JPS61233308A - 位置検出装置 - Google Patents
位置検出装置Info
- Publication number
- JPS61233308A JPS61233308A JP7499885A JP7499885A JPS61233308A JP S61233308 A JPS61233308 A JP S61233308A JP 7499885 A JP7499885 A JP 7499885A JP 7499885 A JP7499885 A JP 7499885A JP S61233308 A JPS61233308 A JP S61233308A
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- resistance
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は位置検出装置に関し、特に光ボテンシオを使用
した車両用位置検出装置の改良に関するものである。
した車両用位置検出装置の改良に関するものである。
従来の光ボテンシオタイプの位置検出装置を自動車に適
用した場合、被検出体の位置が変化していないにもかか
わらず、位置検出装置からの出力信号（電圧）が変化す
る場合がある。この原因について種々の検討を行なった
結果、これは位置検出装置の光ボテンシオ表面に付着す
る水滴が原因であることが判明した。
用した場合、被検出体の位置が変化していないにもかか
わらず、位置検出装置からの出力信号（電圧）が変化す
る場合がある。この原因について種々の検討を行なった
結果、これは位置検出装置の光ボテンシオ表面に付着す
る水滴が原因であることが判明した。
（目的、構成、効果）
本発明は上記の問題点を解決することを目的とする。こ
の目的を達成するために、本発明は絶縁基板の上に光導
電体を設けこの光導電体上に抵抗体および電極をプレー
ナ型に形成した光ボテンシオ上に薄膜ヒータと結露予知
センサとを含む結露予知手段が設けられてなる構成とし
ている。本発明は光ボテンシオの表面に水滴が付着する
のを防止する水滴付着防止手段を設けることにより、自
動車のように露点以下になりうる環境下で使用する場合
でも、位置検出器の精成を十分に保持することができる
効果がある。
の目的を達成するために、本発明は絶縁基板の上に光導
電体を設けこの光導電体上に抵抗体および電極をプレー
ナ型に形成した光ボテンシオ上に薄膜ヒータと結露予知
センサとを含む結露予知手段が設けられてなる構成とし
ている。本発明は光ボテンシオの表面に水滴が付着する
のを防止する水滴付着防止手段を設けることにより、自
動車のように露点以下になりうる環境下で使用する場合
でも、位置検出器の精成を十分に保持することができる
効果がある。
以下、本発明の実施例を図面により説明する。
第１図は本発明の第１実施例を示し、本発明に係る位置
検出装置が車両用エンジンのスロットル弁の開度検出に
適用される例を示す。この位置検出装置は、スロットル
弁の近傍にてエンジンの一部に固定したケーシング１０
内にスリット円板２０゜光源３０及び光ボテンシ第４０
を組付けて構成されている。スリット円板２０は、ケー
シング１０の段付内孔１１の大径部内に位置して、その
回転軸２１にてケーシング１０の前壁１２の中央に軸受
１３を介し回転自在に軸支される。スリット円板２０の
外周縁部には円形状のスリット２２が穿設されている。
検出装置が車両用エンジンのスロットル弁の開度検出に
適用される例を示す。この位置検出装置は、スロットル
弁の近傍にてエンジンの一部に固定したケーシング１０
内にスリット円板２０゜光源３０及び光ボテンシ第４０
を組付けて構成されている。スリット円板２０は、ケー
シング１０の段付内孔１１の大径部内に位置して、その
回転軸２１にてケーシング１０の前壁１２の中央に軸受
１３を介し回転自在に軸支される。スリット円板２０の
外周縁部には円形状のスリット２２が穿設されている。
スリット円板２０の回転軸２１はその外端にてスロット
ル弁のスロットル軸に連結されている。
ル弁のスロットル軸に連結されている。
光［２３０は凹面１１３１を有し、この凹面鏡３１は、
その開口部にてスリット円板２０に対向するようにケー
シング１０の段付内孔１１の小径部内に嵌装されている
。凹面１３１の中央部には、発光素子３２がその発光面
３２ａを凹面１１３１内に露呈させるようにして嵌着さ
