JPS63272029A - 投影露光方法 - Google Patents
投影露光方法Info
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- JPS63272029A JPS63272029A JP62104566A JP10456687A JPS63272029A JP S63272029 A JPS63272029 A JP S63272029A JP 62104566 A JP62104566 A JP 62104566A JP 10456687 A JP10456687 A JP 10456687A JP S63272029 A JPS63272029 A JP S63272029A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分計）
本発明は例えば半導体装置の製造などに用いられるステ
ップアンドリピート方式による投影露光方法の改良に関
する。
ップアンドリピート方式による投影露光方法の改良に関
する。
（従来の技術）
半導体装置や液晶ディスプレイ装置の製造においては、
レジストを塗布し九基板に７オトマスクのパターンを投
影露光することが広く行なわれている。これは第８図に
示すように、第１のフォトマスク（１）のパターンを投
影露光する丸めの投影光学系（２）と、これに対して固
定的に設けられたＸ方向アライメント顕微鏡（３）、Ｙ
方向アライメント顕微鏡（４）、θ角度方向アライメン
ト顕微＊ （５）の３個のアライメント顕微鏡と、これ
らに対してＸ方向（６）、Ｙ方向（７）ｏ角度方向１８
）に移動自在なＸＹθテーブルα呻とを設けて、とのＸ
ＹθテーブルＱ（１にレジストを塗布した基板αυを載
置する。そして、このレジスト塗布基板ｕ１）（以下基
板と称す）上に第１のフォトマスク（１）を用いてその
パターンを投影露光し潜像（１２ａ）を得る。次にＸＹ
ｅテーブルを所定ピッチ移動させ、同様にして潜像（１
２ａ）を得る。このようなステップアンドリピート方式
により復ａ個の潜像を得て、第１回の露光が終り、これ
に位置決め用のＸ基準マークｕ９．Ｙｆｔ準マークリｅ
、θ基準マーク（Ｌ７）を投影露光してから、この基板
μυをＸＹθテーブルｕＩｂら外し、他の基板に同様な
露光を行なう。次に第１回の露光が終り、現儂処理後再
びレジストが塗布された基板（１１）に重ねて第２回の
露光をステップアンドリピート方式により行ない、露光
が終りて、例えば再び１像工程に送られること（こなる
。この第２回の露光に際しては、微細なパターンを重ね
合わせるため、投影光学系（２）と基板αυとの位置関
係は、第１回の露光における位置関係と高精度に一致さ
せなければならない。このために、上述の位置決め用基
準マー り（ｔ！１９．α１．１１ηトアライメント顕
微Ｊ！ １３） ｌ （４） Ｉ （５）とにより高ａ
度な位置決めが行なわれている。そして、これは光電顕
微鏡（至）などを用いて自動で位置決めが行なわれてい
るのが現状である。
レジストを塗布し九基板に７オトマスクのパターンを投
影露光することが広く行なわれている。これは第８図に
示すように、第１のフォトマスク（１）のパターンを投
影露光する丸めの投影光学系（２）と、これに対して固
定的に設けられたＸ方向アライメント顕微鏡（３）、Ｙ
方向アライメント顕微鏡（４）、θ角度方向アライメン
ト顕微＊ （５）の３個のアライメント顕微鏡と、これ
らに対してＸ方向（６）、Ｙ方向（７）ｏ角度方向１８
）に移動自在なＸＹθテーブルα呻とを設けて、とのＸ
ＹθテーブルＱ（１にレジストを塗布した基板αυを載
置する。そして、このレジスト塗布基板ｕ１）（以下基
板と称す）上に第１のフォトマスク（１）を用いてその
パターンを投影露光し潜像（１２ａ）を得る。次にＸＹ
ｅテーブルを所定ピッチ移動させ、同様にして潜像（１
２ａ）を得る。このようなステップアンドリピート方式
により復ａ個の潜像を得て、第１回の露光が終り、これ
に位置決め用のＸ基準マークｕ９．Ｙｆｔ準マークリｅ
、θ基準マーク（Ｌ７）を投影露光してから、この基板
μυをＸＹθテーブルｕＩｂら外し、他の基板に同様な
露光を行なう。次に第１回の露光が終り、現儂処理後再
びレジストが塗布された基板（１１）に重ねて第２回の
露光をステップアンドリピート方式により行ない、露光
