JPS61222965A - セラミツクと金属の接合方法 - Google Patents
セラミツクと金属の接合方法Info
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- JPS61222965A JPS61222965A JP6347985A JP6347985A JPS61222965A JP S61222965 A JPS61222965 A JP S61222965A JP 6347985 A JP6347985 A JP 6347985A JP 6347985 A JP6347985 A JP 6347985A JP S61222965 A JPS61222965 A JP S61222965A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はセラミックと金属の接合方法に関し、例えば化
学反応器、下水処理装置、抄紙機械、射出成型機、過給
機等、各種の器機のセラミックと金属の接合に応用する
ことができるものである。
学反応器、下水処理装置、抄紙機械、射出成型機、過給
機等、各種の器機のセラミックと金属の接合に応用する
ことができるものである。
（従来の技術）
セラミックは耐熱性、耐食性が優れるために、化学機械
、製鉄機械、自動車などの様々な産業分野で適用が検討
されているが、使用にあたっては金属材料との組み合わ
せが必要不可欠となる。これまでにセラミックと金属と
の接合方法として各種開発されてきたが、その主なもの
は。
、製鉄機械、自動車などの様々な産業分野で適用が検討
されているが、使用にあたっては金属材料との組み合わ
せが必要不可欠となる。これまでにセラミックと金属と
の接合方法として各種開発されてきたが、その主なもの
は。
（１）接着剤法、（２）高融点金属法、（３）溶射法、
（４）酸化物法などがある。これらの概要と欠点は次の
通シである。
（４）酸化物法などがある。これらの概要と欠点は次の
通シである。
（１）接着剤法は、主に有機系接着剤を使用するもので
あるが、５ｏｏｃ以上の高温では接着剤が分解するので
使用できない。
あるが、５ｏｏｃ以上の高温では接着剤が分解するので
使用できない。
（２） 高融点金属法は、 Ｍｏ、Ｍｏ−Ｍｎ 等の
高融点金属あるいは合金の粉末を七ラミック上で焼結し
てコーティングし、Ｎｉ メッキを施した後、ろう付
で金属と接合するものであるが、工程が複雑であル、コ
ストが高くなる。
高融点金属あるいは合金の粉末を七ラミック上で焼結し
てコーティングし、Ｎｉ メッキを施した後、ろう付
で金属と接合するものであるが、工程が複雑であル、コ
ストが高くなる。
（３） 溶射法は、金属表面に下盛り層としてれ−ｃ
ｒ 合金などを２〜３層溶射した後、セラミック粉末を
プラズマ溶射する方法であるが、工程が複雑であるにも
かかわらず接合強度が低く、またセラミックが多孔質に
なる。
ｒ 合金などを２〜３層溶射した後、セラミック粉末を
プラズマ溶射する方法であるが、工程が複雑であるにも
かかわらず接合強度が低く、またセラミックが多孔質に
なる。
（４】 酸化物法は、セラミックと金属の間に酸化鉛
などの低融点の金属酸化物をろう材として用い、加熱し
てろう付する方法であるが、接合強度が低く、またろう
何時に欠陥が発生し易い。
などの低融点の金属酸化物をろう材として用い、加熱し
てろう付する方法であるが、接合強度が低く、またろう
何時に欠陥が発生し易い。
（発明が解決しよりとする問題点）
本発明は、上記のような欠点のない、セラミックと金属
の簡便かつ強固な接合方法を提案するものである。
の簡便かつ強固な接合方法を提案するものである。
（問題点を触決するための手段）
本発ＢＡは、セラミックと金属を接合するにあたル、セ
ラミック表面に、蒸着、無電解メッキなどの手法で金属
皮膜をコーティングした後、熱間静水圧加圧（）ＩｒＰ
