JPS61269244A - 光学ヘツド - Google Patents
光学ヘツドInfo
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- JPS61269244A JPS61269244A JP11092985A JP11092985A JPS61269244A JP S61269244 A JPS61269244 A JP S61269244A JP 11092985 A JP11092985 A JP 11092985A JP 11092985 A JP11092985 A JP 11092985A JP S61269244 A JPS61269244 A JP S61269244A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- holder
- light
- body frame
- connecting member
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Paints Or Removers (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、集束光を用い情報記憶媒体から少なくとも情
報を読取ることが可能なもので、例えば、DAD用のC
D(コンパクトディスク)やビデオディスクのような再
生専用の情報記憶媒体や、画像ファイル令静止画ファイ
ル・DOM (フンピュウターアウトプットメモリー)
等に用いられ、集束光により記録層に対し穴を開ける等
の状態変化を起こさせて情報の記録を行ない、また、そ
こから再生することができる情報記憶媒体、ざらに消去
可能な情報記憶媒体に対し、少なくとも再生または記録
を行なうときに適用される光学ヘッドに関する。
報を読取ることが可能なもので、例えば、DAD用のC
D(コンパクトディスク)やビデオディスクのような再
生専用の情報記憶媒体や、画像ファイル令静止画ファイ
ル・DOM (フンピュウターアウトプットメモリー)
等に用いられ、集束光により記録層に対し穴を開ける等
の状態変化を起こさせて情報の記録を行ない、また、そ
こから再生することができる情報記憶媒体、ざらに消去
可能な情報記憶媒体に対し、少なくとも再生または記録
を行なうときに適用される光学ヘッドに関する。
上記種の装置においては、情報記憶媒体から情報を読取
ったり、あるいは情報記憶媒体に新たに情報を書き加え
るとき、常に集束光の集光点が情報記憶媒体の記録層も
しくは光反射層の位置と一致していなければならない。
ったり、あるいは情報記憶媒体に新たに情報を書き加え
るとき、常に集束光の集光点が情報記憶媒体の記録層も
しくは光反射層の位置と一致していなければならない。
そのため、その装置内には自動焦点ぼけ検出機能および
その補正機能を有している。
その補正機能を有している。
しかしながら、この機能は、光軸がずれた場合、焦点ぼ
け検出を行なう光検出器上で焦点ぼけ検出用のスポット
が移動してしまい、あたかも焦点がぼけたものとして誤
検知してしまう。そのため、外部環境の変化(温度変化
、湿度変化、機械的な振動や衝撃等)により、光軸がず
れると焦点がぼけてしまう。特に、温度変化に対しては
影響を受は易い。しかも、光軸ずれによる収差によって
集束光の集束点が絞りきれないと焦点位置がずれたとき
同様正常な動作が行なえなくなる。
け検出を行なう光検出器上で焦点ぼけ検出用のスポット
が移動してしまい、あたかも焦点がぼけたものとして誤
検知してしまう。そのため、外部環境の変化(温度変化
、湿度変化、機械的な振動や衝撃等)により、光軸がず
れると焦点がぼけてしまう。特に、温度変化に対しては
影響を受は易い。しかも、光軸ずれによる収差によって
集束光の集束点が絞りきれないと焦点位置がずれたとき
同様正常な動作が行なえなくなる。
そのため、光軸ずれに非常に弱い焦点ぼけ検出法、たと
えば結像点に光検出器を配置して行なう゛ようなものに
ついては、温度、湿度等の外部環境に対して光軸ずれを
生じないような工夫が必要となり、したがって、部品を
減らしたり、構造を変えたりするという操作が非常にや
り難い。そこで、このような光学系では、光源のホール
ド法を工夫しているが、それでも部品点数を減らしたり
コンパクトにしたりすることがやり難い。
えば結像点に光検出器を配置して行なう゛ようなものに
ついては、温度、湿度等の外部環境に対して光軸ずれを
生じないような工夫が必要となり、したがって、部品を
減らしたり、構造を変えたりするという操作が非常にや
り難い。そこで、このような光学系では、光源のホール
