JPS61216420A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPS61216420A JPS61216420A JP5791285A JP5791285A JPS61216420A JP S61216420 A JPS61216420 A JP S61216420A JP 5791285 A JP5791285 A JP 5791285A JP 5791285 A JP5791285 A JP 5791285A JP S61216420 A JPS61216420 A JP S61216420A
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- JP
- Japan
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- oscillation coil
- substrate support
- phase growth
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野）
本発明は、半導体基板（以後、単に基板という）に単、
結晶膜等）を気相成長させる気相成長装置に係わり、特
に基板支持体（サセプタ）を改良した気相成長装置に関
する。
結晶膜等）を気相成長させる気相成長装置に係わり、特
に基板支持体（サセプタ）を改良した気相成長装置に関
する。
気相成長装置の１つとして、グラハイド、カーボンなど
の材料からなる基板支持体（サセプタ）を、高周波発振
コイルからの誘導加熱で所定のほぼ一定の温度に加熱す
ることで、この基板支持体の適当な位置に配列載置した
半導体基板を所定の温度に加熱せしめるとともに、基板
上に反応ガスを通過作用せしめることで基板上に所定の
単結晶膜を成長せしめる構成のものがある。
の材料からなる基板支持体（サセプタ）を、高周波発振
コイルからの誘導加熱で所定のほぼ一定の温度に加熱す
ることで、この基板支持体の適当な位置に配列載置した
半導体基板を所定の温度に加熱せしめるとともに、基板
上に反応ガスを通過作用せしめることで基板上に所定の
単結晶膜を成長せしめる構成のものがある。
しかしながら、従来のこの種装置は、米国特許３．６４
５．２３０号公報および米国特許３，４２４．６２９号
公報に見られるように、円筒状の基板支持体を使用する
ようになっている。このため、基板が基板支持体から落
下さないように垂直線に対して２°〜３°の傾斜の座ぐ
りを設けるが、円筒形状の場合は基板の径が大きいと円
筒外周面と座ぐりの深さに大きな段差が生じ、反応ガス
の流れに影響をきたし良質の単結晶膜の成長が困難にな
る。また、基板の径が１００．ｗ以上のにもなってくる
と現実的に置載することが困難となるといった問題があ
る。
５．２３０号公報および米国特許３，４２４．６２９号
公報に見られるように、円筒状の基板支持体を使用する
ようになっている。このため、基板が基板支持体から落
下さないように垂直線に対して２°〜３°の傾斜の座ぐ
りを設けるが、円筒形状の場合は基板の径が大きいと円
筒外周面と座ぐりの深さに大きな段差が生じ、反応ガス
の流れに影響をきたし良質の単結晶膜の成長が困難にな
る。また、基板の径が１００．ｗ以上のにもなってくる
と現実的に置載することが困難となるといった問題があ
る。
本発明は、前記事情にもとずきなされたもので、その目
的とするところは、比較的簡単な構成でありながら、大
きな径の基板でも反応ガスの流れに影響を与えることな
く確実に置載でき、しかも高周波発振コイルによる誘導
加熱状態を損うことなく均一に加熱でき、良好かつ安定
した気相成長が行なえる気相成長装置を提供しようとす
るものである。
的とするところは、比較的簡単な構成でありながら、大
きな径の基板でも反応ガスの流れに影響を与えることな
く確実に置載でき、しかも高周波発振コイルによる誘導
加熱状態を損うことなく均一に加熱でき、良好かつ安定
した気相成長が行なえる気相成長装置を提供しようとす
るものである。
本発明は、前記目的を達成すべく、基板支持体を、高周
波発振コイルからの誘導加熱で所定のほぼ一定の温度に
加熱することで、この基板支持体の適当な位置に配列載
置した半導体基板を所定の温度に加熱せしめるとともに
、基板上に反応ガスを通過作用せしめることで基板上に
所定の単結晶膜を成長せしめる構成とした気相成長装置
において、前記基板支持体の半導体基板が配列載置され
る外周部を多角錐形状とし、かつ、高周波発振コイルが
収納される内周面を円錐形状に構成とするとともに前記
高周波発振コイルを基板支持体の内周面とほぼ相似形状
に構成したするようにしたものである。
波発振コイルからの誘導加熱で所定のほぼ一定の温度に
