JPS61220401A - Ｐｔｃ抵抗素子 - Google Patents
Ｐｔｃ抵抗素子Info
- Publication number
- JPS61220401A JPS61220401A JP60060932A JP6093285A JPS61220401A JP S61220401 A JPS61220401 A JP S61220401A JP 60060932 A JP60060932 A JP 60060932A JP 6093285 A JP6093285 A JP 6093285A JP S61220401 A JPS61220401 A JP S61220401A
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- JP
- Japan
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- ptc
- resistor
- resistance
- resistance element
- ceramic
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明にＰＴＣ抵抗体に関しさらに詳しくは通常の通電
時における電気抵抗が小さくかつ耐熱衝撃性に優れたセ
ラミックＰＴＣ抵抗素子に関する。
時における電気抵抗が小さくかつ耐熱衝撃性に優れたセ
ラミックＰＴＣ抵抗素子に関する。
近年ＢａＴｉ０．やＢａＴｉ０．に少量の添加物を含有
したもの等の金属酸化物がセラミックＰＴＣ抵抗体とし
て用いられている。このＢａＴｉＯ３系のセラミックＰ
ＴＣ抵抗体は温度の上昇によシ比抵抗が１０”〜１０！
（Ω、ｃｌＬ）程度から１０６（Ω、ｃＩＬ）程度に急
激に増大するものでＰＴＣサーミスタとして使用されて
いる。しかしＢａＴｉ０．系のセラミックＰＴＣ抵抗体
は比抵抗が１０” 〜１０”（Ω、ｃＩＩＬ）程度の範
囲にＰＴＣｑ性があルタめそれ以下のＰＴＣ特性を必要
とする過電流防止用等のＰＴＣサーミスタに使用するこ
とは困難であった。
したもの等の金属酸化物がセラミックＰＴＣ抵抗体とし
て用いられている。このＢａＴｉＯ３系のセラミックＰ
ＴＣ抵抗体は温度の上昇によシ比抵抗が１０”〜１０！
（Ω、ｃｌＬ）程度から１０６（Ω、ｃＩＬ）程度に急
激に増大するものでＰＴＣサーミスタとして使用されて
いる。しかしＢａＴｉ０．系のセラミックＰＴＣ抵抗体
は比抵抗が１０” 〜１０”（Ω、ｃＩＩＬ）程度の範
囲にＰＴＣｑ性があルタめそれ以下のＰＴＣ特性を必要
とする過電流防止用等のＰＴＣサーミスタに使用するこ
とは困難であった。
そこで、 ＢａＴｉ０．系以外のセラミックＰＴＣ抵抗
体としてｖ２Ｏ．を主成分とし、これにＣｒ、Ａｊ等の
少量添加物を含有してなるｖ２Ｏ□セラミックＰＴＣ抵
抗体が考えられている。このＶ、Ｏ，セラミックＰＴＣ
抵抗体は温度の上昇によシ比抵抗が１０−”（Ω、ｃｍ
）程度から１（Ω、ｃｒＩＬ）程度に急激に増大すると
いうように極めて低い値の変動′範囲をもつため、比抵
抗の低いＰＴＣ特性を必要とする過電流防止用等のサー
ミスタに使用することが可能である。
体としてｖ２Ｏ．を主成分とし、これにＣｒ、Ａｊ等の
少量添加物を含有してなるｖ２Ｏ□セラミックＰＴＣ抵
抗体が考えられている。このＶ、Ｏ，セラミックＰＴＣ
抵抗体は温度の上昇によシ比抵抗が１０−”（Ω、ｃｍ
）程度から１（Ω、ｃｒＩＬ）程度に急激に増大すると
いうように極めて低い値の変動′範囲をもつため、比抵
抗の低いＰＴＣ特性を必要とする過電流防止用等のサー
ミスタに使用することが可能である。
ところでこのｖｔＯｓ系のＰＴＣ現象は１次のように考
えられている。すなわちＶ、Ｏ，は低抵抗状態でコラン
ダム構造をしているが、温度が上昇して転移点を越える
と、ａ軸は０．６％収縮するがａ軸が１％膨張しこれに
伴ないバンド構造が変化し抵抗が急増するためにＰＴＣ
現象が現われると考えられている。この時体積は全体で
約１％膨張するため急激な相変態に対しては特に単結晶
の場合クラックが発生し実用に供し得ない問題がある。
えられている。すなわちＶ、Ｏ，は低抵抗状態でコラン
ダム構造をしているが、温度が上昇して転移点を越える
と、ａ軸は０．６％収縮するがａ軸が１％膨張しこれに
伴ないバンド構造が変化し抵抗が急増するためにＰＴＣ
現象が現われると考えられている。この時体積は全体で
約１％膨張するため急激な相変態に対しては特に単結晶
の場合クラックが発生し実用に供し得ない問題がある。
焼結体にした場合、空孔が一種の応力緩和サイトとして
作用するため、急激な相変態に対し単結晶よシは強固で
あるが時にはクラックが発生するなど完全ではない。従
来焉０．系のＰＴＣセラミック抵抗体においては上記欠
