子２３に隣接して補助ペル
チェ効果素子４１．４２，４３゜４４が設けられている
。これらの素子４１〜４４は、前記素子２３と共に通電
された際、素子２３と同し側が放熱面となるよう、即ち
、素子２３のキャビティ側面２３Ａが放熱面であると、
すると同じくキャビティ側面４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ。
３の反キャビティ側に、各素子２３に隣接して補助ペル
チェ効果素子４１．４２，４３゜４４が設けられている
。これらの素子４１〜４４は、前記素子２３と共に通電
された際、素子２３と同し側が放熱面となるよう、即ち
、素子２３のキャビティ側面２３Ａが放熱面であると、
すると同じくキャビティ側面４１Ａ、４２Ａ、４３Ａ。
４４Ａ、が放熱面となるようにされ、かつ、これらの素
子４１〜４４の放熱或いは吸熱量はゲート２０から遠ざ
かるに従って大きくなるようにされている。
子４１〜４４の放熱或いは吸熱量はゲート２０から遠ざ
かるに従って大きくなるようにされている。
このような本実施例によれば、図示のようにスイッチ２
７．２８，３１．３２がセットされている場合、各ペル
チェ効果素子２３および各補助ペルチェ効果素子４１〜
４４に共に通電されてキャビティ側面２３Ａ、４１’Ａ
〜４４Ａがゲート２０から遠ざかるに従って発熱量が大
きくなって、キャビティ１７の周縁に行くに従って冷却
される傾向の溶融樹脂の温度を適正な値に保つことがで
き、より残留歪を防止できる効果を付加できる。
７．２８，３１．３２がセットされている場合、各ペル
チェ効果素子２３および各補助ペルチェ効果素子４１〜
４４に共に通電されてキャビティ側面２３Ａ、４１’Ａ
〜４４Ａがゲート２０から遠ざかるに従って発熱量が大
きくなって、キャビティ１７の周縁に行くに従って冷却
される傾向の溶融樹脂の温度を適正な値に保つことがで
き、より残留歪を防止できる効果を付加できる。
一方、スイッチ２７，２８．３１．３２が図示とは逆の
方向に切換えられると、各補助ペルチェ効果素子４１〜
４４には通電されずペルチェ効果素子２３のみに通電さ
れるから、キャビティ１７内の充填樹脂は全体に均一に
冷却されて、この点からも残留歪の防止効果を付加でき
る。
方向に切換えられると、各補助ペルチェ効果素子４１〜
４４には通電されずペルチェ効果素子２３のみに通電さ
れるから、キャビティ１７内の充填樹脂は全体に均一に
冷却されて、この点からも残留歪の防止効果を付加でき
る。
第３図も、各ペルチェ効果素子２３の反キャビティ側リ
ード線を２分岐させて各リード線２６Ａ。
ード線を２分岐させて各リード線２６Ａ。
２６Ｂにそれぞれスイッチ３１．．３２を設け、且つ、
一方のリード線２６Ａに抵抗器としての可変抵抗器５１
，５２．５３． ５４．５’５を設けたものである。こ
れらの可変抵抗器５１〜５５はゲート２０に近い可変抵
抗器５１に至るに従って抵抗値が高くなるようになって
いる。このため、各ペルチェ効果素子２３に流れる電流
地がゲート２０から離れるに従って大きくなってその発
熱効果も大きくなり、前記第２図の実施例と同様な作用
、効果を蘂することができる。
一方のリード線２６Ａに抵抗器としての可変抵抗器５１
，５２．５３． ５４．５’５を設けたものである。こ
れらの可変抵抗器５１〜５５はゲート２０に近い可変抵
抗器５１に至るに従って抵抗値が高くなるようになって
いる。このため、各ペルチェ効果素子２３に流れる電流
地がゲート２０から離れるに従って大きくなってその発
熱効果も大きくなり、前記第２図の実施例と同様な作用
、効果を蘂することができる。
なお、実施にあたり、成形キャビティ１７の周縁に至る
に従って温度を変化させる方法としては、前記第２．３
図の実施例に限らず、キャビティ１７の表面から各ペル
チェ効果素子２３に至るまでの深さを変化させてもよく
、即ちゲート２０側に至るに従い深さを深くすればよい
。また、前記第１図の実施例においては、固定金型１１
、可動金型１２に内部金型１３．１４を別体に設けたが
、これは固定金型１１、可動金型１２の一部であり、実
施の都合上分割したに過ぎないものである。更に、第３
図の実施例において、可変抵抗器５１〜５５は所定の抵
抗値の固定抵抗器であってもよい。
に従って温度を変化させる方法としては、前記第２．３
図の実施例に限らず、キャビティ１７の表面から各ペル
チェ効果素子２３に至るまでの深さを変化させてもよく
、即ちゲート２０側に至るに従い深さを深くすればよい
。また、前記第１図の実施例においては、固定金型１１
、可動金型１２に内部金型１３．１４を別体に設けたが
、これは固定金型１１、可動金型１２の一部であり、実
施の都合上分割したに過ぎないものである。更に、第３
図の実施例において、可変抵抗器５１〜５５は所定の抵
抗値の固定抵抗器であってもよい。
また、ペルチェ効果素子２３は前記各実施例のように複
数の単位に分割にするものに限らず、キャビティ１７の
全面に対向した上下２枚のものでもよい。更に、本発明
は射出圧縮成形にも適用できる。
数の単位に分割にするものに限らず、キャビティ１７の
全面に対向した上下２枚のものでもよい。更に、本発明
は射出圧縮成形にも適用できる。
上述のように本発明によれば、寸法精度、形状安定性の
よい高密度情報記録用ディスクの射出成形金型を提供で
きるという効果がある。
よい高密度情報記録用ディスクの射出成形金型を提供で
きるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図および
第３図は本発明のそれぞれ異なる実施例を示す要部の回
路図である。 １０・・・金型、１１・・・固定金型、１２・・・可動
金型、１７・・・成形キャビティ、１９・・・スプルー
、２０・・・ゲート、２１．２２・・・温度調節手段、
２３．２４・・・ペルチェ効果素子、２７．２８，３１
．３２・・・スイッチ、４１〜４４・・・補助ペルチェ
効果素子、５１〜５５・・・抵抗器としての可変抵抗器
。
第３図は本発明のそれぞれ異なる実施例を示す要部の回
路図である。 １０・・・金型、１１・・・固定金型、１２・・・可動
金型、１７・・・成形キャビティ、１９・・・スプルー
、２０・・・ゲート、２１．２２・・・温度調節手段、
２３．２４・・・ペルチェ効果素子、２７．２８，３１
．３２・・・スイッチ、４１〜４４・・・補助ペルチェ
効果素子、５１〜５５・・・抵抗器としての可変抵抗器
。
Claims (2)
- （１）固定金型と可動金型との合わせ面に扁平な成形キ
ャビティを形成された高密度情報記録用ディスクの射出
成形金型において、前記固定金型および可動金型のそれ
ぞれに前記成形キャビティの扁平な面に沿ってペルチェ
効果素子を配置するとともに、このペルチェ効果素子は
少なくとも溶融樹脂の充填時には発熱面が成形キャビテ
ィ側に設けられていることを特徴とする高密度情報記録
用ディスクの射出成形金型。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記ペルチェ効
果素子は、成形キャビティに沿って複数に分割して配置
されるとともに、これらのペルチェ効果素子はゲートか
ら遠ざかるに従って発熱量が大となるよう構成されたこ
とを特徴とする高密度情報記録用ディスクの射出成形金