加熱することで、この基板支持体の適当な位置に配列載
置した半導体基板を所定の温度に加熱せしめるとともに
、基板上に反応ガスを通過作用せしめることで基板上に
所定の単結晶膜を成長せしめる構成とした気相成長装置
において、前記基板支持体の半導体基板が配列載置され
る外周部を多角錐形状とし、かつ、高周波発振コイルが
収納される内周面を円錐形状に構成とするとともに前記
高周波発振コイルを基板支持体の内周面とほぼ相似形状
に構成したするようにしたものである。
（発明の実施例）
以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
１図はバレル型気相成長装置の構成を概略的に示すもの
で、図中１はステンレス製のベースプレートであり、こ
のベースプレート１上には、石英製のケーシング２、石
英製の反応外筒（シリンダ）３、および石英製の略釣鐘
状（逆コツプ状）に形成された反応内筒（コイルカバー
））４が同心状に設置された状態となっている。また、
ケーシング２および反応外筒３の上端開口部はステンレ
ス製の蓋５によって開閉される構成となっており、前記
反応外筒３および反応内筒４との間で反応室６を形成し
た状態となっている。
１図はバレル型気相成長装置の構成を概略的に示すもの
で、図中１はステンレス製のベースプレートであり、こ
のベースプレート１上には、石英製のケーシング２、石
英製の反応外筒（シリンダ）３、および石英製の略釣鐘
状（逆コツプ状）に形成された反応内筒（コイルカバー
））４が同心状に設置された状態となっている。また、
ケーシング２および反応外筒３の上端開口部はステンレ
ス製の蓋５によって開閉される構成となっており、前記
反応外筒３および反応内筒４との間で反応室６を形成し
た状態となっている。
さらに、前記蓋５には、複数の基板７・・・が配列載置
される基板支持部８ａを反応外筒３と反応内筒４との相
互対向部によって形成される環状空間６ａ内に位置させ
た状態に基板支持体（サセプタ）８が取付けられており
、この基板支持体８は中空軸９を介して蓋５の上面中央
部に設けられた駆動装置１０により１分間に５〜１０回
転するように駆動される構成となっている。
される基板支持部８ａを反応外筒３と反応内筒４との相
互対向部によって形成される環状空間６ａ内に位置させ
た状態に基板支持体（サセプタ）８が取付けられており
、この基板支持体８は中空軸９を介して蓋５の上面中央
部に設けられた駆動装置１０により１分間に５〜１０回
転するように駆動される構成となっている。
また、蓋５には反応全６内の上部に噴出口を臨ませた反
応ガスＡを供給する反応ガス導入管（ノズル）１１が、
また、ベースプレート１には反応ガスＡ等を導出するガ
ス導出口１２がそれぞれ複数個所設けられた状態となっ
ており、反応ガスＡは実線矢印で示すように環状空間６
ａの上部から下に向かって流れる構成となっている。
応ガスＡを供給する反応ガス導入管（ノズル）１１が、
また、ベースプレート１には反応ガスＡ等を導出するガ
ス導出口１２がそれぞれ複数個所設けられた状態となっ
ており、反応ガスＡは実線矢印で示すように環状空間６
ａの上部から下に向かって流れる構成となっている。
また、反応内筒４の内側には内部加熱源としての高周波
発振コイル１３が設けられており基板支持体８を誘導加
熱するようになっている。高周波コイル１３は、ベース
プレート１上に固定部材１４を介して立設された４本の
ブラケット１５・・・にボルト、ナツトなどの固定具１
６・・・を介して均一加熱するのに適切な状態に移動可
能に固定されている。
発振コイル１３が設けられており基板支持体８を誘導加
熱するようになっている。高周波コイル１３は、ベース
プレート１上に固定部材１４を介して立設された４本の
ブラケット１５・・・にボルト、ナツトなどの固定具１
６・・・を介して均一加熱するのに適切な状態に移動可
能に固定されている。
また、高周波コイル１３は、反応ガスＡの影響を遮断す
べく全体が石英製の反応内Ｉ！１４によって覆われた状
態となっているとともに、反応ガスＡからの影響や反応
ガスＡへの影響を遮断すべく反応内筒４内に必要に応じ
て不活性ガス（通常窒素ガス）や反応ガスのキャリアガ
ス（通常水素ガス）を適宜流入および排出することがで
きる構成となっている。
べく全体が石英製の反応内Ｉ！１４によって覆われた状
態となっているとともに、反応ガスＡからの影響や反応
ガスＡへの影響を遮断すべく反応内筒４内に必要に応じ
て不活性ガス（通常窒素ガス）や反応ガスのキャリアガ
ス（通常水素ガス）を適宜流入および排出することがで
きる構成となっている。
また、反応外筒３の外側には、補助加熱源としての赤外
線ランプ１７・・・が設けられている。これら赤外線ラ
