JPH04113508A - 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気記録媒体すなわち磁気ディスクとそれを
使用した磁気記憶装置に関するものであり、とりわけ優
れた磁気記録特性及び耐久力を有することを特徴とした
磁気ディスクの微小構造に関するものである。

〔従来の技術〕

近年、コンピュータ用磁気記録装置の高記録密度化およ
び高速データ転送化の要求にともない薄膜型磁気ディス
クが開発され広く利用されているとともに、これらの磁
気ディスクの性能向上、信頼性向上への要求が日毎に増
大している。かかる磁気ディスクの性能として、１）磁
気ヘッドとディスクの接触摺動時、磁気ディスクが損傷
を受は記録情報の読み書き動作に障害を与えぬこと（高
耐摺動特性）２）環境の変化にともない経時的に特性変
化し記録情報の読み書き動作に障害を与えぬこと（高耐
食性）３）信号の読み書き特性、すなわち電磁変換特性
のすぐれた磁気特性を有したものであること（高電磁変
換特性）が必要である。

特に情報の記録密度の増大にともない、上記３）への要
求とともに、磁気ヘッド−ディスク間での浮上間隙の狭
小化が避けられず上記１）への要求も高いものになって
いる。

従来技術においては、上記要求を満たすために基板上に
Ｃｒ下地膜層、Ｃｏ系合金磁性膜層、Ｃ系保護膜層もし
くはＺｒ○２系保護系層護膜層ッタ成膜手法を用い作製
し、さらには磁気特性及び摺動特性向上を目的として円
形基板上に円周方向に面荒らし加工をほどこしたものを
使用するのが一般的となっている。（第１図） 例えば特開平１−２８３８０３においては、磁性膜の材
料としてＣｏＣｒＰｔ合金を使用しＣｒ組成及びＰｔ組
成を調整制御することにより、磁気記録媒体として必要
な耐食性と静磁気特性パラメータの調整を可能ならしめ
ている。すなわち耐食性確保の観点からＣｒ組成は１０
％以上のものを選び、さらに磁気特性として必要な保持
力の制御をｐｔ組成１％〜２０％のものから選ぶ事によ
り良好な磁気記録媒体かえられるとしている。さらにｐ
ｔ元素を添加することにより容易に高い飽和磁束密度と
高い磁化曲線の角形比（残留磁化の角形比と保持力の角
形比）がえられ、Ｃｒ下地膜厚として５０ｎ＋１以上あ
れば十分であるとしている。

またジャーナルオブアプライドフイジックス６３　（１
９８８）ページ３２６３には、Ｃｒ下地層としてＣｒ−
Ｖ合金を使用し磁気特性の改善をおこなっている。

またアイイーイーイートランザクションオンマグネティ
クスマグ２３ナンバー１ページ１２２には磁性膜材料と
してＣｏＣｒＴａ合金を使用し高耐食性を維持したまま
ノイズ特性を改善し良好な電磁変換特性を得ている。

一般に磁性膜層の示す磁気特性パラメータの設定は、使
用する磁気ヘッドやヘッド−ディスク間の浮上高さ等に
強く依存する。使用する磁気ヘッドやシステムのパラメ
ータが決まると、その電磁変換系において十分に出力が
とれるよう残留磁束密度と磁性層膜厚の積の最低値２分
解能がとれるよう残留磁束密度と磁性膜厚の積の最大値
および保持力の最低値、またヘッドが十分書き込めるよ
う保持力の最大値と磁性膜厚の最大値が決まり、製造時
の特性値バラツキを見込んだ上で磁気特性パラメータの
設定がなされることとなる。次に電磁変換時のノイズは
、磁性膜組成と製造条件に依存するので、ノイズが高く
ならないような磁性膜組成と形成条件がえらばれる。磁
性膜組成は、また磁性膜自体の耐食性確保の観点からも
強く制限され、一般には非磁性元素が多いほうが良好で
あるが、磁気特性が劣化するため、磁気特性と耐食性と
のバランスのとった選定をする。かかるステップをへて
磁性層組成と膜厚が決められると、磁化曲線の角形比（
残留磁化の角形比及び保持力の角形比）が高いほうが良
好な電磁変換特性をしめす。以上の事柄が前記特開平１
−２８３８０３に述へられている。

