JPS61213741A - 圧力検出装置 - Google Patents
圧力検出装置Info
- Publication number
- JPS61213741A JPS61213741A JP5664385A JP5664385A JPS61213741A JP S61213741 A JPS61213741 A JP S61213741A JP 5664385 A JP5664385 A JP 5664385A JP 5664385 A JP5664385 A JP 5664385A JP S61213741 A JPS61213741 A JP S61213741A
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- JP
- Japan
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- cable
- pressure
- diaphragm
- air
- strain gauge
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、流体等の圧力を検出する圧力検出装置に係シ
、特に微圧のゲージ圧を測定する際に使用する圧力検出
装置に関する。
、特に微圧のゲージ圧を測定する際に使用する圧力検出
装置に関する。
圧力検出装置は、通例大気圧との差（圧力計は大気圧以
上の、真空計はそれ以下の）を示すようになっている。
上の、真空計はそれ以下の）を示すようになっている。
このように大気圧を基準とした圧力の大きさをゲージ圧
といい、微圧のゲージ圧の検出には、その圧力測定時の
大気圧を基準にしないと正確な圧力測定が不可能である
。この場合、起歪部を構成するダイヤフラムの受圧面の
裏側における背圧を大気圧と導通させることが必要とな
る。この為、従来はダイヤフラムを収納している筐体の
一部に大気導入用孔を穿設し、この大気導入用孔からダ
イヤフラムに大気を導入していた。
といい、微圧のゲージ圧の検出には、その圧力測定時の
大気圧を基準にしないと正確な圧力測定が不可能である
。この場合、起歪部を構成するダイヤフラムの受圧面の
裏側における背圧を大気圧と導通させることが必要とな
る。この為、従来はダイヤフラムを収納している筐体の
一部に大気導入用孔を穿設し、この大気導入用孔からダ
イヤフラムに大気を導入していた。
〔発明が解決しようとするＩＩ’（’Ｉ題点〕しかしな
がら、従来の圧力検出装置においては、前記大気導入用
孔から塵埃や湿気が入シ込み歪ゲージと直接接触するた
め、歪ゲージそのものの抵抗直が経時的に変化して正確
な圧力測定が行えなかったり、塵埃そのものによって歪
ゲージが損傷したりする場合があった。また塵埃や湿気
によって歪ゲージから電流がリークするおそれもあり、
水分や湿気により歪ゲージが腐食する等の種々の欠点が
めった。
がら、従来の圧力検出装置においては、前記大気導入用
孔から塵埃や湿気が入シ込み歪ゲージと直接接触するた
め、歪ゲージそのものの抵抗直が経時的に変化して正確
な圧力測定が行えなかったり、塵埃そのものによって歪
ゲージが損傷したりする場合があった。また塵埃や湿気
によって歪ゲージから電流がリークするおそれもあり、
水分や湿気により歪ゲージが腐食する等の種々の欠点が
めった。
さらに、斯かる圧力検出装置を液面計として利用する場
合には、チューブ等により大気迄引っばり出さなくては
ならず、極めて繁雑であった。
合には、チューブ等により大気迄引っばり出さなくては
ならず、極めて繁雑であった。
本発明は、上記事情に鑑みて創案されたもので、その目
的とする処は、外気の塵埃や湿気等の影響を受けにくく
、簡易に背圧を大気と導通させることができる圧力検出
装置を提供することにある。
的とする処は、外気の塵埃や湿気等の影響を受けにくく
、簡易に背圧を大気と導通させることができる圧力検出
装置を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、起歪部を構成する
ダイヤフラムの受圧面の反対側の面に歪ゲージを形成し
、この歪ゲージに接続された信号用ケーブル内に細管を
挿入し、この細管にょシ前記歪ゲージ形成面に大気を導
入するようＫしたものである。
ダイヤフラムの受圧面の反対側の面に歪ゲージを形成し