ンプ１７・・・は数個縦方向に配置された状態で反応外
筒３の周方向に複数個所配置されるようにケーシング２
に取付けられている。そして、反応外筒３を透過して基
板支持体８及び基板７・・・を照射加熱する所定温度に
加熱する構成となっている。
線ランプ１７・・・が設けられている。これら赤外線ラ
ンプ１７・・・は数個縦方向に配置された状態で反応外
筒３の周方向に複数個所配置されるようにケーシング２
に取付けられている。そして、反応外筒３を透過して基
板支持体８及び基板７・・・を照射加熱する所定温度に
加熱する構成となっている。
なお、この時、発熱光の一部は、反射板１８・・・によ
り有効に基板支持体８、および基板７・・・のみを加熱
し、他の部分を加熱しないように構成されている。
り有効に基板支持体８、および基板７・・・のみを加熱
し、他の部分を加熱しないように構成されている。
また、２０はケーシング２内上部に先端開口部を臨ませ
た状態に設けられた冷却空気導入管で有り、反応外筒３
とケーシング２との闇に冷却用の空気Ｂを供給するよう
になっている。２１はケーシング２内下部に先端開口部
を臨ませた状態に設けられた冷却空気排出管で有り、反
応外筒３とケーシング２との間に送り込まれた冷却用の
空気Ｂを排出する構成となっている。
た状態に設けられた冷却空気導入管で有り、反応外筒３
とケーシング２との闇に冷却用の空気Ｂを供給するよう
になっている。２１はケーシング２内下部に先端開口部
を臨ませた状態に設けられた冷却空気排出管で有り、反
応外筒３とケーシング２との間に送り込まれた冷却用の
空気Ｂを排出する構成となっている。
また、２２はパージガス導入管であり、このパージガス
導入管２２を介して送り込まれたパージガスＣは破翰矢
印で示すよう、粁基板支持体、８を吊持する中空軸９内
およびこの中空軸９とこれを囲繞する石英製のカバー２
３間を通って基板支持体８と反応内筒４との間に送り込
まれるようになっている。
導入管２２を介して送り込まれたパージガスＣは破翰矢
印で示すよう、粁基板支持体、８を吊持する中空軸９内
およびこの中空軸９とこれを囲繞する石英製のカバー２
３間を通って基板支持体８と反応内筒４との間に送り込
まれるようになっている。
また、反応外筒３と反応内筒４との藺に形成される環状
空間６の下端側は多数の透孔２４・・・を有した石英製
の仕切り部材２５によって仕切られ、環状空１１６ａに
流れる反応ガスＡの流れを円滑にするようになっている
。
空間６の下端側は多数の透孔２４・・・を有した石英製
の仕切り部材２５によって仕切られ、環状空１１６ａに
流れる反応ガスＡの流れを円滑にするようになっている
。
また、前記蓋５も石英製のカバー２８で覆われていて、
反応室６内は実質的に石英で構成された状態となってい
て、金属部材と反応ガスＡとの接触は全くなくなり、高
品質の気相成長層を得ることを可能ならしめた。
反応室６内は実質的に石英で構成された状態となってい
て、金属部材と反応ガスＡとの接触は全くなくなり、高
品質の気相成長層を得ることを可能ならしめた。
さらに、カバー２８で覆われた前記蓋５の内面は、金メ
ッキなどにより反射面となっており、加熱により高温に
赤熱された基板支持体８ａからの光を効率的に反射せし
めることにより反応室６内での反応ガスＡの反応を光と
雰囲気の高温化により促進することを可能ならしめた。
ッキなどにより反射面となっており、加熱により高温に
赤熱された基板支持体８ａからの光を効率的に反射せし
めることにより反応室６内での反応ガスＡの反応を光と
雰囲気の高温化により促進することを可能ならしめた。
さらに、この反射により負担の温度上昇をある程度低減
し、冷却を容易にした。なお、ベースプレート１の内部
には、冷却媒体が導通される構成となってい、る。
し、冷却を容易にした。なお、ベースプレート１の内部
には、冷却媒体が導通される構成となってい、る。
しかして、反応外筒３と反応内筒４との闇に形成された
環状空間６ａに、基板７・・・を配列載置した基板支持
部８ａが介在した状態で基板支持体８が回転駆動する。
環状空間６ａに、基板７・・・を配列載置した基板支持
部８ａが介在した状態で基板支持体８が回転駆動する。
一方、この時、基板支持体８．涯よび基板７・・・を高
周波発振コイル、１３による誘導加熱および赤外線ラン
プ１７・・・の輻′射熱によって所定の温度に加熱する
と哀もに反応”室６の上部に ・噴出口を臨ませた反応
ガス導入Ｗ（ノズル：）１１・・・から噴出された反応
ガスＡは反応ガス導入管１１・・・の噴出口から離れる
につれて広がり□ながら進み、適当な広がりを持った所
で前記環状空間６ａを反応ガスＡが上から下に向け、て
円滑に流れ回転している基板支持体８に接触し、次いで
基板支持体８に配列載置された基板７・・・に作用し高