またＵＳＰ−４７３５８４０には、磁気特性改善の一手
法として基板として磁気記録方向に面荒らし加工をほど
こしたものを使用することが述へられている。この技術
は、基板面内の凹凸形状を利用して磁性薄膜に形状磁気
異方性を発生させ磁気特性を改善しようとするものであ
る。

また磁性膜層の結晶配向性を制御することにより磁気異
方性を制御しようとする技術が特開平１−２２０２１７
に開示されている。この特許によるとＣｒ下地層の膜厚
を５〜２０ｎｍとし高速スパッタ成膜することにより、
Ｃｒの（１００）面を基板面内に高配向させ、その上層
にＣＯ磁性膜を形成するとＣＯのＣ軸が基板面内と平行
となり面内磁気異方性が得られるとしている。

また電磁変換特性上、保護膜は薄い方が良いが保護膜と
しての機能は劣化する。この難点を避けるため保護膜層
の材料組成の検討やＣ保護膜の形成条件の検討がおこな
われている。たとえばアイイーイーイートランザクジオ
ンオンマグネティクス　２４　ナンバー６ページ２６２
９にはＣ保護膜とＺｒＯ２保護膜の特性比較を行ってお
り、ＺｒＯ２保護膜のほうが優れていることが述べられ
ている。また例えば、アイイーイーイートランザクジオ
ンオンマグネティクス　２４　ナンバー６ページ２６４
７には、Ｃ保護膜のマイクロ構造と摩耗特性とが調べら
れている。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術は、使用する基板の概略粗さを規定したり
、下地膜層や磁性膜層、保護膜層の材料組成や概略膜厚
を与えるものではあるが磁性膜構造を規定し提案してい
るものではなく、また上記従来技術は層構成方法や材料
組成と保磁力の関係は明示しているものの、角形比を向
上される磁性膜構造に関しては言及されていないか、膜
構造の一部と形成条件とが開示されているだけであり。

電磁変換特性と耐久信頼性とを同時に満足させるには、
不十分なものである。保磁力と同様、角形比も構造敏感
な性質を持ち、電磁変換特性と直接的に関係している物
性値であり、高く保ち制御する必要がある。

本発明の目的は優れた電磁変換特性と耐久信頼性を示す
磁性膜の膜構造を提案することにある。

これは、磁気記録方向に対して大きな磁気異方性を有す
ること、すなわち磁気記録方向での磁化曲線において高
い角形比（残留磁化の角形比及び保磁力の角形比）を示
す磁性薄膜の膜構造及び膜微細形態を提案することであ
る。第二の目的は、良好の電磁変換特性をしめすと同時
に良好な耐食性と保護膜の摩耗特性を劣化させないよう
な磁性膜の膜構造及び微細形態を提案することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的を達成するために、スパッタ成膜手法によって
形成される下地膜層の膜厚を１５０ｎｍ以上としたうえ
、スパッタ膜成長時に形成される柱状構造表面の凹凸の
凸の平均高さを５ｎｍ以下とし、更に上記柱状構造表面
の平均的径と凸高さ平均とで決まる平均的曲率半径を４
０ｎｍ以上とすることで実現できる。

さらに磁性膜層材料組成としてｃｏ系合金を使用する場
合、結晶磁気異方性のおおきなＣｏ合金のＣ軸を膜面内
に配向させ、さらに膜面内においてそのＣ軸が磁気記録
方向を向いているようにしたものである。

また磁性膜の形状を磁気異方性の得たい方向とほぼ直行
方向にうねらせるようにしたものである。

このうねり高さは上記柱状構造の凹凸よりおおきいこと
が必要であり、ある程度の周期であることが必要である
。このうねりの平均的振幅が５ｎｍ以上磁性膜厚を越え
ず、平均的ピッチが５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下で均一
に形成されていれば良い。

さらにＣｏ−Ｃｒ系磁性合金薄膜は一般には多結晶膜と
なりその偏析構造がひろくしられているが、その偏析構
造をとったものにしたものである。この状態は飽和磁束
密度のバルク値からのずれ量として検知可能となり、す
なわち飽和磁束密度が室温でスパッタ成膜したものに比
し１５％以上増加する膜形成条件と膜組成を選定するこ
とで容易に実現する。

