JPS6124316A - 高周波伝送路を有する可変バイアス回路 - Google Patents
高周波伝送路を有する可変バイアス回路Info
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- JPS6124316A JPS6124316A JP14063985A JP14063985A JPS6124316A JP S6124316 A JPS6124316 A JP S6124316A JP 14063985 A JP14063985 A JP 14063985A JP 14063985 A JP14063985 A JP 14063985A JP S6124316 A JPS6124316 A JP S6124316A
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- JP
- Japan
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- variable bias
- bias circuit
- transistor
- output terminal
- high frequency
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
- G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
- G05F3/02—Regulating voltage or current
- G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
- G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
- G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
- G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
- G05F3/24—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the field-effect type only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
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- H03H11/46—One-port networks
- H03H11/48—One-port networks simulating reactances
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、高周波伝送路を有する可変バインス回路であ
って、制御端子に供給された直流制御電圧の変化に応じ
て可変バイアス電圧を発生する出力端子を備え、高周波
信号を入力端子から出力端子へ小さい減衰と共に伝送し
、前記入力端子及び出ノｊ端子を減結合コンデンサを介
して相互接続する高周波伝送路を有する可変７１４７７
回路に関する。
って、制御端子に供給された直流制御電圧の変化に応じ
て可変バイアス電圧を発生する出力端子を備え、高周波
信号を入力端子から出力端子へ小さい減衰と共に伝送し
、前記入力端子及び出ノｊ端子を減結合コンデンサを介
して相互接続する高周波伝送路を有する可変７１４７７
回路に関する。
かかる形式の回路は、刊行物゛′ レイディオニアンド
・テレビンヨン・エンジニアーズ・レファレンス彎ブッ
ク（Ｒａｄｉｏ ａｎｄ Ｔｅ１ｅｖｉｓｉｏｎ Ｅｎ
ｇｉｎｅ、ｅｒｓＲｅｆｅｒｅｎｃｅ ［１ｏｏｋ）”
、１−４８及びｌ−６３頁に記載されている。減結合コ
ンデンサに加えこの回路は制御端子を出力端子に接続す
る高インダクタンスのコイルを備えている。この従来の
回路では、コイルは無視てきるインピーダンスを有する
から、直流制御電圧は出力端子に直接供給する。しかし
高−波動作に当りコンデンサは極めて小さいインピーダ
ンスを有しかつコイルは極めて大きいインピーダンスを
有するので、高周波信号は減衰されることなく入力端子
から出力端子へ伝送される。しかしこの既知の形式の回
路は、コンデンサ及びコイルが大きい表面積を必要とす