温下で分解又は還元により基板７・・・に単結晶膜を成
長せしめることになる。
周波発振コイル、１３による誘導加熱および赤外線ラン
プ１７・・・の輻′射熱によって所定の温度に加熱する
と哀もに反応”室６の上部に ・噴出口を臨ませた反応
ガス導入Ｗ（ノズル：）１１・・・から噴出された反応
ガスＡは反応ガス導入管１１・・・の噴出口から離れる
につれて広がり□ながら進み、適当な広がりを持った所
で前記環状空間６ａを反応ガスＡが上から下に向け、て
円滑に流れ回転している基板支持体８に接触し、次いで
基板支持体８に配列載置された基板７・・・に作用し高
温下で分解又は還元により基板７・・・に単結晶膜を成
長せしめることになる。
なお、作用後の反応ガスＡは、反応室６底部のベースプ
レート１に設けられたガス導出口１２・・・および導出
管１９・・・を介して排出せしめられる。
レート１に設けられたガス導出口１２・・・および導出
管１９・・・を介して排出せしめられる。
また、前記基板支持体８は、第２図に示すように基板７
・・・が配列載！される外周部が、基板の落下防止のた
めに２°〜３°の傾斜を有した８角錐形状となっており
、比較的大きな径の基板７・・・を反応ガスの流れに影
響を与えない状態に確実に保持できる構成となっている
。
・・・が配列載！される外周部が、基板の落下防止のた
めに２°〜３°の傾斜を有した８角錐形状となっており
、比較的大きな径の基板７・・・を反応ガスの流れに影
響を与えない状態に確実に保持できる構成となっている
。
一方、高周波発振コイル１３が収納される内周面は円錐
形状に構成されているとともに前記高周波発振コイル１
３も基板支持体８の内周面とほぼ相似形状に構成された
状態となっており、高周波発振コイル１３のコイルピッ
チの変更のみにより基板支持体８の均一加熱調整が行な
えるようになっている。すなわち、基板支持体８の温度
を調整すべく高周波発振コイル１３のコイルピッチなど
を変えた場合に、基板支持体８の内面と高周波発振コイ
ル１３との距離の変動幅が少なく、あたかも円筒形の場
合と同じような温度調整が行なえることになる。
形状に構成されているとともに前記高周波発振コイル１
３も基板支持体８の内周面とほぼ相似形状に構成された
状態となっており、高周波発振コイル１３のコイルピッ
チの変更のみにより基板支持体８の均一加熱調整が行な
えるようになっている。すなわち、基板支持体８の温度
を調整すべく高周波発振コイル１３のコイルピッチなど
を変えた場合に、基板支持体８の内面と高周波発振コイ
ル１３との距離の変動幅が少なく、あたかも円筒形の場
合と同じような温度調整が行なえることになる。
このように、比較的簡単な構成でありながら、大きな径
の基板７・・・でも反応ガスＡの流れに影響を与えるこ
となく確実に置載でき、しかも高周波発振コイル１３に
よる誘導加熱状態を損うことなく均一に加熱でき、良好
かつ安定した気相成長が行なえることになる。
の基板７・・・でも反応ガスＡの流れに影響を与えるこ
となく確実に置載でき、しかも高周波発振コイル１３に
よる誘導加熱状態を損うことなく均一に加熱でき、良好
かつ安定した気相成長が行なえることになる。
なお、上述の一実施例の説明において、基板支持体を８
角錐形状にしたものについて説明したが、本発明は、こ
れに限らず基板の大きざに適応した８角以外の多角錐形
状としても良いことは勿論である。
角錐形状にしたものについて説明したが、本発明は、こ
れに限らず基板の大きざに適応した８角以外の多角錐形
状としても良いことは勿論である。
その他、本発明は本発明の要旨を変えない範囲で種々変
形実施可能なことは勿論である。
形実施可能なことは勿論である。
本発明は、以上説明したように、基板支持体を、高周波
発振コイルからの誘導加熱で所定のほぼ一定の温度に加
熱することで、この基板支持体の適当な位置に配列載置
した半導体基板を所定の温度に加熱せしめるとともに、
基板上に反応ガスを通過作用せしめることで基板上に所
定の単結晶層を成長せしめる構成とした気相成長装置に
おいて、前記基板支持体の半導体基板が配列載置される
外周部を多角錐形状とし、かつ、高周波発振コイルが収
納される内周面を円錐形状に構成とするとともに前記高
周波発振コイルを基板支持体の内周面とほぼ相似形状に
構成したするようにしたものである。したものである。
発振コイルからの誘導加熱で所定のほぼ一定の温度に加
熱することで、この基板支持体の適当な位置に配列載置
した半導体基板を所定の温度に加熱せしめるとともに、
基板上に反応ガスを通過作用せしめることで基板上に所
定の単結晶層を成長せしめる構成とした気相成長装置に
おいて、前記基板支持体の半導体基板が配列載置される
外周部を多角錐形状とし、かつ、高周波発振コイルが収
納される内周面を円錐形状に構成とするとともに前記高
