JPS61240460A - 光磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
光磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS61240460A JPS61240460A JP8294785A JP8294785A JPS61240460A JP S61240460 A JPS61240460 A JP S61240460A JP 8294785 A JP8294785 A JP 8294785A JP 8294785 A JP8294785 A JP 8294785A JP S61240460 A JPS61240460 A JP S61240460A
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- vacuum vessel
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光磁気記録媒体の真空成膜法による製造方法に
関する。
関する。
本発明は記録・再生・消去が可能な光磁気記録媒体の製
造方法において、真空槽のリークに不活性ガスを用い完
全リークし、さらに真空槽を大気に晒しておく時間を１
５分以内にし、媒体製造のためのコストを大幅ダウンで
きるようにしたものである。
造方法において、真空槽のリークに不活性ガスを用い完
全リークし、さらに真空槽を大気に晒しておく時間を１
５分以内にし、媒体製造のためのコストを大幅ダウンで
きるようにしたものである。
従来、光磁気記録媒体に用いられている材料は主にＴｂ
−Ｆ”ｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ 、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の
希土類−遷移金属が主流である。それ以外にＭｎ−Ｂ１
等のファラデー効果を利用した光磁気記録媒体もあった
が、膜が多結晶でノイズが多い、キエーリ一温度が高く
書き込みにくい等の欠点が多く、前述の希土類−遷移金
属が主流となってきた。これは、非晶質であり粒界ノイ
ズが無く、キ為−リ一温度も１２０℃〜２００℃までと
半導体レーザーでも十分書き込めるという長所がある。
−Ｆ”ｅ、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ 、Ｔｂ−Ｆｅ−Ｃｏ等の
希土類−遷移金属が主流である。それ以外にＭｎ−Ｂ１
等のファラデー効果を利用した光磁気記録媒体もあった
が、膜が多結晶でノイズが多い、キエーリ一温度が高く
書き込みにくい等の欠点が多く、前述の希土類−遷移金
属が主流となってきた。これは、非晶質であり粒界ノイ
ズが無く、キ為−リ一温度も１２０℃〜２００℃までと
半導体レーザーでも十分書き込めるという長所がある。
そして、これら非晶質希土類−遷移金属膜の製造方法は
、蒸着法、スパッタ法等の真空成膜法が主流となってい
る。
、蒸着法、スパッタ法等の真空成膜法が主流となってい
る。
〔発明が解決しようとする問題点及び目的〕しかし、前
述の主流となっている希土類−遷移金属膜は非常に酸化
され易いため、スパッタ法によシ作成する時は、初期到
達真空度が１×１０°’Ｔｏｒｒ以下の真空度を要して
いた。（ここで言う初期到達真空度とは、スパッタを始
めるためのＡｒガスを導入する直前の真空度のことであ
る。）そのため、排気時間が長時間になり、量産時には
装置償却コストが極端に高くなるという重大な問題点を
有していた。
述の主流となっている希土類−遷移金属膜は非常に酸化
され易いため、スパッタ法によシ作成する時は、初期到
達真空度が１×１０°’Ｔｏｒｒ以下の真空度を要して
いた。（ここで言う初期到達真空度とは、スパッタを始