、この歪ゲージに接続された信号用ケーブル内に細管を
挿入し、この細管にょシ前記歪ゲージ形成面に大気を導
入するようＫしたものである。
本発明は上記の手段により、ケーブル内に通気用細管を
挿入したことにより構造が簡琳になり、圧力検出部と大
気圧部分とがケーブルの長さだけ離れているため、外気
の塵埃や湿気等の影響を受けにくく、液面計に利用する
場合も特別な手段を講じなくても良い。
挿入したことにより構造が簡琳になり、圧力検出部と大
気圧部分とがケーブルの長さだけ離れているため、外気
の塵埃や湿気等の影響を受けにくく、液面計に利用する
場合も特別な手段を講じなくても良い。
以下、第１図乃至第３図に図示した実施列に基づいて本
発明の詳細な説明する。
発明の詳細な説明する。
第１図において、符号１はステンレス族のダイヤフラム
であり、このダイヤフラム１は中央下面に凹部を形成す
ることにより薄板部を形成し、この薄板部によって起歪
部１ａを構成している。このダイヤフラム１の上面には
絶縁膜として機能する酸化圭素（８１０り薄膜２が形成
されている。
であり、このダイヤフラム１は中央下面に凹部を形成す
ることにより薄板部を形成し、この薄板部によって起歪
部１ａを構成している。このダイヤフラム１の上面には
絶縁膜として機能する酸化圭素（８１０り薄膜２が形成
されている。
斯かる酸化圭素薄膜２の形成にはプラズマＣＶＤ （（
！ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法が採用されており、以下にプラズマＯＶＤ法を遂
行するためのプラズマ０ＶＤ装置について説明する。
！ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法が採用されており、以下にプラズマＯＶＤ法を遂
行するためのプラズマ０ＶＤ装置について説明する。
プラズマ０ＶＤ装置は、誘導結合方式および容量結合方
式のものがある（詳しくは、菅野卓雄編著「半導体プロ
セス技術」産業図番）、。
式のものがある（詳しくは、菅野卓雄編著「半導体プロ
セス技術」産業図番）、。
ここでは、平行平板型の容量結合型プラズマＣｖｎ装置
を使用した場合について説明する。
を使用した場合について説明する。
第３図は、容量結合型プラズマ０ＶＤ装置Ｉの一実施例
であり、反応室３１内には丸型の基板電極３２と高周波
電極部が対向して配設されている。前記反応室３１の外
側部近傍には、真空ポンプ（図示せず）に連通するため
の連通格調、３４が形成されていて、前記真空ポンプに
より反応室３１内が排気され該うになっ、いる。
であり、反応室３１内には丸型の基板電極３２と高周波
電極部が対向して配設されている。前記反応室３１の外
側部近傍には、真空ポンプ（図示せず）に連通するため
の連通格調、３４が形成されていて、前記真空ポンプに
より反応室３１内が排気され該うになっ、いる。
一方、前記基板電極３２の中央部にはガス導入路あが形
成されておシ、このガス導入路あが三方に分岐されてい
て、左端の分岐路は開閉弁ＳＶ、を介して水素化ケイ素
ガス（８１Ｈ４）供給源％に連通され、中間の分岐路は
開閉弁ＳＶ、を介して一酸化二窒素ガス（Ｎ、Ｏ）供給
源３７に連通され、そして右端の分岐路は開閉弁ＢＶ、
を介して水素化ホウ素ガス（Ｂ□Ｈａ）供給源側に連通
されている。
成されておシ、このガス導入路あが三方に分岐されてい
て、左端の分岐路は開閉弁ＳＶ、を介して水素化ケイ素
ガス（８１Ｈ４）供給源％に連通され、中間の分岐路は
開閉弁ＳＶ、を介して一酸化二窒素ガス（Ｎ、Ｏ）供給
源３７に連通され、そして右端の分岐路は開閉弁ＢＶ、
を介して水素化ホウ素ガス（Ｂ□Ｈａ）供給源側に連通
されている。
また、前記基板電極３２は磁気回転機ｗｔ３９により回
転可能に構成されており、そしてこの基板電極３２の下
方にはヒータ４０が配設されていて、このヒータ４０に
より反応室３１内の基板電極３２の温２９ントＣ−ルさ
れるようになっている。
転可能に構成されており、そしてこの基板電極３２の下
方にはヒータ４０が配設されていて、このヒータ４０に
より反応室３１内の基板電極３２の温２９ントＣ−ルさ
れるようになっている。
次に、上記プラズマ０ＶＤ装置によりダイヤフラム１の
上面に酸化圭素薄膜２を析出させる方法について説明す
る。
