JPS61234420A - 座標読取装置の平面抵抗板の駆動方式 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 座標読取装置の平面抵抗板の駆動方式であって、平面抵
抗板の各辺をそれぞれ分割して設けられた電極の左、右
の各辺の電極群をそれぞれ、例えば０度の位相信号と９
０度の位相信号で一括して駆動し、上、下の２辺の対向
する電極のそれぞれには、各対向電極位置に対応した位
相信号で駆動し、上下辺に設けられた対向電極ごとに、
上下方向に等位相線の電位分布を形成する。

この上下方向の等位相線の電位分布によって抵抗板の抵
抗率の不均一性に基づく電界の歪を補正してＸ座標の検
出精度の向上を可能にしている。

また、ｙ座標を検出する場合は左、右辺と上。

下辺への駆動信号を切換え、Ｘ座標の場合と同一要領に
より、ｙ座標の検出を行なう。

〔産業上の利用分野〕

本発明は座標読取装置の平面抵抗板の駆動方式に関し、
特に、高精度の位置検出が行なえる座標読取装置の平面
抵抗板の駆動方式に関するものである。

座標読取装置は第４図のブロック図に示されているよう
に、１は一様な抵抗率を持った矩形平面抵抗体で、周囲
４辺には、それぞれ分割された電極群２．３，４．５が
設けられている。６は０度。

９０度の２相の交流信号（φ１．φ２）を発生する発振
回路であり、０ＭＯ３のスリーステートドライバフ、８
，９．１０を経て、電極群２〜５に供給されている。

入力ペン位置のＸ座標を求める場合にはＣＭＯＳドライ
バ７〜１０のうち、７．８を能動状態とする一方、９．
１０をスリーステート状態として電極から電気的に切り
離す。

一方ｙ座標を求める場合にはＣＭＯＳドライバのうち、
９．１０を能動状態とし、７，８をスリーステート状態
とする。

この動作を交互に繰り返すことにより、抵抗板の左右、
上下からそれぞれ加えられた２つの信号（φ１．φ２）
は平面抵抗体の上で混合され、位置に応じて位相が変化
する電界を抵抗板上に形成する。この抵抗板上の電界を
入力ペン１１により検知し、入力ペン位置の座標（ｘ、
　　ｙ）を検出する。

このような平面抵抗板に抵抗ムラがあると、それが、抵
抗板上に形成される電界の歪を生じ位相検出誤差の原因
となる。そこで抵抗ムラによって発生する電界の歪に影
響されることなく高精度の位置検出が行なえる抵抗板駆
動方式の出現が要望されていた。

〔従来の技術〕

第４図の従来の座標読取り方式のブロック図であり、発
振回路６より０度、　９０度の２相の交流信号（φ１．
φ２）がＣＭＯ３のスリーステートドライバ？、８．９
．１０を経て、一様な抵抗率を持つ平面抵抗体１の電極
群２〜５に供給される。

入力ペン位置のＸ座標を求める場合にはＣＭＯＳドライ
バのうち、７，８を能動状態とし、９゜１０をスリース
テート状態として電極がら電気的に切り離す。

抵抗板の左右に加えられた２つの信号（φ１゜φ２）は
平面抵抗体１の上で混合され、位置に応じて変化する電
界を抵抗板上に形成される。加えた交流信号の基本波成
分にのみ注目すれば、位置Ｘ（０＜ｘ＜１に規格化）に
おける抵抗板上の信号Ｖは θ＝ａｒｃｔａｎ　（ｘ　／　１−　ｘ　）　　　　（
１）となる。

入力ペン１１を抵抗板に接近させると、ペン先と抵抗板
の間の静電結合によって、入力ペン１１にはその直下の
信号が誘起される。誘起された信号を、アンプ１２で増
幅し、フィルタ１３で高周波成分を除去して基本成分を
取出す。これを位相比較器１４に入力して入力ペンと駆
動信号との位相差θを求める。得られた位相差θを式（
１）を逆に解いた式（２）ｘ　−ｔａｎ　θ／（１＋ｔ
ａｎ　θ）（２）で、位相座標検出器１５により、位置
Ｘに変換すれば、入力ペン位置のＸが求められる。

次に、入力ペン位置のＸ座標を求める場合には、ＣＭＯ
Ｓドライバのうち、９，１０を能動状態とし、７．８を
スリーステート状態とする。この動作を交互に繰り返し
て入力ペン位置の座標（ｘ、　　ｙ）を検出する。（特
開昭５８−９４０６８号公報参照）〔発明が解決しよう
とする問題点〕 このような座標検出装置においては、平面抵抗板の抵抗
率にムラがあると、それが、抵抗板上に形成される電界
の歪を生じ、上記の位置算出式（２）による算出結果に
誤差が発生し、位置検出誤差の原因となるといった問題
がある。

