JPS6122676A - 熱電センサ - Google Patents
熱電センサInfo
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- JPS6122676A JPS6122676A JP59255563A JP25556384A JPS6122676A JP S6122676 A JPS6122676 A JP S6122676A JP 59255563 A JP59255563 A JP 59255563A JP 25556384 A JP25556384 A JP 25556384A JP S6122676 A JPS6122676 A JP S6122676A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電磁放射の検知に用いられる熱電センサに関
する。
する。
従来の技術
数個の種類の熱電センサには次の点について主要な差異
がある。
がある。
−それらの機能素子は、大きな熱質量をもつ放熱板上に
配列されているか、それとも小さな熱質量をもつ自由に
立つ薄膜上に配列(電気支持m、)されているか、 一機能素子は、塊状材料(例えば、小さなピン又は細い
針金状の)からできているか、それとも薄い膜(フィル
ム)からできているか、 一機能素子は、排気された容器中に封入されていやか、 それとも保護用ガスで満たされた容器中に封入されてい
るか。
配列されているか、それとも小さな熱質量をもつ自由に
立つ薄膜上に配列(電気支持m、)されているか、 一機能素子は、塊状材料(例えば、小さなピン又は細い
針金状の)からできているか、それとも薄い膜(フィル
ム)からできているか、 一機能素子は、排気された容器中に封入されていやか、 それとも保護用ガスで満たされた容器中に封入されてい
るか。
極めて小型化され、また同時に高い感度の熱電センサに
対する現在の広く普及した関心により、薄膜技術により
実現される自立の膜をもちまた保護4囲気中に標準トラ
ンジスタ容器内に封入される種類のセンサが開発される
に至った。
対する現在の広く普及した関心により、薄膜技術により
実現される自立の膜をもちまた保護4囲気中に標準トラ
ンジスタ容器内に封入される種類のセンサが開発される
に至った。
この種の公知の熱電検知器は、例えば、大気圧の保護用
窒素、アルゴン又はキセノン雰囲気中でTO−5容器内
に気゛密封入される。熱電センサで、薄膜技術で作られ
る受は面積1 w X 1 m又は直径1關をもち、異
なった形状の熱電対を6個から15個直列に接続したも
のでは典型的な応答性として7−23.5V/99’に
達すル(ウオルマン、エル、アール、1ti−光学シス
テム設計、1979年9月、矛37頁−矛44頁)。
窒素、アルゴン又はキセノン雰囲気中でTO−5容器内
に気゛密封入される。熱電センサで、薄膜技術で作られ
る受は面積1 w X 1 m又は直径1關をもち、異
なった形状の熱電対を6個から15個直列に接続したも
のでは典型的な応答性として7−23.5V/99’に
達すル(ウオルマン、エル、アール、1ti−光学シス
テム設計、1979年9月、矛37頁−矛44頁)。
非接触温度測定のための、またガス分析又は侵入検知器
及び安全機器のためのさらに高応答性の利用できる装置
を得るための努力の過程で、高い応答性の熱電センサに
高い関心がある。
及び安全機器のためのさらに高応答性の利用できる装置
を得るための努力の過程で、高い応答性の熱電センサに
高い関心がある。
発明の要約
本発明の目的は、1m平方の大きさの受は面積をもち、
大気圧での充満ガスの下で作動し、また薄膜技術を使用
し、これと同等のセンサより高い応答性をもつ、空気支
持型の熱電センサを創ることである。
大気圧での充満ガスの下で作動し、また薄膜技術を使用
し、これと同等のセンサより高い応答性をもつ、空気支
持型の熱電センサを創ることである。
本発明のさらに他の目的は、熱電対どして従来の材料を
用い、との熱電対は新規な形状をもち、また対象とする
種類のセンサのために必要最小限の数の熱電対を同時に
密着して、少なくとも35 ■/Wの応答性に達するこ
とのできる熱電センサを作ることである。
用い、との熱電対は新規な形状をもち、また対象とする
種類のセンサのために必要最小限の数の熱電対を同時に
密着して、少なくとも35 ■/Wの応答性に達するこ
とのできる熱電センサを作ることである。
本発明によれば、この目的は、その脚部の熱伝導率が相
互に同等である熱電対を用い、最小数2511i!il
の熱電対を受げ領域に配列し、各脚部の脚長と脚幅の比
は少なくとも蜀、特に田と刃の間、好ましくはnとする
ことにより達成される。
互に同等である熱電対を用い、最小数2511i!il
の熱電対を受げ領域に配列し、各脚部の脚長と脚幅の比
は少なくとも蜀、特に田と刃の間、好ましくはnとする