めるためのＡｒガスを導入する直前の真空度のことであ
る。）そのため、排気時間が長時間になり、量産時には
装置償却コストが極端に高くなるという重大な問題点を
有していた。
そこで本発明はこのような問題点を解決するもので、そ
の目的とするところは、排気時間が短時間で、つまシ初
期到達真空度が悪い状態でスパッタしても光磁気記録媒
体としての良好な特性を維持し、量産時の装置償却コス
トが極端に安くなる光磁気記録媒体を提供するところに
ある。
の目的とするところは、排気時間が短時間で、つまシ初
期到達真空度が悪い状態でスパッタしても光磁気記録媒
体としての良好な特性を維持し、量産時の装置償却コス
トが極端に安くなる光磁気記録媒体を提供するところに
ある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の光磁気記録媒体の製造方法は、磁化の向きが膜
面に垂直で上向きか下向きかの２値をとる非晶質光磁気
記録層に、光を照射し記録、再生、消去を行う光磁気記
録媒体の製造において、真空槽のリークに不活性ガスを
用い完全リークし、さらに前記真空槽を大気に晒してお
く時間が１５分以内であることを特徴とする。
面に垂直で上向きか下向きかの２値をとる非晶質光磁気
記録層に、光を照射し記録、再生、消去を行う光磁気記
録媒体の製造において、真空槽のリークに不活性ガスを
用い完全リークし、さらに前記真空槽を大気に晒してお
く時間が１５分以内であることを特徴とする。
従来、初期真空度の悪い状態、つまり残留ガス（Ｏ，、
Ｈ，Ｏ等）の多い状態で光磁気記録材料を成膜すれば酸
化され易い希土類は、基板へ飛来してくる間に残留ガス
（０，、Ｈ，Ｏ等）に衝突し、酸化物となってしまい、
光磁気特性の悪化になってしまう。つまシ、垂直磁化膜
とならず面内磁化膜になってしまったシ、カー回転角の
減少につながりていた。
Ｈ，Ｏ等）の多い状態で光磁気記録材料を成膜すれば酸
化され易い希土類は、基板へ飛来してくる間に残留ガス
（０，、Ｈ，Ｏ等）に衝突し、酸化物となってしまい、
光磁気特性の悪化になってしまう。つまシ、垂直磁化膜
とならず面内磁化膜になってしまったシ、カー回転角の
減少につながりていた。
しかしながら本発明によれば、真空槽のリークに不活性
ガスを用い完全リークすることによシ、真空槽壁を不活
性ガスで先に吸着させ、不純ガス（０２，ＦＩ２０等）
吸着を防げる。さらに真空槽を大気に晒す時間を１５分
以内にすることによシ、槽壁に不純ガスが吸着する確率
を下げることができる。
ガスを用い完全リークすることによシ、真空槽壁を不活
性ガスで先に吸着させ、不純ガス（０２，ＦＩ２０等）
吸着を防げる。さらに真空槽を大気に晒す時間を１５分
以内にすることによシ、槽壁に不純ガスが吸着する確率
を下げることができる。
非晶質光磁気記録媒体の材料としての希土類−遷移金属
合金は、Ｔｂ−Ｆｅを用い、スパッタ法にてポリカーボ
ネート基板上に成膜した。Ｔｂ−Ｆｅの膜の組成はＴｂ
ｚｙＦｅ７ａａｔ％である。
合金は、Ｔｂ−Ｆｅを用い、スパッタ法にてポリカーボ
ネート基板上に成膜した。Ｔｂ−Ｆｅの膜の組成はＴｂ
ｚｙＦｅ７ａａｔ％である。
まず、真空槽内を純度９９．９９９５％のＡｒで完全リ
ークしく即ち、Ａｒガスを完全に槽内に充満させ大気圧
にする）、ポリカーボネート基板をセットする。この間
、大気に晒している時間は１５分である。そして真空引
きし初期到達真空度が１Ｘ１０−’Ｔｏｒｒに達してか
らＡｒ圧を２．５７ＦＬＴｏｒｒにしスパッタにて成膜
した。第１図はこの本発明によるＡｒリーク法によシ製
造したＴｂＦｅ 膜のカーヒステリシスである。比較の
ために従来からの製造方法、つまシリーク時にＮ、ガス
を用い大気晒し時間も３０分以上と長いが、初期到達真
空度は７．５Ｘ１０°’Ｔｏｒｒ と良好な真空度で