ド法を工夫しているが、それでも部品点数を減らしたり
コンパクトにしたりすることがやり難い。
すなわち、第9図に示すように、光源としての半導体レ
ーザー1は鉄等よりなるヒートシンク2を介してホルダ
ー3に取付けられている。さらに、このホルダー3は連
結部材4および後述する絶縁スペーサ5を介してヘッド
本体フレーム6に取付けられ、このヘッド本体フレーム
6は接地された図示しないベースに固定されている。こ
こで、通常、ホルダー3は金属で作られていて、それ自
体が電極の役割をしている。また、連結部材4およ0ヘ
ッド本体フレーム6も熱膨張との関係から金禽で作られ
ている。このため、連結部材4とヘッド本体フレーム6
との間に絶縁スペーサ5が介在され、半導体レーザー1
の絶縁が行われている。
ーザー1は鉄等よりなるヒートシンク2を介してホルダ
ー3に取付けられている。さらに、このホルダー3は連
結部材4および後述する絶縁スペーサ5を介してヘッド
本体フレーム6に取付けられ、このヘッド本体フレーム
6は接地された図示しないベースに固定されている。こ
こで、通常、ホルダー3は金属で作られていて、それ自
体が電極の役割をしている。また、連結部材4およ0ヘ
ッド本体フレーム6も熱膨張との関係から金禽で作られ
ている。このため、連結部材4とヘッド本体フレーム6
との間に絶縁スペーサ5が介在され、半導体レーザー1
の絶縁が行われている。
なお、7は箆筒、8はカバーガラス、9はコリメータレ
ンズ、10はコリメータレンズフレームである。
ンズ、10はコリメータレンズフレームである。
しかしながら、上記絶縁スペーサ5はベーク材等の有機
物で形成されているので、熱膨張率が高く、温度変化に
対して歪みが生じる。したがって、第10図に示すよう
に、半導体レーザー1が微妙に動いてしまい、光軸ずれ
の原因となり、上述したように焦点ぼけ検出の誤動作が
生じる。また、このような構造では、部品点数が多く複
雑かつ大型となる。
物で形成されているので、熱膨張率が高く、温度変化に
対して歪みが生じる。したがって、第10図に示すよう
に、半導体レーザー1が微妙に動いてしまい、光軸ずれ
の原因となり、上述したように焦点ぼけ検出の誤動作が
生じる。また、このような構造では、部品点数が多く複
雑かつ大型となる。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、温度変化に対して光軸がずれ難く、
安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができるばかりか
、部品点数が減り簡単かつ小型の構造とすることができ
る光学ヘッドを提供することにある。
的とするところは、温度変化に対して光軸がずれ難く、
安定して焦点ぼけ検出等を行なうことができるばかりか
、部品点数が減り簡単かつ小型の構造とすることができ
る光学ヘッドを提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、ホルダー、連結
部材、およびヘッド本体フレームは金属で形成し、さら
に、これらホルダー、連結部材、およびヘッド本体フレ
ームのうち、少なくとも1つは絶縁コーティングを施し
たことを特徴とするものである。
部材、およびヘッド本体フレームは金属で形成し、さら
に、これらホルダー、連結部材、およびヘッド本体フレ
ームのうち、少なくとも1つは絶縁コーティングを施し
たことを特徴とするものである。
以下、本発明の一実施例を第1図〜第4図を参照しなが
ら説明する。
ら説明する。
第2図は本発明に係る光学ヘッドを用いた情報記録再生
装置を示すもので、この図中21は光ディスク(情報記
憶媒体)である。この光ディスク21は、一対の円板状
透明プレート22.23を内外スペーサ24.25を介
して貼り合せて形成され、その透明プレート22.23
のそれぞれの内面上には情報記録層としての光反射層2
6゜27が蒸着によって形成されている。この光反射層
26.27のそれぞれには、ヘリカルにトラッキングガ
イド28(第3図参照)が形成され、このトラッキング
ガイド28上にビット29の形で情報が記録される。ま
た、光ディスク21の中心には孔が穿けられ、ターンテ
ーブル30上に光ディスク21が載置された際に、この
ターンテーブル30のセンタースピンドル31が光ディ
スク21の孔に挿入され、ターンテーブル30と光ディ
スク21の回転中心が一致される。ターンテーブル30
のセンタースピンドル31には、さらにチャック装置3
2が装着され、このチャック装置32によって光ディス
ク21がターンテーブル30上に固定される。ターンテ
ーブル30は、回転可能に支持台(図示しない)によっ