れている。この発光素子３２は、グロメット１４を通し
外方へ延出するリード１ｉ３２ｂにて外部回路から駆動
信号を受けて凹面１３１内に発光する。
その開口部にてスリット円板２０に対向するようにケー
シング１０の段付内孔１１の小径部内に嵌装されている
。凹面１３１の中央部には、発光素子３２がその発光面
３２ａを凹面１１３１内に露呈させるようにして嵌着さ
れている。この発光素子３２は、グロメット１４を通し
外方へ延出するリード１ｉ３２ｂにて外部回路から駆動
信号を受けて凹面１３１内に発光する。
光ボテンシ第４０は、その円環状の絶縁基板４１（ガラ
ス、セラミックスに絶縁膜を蒸着したもの）にて、ケー
シング１０の段付内孔１１の大径部内において前壁１２
に回転軸２１と同心的に固着されている。絶縁基板４１
の表面には、第２図（ａ）、（ｂ）に示すごとく、高内
部抵抗値を有する光導電材料（例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳ
ｅ１ａ−３ｉ：Ｈのごときアモルファスシリコン系統等
のシリコンをベースとする非晶質半導体）の光導電膜４
２が円環膜状に蒸着して形成されている。
ス、セラミックスに絶縁膜を蒸着したもの）にて、ケー
シング１０の段付内孔１１の大径部内において前壁１２
に回転軸２１と同心的に固着されている。絶縁基板４１
の表面には、第２図（ａ）、（ｂ）に示すごとく、高内
部抵抗値を有する光導電材料（例えば、ＣｄＳ、ＣｄＳ
ｅ１ａ−３ｉ：Ｈのごときアモルファスシリコン系統等
のシリコンをベースとする非晶質半導体）の光導電膜４
２が円環膜状に蒸着して形成されている。
この光導電膜４２は、受光したときその受光部分にて光
電変操作用を生じ、かかる受光部分の内部抵抗値を非受
光部分の内部抵抗値の１／１０００程度に減少さぼる。
電変操作用を生じ、かかる受光部分の内部抵抗値を非受
光部分の内部抵抗値の１／１０００程度に減少さぼる。
光導電膜４２の肉厚は、例えば、５０００Ｘ１０’（ｃ
ａ＋）ｔａ５る。
ａ＋）ｔａ５る。
光導電１１４２の上にはカーボン、ニクロム等の材料の
抵抗体４３およびＡＩ等の材料の電極４４が先導？！！
１４２と同心的にブレーナ型に形成される。抵抗体４３
および電極４４を覆うように水滴付着防止構造４５が形
成される。
抵抗体４３およびＡＩ等の材料の電極４４が先導？！！
１４２と同心的にブレーナ型に形成される。抵抗体４３
および電極４４を覆うように水滴付着防止構造４５が形
成される。
第２図（ａ）は第１図における本発明装置の光ボテンシ
第４０の上面図であり、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’における横断面図である。
第４０の上面図であり、第２図（ｂ）は第２図（ａ）の
Ａ−Ａ’における横断面図である。
第２図（ｂ）において、水滴付着防止手段４５は５ｉ０
２）Ａｌ２Ｏ２，５ｉ３０４等の材料の絶縁体４５５に
より教示されたＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２等の透明薄膜ヒー
タ４５６を含む。透明薄膜ヒータ４５６の上には結露予
知センサが設けられ、この結露予知センサは感湿膜４５
７と対向電極４５８により構成される。感湿膜４５７は
３００℃以下で成膜可能なものなら良く、例えば吸湿性
樹脂と炭素粉との混合物から成る。対向電極４５８は第
２図（ａ＞に示されるように端子■を有する第１の電極
と端子■を有する第２の電極が対向関係が配置されてい
る。
２）Ａｌ２Ｏ２，５ｉ３０４等の材料の絶縁体４５５に
より教示されたＩｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２等の透明薄膜ヒー
タ４５６を含む。透明薄膜ヒータ４５６の上には結露予
知センサが設けられ、この結露予知センサは感湿膜４５
７と対向電極４５８により構成される。感湿膜４５７は
３００℃以下で成膜可能なものなら良く、例えば吸湿性
樹脂と炭素粉との混合物から成る。対向電極４５８は第
２図（ａ＞に示されるように端子■を有する第１の電極
と端子■を有する第２の電極が対向関係が配置されてい
る。
第２図（ａ）において、端子■および■は薄膜ヒータ４
５６に接続される端子であり、端子■および■はボテン
シオ抵抗体４３に接続される端子を示す。端子のはＡ１
等の電極４４に接続される端子である。