成膜したＴｂＦｅ膜のカーヒステリシスを第２図に示す
。
ークしく即ち、Ａｒガスを完全に槽内に充満させ大気圧
にする）、ポリカーボネート基板をセットする。この間
、大気に晒している時間は１５分である。そして真空引
きし初期到達真空度が１Ｘ１０−’Ｔｏｒｒに達してか
らＡｒ圧を２．５７ＦＬＴｏｒｒにしスパッタにて成膜
した。第１図はこの本発明によるＡｒリーク法によシ製
造したＴｂＦｅ 膜のカーヒステリシスである。比較の
ために従来からの製造方法、つまシリーク時にＮ、ガス
を用い大気晒し時間も３０分以上と長いが、初期到達真
空度は７．５Ｘ１０°’Ｔｏｒｒ と良好な真空度で
成膜したＴｂＦｅ膜のカーヒステリシスを第２図に示す
。
これら第１図、第２図かられかるように、本発明による
製造方法で成膜した光磁気記録用ＴｂＦｅ膜は、初期到
達真空度が従来のものと比較して２桁悪いにもかかわら
ず、従来の製造によシ膜と何ら遜色のない特性を示して
いる。同、このカーヒステリシスの縦軸はカー回転角１
ｋを示し、横軸は外部印加磁場を示す。
製造方法で成膜した光磁気記録用ＴｂＦｅ膜は、初期到
達真空度が従来のものと比較して２桁悪いにもかかわら
ず、従来の製造によシ膜と何ら遜色のない特性を示して
いる。同、このカーヒステリシスの縦軸はカー回転角１
ｋを示し、横軸は外部印加磁場を示す。
第３図は、本発明による製造方法の大気に晒しておく時
間を変えたもののカーヒステリシスである。第３図Ｃ＆
）は大気晒し時間２０分の場合のカーヒステリシスであ
シ、第１図と比較して、ＴｂＦｅ膜の保磁力が大きくな
っている。これはＴｂが２７ａｔ％の組成で、補償組成
よシもＴｂｒｉｃｈ側になっているため、膜が少し酸化
されたため保磁力が大きくなっている。又、カー回転角
θにも少し小さくなっている。これらは、大気にさらし
た時間が２０分と少し長くなったため、真空槽内に０．
、Ｈ，０等の不純物ガスの吸着が出はじめたためである
。さらに大気晒し時間が５０分となった場合のカーヒス
テリシスが第３図（ｂ）であり第３図（＆）の膜よりさ
らに酸化が進んでいることがわかる。次に第３図（Ｃ）
の大気晒し時間が４５分となった場合のカーヒステリシ
スを見ると垂直磁化膜とはならず、初期到達真空度が１
×１０″５Ｔｏｒｒでは光磁気記録媒体ができないこと
がわかる。第４図は、Ａｒリーク後の真空槽を大気にさ
らした時間を横軸に、縦軸はＴｂＦｅ膜のカー回転角を
示しである。１は初期到達真空度が５Ｘ１０−．５Ｔｏ
ｒｒの場合、２は３Ｘ１０°ｌ’Ｔｏｒｒの場合、５は
１×１０°’Ｔｏｒｒの場合、４は５ｘ１０−’Ｔｏｒ
ｒの場合、５は２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの場合、６は１×
１０−’Ｔｏｒｒの場合、７は７．ＯＸｌ ０−’Ｔｏ
ｒｒｃ７）場合である。又、８は７Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ
の場合、 ９はｌＸ１Ｏ−４Ｔｏｒｒの場合である。こ
の図かられかるように、初期到達真空度がＩ×１０−！
’Ｔｏｒｒ以下で、真空槽の大気さらし時間が１５分以
内であれば、ＴｂＦｅ 膜本来のものカー回転角１２
分を確保出来ることがわかる。（θにの測定は波長６３
３ ｍｍのレーザ光によシボリカーボネート基板側から
測定した。）さらに１Ｘ１０°’Ｔｏｒｒの初期到達真
空度を超えると大気晒し時間が短くともＴｂ Ｆｅ本来
の特性を確保出来ないことがわかる。
間を変えたもののカーヒステリシスである。第３図Ｃ＆
）は大気晒し時間２０分の場合のカーヒステリシスであ
シ、第１図と比較して、ＴｂＦｅ膜の保磁力が大きくな
っている。これはＴｂが２７ａｔ％の組成で、補償組成
よシもＴｂｒｉｃｈ側になっているため、膜が少し酸化
されたため保磁力が大きくなっている。又、カー回転角
