JPS61233429A - スパツタ装置 - Google Patents

スパツタ装置

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Publication number
JPS61233429A
JPS61233429A JP7394585A JP7394585A JPS61233429A JP S61233429 A JPS61233429 A JP S61233429A JP 7394585 A JP7394585 A JP 7394585A JP 7394585 A JP7394585 A JP 7394585A JP S61233429 A JPS61233429 A JP S61233429A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
mask
gap
medium
opening end
Prior art date
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Pending
Application number
JP7394585A
Other languages
English (en)
Inventor
Masamichi Tagami
勝通 田上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP7394585A priority Critical patent/JPS61233429A/ja
Publication of JPS61233429A publication Critical patent/JPS61233429A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、磁気記録装置に用いられる7レキシプル薄膜
磁気記録媒体形成のためのスパッタ装置に関する。
(従来技術のその問題点) 磁気記録装置で用いられる磁気記録体として、従来から
記録媒体の長手方向に磁化する長手記録方式が用いられ
てい九が、近年さらに記録密度を向上させんと裏面に垂
直に磁化する垂直磁気記録方式が提案されている。
ここで用いられる磁気記録媒体はCoCr K代表され
る垂直磁気異方性を有する金属強磁性薄膜が開発されて
いる。ここで使用される媒体としては、A!合金やガラ
ス等を基板とするバード磁気ディスクの他にポリエステ
ルのようなフレキシブル基体上に形成したフレキシブル
磁気ディスクがある。
中でも7レキシプル垂直磁気デイスクは、従来の塗膜媒
体の記録密度の1桁以上の高密度が達成出来ることが示
され盛んに研究開発がなされている。
このフレキシブル垂直磁気ディスク媒体の生産には、量
産を目的として第4図に示されるような長尺のフレキシ
ブルフィルム2の送り出し、巻き取り機構6.7及び冷
却もしくは加熱のため回転するキャン4を有し、フィル
ム3を移動させターゲットからスパッタされた録録媒体
材料をフィルム上に形成する。さらにターゲット12か
らのスバ。
夕原子の不要な部分への付着防止のため防着マスクlを
用いる。このとき第5図のように媒体の防着マスクの開
口端とフィルムとの間に間[!1113が最小1ffi
l111程度あき、この間隙13からスパッタ原子が回
り込みランダムな結晶配向の磁性膜が形成されその後開
口領域で新しい層が形成されても下地効果により十分高
い垂直配向を有し几媒体が得ることが出来なかった。
(発明の目的) 本発明は、このような従来の欠点を除去せしめて垂直結
晶配向性の良好な媒体が形成出来るスパッタ装置を提供
することにある。
(発明の構成) 本発明によればフレキシブルフィルムの送り出し、巻き
取り機構を有する薄膜媒体を連続形成するスパッタ装置
において媒体防着マスク開口端において該フィルムとマ
スク間の間隙が0.5価からOmmである構造を有する
ことを特徴とするスノくツタ装置が得られる。
(構成の詳細な説明) 本発明t′i、上述の構成をとることにより従来技術の
問題点を解決し次。本発明において媒体防着マスクの開
口端においてフィルムとマスクとの間隙をなくする構造
をとることKよってスパッタ原子の間隙へのまわり込み
をなくしフィルムがマスク開口部へ出た直後から垂直配
向性の高い磁性膜を形成出来る。
(実施例) 以下本発明の実施例について図面を参照して詳細に説明
する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す側面図で装置の基
本系として送り出しボビン6からキャン4に沿って巻き
取りボビン7にフィルム3が巻かれる。その際、図の如
くロー25を介して、マスク1のマスク開口端で間隙を
0.5mm以下又は該間隙を示しフィルムを送行出来る
構造とした。マスクのフィルム送行面及びマスク開口端
においてはフィルムとの接触によりフィルム上にキズ等
が発生させないようにテフロンなどの固体で潤滑効果を
有する樹脂1ytは金属に同様の樹脂をコーティングし
たものを用いた。
第2図は本発明の第2の実施例を示す側面図で基本系は
実施例1と同じであるがマスク1の開口端に回転ローラ
10を具備しフィルム間に間隙をゼロ又は0.5■以下
となるようにした構造を有するスパッタ装置である。
第3図は第3の実施例を示す側面図で、第1図の実施例
1とほぼ同様の構造を有するが、キャン11をベルト状
の鏡面板を回転させフィルム3を走行させる構造を有し
、マスク開口端2は実施例1と同様に間隙0.5 mm
以下の構造を有する。
実施例及び従来の装置を用い薄膜媒体を作製した例を示
す。
本スパッタ装置で形成する薄膜媒体として垂直磁気記録
に用いられる代表的な媒体であるcoer薄Xターゲッ
トVCJfi22 a t % Cr (y) CoC
r合金を用い友。スパッタ圧力は1 x IQ−3To
rrでスパッタパワーは4W/7とした。フィルムには
、ポリエステル(PET)を用い、形成したCoCr膜
の膜厚け0.4μmとし友。
本実施例1.3においてはロー25を、実施例2におい
てはローラ10を調節してフィルムとの間隙を0.5 
wnからOMとしてCoCr膜を形成した。
一方、比較例として従来のマスク構造を有する@4.5
図のスパッタ装置においてマスク端とフィルムとの間隙
が4an、12mm、  1mmとしその他のスパッタ
条件を同様にしてスパッタした。
表に実施例及び比較例の装置で形成し72−CoCr膜
の垂直結晶配向性を表わすM−Hループから求め之垂直
磁気異方性磁界Hkを示した。
表 (発明の効果) 以上のように本発明の構造を有するスパッタ装置を用い
ることによって垂直異方性の高い良好な媒体が得られる
ことが明ら力)となう友。
【図面の簡単な説明】
第1. 2%3図は本発明の装置の概略図、第4゜5図
は従来装置の構造を示す図。 図中の番号は下記の通りである。 1・・・・・・マスク、  2・・・・・・マスク開口
端、 3・・・・・・フィルム、  4・・・・・・キ
ャン、  5・・・・・・ローラ、6・・・・・・送り
出しボビン、  7・・・・・・巻き取シボピン、10
・・・・・・回転ローラ、 11・・・・・・キャン、
 12・・・・・・ターゲット、  13・・・・・・
間隙。 (h′) 、、7′ ′/r 1 図 第2図 71−4 図 琲気 オ 5 図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. フレキシブルフィルムの送り出し、巻き取り機構を有す
    る薄膜媒体を連続形成するスパッタ装置において媒体の
    防着マスク開口端において該フレキシブルフィルムとマ
    スク間の間隙が0.5mm以下(0mmを含む。)であ
    る構造を有することを特徴とするスパッタ装置。
JP7394585A 1985-04-08 1985-04-08 スパツタ装置 Pending JPS61233429A (ja)

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JP7394585A JPS61233429A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 スパツタ装置

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JP7394585A JPS61233429A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 スパツタ装置

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JPS61233429A true JPS61233429A (ja) 1986-10-17

Family

ID=13532745

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JP7394585A Pending JPS61233429A (ja) 1985-04-08 1985-04-08 スパツタ装置

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JP (1) JPS61233429A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03111561A (ja) * 1989-09-25 1991-05-13 Ube Ind Ltd イオンアシストスパツタリング方法およびその装置
JP2008248301A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Canon Inc 蒸着装置及び蒸着方法
CN103668047A (zh) * 2012-09-03 2014-03-26 香港纺织及成衣研发中心有限公司 真空镀膜图案生成装置及方法

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JP2008248301A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Canon Inc 蒸着装置及び蒸着方法
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