が終りて、例えば再び１像工程に送られること（こなる
。この第２回の露光に際しては、微細なパターンを重ね
合わせるため、投影光学系（２）と基板αυとの位置関
係は、第１回の露光における位置関係と高精度に一致さ
せなければならない。このために、上述の位置決め用基
準マー り（ｔ！１９．α１．１１ηトアライメント顕
微Ｊ！ １３） ｌ （４） Ｉ （５）とにより高ａ
度な位置決めが行なわれている。そして、これは光電顕
微鏡（至）などを用いて自動で位置決めが行なわれてい
るのが現状である。
シカルニ、上述ノ各Ｘ、 ｙ、θ基準マー ｐ ｌ、ｔ
ｅ ｌ （ｔｏ 。
ｅ ｌ （ｔｏ 。
（１７）が、前後工程中において、損傷、あるいは汚染
した場合には、位置決めが困難、あるいは不可能になる
不都合があった。
した場合には、位置決めが困難、あるいは不可能になる
不都合があった。
毛
（発明が解決しようとする問題）
上述したように、各基準マークが損傷あるいは汚染した
場合は、位置決めが困難になる不都合がある。
場合は、位置決めが困難になる不都合がある。
本発明は、上述の不都合を除去するためになされたもの
で、基準マークが一部損傷、汚染しても確実（こ位置決
めができる投影露光方法を提供することを目的とする。
で、基準マークが一部損傷、汚染しても確実（こ位置決
めができる投影露光方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明はＸ方向
、Ｙ方向、０角度方向に移動自在なＸＹθテーブル上に
レジスト塗布基板を載置しこのレジスト塗布基板上にｉ
ｌのフォトマスクのパターンを投影光学系を介して投影
しステップアンドリピート方式により露光するとともに
Ｘ方向、Ｙ方向、θ角変方向の位置決めのためのＸ基準
マーク、Ｙ基準マーク、θ基準マークを露光した後）Ｉ
ｔ 濃し、その後、レジストを塗布して再び上記ＸＹθ
テーブル上に載置し上記投影光学系近傍に設けられ九Ｘ
方向アライメント顕微鏡、Ｙ方向アライメントＷＩ微境
、θ角度アライメント顕微鏡と上記Ｘ基準マーク、Ｙ基
準マーク、θ基準マークとで上記レジスト＆布部板を位
置決めする投影露光方法において、 上記Ｘ基準マーク、Ｙ基準マーク、θ基準マークを複数
組設けたことを特徴とする投影露光方法である。
、Ｙ方向、０角度方向に移動自在なＸＹθテーブル上に
レジスト塗布基板を載置しこのレジスト塗布基板上にｉ
ｌのフォトマスクのパターンを投影光学系を介して投影
しステップアンドリピート方式により露光するとともに
Ｘ方向、Ｙ方向、θ角変方向の位置決めのためのＸ基準
マーク、Ｙ基準マーク、θ基準マークを露光した後）Ｉ
ｔ 濃し、その後、レジストを塗布して再び上記ＸＹθ
テーブル上に載置し上記投影光学系近傍に設けられ九Ｘ
方向アライメント顕微鏡、Ｙ方向アライメントＷＩ微境
、θ角度アライメント顕微鏡と上記Ｘ基準マーク、Ｙ基
準マーク、θ基準マークとで上記レジスト＆布部板を位
置決めする投影露光方法において、 上記Ｘ基準マーク、Ｙ基準マーク、θ基準マークを複数
組設けたことを特徴とする投影露光方法である。
すなわち、各基準マークを複数組設けることにより、こ
れらマークの一部が損傷、汚染しても他のマークを用い
て位置決めが可能なステップアンドリピート方式による
投影４光方法である。
れらマークの一部が損傷、汚染しても他のマークを用い
て位置決めが可能なステップアンドリピート方式による
投影４光方法である。
（実施例）
以下、本発明の詳細を第１図ないし第７図を参照して一
実施例により説明する。
実施例により説明する。
最初に、本発明方法の実施に使用した装置につき説明す
る。（３１）はＸＹθテーブルで、Ｘ方向（３２）に移
動するＸテーブル（３３）と、Ｙ方向（３４）に移動す
るＹテーブル（３５）と、水平面内で回動するθテーブ
ル（３６）とからなっていて、図示しない駆動回路によ
り外部指令に基づいて駆動される。 このＸＹθテーブ
ル（３１）の上方には、投影光学系（４１）が設置され
ていて、これの上方のフォトマスク（１）のパターンを
ＸＹθテーブル（３１）上に投影結像する。これに近接
してＸ方向（３２）の位置決め用のＸ方向アライメント
顕微鏡（４２）、Ｙ方向（３４）の位１〃決め用のＹ方
向アライメント顕微ａ （４３）および角度位置決め用
のθ角度アライメント顕微鏡（４４）が設けられている