周波発振コイルを基板支持体の内周面とほぼ相似形状に
構成したするようにしたものである。したものである。
したがって、比較的簡単な構成でありながら、大きな径
の基板でも反応ガスの流れに影響を与えることなく確実
に置載でき、しかも高周波発振コイルによる誘導加熱状
態を損うことなく均一に加熱でき、良好かつ安定した気
相成長が行なえる気相成長装置を提供できるといった効
果を奏する。
の基板でも反応ガスの流れに影響を与えることなく確実
に置載でき、しかも高周波発振コイルによる誘導加熱状
態を損うことなく均一に加熱でき、良好かつ安定した気
相成長が行なえる気相成長装置を提供できるといった効
果を奏する。
図面は、本発明の一実施例を示すもので、第１因は概略
的縦断正面図、第２図は第１図のＩ［−Ｉｆ線に沿う断
面図である。 １・・・ベースプレート、３・・・反応外筒、４・・・
反応内筒、５・・・蓋、６・・・反応室、７・・・基板
、８・・・基板支持体、８ａ・・・基板支持部、１３・
・・高周波発振コイル、Ａ・・・反応ガス。
的縦断正面図、第２図は第１図のＩ［−Ｉｆ線に沿う断
面図である。 １・・・ベースプレート、３・・・反応外筒、４・・・
反応内筒、５・・・蓋、６・・・反応室、７・・・基板
、８・・・基板支持体、８ａ・・・基板支持部、１３・
・・高周波発振コイル、Ａ・・・反応ガス。
Claims (3)
- （１）基板支持体を、高周波発振コイルからの誘導加熱
で所定のほぼ一定の温度に加熱することで、この基板支
持体の適当な位置に配列載置した半導体基板を所定の温
度に加熱せしめるとともに、基板上に反応ガスを通過作
用せしめることで基板上に所定の単結晶膜を成長せしめ
る構成とした気相成長装置において、前記基板支持体の
半導体基板が配列載置される外周部を多角錐形状とし、
かつ、高周波発振コイルが収納される内周面を円錐形状
に構成とするとともに前記高周波発振コイルを基板支持
体の内周面とほぼ相似形状に構成したことを特徴とする
気相成長装置。 - （２）基板支持体の外周部が、８角錐形状であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成長装置。 - （３）高周波発振コイルが、移動可能に取付けられてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の気相成
長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5791285A JPH0736383B2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5791285A JPH0736383B2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216420A true JPS61216420A (ja) | 1986-09-26 |
| JPH0736383B2 JPH0736383B2 (ja) | 1995-04-19 |
Family
ID=13069200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5791285A Expired - Lifetime JPH0736383B2 (ja) | 1985-03-22 | 1985-03-22 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0736383B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560436A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种气相沉积设备 |
-
1985
- 1985-03-22 JP JP5791285A patent/JPH0736383B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102560436A (zh) * | 2010-12-13 | 2012-07-11 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 一种气相沉积设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0736383B2 (ja) | 1995-04-19 |
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Legal Events
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |