JPS61214561A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS61214561A JPS61214561A JP60054413A JP5441385A JPS61214561A JP S61214561 A JPS61214561 A JP S61214561A JP 60054413 A JP60054413 A JP 60054413A JP 5441385 A JP5441385 A JP 5441385A JP S61214561 A JPS61214561 A JP S61214561A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodiode
- line
- vertical
- vertical scanning
- driven
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 abstract description 21
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 abstract description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、カラー・テレビカメラ用固体撮像素子に関し
、詳しくはX、Yのスイッチマトリクスにより光電変換
素子を順次走査するMOS形の固体撮像素子に関するも
のである。
、詳しくはX、Yのスイッチマトリクスにより光電変換
素子を順次走査するMOS形の固体撮像素子に関するも
のである。
固体撮像素子は、光電変換と蓄積の機能を有する2次元
配列の画素群と、各画素に蓄積された信号電荷を時系列
で順次取り出す走査機能を有する回路とを、一体構造と
して固体化したものである。
配列の画素群と、各画素に蓄積された信号電荷を時系列
で順次取り出す走査機能を有する回路とを、一体構造と
して固体化したものである。
このうち、走査方式はX、Yのスイッチマトリクスによ
るXYアドレス走査形(MOS形)と、自己転送機能を
有するCOD、BBD等を用いる電荷転送形とに分けら
れる。
るXYアドレス走査形(MOS形)と、自己転送機能を
有するCOD、BBD等を用いる電荷転送形とに分けら
れる。
第1図はすでに提案されている特願昭58−18588
号明細書に詳述されているMO8形固体撮像素子の回路
構成を示したものである。
号明細書に詳述されているMO8形固体撮像素子の回路
構成を示したものである。
11.12.・・・、mnの各光ダイオードに蓄積した
信号電荷は、以下の手順で読み出す。すなわち第1フイ
ールドではインターレース・スイッチ1を上方に接続す
る。そして初めの水平帰線期間の間に垂直シフトレジス
タ2によって垂直走査線10と20を選択し、これにつ
ながる2行の垂直スイッチ3と垂直選択スイッチ9をO
N状態にする。水平映像期間に入ったとき、水平シフト
レジスタ4によって水平スイッチ5を順次ON状態にし
て光ダイオード11.・・・、1nと21.・・・、2
nの信号電荷を、水平出力線1oO1信号出力線101
、プリアンプ102の系と、水平出力線200、信号出
力線201.プリアンプ202の系を通して出力信号S
、 、 S、とじて出力する。
信号電荷は、以下の手順で読み出す。すなわち第1フイ
ールドではインターレース・スイッチ1を上方に接続す
る。そして初めの水平帰線期間の間に垂直シフトレジス
タ2によって垂直走査線10と20を選択し、これにつ
ながる2行の垂直スイッチ3と垂直選択スイッチ9をO
N状態にする。水平映像期間に入ったとき、水平シフト
レジスタ4によって水平スイッチ5を順次ON状態にし
て光ダイオード11.・・・、1nと21.・・・、2
nの信号電荷を、水平出力線1oO1信号出力線101
、プリアンプ102の系と、水平出力線200、信号出
力線201.プリアンプ202の系を通して出力信号S
、 、 S、とじて出力する。
そして次の水平帰線期間に入ったとき、垂直シフトレジ
スタを進めて垂直走査線30と40を選択し、それに続
く水平映像期間に次の2行(31゜・・・、3nと41
.・・・、4n)の信号電荷を読み出す、以下同様に全
ての光ダイオードの信号電荷を読み出す、第2フイール
ドではインターレース・スイッチ1を下に接続し、同じ
水平映像期間に読み出す光ダイオードの2行の組み合わ
せを変え(例えば21.・・・、2nと31.・・・3
n;41゜・・・、4nと51.・・・、5n;・・・
)、同様の操作を繰り返火す。
スタを進めて垂直走査線30と40を選択し、それに続
く水平映像期間に次の2行(31゜・・・、3nと41
.・・・、4n)の信号電荷を読み出す、以下同様に全
ての光ダイオードの信号電荷を読み出す、第2フイール
ドではインターレース・スイッチ1を下に接続し、同じ
水平映像期間に読み出す光ダイオードの2行の組み合わ
せを変え(例えば21.・・・、2nと31.・・・3
n;41゜・・・、4nと51.・・・、5n;・・・
)、同様の操作を繰り返火す。
ところでこれらの素子の画素は、いずれも第2図に示す
ような構造を持っている。ここで第2図(b)は(a)
中のA−A’間にそった素子の縦構造を示したものであ
り、水平出力線100゜200は高周波の信号を通すた
めに抵抗の低い上層のAQAIで構成する。一方比較的
低周波のパルス電圧を加える垂直走査線20.30はや
や抵抗の高い下層のポリシリコンの線で構成するが、こ
