JPS61246939A - 光学ヘツド - Google Patents

光学ヘツド

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JPS61246939A
JPS61246939A JP8532485A JP8532485A JPS61246939A JP S61246939 A JPS61246939 A JP S61246939A JP 8532485 A JP8532485 A JP 8532485A JP 8532485 A JP8532485 A JP 8532485A JP S61246939 A JPS61246939 A JP S61246939A
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JP
Japan
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photodetector
holder
light
laser beam
objective lens
Prior art date
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Pending
Application number
JP8532485A
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English (en)
Inventor
Akihiko Doi
土肥 昭彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Intelligent Technology Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Automation Equipment Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Automation Equipment Engineering Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP8532485A priority Critical patent/JPS61246939A/ja
Publication of JPS61246939A publication Critical patent/JPS61246939A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、集束光を用い情報記憶媒体から少なくとも情
報を読取ることが可能なもので、例えば、DAD用のC
D(コンパクトディスク)やビデオディスクのような再
生専用の情報記憶媒体や、画像ファイル・静止画ファイ
ル・DOM (コンビュウターアウトプットメモリー)
等に用いられ、集束光により記録層に対し穴を開ける等
の状態変化を起こさせて情報の記録を行ない、また、そ
こから再生することができる情報記憶媒体、さらに消去
可能な情報記憶媒体に対し、少なくとも再生または記録
を行なうときに適用される光学ヘッドに関する。
〔発明の技術的背景とその問題点〕
上記種の装置においては、情報記憶媒体から情報を読取
ったり、あるいは情報記憶媒体に新たに情報を書き加え
るとき、常に集束光の集光点が情報記憶媒体の記録層も
しくは光反射層の位置と一致していなければならない。
そのため、その装置内には自動焦点ぼけ検出機能および
その補正機能を有している。
しかしながら、この機能は、光軸がずれた場合、焦点ぼ
け検出を行なう光検出器上で焦点ぼけ検出用のスポット
が移動してしまい、あたかも焦点がぼけたものとして誤
検知してしまう。そのため、外部環境の変化(温度変化
、湿度変化、機械的な撮動や衝撃等)により、光軸がず
れると焦点がぼけてしまう。特に、温度変化に対しては
影響を受は易い。
すなわち、第10図および第11図に示すように、情報
記憶媒体で反射され、投射レンズ1により導かれた光は
光検出器2の光検出領域3に投影される。ここで、光検
出器2はそのフレーム4自体が電極となっており、また
、光検出器2を支持するホルダー5もその熱膨張率が大
きいとホルダー5の動きにより光検出器2が位置ずれを
生じるため、通常、金属が用いられている。このため、
光検出器2とホルダー5との絶縁を目的として光検出器
5の周辺にベーク材等の有機物からなる絶縁物6を配置
し、その上にホルダー5を取付け、さらに、そのホルダ
ー5を投射レンズ1のホルダー7に取付けたり、光学ヘ
ッド本体に取付けたりしていた。
しかしながら、上記絶縁物6については、熱膨張率や吸
湿性等の特性は全く無視されていたため、この絶縁物6
の熱膨張や吸湿等により光検出器2の位置ずれが生じる
。しかも、絶縁物6と光検出器2との間および絶縁物6
とホルダー5との間は接着剤8.8にて固定が行われて
いるため、この接着剤自体も有機物であることから、層
が薄いとはいえ位置ずれの原因となる。したがって、焦
点ぼけ検出の誤動作の原因となる。
また、このような光軸ずれに弱い焦点ぼけ検出系では、
温度等の影響を考えなければならないので、通常、ホル
ダー5を電気回路基板(ガラスエポキシ等)として用い
ることができない。したがって、従来では、光検出器2
からの微小な信号をホルダー5とは別個に設けた電気回
路により増幅するようにしている。このため、S/N比
に気を配る必要がある。
〔発明の目的〕
