JPS61213723A - 物理量検出回路 - Google Patents

物理量検出回路

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JPS61213723A
JPS61213723A JP60054642A JP5464285A JPS61213723A JP S61213723 A JPS61213723 A JP S61213723A JP 60054642 A JP60054642 A JP 60054642A JP 5464285 A JP5464285 A JP 5464285A JP S61213723 A JPS61213723 A JP S61213723A
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offset voltage
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voltage
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  • Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
  • Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、機械的ひずみ等の物理量の変化に応じた抵抗
値変化を示す検知素子を含むブリッジ回路を備えた物理
量検出回路に関する。
〔従来技術とその問題点〕
従来、この種の物理量検出回路として、ストレイン・ゲ
ージを用いた圧力変換器がよく知られている。該圧力変
換器では、ゲージ抵抗を用いてホイートストーンブリッ
ジ回路(以後単にブリフジ回路と略称する)を構成し、
印加圧力に応答して生じる該ゲージ抵抗の抵抗値変化を
、該ブリッジ回路を定電圧源あるいは定電流源で励起す
ることによって該ブリッジ回路の不平衡電圧として検出
し、該不平衡電圧をさらに増幅して圧力に比例した出力
信号を取り出していた。第3図はその回路構成例である
。図において、100はゲージ抵抗1〜4から成るブリ
ッジ回路、5.6は該ブリッジ回路に定電圧あるいは定
貫流を印加するための励起端子、7.8は該ブリッジ回
路の不平衡電圧検出端子をそれぞれ示す。ゲージ抵抗1
〜4としては例えば半導体ダイアフラム上に選択拡散等
により形成された拡散抵抗が用いられ、ゲージ抵抗1゜
3とゲージ抵抗2,4はそれぞれ印加圧力に対し互いに
逆方向の抵抗値変化を示すよう、その長手及び横手方向
の結晶軸が選択されて配列されている。この結果、印加
圧力に対して例えばゲージ抵抗1,3の抵抗値が増大す
ると、ゲージ抵抗2゜4の抵抗値は逆に減少し、この結
果、ブリッジ回路100の検出端子7,8間には印加圧
力に比例した不平衡電圧ΔEが得られる。次に該不平衡
電圧ΔEは電圧増幅回路200によって増幅、シングル
エンド化される。該電圧増幅回路200としては、例え
ば図に示したような3個の演算増幅器9.10゜11と
抵抗12.13.14.15.16.17.18から成
る周知の差動増幅回路が用いられ、不平衡電圧ΔEは増
幅、インピーダンス変換されたシングルエンド出力■。
とじて該圧力変換器の出力端子19に取り出される。
しかしながら、上記検出回路に用いられる差動増幅回路 (1)計3個の演算増幅器を必要とするので、回路規模
及び消費電力が大きくなる (2)多数の抵抗を必要とする上、各抵抗間の抵抗値及
び温度計数には厳密なマツチングが要求されるので、回
路の調整が煩雑となり、組立・検査に多大な時間と労力
を要する (3)  (2)と同一の理由により、モノリシックI
C化による量産化が困難で、製造コストが高価になる 等の問題があり、これらが、圧力変換器の小型化、低消
費電力化、モノリシックIC化による低価格化を妨げる
要因となっていた。
すなわち、圧力変換器を小型化、低消費電力化、低価格
化するためには、1個の演算増幅器で構成できて、しか
も高入力抵抗、高同相除去比(CMRR)等のブリッジ
回路側からの性能要求を満足する差動増幅回路のブリッ
ジ回路との一体化が不可欠である。
1個の演算増幅器で構成される差動増幅回路として、従
来、第4図に示すような演算増幅器30と4個の抵抗3
1,32.33.34から成る回路がよく知られている
。図において、35及び36は差動入力端子、37は出