ことにより達成される。
本発明による熱電センサは、「光学放射測定」(エト、
エフ、フルム 、シイ、ジエー、パートルソン)、矛4
巻、ダブリュー、パドル「光学放射の物理的検知器」、
アカデミツク プレスニューヨーク、ロンドン等、19
83年、24章に記載されている公知の真空蒸着法及び
写真平板構成法により作ることができる。
エフ、フルム 、シイ、ジエー、パートルソン)、矛4
巻、ダブリュー、パドル「光学放射の物理的検知器」、
アカデミツク プレスニューヨーク、ロンドン等、19
83年、24章に記載されている公知の真空蒸着法及び
写真平板構成法により作ることができる。
本発明において提案された手段を使用することにより、
公知のrA電対材料を用い、また大気圧でのガス充満を
用い1M平方の大きさの受は面積をもつそれ自体公知の
空気支持型のそれ自体公知のセンサ設計を用い、提案さ
れた種類のセンサの応答性を驚くべき簡単な方法で35
V/wまで増加させることが可能である。既に、6個の
熱電対のみで、適当な保護ガス充満の下で応答性を5Q
V/W に達することができる。各々の脚部に本発明
による脚長と脚幅の比が与えられない場合でも、同様に
本発明の範囲内であることは強調されるべきである。例
えば、契約の理由で、小数の脚部には別の寸法決めが必
要かも知れない。大多数の脚部には本発明による比が与
えられることが重要である。達成可能な応答性の増加に
較べて生産−技術費用は比較的低い。
公知のrA電対材料を用い、また大気圧でのガス充満を
用い1M平方の大きさの受は面積をもつそれ自体公知の
空気支持型のそれ自体公知のセンサ設計を用い、提案さ
れた種類のセンサの応答性を驚くべき簡単な方法で35
V/wまで増加させることが可能である。既に、6個の
熱電対のみで、適当な保護ガス充満の下で応答性を5Q
V/W に達することができる。各々の脚部に本発明
による脚長と脚幅の比が与えられない場合でも、同様に
本発明の範囲内であることは強調されるべきである。例
えば、契約の理由で、小数の脚部には別の寸法決めが必
要かも知れない。大多数の脚部には本発明による比が与
えられることが重要である。達成可能な応答性の増加に
較べて生産−技術費用は比較的低い。
実施例
次に本発明を図面に示された代表的な実施例によって詳
細に説明するが図面の尺度は真実ではない。
細に説明するが図面の尺度は真実ではない。
To −5容器(パッケージ)罐2の基礎lの上に、こ
の罐2の残りの部分は保護ガスで充満され又は排気され
、検知されるべき電磁放射を透過する臭化カリウムで作
られた窓3をもっているが、シリコンで作られる基板4
が設けられ、これは放熱板として作用し、また中央開口
5をもち、基板4の上部表面は開口5を含めて窒化シリ
コン(Si5NIL)及び二酸化珪素(SiOz )、
又はこれらの−力で作られる膜6が覆いかつ広がってい
る。熱電対7は放射状に対称的に膜6に取り付けられ、
各々は2個の脚部8.9からなり相互にそれらの外側端
で基準接点IOで接触しまたそれらの内側端でそれぞれ
先行する又は後続の熱電対と感知接点11で接触してい
る〇基準接点10は基板4上に位置し、感知接点11は
開口5の上の窓3の下に位置する。開口5上で熱゛電対
7及び膜6は、電気的絶縁層り、恒温コレクタ層13及
びメタルブラック吸収被覆14で次々と重なって覆われ
ている。熱電対702つの脚部15.16は指示計器(
電圧計)の端第17、is (その他の部分に図示され
ず)に至る。窓3、一連の層12.13.14及び開口
5は、窓3を過つ工人る電磁放射36が感知接点に対し
て最大に効果的であるように相互に配列され整列してい
る。
の罐2の残りの部分は保護ガスで充満され又は排気され
、検知されるべき電磁放射を透過する臭化カリウムで作
られた窓3をもっているが、シリコンで作られる基板4
が設けられ、これは放熱板として作用し、また中央開口
5をもち、基板4の上部表面は開口5を含めて窒化シリ
コン(Si5NIL)及び二酸化珪素(SiOz )、
又はこれらの−力で作られる膜6が覆いかつ広がってい
る。熱電対7は放射状に対称的に膜6に取り付けられ、
各々は2個の脚部8.9からなり相互にそれらの外側端
で基準接点IOで接触しまたそれらの内側端でそれぞれ
先行する又は後続の熱電対と感知接点11で接触してい
る〇基準接点10は基板4上に位置し、感知接点11は
開口5の上の窓3の下に位置する。開口5上で熱゛電対
7及び膜6は、電気的絶縁層り、恒温コレクタ層13及
びメタルブラック吸収被覆14で次々と重なって覆われ
ている。熱電対702つの脚部15.16は指示計器(
電圧計)の端第17、is (その他の部分に図示され
ず)に至る。窓3、一連の層12.13.14及び開口
5は、窓3を過つ工人る電磁放射36が感知接点に対し
て最大に効果的であるように相互に配列され整列してい