るから集積化するのが容易でなく、集積化すると価格が
大幅に増大するという欠点を有している。
・テレビンヨン・エンジニアーズ・レファレンス彎ブッ
ク（Ｒａｄｉｏ ａｎｄ Ｔｅ１ｅｖｉｓｉｏｎ Ｅｎ
ｇｉｎｅ、ｅｒｓＲｅｆｅｒｅｎｃｅ ［１ｏｏｋ）”
、１−４８及びｌ−６３頁に記載されている。減結合コ
ンデンサに加えこの回路は制御端子を出力端子に接続す
る高インダクタンスのコイルを備えている。この従来の
回路では、コイルは無視てきるインピーダンスを有する
から、直流制御電圧は出力端子に直接供給する。しかし
高−波動作に当りコンデンサは極めて小さいインピーダ
ンスを有しかつコイルは極めて大きいインピーダンスを
有するので、高周波信号は減衰されることなく入力端子
から出力端子へ伝送される。しかしこの既知の形式の回
路は、コンデンサ及びコイルが大きい表面積を必要とす
るから集積化するのが容易でなく、集積化すると価格が
大幅に増大するという欠点を有している。
本発明の目的は、この欠点を緩和し、小さい表面積上に
容易に集積化できる高周波伝送路を有する可変バイアス
回路を提供するにある。
容易に集積化できる高周波伝送路を有する可変バイアス
回路を提供するにある。
本発明は、高周波伝送路を有する可変７１４７７回路で
あって、制御端子に供給された直流制御電圧の変化に応
じて可変バイアス電圧を発生ずる出力端子を備え、高周
波信号を入力端子から出力端子へ小さい減衰と共に伝送
し、前記人ノコ端子及び出力端子を減結合コンデンサを
介して相互接続する高周波伝送路を有する可変バイアス
回路において、第１電界効果トランジスタを備え、その
ソースを定電流発生器によって駆動し、かつ出力端子に
接続し、前記トランジスタのゲートを抵抗を介して制御
端子に接続し、かつ容量素子を介して前記トランジスタ
のソースに接続する如く構成したことを特徴とする。
あって、制御端子に供給された直流制御電圧の変化に応
じて可変バイアス電圧を発生ずる出力端子を備え、高周
波信号を入力端子から出力端子へ小さい減衰と共に伝送
し、前記人ノコ端子及び出力端子を減結合コンデンサを
介して相互接続する高周波伝送路を有する可変バイアス
回路において、第１電界効果トランジスタを備え、その
ソースを定電流発生器によって駆動し、かつ出力端子に
接続し、前記トランジスタのゲートを抵抗を介して制御
端子に接続し、かつ容量素子を介して前記トランジスタ
のソースに接続する如く構成したことを特徴とする。
従って、後で詳述するように、電界効果トランジスタは
一定のドレイン・ソース電流と共に作動し、これは、ト
レイン・ソース電圧が充分高く、典型的にはＩＶより高
い場合一定のゲート・ソース電圧での作動に対応する。
一定のドレイン・ソース電流と共に作動し、これは、ト
レイン・ソース電圧が充分高く、典型的にはＩＶより高
い場合一定のゲート・ソース電圧での作動に対応する。
ゲートに供給される電圧は直流制御電圧にほぼ等しいか
ら、出力端子におけるバイ゛アス電圧は制御電圧の直線
性関数となり、従ってこの制御電圧の変化に追従する。
ら、出力端子におけるバイ゛アス電圧は制御電圧の直線
性関数となり、従ってこの制御電圧の変化に追従する。
高周波数に対し容量素子は電界効果トランジスタのゲー
ト及びソース間において短絡回路を構成し、その場合こ
のトランジスタはゼロ・ボルトのゲート・ソース交番電
圧と共に作動するので、このトランジスタは高い出力イ
ンピーダンスを有する。
ト及びソース間において短絡回路を構成し、その場合こ
のトランジスタはゼロ・ボルトのゲート・ソース交番電
圧と共に作動するので、このトランジスタは高い出力イ
ンピーダンスを有する。
上記抵抗自体は大きい値を有するから、本発明の可変バ
イアス回路は減衰を伴わないか又は極めて小さい減衰を
伴うだけで高周波信号を伝送する。
イアス回路は減衰を伴わないか又は極めて小さい減衰を
伴うだけで高周波信号を伝送する。
本発明の可変バイアス回路の好適な実施例では、前記定
電流発生器が第２電界効果トランジスタを備え、このト
ランジスタのドレイン及びソースの間の電流が直流制御
電圧の変化に際しほぼ一定に維持される。
電流発生器が第２電界効果トランジスタを備え、このト
ランジスタのドレイン及びソースの間の電流が直流制御
電圧の変化に際しほぼ一定に維持される。
本発明の可変バイアス回路は原理的に２個の電界効果ト
ランジスタを備えるから、特に、容量素子を逆バイアス
