JPS61205632A - 高純度ガラスパイプの製造方法 - Google Patents
高純度ガラスパイプの製造方法Info
- Publication number
- JPS61205632A JPS61205632A JP60044376A JP4437685A JPS61205632A JP S61205632 A JPS61205632 A JP S61205632A JP 60044376 A JP60044376 A JP 60044376A JP 4437685 A JP4437685 A JP 4437685A JP S61205632 A JPS61205632 A JP S61205632A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soot
- glass
- pipe
- starting member
- bulk density
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1415—Reactant delivery systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1469—Means for changing or stabilising the shape or form of the shaped article or deposit
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B19/00—Other methods of shaping glass
- C03B19/14—Other methods of shaping glass by gas- or vapour- phase reaction processes
- C03B19/1484—Means for supporting, rotating or translating the article being formed
- C03B19/1492—Deposition substrates, e.g. targets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/36—Fuel or oxidant details, e.g. flow rate, flow rate ratio, fuel additives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/60—Relationship between burner and deposit, e.g. position
- C03B2207/62—Distance
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/60—Relationship between burner and deposit, e.g. position
- C03B2207/66—Relative motion
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/70—Control measures
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高純度ガラスからなるガラスパイプの製造方法
に関し、とくに内面が円滑で、良質な高純度ガラスパイ
プの製造方法に関するものである。
に関し、とくに内面が円滑で、良質な高純度ガラスパイ
プの製造方法に関するものである。
従来、ガラス微粒子を棒状または円筒状の出発部材に一
旦堆積させ、堆積終了後、出発部材を引き抜いてパイプ
状のガラス微粒子堆積体（以下ガラス微粒子堆積体をス
ートと云う。）とし、スートを更に加熱溶融して、中実