。またＸＹθテーブル（３１）の−隅上方に光電顕微＠
（４６）が設置されている。これは一般公知のものな
ので、略述すると、検出される基準マーク（４８）は第
４図に示すように、例えば１辺ｌＯμ肩で厚さが０．２
μ簿の薄膜からなるマーク片（４９） 、・・・、を−
列に離間して配置して構成されている。そして、光電顕
微鏡（４６）からのレーザ光（５０）は、わずかに振動
（揺′ａ）しながら、アライメント顕微鏡（５１）に入
り、第４図に示すように基準マーク（４８）を挾んで振
動しながら基準マーク（４８）を照射する。これにより
マーク片（４９）の両端エツジ部からの強い散乱光がア
ライメント顕微鏡（５１）に入射し、これが図示しない
反射光検出器に送られ、この強い散乱光の信号から両端
エツジ部の位置を検出し、その中心位置が検出され、こ
れをアライメント顕微ｉａｌ （５１）の中心と一致さ
せて位置決めする。
る。（３１）はＸＹθテーブルで、Ｘ方向（３２）に移
動するＸテーブル（３３）と、Ｙ方向（３４）に移動す
るＹテーブル（３５）と、水平面内で回動するθテーブ
ル（３６）とからなっていて、図示しない駆動回路によ
り外部指令に基づいて駆動される。 このＸＹθテーブ
ル（３１）の上方には、投影光学系（４１）が設置され
ていて、これの上方のフォトマスク（１）のパターンを
ＸＹθテーブル（３１）上に投影結像する。これに近接
してＸ方向（３２）の位置決め用のＸ方向アライメント
顕微鏡（４２）、Ｙ方向（３４）の位１〃決め用のＹ方
向アライメント顕微ａ （４３）および角度位置決め用
のθ角度アライメント顕微鏡（４４）が設けられている
。またＸＹθテーブル（３１）の−隅上方に光電顕微＠
（４６）が設置されている。これは一般公知のものな
ので、略述すると、検出される基準マーク（４８）は第
４図に示すように、例えば１辺ｌＯμ肩で厚さが０．２
μ簿の薄膜からなるマーク片（４９） 、・・・、を−
列に離間して配置して構成されている。そして、光電顕
微鏡（４６）からのレーザ光（５０）は、わずかに振動
（揺′ａ）しながら、アライメント顕微鏡（５１）に入
り、第４図に示すように基準マーク（４８）を挾んで振
動しながら基準マーク（４８）を照射する。これにより
マーク片（４９）の両端エツジ部からの強い散乱光がア
ライメント顕微鏡（５１）に入射し、これが図示しない
反射光検出器に送られ、この強い散乱光の信号から両端
エツジ部の位置を検出し、その中心位置が検出され、こ
れをアライメント顕微ｉａｌ （５１）の中心と一致さ
せて位置決めする。
次に本発明の詳細な説明する。従来例におけると同様に
、まず、ＸＹｔテーブル（３１）上にレジストを塗布し
た基板（ＩＩＣ）を、例えば位置決めピンなどにより粗
位置決めの状態で載置する。次に第１のフォトマスク（
１ａ）を上方に装着して基板（ｔｔｃ）上にパターンを
投影露光し、上述したステップアンドリピート方式によ
り、第５図に示すように６個のａ儂（１２Ｃ） 、・・
・を得て、続いて潜像（１２Ｃ） 、・・・には光が入
らないようにしてＸ方向（３２）の位置決めをするため
のＸ基準マーク（５５ａ） 、 （５５ｂ） 。
、まず、ＸＹｔテーブル（３１）上にレジストを塗布し
た基板（ＩＩＣ）を、例えば位置決めピンなどにより粗
位置決めの状態で載置する。次に第１のフォトマスク（
１ａ）を上方に装着して基板（ｔｔｃ）上にパターンを
投影露光し、上述したステップアンドリピート方式によ
り、第５図に示すように６個のａ儂（１２Ｃ） 、・・
・を得て、続いて潜像（１２Ｃ） 、・・・には光が入
らないようにしてＸ方向（３２）の位置決めをするため
のＸ基準マーク（５５ａ） 、 （５５ｂ） 。
Ｙ方向（３４）の位置決めをする丸めのＹ基準マーク（
５６ａ） 、 （５６ｂ） 、角度方向の位置決めをす
るためのθ基準マーク（５７ａ） 、 （５７ｂ）を投
影露光した後、この基板（ｔｔｃ）をＸＹθテーブル（
３１）から取外し、現像、再塗布の工程に送る。そこで
、基板（ｌｔｃ）は現像され、再びその上にレジストが
塗布されて送られて来る。次にこの基板（ｌｉｅ）は再
びＸＹθテーブル（３１）上に載置され粗位置決めされ
る。次に光電顕微ｍ （４６）を用いて、Ｙ方向アライ
メント顕微鏡（４３）とＸ基準マーク（５６ａ） 、
θ角度アライメント顕微鏡（４４）とθ基準マーク（
５７ａ） 、 Ｘ方向アライメント顕微鏡（４２）とＸ
