JPS61206274A - 半導体発光装置の光学測定回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分野］ この発明は、半導体発光装置、特に複数の半導体発光素
子が直線状に配列された密着型センサ用光源の光学的特
性を測定する半導体発光装置の光学測定回路に関する。

［発明の技術的背景］ ファクシミリや複写機等の密着型センサ用光源として用
いられる半導体発光装置は、複数の半導体発光素子（以
下、ＬＥＤと称する）が直線状に配列された構成となっ
ている。このような構成の半導体発光装置は比較的新し
い製品であるため、光学特性を測定する専用の測定装置
はまだ存在していない。従って、このような装置の光学
特性を測定する場合、従来では次のような方法で行なう
ことが考えられる。すなわち、第３図は従来の光学測定
方法を実施するための装置の構成図である。

１は複数のＬＥＤ　（図示せず）が直線状に配列され、
その光学特性が測定される密着センサ用光源である。２
はこの密着センサ用光源１の光出力を検出するための受
光素子であり、この受光素子２が密着センサ用光源１の
複数のＬＥＤ上を図中矢印の方向に機械的に移動操作さ
れことによって各ＬＥＤの光出力が検出され、電気信号
に変換される。受光素子２で変換された信号は演算増幅
回路３によりいったん増幅されてＸ−Ｙ記録装置４に供
給される。このＸ−Ｙ記録装置４では上記受光素子２で
変換された信号に基づき、例えば第４図に示すように照
度りの連続的な位置変化特性が記録される。そしてこの
特性曲線から上記密着センサ用光源１の平均照度および
照度ばらつき（照度ムラ）を計算によって求めるように
している。

［背景技術の問題点］ ところで、従来の方法では受光素子２を機械的に移動操
作することによって各ＬＥＤの光出力の検出を行なって
いる。このため測定に要する時間が長くなるという欠点
がある。ざらに平均照度および照度ばらつきを短時間で
測定するためには計算機等による演算処理機能が必要で
あり、これにより装置の規模が大きくなるという欠点が
ある。

［発明の目的］ この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
あり、その第１の目的は複数の半導体発光素子が直線状
に配列されている半導体発光装置の光学特性を測定する
専用の光学測定回路を提供することにあり、第２の目的
は光学特性の測定を短時間で行なうことができしかも装
置としての全体の外観形状を小形にできる半導体発光装
置の光学測定回路を提供することにある。

［発明の概要］ 上記目的を達成するためこの発明では、複数の発光素子
が直線状に配列された半導体発光装置の光学特性を測定
するために、上記発光素子配列に対応して直線状に配列
された複数の受光素子が設けられている変換手段により
上記半導体発光装置における光出力を電気信号に変換し
、出力手段により上記変換手段で変換された信号を時間
をずらして直列的に順次出力させ、分離手段により上記
出力手段の出力信号を直流成分と交流成分とに分離し、
平均照度判定手段で上記分離手段により分離された直流
成分から上記半導体発光装置の平均照度を判定し、さら
に照度ばらつき判定手段で上記分離手段により分離され
た交流成分から上記半導体発光装置の照度のばらつきを
判定するようにしている。

