JPS61226674A - シングルフオトンect装置の吸収補正方法 - Google Patents
シングルフオトンect装置の吸収補正方法Info
- Publication number
- JPS61226674A JPS61226674A JP6764785A JP6764785A JPS61226674A JP S61226674 A JPS61226674 A JP S61226674A JP 6764785 A JP6764785 A JP 6764785A JP 6764785 A JP6764785 A JP 6764785A JP S61226674 A JPS61226674 A JP S61226674A
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- JP
- Japan
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- ect
- absorption
- corrected
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- subject
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は、シングルフォトンECT装置において得ら
れるECT断層像の吸収補正を行なう方法に関する。
れるECT断層像の吸収補正を行なう方法に関する。
従来の技術
シングルフォトンECT装置は、被検体内に投与された
RI(放射性同位元素)の特定断層面における濃度分布
像を断層像として得るものである。被検体の内部のRI
から外部に放出される放射線を被検体外で検出する。そ
の際、断層面内の各方向での投影データが得られるよう
にスキャニング(エミッションスキャニング)が行なわ
れる。この投影データを逆投影することによって画像再
構成が行なわれ、上記の断層面における各ピクチャセル
のECT値が得られる。つまり、ここで得られるECT
値は各ピクチャセル毎のRI遣度に対応する値であり、
このECT値の分布を表す画像は被検体内での上記断層
面におけるR1濃度の分布像に対応する。
RI(放射性同位元素)の特定断層面における濃度分布
像を断層像として得るものである。被検体の内部のRI
から外部に放出される放射線を被検体外で検出する。そ
の際、断層面内の各方向での投影データが得られるよう
にスキャニング(エミッションスキャニング)が行なわ
れる。この投影データを逆投影することによって画像再
構成が行なわれ、上記の断層面における各ピクチャセル
のECT値が得られる。つまり、ここで得られるECT
値は各ピクチャセル毎のRI遣度に対応する値であり、
このECT値の分布を表す画像は被検体内での上記断層
面におけるR1濃度の分布像に対応する。
ところで、被検体内RIから放出された放射線は被検体
表面に達するまでに被検体内各組織で吸収される。そこ
で、被検体外部で検出されるデータには必ずこの放射線
吸収の影響が含まれることになり、その補正が必要とな
る。
表面に達するまでに被検体内各組織で吸収される。そこ
で、被検体外部で検出されるデータには必ずこの放射線
吸収の影響が含まれることになり、その補正が必要とな
る。
従来では、被検体内の各部の吸収係数が一定であるとし
て計算して吸収補正が行なわれている。
て計算して吸収補正が行なわれている。
また、あらかじめ円筒形ファントムに一様にRI温溶液
満たして測定し、吸収係数を水と同一であるとして補正
する方法もある。
満たして測定し、吸収係数を水と同一であるとして補正
する方法もある。
発明が解決しようとする問題点
しかし、実際には被検体各部の吸収係数はそれぞれ異な
る値を持ち、上記のような従来の補正方法では正確な補
正は困難である。また、このことがシングルフォトンE
CT装置による定量測定に対して大きな障害となってい
る。
る値を持ち、上記のような従来の補正方法では正確な補
正は困難である。また、このことがシングルフォトンE
CT装置による定量測定に対して大きな障害となってい
る。
この発明は、ECT断層像の吸収補正を比較的簡単な計
算で正確に行なうことができ、定量測定を可能とする吸
収補正方法を提供することを目的とする。
算で正確に行なうことができ、定量測定を可能とする吸
収補正方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
この発明によれば、ECT断層像と同一断層面に関する
吸収係数分布を求め、吸収補正せずに一応求めたピクチ
ャセル毎のECT値を、上記吸収係数分布を利用して吸
収補正しながら投影して各角度方向への投影データを得
、これら各角度方向への投影データを逆投影することを
特徴とする。
吸収係数分布を求め、吸収補正せずに一応求めたピクチ
ャセル毎のECT値を、上記吸収係数分布を利用して吸
収補正しながら投影して各角度方向への投影データを得
、これら各角度方向への投影データを逆投影することを
特徴とする。
作 用
吸収補正せずに一応求めたピクチャセル毎のECT値の
うちの1つのピクチャセルの値を、各角度方向に投影し
て投影データを求める。その際に、ECT断層像を得た
断層面での吸収係数分布が知られているので、これを利
用すれば、吸収されないと仮定した場合の投影データが
再現できる。すなわち、こうして求められた各角度方向
への投影データ自体が既に吸収補正されたものとなって
いる。そこで、この投影データを逆投影すれば、上記の