力端子であり、抵抗32.、31の抵抗比(R32/R
31)と抵抗34.33の抵抗比(R34/R33)を
等しく選ぶことにより、出力端子37には端子36゜3
5間の差電圧が(R32/R31)倍された出力電圧が
得られる。
しかしながら、上記構成の差動増幅回路をブリッジ回路
と一体化した場合 (1)入力抵抗が高くとれない(ブリッジ回路から見た
負荷が大きい) (2)抵抗32.31の抵抗比と抵抗34.33の抵抗
比との間にアンバランスがあると、差動入力に対するゲ
インにアンバランスが生じるばかりでなく、回路の同相
除去比(CNRR)が著しく劣化する などの欠点があり、第3図に示した回路と同程度の性能
を得ることは非常に困難であった。
第3図に示した回路構成はバイポーラ技術による集積化
を前提としている。しかしながら、集積化変換器の目標
は多機能化、インテリジェント化にあり、これらの目標
を実現する集積回路技術としては、バイポーラ技術より
もMIS技術の方が優れている。すなわち、将来の集積
化変換器には、半導体検知素子と同一基板上に、単に増
幅機能のみでなく、マルチプレックス機能、チップ内で
の演算処理機能、コンピュータとのディジタルインター
フェースを可能にするA/D変換及びディジタル信号処
理機能等を搭載することが要求される。
これらの要求には、アナログ・スイッチ、A/D −D
/A変換、マイクロプロセッサ、ROM。
RAM等を含むアナログ・ディジタル混載回路の分野で
実績があり、バイポーラ技術に比べ低消費電力と大規模
集積化が可能なMIS集積回路技術の方が適している。
以上を背景として、−例を第5図に示すようなMIS集
積化に適した物理量検出回路(特願昭58−18110
1 ’)が考えられた。
図において、100は第3図と全く同一の構成要素から
成るブリッジ回路、300は演算増幅器40と、それぞ
れC1及びC2なる容量値をもつコンデンサ41及び4
2と、それぞれ周期的に開閉(OFF−CN)を繰り返
すスイッチ43.44.45.46及び47とで構成さ
れる差動増幅回路である。
この回路は、以下の動作手順を周期的に繰り返す。
(1)スイッチ43と44を閉じることによりコンデン
サ41をブリッジ回路100の検出端子7,8間に得ら
れる不平衡電圧ΔEに充電する。同時にスイッチ47を
閉じ、コンデンサ42の電荷をリセットする。
(2)  スイッチ43及び44を開き、コンデンサ4
1にブリッジ回路の不平衡電圧ΔEに比例した電荷を蓄
積保持する。同時にスイッチ47を開く。
(3)スイッチ45及び46を閉じることによりコンデ
ンサ41に蓄積されていた電荷をコンデンサ42に転送
する。演算増幅器40の人力換算オフセット電圧を無視
すると、このとき出力端子48に得られる出力電圧VO
Utは次式で与えられる。
Vout = (C+ / C2) ・ΔE(4〕  
スイッチ45及び46を開き、出力電圧を保持する。
すなわち、この回路では、ブリッジ回路100の出力電
圧ΔEに比例した電荷量をコンデンサ41に蓄積し、こ
の蓄積電荷を予めリセットされたコンデンサ42に転送
することによりコンデンサ41と42の容量比(CI/
 C2)で決まる増幅度を得ている。
この場合、コンデンサ41のリークを無視すれば、差動
増幅回路300の人力抵抗は事実上無限大となり、ブリ
ッジ回路の負荷を極めて小さくすることができる。また
、ブリッジ回路の不平衡電圧に比例した電荷をコンデン
サ41に蓄積する過程でのCMRRは原理上無限大であ
るので非常に高CMRRの差動増幅が可能である。第3
図及び第4図に示した検出回路の演算増幅器が抵抗を駆
動するための定常的な電流の駆動能力を必要としたのに
対し、第5図に示した検出回路の演算増幅器はコンデン
サを充放電するための過渡的な電流駆動能力しか必要と
しないので、大幅な低消費電力化が図れる。また、この
検出回路に使用されるスイッチは例えばMISFETス
イッチ、コンデンサは例えばMISゲート電極−反転層
間容量あるいは二層電極間容量を用いることにより、M
IS集積回路技術で容易に実現可能であり、これとMI
S演算増幅器、半導体検知素子をオンチップ一体化する
ことによりMIS集積化された物理量検出回路が構成可
能である。以上のように、第5図に示した検出回路は高
入力抵抗、高CMRRでMIS集積化による小型・低消
費電力・低価格化に極めて好都合である。しかしながら
上記回路には、何らかの手段で演算増幅器の入力換算の