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、温度変化に対して光軸がずれ難く、
安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができ、しかも、
ホルダー上に電気回路を配設することが可能となり、信
号出力も光検出器のみの微小な信号でなく増幅された信
号を取出せS/N比が良くなるようにした光学ヘッドを
提供することにある。
〔発明の概要〕
本発明は、上記目的を達成するために、光検出器を保持
するホルダーを低熱膨張率の有機絶縁物としたことを特
徴とするものである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第1図〜第5図を参照しなが
ら説明する。
第3図は本発明に係る光学ヘッドを用いた情報記録再生
装置を示すもので、この図中21は光ディスク(情報記
憶媒体)である。この光ディスク21は、一対の円板状
透明プレート22.23を内外スペーサ24.25を介
して貼り合せて形成され、その透明プレート22.23
のそれぞれの内面上には情報記録層としての光反射層2
6゜27が蒸着によって形成されている。この光反射層
26.27のそれぞれには、ヘリカルにトラッキングガ
イド28(第4図参照)が形成され、このトラッキング
ガイド28上にビット29の形で情報が記録される。ま
た、光ディスク21の中心には孔が穿けられ、ターンテ
ーブル30上に光ディスク21が載置された際に、この
ターンテーブル30のセンタースピンドル31が光ディ
スク21の孔に挿入され、ターンテーブル30と光ディ
スク21の回転中心が一致される。ターンテーブル30
のセンタースピンドル31には、さらにチャック装置3
2が装着され、このチャック装置32によって光ディス
ク21がターンテーブル30上に固定される。ターンテ
ーブル30は、回転可能に支持台(図示しない)によっ
て支持され、駆動モータ33によって一定速度で回転さ
れる。
また、34はリニアアクチュエータ35あるいは回転ア
ームによって光ディスク21の半径方向に移動可能に設
けられた光学ヘッドであり、この光学ヘッド34内には
レーザービームLを発生する半導体レーザー(光源)3
6が設けられている。
そして、情報を光ディスク21に書き込むに際しては、
書き込むべき情報に応じてその光強度が変調されたレー
ザービームLが半導体レーザ36から発生され、情報を
光ディスク21から読み出す際には、一定の光強度を有
するレーザービームLが半導体レーザー36から発生さ
れる。半導体レーザー36から発生された発散性のレー
ザービームLは、コリメーターレンズ37によって平行
光束に変換され、偏光ビームスプリッタ38に向けられ
る。偏光ビームスプリッタ38で反射した平行レーザー
ビームLは、1/4波長板3つを通過して対物レンズ4
0に入射され、この対物レンズ40によって光ディスク
21の光反射826に向けて集束される。対物レンズ4
0は、ボイスコイル41によってその光軸方向に移動可
能に支持され、対物レンズ40が所定位置に位置される
と、この対物レンズ40から発せられた集束性レーザー
ビームLのビームウェストが光反射層26の表面上に投
射され、最小ビームスポットが光反射層26の表面上に
形成される。この状態において、対物レンズ40は合焦
点状態に保たれ、情報の書き込みおよび読み出しが可能
となる。そして、情報を書き込む際には、光強度変調さ
れたレーザービームLによって光反射層26上のトラッ
キングガイド28にビット29が形成され、情報を読み
出す際には、一定の光強度を有するレーザービームLが
、トラッキングガイド28に形成されたピット29によ
って光強度変調されて反射される。
光ディスク21の光反射!26から反射された発散性の
レーザービームLは、合焦点時には対物レンズ40によ
って平行光束に変換され、再び1/4波長板30を通過
して偏光ビームスプリッタ38に戻される。レーザービ
ームLが1/4波長板39を往復することによってレー
ザービームLは、偏光ビームスプリッタ38で反射した
際に比べて偏波面が90度何回転、この90度だけ偏波
面が回転したレーザービームLは、偏光ビームスプリッ
タ38で反射されず、この偏光ビームスプリッタ38を
通過することとなる。偏光ビームスプリッタ38を通過
したレーザービームLはハーフミラ−42によって2系
統に分けられ、その一方は、第1の投射レンズ43によ
って第1の光検出器44に照射される。この第1の光検
出器44で検出された第1の信号は、光ディスク21に
記録された情報を含み、信号処理装置45に送られてデ
ジタルデータに変換される。ハーフミラ−42によって
分けられた他方のレーザービームLは、遮光板(光抜出
部材)46によって光軸47に対し非対称に抜出され、
第2の投射レンズ48を通過した後筒2の光検出器49
に入射される。第2の光検出器49で検出された信号は
、フォーカス信号発生器50で処理され、このフォーカ
ス信号がボイスコイル駆動回路51に与えられる。ボイ
スコイル駆動回路51は、フォーカス信号に応じてボイ
スコイル41を駆動し、対物レンズ40を合焦点状態に
維持する。
次に、第3図に示した合焦点を検出するための光学系は
、単純化して示すと、第4図のようになり、合焦点検出
に関するレーザービームLの軌跡は、第5図(a)(b
)(c)に示すように描かれる。対物レンズ40が合焦
点状態にある際には、光反射層26上にビームウェスト
が投射され、最小ビームスポット、すなわちビームウェ
