JPH03263216A - 位置座標の検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 手書き文字の入力などを行うための位置座標の検出装置
に関し、 製造した複数の平面抵抗体について共通的なデータと、
それを補正するデータとを区別して別個の記憶装置に書
込み、大量生産に適した位置座標の検出装置を提供する
ことを目的とし、平面抵抗体の対向する二辺からそれぞ
れ位相の９０度異なる交流信号を印加し、該平面抵抗体
の平面上に位置付けられた入力素子が該平面抵抗体から
検出した両信号の位相差により該入力素子の位置座標を
検出するため、入力素子出力について位相を検出する位
相検出器と、該位相検出器の処理を制御する制御装置と
、第１の情報記憶装置とを具備する位置座標の検出装置
において、前記制御装置には更に第２の記憶装置を接続
し、該第２の記憶装置は位相検出器特有であって、且つ
前記第１の情報記憶装置の格納情報値に対する補正値が
書込まれていることで構成する。

〔産業上の利用分野〕

本発明は手書き文字の入力などを行うための位置座標の
検出装置に関する。

平面抵抗体の平面上に入力ペンを置き、接触位置のＸＹ
座標を検出する装置は原理的に知られている。平面抵抗
体は現状ではその特性が一定でないため、位置座標検出
の精度が低く、補正用ＲＯＭを設けたものもＲＯＭにデ
ータを書込む作業が煩雑となった。簡易に使用でき且つ
精度の高い位置座標検出装置を開発することが要望され
た。

〔従来の技術〕

第５図は従来技術の例として特開昭６３−４６５３１号
公報に記載されている装置を示す図である。第５図にお
いて、ｌは平面抵抗体で例えばインジウム錫酸化物を蒸
着した透明フィルムで作ったもの、２．３はＸ電極群、
４，５はＹ電極群、６は高周波発振器で、０度、９０度
の２相の矩形波を同一周波数・同一振幅で発振するもの
、７，８はＸ電極群ドライバ、９，１０はＹｔ極群ドラ
イバ　１１は入力ペン、１２は増幅器、１３はフィルタ
、１４は位相検出器、１５はマイクロプロセッサで、位
相−座標変換部１６．領域判定部１７、補正演算部１８
で構成されるもの、１９はＲＯＭを示す。

平面抵抗体１の上に入力ペン１１を位置させたときの座
標を検出するために、まずＸ座標を求めるようにＹドラ
イバ９．ｌＯを高インピーダンス（トライステートバッ
ファによる高Ｚ状態）にしてＹｔ電極群、５をドライバ
から電気的に切り離す。Ｘドライバ７．８からＸ電極群
２．３を介して平面抵抗体１に印加された電界は、位置
に応じて位相が変化している。入力ペン１１は直下の抵
抗体１上の信号が誘起されるから、増幅器１２て増幅し
、フィルタ１３で高調波成分を除去し、基本波成分だけ
を位相比較器１４に入力し、発振器６からの０度矩形波
との位相差θを求める。次に位相−座標変換部１６にお
いてθを座標Ｘに変換する。その時使用する計算式は Ｘ＝ｔａｎθ／（１＋ｔａｎθ）　　である。

同様にＹ座標についても、Ｘ方向のドライバを切離し、
Ｙ電極群に矩形波を印加して検出する。

このとき平面抵抗体１の抵抗ムラに応じて、座標区を補
正する必要がある。そのため領域判定部１７において、
方形の入力面を実測値に基づいて、例えば一対の直角三
角形に分割し、記憶装置としてのＲＯＭ１９には領域判
別に必要な領域の座標を格納して置く。更にＲＯＭ１９
には各領域毎にアフィン変換を行うための補正パラメー
タも格納して置く。

前記検出したＸ、Ｙ座標により対応する領域を求めて、
補正パラメータをＲＯＭ１９の格納データから取り出す
。そして補正演算部１８においてアフィン変換を行うこ
とにより正確な入力座標を求める。

（発明が解決しようとする課題） 第５図による装置では、装置を製造するとき１台ずつ平
面抵抗体の抵抗ムラが異なるため、ＲＯＭに書込む補正
値を個別に処理する必要がある。

そのため大量に効率良く装置を製造することか出来なか
った。

本発明の目的は前述の欠点を改善し、製造した複数の平
面抵抗体について共通的なデータと、それを補正するデ
ータとを区別して別個の記憶装置に書込むことにより、
大量生産に適した位置座標検出器を提供することにある
。

〔課題を解決するための手段〕

第１図は本発明の原理構成を示す図である。第１図にお
いて、■は平面抵抗体、６は発振器、１１は入力素子、
１４は位相検出器、１９は第１の記憶装置、２０は第２
の記憶装置を示す。

平面抵抗体１の対向する二辺からそれぞれ位相の９０度
異なる交流信号を印加し、該平面抵抗体ｌの平面上に位
置付けられた入力素子１１か該平面抵抗体ｌから検出し
た両信号の位相差により該入力素子１１の位置座標を検
出するため、入力素子１１出力について位相を検出する
位相検出器１４と、該位相検出器１４の処理を制御する
制御装置１５と、第１の情報記憶装置１９とを具備する
位置座標の検出装置において、本発明は下記の構成とす
る。即ち、 前記制御装置１５には更に第２の記憶装置２０を接続し
、該第２の記憶装置２０は前記位相検出器１４特有であ
って、且つ前記第１の情報記憶装置１９の格納情報値に
対する補正値が書込まれていることで構成している。