なガラスパイプを得る方法が穐々提示されている。これ
ら従来の方法は、いずれも出発部材を引き抜いたあとの
パイプ状スートの内面を円滑とするため、引き抜き時に
出発部材がスート内面を損傷したシ、ま九は内面を剥離
するのを防止する工夫を出発部材に施したシ、あるいは
スート内面近傍のかさ密度を出発部材の引き抜き易いよ
うに形成しである。
旦堆積させ、堆積終了後、出発部材を引き抜いてパイプ
状のガラス微粒子堆積体（以下ガラス微粒子堆積体をス
ートと云う。）とし、スートを更に加熱溶融して、中実
なガラスパイプを得る方法が穐々提示されている。これ
ら従来の方法は、いずれも出発部材を引き抜いたあとの
パイプ状スートの内面を円滑とするため、引き抜き時に
出発部材がスート内面を損傷したシ、ま九は内面を剥離
するのを防止する工夫を出発部材に施したシ、あるいは
スート内面近傍のかさ密度を出発部材の引き抜き易いよ
うに形成しである。
たとえば、出発部材として熱膨張係数の比較的大きな金
属製のものを用い、ガラス微粒子堆積時の高温から、堆
積終了後、数時間放置した室温までの出発部材の収縮を
利用して引き抜き易くする方法が採られている。：従来
技術１゜ また、金属材より熱膨張係数は格段に低いが、耐蝕性に
優れたＡ１２ｏ、 ｌ ＺｒＯ２のようなセラミックス
を出発部材に用いる方法も考案されている。：従来技術
２゜ 〔発明が解決しｊうとする問題点〕 従来技術１は、金属製出発部材にガラス微粒子が堆積す
るとき生成する腐蝕性ガス、たとえば石英ガラス原料と
して５ｉＣ１ｌａを用いるとＨＣｌ２などにより、出発
部材が腐蝕して好ましくないという問題がある。
属製のものを用い、ガラス微粒子堆積時の高温から、堆
積終了後、数時間放置した室温までの出発部材の収縮を
利用して引き抜き易くする方法が採られている。：従来
技術１゜ また、金属材より熱膨張係数は格段に低いが、耐蝕性に
優れたＡ１２ｏ、 ｌ ＺｒＯ２のようなセラミックス
を出発部材に用いる方法も考案されている。：従来技術
２゜ 〔発明が解決しｊうとする問題点〕 従来技術１は、金属製出発部材にガラス微粒子が堆積す
るとき生成する腐蝕性ガス、たとえば石英ガラス原料と
して５ｉＣ１ｌａを用いるとＨＣｌ２などにより、出発
部材が腐蝕して好ましくないという問題がある。
また従来技術２は、従来技術１の場合の出発部材の腐蝕
の問題は避けられるが、室温と堆積時の温度の差を十分
にとらケいと、出発部材の引き抜］ きが離かしく、一方セラミックスは熱衝撃に弱いので、
ガラス微粒子の堆積に際し予熱を施してやることが必要
となり、予熱のための加熱費用を要し経済性において問
題がめる。加えて％数回の使用によ）、出発部材が熱負
荷にょシ徐々に欠けてしまうという問題がめる。
の問題は避けられるが、室温と堆積時の温度の差を十分
にとらケいと、出発部材の引き抜］ きが離かしく、一方セラミックスは熱衝撃に弱いので、
ガラス微粒子の堆積に際し予熱を施してやることが必要
となり、予熱のための加熱費用を要し経済性において問
題がめる。加えて％数回の使用によ）、出発部材が熱負
荷にょシ徐々に欠けてしまうという問題がめる。
さらに従来の方法では、いずれもある程度の高いかさ密
度をスートの最内面に有していないと、引き抜き時に剥
離が生じるため、これを避けるために出発部材近傍を高
温に加熱する必要があるが、このような高い温度におい
てガラス微粒子となじんでしまう、たとえば石英ガラス
材のようなものは、引き抜き時にスート内面に亀裂、剥
離が起シ実際には使用できない。
度をスートの最内面に有していないと、引き抜き時に剥
離が生じるため、これを避けるために出発部材近傍を高
温に加熱する必要があるが、このような高い温度におい
てガラス微粒子となじんでしまう、たとえば石英ガラス
材のようなものは、引き抜き時にスート内面に亀裂、剥
離が起シ実際には使用できない。
従来の問題点を解決する次め、本発明は出発部材にガラ