上面に酸化圭素薄膜２を析出させる方法について説明す
る。
まず、表面を研摩洗浄等の表面処理をしたダイヤフラム
１を反応室３１内の基板電極３２上に配置し、反応室３
１内の空気を前記真空ポンプにより排気する。そして開
Ｍ弁ａｖ、ｂよびＢＶ、を開放し、水素化ケイ素ガス供
給源３６よｆｉｓｉＨ，ガス（Ｎｔ９０チ希釈）を、−
酸化二窒素ガス供給源３７よ、シＮ、Ｏガスをガス導入
路あから反応室３１内に導入する。このときＮ、Ｏガス
とＢ ｉ Ｉ（４ガスからなる反応ガスの混合比は１０
：１である。またＢＩＨ，’Ｊｉスと４０ガスの流量は
ニードルパルプで微調整されて、たとえば反応ガスの総
流量は１４０５００Ｍ （２０Ｃ１気圧での１分間あた
りの７）で調整した。そしてこの反応ガスに基板電極３
２と高周波電極あとにより高周波電界を印加し、その電
気的エネルギを利用して反応ガスを活性化し、この第１
プラズマ雰囲気下で気体状物質を反応させてダイギフラ
ム１の上面に酸化走電薄膜２を析出させる。このとき基
板電極３２の下方に配設されたヒータ４０によりダイヤ
フラム１は加熱されるが、ダイヤフラム１の温度は約２
５０〜５００Ｃの範囲の一定温度に保之れている。また
反応室３１内の圧力は１０Ｐａ （パスカル）に保た
れている。気体分子の平均自由行程は絶対圧力に反比列
するので、常圧における時よシも低圧の時の方が平均自
由行程が大きいため、形成される酸化走電薄膜の均一性
が良い。一方、１Ｏ−３Ｐａ以下の超低圧では平均自由
行程が大きくなシ過ぎ、気体分子のまわシ込みが悪くな
り、凹凸面への膜の形成が出来にくくなる。したがって
反応室３１内の圧力は１０２Ｐ ａ〜１０Ｐａの範囲内
にあることが望ましいが、プラズマＯＶＤ法は１０Ｐａ
〜１Ｏ−３Ｐａの範囲で行われるので凹凸面にも均一で
まわり込みの良い酸化走電薄膜を形成することができる
。なお、ここでは前記したように１ＱＰａの圧力で行な
った。
１を反応室３１内の基板電極３２上に配置し、反応室３
１内の空気を前記真空ポンプにより排気する。そして開
Ｍ弁ａｖ、ｂよびＢＶ、を開放し、水素化ケイ素ガス供
給源３６よｆｉｓｉＨ，ガス（Ｎｔ９０チ希釈）を、−
酸化二窒素ガス供給源３７よ、シＮ、Ｏガスをガス導入
路あから反応室３１内に導入する。このときＮ、Ｏガス
とＢ ｉ Ｉ（４ガスからなる反応ガスの混合比は１０
：１である。またＢＩＨ，’Ｊｉスと４０ガスの流量は
ニードルパルプで微調整されて、たとえば反応ガスの総
流量は１４０５００Ｍ （２０Ｃ１気圧での１分間あた
りの７）で調整した。そしてこの反応ガスに基板電極３
２と高周波電極あとにより高周波電界を印加し、その電
気的エネルギを利用して反応ガスを活性化し、この第１
プラズマ雰囲気下で気体状物質を反応させてダイギフラ
ム１の上面に酸化走電薄膜２を析出させる。このとき基
板電極３２の下方に配設されたヒータ４０によりダイヤ
フラム１は加熱されるが、ダイヤフラム１の温度は約２
５０〜５００Ｃの範囲の一定温度に保之れている。また
反応室３１内の圧力は１０Ｐａ （パスカル）に保た
れている。気体分子の平均自由行程は絶対圧力に反比列
するので、常圧における時よシも低圧の時の方が平均自
由行程が大きいため、形成される酸化走電薄膜の均一性
が良い。一方、１Ｏ−３Ｐａ以下の超低圧では平均自由
行程が大きくなシ過ぎ、気体分子のまわシ込みが悪くな
り、凹凸面への膜の形成が出来にくくなる。したがって
反応室３１内の圧力は１０２Ｐ ａ〜１０Ｐａの範囲内
にあることが望ましいが、プラズマＯＶＤ法は１０Ｐａ
〜１Ｏ−３Ｐａの範囲で行われるので凹凸面にも均一で
まわり込みの良い酸化走電薄膜を形成することができる
。なお、ここでは前記したように１ＱＰａの圧力で行な
った。
そして基板電極３２と高周波電極お間のＦｔ、 Ｆ、電
力は７０蔦印加し所定時間保持し酸化走電薄膜２をダイ
ヤフラム１上に所定厚さ堆積させた。
力は７０蔦印加し所定時間保持し酸化走電薄膜２をダイ
ヤフラム１上に所定厚さ堆積させた。
このあと、反応室３１内を前記真空ポンプで排気し、絶
Ｗ＆膜形成時のガスを一掃して残留しないようにした後
、ダイヤフラム１を約４００〜６５０Ｃの範囲の一定温
度に加熱するとともに、開閉弁ｅＶ。
Ｗ＆膜形成時のガスを一掃して残留しないようにした後
、ダイヤフラム１を約４００〜６５０Ｃの範囲の一定温
度に加熱するとともに、開閉弁ｅＶ。