５６に接続される端子であり、端子■および■はボテン
シオ抵抗体４３に接続される端子を示す。端子のはＡ１
等の電極４４に接続される端子である。
第３図は本発明の装置の駆動回路を示す。光ボテンシ第
４０の端子■、■および■は電源に接続される。端子■
は抵抗ＲとトランジスタＴｒのベース又はゲートに接続
され、このトランジスタのコレクタ又ドレインに端子■
が接続される。端子■は接地され、端子■と■の抵抗変
化が端子■を経て電圧計■で計測される。
４０の端子■、■および■は電源に接続される。端子■
は抵抗ＲとトランジスタＴｒのベース又はゲートに接続
され、このトランジスタのコレクタ又ドレインに端子■
が接続される。端子■は接地され、端子■と■の抵抗変
化が端子■を経て電圧計■で計測される。
感湿１１４５７と対向ＩＲ極４５８から成る結露予知セ
ンサの電極端子■と■の間の抵抗は、露点近くになると
急激に小さくなる。外付けの抵抗Ｒをこの時の抵抗値と
同程度の大きさにしておくと、ボテンシ第４ｏの表面の
湿度が露点近くに達した場合、トランジスタＴｒのゲー
ト又はベースに電圧が印加され、トランジスタＴｒＩｆ
ｉＯＮし、ｓｌｌ上ヒータ４５６動作するため、ボテン
シ第４０の表面の温度が上昇し、結露を防止する。
ンサの電極端子■と■の間の抵抗は、露点近くになると
急激に小さくなる。外付けの抵抗Ｒをこの時の抵抗値と
同程度の大きさにしておくと、ボテンシ第４ｏの表面の
湿度が露点近くに達した場合、トランジスタＴｒのゲー
ト又はベースに電圧が印加され、トランジスタＴｒＩｆ
ｉＯＮし、ｓｌｌ上ヒータ４５６動作するため、ボテン
シ第４０の表面の温度が上昇し、結露を防止する。
第４図は本発明の第２実施例を示す。第２実施例が第１
実施例と構造的に異なる点は絶縁基板４１の上に薄膜ヒ
ータ４５９が設けられている点である。薄膜ヒータ４５
９の上に絶縁体４４５を経て光導電膜４２が形成され、
この光導電膜４２に抵抗体４３および電極４４がさらに
形成される。
実施例と構造的に異なる点は絶縁基板４１の上に薄膜ヒ
ータ４５９が設けられている点である。薄膜ヒータ４５
９の上に絶縁体４４５を経て光導電膜４２が形成され、
この光導電膜４２に抵抗体４３および電極４４がさらに
形成される。
結露予知センサは抵抗体４３および電極４４上に絶縁体
４４５を経て設けられる。なお、第２実施例においては
薄膜ヒータ４５９は透明でなくてもよく、カーボン、ニ
クロム、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ，、等で構成される。第２
実施例におる本発明装置の動作は第１実施例のものと同
一である。
４４５を経て設けられる。なお、第２実施例においては
薄膜ヒータ４５９は透明でなくてもよく、カーボン、ニ
クロム、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ，、等で構成される。第２
実施例におる本発明装置の動作は第１実施例のものと同
一である。
第５図は本発明装置の第３実施例を示す。本実施例にお
いては、水滴付着防止手段が界面活性膜４５１により構
成される。界面活性１１４５１としてはゼラチン、ポリ
ソーブなどがあり、この界面活性膜４５１を絶縁基板４
１、光導電膜４２）抵抗体４３、電極４４からなる光ボ
テンシ第４０上に絶縁体４５５を経て形成する。この界
面活性膜４５１により結露した水分は界面活性膜の表面
で平滑化され水滴になることが防止される。
いては、水滴付着防止手段が界面活性膜４５１により構
成される。界面活性１１４５１としてはゼラチン、ポリ
ソーブなどがあり、この界面活性膜４５１を絶縁基板４
１、光導電膜４２）抵抗体４３、電極４４からなる光ボ
テンシ第４０上に絶縁体４５５を経て形成する。この界
面活性膜４５１により結露した水分は界面活性膜の表面
で平滑化され水滴になることが防止される。
第６図は本発明の第４実施例を示す。本実施例において
は水滴付着防止手段が撥水性薄膜４５２）例えば弗素樹
脂等により構成される。第３実施例とはこの撥水性薄膜
４５２が直接光導電膜４２の抵抗体４３および電極４４
上に設けられる点である。作用的には界面活性膜と同様
に撥水性１１１１１により光ボテンシ第４０の表面に水
滴が付着するのが防止される。
は水滴付着防止手段が撥水性薄膜４５２）例えば弗素樹
脂等により構成される。第３実施例とはこの撥水性薄膜