ピクチャセルでの吸収補正されたECT値が得られる。
うちの1つのピクチャセルの値を、各角度方向に投影し
て投影データを求める。その際に、ECT断層像を得た
断層面での吸収係数分布が知られているので、これを利
用すれば、吸収されないと仮定した場合の投影データが
再現できる。すなわち、こうして求められた各角度方向
への投影データ自体が既に吸収補正されたものとなって
いる。そこで、この投影データを逆投影すれば、上記の
ピクチャセルでの吸収補正されたECT値が得られる。
この操作を全てのピクチャセルにつき行なえばECT断
層像の吸収補正ができる。
層像の吸収補正ができる。
実施例
この発明をリング型シングルフォトンECT装置に適用
した一実施例について説明する。リング型シングルフォ
トンECT装置では、第1図に示すように、被検体1の
周囲に多数の放射線検出器2がリング型に配列されてい
る。そして、この検出器2のリング型配列の内周部に、
図のように異なる方向を向いた多数の放射線遮蔽板から
なり、これらが一体となって回転するコリメータ3が置
かれる。被検体lから放出される放射線はこのコリメー
タ3によってコリメーシ冒ンされた方向のもののみが各
検出器2に入射する。各検出器2の出力は第2図に示す
ようにデータ収集装置5に送られ、収集されたデータが
CPU6に送られる。
した一実施例について説明する。リング型シングルフォ
トンECT装置では、第1図に示すように、被検体1の
周囲に多数の放射線検出器2がリング型に配列されてい
る。そして、この検出器2のリング型配列の内周部に、
図のように異なる方向を向いた多数の放射線遮蔽板から
なり、これらが一体となって回転するコリメータ3が置
かれる。被検体lから放出される放射線はこのコリメー
タ3によってコリメーシ冒ンされた方向のもののみが各
検出器2に入射する。各検出器2の出力は第2図に示す
ようにデータ収集装置5に送られ、収集されたデータが
CPU6に送られる。
コリメータ3が回転することにより各検出器2に入射す
る放射線の方向が変り、被検体!内から放出される放射
線に関する各角度方向での投影データが得られる。
る放射線の方向が変り、被検体!内から放出される放射
線に関する各角度方向での投影データが得られる。
マス、トランスミッシ璽ンスキャニングを行なってトラ
ンスミッションデータを収集する。コリメータ3の焦点
位置に線源4を置き、被検体lにはRIを投与せずにコ
′リメータ3を回転させる。すると、この被検体lを透
過した放射線がコリメータ3を通って検出器2に入射し
、トランスミッションデータの投影データが収集される
。こうして得られた投影データは画像再構成装置7に送
られ、逆投影によってトランスミッション断層像が再構
成される。このトランスミッション断層像は、第3図に
示すように、被検体lの各ピクチャセル毎に求められた
吸収係数ILijの分布および輪郭を表す画像であり、
これがメモリ8に格納される。
ンスミッションデータを収集する。コリメータ3の焦点
位置に線源4を置き、被検体lにはRIを投与せずにコ
′リメータ3を回転させる。すると、この被検体lを透
過した放射線がコリメータ3を通って検出器2に入射し
、トランスミッションデータの投影データが収集される
。こうして得られた投影データは画像再構成装置7に送
られ、逆投影によってトランスミッション断層像が再構
成される。このトランスミッション断層像は、第3図に
示すように、被検体lの各ピクチャセル毎に求められた
吸収係数ILijの分布および輪郭を表す画像であり、
これがメモリ8に格納される。
つぎに、線源4を取り除き、被検体lにRIを投与して
コリメータ3を回転させることによって通常のエミッシ
ョンスキャニングヲ行ない、エミッションデータに関す
る投影データを収集する。収集された投影データは画像
再構成装置7に送られ、吸収補正されることなく適当な
フィルタを作用させられた上で逆投影されてECT画像
が再構成される。このECT画像は第4図に示すように
、被検体1の各ピクチャセル毎のECT値Iijの分布
を表す画像であり、これがメモリ9に格納される。ここ
で求められた各ピクチャセル毎のECT値IijはRI
濃度を反映してはいるが吸収補正していないので、一応
のものにすぎず、真の値Ioijとは異なる。
コリメータ3を回転させることによって通常のエミッシ
ョンスキャニングヲ行ない、エミッションデータに関す
る投影データを収集する。収集された投影データは画像
再構成装置7に送られ、吸収補正されることなく適当な
フィルタを作用させられた上で逆投影されてECT画像
が再構成される。このECT画像は第4図に示すように
、被検体1の各ピクチャセル毎のECT値Iijの分布
を表す画像であり、これがメモリ9に格納される。ここ
で求められた各ピクチャセル毎のECT値IijはRI
濃度を反映してはいるが吸収補正していないので、一応
のものにすぎず、真の値Ioijとは異なる。
そこで、このECT値■ijの補正を行ない、真の値I
oijを求める。1つのピクチャセル(++j)に着目
する。このピクチャセル(i 、 DのECT値■ij
を各角度方向へ投影して投影データを求める。に方向(
角度θに方向)への投影データPk ijを求める際、
に方向に引いた直線が他のどのピクチャセルを横切るか
、およびその横切る長さはどれ程か、は(i 、 j)
と方向kによって分る。そして、全てのピクチャセルに
つき吸収係数が上記のトランスミッション断層像ノ再構
成ニよって求められ、メモリ8に格納されている。