る。
窓3を通って入る放射19はjm12,13.14によ
り感知接点11に集中され、そしてその中に′1圧を発
生し、この電圧は端第17.18に送られる。
り感知接点11に集中され、そしてその中に′1圧を発
生し、この電圧は端第17.18に送られる。
この熱電対列は(資)個の熱電対をもち、この幾つかが
矛1図に示され、その他は円で示され、また測定される
べき放射19に当てられる感知接点11は熱電対列の中
心X−Xから0.565mmの距離に位置し、また放射
19によって影響されない基準接点lOはlIuの距離
に位置する。従って、脚部8.9は0.435騙の長さ
をもつが、脚部1516はそうではない。感知接点11
の外側の極限がその上にある円形の線20は、測定すべ
き電磁放射に当たる1−の有効感知面積を駆足している
。
矛1図に示され、その他は円で示され、また測定される
べき放射19に当てられる感知接点11は熱電対列の中
心X−Xから0.565mmの距離に位置し、また放射
19によって影響されない基準接点lOはlIuの距離
に位置する。従って、脚部8.9は0.435騙の長さ
をもつが、脚部1516はそうではない。感知接点11
の外側の極限がその上にある円形の線20は、測定すべ
き電磁放射に当たる1−の有効感知面積を駆足している
。
脚部8.6はアンチモニイ及びビスマ苑9アンチモニイ
。□合金の可能性あるかつ通常の組合せからできている
。
。□合金の可能性あるかつ通常の組合せからできている
。
これらは、長さと幅の比がnになるように、0.016
mの幅をもつ℃いる。脚部8.9の長さは感郊接点11
と基準接点10との間の距離、又は矛1図の記号を用い
れば、それぞれ感知接点11の醒しての外1111極限
と基準接点10の総ての内側極限の軌跡を決定している
日田と21との間の距離である。脚部8.9の幅はオ1
図及び矛3図の平面に平行に長さに直角なそれらの寸法
である。
mの幅をもつ℃いる。脚部8.9の長さは感郊接点11
と基準接点10との間の距離、又は矛1図の記号を用い
れば、それぞれ感知接点11の醒しての外1111極限
と基準接点10の総ての内側極限の軌跡を決定している
日田と21との間の距離である。脚部8.9の幅はオ1
図及び矛3図の平面に平行に長さに直角なそれらの寸法
である。
脚部8.9及び15.16の層の厚さは、結合される材
料を考慮して1個の熱電対の両脚部は各々同じ大きさの
熱伝導率をもつように設計される。ビスマスーアンチモ
ニイの組合せに対しては、アンチモニイに対して200
mmの層厚が、そしてビスマスには400mmの層厚が
適当である。もし、ビスマスとアンチモニイの代りにア
ンチモニイテルル化合物及びビスマステルル化合物を組
み合せるときは、適当な層厚は5bL5Bio、bTe
3ニ対しては800mmまたBi 28bα3Teja
、’/ K対して)!560nmである◎画側の熱電対
で、長さと幅の比がn、放射吸収センサ面積が1−の本
発明による熱電対列は応答性が100 V/Wに達する
ことができ、これは公知の熱電対列より遥かに高く、こ
れは脚部8.9の釣り合いと有効センサ面積を考慮して
のそれらの数の両者によるものである。
料を考慮して1個の熱電対の両脚部は各々同じ大きさの
熱伝導率をもつように設計される。ビスマスーアンチモ
ニイの組合せに対しては、アンチモニイに対して200
mmの層厚が、そしてビスマスには400mmの層厚が
適当である。もし、ビスマスとアンチモニイの代りにア
ンチモニイテルル化合物及びビスマステルル化合物を組
み合せるときは、適当な層厚は5bL5Bio、bTe
3ニ対しては800mmまたBi 28bα3Teja
、’/ K対して)!560nmである◎画側の熱電対
で、長さと幅の比がn、放射吸収センサ面積が1−の本
発明による熱電対列は応答性が100 V/Wに達する
ことができ、これは公知の熱電対列より遥かに高く、こ
れは脚部8.9の釣り合いと有効センサ面積を考慮して
のそれらの数の両者によるものである。
本発明の範囲内で到達すべき応答性は熱電対7の数、こ
れは5個と100個の間とすべきであるが、及び脚部の
長さと幅の比、これは脚部の大多数に対しては20:l
と30=1の間、に依存する。保護ガスで満たし、また
臭化カリウムで作られた窓3とメタルブラック吸収被覆
140間にこの保護ガスが存在する気密封止容器2に対
しては、熱電対の数と脚部の長−幅の比に依存して次の
表の応答性に到達した。
れは5個と100個の間とすべきであるが、及び脚部の
長さと幅の比、これは脚部の大多数に対しては20:l
と30=1の間、に依存する。保護ガスで満たし、また
臭化カリウムで作られた窓3とメタルブラック吸収被覆
140間にこの保護ガスが存在する気密封止容器2に対
しては、熱電対の数と脚部の長−幅の比に依存して次の
表の応答性に到達した。
(91) (Zoo) (91)