）によりコーティング層の密着度を向上させ、その後、
金属材料とろう付または拡散溶接することを特徴とする
七ラックと金属の接合方法に関する。
ラミック表面に、蒸着、無電解メッキなどの手法で金属
皮膜をコーティングした後、熱間静水圧加圧（）ＩｒＰ
）によりコーティング層の密着度を向上させ、その後、
金属材料とろう付または拡散溶接することを特徴とする
七ラックと金属の接合方法に関する。
また、本発明においては、上記手法を施工する際に、セ
ラミックが酸化物系である場合には。
ラミックが酸化物系である場合には。
ＨＩＰの雰囲気ガス中に酸素を混合し、コーチインク層
の酸化反応を利用して密着度を向上させること、またセ
ラミックが炭化物系である場合にはＨＩＰの雰囲気を弱
浸炭雰囲気とし、同様に密着度を向上させる方法とする
こともできる。
の酸化反応を利用して密着度を向上させること、またセ
ラミックが炭化物系である場合にはＨＩＰの雰囲気を弱
浸炭雰囲気とし、同様に密着度を向上させる方法とする
こともできる。
このように本発明においては、コーティングした後にＨ
ＩＰの工程を加えることによシ、セラミックとコーティ
ング層の原子間の結合力を強固にすることができ、更に
酸化物系セラミックの場合にはＨＩＰの雰囲気ガス中に
わずかに酸素を混合させる、また炭化物系セラミックの
場合にはＨＩＰを弱浸炭雰囲気とすることによシ、コー
ティング層が酸化又は炭化しセラミックと一体焼結し、
原子間の結合力を強固にすることができる。いずれの場
合においてもコーティング層がセラミックと強固に密着
し、その後の金属との接合が完了した時点においてセラ
ミックと金属との良好な接合体を得ることができる。
ＩＰの工程を加えることによシ、セラミックとコーティ
ング層の原子間の結合力を強固にすることができ、更に
酸化物系セラミックの場合にはＨＩＰの雰囲気ガス中に
わずかに酸素を混合させる、また炭化物系セラミックの
場合にはＨＩＰを弱浸炭雰囲気とすることによシ、コー
ティング層が酸化又は炭化しセラミックと一体焼結し、
原子間の結合力を強固にすることができる。いずれの場
合においてもコーティング層がセラミックと強固に密着
し、その後の金属との接合が完了した時点においてセラ
ミックと金属との良好な接合体を得ることができる。
本発明方法の一実施態様を第１〜３図に示す。
第１．２．３図の順に工程が進む。
第１図の工程では、セラミック１の表面に金属層２をコ
ーティングする。コーティング方法としては真空蒸着、
イオンブレーティングなどの物理蒸着（ｐｖｎ）や、化
学蒸着（ｃｖｎ）、無電解メッキなどの手法が採用可能
である。また、コーティング材料には、蒸着の場合では
。
ーティングする。コーティング方法としては真空蒸着、
イオンブレーティングなどの物理蒸着（ｐｖｎ）や、化
学蒸着（ｃｖｎ）、無電解メッキなどの手法が採用可能
である。また、コーティング材料には、蒸着の場合では
。
Ｎｉ＊Ｃｕ、Ｔｉ、Ｏｒなどの金属が使用でき、無電解
メッキでは、Ｎ１−Ｐ＊Ｎ１−Ｂ、Ｃｕ−Ｐ、Ｃｕ−Ｂ
などの合金が用いられる。
メッキでは、Ｎ１−Ｐ＊Ｎ１−Ｂ、Ｃｕ−Ｐ、Ｃｕ−Ｂ
などの合金が用いられる。
このようにコーティングされたセラミックをｊｇ２図の
工程でＨＩＰ装置５内に入れ、ボンベ７から増圧器５管
介して送られる不活性ガスまたは窪素ガスの高圧雰囲気
中６でヒータ４によル高温に加熱する。この時の適正圧
力は１００ｋｇ／ｃｒｙ’以上２ａａａ＊ｇ７ａｒ’以
下であり、適正温度ｄ７００ｃ以上１４００Ｃ’以下で
ある。数値の設定理由は、それぞれの下限以下の条件で
は、セラミックとコーティング層との原子結合を促進す
るには散らないので、ＨＩＰによる密着の向上が起こら
ず、また上限を越える圧力ではＨＩＰの装置製作が困難
であシ、更に温度が上限値を越えるとコーティング層が
溶融し、圧力が伝わらなくなるためである。
工程でＨＩＰ装置５内に入れ、ボンベ７から増圧器５管
