JPS612251A - 荷電粒子ビ−ム装置 - Google Patents

荷電粒子ビ−ム装置

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JPS612251A
JPS612251A JP12172484A JP12172484A JPS612251A JP S612251 A JPS612251 A JP S612251A JP 12172484 A JP12172484 A JP 12172484A JP 12172484 A JP12172484 A JP 12172484A JP S612251 A JPS612251 A JP S612251A
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JP
Japan
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astigmatism
memory
signal
electron
charged particle
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Pending
Application number
JP12172484A
Other languages
English (en)
Inventor
Satoru Fukuhara
悟 福原
Hideo Todokoro
秀男 戸所
Shigemitsu Kiyofuji
繁光 清藤
Mikio Ichihashi
幹雄 市橋
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Publication of JPS612251A publication Critical patent/JPS612251A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/04Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement or ion-optical arrangement
    • H01J37/153Electron-optical or ion-optical arrangements for the correction of image defects, e.g. stigmators

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の利用分野〕 本発明は走査形電子顕微鏡等の荷電粒子ビーム装置の焦
点合わせ、および非点収差補正に係り、特にその自動化
に好適な装置に関する。
〔発明の背景〕
走査形電子顕微鏡では、試料上を走査するプローブの直
径は装置性能とくに分解能を決定する重要な要因であり
、焦点合わせおよび非点収差補正は微細なプローブ径を
得るための基本調整である。
第1図は光学系の2次非点収差を概略的に示すものであ
る。非点収差は光学系の電磁場の軸非対称性等で生ずる
。ある直交軸(U、V軸)方向で収束幅に差が発生して
焦点付11fv、fuに相異を生ずる。このため、マイ
クロプローブはU軸又はV軸方向に長軸父は短軸を有す
る楕円形状となる。
電子レンズ)ミ面に設けられた開口を通過した電子ビー
ムは最初真円であったものが収束される過程で、A−+
B→0→D −) E −) F→G→Hの様に変化す
る。そして、19点とF点のほぼ中間に真円で小さい最
小錯乱円ト:が形成される。ところが、U軸方向だけを
見ると、F点でE点より細くなっている。■軸でも同様
にD点でE点よりも細くなっている。非点収差が存在し
なければD点とF点がE点に一致し、最も細い電子ビー
ムが得られることになる。
以上説明したように、微細なマイクロプローブを得るた
めには非点収差の補正が不可欠な調整となる。U軸、■
軸の焦線の偏差(DF間)を非点隔差Afと呼んでいる
第2図は電子レンズの非点収差とAfとの関係を示した
ものである。電子レンズの像側主面での開口半径り、U
軸、V軸における焦線の屈折角θU、θVとすると非点
収差による屈折角の偏差toはAθ=θV−θUとなる
。また焦点距離fのビーム半開口角をOとする。非点収
差補正を完全に実行するためにはこの屈折角の偏差AO