て支持され、駆動モータ33によって一定速度で回転さ
れる。
装置を示すもので、この図中21は光ディスク(情報記
憶媒体)である。この光ディスク21は、一対の円板状
透明プレート22.23を内外スペーサ24.25を介
して貼り合せて形成され、その透明プレート22.23
のそれぞれの内面上には情報記録層としての光反射層2
6゜27が蒸着によって形成されている。この光反射層
26.27のそれぞれには、ヘリカルにトラッキングガ
イド28(第3図参照)が形成され、このトラッキング
ガイド28上にビット29の形で情報が記録される。ま
た、光ディスク21の中心には孔が穿けられ、ターンテ
ーブル30上に光ディスク21が載置された際に、この
ターンテーブル30のセンタースピンドル31が光ディ
スク21の孔に挿入され、ターンテーブル30と光ディ
スク21の回転中心が一致される。ターンテーブル30
のセンタースピンドル31には、さらにチャック装置3
2が装着され、このチャック装置32によって光ディス
ク21がターンテーブル30上に固定される。ターンテ
ーブル30は、回転可能に支持台(図示しない)によっ
て支持され、駆動モータ33によって一定速度で回転さ
れる。
また、34はリニアアクチュエータ35あるいは回転ア
ームによって光ディスク21の半径方向に移動可能に設
けられた光学ヘッドで、あり、この光学ヘッド34内に
はレーザービームLを発生する半導体レーザー(光源)
36が設けられている。
ームによって光ディスク21の半径方向に移動可能に設
けられた光学ヘッドで、あり、この光学ヘッド34内に
はレーザービームLを発生する半導体レーザー(光源)
36が設けられている。
そして、情報を光ディスク21に1き込むに際しては、
書き込むべき情報に応じてその光強度が変調されたレー
ザービームLが半導体レーザ36から発生され、情報を
光ディスク21から読み出す際には、一定の光強度を有
するレーザービームLが半導体レーザー36から発生さ
れる。半導体レーザー36から発生された発散性のレー
ザービームLは、コリメーターレンズ37によって平行
光束に変換され、偏光ビームスプリッタ38に向けられ
る。偏光ビームスプリッタ38で反射した平行レーザー
ビームLは、1/4波長板39を通過して対物レンズ4
0に入射され、この対物レンズ40によって光ディスク
21の光反射層26に向けて集束される。対物レンズ4
0は、ボイスコイル41によってその光軸方向に移動可
能に支持され、対物レンズ40が所定位置に位置される
と、この対物レンズ40から発せられた集束性レーザー
ビームLのビームウェストが光反射層26の表面上に投
射され、最小ビームスポットが光反射層26の表面上に
形成される。この状態において、対物レンズ40は合焦
点状態に保たれ、情報の書き込みおよび読み出しが可能
となる。そして、情報を書き込む際には、光強度変調さ
れたレーザービームLによって光反射層26上のトラッ
キングガイド28にビット29が形成され、情報を読み
出す際には、一定の光強度を有するレーザービームLが
、トラッキングガイド28に形成されたビット29によ
って光強度変調されて反射される。
書き込むべき情報に応じてその光強度が変調されたレー
ザービームLが半導体レーザ36から発生され、情報を
光ディスク21から読み出す際には、一定の光強度を有
するレーザービームLが半導体レーザー36から発生さ
れる。半導体レーザー36から発生された発散性のレー
ザービームLは、コリメーターレンズ37によって平行
光束に変換され、偏光ビームスプリッタ38に向けられ
る。偏光ビームスプリッタ38で反射した平行レーザー
ビームLは、1/4波長板39を通過して対物レンズ4
0に入射され、この対物レンズ40によって光ディスク
21の光反射層26に向けて集束される。対物レンズ4
0は、ボイスコイル41によってその光軸方向に移動可
能に支持され、対物レンズ40が所定位置に位置される
と、この対物レンズ40から発せられた集束性レーザー
ビームLのビームウェストが光反射層26の表面上に投
射され、最小ビームスポットが光反射層26の表面上に
形成される。この状態において、対物レンズ40は合焦
点状態に保たれ、情報の書き込みおよび読み出しが可能
となる。そして、情報を書き込む際には、光強度変調さ
れたレーザービームLによって光反射層26上のトラッ
キングガイド28にビット29が形成され、情報を読み
出す際には、一定の光強度を有するレーザービームLが
、トラッキングガイド28に形成されたビット29によ
って光強度変調されて反射される。
光ディスク21の光反射層26から反射された発散性の
レーザービームLは、合焦点時には対物レンズ40によ