oijを求める。1つのピクチャセル(++j)に着目
する。このピクチャセル(i 、 DのECT値■ij
を各角度方向へ投影して投影データを求める。に方向(
角度θに方向)への投影データPk ijを求める際、
に方向に引いた直線が他のどのピクチャセルを横切るか
、およびその横切る長さはどれ程か、は(i 、 j)
と方向kによって分る。そして、全てのピクチャセルに
つき吸収係数が上記のトランスミッション断層像ノ再構
成ニよって求められ、メモリ8に格納されている。
そのため、メモリ8から吸収係数ILijを読み出し、
Pkij算出装置10により吸収補正後の投影データP
k ijを。
Pkij算出装置10により吸収補正後の投影データP
k ijを。
Pk ij= I ij a exp(Σ Li’j’
* ILi’j’)1′j′ の計算によって求めることができる。ここで、g i’
j’はピクチャセル(i’ 、 j’)の吸収係数、L
i’j’はピクチャセル(i 、 Dからに方向に引い
た直線がピクチャセル(i’ 、 j’)を横切る長さ
である。Σ はピクチャセル(i 、 Dから輪郭1′
j′ 才での間に横切る全てのピクチャセルについて行なうこ
とを意味している。つまり、この吸収補正後の投影デー
タPk ijというのは、ECT値Iijが吸収の結果
得られた値であるの対し、k方向に引いた直線上で吸収
が全熱ないと仮定した場合に得られるであろう投影デー
タを、Iijおよびに方向に引いた直線が横切るピクチ
ャセルでの吸収係数とその長さから推定し再現したもの
である。
* ILi’j’)1′j′ の計算によって求めることができる。ここで、g i’
j’はピクチャセル(i’ 、 j’)の吸収係数、L
i’j’はピクチャセル(i 、 Dからに方向に引い
た直線がピクチャセル(i’ 、 j’)を横切る長さ
である。Σ はピクチャセル(i 、 Dから輪郭1′
j′ 才での間に横切る全てのピクチャセルについて行なうこ
とを意味している。つまり、この吸収補正後の投影デー
タPk ijというのは、ECT値Iijが吸収の結果
得られた値であるの対し、k方向に引いた直線上で吸収
が全熱ないと仮定した場合に得られるであろう投影デー
タを、Iijおよびに方向に引いた直線が横切るピクチ
ャセルでの吸収係数とその長さから推定し再現したもの
である。
基本的には、この投影データPk ijを、他のt方向
(角度θを方向)での補正後の投影データPt ijな
どを含めて全角度方向のものについて逆投影すれば、真
のECT値Ioijが再現されるが、逆投影にはフィル
タを使用するので、この投影データPk ijにフィル
タを作用させて修正した投影データのピーク値Qkij
につき、Ioij=Σ Qk ij なる演算をIoij算出装置11で行なうことにより、
全角度方向のものについての逆投影し、真のECT値1
oijを再現する。
(角度θを方向)での補正後の投影データPt ijな
どを含めて全角度方向のものについて逆投影すれば、真
のECT値Ioijが再現されるが、逆投影にはフィル
タを使用するので、この投影データPk ijにフィル
タを作用させて修正した投影データのピーク値Qkij
につき、Ioij=Σ Qk ij なる演算をIoij算出装置11で行なうことにより、
全角度方向のものについての逆投影し、真のECT値1
oijを再現する。
この操作を被検体1内の全ピクチャセルについて行なう
ことにより、ECT断層像の吸収補正ができる。
ことにより、ECT断層像の吸収補正ができる。
なお、上記ではリング型シングルフォトンECT装置を
使用したが、シンチレーションカメラを回転させるタイ
プのシングルフォトンE CT装置でも適用可能である
。
使用したが、シンチレーションカメラを回転させるタイ
プのシングルフォトンE CT装置でも適用可能である
。
また、画像の大きさと各ピクチャセルの位置を正確に一
致させることができれば、X線CT装置で被検体の吸収
係数の分布および輪郭を求めてもよい、ただし、この場
合、X線のエネルギとRIのγ線のエネルギとが異なる
ため吸収係数は近似値となる。
致させることができれば、X線CT装置で被検体の吸収
係数の分布および輪郭を求めてもよい、ただし、この場
合、X線のエネルギとRIのγ線のエネルギとが異なる
ため吸収係数は近似値となる。
発明の効果
この発明によれば、正確に吸収補正したシングルフォト
ンECT像が得られ、定量測定も可能となる。しかもこ
の吸収補正のための演算は比較的簡単な計算で行なえる
。
ンECT像が得られ、定量測定も可能となる。しかもこ
の吸収補正のための演算は比較的簡単な計算で行なえる
。
第1図はこの発明の一実施例のスキャニング機構の模式
図、第2図は同実施例の信号処理系統のブロック図、第
3図は吸収係数の分布を示す模式図、第4図はECT値
の分布を示す模式図、第5図はピクチャセル(+、Dの
ECT値■ijを吸収補正しながら投影することを説明
するための模式図である。
図、第2図は同実施例の信号処理系統のブロック図、第
3図は吸収係数の分布を示す模式図、第4図はECT値
の分布を示す模式図、第5図はピクチャセル(+、Dの
ECT値■ijを吸収補正しながら投影することを説明
するための模式図である。
Claims (1)
- (1)ECT断層像と同一断層面に関する吸収係数分布
を求め、吸収補正せずに一応求めたピクチャセル毎のE
CT値を、上記吸収係数分布を利用して吸収補正しなが
ら投影して各角度方向への投影データを得、これら各角
度方向への投影データを逆投影することを特徴とするシ