θにも少し小さくなっている。これらは、大気にさらし
た時間が２０分と少し長くなったため、真空槽内に０．
、Ｈ，０等の不純物ガスの吸着が出はじめたためである
。さらに大気晒し時間が５０分となった場合のカーヒス
テリシスが第３図（ｂ）であり第３図（＆）の膜よりさ
らに酸化が進んでいることがわかる。次に第３図（Ｃ）
の大気晒し時間が４５分となった場合のカーヒステリシ
スを見ると垂直磁化膜とはならず、初期到達真空度が１
×１０″５Ｔｏｒｒでは光磁気記録媒体ができないこと
がわかる。第４図は、Ａｒリーク後の真空槽を大気にさ
らした時間を横軸に、縦軸はＴｂＦｅ膜のカー回転角を
示しである。１は初期到達真空度が５Ｘ１０−．５Ｔｏ
ｒｒの場合、２は３Ｘ１０°ｌ’Ｔｏｒｒの場合、５は
１×１０°’Ｔｏｒｒの場合、４は５ｘ１０−’Ｔｏｒ
ｒの場合、５は２Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの場合、６は１×
１０−’Ｔｏｒｒの場合、７は７．ＯＸｌ ０−’Ｔｏ
ｒｒｃ７）場合である。又、８は７Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ
の場合、 ９はｌＸ１Ｏ−４Ｔｏｒｒの場合である。こ
の図かられかるように、初期到達真空度がＩ×１０−！
’Ｔｏｒｒ以下で、真空槽の大気さらし時間が１５分以
内であれば、ＴｂＦｅ 膜本来のものカー回転角１２
分を確保出来ることがわかる。（θにの測定は波長６３
３ ｍｍのレーザ光によシボリカーボネート基板側から
測定した。）さらに１Ｘ１０°’Ｔｏｒｒの初期到達真
空度を超えると大気晒し時間が短くともＴｂ Ｆｅ本来
の特性を確保出来ないことがわかる。
上述した様に、真空槽をＡｒＪ−りすることによシ、槽
壁へＡｒガス吸着させ、真空槽の大気晒し時間を短くす
ることによυ、槽壁への不純ガス（Ｏ，、Ｕ、Ｏ等）吸
着を少なくシ、悪い初期到達真空度（１Ｘ１０“Ｓ）で
成膜してもＴｂＦｅ光磁気記録媒体の本来の特性を確保
できることがわかりた。
壁へＡｒガス吸着させ、真空槽の大気晒し時間を短くす
ることによυ、槽壁への不純ガス（Ｏ，、Ｕ、Ｏ等）吸
着を少なくシ、悪い初期到達真空度（１Ｘ１０“Ｓ）で
成膜してもＴｂＦｅ光磁気記録媒体の本来の特性を確保
できることがわかりた。
しかし、初期到達真空度が１×１０°Ｓより悪いと真空
槽内の不純ガス（Ｏｚ＊Ｈ＊Ｏ等）が残ってしまい、そ
れがＴｂＦｅ膜中に取シ込まれるため本来の光磁気特性
が確保されない。また、初期到達真空度が比較的良くて
も（１Ｘ １Ｏ−Ｓ等）大気晒し時間が１５分を超える
と、やはシ本来の光磁気特性が確保されない０これは大
気晒し時間が長いと真空槽壁への不純ガスの吸着が多く
なり、さらに不純ガスはＡｒガスと違ってなかなか槽壁
から抜けず、成膜中に不純ガスが取り込まれるためであ
る０ 以上述べた様に本発明によれば、初期到達真空度の悪い
状態でも成膜出来ることがわかった。
槽内の不純ガス（Ｏｚ＊Ｈ＊Ｏ等）が残ってしまい、そ
れがＴｂＦｅ膜中に取シ込まれるため本来の光磁気特性
が確保されない。また、初期到達真空度が比較的良くて
も（１Ｘ １Ｏ−Ｓ等）大気晒し時間が１５分を超える
と、やはシ本来の光磁気特性が確保されない０これは大
気晒し時間が長いと真空槽壁への不純ガスの吸着が多く
なり、さらに不純ガスはＡｒガスと違ってなかなか槽壁
から抜けず、成膜中に不純ガスが取り込まれるためであ
る０ 以上述べた様に本発明によれば、初期到達真空度の悪い
状態でも成膜出来ることがわかった。
そこで、次にこの本発明がどの程度のコストダウンにな
るかを見たものが第５図である。このコスト計算は、ス
パッタ装置が１億円、２０日／月、２４ｈｒ／日稼動の
時であシ、一度に１２０ｍｊｒのディスクを３枚スパッ
タできるものである。この図から明らかなように、１
ｏ−’Ｔ’ｏｒｒ台で成膜するのと、１０−’Ｔｏｒｒ