ストスポット52が光反射層26上に形成される。通常
、半導体レーザー36から対物レンズ40に入射される
レーザービームLは平行光束であるから、ビームウェス
トは対物レンズ40の焦点上に形成される。しかしなが
ら、対物レンズ40に半導体レーザー36から入射され
るレーザービームLかわずかに発散域あるいは収束して
いる場合には、ビ−ムウエストは対物レンズ40の焦点
近傍に形成される。ここで、光検出器40の受光面は合
焦点状態においてそのビームウェストスポット52の結
像面に配置されている(なお、結像面近傍に配置しても
よい。)。したがって、合焦点時には、ビームウェスト
スポット52の像が光検出器49の受光面の中心に形成
される。
すなわち、第5図(a)に示すように、ビームウェスト
スポット52が光反射!126上に形成され、この光反
射126で反射されたレーザービームLは対物レンズ4
0によって平行光束に変換されて遮光板46に向けられ
る。そして、遮光板46によって光軸47に対し非対称
に抜出され、投射レンズ48によって収束され、光検出
器49上で最小に絞られ、ビームウェスト像がその上に
形成される。次に、対物レンズ40が光反射層26に向
けて近接すると、ビームウェストは、第5図(b)に示
すように、レーザービームLが光反tA1!26で反射
されて生ずる。すなわち、ビームウェストは対物レンズ
40と光反In層26との間に生ずる。このような非合
焦点時においては、ビームウェストは、通常、対物レン
ズ40の焦点距離内に生ずることから、ビームウェスト
が光点として機能すると仮定すれば明らかなように光反
射層26で反射され、対物レンズ40から射出されるレ
ーザービームLは対物レンズ40によって発散性のレー
ザービームLに変換される。遮光板46を通過したレー
ザービームL成分も同様に発散性であることから、この
レーザービームL成分が投射レンズ48によって集束さ
れても光検出器49の受光面上で最小に絞られず、光検
出器49よりも遠い点に向かって集束されることとなる
したがって、光検出器49の受光面の中心から図中上方
に向かってレーザービームL成分は投射され、その受光
面上にはビームスポット像よりも大きなパターンが形成
される。さらに、第5図(C)に示すように、対物レン
ズ40が光反射層26から離間された場合には、レーザ
ービームLは、ビームウェストを形成した後、光反射層
26で反射される。このような非合焦点時には、対物レ
ンズ4oの焦点距離外であって対物レンズ40と光反j
)jJ126との間に形成されることから、対物レンズ
40から遮光板46に向かう反射レーザービームLは集
束性を有することとなる。したがって、遮光板46を通
過したレーザービームし成分は投射レンズ48によって
さらに収束され、収束点を形成した後、光検出器49の
受光面上に投射される。その結果、光検出器49の受光
面上にはビームウェストスポット52の像よりも大きな
パターンが中心から図中下方に形成される。
次に、上記光検出器49についてさらに説明を加える。
第1図および第2図に示すように、光検出器49はホル
ダー54に支持されている。すなわち、光検出器49は
、光検出領域55と、これを支持するフレーム56とか
らなり、このフレーム56は、それ自体が電極となって
いる。そして、この光検出器49は、ホルダー54に光
検出器49から出ている信号用端子57にて半田付けさ
れている。ここで、ホルダー54は、光検出器49の光
検出領域55とホルダー54との絶縁を目的として、低
熱膨張率の有機絶縁物で形成されている。また、このホ
ルダー54は回路基板として用いられ、このホルダー5
4上には電気回路パターン58、すなわち光検出器49
からの信号を増幅する回路およびバイアス線のパターン
が形成されている。また、この電気回路パターン58の
端にはコネクター59が設けられており、光検出器49
からの出力信号が増幅されたものとなってこのコネクタ
ー59から得られるようになっている。さらに、このよ
うに光検出器49を保持したホルダー54には固定用の
ねじ穴もしく(よばか穴があけられていて、ホルダー5
4はその部分を介して投射レンズ48のホルダー60に
ねじ61゜61により取付けられている。
以上の構成によれば、光検出器4つを保持するホルダー
54を低熱膨張率の有機絶縁物としたので、低熱膨張率
の有機絶縁物は熱膨張率が金属と同じレベルであること
から、光検出器49の光検出領域55とホルダー54と
の間の絶縁を行なうことができるとともに、温度等によ
る外部環境の変化に対して光検出器49の位置ずれ(光
軸ずれ)を生じ難くなり、焦点ぼけ検出の誤動作を防止
することができる。
しかも、光軸ずれに弱い焦点ぼけ検出系でも光検出器4
9を保持するホルダー54上に電気回路たとえば増幅回
路を配設することが可能となるので、信号出力も光検出
器49のみの微小な信号でなく増幅された信号を取出す
ことができ、したがってS/N比が良くなる。
なお、本発明は、上記実施例では焦点ぼけ検出を行なう
第2の光検出器49に適用したが、これに限ることはな
く、トラックずれ検出を行なう第1の検出器44に適用
してもよい。
さらに、合焦点時を検出する光学系としては、上記実施
例のものの他に、第6図〜第9図に示すものがあり、本
発明はこのような光学系にも適用でき、また、これら以
外に、光ディスク21の光反射層26に対する結像位置
あるいはその近傍に光検出器49を配置し、焦点がぼけ
たときスポットの中央が光検出器49上で移動するよう