介して送られる不活性ガスまたは窪素ガスの高圧雰囲気
中６でヒータ４によル高温に加熱する。この時の適正圧
力は１００ｋｇ／ｃｒｙ’以上２ａａａ＊ｇ７ａｒ’以
下であり、適正温度ｄ７００ｃ以上１４００Ｃ’以下で
ある。数値の設定理由は、それぞれの下限以下の条件で
は、セラミックとコーティング層との原子結合を促進す
るには散らないので、ＨＩＰによる密着の向上が起こら
ず、また上限を越える圧力ではＨＩＰの装置製作が困難
であシ、更に温度が上限値を越えるとコーティング層が
溶融し、圧力が伝わらなくなるためである。
また、セラミックが酸化物系のＡＩ！２０３．ｚｒ０２
゜ＭｇＯなとの場合には、ＨＩＰの雰囲気ガス６中に酸
素を０．０１％以上２％以下混入させるのも効果的であ
る。０．０１％未満では酸素は装置３の内壁やヒータ４
に吸収されて効果が表われず。
゜ＭｇＯなとの場合には、ＨＩＰの雰囲気ガス６中に酸
素を０．０１％以上２％以下混入させるのも効果的であ
る。０．０１％未満では酸素は装置３の内壁やヒータ４
に吸収されて効果が表われず。
２％を越えるとコーティング層２が酸化されすぎ、その
後のろう付拡散溶接の工程に不具合を生ずると共に装置
３の内壁やヒータ４を損傷するので好ましくない。
後のろう付拡散溶接の工程に不具合を生ずると共に装置
３の内壁やヒータ４を損傷するので好ましくない。
このようにＨＸＰ工程を経た後、第３図の工程でろう付
″または拡散溶接により金属９と接合する。ろう付の場
合には、第３図（Ａ）に示すように、金属層２と金ｊ１
４９の間にろう材８をはさみろう付を行ない、拡散溶接
の場合には、第３図（Ｂ）に示すように加圧体１０によ
シ接合面に垂直な方向の加圧力を加え、金属９と接合す
る。なお、第３図（ム）、（ＢＪ中、１１は加圧受台、
１２紘真空雰囲気、１３はろう付装置、１４は拡散溶接
装置である。
″または拡散溶接により金属９と接合する。ろう付の場
合には、第３図（Ａ）に示すように、金属層２と金ｊ１
４９の間にろう材８をはさみろう付を行ない、拡散溶接
の場合には、第３図（Ｂ）に示すように加圧体１０によ
シ接合面に垂直な方向の加圧力を加え、金属９と接合す
る。なお、第３図（ム）、（ＢＪ中、１１は加圧受台、
１２紘真空雰囲気、１３はろう付装置、１４は拡散溶接
装置である。
（作用）
本発明では、セラミック表面に金属皮膜をコーティング
した後、ＨＩＰＩＰ処理）密着を向上させるのを特徴と
している。コーティング皮ｊＩはＨＩＰ処理前には、セ
ラミック表面に付着しているだけであるが、ＨＩＰで高
温高圧の処理を施すことによル、皮膜がセラミック表面
の凹凸に機械的に喰い込むと共に、皮膜とセラミックの
原子間距離が近づき原子結合が強固になるという作用を
有する。
した後、ＨＩＰＩＰ処理）密着を向上させるのを特徴と
している。コーティング皮ｊＩはＨＩＰ処理前には、セ
ラミック表面に付着しているだけであるが、ＨＩＰで高
温高圧の処理を施すことによル、皮膜がセラミック表面
の凹凸に機械的に喰い込むと共に、皮膜とセラミックの
原子間距離が近づき原子結合が強固になるという作用を
有する。
１、 また、酸化物系セラミックの場合に雰囲
気ガス中に酸素を混入させるのは、金属皮膜の一部を酸
化させることによシ、セラミックとの密着性を向上させ
る作用を有する。これは酸化物と金属とは°直接反応し
難いのであるが、酸化物同志は焼結反応を起こし、強固
な接合体が得られることを利用するものである。即ち、
雰囲気中のわずかな酸素はセラミック上にコーティング
した金属皮膜の一部と反応して酸化物管形成し、これが
高温高圧雰囲気下でセラミックと焼結反応を起こし密着
性を上昇させる。しかも、皮膜中の金属成分のほとんど
の部分は酸化されずに残るので、次工程の金属材料との
ろう付、拡散溶接に対し、効果的なインサート材の役割
を果たす。しかし、雰囲気の酸素含有量が２％を越える
と、コーティングした金属皮膜が酸化され過ぎるために
、セラミックとの密着性は向上しても、金属材料とのろ
う付、拡散溶接が充分に 。
気ガス中に酸素を混入させるのは、金属皮膜の一部を酸
化させることによシ、セラミックとの密着性を向上させ
る作用を有する。これは酸化物と金属とは°直接反応し
難いのであるが、酸化物同志は焼結反応を起こし、強固
な接合体が得られることを利用するものである。即ち、
雰囲気中のわずかな酸素はセラミック上にコーティング
した金属皮膜の一部と反応して酸化物管形成し、これが
高温高圧雰囲気下でセラミックと焼結反応を起こし密着
性を上昇させる。しかも、皮膜中の金属成分のほとんど
の部分は酸化されずに残るので、次工程の金属材料との
ろう付、拡散溶接に対し、効果的なインサート材の役割
を果たす。しかし、雰囲気の酸素含有量が２％を越える
と、コーティングした金属皮膜が酸化され過ぎるために
、セラミックとの密着性は向上しても、金属材料とのろ
う付、拡散溶接が充分に 。
行なわれなくなシ、セラミックと金属との強固な接合体
が得られない。
が得られない。
尚、炭化物系セラミックスの場合には弱浸炭雰囲気を用
いることによル、同様の効果を得ることができる。
いることによル、同様の効果を得ることができる。
（発明の効果）
本発明方法を採用することによ）、従来では得られなか
ったセラミックと金属との強固な接合体を得ることがで
きる。
ったセラミックと金属との強固な接合体を得ることがで
きる。
（実施例）
実施例１
セラミックとして２ｔｘ２ｓｘ２５のＳｉ３Ｎ４を用い
、この表面ＶｃＮｉ をＰＶＤで１０μの厚さコーテ
ィングした後、ＨＸＰ装置に入れ、１ｚｏａｃ、 １
ｏｏｏ＊１１７ｏＩｒ２のＡｒ雰囲気で１時間処理を施
工した。その後、６ｔＸ２５Ｘ２５のコバール（Ｆｅ−
２９Ｎｉ−１７Ｃｏ 合金）とろう材としてＪＩＳ Ｚ
５２６１のＢＡＨ−８を用いて８２０Ｃ１１０分間で
真をろう付を行なつ皮。接合強度をせん断試験で測定し
たところ１７ ｋｔ ／ ｍ２であ）、ミクロ組織でも
欠陥のない良好な接合体が得られた。
、この表面ＶｃＮｉ をＰＶＤで１０μの厚さコーテ
ィングした後、ＨＸＰ装置に入れ、１ｚｏａｃ、 １
ｏｏｏ＊１１７ｏＩｒ２のＡｒ雰囲気で１時間処理を施
工した。その後、６ｔＸ２５Ｘ２５のコバール（Ｆｅ−
２９Ｎｉ−１７Ｃｏ 合金）とろう材としてＪＩＳ Ｚ
５２６１のＢＡＨ−８を用いて８２０Ｃ１１０分間で
真をろう付を行なつ皮。接合強度をせん断試験で測定し
たところ１７ ｋｔ ／ ｍ２であ）、ミクロ組織でも
欠陥のない良好な接合体が得られた。
一方、同じ手法でＨＩＰＩＰ処理さない時には接合強度
は３ ｋｊｊｌ ／ ｘｘ２であル、ＨＩＰＩＰ処理り
飛躍的に接合性が上昇することが判明した。
は３ ｋｊｊｌ ／ ｘｘ２であル、ＨＩＰＩＰ処理り
飛躍的に接合性が上昇することが判明した。
実施例２
セラミックに４ｔＸ３０Ｘ４０のＳｉ３Ｎ４を用い、こ
の表面にＮ１−Ｂ の無電解メッキを５μの厚さにコ
ーティングした後、９００Ｃ１１２００ｋ） ／ ｃｔ
ｗ’のＡｒ雰囲気で１時間１（ＩＰ処理を施し大。その
後％ １０ｔＸ３０Ｘ４０のコバールと拡散溶接で接合
した。拡散溶接条件は温度９００Ｃ１加圧力１ｋｙ／ｓ
ｍ２、接合時間１時間である。
の表面にＮ１−Ｂ の無電解メッキを５μの厚さにコ
ーティングした後、９００Ｃ１１２００ｋ） ／ ｃｔ
ｗ’のＡｒ雰囲気で１時間１（ＩＰ処理を施し大。その
後％ １０ｔＸ３０Ｘ４０のコバールと拡散溶接で接合
した。拡散溶接条件は温度９００Ｃ１加圧力１ｋｙ／ｓ
ｍ２、接合時間１時間である。
接合強度をせん断試験て測定したところ、２３ｋｐ／■
２であった。一方、無電解メッキ後ＨＩＰ処理を施さす
に拡散溶ｉＭを行なった場合には、接合強度は４．６ｋ
Ｐ／１１１２シかなく、ＨＸ Ｐ 処ｆＭ ｄｉ効果的
に働いていることを確認した。
２であった。一方、無電解メッキ後ＨＩＰ処理を施さす