オフセット電圧の影響を補償しなければならないという
問題があった。
すなわち、第5図に示した検出回路において、演算増幅
器40の人力換算オフセット電圧をVosとすると、こ
のVosも増幅され、前述の出力電圧V。
utは次式のように変更される。
Vout = (C+ / C2)  ・ΔE+(1+
c+/ C2) Josしたがって、ブリッジ回路10
0の不平衡電圧ΔEにのみ比例した出力電圧(上式右辺
の第1項)を得るには、何らかの調整手段を用いて出力
電圧から上式右辺の第2項に相当する電圧を差し引かな
ければならない。これは、例えば、演算増幅器40の非
反転側入力端子に人力換算オフセット電圧Vosと等し
い電圧を供給することにより達成されるが、これによる
ICとしてのピン数の増大ならびに外付部品数の増大及
び組立・調整工数の増大は低価格化の大きな支障となる
オフセット調整が必要な点は、第3図及び第4図に示し
た従来例の場合も同様であり、これまで、調整なしに出
力オフセット電圧を補償することのできる物理量検出回
路はなかった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記圧力変換器等の物理量検出回路の
従来の問題点を解消するためになされたもので、演算増
幅器の人力換算オフセット電圧を自動的に補償し出力に
おけるその影響を排除する手段を備え、MIS集積化に
適した小型・低消費電力で低価格の物理量検出回路を提
供することにある。
〔発明の構成〕
本発明に係る物理量検出回路は、少なくとも一辺に検知
対象の変化に応じて抵抗値変化を示す検知素子を含むブ
リッジ回路と、非反転入力端子が基準電圧端子に接続さ
れた演算増幅器と、一端子がこの演算増幅器の反転入力
端子に共通接続されるとともに他端子が周期的なスイッ
チの開閉動作により前記ブリッジ回路のそれぞれ対応す
る不平衡電圧検出端子と前記基準電圧端子とに交互に接
続される第1及び第2のコンデンサと、前記演算増幅器
の反転入力端子と出力端子の間に接続され並列に設けら
れたスイッチにより周期的に放電される第3のコンデン
サとを含むことを特徴としている。
〔実施例〕
以下に、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明を圧力変換器に適用した場合について
の一実施例を示す回路図である。この図において、10
0は第3図及び第5図で説明した全く同一の構成要素か
ら成るブリッジ回路、400は演算増幅器50と、それ
ぞれC,、C,及びC3なる容量値をもつコンデンサ5
1.52及び53と、それぞれ周期的に開閉(OFF−
ON)を繰り返すスイッチ54.55.56.57及び
58とで構成される差動増幅回路である。
本実施例ではブリッジ回路100の不平衡電圧検出端子
7及び8がスイッチ54及び55を介してそれぞれ対応
するコンデンサ51及び52の一端子に導びかれている
。該コンデンサ51及び52の上記一端子は同時にスイ
ッチ56及び57を介して基準電圧端子をなすアース端
子に導びかれており、ほかの一端子は演算増幅器50の
反転入力端子に共通接続されている。該演算増幅器50
の非反転入力端子は基準電圧端子をなすアース端子に接
続されており、反転入力端子と出力端子59の間にコン
デンサ53が接続されている。該コンデンサ53には並
列に放電用スイッチ58が設けられている。
第2図は、第1図に示した回路におけるスイッチ54〜
58の開閉順序の一例を示すタイミング図である。第2
図において64.65.66、67、68はそれぞれ、
第1図におけるスイッチ54.55.56.57゜58
の開閉状態を示しており、実線区間がスイッチの閉じる
(ON)期間、破線区間がスイッチの開< (OFF)
期間をそれぞれ表わしている。第2図から明らかなよう
に、この実施例ではスイッチ54、 57.58 、ス
イッチ55.56がそれぞれ連動して同時に開閉する。
以下、第1図と第2図を参照しつつ、本実施例の動作を
説明する。まず、第2図の期間60で、スイッチ58が
閉じるので、演算増幅器50はユニティ・フィードバッ
ク接続となり、コンデンサ53の蓄積電荷はリセットさ
れる。いま、演算増幅器50の非反転入力端子はアース
端子に接続されているから、このとき、反転入力端子と
出力端子59にはともに該演算増幅器50の人力換算オ
フセット電圧Vosが現われる。この期間60にスイッ
チ54と57が閉じるので、ブリッジ回路100の一方