点を改良するためＫ 、 Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃ
ｕ、 Ｓｎを添加して焼結性−を向上させ１機械的強度
をたかめるとともに、上記添加金属の析出層によって相
変態に伴う応力の緩和をおこなうことによってり２ツク
の発生を防止することが有効である。この場合、上記金
属添加物の添加量は大きいほうが効果的である。
作用するため、急激な相変態に対し単結晶よシは強固で
あるが時にはクラックが発生するなど完全ではない。従
来焉０．系のＰＴＣセラミック抵抗体においては上記欠
点を改良するためＫ 、 Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃ
ｕ、 Ｓｎを添加して焼結性−を向上させ１機械的強度
をたかめるとともに、上記添加金属の析出層によって相
変態に伴う応力の緩和をおこなうことによってり２ツク
の発生を防止することが有効である。この場合、上記金
属添加物の添加量は大きいほうが効果的である。
しかしながら上記Ｆｅ、 Ｎ１． Ｃｏ、 Ｃｕ、 Ｓ
ｎの析出層の比抵抗はＣｒあるいは、すを添加しｆＣＶ
ｓ Ｏｓ母相の比抵抗よシも小さいため、 Ｆｅ、 Ｎ
ｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 ａｎ等の添加は抵抗体高抵抗状
態の抵抗値の低下をもたらし、相転移前後における低抵
抗状態の比抵抗と高抵抗状態の比抵抗の比率す外わちＰ
ＴＣ倍率の低下をもたらす丸め、 ＰＴＣ抵抗体として
の良好な電気的特性を得るためにはＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎ
ｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎの添加量を低く制限する必要があっ
た。
ｎの析出層の比抵抗はＣｒあるいは、すを添加しｆＣＶ
ｓ Ｏｓ母相の比抵抗よシも小さいため、 Ｆｅ、 Ｎ
ｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 ａｎ等の添加は抵抗体高抵抗状
態の抵抗値の低下をもたらし、相転移前後における低抵
抗状態の比抵抗と高抵抗状態の比抵抗の比率す外わちＰ
ＴＣ倍率の低下をもたらす丸め、 ＰＴＣ抵抗体として
の良好な電気的特性を得るためにはＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎ
ｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎの添加量を低く制限する必要があっ
た。
とのように、Ｖ、Ｏ，基ＰＴＣ抵抗体においては良好な
機械的強度と電気特性をあわせもつ抵抗体を得ることは
困難であった。
機械的強度と電気特性をあわせもつ抵抗体を得ることは
困難であった。
本発明は上記欠点を改良するためになされたもので１通
電加熱などによる急激な相変態に対しても機械的に強固
であルかつ電気的特性の優れたＶ、Ｏ８系ｏ ＰＴＣセ
ラミック抵抗素子を提供することを目的とする。
電加熱などによる急激な相変態に対しても機械的に強固
であルかつ電気的特性の優れたＶ、Ｏ８系ｏ ＰＴＣセ
ラミック抵抗素子を提供することを目的とする。
本発’Ａ ハ（Ｖｔ −ｘｉｘ）ｇｏｓ （ただしＯ＜
Ｘ＜０．０２ 、 ＡはＣｒ、Ａ）から選ばれた少なく
とも１種） ｉｃ Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ。
Ｘ＜０．０２ 、 ＡはＣｒ、Ａ）から選ばれた少なく
とも１種） ｉｃ Ｆｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ。
Ｃｕ、 Ｓｎのうちすくなくとも１種を０．０１〜４０
重量％添加したセラミックＰＴＣ抵抗体の両端Ｋｌ対の
金属電極を接合してなるＰＴＣ抵抗素子においてＦｅ。
重量％添加したセラミックＰＴＣ抵抗体の両端Ｋｌ対の
金属電極を接合してなるＰＴＣ抵抗素子においてＦｅ。
Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎの含有量が該抵抗体の中
央部では低く、該電極近傍部では高くなっていることを
特徴とするＰＴＣセラミック抵抗素子である。
央部では低く、該電極近傍部では高くなっていることを
特徴とするＰＴＣセラミック抵抗素子である。
一般にｖ２Ｏ．系セラミックＰＴＣ抵抗体く活性金属法
等によ＃） 、 Ｃｕ等の金属板を電極として該抵抗体
の両端に接合したＰＣＴ抵抗素子においては、衝撃電流
通電時等の急激な温度上昇時には、該抵抗体と金属電極
あるいは接合に用いたろう材との熱膨張率差により、該