に拡散溶ｉＭを行なった場合には、接合強度は４．６ｋ
Ｐ／１１１２シかなく、ＨＸ Ｐ 処ｆＭ ｄｉ効果的
に働いていることを確認した。
実施例５
セラミックに２ ｔ ｘ５０ ｘ５０のｕ２０３を用い
、この表面にＣｕ を厚さ１０μ真空蒸着した後、Ｉ
（ＩＰ処理を施した。ＨＸＰ条件は１０００Ｃ１２００
０＊ｐ７ｃｎｉ’、１時間で、雰囲気ガスにはムｒ ＋
１％０２を用いた。ＨＩＰ後、Ｏｕ を蒸着した面
にＮｉ メッキを２μの厚さにコーティングを施し喪
後、Ｅ３ＵＩ３４０５（５ｔＸ５ＤＸ５０）とろう材と
してＢＡｇ−８を用いて８２０ Ｃ。
、この表面にＣｕ を厚さ１０μ真空蒸着した後、Ｉ
（ＩＰ処理を施した。ＨＸＰ条件は１０００Ｃ１２００
０＊ｐ７ｃｎｉ’、１時間で、雰囲気ガスにはムｒ ＋
１％０２を用いた。ＨＩＰ後、Ｏｕ を蒸着した面
にＮｉ メッキを２μの厚さにコーティングを施し喪
後、Ｅ３ＵＩ３４０５（５ｔＸ５ＤＸ５０）とろう材と
してＢＡｇ−８を用いて８２０ Ｃ。
１０分間で真空ろう付を行なった。接合強度をせん断試
験で測定した結果１４ ｋｌｌ ／ ｍ２であった。
験で測定した結果１４ ｋｌｌ ／ ｍ２であった。
同様の方法でＨＩＰ時の雰囲気ガスを純Ａｒにした場合
にはせん断強度が７ ｋｐ ／ ｖｔ２であシ、雰囲気
中の酸素が接合性に有効に作用していることを確認した
。
にはせん断強度が７ ｋｐ ／ ｖｔ２であシ、雰囲気
中の酸素が接合性に有効に作用していることを確認した
。
一方、Ａｌ２Ｏ３表面にＣｕ’ｉ蒸着し、）ＩＩＰ工程
を省略してＮ１メッキを施した後、ろう付した場合には
、せん断強度が０．２辱／１ＩＩ２であった。
を省略してＮ１メッキを施した後、ろう付した場合には
、せん断強度が０．２辱／１ＩＩ２であった。
実施例４
セラミックに２ｔＸ２５Ｘ２５のＺ ｒ Ｏ２ｔ−用い
、この表面にＣｕ−Ｐの無電解メッキを７μの厚さにコ
ーティングした後、ＨＸＰ処理ｔｍした。ＨＩＰ処理で
は９００Ｃに加熱し、Ａｒ 十０．５％０２ガス中で１
ｓ ｏ ｏ ＊ｇ７ｃｎｒ’の圧力で２時間処理を行な
った。その後、５ＵＳ４０３（６ｔＸ２５Ｘ２５）と、
８５０ Ｃ，０，５ｋ）／Ｉｏ１２．２時間の条件で拡
散溶接で接合し、せん断強度を測定したところ１２ ｋ
ｌ、／ｃＩｔ２であった。
、この表面にＣｕ−Ｐの無電解メッキを７μの厚さにコ
ーティングした後、ＨＸＰ処理ｔｍした。ＨＩＰ処理で
は９００Ｃに加熱し、Ａｒ 十０．５％０２ガス中で１
ｓ ｏ ｏ ＊ｇ７ｃｎｒ’の圧力で２時間処理を行な
った。その後、５ＵＳ４０３（６ｔＸ２５Ｘ２５）と、
８５０ Ｃ，０，５ｋ）／Ｉｏ１２．２時間の条件で拡
散溶接で接合し、せん断強度を測定したところ１２ ｋ
ｌ、／ｃＩｔ２であった。
同様の方法でＨＩＰ時の雰囲気ガスを純Ａｒにした場合
にはせん断強度は２ｋＰ／１ａＩ２であ）、ＨＸＰ工程
を省略した場合には接合直後に自然剥離した。
にはせん断強度は２ｋＰ／１ａＩ２であ）、ＨＸＰ工程
を省略した場合には接合直後に自然剥離した。
このことから、弱酸化雰囲気中でのＨＩＰ処理が接合強
度の向上に寄与していることが判明した。
度の向上に寄与していることが判明した。
第１．２，３図は本発明方法の一実施態様例を工程順に
示す図である。 復代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 −
示す図である。 復代理人 内 １） 明 復代理人 萩 原 亮 −
Claims (1)
- セラミックと金属を接合するにあたり、セラミック表面
に金属皮膜をコーティングした後、熱間静水圧加圧によ
りコーティング層の密着度を向上させ、その後金属材料
とろう付または拡散溶接することを特徴とするセラミッ