台で成膜出来るのとでは、そのコストに２桁もの差が
あシ、本発明の非常な有効性が理解出来るものである。
るかを見たものが第５図である。このコスト計算は、ス
パッタ装置が１億円、２０日／月、２４ｈｒ／日稼動の
時であシ、一度に１２０ｍｊｒのディスクを３枚スパッ
タできるものである。この図から明らかなように、１
ｏ−’Ｔ’ｏｒｒ台で成膜するのと、１０−’Ｔｏｒｒ
台で成膜出来るのとでは、そのコストに２桁もの差が
あシ、本発明の非常な有効性が理解出来るものである。
ここに示した場合の、製造枚数、単価等を以下に表１に
まとめる。
まとめる。
表 １
〔発明の効果〕
以上述べたように本発明によれば、真空槽のリークにＡ
ｒガスを用い完全リークし、さらに前記真空槽を大気に
晒しておく時間を１５分以内にすることによシ、製造枚
数能力の大幅な向上、それにともなう装置償却コストの
大幅なダウンが可能となる。
ｒガスを用い完全リークし、さらに前記真空槽を大気に
晒しておく時間を１５分以内にすることによシ、製造枚
数能力の大幅な向上、それにともなう装置償却コストの
大幅なダウンが可能となる。
伺、本実施例では、ブヲスチック基板にＰＣを用いたが
、これら以外にＰＭＭＡ、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリメチルペンチン等、さらにはガフス基板におい
ても本発明は有効でアシ、磁性膜もＴｂ−Ｆｅ以外のも
の、ツｔ ｐ Ｇｄ−Ｆｅ 、Ｇｄ−Ｃｏ 、Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ 、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ 、Ｇｄ−Ｔｂ −Ｆｅ
−Ｃｏ等の非晶質希土類−遷移金属でありても有効でお
ることは明白である。
、これら以外にＰＭＭＡ、エポキシ樹脂、塩化ビニル樹
脂、ポリメチルペンチン等、さらにはガフス基板におい
ても本発明は有効でアシ、磁性膜もＴｂ−Ｆｅ以外のも
の、ツｔ ｐ Ｇｄ−Ｆｅ 、Ｇｄ−Ｃｏ 、Ｔｂ−Ｆ
ｅ−Ｃｏ 、Ｇｄ−Ｔｂ−Ｆｅ 、Ｇｄ−Ｔｂ −Ｆｅ
−Ｃｏ等の非晶質希土類−遷移金属でありても有効でお
ることは明白である。
また、真空成膜法にスパッタ法を用いたが、蒸着法イオ
ンデレーティング法等でも何ら本発明をそこなわず、全
ての真空成膜法に有効なのは言うまでもないことである
。
ンデレーティング法等でも何ら本発明をそこなわず、全
ての真空成膜法に有効なのは言うまでもないことである
。
又、本実施例のリークはＡｒガスを用いたが、他の不活
性ガス、つｔｐ、Ｈｅ、Ｎｏ、Ｋｒ、Ｘｅ。
性ガス、つｔｐ、Ｈｅ、Ｎｏ、Ｋｒ、Ｘｅ。
Ｒｎ等を用いても何らさしつかえない。さらに純度も９
９％以上であれば問題ない。
９％以上であれば問題ない。
第１図はＡｒｊＪ−り法によシ製造したＴｂ Ｆｅ膜の
カーヒステリシス図。 第２図は従来からの製造方法によるＴｂ Ｆｅ 膜のカ
ーヒステリシス図。 第３図（ａ）は大気晒し２０分のカーヒステリシス図。 第３図（ｂ）は大気晒し３０分のカーヒステリシス図。 第３図（０）は大気晒し４５分のカーヒステリシス図。 第４図はカー回転角の大気晒し時間依存性図。 第５図は初期真空度に対する、基板１枚当シの装置償却
図。 １−・初期到達真空度が５×１０°’Ｔｏｒｒの場合２
−５ Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの場合 ３−１ ｘｌｏ−ＩＴｏｒｒの場合 ４−５ ＸＩ Ｑ−ＩＴｏｒｒの場合 ５−２Ｘ１０°’Ｔｏｒｒの場合 ６−１ ｘｌｏ−’Ｔｏｒｒの場合 ７ ・ ＺＯＸｌｏ−’Ｔｏｒｒの場合８ ｋ・７ ｘ
ｌｏ−１’Ｔｏｒｒの場合９−Ｉ Ｘ １０°’Ｔｏｒ
ｒの場合 以上 ＴトＦｅ寅要のカーヒス子シシ入日 第１図 ′ｌ貢玉撃々ゝ籟 製５Ｌ方シＬ、１（よ々ＴｈＦａ膿
