JPS587824A - アライメント方法およびその装置 - Google Patents
アライメント方法およびその装置Info
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- JPS587824A JPS587824A JP56104454A JP10445481A JPS587824A JP S587824 A JPS587824 A JP S587824A JP 56104454 A JP56104454 A JP 56104454A JP 10445481 A JP10445481 A JP 10445481A JP S587824 A JPS587824 A JP S587824A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 69
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 4
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は投影式アライナにおいてレチクル（マスク）と
ウェーハとの相対位置合せ７行なうアライメント方法お
よびその装置忙関するものである。
ウェーハとの相対位置合せ７行なうアライメント方法お
よびその装置忙関するものである。
従来のこの糧のアライメント方法は、マスクに形成した
ターゲットとウエーノ・に形成したターゲッｌ’夫々検
出し１両ターゲットがウエーノ・面上虻おいて一致する
ようにして両者の位置合せ７行なっている。この場合、
マスク上のターゲットは他のマスクパターンと同様和し
て光の透過、不透過パターンとして形成できるためその
検出は春易であるが、ウェーハ上のターゲットはウェー
ハ表面の凹凸によって形成しているためその検出か困−
であるという問題がある。％に、ウェーへのターゲット
もマスクのターゲットと同様忙パターン露出用の投影光
学系を通して行なっているが、光学系の開口数（ＮＡ）
の増大が投影特性上から制限さｎているため解像ｆＫ隈
界があり、しかもウェーへのターゲットは８１０．や８
４の僅かな段差（２００〜１００００λ）、若しくはプ
ロセスによりてはこれよりも小さな段差で形成さｎてい
るため充分な光反射の差が得られず、場合によってはウ
ェーハターゲットヶ全く検出することができないことも
ある。また、通常では検出［ｇｉｌＹ使用しているので
干渉縞ができ易く信号形状が複雑になり、あるいはター
ゲットはデバイスパターンを避けて１スクの周辺位置と
なるため光学系の光軸中心を便用できず、検出光の傾き
によるゴースト偉ができて検出信号が偏り、絶対精度が
悪化する。更に、検出光によってウェーハ上のホトレジ
ストが感光するおそｎもあり、広範囲な検出がで１！な
いという問題もある。
ターゲットとウエーノ・に形成したターゲッｌ’夫々検
出し１両ターゲットがウエーノ・面上虻おいて一致する
ようにして両者の位置合せ７行なっている。この場合、
マスク上のターゲットは他のマスクパターンと同様和し
て光の透過、不透過パターンとして形成できるためその
検出は春易であるが、ウェーハ上のターゲットはウェー
ハ表面の凹凸によって形成しているためその検出か困−
であるという問題がある。％に、ウェーへのターゲット
もマスクのターゲットと同様忙パターン露出用の投影光
学系を通して行なっているが、光学系の開口数（ＮＡ）
の増大が投影特性上から制限さｎているため解像ｆＫ隈
界があり、しかもウェーへのターゲットは８１０．や８
４の僅かな段差（２００〜１００００λ）、若しくはプ
ロセスによりてはこれよりも小さな段差で形成さｎてい
るため充分な光反射の差が得られず、場合によってはウ
ェーハターゲットヶ全く検出することができないことも
ある。また、通常では検出［ｇｉｌＹ使用しているので
干渉縞ができ易く信号形状が複雑になり、あるいはター
ゲットはデバイスパターンを避けて１スクの周辺位置と
なるため光学系の光軸中心を便用できず、検出光の傾き
によるゴースト偉ができて検出信号が偏り、絶対精度が
悪化する。更に、検出光によってウェーハ上のホトレジ
ストが感光するおそｎもあり、広範囲な検出がで１！な
いという問題もある。
したがって本発明の目的は、投影光学系とは別個に高開
口数の第２の光学系馨並設し、ウエーノ・のターゲット
馨こり第２の光学系にて検出てる一方で基準ターゲット
Ｖ用いて投影光学系に対する第２の光学系の相対位置を
検出し、これら雨検出結果に基づいて投影光学系に対す
るウェーハ位置ン求め、こｎにより高精匿の位置決め１