ス微粒子を堆積する工程として、出発部材とスートとの
隣接部分にかさ密度が０．２σ／Ｃ’ｍ’以下の第１０
薄層と、第１の薄層のかさ密度より少くともα０３ ｇ
／ｃｍ３だけかさ密度の大きい第２の薄層を形成し、出
発部材を引き抜くときと同時か、または出発部材を引き
抜き、スートを加熱溶融して中実化する前にスートから
第１の薄層を除去することを特徴としている。
ス微粒子を堆積する工程として、出発部材とスートとの
隣接部分にかさ密度が０．２σ／Ｃ’ｍ’以下の第１０
薄層と、第１の薄層のかさ密度より少くともα０３ ｇ
／ｃｍ３だけかさ密度の大きい第２の薄層を形成し、出
発部材を引き抜くときと同時か、または出発部材を引き
抜き、スートを加熱溶融して中実化する前にスートから
第１の薄層を除去することを特徴としている。
本発明はパイプ状スートの内表面にかさ密度が０−２ｇ
／ｃｍ’以下の非常に軟かい傷や剥離の起シ易い第１の
薄層を形成しておき、第１の薄層を除去することにより
、第１の薄層よ’） ０−０３ｙ／ｃｍ’以上のかさ密
度差を有する残留している第２の薄層を内面に有するス
ートの部位は、内面が平滑なパイプ状のスートとして残
る。このパイプ状のスートヲ加熱溶融して透明化するこ
とによ少、高純度のガラスパイプが得られる。以下図面
により説明する。
／ｃｍ’以下の非常に軟かい傷や剥離の起シ易い第１の
薄層を形成しておき、第１の薄層を除去することにより
、第１の薄層よ’） ０−０３ｙ／ｃｍ’以上のかさ密
度差を有する残留している第２の薄層を内面に有するス
ートの部位は、内面が平滑なパイプ状のスートとして残
る。このパイプ状のスートヲ加熱溶融して透明化するこ
とによ少、高純度のガラスパイプが得られる。以下図面
により説明する。
第１図αは、本発明の方法によって作製されたガラス微
粒子堆積後の出発部材２とスート１との複合体の一例で
ある。１１はスート薄層（第１．第２の２層）、１２は
残留スート部位、３は支持パイプを示す。
粒子堆積後の出発部材２とスート１との複合体の一例で
ある。１１はスート薄層（第１．第２の２層）、１２は
残留スート部位、３は支持パイプを示す。
第２図に第１図αに示した複合体の径方向のがさ密度分
布を示す。第２図に示すように、出発部材２に隣接した
第１の薄層のがさ密度を０−２ｇ／ｃｍ’以下、外側の
第２の薄層のかさ密度を第１の薄層のかさ密度よｐｏ、
０３σ７６Ｍ％３以上犬となるようスートを形成する。
布を示す。第２図に示すように、出発部材２に隣接した
第１の薄層のがさ密度を０−２ｇ／ｃｍ’以下、外側の
第２の薄層のかさ密度を第１の薄層のかさ密度よｐｏ、
０３σ７６Ｍ％３以上犬となるようスートを形成する。
スート形成の方法としては、たとえば、ノぐ−すを出発
部材上で往復させ、多層の純シリカガラス微粒子を堆積
させる方法の場合、第１回目のトラバースで、バーナに
より加熱される出発部材上のガラス微粒子が堆積されて
いる部分の温度を８０００Ｃ以下に抑えるように、バー
ナから流す燃料または原料の量、またはバーナの出発部
材からの距離、あるいはトラバース速度を設定する。続
いて第２回目のトラバースで、または数回堆積を行った
後にかさ密度を上げるよりに、ガラス微粒子が堆積され
ているスート上の部位の温度を高くしてやればよい。目
安として０．２’／ｃｍ３から０．０５Ｑ／ｃ−だけか
さ密度を上げる温度差は４０℃程度である。この後さら
にガラス微粒子を堆積させて、第１図Ｃおよび第２図に
示したような出発部材２とスート１の複合体を得る。
部材上で往復させ、多層の純シリカガラス微粒子を堆積
させる方法の場合、第１回目のトラバースで、バーナに
より加熱される出発部材上のガラス微粒子が堆積されて
いる部分の温度を８０００Ｃ以下に抑えるように、バー
ナから流す燃料または原料の量、またはバーナの出発部
材からの距離、あるいはトラバース速度を設定する。続