上記で開示した技術を使用することにより基板面内磁気
異方性値がＫｕ＝　１０　Ｘ　１０”ｅｒｇ／ｃｃ以上
の磁性薄膜が容易にえられることとなる。

〔作用〕

下地膜層は、基板と磁性薄膜の密着強度を保証するよう
に作用する。すなわち磁気ヘッドと磁気ディスク間の接
触摺動時、特に衝撃的接触時、基板と形成膜は変形を受
け、下地膜層界面で大きな歪をうけることとなる。この
歪に下地膜の基板に対する密着力が耐えられなくなった
とき膜の剥離破壊が発生する。一般には基板材料より変
形耐力のある下地膜材料を選定し、下地膜膜厚を厚くす
ることにより変形、基板−下地膜界面での歪を小さくす
ることができる。したがって下地膜膜厚をある膜厚以上
に設定する事により、ヘッドの衝撃接触時の変形、剥離
破壊に対し耐力を付与可能となる。

また一般に下地膜層上に薄い磁性膜と保護膜を形成する
下地膜層の形状が保護膜層の形状に転写するようほぼ同
一形状になる。このため下地膜層の柱状結晶成長によっ
て生成した下地膜表面の凹凸が保護膜層の微小形状に転
写し磁気ディスク表面凹凸の微細構造を決めることにな
る。この表面凹凸の微細形状は、保護膜層の摩耗特性に
影響を及ぼす。凹凸が大きいほどヘッド−ディスク間で
の連続均一接触摺動時、保護膜の摩耗は促進されること
となる。物体の接触面圧は近似的には接触部の曲率半径
の二分の三乗に逆比例し増大する。

表面凸を球形と近似すると径が変わらないときその高さ
が高くなるに従い、曲率半径が小さくなり接触面圧が増
大し、その結果、保護膜の摩耗が促進するものである。

従って表面凹凸を小さくし表面微小凸部の曲率半径を大
きくすることは接触面圧を低減して、保護膜摩耗を抑え
ることが出来、連続均一接触摺動時のディスク損傷を軽
減することが可能となる。

また耐食性の観点からも上記表面凹凸が小さい方が有利
である。スパッタ成膜手法により保護膜を形成する際、
表面凹凸の凹部ヘセルフシャドウイング効果により十分
膜が周り込まない場合がある。表面凹凸が大きい場合、
保護膜の凹部への膜付着率が減少し保護膜としての機能
をはださなくなる。したがって表面凹凸を小さくするこ
とにより凹部への膜付着率が減少することなく、耐食性
が劣化することが無い。

磁性膜の磁気特性は磁性膜自体の形状に影響され変化す
る。磁性膜が二次元的にフラットとみなせる場合には発
生しなかった反磁界も磁性膜厚の数％の形状変化により
無視できなくなる。上記下地膜の柱状結晶成長によって
生成する磁性膜凹凸の凹の場所には磁極が発生し膜面内
方向の磁気異方性が減少するとともに膜面内に垂直方向
に磁気異方性が発生する。（形状磁気異方性の効果）膜
面内の磁気異方性が減少すると磁化曲線における角形比
（残留磁化の角形比及び保磁力の角形比）が低下し電磁
変換特性の出力再生特性が劣化する。

従って磁性膜凹凸を小さくすることにより基板面内磁気
異方性を劣化させることなく角形比を高く保つことがで
きるようになる。

さらに磁気異方性は、磁性膜金属の結晶磁気異方性を利
用することにより磁気異方性を高くすることができる。

すなわち磁性膜材料としてＣＯ系合金を選定したときｃ
ｏ合金はＣｏ母相に他元素が固溶するか、もしくは析出
することとなるが、Ｃｏ母相の六方結晶のＣ軸に起因す
る結晶磁気異方性が強く残ることとなる。金属下地膜上
のＣ。