行なうことができるアライメント方法および装置を提供
することにある。
口数の第２の光学系馨並設し、ウエーノ・のターゲット
馨こり第２の光学系にて検出てる一方で基準ターゲット
Ｖ用いて投影光学系に対する第２の光学系の相対位置を
検出し、これら雨検出結果に基づいて投影光学系に対す
るウェーハ位置ン求め、こｎにより高精匿の位置決め１
行なうことができるアライメント方法および装置を提供
することにある。
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて説明する。
第１図は本発明装置の全体構成図であり、１は中央部に
１５ｒ＊のパターンを形成し周辺部にターゲット１ａｖ
形成したマスク（レチクル）、２はこのマスクパターン
が投影露光されるウェーハであり、その周辺部にはター
ゲッｌ’２ａ、２ａ４形成している。前記ヤスク１は所
足位置［４定しており、その上方に設けた水銀ランプ３
と下方に設けた結像レンズ４とＹ有する投影光学系５に
て前記ウェーハ２の表面と同一平面上に結像される。前
記ウェーハ２ Ｇ２ Ｘ Ｙテーブル６上に載置してい
るが、このウェー・・２の隣りＫはターゲット７ａｙ肩
する基準ターゲット７４載置しており、ＸＹテーブル６
の移動によって前記ウェー／％２や基準ターゲツト７ン
前配投影光学系５０光軸上位置やその隣接する位置に移
動できるようにしている。前記基準ターゲ１ット７は光
透過部材からなり、その下側のＸＹテーブル６に形成し
た凹部内にはミラー８．コンデンサレンズ９を固定し、
水平方向忙配置したランプ１０とフィルタ１１とで基準
ターゲット７Ｙ下万から照明するようにしている。この
場合、フィルタ１１はｇｌｌのみを通過させるため使用
している。そして、このように照明された基準ターゲッ
ト７とマスクターゲット１Ｍは、前記投影光学系５のマ
スク上方に配置したミラー１２゜円筒レンズ１３．
リニアイメージセンサ１４からなる検出部１５．１５に
おいて受光されて検出さｎるようにしている。
１５ｒ＊のパターンを形成し周辺部にターゲット１ａｖ
形成したマスク（レチクル）、２はこのマスクパターン
が投影露光されるウェーハであり、その周辺部にはター
ゲッｌ’２ａ、２ａ４形成している。前記ヤスク１は所
足位置［４定しており、その上方に設けた水銀ランプ３
と下方に設けた結像レンズ４とＹ有する投影光学系５に
て前記ウェーハ２の表面と同一平面上に結像される。前
記ウェーハ２ Ｇ２ Ｘ Ｙテーブル６上に載置してい
るが、このウェー・・２の隣りＫはターゲット７ａｙ肩
する基準ターゲット７４載置しており、ＸＹテーブル６
の移動によって前記ウェー／％２や基準ターゲツト７ン
前配投影光学系５０光軸上位置やその隣接する位置に移
動できるようにしている。前記基準ターゲ１ット７は光
透過部材からなり、その下側のＸＹテーブル６に形成し
た凹部内にはミラー８．コンデンサレンズ９を固定し、
水平方向忙配置したランプ１０とフィルタ１１とで基準
ターゲット７Ｙ下万から照明するようにしている。この
場合、フィルタ１１はｇｌｌのみを通過させるため使用
している。そして、このように照明された基準ターゲッ
ト７とマスクターゲット１Ｍは、前記投影光学系５のマ
スク上方に配置したミラー１２゜円筒レンズ１３．
リニアイメージセンサ１４からなる検出部１５．１５に
おいて受光されて検出さｎるようにしている。
一方、前記した隣接位置の上方には第２の光学系１６を
配置し、隣接位置に移動さｎてきたウェーハ２のターゲ
ット２ａや基準ターゲット７１’ｊｆ検出できるように
している。即ち、このＷＪ２の光学１１６ｔ”！、ラン
プ１７．コンデンサレンズ１８゜フィルタ１９．ハーフ
ミラ−２０４＠する照明部２１と、ミラー２２１円筒レ
ンズ２３．リニアイメージセンサ２４を有する検出部２
５とケ有し、照明部２１の光ン対物レンズ２６にてウェ
ーハ表面に集束し、その反射光ケ検出部２５にて受光し
て各ターゲット２ａ、７ａン検出することができる。こ
の場合、対物レンズ２６には高開口数（ＮＡ）のレンズ
を使用し、ランプ１７には白色光源ン使用している。
配置し、隣接位置に移動さｎてきたウェーハ２のターゲ
ット２ａや基準ターゲット７１’ｊｆ検出できるように
している。即ち、このＷＪ２の光学１１６ｔ”！、ラン
プ１７．コンデンサレンズ１８゜フィルタ１９．ハーフ
ミラ−２０４＠する照明部２１と、ミラー２２１円筒レ
ンズ２３．リニアイメージセンサ２４を有する検出部２
５とケ有し、照明部２１の光ン対物レンズ２６にてウェ
ーハ表面に集束し、その反射光ケ検出部２５にて受光し
て各ターゲット２ａ、７ａン検出することができる。こ
の場合、対物レンズ２６には高開口数（ＮＡ）のレンズ