って平行光束に変換され、再び1/4波長板39を通過
して偏光ビームスプリッタ38に戻される。レーザービ
ームLが174波長板39を往復することによってレー
ザービームLは、偏光ビームスプリッタ38で反射した
際に比べて偏波面が90度回転し、この90aだけ偏波
面が回転したレーザービームLは、偏光ビームスプリッ
タ38で反射されず、この偏光ビームスプリッタ38を
通過することとなる。偏光ビームスプリッタ38を通過
したレーザービームLはハーフミラ−42によって2系
統に分けられ、その一方は、第1の投射レンズ43によ
って第1の光検出器44に照射される。この第1の光検
出器44で検出された第1の信号は、光ディスク21に
記録された情報を含み、信号処理装[45に送られてデ
ジタルデータに変換される。ハーフミラ−42によって
分けられた他方のレーザービームLは、遮光板(光抜出
部材)46によって光軸47に対し非対称に抜出され、
第2の投射レンズ48を通過した後第2の光検出器49
に入射される。第2の光検出器49で検出された信号は
、フォーカス信号発生器50で処理され、このフォーカ
ス信号がボイスコイル駆動回路51に与えられる。ボイ
スフィル駆動回路51は、フォーカス信号に応じてボイ
スコイル41を駆動し、対物レンズ40を合焦点状態に
維持する。
レーザービームLは、合焦点時には対物レンズ40によ
って平行光束に変換され、再び1/4波長板39を通過
して偏光ビームスプリッタ38に戻される。レーザービ
ームLが174波長板39を往復することによってレー
ザービームLは、偏光ビームスプリッタ38で反射した
際に比べて偏波面が90度回転し、この90aだけ偏波
面が回転したレーザービームLは、偏光ビームスプリッ
タ38で反射されず、この偏光ビームスプリッタ38を
通過することとなる。偏光ビームスプリッタ38を通過
したレーザービームLはハーフミラ−42によって2系
統に分けられ、その一方は、第1の投射レンズ43によ
って第1の光検出器44に照射される。この第1の光検
出器44で検出された第1の信号は、光ディスク21に
記録された情報を含み、信号処理装[45に送られてデ
ジタルデータに変換される。ハーフミラ−42によって
分けられた他方のレーザービームLは、遮光板(光抜出
部材)46によって光軸47に対し非対称に抜出され、
第2の投射レンズ48を通過した後第2の光検出器49
に入射される。第2の光検出器49で検出された信号は
、フォーカス信号発生器50で処理され、このフォーカ
ス信号がボイスコイル駆動回路51に与えられる。ボイ
スフィル駆動回路51は、フォーカス信号に応じてボイ
スコイル41を駆動し、対物レンズ40を合焦点状態に
維持する。
次に、第2図に示した合焦点を検出するための光学系は
、単純化して示すと、第3図のようになり、合焦点検出
に関するレーザービームしの軌跡は、第4図(a)(b
)(c)に示すように描かれる。対物レンズ40が合焦
点状態にある際には、光反射層26上にビームウェスト
が投射され、最小ビームスポット、すなわちビームウェ
ストスポット52が光反射層26上に形成される。通常
、半導体レーザー36から対物レンズ40に入射される
レーザービームLは平行光束であるから、ビームウェス
トは対物レンズ40の焦点上に形成される。しかしなが
ら、対物レンズ40に半導体レーザー36から入射され
るレーザービームLがわずかに発散域あるいは収束して
いる場合には、ビームウェストは対物レンズ40の焦点
近傍に形成される。ここで、光検出器40の受光面は合
焦点状態においてそのビームウェストスポット52の結
像面に配置されている(なお、結像面近傍に配置しても
よい。)。したがって、合焦点時には、ビームウェスト
スポット52の像が光検出器49の受光面の中心に形成
される。
、単純化して示すと、第3図のようになり、合焦点検出
に関するレーザービームしの軌跡は、第4図(a)(b
)(c)に示すように描かれる。対物レンズ40が合焦
点状態にある際には、光反射層26上にビームウェスト
が投射され、最小ビームスポット、すなわちビームウェ
ストスポット52が光反射層26上に形成される。通常
、半導体レーザー36から対物レンズ40に入射される
レーザービームLは平行光束であるから、ビームウェス
トは対物レンズ40の焦点上に形成される。しかしなが
ら、対物レンズ40に半導体レーザー36から入射され
るレーザービームLがわずかに発散域あるいは収束して
いる場合には、ビームウェストは対物レンズ40の焦点
近傍に形成される。ここで、光検出器40の受光面は合
焦点状態においてそのビームウェストスポット52の結
像面に配置されている(なお、結像面近傍に配置しても