括弧のない応答性は保護ガスとしてアルゴンで満たした
容器2の場合を指し、また括弧内の応答性はキセノンで
満たした容器の場合を指す。
容器2の場合を指し、また括弧内の応答性はキセノンで
満たした容器の場合を指す。
保護ガスが7レオ:/ 12 (CF2 Cl3)
で、園側の熱電対で、長さ一幅の比が27:’1で、そ
の他の条件は上述と同様で応答性84v/Wが得られた
。
で、園側の熱電対で、長さ一幅の比が27:’1で、そ
の他の条件は上述と同様で応答性84v/Wが得られた
。
基板4はセラミック、金属又はガラスで作ることができ
る。膜6に対して、その材料もまた任意に選ぶことがで
き、例えば金属酸化物は電気的絶縁で、脚部8.9.1
5.16の基板4に対する充分の接着が保証され、また
破れることなく基板4の開口5を覆うのに適している。
る。膜6に対して、その材料もまた任意に選ぶことがで
き、例えば金属酸化物は電気的絶縁で、脚部8.9.1
5.16の基板4に対する充分の接着が保証され、また
破れることなく基板4の開口5を覆うのに適している。
一連の層12等に対しては、その層は測定すべき放射を
できるだげ多く受け、それに感知接点11へ導き、また
その金属層は脚部8.9から良好に絶縁されていること
が重要である。脚部8.9.15.16、一連の層12
.13.14及び膜6の薄い層は通常の蒸着又はスパッ
タリング法により作ることができる。
できるだげ多く受け、それに感知接点11へ導き、また
その金属層は脚部8.9から良好に絶縁されていること
が重要である。脚部8.9.15.16、一連の層12
.13.14及び膜6の薄い層は通常の蒸着又はスパッ
タリング法により作ることができる。
熱電対7のデポジションは円形形とすることに制約され
ない。これらは長方形の窓の下の長刀形の開口を覆うう
ねり路の形に横力向に配列することもできる(米国特許
第3.715.288号明細書、オジャース リスギン
)。熱電対7はまた、両者共長力形の窓と開口との間に
放射状に対称的に配列することも可能である。この場合
脚部はこの四角形の隅の方向の力が、四角形の縁の中心
の方向よりも長い。認ての脚部に対して長−幅の比を一
定に保つために、脚部の幅はそれに従って変えるべきで
ある。調査によればしかし、長さ一幅の比の平均が本発
明により規尾された限度内にあるか、又は長さ一幅の比
が、脚部8.90大多数により一般的に遵守されれば充
分である。
ない。これらは長方形の窓の下の長刀形の開口を覆うう
ねり路の形に横力向に配列することもできる(米国特許
第3.715.288号明細書、オジャース リスギン
)。熱電対7はまた、両者共長力形の窓と開口との間に
放射状に対称的に配列することも可能である。この場合
脚部はこの四角形の隅の方向の力が、四角形の縁の中心
の方向よりも長い。認ての脚部に対して長−幅の比を一
定に保つために、脚部の幅はそれに従って変えるべきで
ある。調査によればしかし、長さ一幅の比の平均が本発
明により規尾された限度内にあるか、又は長さ一幅の比
が、脚部8.90大多数により一般的に遵守されれば充
分である。
牙1図は本質的に熱電対列の形のM4電センサの平面図
であり、重要な能動系子を明らかにするため、?2図の
B−B線に沿った断面をとっている。 湾曲線の下の熱電対列の下方部分は、描かれている上方
部分と事実上同じであるので省略した。 矛2図は、矛1図のA−A線に沿った熱電対列の断面図
。 第3図は、矛1図の電気端子の近くの熱電対の拡−大上
面図である。 図において、 1・・・基礎 2 ・・・ 容器(パッケージ) 3・・・窓 4・・・基板 5・・・開口 6 ・・・ 膜 7 ・・・ 熱電対 8.9.15.16・・・脚部 10 ・・・ 基準接点 11 ・・・ 感知接点 12.13.14・・・層 17.18 ・・・電気端子 19 ・・・ 電磁放射 図面の浄書(内容に*更なし) 第1図 @発明者フリーデマン フェル ドイツ民主共和国6
900・クライン イエーナ ハーマルテン シュトラ イエーナ ベルクホフスヴエーク3 手続補正書 昭和10年Z月ノ日
であり、重要な能動系子を明らかにするため、?2図の
B−B線に沿った断面をとっている。 湾曲線の下の熱電対列の下方部分は、描かれている上方
部分と事実上同じであるので省略した。 矛2図は、矛1図のA−A線に沿った熱電対列の断面図
。 第3図は、矛1図の電気端子の近くの熱電対の拡−大上
面図である。 図において、 1・・・基礎 2 ・・・ 容器(パッケージ) 3・・・窓 4・・・基板 5・・・開口 6 ・・・ 膜 7 ・・・ 熱電対 8.9.15.16・・・脚部 10 ・・・ 基準接点 11 ・・・ 感知接点 12.13.14・・・層 17.18 ・・・電気端子 19 ・・・ 電磁放射 図面の浄書(内容に*更なし) 第1図 @発明者フリーデマン フェル ドイツ民主共和国6