の検出端子7に得られる電圧を■1とすると、コンデン
サ51は(V、 −Vos) !、:、:+7f7f5
2は(−Vos) 1.:ソれぞれ充電される。したが
って、次の期間61でスイッチ54と57が開くと、コ
ンデンサ51及び52にはツレぞしc+ ・(V+  
Vos)及びC2・(−VO8)なる蓄積電荷が残留す
る。この期間61でスイッチ58も開くが、コンデンサ
53に蓄積電荷はないから出力端子59は依然Vosの
ままである。次に期間62となり、スイッチ55と56
が閉じると、コンデンサ51は演算増幅器50の反転入
力端子とアース端子間に、コンデンサ52は反転入力端
子とブリッジ回路100のもう一方の検出端子8間にそ
れぞれ接続されることになる。このとき、演算増幅器5
0は、過渡的には反転入力端子と非反転入力端子間の電
圧差を増幅し、その出力電圧でコンデンサ53を充電す
るように働き、最終的には、非反転入力端子と反転入力
端子の電圧差をVosにする。したがって、定常状態で
は演算増幅器50の反転入力端子の電圧はVosとなり
、ブリッジ回路100の検出端子8に得られる電圧を■
2とすると、コンデンサ51及び52の端子間電圧はそ
れぞれ(−Vos)及び(V2  VO3)となる。そ
れゆえ、期間60と期間62でのコンデンサ間での51
及び52の蓄積電荷の変化△Q1及び△Q2は △Q+=C+ ・(V+ −Vos)−C+ ・(−V
os)=CI・■1 △Q2=C2・(Vos)−C2・(V2  VOS)
−一02・■2 となり、これがすべてコンデンサ53に転送されるから
、期間62に演算増幅器50の出力端子59に得られる
出力電圧Voutは、次の電荷保存の式%式%) より次式で与えられ C,=C2とすると、以下のようになる。
” (CI/C2)  ・ΔE+Vos次に期間63で
スイッチ55及び56が開くと、各コンデンサは蓄積電
荷をそのま保持し、出力電圧Voutは保持される。
以上がこの実施例での動作の一周期であり、以後、同様
な動作が周期的に繰り返される。
以上説明したように、本実施例では、ブリッジ回路10
0の不平衡検出端子7及び8に得られる電圧■1及び■
2をそれぞれ交互に逆極性となるように異なるタイミン
グ(すなわち演算増幅器50がリセットされている期間
60と増幅を達成している期間62)でコンデンサ51
及び52に印加することにより差動増幅を達成している
。しかもコンデンサ51及び52への充電は入力換算オ
フセット電圧を差し引いた形で行なわれるので、コンデ
ンサ53には正確に信号成分に対応した電荷量のみが転
送され、従来例のように人力換算オフセット電圧が信号
成分に混入して増幅されることはない。すなわち本実施
例の出力オフセット電圧は増幅されない人力換算オフセ
ット電圧のみとなっており、通常これは調整なしで充分
許容し得る性質のものである。
したがって、本実施例によれば、第5図に示した検出回
路が有していた高入力抵抗・高CMRRの差動増幅、M
O3集積化による小型・低消費電力化の可能性等の特徴
を備えた上、出力オフセット電圧の調整が不要で組立調
整工数の極めて低減された低価格の圧力変換器が提供さ
れる。
なお上記実施例ではアース端子を基準電圧端子としたが
、他の電圧値を有する端子を基準電圧端子とすることも
できる。
また、検知素子として感圧ゲージ抵抗1〜4を用いた圧
力変換器の場合を例にこの発明を説明したが、この発明
は圧力変換器のみならず、温度センサをはじめ検知対象
の変化に応じて抵抗値変化を示す検知素子を用いてブリ
ッジ回路を構成する各種センサの検出回路に広く適用で
きる。
更に、ブリッジ回路100のすべての辺に検知素子を設
ける必要はなく、検知素子の個数は適宜に選択すること
ができる。
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように本発明によれば、−個の演
算増幅器と3個のコンデンサとこれらの各コンデンサに
所定の手順でブリッジ回路の検出端子に生じた不平衡電
圧を与えるように構成された複数のスイッチとによって
差動増幅回路を構成したため、モノリシッグIC化によ
る量産化に適し、小型、低消費電力、低価格の物理量検
出回路を実現することができる。また、出力オフセット
電圧は増幅されない人力換算オフセット電圧のみとなり
、これは通常許容され得るものであるので出力オフセッ
ト電圧の調整が不要となり、組立調整工数を極めて低減