を検出して、後述する非点収差補正装置によってAOを
0にすることが必要である。ここで、非点収差の大きさ
AOは第2図よりA FJ=A f・1、/f”となる
。(但し、電子ビームの場合、近軸光線を使用するため
に5ine:θ(rad)と近似する。)したがって、
非点収差の大きさAOは非点隔差Afと焦点圧@fを検
出することにより計算で求めることが可能となる。実際
には非点収差の発生方向が予知できないため、第3図(
a)のような互いに45度だけ異なる方向に配置された
X−Yの二重丸印とY、、Y2軸上の丸印の2組)から
なる非点収差補正装置を用いている。同図は簡単なため
静電形非点収差補正器を示したが、磁界形弁点収差補正
器であってもよい。図示するように、非点収差の発生方
向(U−V軸)と2組の非点収差補正器の座標軸(X、
−X2軸及びY、−Y2軸)は一般に相異する。今、こ
の相異する角度をα(rad)  とし1発生した非点
収差のベクトルSで表わし、第1象現のみに着目すると
、第3図(b)のように表わせる。ここで、非点収差ベ
クトルSを大きさr角度αで示し、また、r=にΔθ=
にΔf−1、/f”である。
(k:実験で決まる比例定数) 同図から、非点収差ペルトルSはX1′軸とYI′軸に
分解すると、各々Sx、S、となる。
故に、非点収差補正器xI軸、YI軸に供給する補正量
を*  SX+  32とすれば非点収差を完全に補正
することができる。同図よりSx、S。
はそれぞれSX= r (cosa−sinα)、Sy
 =12  rsinαとなる。
以上、説明したように、電子線装置において微ホなプロ
ーブ径を得るには、焦点距離f、非点隔差71fそして
非点収差と非点収差補正器の相異角αを検出することが
必要である。
従来は、装置操作者が走査像の鮮明度ならびに流れ具合
(U、Y方向へのボケ)を観察しながら、電子レンズ電
流、および前記2組の非点収差補正器の補正f&(Sx
、S、)を独立に手動調整して焦点合わせ、非点収差補
正をしていた。斯かる手動補正は煩雑な調整作業を要す
るうえに、操作者による人為的誤差を伴う等の問題があ
った。
最近、自動焦点合わせの実用化が盛んに行なわれている
。以下に、従来の方法および問題点を第4図より説明す
る。陰極1から放出された1次電子ビームはX−Y偏向
コイル2によりX方向、Y方向に偏向され、非点収差補
正コイル3により非点収差補正を受け、電子レンズ4に
よって、試料面上5に収束され最適ビームスボッ1〜径
を得る。
X−Y偏向コイル2には円走査供給部7より、X偏向コ
イルに余弦波電流が、Y偏向コイルには正弦波電流が、
任意の振幅、任意の周期で供給される。すると、1次電
子ビームは試料面上5を円形走査することになる。1次
電子ビームを試料に照射すると、試料から2次電子が発
生し、2次電子検出暮6により捕捉され信号検出部9に
入力される。信号検出部9は試料面上を照射する1次電
子ビームの最小錯乱円Eを検出する回路である。一般的
には、1次電子ビームスポット径が小さくなればなるほ
ど、発生する2次電子信号の周波数成分が高くなる特性
を利用して、微分回路を用いて検出し、任意の時間その
出力信号を積分してその値を比較する微分値比較法や、
発生する2次電子信号波形のピーク値が1次電子ビーム
スポット径に依存しで変化することを利用するピーク値
比校法等を用いている。電子レンズコイル4に任意の電
流工。〔Δ〕を電子レンズ電流供給部8により供給し、
1回あるいは数回円形走査した後、得られた信号検出部
9の出力電圧を制御回路10の中にあるメモリーに記憶
する。
次に、対物レンズコイル4に供給する電流をJIだけ増
加(あるいは減少)させ、同様の円形走査を実行する。
そして、得られた信号検出部9の出力電圧と、前回のメ
モリーの内容も比較し大きい方を再度メモリーに記憶す
る。対物レンズコイル電流を順次71■だけ増加させ一
連の動作を繰り返す。メモリーの内容が最大となった値
ならびにその時の対物レンズコイルに供給した電流値を
捜し出し、コイルに供給すると1次電子ビームスポット
径は最小となり最小錯乱円が得られる。
しかしながら、この様な方法では最小錯乱円を得ること
ができるが非点収差補正するための情報は得ることがで
きない。
〔発明の目的〕
本発明の目的は円形走査を実行しながら、非点の方向な
らびに非点隔差の量を検出し、自動焦点合わせ、自動非
点収差補正を実行する方法および装置を提供することに