900・クライン イエーナ ハーマルテン シュトラ イエーナ ベルクホフスヴエーク3 手続補正書 昭和10年Z月ノ日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 電磁放射の検知のための(指示のための)熱電セン
サであつて、開口をもつ基板、上記基板上にあり、かつ
これと接触する膜であつて、上記膜は、また上記開口を
覆い、上記膜上の25個から100個の熱電対であつて
各熱電対は2個の脚部をもち、上記2個の脚部は上記基
板の上の基準接点において相互に接触し、上記脚部の各
々はその隣りの熱電対の一方の脚部と上記開口の上の感
知接点において接触し、総ての上記熱電対の感知接点は
上記センサの放射−吸収領域を決定し、総ての脚部の、
それらの感知接点と基準接点との間の平均長さはそれら
の幅の20から30倍であり、及び指示計器のための電
気端子であつて、上記感知接点及び上記基準接点のそれ
ぞれの第一番目及び最後のものは上記電気端子と接続さ
れる上記電気端子、からなる熱電センサ。 2 特許請求の範囲第1項のセンサであつて、上記脚部
の平均長さはそれらの幅の27倍である、熱電センサ。 3 特許請求の範囲第2項のセンサであつて、上記基板
は、上記開口の上に窓をもつ上部板をもつ容器のベース
板に取り付けられ、上記容器は雰囲気で満たされ、上記
雰囲気及び上記窓は上記電気放射を透過させる、熱電セ
ンサ。 4 特許請求の範囲第3項のセンサであつて、上記開口
の上の上記熱電対上に熱伝導金属被覆が置かれ、上記熱
電対とは電気的に絶縁される、熱電センサ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DD83257533A DD221604A1 (de) | 1983-12-06 | 1983-12-06 | Thermoelektrischer detektor |
DD01L/257533-5 | 1983-12-06 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6122676A true JPS6122676A (ja) | 1986-01-31 |
Family
ID=5552605
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59255563A Pending JPS6122676A (ja) | 1983-12-06 | 1984-12-03 | 熱電センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4665276A (ja) |
JP (1) | JPS6122676A (ja) |
DD (1) | DD221604A1 (ja) |
DE (1) | DE3438764A1 (ja) |
GB (1) | GB2154367B (ja) |
HU (1) | HUT36613A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4969956A (en) * | 1989-12-19 | 1990-11-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Transparent thin film thermocouple |
US5059543A (en) * | 1990-09-21 | 1991-10-22 | The Board Of Regents Acting For And On Behalf Of The University Of Michigan | Method of manufacturing thermopile infrared detector |
US5393351A (en) * | 1993-01-13 | 1995-02-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Multilayer film multijunction thermal converters |
KR960006241B1 (ko) * | 1993-11-20 | 1996-05-11 | 국방과학연구소 | p-n 전이방지 특성을 갖는 Bi₂Te₃계 열전재료 조성물 |
US5474619A (en) * | 1994-05-04 | 1995-12-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Thin film high temperature silicide thermocouples |
DE19732078C1 (de) * | 1997-07-25 | 1999-01-07 | Inst Physikalische Hochtech Ev | Miniaturisierter thermoelektrischer Dünnschichtdetektor |