することができる。更に、本発明はMIS集積回路技術
との共合性に優れてふり、同技術によるA/DXD/A
変換器、マイクロプロセンサ等の一体化が可能であるの
で、機能 “拡張性に富んだ物理量検出回路が実現され
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す回路図、第2図は第1
図で示された回路中のスイッチの開閉(OFF−ON)
動作順序を示したタイミング図、 第3図は従来の物理量検出回路の回路図、第4図は従来
の差動増幅回路の別実施例の回路図、 第5図はMIS集積化が可能な従来の物理量検出回路の
回路図である。 1.2,3.4   ・・川・検知素子としてのゲージ
抵抗

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも一辺に検知対象の変化に応じて抵抗値
    変化を示す検知素子を含むブリッジ回路と、非反転入力
    端子が基準電圧端子に接続された演算増幅器と、一端子
    がこの演算増幅器の反転入力端子に共通接続されるとと
    もに他端子が周期的なスイッチの開閉動作により前記ブ
    リッジ回路のそれぞれ対応する不平衡電圧検出端子と前
    記基準電圧端子とに交互に接続される第1及び第2のコ
    ンデンサと、前記演算増幅器の反転入力端子と出力端子
    の間に接続され並列に設けられたスイッチにより周期的
    に放電される第3のコンデンサとを含むことを特徴とす
    る物理量検出回路。
JP60054642A 1985-03-20 1985-03-20 物理量検出回路 Granted JPS61213723A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222809A (ja) * 1988-10-28 1990-09-05 Motorola Inc センサ装置及びそのセンサ信号の処理方法
JP2001208625A (ja) * 1999-12-20 2001-08-03 Texas Instr Inc <Ti> 状態応答センサのレンジ内故障検出方法及び装置
JP2006053009A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Saginomiya Seisakusho Inc 圧力スイッチ
JP2008145180A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路
JP2008232735A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路
JP2009063511A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路
JP2009174961A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02222809A (ja) * 1988-10-28 1990-09-05 Motorola Inc センサ装置及びそのセンサ信号の処理方法
JP2001208625A (ja) * 1999-12-20 2001-08-03 Texas Instr Inc <Ti> 状態応答センサのレンジ内故障検出方法及び装置
JP2006053009A (ja) * 2004-08-11 2006-02-23 Saginomiya Seisakusho Inc 圧力スイッチ
JP2008145180A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路
JP2008232735A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路
JP2009063511A (ja) * 2007-09-07 2009-03-26 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路
JP2009174961A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Sanyo Electric Co Ltd 電池電圧検出回路

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