を使用し、ランプ１７には白色光源ン使用している。
前記ＸＹテーブル６の側方に、はレーザ測長機２７ン設
けてＸＹテーブル６の移動量ン測足する一方、前記各リ
ニアイメージセンサ１４，２４とともに制御部２８に接
続して測定値？制御部２８に、入力するようにしている
。なお、マスク１，１ウエー八２、基準ターゲット７の
各ターゲット１ａ、２ａ。
けてＸＹテーブル６の移動量ン測足する一方、前記各リ
ニアイメージセンサ１４，２４とともに制御部２８に接
続して測定値？制御部２８に、入力するようにしている
。なお、マスク１，１ウエー八２、基準ターゲット７の
各ターゲット１ａ、２ａ。
７ａＹｇｚ図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）［示ｊ。
次に以上の構成の本発明装置の作用とともに本発明方法
を説明する。先ず、マスク１のターゲット１ａを投影光
学系５の検出部１５．１５にて検出し、マスクｌｔ所足
の基準位置にセットしこれン固足する。しかる後に、Ｘ
Ｙテーブル６ｖ移動して第１図および累３図（Ａ）集線
で示すように基準ターゲット７ｔ／投影光学系５の軸位
置にセットし、ランプ１０により下方から照明するとと
もに検出部１５．１５によりターゲット７ｍ５検出し、
ターゲラ？７ａが投影光学系５０光軸に一致させるよう
ｒＣＸＹテーブル６を作動する。そして、このときのＸ
Ｙテーブル位置を測長機２７にて測定しておく。次いで
、ＸＹテーブル６ｖ図の右方へ移動し、第３図（Ａ）仮
想線で示すように基準ターゲット７ｔ／第２の光学系１
６位置に移動させる。そして、ここでは照明部２１から
の光を基準ターゲラ）７にて反射させて検出部２５忙て
受光することにより基準ターゲットｌ’検出しターゲッ
ト７ａｖ＊ｚの光学系１６０光軸位置に一致させる。そ
して、このときのＸＹテーブル６０位置を測長機２７［
で測定てる。この結果、前述の測定値との差から投影光
学系５と第２の光学系１６との相対的な位置差！、つ１
り投影光学系５ン基準としたときの第２の光学系１６の
相対位置を求めることかできる。
を説明する。先ず、マスク１のターゲット１ａを投影光
学系５の検出部１５．１５にて検出し、マスクｌｔ所足
の基準位置にセットしこれン固足する。しかる後に、Ｘ
Ｙテーブル６ｖ移動して第１図および累３図（Ａ）集線
で示すように基準ターゲット７ｔ／投影光学系５の軸位
置にセットし、ランプ１０により下方から照明するとと
もに検出部１５．１５によりターゲット７ｍ５検出し、
ターゲラ？７ａが投影光学系５０光軸に一致させるよう
ｒＣＸＹテーブル６を作動する。そして、このときのＸ
Ｙテーブル位置を測長機２７にて測定しておく。次いで
、ＸＹテーブル６ｖ図の右方へ移動し、第３図（Ａ）仮
想線で示すように基準ターゲット７ｔ／第２の光学系１
６位置に移動させる。そして、ここでは照明部２１から
の光を基準ターゲラ）７にて反射させて検出部２５忙て
受光することにより基準ターゲットｌ’検出しターゲッ
ト７ａｖ＊ｚの光学系１６０光軸位置に一致させる。そ
して、このときのＸＹテーブル６０位置を測長機２７［
で測定てる。この結果、前述の測定値との差から投影光
学系５と第２の光学系１６との相対的な位置差！、つ１
り投影光学系５ン基準としたときの第２の光学系１６の
相対位置を求めることかできる。
次に、ウェー・・２Ｙ：第３図（Ｂ）のように第２の光
学系１６位置に移動させ、ｗｐＪ２の光学系１６の照明
部２１と検出部２５とでウェー・・２の二点以上のター
ゲツト２ａｗ横田し、ＸＹテーブル位置を測長機２７に
て検出する。そして、この検出値７制御部２８に入力し
、前述の投影光学系５と第２の光学系１６との相対位置
差−ｅに基づいて計算１行なうことにより、投影光学系
５のマスクｌＫ対するウェーハ２の相対位置を算出でき
、この結果に基づいて現位置からＸＹテーブル６を移動
させｎばウェー・・２を投影光学系５の最適位置に設定
することかできるのである。
学系１６位置に移動させ、ｗｐＪ２の光学系１６の照明
部２１と検出部２５とでウェー・・２の二点以上のター
ゲツト２ａｗ横田し、ＸＹテーブル位置を測長機２７に
て検出する。そして、この検出値７制御部２８に入力し
、前述の投影光学系５と第２の光学系１６との相対位置
差−ｅに基づいて計算１行なうことにより、投影光学系
５のマスクｌＫ対するウェーハ２の相対位置を算出でき
、この結果に基づいて現位置からＸＹテーブル６を移動
させｎばウェー・・２を投影光学系５の最適位置に設定
することかできるのである。
したがって、このアライメントでは解健力の高い高開口