合金磁性膜は多結晶薄膜となるが基板面内にＣｏ母相六
方結晶のＣ軸を配向させることにより面内磁気異方性を
増加でき、さらに磁気記録方向にＣ軸を配向させること
によりさらに磁気記録方向異方性を増加させることがで
きる。

また上記前出の形状磁気異方性の効果を利用して磁気記
録方向に異方性を付与させることもできる。すなわち磁
気異方性をもたせたい方向、磁気記録方向に対し直行方
向に磁性薄膜がうねりをもった構造にすると良い。この
うねりの振幅は、本来的には磁性膜厚の数％から効果を
もつが、前記下地膜の柱状結晶成長による表面の凹凸の
存在のためこの凹凸高さより大きくなければならない。

またうねりの磁気異方性に影響を及ぼす効果的な周期は
、本来的には磁性膜の磁気的構造によりきめられるもの
である。

またＣｏＣｒ系磁性合金薄膜は一般に多結晶膜となりそ
の偏析構造が広く知られているが、その偏析構造をとっ
たものにすることにより出力再生特性を改善できる。こ
の状態は飽和磁束密度のバルク値からのずれ量として容
易に検知可能となり、すなわち飽和磁束密度が室温でス
パッタ成膜したものに比し１５％以上増加する膜形成条
件と膜組成を選定することで容易に実現する。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を図に従いながら説明する。第１
図は、本発明による磁気ディスクの積層膜構造を示す断
面図である。

磁気ディスクに使用される基板は、Ａ１合金上にＮＬＰ
合金がメツキ法により被膜されたものを使用した。その
外径は、１３０ｍｍΦであり厚さは約１　、９　ｍｍの
ものを使用した。ＮＬＰ被膜の膜厚は約１０μｍである
。ＮＬＰ基板上には、下地膜層。

磁性膜層、保護膜層がＤＣマグネトロンスパッタリング
法により積層皮膜された。ＮＬＰ基板の表面は、スパッ
タ成膜工程処理をほどこす前に、基板の円周方向に面荒
らし加工、いわゆるＴ　ｅｘｔｕｒｅ加工を施し、洗浄
を行った後、使用した。下地膜はＣｒ、磁性膜はＣｏ−
１４ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔａ、保護膜はＣが選ばれ、
使用したスパッタターゲットの純度は９９．９６％以上
である。各層の膜厚は自由に設定可能であるが、ここで
は磁性層５５ｎｍ保護膜層４０ｎｍの膜厚が選定された
。

スパッタ成膜した膜の破断面構造を走査型電子顕微鏡１
０万倍像によって観察した結果の模式図を第１図に示す
。Ｃｒ下地膜はスパッタ膜の場合一般に知られているよ
うな明瞭な柱状結晶構造をとり、その表面には凹凸が観
察される。下地層上に形成された磁性膜層は下地膜柱状
結晶成長とほぼ連結して成長しており、膜の凹凸は下地
膜凹凸にならったものになっている。また磁性膜上層の
保護膜の形状も下地膜凹凸にならったものになっている
。但し、詳細な観察結果によると、下地膜と磁性膜の結
晶成長の連結性は完全なものではなく、また凹凸形状の
再現性も完全なものではなく、膜形成条件にも依存する
が、一義的には最も厚い層の形状によって決まるもので
あり、下地膜厚が他層膜厚より厚い時は下地膜の凹凸に
よって決まる。

従って磁性膜と保護膜の膜厚が固定されると、凹凸形状
はＣｒ下地層膜厚と膜形成条件によって決まる。膜の凹
凸形状の保護膜摺動特性への影響を調べるためにＣｒ膜
厚とＣｒ、及びＣｏ層のスパッタリング条件を変化させ
磁気ディスクを作製ししらべた。スパッタリング条件は
、表１に示すように条件Ａ、Ｂとした。この時のＣｒ下
地膜層の表面凹凸と柱状結晶表面径は、同一条件で成膜
したＣｒ膜の破断面の走査型電子顕微鏡１０万倍像の観
察と走査型トンネル顕微鏡とによって平均値を求めた。