およびｓｖ、を開放し、８１Ｈ，ガス（Ｎ、９０％希釈
）とＢ、Ｈ，ガス（１５００ｐｐｍ、Ｈ，希釈）とを反
応室３１内に導入する。このとき８１Ｈ，ガスとＢ、１
’！、ガスからなる反応ガスの混合比はｔｏｏ ： ０
．０１〜１００：２の範囲内のものを選定し、反応室３
１内の圧力は前述と同様に適当なものを選足し、所定時
間保持する。
）とＢ、Ｈ，ガス（１５００ｐｐｍ、Ｈ，希釈）とを反
応室３１内に導入する。このとき８１Ｈ，ガスとＢ、１
’！、ガスからなる反応ガスの混合比はｔｏｏ ： ０
．０１〜１００：２の範囲内のものを選定し、反応室３
１内の圧力は前述と同様に適当なものを選足し、所定時
間保持する。
この第２プラズマ雰囲気下で気体状物質を反応させてダ
イヤフラム１の酸化走電薄膜２上にホウ素化走電（８１
Ｂ ）からなるシリコン薄膜を形成する。
イヤフラム１の酸化走電薄膜２上にホウ素化走電（８１
Ｂ ）からなるシリコン薄膜を形成する。
そして、前記シリコン薄膜にホトエツチングを施し、部
分層にシリコン薄膜を残してその他の部分を除去せしめ
、残されたシリコン薄膜により歪ゲージ３を形成し、こ
の歪ゲージ３に金などの金喝を蒸着して電極を形成する
。
分層にシリコン薄膜を残してその他の部分を除去せしめ
、残されたシリコン薄膜により歪ゲージ３を形成し、こ
の歪ゲージ３に金などの金喝を蒸着して電極を形成する
。
以上述べた実施例において、プラズマＯＶＤ法のパラメ
ータ（例えば金属製起歪部の加熱温度、ガスの成分およ
び濃度、反応容器の形状、ガス流量、容器内の圧力、処
理時間等）は絶縁膜と歪ゲージの特性、用途、形状等に
応じて適宜変更できる。
ータ（例えば金属製起歪部の加熱温度、ガスの成分およ
び濃度、反応容器の形状、ガス流量、容器内の圧力、処
理時間等）は絶縁膜と歪ゲージの特性、用途、形状等に
応じて適宜変更できる。
上記のようにプラズマｃｖ’ｎ法によりリコン薄膜２お
よび歪ゲージ３を形成したダイヤフラム１上に善本状の
シールキャップ４が装着されている。
よび歪ゲージ３を形成したダイヤフラム１上に善本状の
シールキャップ４が装着されている。
前記シールキャップ４はファインセラミック材からなっ
ておシ、比較的薄い板厚の円柱状のものでるり、その下
部には前記歪ゲージ３を収納するためのケーシング５が
形成され、このケーシング５の外周ＩＪ、ｊ５にボンデ
ィング用貫通孔６が複数個穿設されている。
ておシ、比較的薄い板厚の円柱状のものでるり、その下
部には前記歪ゲージ３を収納するためのケーシング５が
形成され、このケーシング５の外周ＩＪ、ｊ５にボンデ
ィング用貫通孔６が複数個穿設されている。
オた前記シールキャップ４の上面には、外部と電気的接
続を行うための複数個の接続用パッド（図示せず）が添
着されておυ、この接続用パッドと歪ゲージ３用の電極
とがボンディングワイヤ７によって接続されている。
続を行うための複数個の接続用パッド（図示せず）が添
着されておυ、この接続用パッドと歪ゲージ３用の電極
とがボンディングワイヤ７によって接続されている。
一方、前記接続パッドに電気的に接続される信号用ケー
ブル８は、第２図にその断面図が図示されておシ、外被
９内にシールド線１０が配置され、このシールド＋１！
１０内に４本の被覆電線１１が配電され、さらにこれら
の被覆電線１１の中心に通気／＜イブ１２が配置されて
いる。
ブル８は、第２図にその断面図が図示されておシ、外被
９内にシールド線１０が配置され、このシールド＋１！
１０内に４本の被覆電線１１が配電され、さらにこれら
の被覆電線１１の中心に通気／＜イブ１２が配置されて
いる。
前記通気パイプ１２は、ケーブル８の配線作業の障害と
ならないように曲がり易い可撓性材料が使用されており
、たとえばプラスチック等の合成樹脂材が用いられてい
る。上記のように構成したケーブル８の被覆電線１１を
第１図に図示するように前記接続パッドに接続し、通気
パイプ１２をシールキャップ４の貫通孔からケーシング
５内に挿入す接続部等を密封するとともにケーブル８を
固定する。なお、符号１４は外筒であり、ダイヤフラム
１の大径部上に固着されてける。
ならないように曲がり易い可撓性材料が使用されており
、たとえばプラスチック等の合成樹脂材が用いられてい
る。上記のように構成したケーブル８の被覆電線１１を
第１図に図示するように前記接続パッドに接続し、通気