クと金属の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6347985A JPS61222965A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | セラミツクと金属の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6347985A JPS61222965A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | セラミツクと金属の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61222965A true JPS61222965A (ja) | 1986-10-03 |
Family
ID=13230411
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6347985A Pending JPS61222965A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | セラミツクと金属の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61222965A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190770A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | 住友電気工業株式会社 | 高温特性の優れたセラミツクスと金属の接合体 |
| JP2006198233A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Olympus Corp | 凝固切開処置具とそのジョーの電極部製造方法 |
| KR20160122700A (ko) * | 2013-12-10 | 2016-10-24 | 로저스 저매니 게엠베하 | 금속-세라믹 기판을 제조하기 위한 방법 |
| WO2021219260A1 (de) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zur herstellung eines metall-keramik-substrats und ein metall-keramik-substrat hergestellt mit einem solchen verfahren |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP6347985A patent/JPS61222965A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63190770A (ja) * | 1987-02-02 | 1988-08-08 | 住友電気工業株式会社 | 高温特性の優れたセラミツクスと金属の接合体 |
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| JP2017501883A (ja) * | 2013-12-10 | 2017-01-19 | ロジャーズ ジャーマニー ゲーエムベーハーＲｏｇｅｒｓ Ｇｅｒｍａｎｙ ＧｍｂＨ | 金属セラミック基板を製造する方法 |
| WO2021219260A1 (de) * | 2020-04-29 | 2021-11-04 | Rogers Germany Gmbh | Verfahren zur herstellung eines metall-keramik-substrats und ein metall-keramik-substrat hergestellt mit einem solchen verfahren |
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