〔作用〕

平面抵抗体ｌ上に位置させた人力素子１１の座標を位相
検出器１４により検出することは従来どおりである。当
初において入力素子１１を既知の座標位置に置いて検出
させて、得られた座標値を前記理論値と一致させるため
、制御装置１５は第１の記憶装置１９内に修正用データ
を書込む。第２の記憶装置２０に対してはそのとき補正
データは書込まれない。その装置により通常の位置座標
を検出するとき、前記修正用データを使用して位置座標
値を正確なものに修正する。

そして前記処理の終わった平面抵抗体１と同一ロットで
製造された平面抵抗体を使用する位置座標の検出器に対
しては、それぞれの第１の記憶装置１９に対し、前記書
込んだ修正値と同一データを修正値として書込んで行く
。そして次の較正作業に入る。即ち、平面抵抗体につい
ては製造ムラが生じているから、再び入力素子を既知の
位置座標において検出させ、得られた座標値について第
１の記憶装置データにより修正した後の値に対し必要な
補正値の有無を調べる。その時得られた補正値は当該装
置特有の値であるから、それを第２の記憶装置２０に書
込んで行く。この補正値は第１の記憶装置１９の修正値
と比較して小さな値で済むから、データ演算とその格納
は短時間で終わり、大量生産に適する。次いで通常の位
置座標の検出動作を行う。その時は第１・第２の再記憶
装置のデータについて補正する。

〔実施例〕

第２図は本発明の実施例として第２の記憶装置２０を示
す図である。第２図において、１９は第１の記憶装置例
えばＲＯＭ、２０−１はランダムアクセスメモリＲＡＭ
、２０−２はバックアップ電池、２１は制御装置１５の
データバス、２２は必要に応じ使用するホストコンピュ
ータ、２３はインタフェース回路を示す。第２図には図
示しない平面抵抗体上の位置座標について、当初の既知
ポイントに対し検出されたとき、制御装置１５例えばマ
イクロプロセッサはそのＸ、　Ｙ座標を演算する。次に
既知ポイントの座標に対する修正値を求めることを制御
装置１５または必要に応じホストコンピュータにより行
う。そのときＲＯＭ１９に格納されているデータを使用
して修正を行った後に、更に必要な補正値の有無を演算
する。演算値はその装置特有のものであり、ＲＡＭ２０
−１に送られて格納される。次に検出すべき位置座標が
得られたとき、制御装置１５はＲＡＭ２０−１の内容が
座標補正値であることをチエツクサム（格納データ値を
合計した値が所定値であるかどうかのチエツク）で判断
し、補正値であるときはその値を使用して座標補正を行
う。その処理には必要に応じインタフェース回路２３を
介してホストコンピュータを使用する。

第３図は第２図における制御装置の動作フローチャート
を示す。

第２図における電池２０−２は記憶装置２０−ｌに対す
るバックアップ電池であり、主電源が断となったとき格
納データを保持するために使用する。なお第２の記憶装
置２０−１はＲＡＭの代わりにＰＲＯＭを使用しても良
い。座標検出手段としての入力素子は、入力ペン以外に
指入力方式を使用することも出来る。そのときは指を置
いた位置を検出する装置を使用する。

次に第４図はＲＡＭと制御装置データバスとの接続を示
す図である。第４図において２４はスイッチを示す。当
初の座標補正値を求めたとき、制御装置１５はスイッチ
２４をオンとして、ＲＡＭ２０−１に対しデータバス２
１を介して補正データを書込む。第２図においては、Ｒ
ＡＭ２０−１のデータについて座標補正値であるかどう
かを「チエツクサム」で判断していたか、補正値を格納
するときスイッチ２４を使用し、格納後にスイッチをオ
ンとすれば、座標検出における処理はメモリ２０−１を
直ぐ使用して実行できる。

〔発明の効果〕

このようにして本発明によると、位置座標を検出したと
き補正すべき値を第２の記憶装置に対し、その装置に特
有の値として格納しであるから、座標演算の処理に要す
る時間が短く、より正確に出来る。また第１の記憶装置
は複数の平面抵抗体に対し共通データを、装置の製造時
に格納して置けば良いから、装置を大量生産することに
有効である。

１９−・・第１の記憶装置 ２０・・・・第２の記憶装置

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 平面抵抗体（１）の対向する二辺からそれぞれ位相の９
   ０度異なる交流信号を印加し、該平面抵抗体（１）の平
   面上に位置付けられた入力素子（１１）が該平面抵抗体
   （１）から検出した両信号の位相差により該入力素子（
   １１）の位置座標を検出するため、入力素子（１１）出
   力について位相を検出する位相検出器（１４）と、該位
   相検出器（１４）の処理を制御する制御装置（１５）と
   、第１の情報記憶装置（１９）とを具備する位置座標の
   検出装置において、 前記制御装置（１５）には更に第２の記憶装置（２０）
   を接続し、 該第２の記憶装置（２０）は前記位相検出器（１４）特
   有であって、且つ前記第１の情報記憶装置（１９）の格
   納情報値に対する補正値が書込まれていることを特徴と
   する位置座標の検出装置。