パイプ１２をシールキャップ４の貫通孔からケーシング
５内に挿入す接続部等を密封するとともにケーブル８を
固定する。なお、符号１４は外筒であり、ダイヤフラム
１の大径部上に固着されてける。
以上のように構成した圧力検出装置を、ダイヤフラム１
の受圧面（起歪部１ａの下面）が測定体に直接接触する
ように取り付け、信号用ケーブル８を測定装置（歪ゲー
ジ３からの信号を処理する装置であり図示していない）
まで延長して配線し、この測定装置が設置されている清
浄な環境の室内に前記信号用ケーブルＢ内の通気バイブ
ロ開放端を開放する。かくして、前記通気パイプコチ開
放端より清浄な空気がケーシング５内に導入され、ダイ
ヤフラム１の背圧を大気と導通させることができる。
の受圧面（起歪部１ａの下面）が測定体に直接接触する
ように取り付け、信号用ケーブル８を測定装置（歪ゲー
ジ３からの信号を処理する装置であり図示していない）
まで延長して配線し、この測定装置が設置されている清
浄な環境の室内に前記信号用ケーブルＢ内の通気バイブ
ロ開放端を開放する。かくして、前記通気パイプコチ開
放端より清浄な空気がケーシング５内に導入され、ダイ
ヤフラム１の背圧を大気と導通させることができる。
以上、実施列の説明から明らかなように、本発明に係る
圧力検出装置は、ケーブル内に通気パイプを挿入し九こ
とにより構造が簡易になシ、ダイヤフラムからなる圧力
検出部と大気圧部分とがケーブルの長さだけ離れている
ため、外気の塵埃や水分および湿気等の影響を受けにく
く、外部環境に基づく種々の不都合を除去できる。した
がって、この圧力検出装置によれば、長時間正確な圧力
測定が行えるとともに、歪ゲージの劣化を防ぐことがで
きる。
圧力検出装置は、ケーブル内に通気パイプを挿入し九こ
とにより構造が簡易になシ、ダイヤフラムからなる圧力
検出部と大気圧部分とがケーブルの長さだけ離れている
ため、外気の塵埃や水分および湿気等の影響を受けにく
く、外部環境に基づく種々の不都合を除去できる。した
がって、この圧力検出装置によれば、長時間正確な圧力
測定が行えるとともに、歪ゲージの劣化を防ぐことがで
きる。
また本発明に係る圧力検出装置を液面計に応用する場合
には、チューブ等によってダイヤフラムの背圧を大気と
導通させる等の特別な手段を講じる必要がない。
には、チューブ等によってダイヤフラムの背圧を大気と
導通させる等の特別な手段を講じる必要がない。
第１図は本発明に係る圧力検出装置の断面図、第２図は
その構成部品であるケーブルの断面図、第３図は本発明
に係る圧力検出装置の製造装置である容量結合型プラズ
マＣＶＤ装置の漿略図である。 １・・・ダイヤフラム、２・・・酸化走電薄膜、３・・
・歪ゲージ、４・・・シールキャンプ、５・・・ケーシ
ング、８・・・信号用ケーブル、９・・・外被、１０・
・・シールド線、１１・・・被覆電線、１２・・・通気
パイプ。 出願人代理人 猪 股 清 第１目 第２図 第３図
その構成部品であるケーブルの断面図、第３図は本発明
に係る圧力検出装置の製造装置である容量結合型プラズ
マＣＶＤ装置の漿略図である。 １・・・ダイヤフラム、２・・・酸化走電薄膜、３・・
・歪ゲージ、４・・・シールキャンプ、５・・・ケーシ
ング、８・・・信号用ケーブル、９・・・外被、１０・
・・シールド線、１１・・・被覆電線、１２・・・通気
パイプ。 出願人代理人 猪 股 清 第１目 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、起歪部を構成するダイヤフラムの受圧面の反対側の
面に歪ゲージを形成し、この歪ゲージに接続された信号
用ケーブル内に細管を挿入し、この細管により前記歪ゲ
ージ形成面に大気を導入するようにしたことを特徴とす
る圧力検出装置。 ２、前記細管は、可撓性部材からなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の圧力検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664385A JPS61213741A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 圧力検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5664385A JPS61213741A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 圧力検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61213741A true JPS61213741A (ja) | 1986-09-22 |
| JPH0585855B2 JPH0585855B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=13033020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5664385A Granted JPS61213741A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 圧力検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61213741A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269034A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Omron Tateisi Electronics Co | ゲ−ジ圧検出用圧力センサ |
| WO1989003592A1 (en) * | 1987-10-07 | 1989-04-20 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Semiconducteur thin-film pressure sensor and method of producing the same |
| US5191798A (en) * | 1988-09-30 | 1993-03-09 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Pressure sensor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54137378U (ja) * | 1978-03-17 | 1979-09-22 | ||
| JPS56155341U (ja) * | 1980-04-22 | 1981-11-19 |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP5664385A patent/JPS61213741A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54137378U (ja) * | 1978-03-17 | 1979-09-22 | ||
| JPS56155341U (ja) * | 1980-04-22 | 1981-11-19 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61269034A (ja) * | 1985-05-23 | 1986-11-28 | Omron Tateisi Electronics Co | ゲ−ジ圧検出用圧力センサ |
| WO1989003592A1 (en) * | 1987-10-07 | 1989-04-20 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Semiconducteur thin-film pressure sensor and method of producing the same |
| US5191798A (en) * | 1988-09-30 | 1993-03-09 | Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho | Pressure sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585855B2 (ja) | 1993-12-09 |
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