本発明は平面抵抗板の抵抗率の不均一性に基づく電界の
歪をへらし、より高い精度の位置検出が行なえる抵抗板
駆動方式を提供することを目的としている。

〔問題点を解決するための手段〕

第１図は本発明の実施例の抵抗板駆動方式のブロック図
を示す。

第１図において、実施例の抵抗板駆動方式は、平面抵抗
板１と、平面抵抗板１の各辺を分割して設けられた電極
２−１〜２−ｎと、各電極２−１〜２−ｎに接続された
ＣＭＯＳバッファ３−１〜３−ｎと、各ＣＭＯＳバッフ
ｙ３−１〜３−ｎのそれぞれに駆動信号を切換えて供給
するマルチプレクサ４−１〜４−ｎと、駆動信号を発振
する発振器１６と、発振器１６の出力信号をシフトして
１１．２５度づつ位相のずれた３１相の矩形波信号を前
記マルチプレクサ４−１〜４−ｎのそれぞれに出力する
１６段シフトレジスタ１７とより構成している。

〔作用〕

平面抵抗板の対向する２辺上の電極をそれぞれ位相のφ
異なる２つの交流信号で駆動し、更に、残り２つの辺上
にある電極をそれぞれの位置に応じて、本来抵抗板の抵
抗分布が完全に均一である時に、当該電極に生じるであ
ろう信号位相で、逆に駆動することにより、抵抗板の抵
抗分布の不均一に基づく電界の歪を補正して小さくし、
読取り精度の向上を図っている。

〔実施例〕

第１図において、本実施例の動作を説明する。

発振器１６の出力は１６段シフトレジスタ１７に入力さ
れる。１６段シフトレジスタ１７の最終段のインバート
出力は、同シフトレジスタの初段に入力されており、こ
れにより、１６段シフトレジスタ１７は、１１．２５度
づつ位相のずれた３１相の矩形波信号を出力する。この
うち、０度、　１１．２５度・・・９０度の１１．２５
度づつ位相のずれた９種類の矩形波信号がマルチプレク
サ４−１〜４−ｎのそれぞれに入力されている。

入力ペンのＸ座標を求めるとき、マルチプレクサ４−１
〜４−ｎは、図示しないコントローラの制御により、第
１図に示すＸ側の駆動信号を選択出力する。これにより
、平面抵抗板１の左辺上電極にはＯ変位相、右辺上電極
には９０度変位相矩形波信号が印加される。

また、上辺、下辺の電極には、それぞれの位置に応じて
、１１．２５度〜７８．２５度の位相をもつ矩形波信号
が印加される。

これら、電極に印加された信号により、平面抵抗板１上
には、第２図に示すような、上下方向に向かって等位相
線の電位分布が形成される。従って入力ペンで、静電的
にペン直下の信号を検出すれば、その位相から、従来例
で詳述した方法で、入力ペンのＸ座標を求めることがで
きる。

また、Ｘ座標測定時には、同じく図示しないコントロー
ラの作用によりマルチプレクサ４−１〜４−ｎは、ｙ側
の入力信号を選択出力する。これにより、平面抵抗板１
上には、第３図に示すような左右方向に向かって等位相
線が形成され、同様の方法で入力ペンのＸ座標を求める
ことができる。

本来、平面抵抗板ｌの表面抵抗率が完全に均一であるな
れば、例えば、一辺を９等分した上辺。

下辺の電極位置の信号位相はそれぞれ１１．２５度〜７
８．２５度になる。しかし実際には、表面抵抗率の不均
一（抵抗ムラ）のため、電極位置の位相は、ずれ、この
ため入力ペンの位置検出には誤差が生じる。

本発明によれば、上辺、下辺上の電極を本来、平面抵抗
板１の抵抗分布が均一である場合に生じるであろう信号
位相、例えば対向する電極のそれぞれを１１．２５度〜
７８．２５度で逆に積極的に駆動するため、平面抵抗板
の抵抗ムラの影響が減殺され、位置検出誤差を少なくす
る。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、平面抵抗板の抵抗
ムラが位置検出誤差に与える影響を少なくするので、よ
り高精度の位置検出が可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の抵抗板駆動方式のブロック図、第２図
はＸ座標側定時比抵抗板上に形成される等位相線図、 第３図ｉよＸ座標測定時に抵抗板上に形成される等位相
線図、 第４図は従来の座標読取り方式のブロック図、図におい
て、１は平面抵抗板、２〜５は電極群、６．１６は発振
回路、７〜１０はスリーステートドライバ、１１は入力
ペン、１２はアンプ、１３はフィルタ、１４は位相比較
器、１５は位相座標検出器、１７はシフトレジスタ、２
−１〜２−ｎは電極、３−１〜３−ｎはＣＭＯＳバンフ
ァ、４−１〜４−ｎはマルチプレクサをそれぞれ示して
いる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 平面抵抗板（１）の各辺に複数個の点状電極（２−１〜
   ２−ｎ）を所定の間隔で設け、一辺上の電極群を基準位
   相の信号で駆動し、前記一辺の対向辺の電極群を前記基
   準位相信号と所定の位相差を有する信号で駆動し、残り
   の２辺上のそれぞれの電極に、該電極位置に応じた位相
   の信号で駆動するようにしたことを特徴とする座標読取
   装置の平面抵抗板の駆動方式。