よい。)。したがって、合焦点時には、ビームウェスト
スポット52の像が光検出器49の受光面の中心に形成
される。
すなわち、第4図(a)に示すように、ビームウェスト
スポット52が光反射層26上に形成され、この光反射
層26で反射されたレーザービームLは対物レンズ40
によって平行光束に変換されて遮光板46に向けられる
。そして、遮光板46によって光軸47に対し非対称に
抜出され、投射レンズ4Bによって収束され、光検出器
49上で最小に絞られ、ビームウェスト像がその上に形
成される。次に、対物レンズ40が光反射層26に向け
て近接すると、ビームウェストは、第4図(b)に示す
ように、レーザービームLが光反射層26で反射されて
生ずる。すなわち、ビームウェストは対物レンズ40と
光反射層26との間に生ずる。このような非合焦点時に
おいては、ビームウェストは、通常、対物レンズ40の
焦点距離内に生ずることから、ビームウェストが光点と
して機能すると仮定すれば明らかなように光反射層26
で反射され、対物レンズ40から射出されるレーザービ
ームLは対物レンズ40によって発散性のレーザービー
ムLに変換される。遮光板46を通過したレーザービー
ムL成分も同様に発散性であることから、このレーザー
ビームL成分が投射レンズ48によって集束されても光
検出器49の受光面上で最小に絞られず、光検出器49
よりも遠い点に向かって集束されることとなる。
スポット52が光反射層26上に形成され、この光反射
層26で反射されたレーザービームLは対物レンズ40
によって平行光束に変換されて遮光板46に向けられる
。そして、遮光板46によって光軸47に対し非対称に
抜出され、投射レンズ4Bによって収束され、光検出器
49上で最小に絞られ、ビームウェスト像がその上に形
成される。次に、対物レンズ40が光反射層26に向け
て近接すると、ビームウェストは、第4図(b)に示す
ように、レーザービームLが光反射層26で反射されて
生ずる。すなわち、ビームウェストは対物レンズ40と
光反射層26との間に生ずる。このような非合焦点時に
おいては、ビームウェストは、通常、対物レンズ40の
焦点距離内に生ずることから、ビームウェストが光点と
して機能すると仮定すれば明らかなように光反射層26
で反射され、対物レンズ40から射出されるレーザービ
ームLは対物レンズ40によって発散性のレーザービー
ムLに変換される。遮光板46を通過したレーザービー
ムL成分も同様に発散性であることから、このレーザー
ビームL成分が投射レンズ48によって集束されても光
検出器49の受光面上で最小に絞られず、光検出器49
よりも遠い点に向かって集束されることとなる。
したがって、光検出器49の受光面の中心から図中上方
に向かってレーザービームL成分は投射され、その受光
面上にはビームスポット像よりも大きなパターンが形成
される。さらに、第4図(C)に示すように、対物レン
ズ40が光反射層26から離間された場合には、レーザ
ービームLは、ビームウェストを形成した後、光反射層
26で反射される。このような非合焦点時には、対物レ
ンズ40の焦点距離外であって対物レンズ40と光反射
層26との間に形成されることから、対物レンズ40か
ら遮光板46に向かう反射レーザービームLは集束性を
有することとなる。したがって、遮光板46を通過した
レーザービームL成分は投射レンズ48によってさらに
収束され、収束点を形成した後、光検出器49の受光面
上に投射される。その結果、光検出器49の受光面上に
はビームウェストスポット52の像よりも大きなパター
ンが中心から図中下方に形成される。
に向かってレーザービームL成分は投射され、その受光
面上にはビームスポット像よりも大きなパターンが形成
される。さらに、第4図(C)に示すように、対物レン
ズ40が光反射層26から離間された場合には、レーザ
ービームLは、ビームウェストを形成した後、光反射層
26で反射される。このような非合焦点時には、対物レ
ンズ40の焦点距離外であって対物レンズ40と光反射
層26との間に形成されることから、対物レンズ40か
ら遮光板46に向かう反射レーザービームLは集束性を
有することとなる。したがって、遮光板46を通過した
レーザービームL成分は投射レンズ48によってさらに
収束され、収束点を形成した後、光検出器49の受光面
上に投射される。その結果、光検出器49の受光面上に
はビームウェストスポット52の像よりも大きなパター
ンが中心から図中下方に形成される。
次に、上記半導体レーザー36についてさらに説明を加
える。第1図に示すように、半導体レーザー36は鉄等
よりなるヒートシンク53を介してホルダー54に取付
けられている。また、このホルダー54には筒部55が