ある。
〔発明の概要〕
本発明は前述したように、焦点距離「、非点隔差Afそ
して非点収差の方向αを検出し、これから補正量を計算
し、非点収差補正器を動作させ焦点合わせと非点収差補
正の自動化を行なうものである。以上、ヒ記の諸量を検
出する方法を第5図を用いて説明する。同図は非点収差
のある電子ビームで試料面にを円形走査している様子を
示したものである。理解しやすいように、非点収差が4
5度の方向にある場合を考える。走査回転角度βにおけ
る走査方向の電子ビーム径Dβはその点の接線の長さと
なり、同図に矢印で示すように(見かけ上)変化する。
走査回転角度βが180度で楕円の短軸から長軸まで変
化することに相当し、1サイクルの変化が起る。したが
って、1回の円形走査で2サイクルの電子ビーム径Dβ
の変化となる。走査回転角度βと電子ビーム径Dβの関
係をプロワ1−すると第6図(a)のようになる。
ここで、電子ビーム径Dβが最小になる走査回転角度β
ユ。が非点収差の方向αとなる。したがって、βユ。=
αとなり、β。1nを検出すれば非点収差の方向が決定
できる。
次に、電子レンズの焦点距離fと非点隔差7!Ifの検
出方法について述べる。電子レンズの励磁電流Ifを零
から順次、dIずつ増加させると、第1図に示す様に変
化し、U−V軸の各々焦線f 11とfv点において電
子ビーム径Dβは最小となる。
したがって、第6図(a)のβ11,1点における電子
ビーム径Dβlt+Inが最も小さくなる時の励磁電流
IfuがU軸の焦線fuに相当し、走査回転角度β、、
h+90度の点において電子ビーム径■〕βmlh +
90°が最も小さくなる時の励磁電流IfνがV軸の焦
線fvに相当する。したがって、非点隔差AfはA I
 f=I fu −I fvで求まり、また焦点距離f
はI f=T fv +1/2,4 I fで求まる。
以上詳述した様に、走査回転角度β□I11とβ□1.
1十90度の点に注目して、その角度における電子ビー
ム径Dβが最小になる励磁電流Ifを検出すれば焦点距
離f、非点隔差Δfが決定できることになる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第7図により説明する。
陰極】から放射された電子線はX−Y偏向コイル2によ
り円偏向を受け、電子レンズコイル4により収束され、
試料面5上を円形走査する。試料から発生した2次電子
信号は2次電子検出器6によって捕捉され信号処理回路
部17に入力される。
信号処理回路部17は電子ビーム径を信号電圧に変換す
る回路で、電子ビーム径が小さくなるほど信号電圧は大
きく出力する。本実施例では先述した微分値比1肢θ(
を用いている。例えば第6図(a)のように電子ビーム
径の変化が生じる波形は第6図(b)のように変換され
る。その出力信号はゲート回路部11に人力し、アナロ
グ−ディジタル変換をしてメーエリ一部12に記憶する
。メモリ一部12のR,からRnは円形走査の回転角度
βに対応した信号を記憶するもので、電子ビームの回転
角度とグー1−回路11が同期して働くために、回転角
度零から180度までn分割すると180/n度間隔で
メモリーR3からRnまで順次各々メモリーに記憶され
る。更に、それらのメモリーR1−Rnの内容はメモリ
一群13の中にあるメモリーM1〜Mnに各々転送され
る。今、電子レンズの励磁電流をIf、と固定し、−回
の円形走査で得られた信号がメモリ一部】2のR1−R
nまで記憶されている。そして、R,の内容はメモリー
M1のIf、メモリーに、R2の内容はメモリーM2の
If、メモリー、・・・Rnの内容はメモリーMnの1
f、メモリーに、各々記憶される。
次に、電子レンズの励磁電流をAIだけ増加し。
If、=If、+AIと固定し同様に円形走査を行う。
そしてその信号電圧はR、” R,n 、さらにはメモ
リーM、のIf2メモリー、M、の1f2メモリー、・
・・・・・MnのIf、メモリーに各々記憶される。以
上の動作を電子レンズの励磁電流を順次、QIだけ増加
させn回実行し、メモリ一群13の各メモリーに記憶す
る。これらは第1図に示したようにA点からH点までの
変化を生じる範囲で実行される6次に、メモリ一群13
のメモリーM1の中で最大値およびその時の励磁電流i
fを検出する。これは制御回路14によって実行する。
同様に、メそり−M 2 、・・・・・・Mnの各々最