数の対物レンズ２６ケ用いた第２の光学系１６によりウ
ェーハ２のターゲット２ａｖ検出し【いるので、ウェー
・・ターゲットを＊爽に高精度に検出できる。またこの
とき検出には白色光を使用しているので干渉縞は生じ−
難く信号形状がシンプル和なって信号処理が容易になる
。更に基準ターゲットの投影光学系における検出では、
光軸位置で検出を行なうために光の傾きは殆んど零であ
りかつ基準ターゲツト２ａ万の照ＷＡ光を透過させて検
出部１５に送出しているのでゴーストが生じること＋Ｓ
なく検出信号の偏りや絶対精度の悪化が防止できる。因
みＫ、本発明者がｉｌｌ！したところＫよｎば検出精ｆ
Ｖ従来の±０．１５μｍから±０．０８μＷＬＫ向上で
き絶対精りｎ±１．０μ藁から±０，１５μＩＩ！に向
上できた。
数の対物レンズ２６ケ用いた第２の光学系１６によりウ
ェーハ２のターゲット２ａｖ検出し【いるので、ウェー
・・ターゲットを＊爽に高精度に検出できる。またこの
とき検出には白色光を使用しているので干渉縞は生じ−
難く信号形状がシンプル和なって信号処理が容易になる
。更に基準ターゲットの投影光学系における検出では、
光軸位置で検出を行なうために光の傾きは殆んど零であ
りかつ基準ターゲツト２ａ万の照ＷＡ光を透過させて検
出部１５に送出しているのでゴーストが生じること＋Ｓ
なく検出信号の偏りや絶対精度の悪化が防止できる。因
みＫ、本発明者がｉｌｌ！したところＫよｎば検出精ｆ
Ｖ従来の±０．１５μｍから±０．０８μＷＬＫ向上で
き絶対精りｎ±１．０μ藁から±０，１５μＩＩ！に向
上できた。
以上の説明によれば本発明のアライメント方法およびそ
の装置！によれば、投影光学系とは別個に高開口数のレ
ンズを有する［２の光学系を並設し、ウェー・〜をこの
第２の光学系にて検出する一方で基準ターゲットを用い
て投影光学系忙対する＠２の光学系の相対位置を検出し
、こｎら両検出結果に基づいて投影光学系に対するウェ
ーバ位置を求め、これにより高精度の位置決めを行なう
ことができるので、ウエーノ１のターゲットｙｉｔｌｌ
実に検出することができるとともに、干渉縞、ゴースト
儂の発生を防止して高精度のアライメンｌ’行なうこと
ができるという効果を奏する。
の装置！によれば、投影光学系とは別個に高開口数のレ
ンズを有する［２の光学系を並設し、ウェー・〜をこの
第２の光学系にて検出する一方で基準ターゲットを用い
て投影光学系忙対する＠２の光学系の相対位置を検出し
、こｎら両検出結果に基づいて投影光学系に対するウェ
ーバ位置を求め、これにより高精度の位置決めを行なう
ことができるので、ウエーノ１のターゲットｙｉｔｌｌ
実に検出することができるとともに、干渉縞、ゴースト
儂の発生を防止して高精度のアライメンｌ’行なうこと
ができるという効果を奏する。
第１図は本発明装置の構成図、ＷＪ２図（Ａ）〜（Ｃ）
はターゲットの平面図、第３図（Ａ）。 （Ｂ）は検出作用状態を示す図である。 １・・・マスク、１ａ・・・ターゲット、２・・・ウェ
ー７Ｓ。 ２ａ・・・ターゲット、５・・・投影光学系、６・・・
ＸＹテーブル、７・・・基準ターゲット、７ａ・・・タ
ーゲット、１５・・・検出部、１６・・・Ｗｃ２の光学
系、２１・・照明部、２５・・・検出部、２６・・・対
物レンズ、２７・・・測長機、２８・・・制御部。
はターゲットの平面図、第３図（Ａ）。 （Ｂ）は検出作用状態を示す図である。 １・・・マスク、１ａ・・・ターゲット、２・・・ウェ
ー７Ｓ。 ２ａ・・・ターゲット、５・・・投影光学系、６・・・
ＸＹテーブル、７・・・基準ターゲット、７ａ・・・タ
ーゲット、１５・・・検出部、１６・・・Ｗｃ２の光学
系、２１・・照明部、２５・・・検出部、２６・・・対
物レンズ、２７・・・測長機、２８・・・制御部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ターゲットの検出可能なマスクパターンの投影光
学系とは別個に設けたレンズを有する第２の光学系によ
りウェーハのターゲットを検出する一方、前記投影光学
系と第２の光学系の夫々で基準ターゲットＹ検出するこ
と罠より投影光学系虻対する第２の光学系の相対位置を
検出し、こｎにより前記投影光学系に対するウェーハ位
置を求めてウェーハのアライメントを行なうことｌ特徴
とするアライメント方法。 ２、第２の光学系では検出用の光に白色光を使用してな
る特許請求の範囲第１項記載のアライメント方法。 ３、マスクパターン１投影する投影光学系と、レンズ１
肩しかつ前記投影光学系に隣設した＠２の光学系と、そ
の上部にウェーハと基準ターゲットＶ並設し、こｎらウ
ェーハと基準ターゲットとを前記投影光学系とｊ４２の