上記半導体レーザー36を取囲む状態に取付けられ、そ
の先端にはカバーガラス56が設けられている。また、
このホルダー54は金属で作られていて、それ自体が電
極の役割をするようになっているとともに、少なくとも
後述する連結部材58との接触部分(取付は部分)に絶
縁コーティングが施されている。また、このホルダー5
4は絶縁ねじ57により連結部材58に取付けられ、こ
の連結部材58はねじ59.59によりヘッド本体フレ
ーム60に取付けられている。このヘッド本体フレーム
60はコリメートレンズ37を保持したコリメートレン
ズフレーム61等を支持するもので、接地された図示し
ないベースに固定されている。ここで、連結部材58I
5よびヘッド本体フレーム60は上記ホルダー54同様
金属で作られている。
える。第1図に示すように、半導体レーザー36は鉄等
よりなるヒートシンク53を介してホルダー54に取付
けられている。また、このホルダー54には筒部55が
上記半導体レーザー36を取囲む状態に取付けられ、そ
の先端にはカバーガラス56が設けられている。また、
このホルダー54は金属で作られていて、それ自体が電
極の役割をするようになっているとともに、少なくとも
後述する連結部材58との接触部分(取付は部分)に絶
縁コーティングが施されている。また、このホルダー5
4は絶縁ねじ57により連結部材58に取付けられ、こ
の連結部材58はねじ59.59によりヘッド本体フレ
ーム60に取付けられている。このヘッド本体フレーム
60はコリメートレンズ37を保持したコリメートレン
ズフレーム61等を支持するもので、接地された図示し
ないベースに固定されている。ここで、連結部材58I
5よびヘッド本体フレーム60は上記ホルダー54同様
金属で作られている。
以上の構成によれば、ホルダー54、連結部材58、お
よびヘッド本体フレーム60を低熱膨張率の金属で形成
したので、温度、湿度等による環境変化に対して半導体
レーザー36の位置ずれ(光軸ずれ)を生じ難くなり、
光検出器49による焦点ぼけ検出の誤動作を防止するこ
とができる。
よびヘッド本体フレーム60を低熱膨張率の金属で形成
したので、温度、湿度等による環境変化に対して半導体
レーザー36の位置ずれ(光軸ずれ)を生じ難くなり、
光検出器49による焦点ぼけ検出の誤動作を防止するこ
とができる。
しかも、これらホルダー54、連結部材58、およびヘ
ッド本体フレーム60うち、ホルダー54に絶縁コーテ
ィングを施したので、連結部材58とヘッド本体フレー
ム60との間に絶縁スペーサを介在させることなく半導
体レーザー36の絶縁が行なえ、したがって部品点数が
減り簡単かつ小型の構造とすることができる。
ッド本体フレーム60うち、ホルダー54に絶縁コーテ
ィングを施したので、連結部材58とヘッド本体フレー
ム60との間に絶縁スペーサを介在させることなく半導
体レーザー36の絶縁が行なえ、したがって部品点数が
減り簡単かつ小型の構造とすることができる。
なお、上記実施例では、ホルダー54、連結部材58、
およびヘッド本体フレーム60のうちホルダー54に絶
縁コーティングを施したが、本発明はこれに限ることは
なく、たとえば連結部材58あるいはヘッド本体フレー
ム60に絶縁コーティングを施してもよく、また、これ
らのうち2つあるいは全てに絶縁コーティングを施して
もよく、要するにホルダー54、連結部材58、および
ヘッド本体フレーム60のうち少なくとも1つに絶縁コ
ーティングを施した構成とすればよい。
およびヘッド本体フレーム60のうちホルダー54に絶
縁コーティングを施したが、本発明はこれに限ることは
なく、たとえば連結部材58あるいはヘッド本体フレー
ム60に絶縁コーティングを施してもよく、また、これ
らのうち2つあるいは全てに絶縁コーティングを施して
もよく、要するにホルダー54、連結部材58、および
ヘッド本体フレーム60のうち少なくとも1つに絶縁コ
ーティングを施した構成とすればよい。
また、合焦点時を検出する光学系としては、上記実施例
のものの他に、第5図〜第8図に示すものがあり、本発
明はこのような光学系にも適用でき、また、これら取外
に、光ディスク21の光反射層26に対する結像位置あ
るいはその近傍に光検出器49を配置し、焦点がぼけた
ときスポットの中央が光検出器49上で移動するように
して焦点ぼけ検出を行なうあらゆる光学系に対して適用
することができる。なお、第5図に示す光学系において
は、レーザービームLが対物レンズ40の光軸47に対
して斜め方向から入射されて光反射層26に照射されて
いる。この場合においても、対物レンズ40から投射レ
ンズ48に破線で示すように収束性のレーザービームL