されるダイオードで構成した場合小さい表面積上に集積
化することができる。
ランジスタを備えるから、特に、容量素子を逆バイアス
されるダイオードで構成した場合小さい表面積上に集積
化することができる。
以下図面につき本発明の詳細な説明する。
第１図は高周波伝送路を有する可変バイアス回路を示し
、その出力端子１２には、制御端子１３に供給された直
流制御電圧ｖｃの変化に応じて変化する電圧Ｖ。が発生
する。この回路は高周波信号を入力端子１４から出力端
子１２へ小さい減衰と共に伝送し、前記入力端子及び出
力端子は減結合コンデンサ１５を介して相互接続する。
、その出力端子１２には、制御端子１３に供給された直
流制御電圧ｖｃの変化に応じて変化する電圧Ｖ。が発生
する。この回路は高周波信号を入力端子１４から出力端
子１２へ小さい減衰と共に伝送し、前記入力端子及び出
力端子は減結合コンデンサ１５を介して相互接続する。
第１図から明らかなように、本発明の可変バイアス回路
は第１電界効果トランジスタ１１を備え、そのソースＳ
１を定電流発生器２２によって駆動し、かつ出力端子１
２に接続する。更にトランジスタ１１のゲートＧｌは抵
抗Ｒ１を介して制御端子１３に接続し、かつ容量素子１
６を介してこのトランジスタ１１のソースＳ１に接続す
る。
は第１電界効果トランジスタ１１を備え、そのソースＳ
１を定電流発生器２２によって駆動し、かつ出力端子１
２に接続する。更にトランジスタ１１のゲートＧｌは抵
抗Ｒ１を介して制御端子１３に接続し、かつ容量素子１
６を介してこのトランジスタ１１のソースＳ１に接続す
る。
トランジスタ１１のゲート電流は数ナノアンペア程度な
ので、抵抗Ｒ１（数キロオームの値を有する）の両端子
間の電圧降下は無視でき、従ってゲート電圧ＶＧＩは １、ｔＧｌ ＝ １．１゜ となる。。
ので、抵抗Ｒ１（数キロオームの値を有する）の両端子
間の電圧降下は無視でき、従ってゲート電圧ＶＧＩは １、ｔＧｌ ＝ １．１゜ となる。。
従って出力端子１２におけるバイアス電圧Ｖ。はトラン
ジスタ１１のゲート・ソース電圧を（ＶＧｓ） ＋で表
すと Ｖｏ ＝ ＶＣ−（Ｖｃｓ） ＋ （１）となる。
ジスタ１１のゲート・ソース電圧を（ＶＧｓ） ＋で表
すと Ｖｏ ＝ ＶＣ−（Ｖｃｓ） ＋ （１）となる。
ｉｏは定電流発生器２２によって供給される電流を示す
。第２図は、トランジスタ１１のゲート・ソース電圧（
ＶＣＳ）＋がドレイン・ソース電圧（ν９．〉１の充分
高い値に対してはほぼ一定となり、典型的には数ボルト
となることを示している。従って電圧Ｖ。
。第２図は、トランジスタ１１のゲート・ソース電圧（
ＶＣＳ）＋がドレイン・ソース電圧（ν９．〉１の充分
高い値に対してはほぼ一定となり、典型的には数ボルト
となることを示している。従って電圧Ｖ。
及びＶ。の間の関係式（１）は直線性となる。特に、電
流発生器２２によって供給される電流がトランジスタ１
１の最大電流（ｌｏｓｓ）＋に等しい場合、電圧（Ｖｏ
、）、がゼロとなり、 ｖｏ−ｖｏ（２） となるので、バイアス電圧Ｖ。は、第４図から明らかな
ように、少なくともある範囲内では制御電圧Ｖｃの変化
に正確に追随する。
流発生器２２によって供給される電流がトランジスタ１
１の最大電流（ｌｏｓｓ）＋に等しい場合、電圧（Ｖｏ
、）、がゼロとなり、 ｖｏ−ｖｏ（２） となるので、バイアス電圧Ｖ。は、第４図から明らかな
ように、少なくともある範囲内では制御電圧Ｖｃの変化
に正確に追随する。
＄３図は本発明による可変バイアス回路の実施例を詳細
に示し、本例においては定電流発生器２２が第２電界効
果トランジスタ２２を備えている。第３図に示した如く
、この第２トランジスタ２２はそのゲート・ソース電圧
（ν、、＞２＝０と共に作動する。
に示し、本例においては定電流発生器２２が第２電界効
果トランジスタ２２を備えている。第３図に示した如く
、この第２トランジスタ２２はそのゲート・ソース電圧
（ν、、＞２＝０と共に作動する。
従ってトランジスタ２２の充分高いドレイン・ソース電
圧（（ＩＩＧｓ）２＞ ｌ１１） に対してはドレイ
ンＤ２及びＳ２の間の電流（Ｌｓ）２は、直流制御電圧
Ｖ。の変化中はぼ一定に維持され、（１０Ｓ５）２に等
しくなる。
圧（（ＩＩＧｓ）２＞ ｌ１１） に対してはドレイ
ンＤ２及びＳ２の間の電流（Ｌｓ）２は、直流制御電圧
Ｖ。の変化中はぼ一定に維持され、（１０Ｓ５）２に等
しくなる。