DE19752208A1 (de) * | 1997-11-25 | 1999-06-02 | Bosch Gmbh Robert | Thermischer Membransensor und Verfahren zu seiner Herstellung |
DE60044383D1 (de) | 1999-03-24 | 2010-06-24 | Ishizuka Electronics Corp | Thermosäulenartiger Infrarotsensor und Vorrichtung zu seiner Herstellung |
US6072165A (en) * | 1999-07-01 | 2000-06-06 | Thermo-Stone Usa, Llc | Thin film metal/metal oxide thermocouple |
US6327841B1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-12-11 | Utilx Corporation | Wire rope lubrication |
DE10320357B4 (de) * | 2003-05-07 | 2010-05-12 | Perkinelmer Optoelectronics Gmbh & Co.Kg | Strahlungssensor, Wafer, Sensorarray und Sensormodul |
EP1677958A4 (en) * | 2003-08-21 | 2011-05-25 | Ncc Roads As | INSULATION USED IN THE MOLDING OF METALS CONTAINING IRON COMPOUNDS |
US20050150537A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Nanocoolers Inc. | Thermoelectric devices |
WO2005088285A1 (ja) * | 2004-03-17 | 2005-09-22 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | マイクロ熱電式ガスセンサ |
US20060076046A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Nanocoolers, Inc. | Thermoelectric device structure and apparatus incorporating same |
US8348504B2 (en) | 2010-05-12 | 2013-01-08 | Wireless Sensor Technologies, Llc | Wireless temperature measurement system and methods of making and using same |
GB2521476A (en) * | 2013-12-22 | 2015-06-24 | Melexis Technologies Nv | Infrared thermal sensor with good SNR |
GB2521475A (en) * | 2013-12-22 | 2015-06-24 | Melexis Technologies Nv | Infrared thermal sensor with beam without thermocouple |
GB2521474A (en) | 2013-12-22 | 2015-06-24 | Melexis Technologies Nv | Infrared thermal sensor with beams having different widths |
US10263424B2 (en) * | 2014-04-02 | 2019-04-16 | Leddynamics, Inc. | Energy management system for controlling energy to a load powered by a thermoelectric module |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5412578A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Leeds & Northrup Co | Method of and device for producing compact and high performance radiation thermopile |