凸部の曲率半径は次式によりもとめここでｄは柱状結晶
径、ｈは凹凸高さ、Ｒは曲率半径である。条件Ａ、Ｂい
ずれの場合も、Ｃｒ下地膜厚が増大するにしたがい柱状
結晶表面径が増大するが、条件Ｂで作製すると表面凹凸
高さは大きくならないのに対し、条件Ａの場合、凹凸高
さが増大する。その結果凸の曲率半径が変化することが
わかった。

上記手法にて作製した磁気ディスクの摺動特性を調べた
結果が第２図である。磁気ヘッドとデイ表１ スフの摺動特性を調べるために二種類の加速試験でしら
べた。磁気ヘッドとディスクとは、種々のモードで接触
摺動し得るため、インパクト的試験法として磁気ディス
ク上にヘッドを浮上させた状態で装置を加振させる方法
で摺動させ、磁気ディスクに与えられた損傷の度合いを
光学顕微鏡によって観察し判定した。（第９図装置図参
照）またさらに連続摩耗的試験として３０ｍｍの曲率半
径を有するサファイヤのピンをディスクにおしあて摺動
させ、保護膜の摩耗の程度を光学顕微鏡で判定した。

インパクト的損傷試験では、Ｃｒ膜厚が１５０ｎｍ以下
で急速に弱くなる。連続摩耗的試験では。

Ｃｒ表面凹凸が大きくなるに従い摩耗が激しくなること
があきらかとなった。以上のことよりＣｒ膜厚としては
、１５０ｎｍ以上必要であり、またＣｒ凹凸高さ、５ｎ
ｍ以下、凸の曲率半径として４０ｎｍ以上必要であるこ
とがわかった。

また塩水噴霧試験により条件Ａ、Ｂのディスクの耐食性
をしらべた。この際採用した塩水噴霧試験法は、塩水と
しては４％のＮ　ａ　Ｃｌを含むものを使用し、霧吹き
によって均一にディスク表面に噴霧を吹き付け、その後
１２時間湿度９５％の雰囲気に放置する。その後ディス
ク表面を水洗いし光学顕微鏡によって＃！察し、変色点
の密度を求めることにより腐食の程度を判断する。Ｃｒ
膜厚が２５０ｎｍであるディスクについて調査したとこ
ろ条件Ｂのほうが変色点が圧倒的に少なく良好な耐食性
をしめずことがあきらかとなった。

次に、磁気特性について調べた。磁気特性としては振動
型磁力計により、磁化曲線を求め、トルク計により磁気
異方性を測定した。磁化曲線は、磁化容易軸方向である
磁気記録方向と、磁化困難軸方向である直交方向を測定
した。第４図に、基板面内の磁気異方性定数と磁化曲線
の残留磁化の角形との関係を示す。また第５図に磁化容
易軸方向の磁化曲線と、磁化困難軸方向の磁化曲線の代
表的なものを示す。第４図で負の磁気異方性の点は、磁
化困難軸方向の点を示す。またラインの１゜２．３はそ
れぞれ結晶粒の凹凸高さ５ｎｍ、１０〜１５ｎｍ、　２
５ｎ＋＊の場合の相関である。基板面内磁気異方性がな
いときでも凹凸高さが小さくなると角形比が増加する。

さらに磁気異方性の増加にともない角形比はさらに増加
する。透過電子顕微鏡による膜破談面の観察や、透過電
子顕４＃鏡による断面の膜構造の観察による詳細な検討
の結果によると、Ｃｒ層表面凹凸とその上層に形成され
た磁性膜層の結晶粒間での接着状態には密接な関係があ
り、凹凸が小さい場合には磁性層粒間の接着が強くなっ
ていることが判明した。磁性膜層の結晶粒間の接着が弱
く凹凸が大きいとき磁性膜面と垂直方向に磁気異方性を
もつようになり面内の磁気異方性は減少する。さらには
角形比も減少することが明らかとなった。

次に面内磁気異方性の変化しているディスクの結晶配向
性をＸ線回折メータでしらべた。種々の検討の結果、Ｃ
ｒ下地膜の（１００）面が基板面内にたいし垂直に配向
したときＣＯ磁性膜の（１１０）面の配向がエピタキシ
ー的に起こり、ＣＯ合金のＣ軸が膜面内と平行になるこ
とがわかった。

