JPS61244030A - パタ−ンジエネレ−タ - Google Patents

パタ−ンジエネレ−タ

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JPS61244030A
JPS61244030A JP60085806A JP8580685A JPS61244030A JP S61244030 A JPS61244030 A JP S61244030A JP 60085806 A JP60085806 A JP 60085806A JP 8580685 A JP8580685 A JP 8580685A JP S61244030 A JPS61244030 A JP S61244030A
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JP
Japan
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stage
semiconductor substrate
aperture part
slit image
pattern
Prior art date
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Application number
JP60085806A
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English (en)
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JPH0515053B2 (ja
Inventor
Yoji Yamanaka
山中　洋示
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Publication of JPS61244030A publication Critical patent/JPS61244030A/ja
Publication of JPH0515053B2 publication Critical patent/JPH0515053B2/ja
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の製造におりて、回路パターンを
半導体基板に直接描画するパターンジェネレータ（自動
パターン形成装置〕に関する。
〔従来の技術〕
半導体集積回路が程々の分野に使用されるようになり、
少量多品種の製品を効率よく製造する問題が切実になつ
次、このとき一番問題になるのはホトマスクによる回路
パターン形成であって、この工程が最も時間金要し、生
産能率を低め、ま几マスクの管理も大変であつ次。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記難点を抜本的に解決する几めには、ホトマスクを使
用しないで直接半導体基板上に回路パターンを形成する
ことが考えられる。このため、電子ビーム露光装置が試
作されているが、まだ装置は高価であるだけでなく処理
能力も小さＬｎ７ｊめ中々実用化されていない。むしろ
電子ビーム露光装置のメリットとして、パターンの微細
化に重点がおかれている。
本発明の目的は、上記の事情に鑑み、少量多品種の製品
の製造工程短縮のため、回路パターンデータから直接描
画できる、処理能力が高く安価なパターンジェネレータ
を提供することに。
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明のパターンジェネレータは、露光用光源の光をア
パーチャ部を介して画素たるスリット像を形成した後縮
小して、ステージ上に載置されたホトレジスト部材を塗
布した半導体基板面を照射し、直接前記スリット像によ
り回路パターンを形成する装置である。
アパーチャ部とステージとの動作を作図情報データで制
御するとともに、アライメント用光学系を縮小レンズ系
に附置したものである。
〔作　用〕
本発明によれば、露光用光源からの光をスリット像とし
て縮小レンズ系で半導体基板にあて、このスリット像が
画素として露光される。アパーチャ部は短形のスリット
で、その幅・高さ・角度を調節するよりにし、ステージ
をＸＹ方向に移動させれば回路パターンが露光される。
縮小レンズ系にアライメント用光学系が附置しであるか
ら、半導体装置製造に必要な数回の露光作業ごとに、半
導体基板を容易に合わせることができる。
〔実　施　例〕
第１図を参照して、本発明の一実施例につき説明する。
ｘｙ方向に２次元的に移動可能なステージ１０１上に半
導体基板を載せる基板支持台１０２を設けて訃〈。露光
用光源１０３として水銀ランプを用い、焦光レンズ１０
４で集束し、アパーチャ部１０５でスリット像とする。
さらに縮小レンズ系１０６ヲ通して半導体基板に照射す
る。
半導体基板（ウェーハ〕の切りこみが常に同一方向にな
るように基板支持台１０２上に半導体基板を搭載する。
アパーチャ部１０５ｑ、図示のようにスリット像の幅Ｗ
、高さＲ２角度θが可変になるように作動する。ステー
ジ１０１はｘｙの２軸に移動可動で、レーザ干渉計によ
って移動量を精密に測定可能である。上記のアパーチャ
部１０５．ステージ１０１の動作を作図情報データで制
御し回路パターンを形成する。ステージ１０１はレーザ
干渉計によりその動作が自動制御される６ さらに、本装置では縮小レンズ系１０６０周縁部に、等
軸になるように７ライメント用光学系１０７を配設しで
あるから、半導体基板上に設は几マークを利用してアラ
イメントを行なり。マークとアライメント用光学系の基
準と合わせることによフ、露光系と半導体基板とを常に
同一に合わせることができる。したがって１つの半導体
装置において、露光作業を工程順に次々に数回行なう場
合に、重ね合わせを正確に行なうことができる。
〔発明の効果〕
以上、詳記したように、本発明は露光用光源を利用して
、電子ビーム露光装置のように、直接に半導体基板上に
回路パターンを形成できる。
しかも電子ビーム露光装置に必要なビーム源・ビーム偏
向などの複雑な機構はなく、簡単な通常−の露光装置程
度ですむから、生産上極めて有利である。アライメント
用光学系が直接露光系に附置しであるから、露光の重ね
合わせ操作が容易にでき、作業能率が高い。
なお、露光用光源としては、水銀プランのほかレーザを
使用することも可能である。アライメント用光学系１０
７に対する光源は露光をさけるため、別の波長の光を使
用するのがよいが、場合によっては露光用光源から光に
フィルタをかけて、使用することもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の概略説明図である。 １０１・・・ステージ、　　　１０２・・・基板支持台
、１０５・・・露光用光源、　１０４・・・焦光レンズ
、１０５・・・アパーチャ部、１０６・・・縮小レンズ
系、１０７・・・アライメント用光学系。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 露光用光源の光をアパーチャ部を介して画素たるスリッ
    ト像を形成した後縮小して、ステージ上に載置されたホ
    トレジスト部材を塗布した半導体基板面を照射し、直接
    前記縮小スリット像により回路パターンを形成する装置
    であつて、前記アパーチャ部とステージとの動作を作図
    情報データで制御するとともに、アライメント用光学系
    を縮小レンズ系に附置したことを特徴とするパターンジ
    ェネレータ。
JP60085806A 1985-04-22 1985-04-22 パタ−ンジエネレ−タ Granted JPS61244030A (ja)

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JP60085806A JPS61244030A (ja) 1985-04-22 1985-04-22 パタ−ンジエネレ−タ

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JP60085806A JPS61244030A (ja) 1985-04-22 1985-04-22 パタ−ンジエネレ−タ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61244030A true JPS61244030A (ja) 1986-10-30
JPH0515053B2 JPH0515053B2 (ja) 1993-02-26

Family

ID=13869114

Family Applications (1)

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JP60085806A Granted JPS61244030A (ja) 1985-04-22 1985-04-22 パタ−ンジエネレ−タ

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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5393371A (en) * 1977-01-28 1978-08-16 Hitachi Ltd Device for drawing scan pattern
JPS57102016A (en) * 1980-12-17 1982-06-24 Hitachi Ltd Pattern generator
JPS57130027A (en) * 1981-02-02 1982-08-12 Zeiss Jena Veb Carl Overlapping of packing type projection lithography
JPS587824A (ja) * 1981-07-06 1983-01-17 Hitachi Ltd アライメント方法およびその装置
JPS61236121A (ja) * 1985-04-12 1986-10-21 Nippon Seiko Kk 光学式露光装置

Patent Citations (5)

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JPH0515053B2 (ja) 1993-02-26

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