大値およびその時の励磁?′Ii流Ifを検出する。更
に、今度は検出された最大値をメモリーM 1 g M
 2 y・・・・・・Mn間で比重ひする。そして、そ
の最大値を求める。その時のメモリーの番号Msとする
とそのMsが非点収差の方向αを示し、メモリーMsの
中のメモリーIfuがU軸(あるいはV軸)の焦線の位
置を示すごとになる。そして、メモリ一番号Msから9
0度角度が異なるメモリーがV軸(あるいはU軸)を示
し、そのメモリーの中で最大値を与えるIfvが焦線の
位置を示すものである。したがって、焦線距sfに相当
する電流を演算回路14で計算して求め、電子レンズの
励磁電流として電子レンズ供給部16を経由して、電子
レンズコイル4に供給する。更に、非点収差の方向Ms
と非点隔差4「を演算回路14に入力し、前述したよう
に計算して、非点収差補正器の補正量とする。そして、
非点収差補正電流供給部15を経由して非点収バー補正
コイル3に供給される。以上の動作により、非点収差の
ない最小電子ビーム径が得られる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、電子レンズ等の励磁電流を一度、順次
変化させることにより、非点収差の方向、非点隔差の量
および、焦点距離を検出することができ、それらの情報
をもとに荷電粒子ビーム装置における基本調整の自動化
が極めて容易となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は焦点距離に対する電子ビームノ、ボッ1−形状
の変化を表わす図、第2図は非点隔差を示す説明図、第
3図は非点収差補正装置の原理図及び非点収差ベクトル
の補正方法を示す図、第4図は従来の自動焦点合わせ方
法を示す荷電粒子ビーム装置のブロック図、第5図は試
料面上を円形走査する電子ビームを示す模式図、第6図
は走査回転角度とビーム径および検出信号の波形を示す
図。 第7図は一実施例になる荷電粒子ビーム装置ブロック図
である。 1・・・陰極、2・・・X−Y偏向コイル、3・・・非
点収差補正コイル、4・・・電子レンズコイル、5・・
・試料、6・・・2次電子検出器、7・・・円走査供給
部、8・・・電子レンズ電流供給部、9・・・信号検出
部、10・・・制御回路部、】5・・非点収差補正電流
供給部、16・・・電子レンズ電流供給部、17・・・
信号処理回路部、11・・・ゲート回路゛部、12・・
・メモリ一部、13・・・第 3  図 (矢) (b) 不 4 図 ■ 、5 図 ■ 6 図 Gす 、′c3転角ββ 回傘云角彦l

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、電子ビーム等の荷電粒子を放射する手段と、該荷電
    粒子ビームを試料上に走査する手段と、試料から発生し
    た2次電子信号で走査像を作る手段とを備えた荷電粒子
    ビーム装置において、該荷電粒子ビームを試料上で円形
    に走査する手段と、該円形走査の角度に対応して分別し
    て信号を検出する2次電子検出手段と、焦点の良否を判
    定する信号処理手段とを具備し、荷電粒子ビームの焦点
    や非点収差の検出、補正を可能にした荷電粒子ビーム装
    置。
JP12172484A 1984-06-15 1984-06-15 荷電粒子ビ−ム装置 Pending JPS612251A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2004030056A1 (ja) * 2002-09-24 2004-04-08 Nikon Corporation 荷電粒子線露光装置における非点収差補正方法、非点感度の決定方法、及び露光方法
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JP2007109408A (ja) * 2005-10-11 2007-04-26 Topcon Corp 電子線装置の自動調整方法及び電子線装置
JP2008133554A (ja) * 2006-11-27 2008-06-12 Pip Fujimoto Co Ltd 固形物保有布および固形物保有布の製造方法
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