抵抗体の電極近傍においてクラックが発生し素子破壊に
いたる場合がちる。
等によ＃） 、 Ｃｕ等の金属板を電極として該抵抗体
の両端に接合したＰＣＴ抵抗素子においては、衝撃電流
通電時等の急激な温度上昇時には、該抵抗体と金属電極
あるいは接合に用いたろう材との熱膨張率差により、該
抵抗体の電極近傍においてクラックが発生し素子破壊に
いたる場合がちる。
本発明では上記抵抗体の電極近傍において高濃度ＯＦｅ
、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎを含有せしめ、電極
に用いる金属との整合性を向上させ、さらに同部位にお
ける応力の発生を抑制しかつ応力の吸収を有効におこな
うことくよシ、該ＰＴＣ抵抗体の耐熱衝撃性を向上させ
るものである。また該抵抗体の中央部においてはｒｅ、
Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎ含有量は電極近傍部に
比して低く電気特性すなわちＰＴＣ倍率の向上をもたら
しているものである。ここでＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、
Ｃｕ、 Ｓｎの含有量は該抵抗体中央部分よシミ極部に
かけて連続的に増加することが望ましいが１段階的に含
有量増加をおとなりてもよい。
、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎを含有せしめ、電極
に用いる金属との整合性を向上させ、さらに同部位にお
ける応力の発生を抑制しかつ応力の吸収を有効におこな
うことくよシ、該ＰＴＣ抵抗体の耐熱衝撃性を向上させ
るものである。また該抵抗体の中央部においてはｒｅ、
Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 Ｓｎ含有量は電極近傍部に
比して低く電気特性すなわちＰＴＣ倍率の向上をもたら
しているものである。ここでＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、
Ｃｕ、 Ｓｎの含有量は該抵抗体中央部分よシミ極部に
かけて連続的に増加することが望ましいが１段階的に含
有量増加をおとなりてもよい。
またＦｅ、 Ｃｏ、 Ｎｉ、 Ｃｕ、 ａｎ ｑ）添加
量は該抵抗体中央部。
量は該抵抗体中央部。
はぼ電極接合面から ｍ以上離れた領域においては０．
０１〜ｉｏ、ｏｗｔ％であることが望ましくさらに好ま
しくは１．０〜５．Ｑｗｔ％であることが望ましい。ま
た該抵抗体端面すなわち電極接合面においては５〜４０
ｖｔ％さらに好ましくは１０〜３Ｑｗｔ％であることが
望ましい。なお本発明において抵抗体中央部とは。
０１〜ｉｏ、ｏｗｔ％であることが望ましくさらに好ま
しくは１．０〜５．Ｑｗｔ％であることが望ましい。ま
た該抵抗体端面すなわち電極接合面においては５〜４０
ｖｔ％さらに好ましくは１０〜３Ｑｗｔ％であることが
望ましい。なお本発明において抵抗体中央部とは。
該抵抗体中心から電極接合面にむかって該抵抗体の全長
の４０から８０カの長さを有する領域をいう。
の４０から８０カの長さを有する領域をいう。
なお１本発明における組成成分の限定理由は以下の通電
である。Ａ添加量ＸはＰＴＣ特性に直接影響をあたえる
ものであ、り Ｏ＜Ｘ＜０．０２０の範囲でＰＴＣ特性
を示すものであ！０ 、 ％Ｋ Ｏ，００１＜Ｘ＜０．
０１０の範囲で効果的である。またＡはＣｒ及び／又は
ＡＪ−でおるが、 Ｃｒ、Ａｊの総和が前期Ｘの範囲内
であればその比率は適宜決定できる。
である。Ａ添加量ＸはＰＴＣ特性に直接影響をあたえる
ものであ、り Ｏ＜Ｘ＜０．０２０の範囲でＰＴＣ特性
を示すものであ！０ 、 ％Ｋ Ｏ，００１＜Ｘ＜０．
０１０の範囲で効果的である。またＡはＣｒ及び／又は
ＡＪ−でおるが、 Ｃｒ、Ａｊの総和が前期Ｘの範囲内
であればその比率は適宜決定できる。
また上記（Ｖｓ −ｘ Ａｘ）ｔ Ｏｓに添加するＦｅ
、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ。
、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ。
Ｓｎの添加量は、該素子の電極近傍すなわちセラミツク
焼結体の端面にあっては大きいほうが応力の吸収、ある
いは緩和に際、して有効であるが、焼結体中央部との整
合性から５〜４Ｑｗｔ％、さらに好ましくは１０〜３Ｑ
ｗｔ％であることが望ましい。
焼結体の端面にあっては大きいほうが応力の吸収、ある
いは緩和に際、して有効であるが、焼結体中央部との整
合性から５〜４Ｑｗｔ％、さらに好ましくは１０〜３Ｑ
ｗｔ％であることが望ましい。