いて第２回目のトラバースで、または数回堆積を行った
後にかさ密度を上げるよりに、ガラス微粒子が堆積され
ているスート上の部位の温度を高くしてやればよい。目
安として０．２’／ｃｍ３から０．０５Ｑ／ｃ−だけか
さ密度を上げる温度差は４０℃程度である。この後さら
にガラス微粒子を堆積させて、第１図Ｃおよび第２図に
示したような出発部材２とスート１の複合体を得る。
仄に出発部材２を引き抜き、支持パイプ３に固定された
パイプ状のスート１を得る。このときスート１の内表面
には、内表面近傍のスニト薄層１１が、かさ密度Ｑ、２
Ｑ／６ｒｎ’以下と非常に柔かいので傷や剥離が起っ
て残っていることが多い。
パイプ状のスート１を得る。このときスート１の内表面
には、内表面近傍のスニト薄層１１が、かさ密度Ｑ、２
Ｑ／６ｒｎ’以下と非常に柔かいので傷や剥離が起っ
て残っていることが多い。
続いて、更にパイプ状のスート１の中空穴部にガスを吹
き込むことにより、容易にパイプ状のスート１の内表面
近傍のスート薄層１１が吹き飛ばされて、パイプ状のス
ート１の内面の傷や剥離が除去される。この際、スート
薄層１１′ｔ−吹き飛はした後の内面の凹凸を抑制し、
導通方向に一定の穴径とするためには、吹き飛ばして除
去するスート薄層１１と、吹き飛ばされずに残る残留ス
ート部位１２Ｏ最内層とのかさ密度差は、０．０５ （
Ｊ／ｃｍ’以上とすることが望ましい。また、出−発部
材２を引き抜くときに吹き飛ばされずに残る残留スート
部位１２の剥離や亀裂を防止するためには、低かさ密度
のスート薄層１１の厚みを出発部材２のゆがみや外径変
動幅に０．２ ｍｍを加えた程度以上とするのが望まし
い。
き込むことにより、容易にパイプ状のスート１の内表面
近傍のスート薄層１１が吹き飛ばされて、パイプ状のス
ート１の内面の傷や剥離が除去される。この際、スート
薄層１１′ｔ−吹き飛はした後の内面の凹凸を抑制し、
導通方向に一定の穴径とするためには、吹き飛ばして除
去するスート薄層１１と、吹き飛ばされずに残る残留ス
ート部位１２Ｏ最内層とのかさ密度差は、０．０５ （
Ｊ／ｃｍ’以上とすることが望ましい。また、出−発部
材２を引き抜くときに吹き飛ばされずに残る残留スート
部位１２の剥離や亀裂を防止するためには、低かさ密度
のスート薄層１１の厚みを出発部材２のゆがみや外径変
動幅に０．２ ｍｍを加えた程度以上とするのが望まし
い。
以上の工程を経て第１図すに示すような内面が平滑なパ
イプ状スート１２′を得る。しかる後、パイプ状スート
１２′を炉中に投入し、加熱、溶融して一体とすること
により、内面が平滑な高純度ガラスパイプが得られる。
イプ状スート１２′を得る。しかる後、パイプ状スート
１２′を炉中に投入し、加熱、溶融して一体とすること
により、内面が平滑な高純度ガラスパイプが得られる。
第３図は本発明による１層付は法により第２図に示した
ようなかさ留置分布を有するスートを得る方法を説明す
る図である。第１図αと同じ符号は同じ部分を示す。５
はスート形成用の火炎、６はバーナを示す。出発部材２
をパイプ形状とし、パイプ状出発部材２の内部にガス導
入パイプ４を挿入し、ガス導入パイプ４からＮ２ガスま
たは空気を流し、ガラス微粒子が堆積しているパイプの
部位を冷却すると好結果が得られる。この一層刊けの場
合も、多層付けの場合と同様に出発部材２に隣接してか
さ密度がＱ、２Ｑ／６−以下のスート薄層部１１′が形
成できるので、第１図ａ、ｂにより説明した例の場合と
同様の工程により、内表面の低かさ密度のスート薄層部
１１′のみを吹き飛ばし、しかる後、加熱、溶融して内
面が円滑で亀裂や傷のない良質な高純にガラスパイプが
得られる。
ようなかさ留置分布を有するスートを得る方法を説明す
る図である。第１図αと同じ符号は同じ部分を示す。５
はスート形成用の火炎、６はバーナを示す。出発部材２
をパイプ形状とし、パイプ状出発部材２の内部にガス導
入パイプ４を挿入し、ガス導入パイプ４からＮ２ガスま