この場合第１電界効果トランジスタ１１により少なくと
も第２トランジスタ２２の電流（ｌｏｓｓ）２を取扱う
必要があり、従って、 （Ｉ ［１ＳＳ） ２≦（ＩＤＳＳ） ＋となる必要が
あることは明らかである。２個のトランジスタが同一で
あるときには、等しい電流が得られる。２個のトランジ
スタが同一でないとき、両トランジスタのチャネル長さ
が等しい場合には第１電界効果トランジスタ１のチャネ
ル幅を少なくとも第２電界効果トランジスタ２のチャネ
ル幅に等しくする必要が・ある。
も第２トランジスタ２２の電流（ｌｏｓｓ）２を取扱う
必要があり、従って、 （Ｉ ［１ＳＳ） ２≦（ＩＤＳＳ） ＋となる必要が
あることは明らかである。２個のトランジスタが同一で
あるときには、等しい電流が得られる。２個のトランジ
スタが同一でないとき、両トランジスタのチャネル長さ
が等しい場合には第１電界効果トランジスタ１のチャネ
ル幅を少なくとも第２電界効果トランジスタ２のチャネ
ル幅に等しくする必要が・ある。
第１及び３図に示した実施例では第１トランジスタ１１
のトレイン０１に電流制限抵抗Ｒ２を接続する。
のトレイン０１に電流制限抵抗Ｒ２を接続する。
人ノＪＩｆ１子１４に供給される高周波信号Ｖ、に対し
容量素子１６は極めて小さいインピーダンスを有し、短
絡回路として作動するので、該回路のアドミッタンスＹ
は 本発明による可変バイアス回路の利点は、２個の電界効
果トランジスタがＶｇｓ −一定−０と共に作動し、こ
れによりＶａＳの十分高い値に対し低いアドミッタンス
ｇｄｓが生ずることであるａ１０μｍのチャネル幅を有
する砒化ガリウムを電界効果トランジスタに対して１／
ｇｄｓは１２ ｋΩ程度である。
容量素子１６は極めて小さいインピーダンスを有し、短
絡回路として作動するので、該回路のアドミッタンスＹ
は 本発明による可変バイアス回路の利点は、２個の電界効
果トランジスタがＶｇｓ −一定−０と共に作動し、こ
れによりＶａＳの十分高い値に対し低いアドミッタンス
ｇｄｓが生ずることであるａ１０μｍのチャネル幅を有
する砒化ガリウムを電界効果トランジスタに対して１／
ｇｄｓは１２ ｋΩ程度である。
Ｒ１＞５Ｑ ｋΩ及びＲ２＝６００Ωの場合、回路のイ
ンピーダンスは約６にΩである。従って、可変バイアス
電圧を供給すべき回路が６にΩ程度の入力インピーダン
スを有する場合出力信号Ｖ。は人力信号ν、ｊこほぼ等
しくなる。
ンピーダンスは約６にΩである。従って、可変バイアス
電圧を供給すべき回路が６にΩ程度の入力インピーダン
スを有する場合出力信号Ｖ。は人力信号ν、ｊこほぼ等
しくなる。
本発明による可変バイアス回路の利点は、比較的小さい
表面積上に極めて容易に集積化できることである。この
目的のため、第３図から明らかなように、コンデンサ１
５と同様に容量素子１６は、例えば、トランジスタのゲ
ートと同一態様で形成される逆バイアスショットキーダ
イオードで構成する。
表面積上に極めて容易に集積化できることである。この
目的のため、第３図から明らかなように、コンデンサ１
５と同様に容量素子１６は、例えば、トランジスタのゲ
ートと同一態様で形成される逆バイアスショットキーダ
イオードで構成する。
本発明による可変バイアス回路の他の利点は、電力消費
が極めて小さいことである。
が極めて小さいことである。
（Ｖａｓ）１及び（Ｖｏｓ）２に対する好適値は、例え
ば、直流制御電圧Ｖ。の３■の変化に対し回路の端子に
＋５■及び−４■のバイアス電圧Ｖ。及びＶ。
ば、直流制御電圧Ｖ。の３■の変化に対し回路の端子に
＋５■及び−４■のバイアス電圧Ｖ。及びＶ。
をそれぞれ供給することによって得られる。
第１図は本発明の可変バイアス回路の実施例を示す回路
図、 第２図は第１図の作動説明図、 第３図は第１図と同様な実施例を示す回路図、第１Ｉ
ＩＺ＋は第１及び４図の作動説明図である。 １１ 電界効果トランンスク １２・・出力端子 １３・・・制御端子１４・
・・入力端子 ２２・・・定電流発生器特許出
願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペン
ファブリケン 代理人弁理士 杉 村 暁 力 量 弁理士 杉 村 興 作ＦＩＧ
、２ −４ −３ −２ −１ ０ ＶＣ（Ｖ）ＦＩＧ、４
図、 第２図は第１図の作動説明図、 第３図は第１図と同様な実施例を示す回路図、第１Ｉ