の垂直走査線20.30はいずれも光ダイオード23に
近接して配線されるため、光ダイオードとの間に寄生容
量6,6′が生じる。
ような構造を持っている。ここで第2図(b)は(a)
中のA−A’間にそった素子の縦構造を示したものであ
り、水平出力線100゜200は高周波の信号を通すた
めに抵抗の低い上層のAQAIで構成する。一方比較的
低周波のパルス電圧を加える垂直走査線20.30はや
や抵抗の高い下層のポリシリコンの線で構成するが、こ
の垂直走査線20.30はいずれも光ダイオード23に
近接して配線されるため、光ダイオードとの間に寄生容
量6,6′が生じる。
この寄生容量は垂直走査線20.30の電圧の上下によ
って光ダイオード内の電荷の一部の吸収あるいは放出を
繰り返えし、フリッカ−や固定パターン雑音(画面全体
に2次元的に広がるランダムな固定パターン雑音で、以
下面ザラと記す)の原因になる。
って光ダイオード内の電荷の一部の吸収あるいは放出を
繰り返えし、フリッカ−や固定パターン雑音(画面全体
に2次元的に広がるランダムな固定パターン雑音で、以
下面ザラと記す)の原因になる。
すなわち第1フイールドでは光ダイオード23から信号
電荷を読み出すために、垂直走査線20に垂直スイッチ
をON状態にする一定電圧を加えると、寄生容量6には
光ダイオード内の電荷の一部Q、が吸収され、信号電荷
読み出し後もそのまま寄生容量6内に残される。そして
垂直走査線20の電圧をもとにもどした時、吸収してい
た電荷Q、を再び光ダイオード内に放出する。これに対
して第2フイールドでは光ダイオード23から信号電荷
を読み出すとき、垂直走査線20だけでなく30にも一
定電圧が加わるため、寄生容量6だけでなく6′にも電
荷Q、′が吸収され、合計Q、+Q、’の電荷が読み出
されずに残る。第1フイールドと第2フイールドで読み
出されずに残る電荷の差Q %は、各々のフィールドで
の黒レベル(光が入射していないときの出力信号のレベ
ル)の差となって現われ、フリッカ−が生じる。
電荷を読み出すために、垂直走査線20に垂直スイッチ
をON状態にする一定電圧を加えると、寄生容量6には
光ダイオード内の電荷の一部Q、が吸収され、信号電荷
読み出し後もそのまま寄生容量6内に残される。そして
垂直走査線20の電圧をもとにもどした時、吸収してい
た電荷Q、を再び光ダイオード内に放出する。これに対
して第2フイールドでは光ダイオード23から信号電荷
を読み出すとき、垂直走査線20だけでなく30にも一
定電圧が加わるため、寄生容量6だけでなく6′にも電
荷Q、′が吸収され、合計Q、+Q、’の電荷が読み出
されずに残る。第1フイールドと第2フイールドで読み
出されずに残る電荷の差Q %は、各々のフィールドで
の黒レベル(光が入射していないときの出力信号のレベ
ル)の差となって現われ、フリッカ−が生じる。
また寄生容量の大きさは光ダイオードごとにばらつくた
め、面ザラの固定パターン雑音が発生し、画質を著しく
劣化させる。
め、面ザラの固定パターン雑音が発生し、画質を著しく
劣化させる。
本発明の目的は、このような従来の欠点を改善できる固
体撮像装置を提供することにある。
体撮像装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明による固体撮像素子の
構造は、任意の垂直走査線と、この垂直走査線では駆動
しない垂直スイッチにつながる光ダイオードとの間に電
気的シールド線を設けたことに特徴がある。
構造は、任意の垂直走査線と、この垂直走査線では駆動
しない垂直スイッチにつながる光ダイオードとの間に電
気的シールド線を設けたことに特徴がある。
〔発明の実施例〕
第3図は本発明の実施例を示す固体撮像素子の縦構造を
示したものである0図中20’ 、30’が新たに設け
たシールド線であり、その少なくとも一端はアースに接
続しておく。
示したものである0図中20’ 、30’が新たに設け
たシールド線であり、その少なくとも一端はアースに接
続しておく。
この素子では寄生容量6′はこのシールド線を通して垂
直走査線とシールド線間、シールド線と光ダイオード間
の2つの寄生容量6“ 6///に分られる。また光ダ
イオード内電荷に関係する寄生容量6″′の一端はシー
ルド線でアースにつながり。
直走査線とシールド線間、シールド線と光ダイオード間
の2つの寄生容量6“ 6///に分られる。また光ダ
イオード内電荷に関係する寄生容量6″′の一端はシー
ルド線でアースにつながり。
フィールドに関係なく一定電圧になる。そのため寄生容
量6 には光ダイオード23からの電荷の吸収は起こら
ない。
量6 には光ダイオード23からの電荷の吸収は起こら
ない。
一方寄生容量6はそのまま残り、(シールド線を光ダイ
オード23と垂直走査20の間も覆うように広げれば、
寄生容量6′同様2つに分けることもできる)光ダイオ
ード23から信号電荷を読み出す時光ダイオード23内
の電荷の一部Q、がこの寄生容量6に吸収され、読み出
されずに残る。
オード23と垂直走査20の間も覆うように広げれば、
寄生容量6′同様2つに分けることもできる)光ダイオ
ード23から信号電荷を読み出す時光ダイオード23内
の電荷の一部Q、がこの寄生容量6に吸収され、読み出
されずに残る。
しかし寄生容量に吸収されて信号電荷読み出し後も残る
電荷は、第1フイールド、第2フイールドに関係なく常
に一定のQ、どなるため、第2の構造の素子のような信
号電荷以外の電荷Q、′の読み出しはない、そのためフ
ィールドごとに黒しベ。