たは空気を流し、ガラス微粒子が堆積しているパイプの
部位を冷却すると好結果が得られる。この一層刊けの場
合も、多層付けの場合と同様に出発部材２に隣接してか
さ密度がＱ、２Ｑ／６−以下のスート薄層部１１′が形
成できるので、第１図ａ、ｂにより説明した例の場合と
同様の工程により、内表面の低かさ密度のスート薄層部
１１′のみを吹き飛ばし、しかる後、加熱、溶融して内
面が円滑で亀裂や傷のない良質な高純にガラスパイプが
得られる。
次に本発明による具体的実施例について説明する。
〔実施例１〕
バーナから酸素ガスを毎分１０Ｌ、水素ガスを毎分８ｇ
、シールガスとしてアルゴンガスを毎分２２流して火炎
を形成し、更に４塩化硅素を気相で毎分１１投入して外
径１０毒憔の石英ガラスロッドを毎分５０回転で回転さ
せながら、毎分１０ｃｍのトラ・く−ス速度で左右に５
０帽長往復させて、この石英ガラスロッド上にガラス微
粒子を堆積させた。
、シールガスとしてアルゴンガスを毎分２２流して火炎
を形成し、更に４塩化硅素を気相で毎分１１投入して外
径１０毒憔の石英ガラスロッドを毎分５０回転で回転さ
せながら、毎分１０ｃｍのトラ・く−ス速度で左右に５
０帽長往復させて、この石英ガラスロッド上にガラス微
粒子を堆積させた。
このとき第１回目往復時の堆積表面の温度は５８０℃で
あった。
あった。
１往復半の間堆積を行っ九あと、トラバース速度を毎分
４Ｈｓに低下させて、その後、スートが外径８０ｍ５φ
になるまで堆積を行った。
４Ｈｓに低下させて、その後、スートが外径８０ｍ５φ
になるまで堆積を行った。
作製された出発部材の石英ガラスロッドとスートの複合
体のかさ密度をＸ線透過法で測定したところ、出発部材
の石英ガラスロッド周辺部に平均かさ密度０．１５ Ｑ
１０−＋厚みがＱ、４毒雷Ｏス一ト薄層が形成され、ス
ート薄層の外側は外径８０情φまで平均０．３２１７／
、−のかさ密度が認められた。この複合体から出発部材
の石英ガラスロッドを引き抜くと、抵抗なく容易に引き
抜くことができ、パイプ状のスートが得られた。得られ
たパイプ状のスートの内面を観察したところ、剥離がみ
られたので、スートのパイプ大円に窒素ガスを吹き込み
、内部のスート薄層を吹き飛ばしたところ、内面に剥離
。
体のかさ密度をＸ線透過法で測定したところ、出発部材
の石英ガラスロッド周辺部に平均かさ密度０．１５ Ｑ
１０−＋厚みがＱ、４毒雷Ｏス一ト薄層が形成され、ス
ート薄層の外側は外径８０情φまで平均０．３２１７／
、−のかさ密度が認められた。この複合体から出発部材
の石英ガラスロッドを引き抜くと、抵抗なく容易に引き
抜くことができ、パイプ状のスートが得られた。得られ
たパイプ状のスートの内面を観察したところ、剥離がみ
られたので、スートのパイプ大円に窒素ガスを吹き込み
、内部のスート薄層を吹き飛ばしたところ、内面に剥離
。
亀裂、凹凸のないパイプ状スートが得られた。
次いで得られたパイプ状のスートを、Ｈ−毎分ｓｘ、ｃ
ｘ２毎分５０ ｃｃ ＋ ＳＦ６毎分２００６１３を流
した雰囲気中で、温度１１００℃９下降速度毎分３ｍｍ
の条件にて脱水および弗素の添加を行った。続いて、Ｈ
−毎分１０ぶの雰囲気にて温度１６５０９Ｃ１下降速度
毎分ａｔ＋ｔｍの条件にて透明ガラス化を行ったところ
、内外面ともに平滑で気泡のない弗累入プの石英ガラス
パイプが得られた。
ｘ２毎分５０ ｃｃ ＋ ＳＦ６毎分２００６１３を流
した雰囲気中で、温度１１００℃９下降速度毎分３ｍｍ
の条件にて脱水および弗素の添加を行った。続いて、Ｈ
−毎分１０ぶの雰囲気にて温度１６５０９Ｃ１下降速度
毎分ａｔ＋ｔｍの条件にて透明ガラス化を行ったところ
、内外面ともに平滑で気泡のない弗累入プの石英ガラス
パイプが得られた。
〔実施例２〕
第３図に示したガラスパイプの製造方法により、出発部
材２として外径２０ｍｍＣ厚み１．７ ｍｍのアルミナ