型。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294885A JPS61249721A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高密度情報記録用デイスクの射出成形金型 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9294885A JPS61249721A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高密度情報記録用デイスクの射出成形金型 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61249721A true JPS61249721A (ja) | 1986-11-06 |
Family
ID=14068687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9294885A Pending JPS61249721A (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高密度情報記録用デイスクの射出成形金型 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61249721A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5415535A (en) * | 1993-02-12 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor resin sealing apparatus |
| DE19543354A1 (de) * | 1995-11-21 | 1997-05-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Trocknen einer Lackschicht |
| DE10136678A1 (de) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Battenfeld Gmbh | Erwärmung einer Werkzeugkavität eines Spritzgießwerkzeuges |
| WO2007121934A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Tecos, Slovenian Tool And Die Development Centre | Mould for thermally processing polymeric moulding materials, temperature controlled mould system and polymer processing system |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP9294885A patent/JPS61249721A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5415535A (en) * | 1993-02-12 | 1995-05-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor resin sealing apparatus |
| DE19543354A1 (de) * | 1995-11-21 | 1997-05-22 | Leybold Ag | Vorrichtung zum Trocknen einer Lackschicht |
| DE10136678A1 (de) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Battenfeld Gmbh | Erwärmung einer Werkzeugkavität eines Spritzgießwerkzeuges |
| DE10136678B4 (de) * | 2001-07-27 | 2004-09-30 | Battenfeld Gmbh | Erwärmung einer Werkzeugkavität eines Spritzgießwerkzeuges |
| WO2007121934A1 (en) * | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Tecos, Slovenian Tool And Die Development Centre | Mould for thermally processing polymeric moulding materials, temperature controlled mould system and polymer processing system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7445743B2 (en) | Molding tool, and method of making plastic articles | |
| JPS6378720A (ja) | 成形金型 | |
| US3804362A (en) | Moulding means | |
| JPS61249721A (ja) | 高密度情報記録用デイスクの射出成形金型 | |
| JPH07178784A (ja) | 射出成形用金型 | |
| JPS60174624A (ja) | 成形用金型 | |
| JPS58179626A (ja) | 射出成形装置 | |
| JP2996588B2 (ja) | 光ディスク基板用金型 | |
| JP2002264191A (ja) | 射出成形金型 | |
| JPS6117257B2 (ja) | ||
| JPS6216114A (ja) | Ｌｉｍ成形金型 | |
| JPH0673887B2 (ja) | 射出成形用金型及び該金型を用いたディスク基板の成形方法 | |
| JPH06328537A (ja) | 射出成形用ホットランナー金型 | |
| JPH0419008B2 (ja) | ||
| JP2655100B2 (ja) | ホットランナ装置 | |
| JPS6315719A (ja) | 射出成形金型のウエルド発生防止装置 | |
| JPH0725113B2 (ja) | 高密度情報記録用ディスクの射出成形金型 | |
| JPS61290024A (ja) | プラスチツクレンズ成形用金型 | |
| JP3077632B2 (ja) | 樹脂封止金型とその金型によるマトリクス型リードフレームの樹脂封止方法 | |
| JPH0596576A (ja) | 成形金型 | |
| JPH01205431A (ja) | 樹脂封止型電子装置の製造方法 | |
| JPS6083818A (ja) | 射出成形用金型の構造 | |
| JPH02252120A (ja) | 記録ディスク用基盤 | |
| JPS646272Y2 (ja) | ||
| JPS63239026A (ja) | 成型用金型 |