にして焦点ぼけ検出を行なうあらゆる光学系に対して適
用することができる。なお、第6図に示す光学系におい
ては、レーザービームLが対物レンズ40の光軸47に
対して斜め方向から入射されて光反射層26に照射され
ている。この場合においても、対物レンズ40から投射
レンズ48に破線で示すように収束性のレーザービーム
Lが照射され、光反射層26が近付くと、対物レンズ4
0から投射レンズ48に一点鎖線で示すように発散性の
レーザービームLが照射されることとなる。したがって
、投射レンズ48から光検出器49に向うレーザービー
ムLは焦点ぼけの程度に応じて偏向され、光検出器49
の受光面上ではスポットパターンの大きさが変化すると
ともにその投射位置が偏位されることとなる。第7図に
示す光学系においては、投射レンズ48と光検出器49
との間にパイプリズム71が設けられている。したがっ
て、レーザービームLは、合焦点時には実線で示す軌跡
を描き、非合焦点時にはパイプリズム71によって偏向
される。第8図に示す光学系においては、対物レンズ4
0および投射レンズ48で定まるビームウェストの結像
点にミラー72が設けられ、そのミラー72上の像を光
検出器49上に結像するレンズ73がミラー72と光検
出器49との間に設−けられている。そして、合焦点時
にはミラー72上に向ってレーザービームLが実線で示
すように集束されるのに対し、非合焦点時には破線また
は一点鎖線で示す集束性または発散性のレーザービーム
Lが投射レンズ48によって集束されることになり、結
果としてレーザービームLがミラー72によって偏向さ
れることになる。さらに、第9図に示す光学系において
は、光軸47から離間した領域を通り光軸47に平行に
レーザービームLが対物レンズ40に照射されている。
この場合においても、対物レンズ40と光反射層26と
の間の距離に依存して投射レンズ48から光検出器49
に向うレーザービームLは偏向されることになる。
〔発明の効果〕 以上説明したように本発明によれば、集束光を用い情報
記憶媒体から少なくとも情報を読取ることが可能で、光
源と、この光源から発せられた光を上記情報記憶媒体上
に集光するための対物レンズと、上記情報記憶媒体から
射出した光を検出する光検出器と、この光検出器を支持
するホルダーとを備えた光学ヘッドにおいて、上記ホル
ダーは低熱膨張率の有機絶縁物で形成したから、温度変
化に対して光軸がずれ難く、安定して焦点ぼけ検出等を
行なうことができ、しかも、ホルダー上に電気回路を配
設することが可能となり、信号出力も光検出器のみの微
小な信号でなく増幅された信号を取出せSlN比が良く
なる等の優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図〜第5図は本発明の一実施例を示すもので、第1
図は光検出器部分を示す縦断側面図、第2図はホルダー
を示す正面図、第3図は情報記録再生装置を概略的に示
すブロック図、第4図は焦点ぼけ検出用光学系を示す斜
視図、第5図(a)(b)(C)は同光学系の合焦点時
および非合焦点時におけるレーザービームの軌跡を示す
説明図、第6図〜第9図は他の焦点ぼけ検出用光学系を
示す図、第10図および第11図は従来例を示すもので
、第10図は光検出器部分を示す縦断側面図、第11図
は同じく光検出器部分を示す正面図である。 21・・・情報記憶媒体(光ディスク)、36・・・光
源(半導体レーザー)、40・・・対物レンズ、49・
・・第2の光検出器、54・・・ホルダー、55・・・
光検出領域、56・・・フレーム、58・・・電気回路
パターン。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦錫 第4図 第5図 第6図 第7図 第8図 第9図 第10図 第11図 弓

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)集束光を用い情報記憶媒体から少なくとも情報を
    読取ることが可能で、光源と、この光源から発せられた
    光を上記情報記憶媒体上に集光するための対物レンズと
    、上記情報記憶媒体から射出した光を検出する光検出器
    と、この光検出器を支持するホルダーとを備えた光学ヘ
    ッドにおいて、上記ホルダーは低熱膨張率の有機絶縁体
    で形成したことを特徴とする光学ヘッド。
  2. (2)光検出器は少なくとも焦点ぼけ検出に用いられる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学ヘッ
    ド。
  3. (3)ホルダーは電気回路パターンを配設する回路基板
    として用いたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の光学ヘッド。
  4. (4)電気回路は光検出器の検出信号を増幅する回路等
    としたことを特徴とする特許請求の範囲第3項記載の光
    学ヘッド。
  5. (5)光検出器は、光を検出する光検出領域と、この光
    検出領域を支持するフレームとを設けて構成したことを
    特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光学ヘッド。
JP8532485A 1985-04-23 1985-04-23 光学ヘツド Pending JPS61246939A (ja)

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