基準マーク（５５ａ）とが順次位置合わせされる。これ
らの操作は、すベテマイクロコンビ二一夕を臭え九図示
しない制御部によりなされる。この際基準マーク（５５
ａ） 、 （５６ａ） 。
５６ａ） 、 （５６ｂ） 、角度方向の位置決めをす
るためのθ基準マーク（５７ａ） 、 （５７ｂ）を投
影露光した後、この基板（ｔｔｃ）をＸＹθテーブル（
３１）から取外し、現像、再塗布の工程に送る。そこで
、基板（ｌｔｃ）は現像され、再びその上にレジストが
塗布されて送られて来る。次にこの基板（ｌｉｅ）は再
びＸＹθテーブル（３１）上に載置され粗位置決めされ
る。次に光電顕微ｍ （４６）を用いて、Ｙ方向アライ
メント顕微鏡（４３）とＸ基準マーク（５６ａ） 、
θ角度アライメント顕微鏡（４４）とθ基準マーク（
５７ａ） 、 Ｘ方向アライメント顕微鏡（４２）とＸ
基準マーク（５５ａ）とが順次位置合わせされる。これ
らの操作は、すベテマイクロコンビ二一夕を臭え九図示
しない制御部によりなされる。この際基準マーク（５５
ａ） 、 （５６ａ） 。
（５７ａ）に損傷、汚染があった場合は、直ちにＸ基準
マーク（ｓｓｂ） 、 Ｙ基準マーク（５６ｂ）、１９
基準マーク（５７ｂ）が適宜選択使用される。この手順
は第２図に示すフローチャートに従って行なわれる０ま
た、位置決めにおけるテーブル（３１）の位置は、Ｘ方
向（３２）、Ｙ方向（３４） ｉＣ沿って投射される位
置検出用のレーザ光（６１）、 （６２）により高精度
な位置決めがなされる０上述したようにして、各アライ
メント顕微鏡（４２） 、 （４３） 、 （４４）と
各基準マーク（５６ａ） 。
マーク（ｓｓｂ） 、 Ｙ基準マーク（５６ｂ）、１９
基準マーク（５７ｂ）が適宜選択使用される。この手順
は第２図に示すフローチャートに従って行なわれる０ま
た、位置決めにおけるテーブル（３１）の位置は、Ｘ方
向（３２）、Ｙ方向（３４） ｉＣ沿って投射される位
置検出用のレーザ光（６１）、 （６２）により高精度
な位置決めがなされる０上述したようにして、各アライ
メント顕微鏡（４２） 、 （４３） 、 （４４）と
各基準マーク（５６ａ） 。
（５７ａ）、 （５５ａ） とが一致した後は、基板
（ｔ ｔｃ）と投影光学系（４１）との相対的位置関係
と、第１回の露光の際の相対的位置関係とは、高精度に
一致させることができる０そこで第２のマスク（１ｂ）
を装着し、ステップアンドリピート方式により投影露光
し、第７図に示すように重ね露光による潜像（１２ｄ）
。
（ｔ ｔｃ）と投影光学系（４１）との相対的位置関係
と、第１回の露光の際の相対的位置関係とは、高精度に
一致させることができる０そこで第２のマスク（１ｂ）
を装着し、ステップアンドリピート方式により投影露光
し、第７図に示すように重ね露光による潜像（１２ｄ）
。
・・・が得れる。
なお、本実施例においては、基準マークを２組設けたが
、これに限定されず３組以上設けてもよい０ 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明の投影露光方法は、基準マ
ークを複数組設けて構成し九ので、中間の現像工程など
で基準マークの一部が損傷したり、汚染しても直ちに別
の基準マークによゆ位置決めができ、自動位置決め露光
によるステップアンドリピート方式の位置決め不能など
は解消されるため、歩留り向上、生産性向上に益すると
ころ極めて大である。
、これに限定されず３組以上設けてもよい０ 〔発明の効果〕 以上詳述したように、本発明の投影露光方法は、基準マ
ークを複数組設けて構成し九ので、中間の現像工程など
で基準マークの一部が損傷したり、汚染しても直ちに別
の基準マークによゆ位置決めができ、自動位置決め露光
によるステップアンドリピート方式の位置決め不能など
は解消されるため、歩留り向上、生産性向上に益すると
ころ極めて大である。
第１図は本発明の一実施例に使用し九投影露光装置の斜
視図、第２図は同じく一実施例のフローチャート、第３
図は同じく一実施例に用いた光電顕微鏡の作用説明図、
第４図は同じく一実施例の基準マークの説明図、第５図
ないし第７図は同じく露光説明図、第８図は従来例の説