八勾−ヒへテリレス図 第２図 プ３へ１１幻Ｌ ２０＃乃力−ヒλテシシ人ピＡ第３図
（ｆＡ） 大気ａｉＬｓｏ分／１１７セステリシ人図第３図（ｂ） ′フこ力１自し崎Ｉ：Ａ’ｊＪ−ヒス子すシベｉ１第３
図（０） ９ｋ（／ｉ？’） カー１！］ｌス角Ａ又気Ｂ命Ｌ１牛間 依島十ｉｔ！１ 第４図 偽条）
カーヒステリシス図。 第２図は従来からの製造方法によるＴｂ Ｆｅ 膜のカ
ーヒステリシス図。 第３図（ａ）は大気晒し２０分のカーヒステリシス図。 第３図（ｂ）は大気晒し３０分のカーヒステリシス図。 第３図（０）は大気晒し４５分のカーヒステリシス図。 第４図はカー回転角の大気晒し時間依存性図。 第５図は初期真空度に対する、基板１枚当シの装置償却
図。 １−・初期到達真空度が５×１０°’Ｔｏｒｒの場合２
−５ Ｘ１０−’Ｔｏｒｒの場合 ３−１ ｘｌｏ−ＩＴｏｒｒの場合 ４−５ ＸＩ Ｑ−ＩＴｏｒｒの場合 ５−２Ｘ１０°’Ｔｏｒｒの場合 ６−１ ｘｌｏ−’Ｔｏｒｒの場合 ７ ・ ＺＯＸｌｏ−’Ｔｏｒｒの場合８ ｋ・７ ｘ
ｌｏ−１’Ｔｏｒｒの場合９−Ｉ Ｘ １０°’Ｔｏｒ
ｒの場合 以上 ＴトＦｅ寅要のカーヒス子シシ入日 第１図 ′ｌ貢玉撃々ゝ籟 製５Ｌ方シＬ、１（よ々ＴｈＦａ膿
八勾−ヒへテリレス図 第２図 プ３へ１１幻Ｌ ２０＃乃力−ヒλテシシ人ピＡ第３図
（ｆＡ） 大気ａｉＬｓｏ分／１１７セステリシ人図第３図（ｂ） ′フこ力１自し崎Ｉ：Ａ’ｊＪ−ヒス子すシベｉ１第３
図（０） ９ｋ（／ｉ？’） カー１！］ｌス角Ａ又気Ｂ命Ｌ１牛間 依島十ｉｔ！１ 第４図 偽条）
Claims (2)
- （１）磁化の向きが膜面に垂直で上向きか下向きかの２
値をとる非晶質光磁気記録層に、光を照射し記録・再生
・消去を行う光磁気記録媒体の製造において、真空槽の
リークに不活性ガスを用い完全リークし、さらに前記真
空槽を大気に晒しておく時間が１５分以内であることを
特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。 - （２）不活性ガスがＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒ
ｎのうち少なくとも１種以上からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の光磁気記録媒体の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294785A JPS61240460A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8294785A JPS61240460A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61240460A true JPS61240460A (ja) | 1986-10-25 |
Family
ID=13788409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8294785A Pending JPS61240460A (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 光磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61240460A (ja) |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP8294785A patent/JPS61240460A/ja active Pending
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