光学系との間で移動させ得るＸＹテーブルと、このＸＹ
テーブルの移動量を検出する測長機とｔ備え、前記投影
光学系は基準ターゲットとマスクターゲットＶ検出し、
前記ｉＲ２の光学系は基準ターゲットとウエーノ・のタ
ーゲッｌ’検出できるように夫々構成し、かつこれらの
検出結果に基づいて前記ＸＹテーブルを制御できるよう
に構成したことｌ特徴とするアライメント装置。 ４、第２の光学系は白色光源を有してなる特許請求の範
囲第３項記載のアライメント装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104454A JPS587824A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | アライメント方法およびその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56104454A JPS587824A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | アライメント方法およびその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS587824A true JPS587824A (ja) | 1983-01-17 |
Family
ID=14381057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56104454A Pending JPS587824A (ja) | 1981-07-06 | 1981-07-06 | アライメント方法およびその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS587824A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61244030A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Nec Corp | パタ−ンジエネレ−タ |
| JPS63281427A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US4853745A (en) * | 1987-07-03 | 1989-08-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5356975A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-23 | Hitachi Ltd | Exposure apparatus |
| JPS53105376A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Positioning unit |
-
1981
- 1981-07-06 JP JP56104454A patent/JPS587824A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5356975A (en) * | 1976-11-01 | 1978-05-23 | Hitachi Ltd | Exposure apparatus |
| JPS53105376A (en) * | 1977-02-25 | 1978-09-13 | Hitachi Ltd | Positioning unit |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61244030A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Nec Corp | パタ−ンジエネレ−タ |
| JPH0515053B2 (ja) * | 1985-04-22 | 1993-02-26 | Nippon Electric Co | |
| JPS63281427A (ja) * | 1987-05-14 | 1988-11-17 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
| US4853745A (en) * | 1987-07-03 | 1989-08-01 | Nikon Corporation | Exposure apparatus |
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