［発明の実施例］ 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。

第１図はこの発明に係る半導体発光装置の光学測定回路
の一実施例の構成を示す回路図である。図において１１
は前記第３図に示すような外観形状を有し、複数のＬＥ
Ｄ　（図示せず）が直線状に配列されその光学特性が測
定される密着センサ用光源である。この密着センサ用光
源１１のＬＥＤ配列上には、このＬＥＤ配列に対応して
複数の受光素子、例えばフォトトランジスタ（図示せず
）が直線状に配列された光検出回路１２が設けられてい
る。この光検出回路１２は上記密着センサ用光源１１の
光出力を電圧に変換する。この光検出回路１２の各受光
素子で変換された電圧は複数の演算増幅器からなる光増
幅回路１３でそれぞれ増幅された後、並列に選択回路１
４に供給される。この選択回路１４は上記光増幅回路１
３で増幅された電圧を、例えばシフトレジスタ等から構
成されているスキャンニング回路１５の制御の下に、時
間をずらせて直列的に順次出力制御するものであり、こ
のスキャンニング回路１５の動作はクロック発生回路１
６から出力されるクロック信号に基づいて行われている
。上記選択回路１４からの出力電圧は交流・直流分離回
路１７に供給される。この交流・直流分離回路１７は例
えば抵抗およびコンデンサ等からなる周知のものであり
、上記選択回路１４からの出力電圧を交流成分と直流成
分とに分離する。ここで分離された直流電圧は補正回路
１８を介して平均照度判定回路１９に供給される。この
平均照度判定回路１９にはざらに平均照度基準値発生回
路２０で発生される平均照度に対応した基準電圧が供給
されており、平均照度判定回路１９は両入力電圧の大小
を比較することによって前記密着センサ用光［１１の平
均照度の分類判定を行なう。ここで上記平均照度基準値
発生回路２０は例えば１０００ルツクスの照度が１Ｖの
電圧に対応するように基準電圧を発生する。

他方、交流・直流分離回路１７で分離された交流電圧は
、例えば周知のピークホールド回路等からなる交流・直
流変換回路２１に供給され、ここで交流電圧に対応した
値の直流電圧に変換される。ここで変換された直流電圧
は補正回路２２を介して照度ムラ判定回路２３に供給さ
れる。この照度ムラ判定回路２３にはざらに、上記交流
・直流分離回路１７で分離された直流電圧に基づき照度
ムラ基準値発生回路２４で発生される基準照度ムラに対
応する基準電圧が供給されており、上記照度ムラ判定回
路２３は両入力電圧の大小を比較することによって前記
密着センサ用光源１１の照度ムラ（照度ばらつき）の分
類判定を行なう。なお、上記照度ムラ基準値発生回路２
４は、例えば交流・直流分離回路１７で分離された直流
電圧を抵抗分割等の手段より一定比率で分割して基準照
度ムラに対応する基準電圧を発生する。また上記補正回
路１８および２２は、上記交流・直流分離回路１７およ
び交流・直流変換回路２１からの直流出力電圧が実際の
照度に対応した電圧となるように例えば抵抗分割等の手
段により分割することによって補正するものである。

第２図は上記構成でなる回路の各部分の信号波形を示す
波形図である。すなわち、第２図において、Ａは選択回
路１４の出力電圧、Ｂは交流・直流分離回路１７で分離
された直流電圧、Ｃは同じく交流・直流分離回路１７で
分離された交流電圧、Ｄは交流・直流変換回路２１で変
換された交流電圧である。次に上記実施例回路の動作を
この第２図の波形図を併用して説明する。まず、選択回
路１４はスキャンニング回路１５の制御の下に第２図の
Ａに示すような交流成分および直流成分を含む電圧を出
力する。なお、この電圧Ａにおいて、ｔの期間は前記密
着センサ用光源１１のそれぞれのＬＥＤの光出力に対応
した電圧が出力されている期間であり、Ｔの期間が１周
期の期間である。この電圧Ａは交流・直流分離回路１７
で第２図の直流電圧Ｂと交流電圧Ｃの成分に分離される
。そしていま、補正回路１８により締圧された後の直流
電圧Ｂと平均照度基準値発生回路２０で発生される平均
照度に対応した基準電圧とが平均照度判定回路１９で比
較される。

ここで直流電圧Ｂの値が平均照度に対応した基準電圧の
値に等しいかもしくは大きければ平均照度判定回路１９
は例えば“１′ルベルの論理信号を発生し、これとは逆
に、直流電圧Ｂの値が平均照度に対応した基準電圧の値
よりも小さければ″“Ｏ″レベル論理信号を発生する。

そしてこの論理信号に応じて平均照度判定回路１９は内
蔵している表示器に判定結果を表示する。従って、この
表示により前記密着センサ用光源１１の平均照度特性の
分類を行なうことができる。