ングルフォトンECT装置の吸収補正方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60067647A JPH0627829B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | シングルフオトンect装置の吸収補正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60067647A JPH0627829B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | シングルフオトンect装置の吸収補正方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61226674A true JPS61226674A (ja) | 1986-10-08 |
JPH0627829B2 JPH0627829B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=13351018
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60067647A Expired - Lifetime JPH0627829B2 (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | シングルフオトンect装置の吸収補正方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0627829B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0346884U (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 | ||
US5391877A (en) * | 1994-01-26 | 1995-02-21 | Marks; Michael A. | Combined imaging scanner |
JP2006098411A (ja) * | 2005-11-15 | 2006-04-13 | Hitachi Ltd | Pet装置及びpet装置の制御方法 |
US7627082B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-01 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5892974A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Shimadzu Corp | 放射型コンピユ−タ断層撮影装置 |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP60067647A patent/JPH0627829B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5892974A (ja) * | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Shimadzu Corp | 放射型コンピユ−タ断層撮影装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0346884U (ja) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 | ||
US5391877A (en) * | 1994-01-26 | 1995-02-21 | Marks; Michael A. | Combined imaging scanner |
US7627082B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-01 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
US7634048B2 (en) | 2001-12-03 | 2009-12-15 | Hitachi Ltd. | Radiological imaging apparatus |
US7986763B2 (en) | 2001-12-03 | 2011-07-26 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
US8116427B2 (en) | 2001-12-03 | 2012-02-14 | Hitachi, Ltd. | Radiological imaging apparatus |
JP2006098411A (ja) * | 2005-11-15 | 2006-04-13 | Hitachi Ltd | Pet装置及びpet装置の制御方法 |
JP4604974B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2011-01-05 | 株式会社日立製作所 | Pet装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0627829B2 (ja) | 1994-04-13 |
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