ＩＺ＋は第１及び４図の作動説明図である。 １１ 電界効果トランンスク １２・・出力端子 １３・・・制御端子１４・
・・入力端子 ２２・・・定電流発生器特許出
願人 エヌ・ベー・フィリップス・フルーイランペン
ファブリケン 代理人弁理士 杉 村 暁 力 量 弁理士 杉 村 興 作ＦＩＧ
、２ −４ −３ −２ −１ ０ ＶＣ（Ｖ）ＦＩＧ、４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、高周波伝送路を有する可変バイアス回路であって、
制御端子（１３）に供給された直流制御電圧（Ｖ＿Ｃ）
の変化に応じて可変バイアス電圧（Ｖ＿０）を発生する
出力端子（１２）を備え、高周波信号を入力端子（１４
）から出力端子（１２）へ小さい減衰と共に伝送し、前
記入力端子及び出力端子を減結合コンデンサ（１５）を
介して相互接続する高周波伝送路を有する可変バイアス
回路において、第１電界効果トランジスタ（１１）を備
え、そのソース（Ｓ１）を定電流発生器（２２）によっ
て駆動し、かつ出力端子（１２）に接続し、前記トラン
ジスタ（１１）のゲート（Ｇ１）を抵抗（Ｒ１）を介し
て制御端子（１３）に接続し、かつ容量素子（１６）を
介して前記トランジスタ（１１）のソース（Ｓ１）に接
続する如く構成したことを特徴とする高周波伝送路を有
する可変バイアス回路。 ２、前記定電流発生器（２２）が第２電界効果トランジ
スタを備え、このトランジスタのドレイン（Ｄ２）及び
ソース（Ｓ２）の間の電流（（Ｉ＿Ｄ＿Ｓ）＿２）が直
流制御電圧（Ｖ＿Ｃ）の変化に際しほぼ一定に維持され
る特許請求の範囲第１項記載の可変バイアス回路。 ３、両トランジスタのチャネルの長さが等しい場合前記
第１電界効果トランジスタ（１１）のチャネル幅を少な
くとも前記第２電界効果トランジスタ（２２）のチャネ
ル幅に等しくする特許請求の範囲第２項記載の可変バイ
アス回路。 ４、前記容量素子（１６）を逆バイアスされるダイオー
ドで構成する特許請求の範囲第１乃至３項中のいずれか
一項記載の可変バイアス回路。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8410368A FR2566966B1 (fr) | 1984-06-29 | 1984-06-29 | Circuit de polarisation reglable et de liaison hyperfrequence |
| FR8410368 | 1984-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124316A true JPS6124316A (ja) | 1986-02-03 |
| JPH0473805B2 JPH0473805B2 (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=9305637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14063985A Granted JPS6124316A (ja) | 1984-06-29 | 1985-06-28 | 高周波伝送路を有する可変バイアス回路 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4639617A (ja) |
| EP (1) | EP0169594B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6124316A (ja) |
| DE (1) | DE3574511D1 (ja) |
| FR (1) | FR2566966B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4760284A (en) * | 1987-01-12 | 1988-07-26 | Triquint Semiconductor, Inc. | Pinchoff voltage generator |
| FR2620836B1 (fr) * | 1987-09-21 | 1990-01-19 | Thomson Semiconducteurs | Source d e courant ajustable et convertisseur numerique/analogique a auto-calibration utilisant une telle source |