４５２が直接光導電膜４２の抵抗体４３および電極４４
上に設けられる点である。作用的には界面活性膜と同様
に撥水性１１１１１により光ボテンシ第４０の表面に水
滴が付着するのが防止される。
第７図は第５図および第６図に示された実施例における
光ボテンシ第４０の電気回路である。第５図および第６
図の実施例では薄膜ヒータを使用していないので薄膜ヒ
ータの駆動回路が不要となる。
光ボテンシ第４０の電気回路である。第５図および第６
図の実施例では薄膜ヒータを使用していないので薄膜ヒ
ータの駆動回路が不要となる。
以上４つの実施例はいずれも電極と抵抗体が光導電膜の
同一表面上に形成されたプレーナタイプの光ボテンシオ
に関して説明したが、電極と抵抗体が光導電膜をはさん
で形成されたサンドインチタイプの光ボテンシオに関し
ても同様に効果を発揮する。
同一表面上に形成されたプレーナタイプの光ボテンシオ
に関して説明したが、電極と抵抗体が光導電膜をはさん
で形成されたサンドインチタイプの光ボテンシオに関し
ても同様に効果を発揮する。
第１図は本発明装置の第１実施例の全体構造を示す断面
図である。 第２図（ａ）および（ｂ）は第１図における光ボテンシ
オの平面図およびＡ−Ａ’ における断面図である。 第３図は本発明装置の駆動回路図である。 第４図（ａ）および（ｂ）は本発明の第２実施例を示す
平面図および８−Ｂ′における断面図である。 第５図は本発明の第３実施例の断面図である。 第６図は本発明の第４実施例を示す断面図である。 第７図は第５図および第６図における実施例に対する駆
１ｉｌｌ電気回路図である。 〔符号の説明〕 ２０・・・遮光板 ３０・・・光源４０・・・受
光手段 ４５・・・水滴付着防止手段４５１・・・
界面活性膜 ４５２・・・撥水性薄膜４５６・・・薄膜
ヒータ ４５７・・・感湿膜４５８・・・対向電極 ２０−：遮光板 ３Ｑ−ｍ−光源 ４ｏ−ｍ−受光手段 ４５−−一水滴付看防止手段 第２図 （ｂ） ｃｃ 第４図 （ｂ）
図である。 第２図（ａ）および（ｂ）は第１図における光ボテンシ
オの平面図およびＡ−Ａ’ における断面図である。 第３図は本発明装置の駆動回路図である。 第４図（ａ）および（ｂ）は本発明の第２実施例を示す
平面図および８−Ｂ′における断面図である。 第５図は本発明の第３実施例の断面図である。 第６図は本発明の第４実施例を示す断面図である。 第７図は第５図および第６図における実施例に対する駆
１ｉｌｌ電気回路図である。 〔符号の説明〕 ２０・・・遮光板 ３０・・・光源４０・・・受
光手段 ４５・・・水滴付着防止手段４５１・・・
界面活性膜 ４５２・・・撥水性薄膜４５６・・・薄膜
ヒータ ４５７・・・感湿膜４５８・・・対向電極 ２０−：遮光板 ３Ｑ−ｍ−光源 ４ｏ−ｍ−受光手段 ４５−−一水滴付看防止手段 第２図 （ｂ） ｃｃ 第４図 （ｂ）
Claims (4)
- （１）被検出体に連動されスリットを有する遮光板と、
前記遮光板を照射する光源と、前記遮光板に対して前記
光源と反対側に配置され前記遮光板のスリットを通過す
る光を検出する受光手段とを含む位置検出装置において
、前記受光手段上に設けられ該受光手段の表面に水滴が
付着するのを防止する手段を設けて成ることを特徴とす
る位置検出装置。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の検出装置であつて、
前記水滴付着防止手段は薄膜ヒータと結露予知センサと
を含み、前記結露予知センサが結露点付近を検出すると
、前記結露予知センサは結露防止信号を発生し、この結
露予知信号に応答して前記薄膜ヒータが通電され発熱す
ることにより前記受光手段の表面の温度が上昇し結露が
防止されて成る位置検出装置。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の検出装置であつて、
前記水滴付着防止手段は界面活性膜を含んでなることを
特徴とする位置検出装置。 - （４）特許請求の範囲第１項記載の検出装置であつて、
前記水滴付着防止手段は撥水性薄膜を含んでなることを