管を用い、矢印方向に回転させながら引き上げ九。酸水
素バーナ６に酸素ガス毎分１２Ｌ、水素ガス毎分１０に
、シール用アルゴンガス毎分２１および４塩化硅素を気
相で毎分１Ｌ供給して、出発部材２のアルミナ管上にガ
ラス微粒子を堆積させた。堆積中、出発部材２のアルミ
ナ管内に外径５ｗｔｘφ、厚み１．０ 惰ｍの石英ガラ
スからなるガス導入パイプ４を挿入し、窒素ガスを毎分
３！流した。
材２として外径２０ｍｍＣ厚み１．７ ｍｍのアルミナ
管を用い、矢印方向に回転させながら引き上げ九。酸水
素バーナ６に酸素ガス毎分１２Ｌ、水素ガス毎分１０に
、シール用アルゴンガス毎分２１および４塩化硅素を気
相で毎分１Ｌ供給して、出発部材２のアルミナ管上にガ
ラス微粒子を堆積させた。堆積中、出発部材２のアルミ
ナ管内に外径５ｗｔｘφ、厚み１．０ 惰ｍの石英ガラ
スからなるガス導入パイプ４を挿入し、窒素ガスを毎分
３！流した。
堆積終了後、出発部材２のアルミナ管と、スート１の複
合体のＸ線透過率を測定したところ、第４図に示すよう
な、内面にかさ密度がＱ、 １７１１７ａｍ’の低いス
ート薄層が形成されているのが観測された。出発部材２
のアルミナ管を引き抜き、パイプ状のスート１の穴に窒
素ガスを吹き込み、内面近傍の低かさ密度のスート薄層
を吹き飛はしたところ、パイプ状のスート１の内面には
剥離や凹凸が見られなかった。
合体のＸ線透過率を測定したところ、第４図に示すよう
な、内面にかさ密度がＱ、 １７１１７ａｍ’の低いス
ート薄層が形成されているのが観測された。出発部材２
のアルミナ管を引き抜き、パイプ状のスート１の穴に窒
素ガスを吹き込み、内面近傍の低かさ密度のスート薄層
を吹き飛はしたところ、パイプ状のスート１の内面には
剥離や凹凸が見られなかった。
次に、得られたパイプ状のスートを実施例１と同一の条
件で脱水、弗素添加および透明ガラス化を行ったところ
、内外面とも平滑で内部に亀裂のない弗素入シ石英ガラ
スパイプが得られた。
件で脱水、弗素添加および透明ガラス化を行ったところ
、内外面とも平滑で内部に亀裂のない弗素入シ石英ガラ
スパイプが得られた。
次に本発明による上述の実施例と比較するため、本発明
の製造条件と異る条件で作製した場合の比較例を示す。
の製造条件と異る条件で作製した場合の比較例を示す。
〔比較例１〕
実施例１と同一の火炎、原料流量条件で、同一の出発部
材の石英ガラスパイプを同一回転数、同一速度の毎分１
０ａｍで回転、トラバースさせてガラス微粒子を堆積さ
せ次。トラバース速度を保持したまま堆積を続けたとこ
ろ、外径２５ｔｈｍφでスートは破裂した。
材の石英ガラスパイプを同一回転数、同一速度の毎分１
０ａｍで回転、トラバースさせてガラス微粒子を堆積さ
せ次。トラバース速度を保持したまま堆積を続けたとこ
ろ、外径２５ｔｈｍφでスートは破裂した。
〔比較例２〕
比較例１でトラバース速度を毎分４１３％として、他の
条件は同一としガラス微粒子をスートの外径が８０情悔
φになるまで堆積させたところ、出発部材の石英ガラス
ロッドとスート内面の焼き付きが起シ、出発部材は引き
抜けなかった。
条件は同一としガラス微粒子をスートの外径が８０情悔
φになるまで堆積させたところ、出発部材の石英ガラス
ロッドとスート内面の焼き付きが起シ、出発部材は引き
抜けなかった。
〔比較例５〕
比較例２で出発部材を外径１０惰惧φ、厚みＬ ７ ｍ
ｍのジルコニアパイプとし、３０分間この出発部材のジ
ルコニアパイプ表面を小バーナで予熱した後、他の条件
は比較例２の場合と同一としてガラス微粒子をスートの
外径が同一の８０惧惰φまで堆積させ、６時間放置冷却
して出発部材のジルコニアパイプを引き抜き、堆積形成
されたパイプ状スートを炉中に導入して、実施例１と同
一の条件で脱水、弗素添加し透明ガラス化したところ、
作製されたガラスパイプ内面からｓ ｍｍ程度の深さの
亀裂がガラスパイプ内に多数生じているのが観察された
。