| DE4041761A1 (de) * | 1990-12-24 | 1992-06-25 | Standard Elektrik Lorenz Ag | Stromsenke |
| JP3713324B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2005-11-09 | 三菱電機株式会社 | カレントミラー回路および信号処理回路 |
| AU2002950153A0 (en) * | 2002-07-12 | 2002-09-12 | Mimix Broadband Pty Limited | A method for improving intermodulation characteristics in fet attenuators and mixers |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1109891A (en) * | 1965-03-10 | 1968-04-18 | Mullard Ltd | Improvements in or relating to electric circuits |
| DE1277386B (de) * | 1966-07-26 | 1968-09-12 | Telefunken Patent | Transistorschaltung zur Lieferung eines konstanten Stromes |
| US3621284A (en) * | 1970-12-07 | 1971-11-16 | Sylvania Electric Prod | Attenuation circuit |
| US4023125A (en) * | 1975-10-17 | 1977-05-10 | General Electric Company | Printed broadband rf bias circuits |
| US4031488A (en) * | 1976-04-05 | 1977-06-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Multiple polarization switch |
| US4401952A (en) * | 1981-07-20 | 1983-08-30 | Microsource, Inc. | Microwave switched amplifier/multiplier |
-
1984
- 1984-06-29 FR FR8410368A patent/FR2566966B1/fr not_active Expired
-
1985
- 1985-04-15 US US06/723,406 patent/US4639617A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-20 DE DE8585200983T patent/DE3574511D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-06-20 EP EP85200983A patent/EP0169594B1/fr not_active Expired
- 1985-06-28 JP JP14063985A patent/JPS6124316A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3574511D1 (de) | 1990-01-04 |
| FR2566966A1 (fr) | 1986-01-03 |
| JPH0473805B2 (ja) | 1992-11-24 |
| EP0169594B1 (fr) | 1989-11-29 |
| FR2566966B1 (fr) | 1986-12-12 |
| US4639617A (en) | 1987-01-27 |
| EP0169594A1 (fr) | 1986-01-29 |
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|---|---|---|
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