特徴とする位置検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074998A JPH0660804B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 位置検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60074998A JPH0660804B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 位置検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61233308A true JPS61233308A (ja) | 1986-10-17 |
| JPH0660804B2 JPH0660804B2 (ja) | 1994-08-10 |
Family
ID=13563446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60074998A Expired - Lifetime JPH0660804B2 (ja) | 1985-04-09 | 1985-04-09 | 位置検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660804B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0340442A2 (en) * | 1988-05-06 | 1989-11-08 | Schaltbau Gesellschaft mbH | Photoelectric switch |
| JPH02196923A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-08-03 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置 |
| JP2017187305A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | ファナック株式会社 | 液体の浸入を光で検出するエンコーダ |
| JP2020056742A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 株式会社ニコン | エンコーダ及び駆動装置、並びに加熱方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538239U (ja) * | 1978-09-02 | 1980-03-12 |
-
1985
- 1985-04-09 JP JP60074998A patent/JPH0660804B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5538239U (ja) * | 1978-09-02 | 1980-03-12 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0340442A2 (en) * | 1988-05-06 | 1989-11-08 | Schaltbau Gesellschaft mbH | Photoelectric switch |
| JPH02196923A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-08-03 | Dr Johannes Heidenhain Gmbh | 位置測定装置 |
| JP2017187305A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | ファナック株式会社 | 液体の浸入を光で検出するエンコーダ |
| US10260912B2 (en) | 2016-04-01 | 2019-04-16 | Fanuc Corporation | Encoder that detects infiltration of liquid by light |
| JP2020056742A (ja) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 株式会社ニコン | エンコーダ及び駆動装置、並びに加熱方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660804B2 (ja) | 1994-08-10 |
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