Ｃｏ（１００）面の配向が起こったときでもＣ軸の面内
配向となるが調査の結果、Ｃｒ下地層上では、（１００
）のみの配向は起こりえず（１０１）（００１）面との
混合したランダム配向膜しか得られなかった。したがっ
てＣｏのＣ細膜面内配向と磁気異方性の相関を調べるの
にＣｏ（１１０）面のＸ線ピーク強度を採用し、調査し
た結果が第６図である。Ｃ軸面的配向性が向上するに従
い磁気異方性が増加することがあきらかとなった。

さらに図示されているライン１，２．３はＣｒ下地膜膜
厚が異なったものであり、各々８０ｎｍ。

１８０ｎｍ、　４００ｎｍのものである。Ｃｏ膜の配向
性は成膜条件を変えることにより制御できる。

Ｃｏ膜の（１１０）配向性が同一の場合でも面内磁気異
方性の値に太き差がでている。この差の発生は走査型電
子顕微鏡によって膜の断面構造を観察することによりあ
きらかになった。磁化容易軸方向と直行方向の膜の断面
を作成し走査型電子顕微鏡の１０万倍像によって約５μ
ｍの範囲の磁性膜のうねり凹凸の凹ピッチ長をカウント
した。この際、下地膜の柱状結晶に起因する凹凸のため
５ｎｍ以下の深さの凹は識別できなかった。測定結果を
第７図に示す。第７図に示した１、２．３のラインに対
応し凹ピッチ長が小さくなっている。ここでは、基板に
面粗しかこうを施すことにより磁性層に凹凸を設けてい
るが、Ｃｒ下地層膜厚が厚くなるにしたがい面粗し加工
痕の微細構造が消失し、大きな凹凸を持つピッチ長の長
い加工痕のみが磁性層形状にのこるためである。この観
察結果よりＣｏ膜の（１１０）配向が存在している場合
、磁性膜にうねりを持たせることにより磁気異方性を増
加させることが出来、うねりの平均的振幅５ｎｍ以上で
あり、かつ平均的ピッチが３００ｎｍ以下であればより
効果的であることが明らかとなった。

第８図に磁性膜としてＣｏ　Ｃｒ　Ｔ　ａを使用したと
きの飽和磁束密度の増加量と出力−ノイズ比の関係をし
めす。測定ポイントは、いろいろな膜形成条件のものが
プロットしである。飽和磁束密度の増加量としては、基
板加熱を行わず膜形成したものを基準として種々の成膜
条件で作成したものとの比較によりおこなわれた。一般
にはＣｏＣｒ合金薄膜は、結晶粒内、及び粒界偏析を起
こすことが広く知られている。偏析構造を持った薄膜は
高い飽和磁束密度をもち、電磁変換特性上有利となる。

また磁性膜の結晶配向性を良好にすると結晶粒径が増大
することになるが結晶粒内偏析構造を持つことにより、
磁気的構造が変わりノイズが低く抑えられると考えられ
るが詳細は明確でない。偏析の程度は、膜形成条件や基
板種類、膜組成に強く依存する。同一磁性膜組成で同一
装置で膜形成する際、飽和磁束密度の増加量を見ること
により偏析の程度を判定できる。第８図より飽和磁束密
度増加量として、１５％有れば十分良好な特性をしめす
。

以上述べた技術を使用することにより、磁気ヘッドと磁
気ディスク間での耐摺動特性に優れ、腐食耐力が良好で
あり、記録再生特性に優れた磁気記録媒体が製造できる
ことは明らかである。また本発明により製造された磁気
ディスクを使用し、磁気ヘッドとそれらを駆動する駆動
手段を装備した磁気記憶装置の例を第９図に示す。

また以上のべた実施例は、下地膜層がＣｒの場合であっ
て、Ｃｒ−Ｖ合金やその他Ｃｒ合金での場合でも同様で
あることは論をまたない。また、磁性膜や保護膜の材料
組成にも依存しないことは、認識しておくべき事である
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、電磁変換特性と耐摺動特性。