また、これと並行して交流・直流変換回路２１は上記交
流・直流分離回路１γで分離された交流電圧Ｃを直流電
圧りに変換する。また照度ムラ基準値発生回路２４は上
記電圧Ｂから平均の照度ムラに対応する基ｉ１！電圧を
発生する。そして、補正回路２２により補正された後の
第２図の直流電圧りと照度ムラ基準値発生回路２４で発
生される平均の照度ムラに対応する基準電圧との値が照
度ムラ判定回路２３で比較される。ここで補正情の直流
電圧りが平均の照度ムラに対応した基準電圧の値に等し
いかもしくは小さければ照度ムラ判定回路２３は例えば
′“１゛ルベルの論理信号を発生し、これとは逆に、直
流電圧りが平均の照度ムラに対応した基準電圧の値より
も大きければｉｔ　Ｏｓｐレベルの論理信号を発生する
。そしてこの論理信号に応じて照度ムラ判定回路２３は
内蔵している表示器に判定結果を表示する。従って、こ
の表示により前記密着センサ用光源１１の照度ムラ特性
の分類を行なうことができる。

このようにこの実施例回路では、光学特性が測定される
密着センサ用光源１１の複数のＬＥＤにおける光出力９
測定を、ＬＥＤ配列に対応して直線状に配列された複数
の受光素子が設けられた光検出回路１２により並列的に
電圧に変換し、次に選択回路１４により上記光検出回路
１２で変換された電圧を時間をずらして直列的に順次出
力させ、ざらに交流・直流分離回路１７でこの電圧を直
流成分と交流成分とに分離し、−その後、この分離され
た直流電圧と交流電圧を用いて平均照度および照度ばら
つきの判定を行なうようにしたものである。従って、従
来方法のような機械的操作は不用であり、かつＸ−Ｙ記
録装置等で記録された波形から電圧値を読み取り、計算
することも不用であるため、光学特性の測定を短時間で
行なうことができる。

しかも受光素子の移動を行なう機械部分を含まないので
外観形状を小形にすることができる。

また上記実施例回路では密着センサ用光源１１の平均照
度および照度ムラが直流電圧として発生されているので
、これらの特性はディジタル電圧計等により簡単に数値
として読むことができるという効果もある。

［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、複数の半導体発
光素子が直線状に配列されている半導体発光装置の光学
特性を測定する専用の光学測定回路を提供することがで
き、かつこのような半導体発光装置の光学特性の測定を
短時間で行なうことができしかも外観形状も小形にでき
る半導体発光装置の光学測定回路を提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の一実施例回路の構成を示すブロック
図、第２図は上記実施例回路の動作を説明するための波
形図、第３図は従来方法を実施するための装置の構成を
示す図、−第４図は従来方法を説明するための波形図で
ある。 １１・・・密着センサ用光源、１２・・・光検出回路、
１３・・・光増幅回路、１４・・・選択回路、１５・・
・スキャンニング回路、１６・・・タロツク発生回路、
１７・・・交流・直流分離回路、１８．２２・・・補正
回路、１９・・・平均照度判定回路、２０・・・平均照
度基準値発生回路、２１・・・交流・直流変換回路、２
３・・・照度ムラ判定回路、２４・・・照度ムラ基準値
発生回路。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦 第１　図 第２図 □０

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　複数の発光素子が直線状に配列された半導体発光装置
   の光学特性を測定する光学測定回路において、上記発光
   素子配列に対応して直線状に配列された複数の受光素子
   が設けられ上記半導体発光装置における光出力を電気信
   号に変換する検出する変換手段と、上記変換手段の各受
   光素子で変換された信号を時間をずらして直列的に順次
   出力させる出力手段と、上記各受光素子からの出力信号
   を直流成分と交流成分とに分離する分離手段と、上記分
   離手段で分離された直流成分から上記半導体発光装置の
   平均照度を判定する平均照度判定手段と、上記分離手段
   で分離された交流成分から上記半導体発光装置の照度の
   ばらつきを判定する照度ばらつき判定手段とを具備した
   ことを特徴とする半導体発光装置の光学測定回路。