が照射され、光反射層26が近付くと、対物レンズ40
から投射レンズ48に一点鎖線で示すように発散性のレ
ーザービームLが照射されることとなる。したがって、
投射レンズ48から光検出器49に向うレーザービーム
Lは焦点ぼけの程度に応じて偏向され、光検出器49の
受光面上ではスポットパターンの大きさが変化するとと
もにその投射位置が偏位されることとなる。第6図に示
す光学系においては、投射レンズ4日と光検出器49と
の闇にパイプリズム71が設けられている。したがって
、レーザービームLは、合焦点時には実線で示す軌跡を
描き、非合焦点時にはパイプリズム71によって偏向さ
れる。17図に示す光学系においては、対物レンズ40
および投射レンズ48で定まるビームウェストの結像点
にミラー72が設けられ、そのミラー72上の像を光検
出器49上に結像するレンズ73がミラー72と光検出
器49との間に設けられている。そして、合焦点時には
ミラー72上に向ってレーザービームLが実線で示すよ
うに集束されるのに対し、非合焦点時には破線または一
点鎖線で示す集束性または発散性のレーザービームLが
投・射レンズ48によって集束されることになり、結果
としてレーザービームLがミラー72によって偏向され
ることになる。ざらに、第8図に示す光学系においては
、光軸47から離間した領域を通り光軸47に平行にレ
ーザービームLが対物レンズ4oに照射されている。こ
の場合においても、対物レンズ40と光反射層26との
間の距離に依存して投射レンズ48から光検出器49に
向うレーザービームLは偏向されることになる。
のものの他に、第5図〜第8図に示すものがあり、本発
明はこのような光学系にも適用でき、また、これら取外
に、光ディスク21の光反射層26に対する結像位置あ
るいはその近傍に光検出器49を配置し、焦点がぼけた
ときスポットの中央が光検出器49上で移動するように
して焦点ぼけ検出を行なうあらゆる光学系に対して適用
することができる。なお、第5図に示す光学系において
は、レーザービームLが対物レンズ40の光軸47に対
して斜め方向から入射されて光反射層26に照射されて
いる。この場合においても、対物レンズ40から投射レ
ンズ48に破線で示すように収束性のレーザービームL
が照射され、光反射層26が近付くと、対物レンズ40
から投射レンズ48に一点鎖線で示すように発散性のレ
ーザービームLが照射されることとなる。したがって、
投射レンズ48から光検出器49に向うレーザービーム
Lは焦点ぼけの程度に応じて偏向され、光検出器49の
受光面上ではスポットパターンの大きさが変化するとと
もにその投射位置が偏位されることとなる。第6図に示
す光学系においては、投射レンズ4日と光検出器49と
の闇にパイプリズム71が設けられている。したがって
、レーザービームLは、合焦点時には実線で示す軌跡を
描き、非合焦点時にはパイプリズム71によって偏向さ
れる。17図に示す光学系においては、対物レンズ40
および投射レンズ48で定まるビームウェストの結像点
にミラー72が設けられ、そのミラー72上の像を光検
出器49上に結像するレンズ73がミラー72と光検出
器49との間に設けられている。そして、合焦点時には
ミラー72上に向ってレーザービームLが実線で示すよ
うに集束されるのに対し、非合焦点時には破線または一
点鎖線で示す集束性または発散性のレーザービームLが
投・射レンズ48によって集束されることになり、結果
としてレーザービームLがミラー72によって偏向され
ることになる。ざらに、第8図に示す光学系においては
、光軸47から離間した領域を通り光軸47に平行にレ
ーザービームLが対物レンズ4oに照射されている。こ
の場合においても、対物レンズ40と光反射層26との
間の距離に依存して投射レンズ48から光検出器49に
向うレーザービームLは偏向されることになる。
以上説明したように本発明によれば、光源と、この光源
から発せられた光を情報記憶媒体上に集光するための対
物レンズと、この対物レンズで集光照射された後、上記
情報記憶媒体から反射又は透過した光を検出する光検出
器と、上記光源を支持するホルダーと、このホルダーを
連結部材を介して支持するヘッド本体フレームとを備え
た光学ヘッドにおいて、上記ホルダー、上記連結部材、
および上記ヘッド本体フレームは金属で形成し、さらに
、上記ホルダー、上記連結部材、および上記ヘッド本体
フレームのうち少なくとも1つは絶縁コーティングを施
したから、温度変化に対して光軸がずれ難く、安定して
焦点ぼけ検出等を行なうことができるばかりか、部品点
数が減り簡単かつ小型の構造とすることができる等の優
れた効果を奏する。