耐腐食特性の優れた磁気記録媒一体が作成出来、さらに
信頼性の高い磁気記録媒体が容易に構成できる効果があ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による磁性膜の断面構造を示す模式図、
第２図はＣｒ下地層膜厚に対するインパクト的摺動と摩
耗的摺動特性図、第３図はＣｒ下地層膜厚に対するＣｒ
表面層凸平均高さとその平均曲率半径をしめす図、第４
図は磁性層６高さが異なったときの面内磁気異方性と磁
化曲線の角形比の関係図、第５図は磁化容易軸方向及び
磁化困難軸方向の磁化曲線図、第６図はＣＯ合金のＣ軸
の面内配向性と面内磁気異方性の関係図、第７図は第６
図に示したものと同じサンプルの磁性膜凹凸ピッチ長の
度数分布図、第８図は飽和磁束密度増加量に対する出力
−ノイズ比を示す図、第９図は磁気記録装置の構成図を
しめす。 １１・・・ＮｉＰ下地基板、　　１２・・・Ｃｒ下地膜
層、１３−ＣｏＣｒＴａ磁性膜層、 １４・保護膜層、　　　　　ｈ　磁性膜層６高さ、ｈ′
　下地膜層柱状結晶表面凹凸高さ、ｄ・・下地膜層柱状
結晶表面径、 ９１・・・磁気記録媒体、 ９２・・磁気記録媒体駆動部、 ９３・・・磁気ヘッド、 ９４・・磁気ヘッド即動部、 ９５・・・記録再生信号処理系。 Ｃヒ用（，４（ｎ−几） 纂 図 Ｃト 峡厚（鼎） 如内慮気異方’ｌ＋ｉ（””’加） 纂 図 稟 図 慮性膜凹 と・・十分奔 纂 θ ン Ｂ８／Ｂ、。、−９゜ア（Ｚ） 他セ景東忙友増加Ｉ 纂 図 （ｂ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、基板上に、下地膜層、磁性膜層、保護膜層を有する
   磁気記録媒体において、下地層がスパッタ成膜手法によ
   って形成され、その膜厚が１５０ｎｍ以上であり、かつ
   下地層の柱状結晶成長によって生じた磁性層表面の凹凸
   の凸の平均的高さが５ｎｍ以下であり、凸部の平均的曲
   率半径が４０ｎｍ以上であることを特徴とした磁気記録
   媒体。 ２、請求項第１項記載の磁気記録媒体において磁性層が
   主として稠密六方構造をとるＣｏ合金よりなり、そのＣ
   軸が主に膜面内に配向していることを特徴とする磁気記
   録媒体。 ３、請求項第１項又は第２項に記載の磁気記録媒体にお
   いて、磁性層が磁気記録方向とほぼ直交方向にうねって
   おりそのうねりの平均的振幅が５ｎｍ以上、磁性膜厚を
   超えず、かつその平均的ピッチが５０ｎｍ以上３００ｎ
   ｍ以下で均一に形成されていることを特徴とする磁気記
   録媒体。 ４、請求項第２項記載の磁気記録媒体において、Ｃｏ合
   金のＣ軸が膜面内に配向しておりさらに膜面内で磁気記
   録方向に主に配向している事を特徴とする磁気記録媒体
   。 ５、請求項第１項記載の磁気記録媒体において、磁性膜
   層が少なくともＣｒを含有したＣｏ基合金であり、かつ
   スパッタ成膜手法により形成され、かつその磁性薄膜の
   飽和磁束密度が、室温でスパッタ成膜したものに比べ１
   ５％以上増加する磁性膜組成とスパッタ膜形成条件を選
   ぶことによって作製したことを特徴とする磁気記録媒体
   。 ６、請求項第１項から第５項記載の磁気記録媒体におい
   て基板面内磁気異方性Ｋｕが、１０×１０＾５ｅｒｇ／
   ｃｃ以上であることを特徴とした磁気記録媒体。 ７、請求項第１項から第６項記載の面内磁気記録媒体、
   該磁気記録媒体を回転駆動するための駆動部、該磁気記
   録媒体に情報を書き込み読み出しを行う磁気ヘッド、及
   び該磁気ヘッドを駆動させるための磁気ヘッド駆動手段
   よりなることを特徴とした磁気記憶装置。