電荷は、第1フイールド、第2フイールドに関係なく常
に一定のQ、どなるため、第2の構造の素子のような信
号電荷以外の電荷Q、′の読み出しはない、そのためフ
ィールドごとに黒しベ。
ルが変わることによるフリッカ−や、Q、Iのばらつき
による面ザラは生じず、良質の画像を得ることができる
。
による面ザラは生じず、良質の画像を得ることができる
。
第4図は本発明による他の実施例を示す固体撮像素子の
縦構造を示したものである。この素子は水平出力線(例
えば100,200)と垂直走査線(例えば20.30
)の位置を交換し、垂直走査線を水平出力線より上層に
ある線で構成したもので、水平出力線自身にシールド効
果を持たせたものである。すなわち第4図において垂直
走査線30では駆動しない垂直スイッチにつながる光ダ
イオード23と、垂直走査線の間に入るように水平出力
線200を構成し、第2図寄生容量6′を第4図寄生容
量6 j 、 6NIに分ける。この時水平出力線は常
にほぼ一定のビデオ電圧に設定されるため、光ダイオー
ド内電荷の吸収はやはり寄生容量6のみで起こる。その
ため前実施例同様信号電荷以外の電荷Q %の読み出し
はなく、フリッカ−や面ザラを防止することができる。
縦構造を示したものである。この素子は水平出力線(例
えば100,200)と垂直走査線(例えば20.30
)の位置を交換し、垂直走査線を水平出力線より上層に
ある線で構成したもので、水平出力線自身にシールド効
果を持たせたものである。すなわち第4図において垂直
走査線30では駆動しない垂直スイッチにつながる光ダ
イオード23と、垂直走査線の間に入るように水平出力
線200を構成し、第2図寄生容量6′を第4図寄生容
量6 j 、 6NIに分ける。この時水平出力線は常
にほぼ一定のビデオ電圧に設定されるため、光ダイオー
ド内電荷の吸収はやはり寄生容量6のみで起こる。その
ため前実施例同様信号電荷以外の電荷Q %の読み出し
はなく、フリッカ−や面ザラを防止することができる。
以上説明したごとく、本発明によれば従来のMO8形固
体撮像素子の垂直走査線と光ダイオード間の寄生容量が
原因で生じ、フィールドごとに黒レベルが変わるために
起こるフリッカ−や、寄生容量のばらつきで起こる面ザ
ラを防止し、良好な画像を得ることができる。
体撮像素子の垂直走査線と光ダイオード間の寄生容量が
原因で生じ、フィールドごとに黒レベルが変わるために
起こるフリッカ−や、寄生容量のばらつきで起こる面ザ
ラを防止し、良好な画像を得ることができる。
第 2 悶
(の
A″
(b〕
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、光電変換素子およびスイッチ素子からなる面素のア
レーと、荷画素のアレーを順次選択走査する水平および
垂直走査回路を有し、上記画素内のスイッチ素子は、上
記光電変換素子に接続され、かつ垂直走査回路で垂直走
査線を通して駆動されるスイッチ素子と、水平信号出力
線に接続され、かつ水平走査回路で駆動されるスイッチ
素子の直列接続からなり、さらに上記水平信号出力線は
上記垂直走査回路で駆動される別のスイッチ素子をを介
して垂直信号出力線に接続される固体撮像素子において
、上記垂直走査線と隣接する光電変換素子の内、該垂直
走査線で駆動するスイッチ素子につながらない光電変換
素子と、該垂直走査線の間に電気的シールド線を設ける
ことを特徴とする固体撮像素子。 2、特許請求の範囲第1項において、上記電気的シール
ド線を上記水平信号出力線で構成することを特徴とする
固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60054413A JPS61214561A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60054413A JPS61214561A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61214561A true JPS61214561A (ja) | 1986-09-24 |
Family
ID=12970013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60054413A Pending JPS61214561A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61214561A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110310599A (zh) * | 2013-07-02 | 2019-10-08 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置以及电子设备 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60054413A patent/JPS61214561A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN110310599A (zh) * | 2013-07-02 | 2019-10-08 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置以及电子设备 |
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