また該焼結体中央部においては該添加量の過大はＰＴＣ
特性の低下をもたらし、ｔた添加量過少は焼結性の低下
をもたらすことから０．０１〜１０ｗｔ％の範囲にある
ことが望ましくさらに望ましくは１．０〜５．Ｑｗｔ％
であることが望ましい。
特性の低下をもたらし、ｔた添加量過少は焼結性の低下
をもたらすことから０．０１〜１０ｗｔ％の範囲にある
ことが望ましくさらに望ましくは１．０〜５．Ｑｗｔ％
であることが望ましい。
なお１本発明によるＰＴＣ抵抗素子を製造する際には、
（Ｖｌ−ｘ Ａｘ）、Ｏ，Ｉｃ Ｆｅ、 Ｎ１． Ｃ
ｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎ Ｏ少なくとも１種を添加した粉体
を用意し、これを加圧成形したのち焼結することが一般
的である。この隙。
（Ｖｌ−ｘ Ａｘ）、Ｏ，Ｉｃ Ｆｅ、 Ｎ１． Ｃ
ｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎ Ｏ少なくとも１種を添加した粉体
を用意し、これを加圧成形したのち焼結することが一般
的である。この隙。
Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎの添加量の異な
る数種の粉体を用意し、これを成形に用いる金型中に積
層したのち。
る数種の粉体を用意し、これを成形に用いる金型中に積
層したのち。
加圧成形をおこなった後焼結することで目的のＰＴＣ抵
抗素子が得られる。この除用いる粉体の粒径は均一であ
ることが望ましい。
抗素子が得られる。この除用いる粉体の粒径は均一であ
ることが望ましい。
ここで上記粉体を用意するにあたってはＶｌ ０１ Ｋ
”！ ＯＲ＋ ”！ Ｏｊから選ばれる少なくとも１種
、さらにＦｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎの酸化
物から選ばれる少なくとも１種を所定量混合し、水素中
等で加熱還元して得ることができ、またｖ２Ｏ３にＣｒ
２Ｏ．、Ａ鳥０３から選ばれる少なくとも１種、さらニ
Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎ。
”！ ＯＲ＋ ”！ Ｏｊから選ばれる少なくとも１種
、さらにＦｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎの酸化
物から選ばれる少なくとも１種を所定量混合し、水素中
等で加熱還元して得ることができ、またｖ２Ｏ３にＣｒ
２Ｏ．、Ａ鳥０３から選ばれる少なくとも１種、さらニ
Ｆｅ、 Ｎｉ、 Ｃｏ、 Ｃｕ、 Ｓｎ。
酸化物から選ばれる少々くとも１種を所定量混合するこ
と等によって得るととができる。
と等によって得るととができる。
〔発明の効果〕
以上の如く１本発明によればＶ、Ｏ，基セラミックＰＴ
Ｃ抵抗体において１通電加熱などによる急激な相変態に
対しても機械的に強固であシ、かつ太き表ＰＴＣ抵抗変
化を示すＰＴＣ抵抗体を得ることができる。
Ｃ抵抗体において１通電加熱などによる急激な相変態に
対しても機械的に強固であシ、かつ太き表ＰＴＣ抵抗変
化を示すＰＴＣ抵抗体を得ることができる。
以下本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
Ｖ２Ｏ１ 、 Ｃｒ、Ｏ８、ＳｎＯ，粉末第１表ｔｌｃ
示す組成に配合し混合、粉砕したのち水素中で５００℃
で熱処理して原料粉末Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｅを得た
。これら粉末にバインダーとしてパラフィンを添加した
後、成形に用いる金型に電極部に向ってＳｎ含有量が多
くなるように積層し、加圧成形したのち水素中１５００
℃で４時間焼結をおこない第１図に示す如き１０鵡φｘ
１７ｓｎの形状のＶ２Ｏ．基セラミックＰＴＣ焼結体を
得、実施例とした。また原料粉Ａ、ＣおよびＥをそれぞ
れ単一で加圧成形後同様に焼結し比較例２〜４とした。
示す組成に配合し混合、粉砕したのち水素中で５００℃
で熱処理して原料粉末Ａ、 Ｂ、 Ｃ，Ｄ、 Ｅを得た
。これら粉末にバインダーとしてパラフィンを添加した
後、成形に用いる金型に電極部に向ってＳｎ含有量が多
くなるように積層し、加圧成形したのち水素中１５００
℃で４時間焼結をおこない第１図に示す如き１０鵡φｘ
１７ｓｎの形状のＶ２Ｏ．基セラミックＰＴＣ焼結体を
得、実施例とした。また原料粉Ａ、ＣおよびＥをそれぞ
れ単一で加圧成形後同様に焼結し比較例２〜４とした。
なお第１図中１〜５は夫々第１表中Ａ−Ｅに対応し、６
はＣｕ電極である。また１は９ｎ、２〜５は１ｎ厚であ
る。
はＣｕ電極である。また１は９ｎ、２〜５は１ｎ厚であ
る。
上記焼結体に活性金属法により２１１３１ｔＯＣｕ板を
真空四つ付して電極を形成したのち、 ＰＴＣ特性を測
・定した結果を第２図に示す。図中７は実施例、８〜１
０は夫々比較例２〜４を示す。
真空四つ付して電極を形成したのち、 ＰＴＣ特性を測
・定した結果を第２図に示す。図中７は実施例、８〜１
０は夫々比較例２〜４を示す。
さらに上記ＰＴＣ抵抗素子に５０ＯＡの電流を投入し熱
衝撃に対するクラック発生の有無の試験をおこなった。
衝撃に対するクラック発生の有無の試験をおこなった。
上記結果をまとめて第２表に示す。
第２表に示す如く１本発明による実施例においてはＰＴ
Ｃ倍率が１３８倍と大きくかつ通電加熱によるり２ツク
の発生が無く耐熱衝撃性に優れていることがわかる。比
較例においては電極部近傍にり２ツクの発生あるいはＰ
ＴＣ倍率の低下が認められる。
Ｃ倍率が１３８倍と大きくかつ通電加熱によるり２ツク
の発生が無く耐熱衝撃性に優れていることがわかる。比
較例においては電極部近傍にり２ツクの発生あるいはＰ
ＴＣ倍率の低下が認められる。
以上のように本発明におけるＰＴＣ抵抗素子は耐熱衝撃
性に優れ抵抗変化率も大きく実用上極めて有用である。
性に優れ抵抗変化率も大きく実用上極めて有用である。
第１図は実施例におけるＰＴＣ素子の構造図、第２図は
実施例及び比較例に示す素子抵抗の温度依存性図。 以下余白 第１表 第２表 代理人弁理士 則近憲佑（ほか１名） 第１図
実施例及び比較例に示す素子抵抗の温度依存性図。 以下余白 第１表 第２表 代理人弁理士 則近憲佑（ほか１名） 第１図
Claims (1)
- １、（Ｖ＿１＿−＿ｘＡｘ）＿２Ｏ＿３（ただし０≦ｘ
≦０．０２、ＡはＣｒ、Ａｌから選ばれた少なくとも１
種）にＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎのうち少なくとも
１種を０．０１〜４０重量％含有している抵抗体の両端
に１対の金属電極を接合してなるＰＴＣ抵抗素子におい
て、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｓｎ含有量が該抵抗体の
中央部では低く、該電極の近傍部では高くなっているこ
とを特徴とするＰＴＣ抵抗素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060932A JPS61220401A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | Ｐｔｃ抵抗素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60060932A JPS61220401A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | Ｐｔｃ抵抗素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61220401A true JPS61220401A (ja) | 1986-09-30 |
Family
ID=13156646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60060932A Pending JPS61220401A (ja) | 1985-03-27 | 1985-03-27 | Ｐｔｃ抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61220401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103310926A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-09-18 | 好利来（中国）电子科技股份有限公司 | 超小型表面贴装型过电流过热保护装置及其制作方法 |
-
1985
- 1985-03-27 JP JP60060932A patent/JPS61220401A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103310926A (zh) * | 2013-06-08 | 2013-09-18 | 好利来（中国）电子科技股份有限公司 | 超小型表面贴装型过电流过热保护装置及其制作方法 |
| CN103310926B (zh) * | 2013-06-08 | 2015-11-18 | 好利来（中国）电子科技股份有限公司 | 超小型表面贴装型过电流过热保护装置及其制作方法 |
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