から発せられた光を情報記憶媒体上に集光するための対
物レンズと、この対物レンズで集光照射された後、上記
情報記憶媒体から反射又は透過した光を検出する光検出
器と、上記光源を支持するホルダーと、このホルダーを
連結部材を介して支持するヘッド本体フレームとを備え
た光学ヘッドにおいて、上記ホルダー、上記連結部材、
および上記ヘッド本体フレームは金属で形成し、さらに
、上記ホルダー、上記連結部材、および上記ヘッド本体
フレームのうち少なくとも1つは絶縁コーティングを施
したから、温度変化に対して光軸がずれ難く、安定して
焦点ぼけ検出等を行なうことができるばかりか、部品点
数が減り簡単かつ小型の構造とすることができる等の優
れた効果を奏する。
第1図〜第4図は本発明の一実施例を示すもので、第1
図は半導体レーザ一部分を示す縦断側面図、第2図は情
報記録再生装置を概略的に示すブロック図、第3図は焦
点ぼけ検出用光学系を示す斜視図、第4図(a)(b)
(C)は同光学系の合焦点時および非合焦点時における
レーザービームの軌跡を示す説明図、第5図〜第8図は
他の焦点ぼけ検出用光学系を示す図、第9図および第1
0図は従来例を示すもので、第9図は半導体レーザ一部
分を示す縦断側面図、第10図は作用説明図である。 21・・・情報記憶媒体(光ディスク)、36・・・光
源(半導体レーザー)、40・・・対物レンズ、49・
・・第2の光検出器、54・・・ホルダー、58・・・
連結部材、60・・・ヘッド本体フレーム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第4図 第8図
図は半導体レーザ一部分を示す縦断側面図、第2図は情
報記録再生装置を概略的に示すブロック図、第3図は焦
点ぼけ検出用光学系を示す斜視図、第4図(a)(b)
(C)は同光学系の合焦点時および非合焦点時における
レーザービームの軌跡を示す説明図、第5図〜第8図は
他の焦点ぼけ検出用光学系を示す図、第9図および第1
0図は従来例を示すもので、第9図は半導体レーザ一部
分を示す縦断側面図、第10図は作用説明図である。 21・・・情報記憶媒体(光ディスク)、36・・・光
源(半導体レーザー)、40・・・対物レンズ、49・
・・第2の光検出器、54・・・ホルダー、58・・・
連結部材、60・・・ヘッド本体フレーム。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第1図 第4図 第8図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光学ヘッド 2、特許請求の範囲 光源と、この光源から発せられた光を情報記憶媒体上に
集光するための対物レンズと、この対物レンズで集光照
射された後、上記情報記憶媒体から反射又は透過した光
を検出する光検出器と、上記光源を支持するホルダーと
、このホルダーを連結部材を介して支持するヘッド本体
フレームとを備えた光学ヘッドにおいて、上記ホルダー
、上記連結部材、および上記ヘッド本体フレームは金属
で形成し、さらに、上記ホルダー、上記連結部材、およ
び上記ヘッド本体フレームのうち少なくとも1つは絶縁
コーティングを施したことを特徴とする光学ヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11092985A JPS61269244A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11092985A JPS61269244A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 光学ヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61269244A true JPS61269244A (ja) | 1986-11-28 |
Family
ID=14548182
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11092985A Pending JPS61269244A (ja) | 1985-05-23 | 1985-05-23 | 光学ヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61269244A (ja) |
-
1985
- 1985-05-23 JP JP11092985A patent/JPS61269244A/ja active Pending
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