JPS58112377A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 半導体熱電対 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2422273A (en) * | 1942-11-28 | 1947-06-17 | Brown Instr Co | Lens type radiation pyrometer |
US2561077A (en) * | 1946-04-04 | 1951-07-17 | Honeywell Regulator Co | Radiation pyrometer |
US2696117A (en) * | 1950-06-24 | 1954-12-07 | Honeywell Regulator Co | Radiation pyrometer |
DE1137875B (de) * | 1959-09-22 | 1962-10-11 | Philips Nv | Thermoelementanordnung mit einem oder mehreren Thermoelementen |
US3424624A (en) * | 1965-05-25 | 1969-01-28 | Barnes Eng Co | Thermopile radiation detector system |
GB1126427A (en) * | 1966-05-02 | 1968-09-05 | Hughes Aircraft Co | Radiation detector |
FR2102872A5 (ja) * | 1970-08-27 | 1972-04-07 | Agronomique Inst Nat Rech | |
GB1381001A (en) * | 1972-03-04 | 1975-01-22 | Sensors Inc | Thermal radiation sensors |
FR2213492B1 (ja) * | 1972-10-09 | 1975-03-28 | Sodern | |
DE2733071A1 (de) * | 1977-07-21 | 1979-02-08 | Siemens Ag | Anordnung mit mehreren thermoelementen in reihenschaltung |
-
1983
- 1983-12-06 DD DD83257533A patent/DD221604A1/de unknown
-
1984
- 1984-10-23 DE DE19843438764 patent/DE3438764A1/de not_active Withdrawn
- 1984-11-14 HU HU844245A patent/HUT36613A/hu unknown
- 1984-11-15 US US06/671,664 patent/US4665276A/en not_active Expired - Fee Related
- 1984-11-29 GB GB08430158A patent/GB2154367B/en not_active Expired
- 1984-12-03 JP JP59255563A patent/JPS6122676A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5412578A (en) * | 1977-06-29 | 1979-01-30 | Leeds & Northrup Co | Method of and device for producing compact and high performance radiation thermopile |
JPS58112377A (ja) * | 1981-12-25 | 1983-07-04 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | 半導体熱電対 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2154367B (en) | 1988-02-24 |
GB8430158D0 (en) | 1985-01-09 |
DE3438764A1 (de) | 1985-06-13 |
HUT36613A (en) | 1985-09-30 |
GB2154367A (en) | 1985-09-04 |
DD221604A1 (de) | 1985-04-24 |
US4665276A (en) | 1987-05-12 |
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