明斜視図である０ （１Ｍ）・・・第１のフォトマスク。 （ｔｔｃ）・・・レジスト塗布基板。 （３１）・・・ＸＹθテーブル。 （３２）・・・Ｘ方向。 （３４）・・・Ｙ方向。 （４１）・・・投光光学系。 （４２）・・・Ｘ方向アライメント顕微鏡。 （４３）・・・Ｙ方向アライメント顕微鏡。 （４４）・・・θ角度アライメント顕微碑。 （５５ａ）、 （５５ｂ）−Ｘ基準マーク。 （５６ａ）、 （５６ｂ） ・Ｙ基準マーク。 （５７ａ） 、 （５７ｂ）−ａ 基ＩＬ ｆｆ −り
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光速 第１ＩＩ Ｉｓ ｚ 図 第８図
視図、第２図は同じく一実施例のフローチャート、第３
図は同じく一実施例に用いた光電顕微鏡の作用説明図、
第４図は同じく一実施例の基準マークの説明図、第５図
ないし第７図は同じく露光説明図、第８図は従来例の説
明斜視図である０ （１Ｍ）・・・第１のフォトマスク。 （ｔｔｃ）・・・レジスト塗布基板。 （３１）・・・ＸＹθテーブル。 （３２）・・・Ｘ方向。 （３４）・・・Ｙ方向。 （４１）・・・投光光学系。 （４２）・・・Ｘ方向アライメント顕微鏡。 （４３）・・・Ｙ方向アライメント顕微鏡。 （４４）・・・θ角度アライメント顕微碑。 （５５ａ）、 （５５ｂ）−Ｘ基準マーク。 （５６ａ）、 （５６ｂ） ・Ｙ基準マーク。 （５７ａ） 、 （５７ｂ）−ａ 基ＩＬ ｆｆ −り
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 松山光速 第１ＩＩ Ｉｓ ｚ 図 第８図
Claims (1)
- （１）Ｘ方向、Ｙ方向、θ角度方向に移動自在なＸＹθ
テーブル上にレジスト塗布基板を載置しこのレジスト塗
布基板上に第１のフォトマスクのパターンを投影光学系
を介して投影しステップアンドリピート方式により露光
するとともにＸ方向、Ｙ方向、θ角度方向の位置決めの
ためのＸ基準マーク、Ｙ基準マーク、θ基準マークを露
光した後現像し、その後、レジストを塗布して再び上記
ＸＹθテーブル上に載置し上記投影光学系近傍に設けら
れたＸ方向アライメント顕微鏡、Ｙ方向アライメント顕
微鏡、θ角度アライメント顕微鏡と上記Ｘ基準マーク、
Ｙ基準マーク、θ基準マークとで上記レジスト塗布基板
を位置決めする投影露光方法において、 上記Ｘ基準マーク、Ｙ基準マーク、θ基準マークを複数
組設けたことを特徴とする投影露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104566A JPS63272029A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 投影露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62104566A JPS63272029A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 投影露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63272029A true JPS63272029A (ja) | 1988-11-09 |
Family
ID=14384002
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62104566A Pending JPS63272029A (ja) | 1987-04-30 | 1987-04-30 | 投影露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63272029A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011191307A (ja) * | 2011-03-25 | 2011-09-29 | Sony Corp | 補正用治具 |
-
1987
- 1987-04-30 JP JP62104566A patent/JPS63272029A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011191307A (ja) * | 2011-03-25 | 2011-09-29 | Sony Corp | 補正用治具 |
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