ｍのジルコニアパイプとし、３０分間この出発部材のジ
ルコニアパイプ表面を小バーナで予熱した後、他の条件
は比較例２の場合と同一としてガラス微粒子をスートの
外径が同一の８０惧惰φまで堆積させ、６時間放置冷却
して出発部材のジルコニアパイプを引き抜き、堆積形成
されたパイプ状スートを炉中に導入して、実施例１と同
一の条件で脱水、弗素添加し透明ガラス化したところ、
作製されたガラスパイプ内面からｓ ｍｍ程度の深さの
亀裂がガラスパイプ内に多数生じているのが観察された
。
〔比較例４〕
実施例２と、出発部材のアルミナ管内に窒素ガスを導入
しないことの他は同一の条件でガラス微粒子の堆積を行
った。堆積終了後、６時間放置冷却して出発部材のアル
ミナ管を引き抜い九ところ、スート内面から剥離、亀裂
が多数発生した。パイプ状スートの中空の穴の中に窒素
ガスを吹き込んで発生した剥離箇所を吹き飛ばし、実施
例１と同一の条件で脱水、弗素添加し透明ガラス化した
ところ、作製したガラスパイプ内面の全面にわたって凹
凸および深さ３濯惧程度の亀裂が残留しているのが認め
られた。
しないことの他は同一の条件でガラス微粒子の堆積を行
った。堆積終了後、６時間放置冷却して出発部材のアル
ミナ管を引き抜い九ところ、スート内面から剥離、亀裂
が多数発生した。パイプ状スートの中空の穴の中に窒素
ガスを吹き込んで発生した剥離箇所を吹き飛ばし、実施
例１と同一の条件で脱水、弗素添加し透明ガラス化した
ところ、作製したガラスパイプ内面の全面にわたって凹
凸および深さ３濯惧程度の亀裂が残留しているのが認め
られた。
以上述べたように、本発明は出発部材にガラス微粒子を
堆積する工程として、出発部材とスートとの隣接部分に
低かさ密度の第１のスート薄層と、第１のスート薄層の
かさ密度より大きいかさ密度の第２のスート薄層を形成
し、出発部材を引き抜いた後、第１のスート薄層を除去
することにより、引き続きパイプ状の残留スートを加熱
溶融して作製されるガラスパイプは、内部に剥離や亀裂
を有せず、かつ内面が平滑で良質な高純度ガラスパイプ
が得られる。
堆積する工程として、出発部材とスートとの隣接部分に
低かさ密度の第１のスート薄層と、第１のスート薄層の
かさ密度より大きいかさ密度の第２のスート薄層を形成
し、出発部材を引き抜いた後、第１のスート薄層を除去
することにより、引き続きパイプ状の残留スートを加熱
溶融して作製されるガラスパイプは、内部に剥離や亀裂
を有せず、かつ内面が平滑で良質な高純度ガラスパイプ
が得られる。
第１図ａ、ｂは本発明によるガラスパイプ製造工程図、
第２図は本発明による出発部材とスートの複合体のかさ
密度分布、 第３図は本発明のガラスパイプ製造方法の実施例を説明
する図、 第４図は第５図における出発部材とスートの複合体のか
さ密度分布を示す図である。 １・・・スート、 １１・・・スート薄層、 １２・・・残留スート部位、 １１′・・・スート薄層部、 １２′・・・パイプ状スート、 ３・・・支持パイプ、 ４・・・ガス導入パイプ、 ５・・・火炎、 ６・・・バーナ 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久 五 部 第 ２ 図 す 本発明によるガラスパイプ製造工程図 第 １ 図 ４ガス導入パイプ 本発明のガラスパイプ製造方法の実施例第 ３ 図
密度分布、 第３図は本発明のガラスパイプ製造方法の実施例を説明
する図、 第４図は第５図における出発部材とスートの複合体のか
さ密度分布を示す図である。 １・・・スート、 １１・・・スート薄層、 １２・・・残留スート部位、 １１′・・・スート薄層部、 １２′・・・パイプ状スート、 ３・・・支持パイプ、 ４・・・ガス導入パイプ、 ５・・・火炎、 ６・・・バーナ 特許出願人 住友電気工業株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久 五 部 第 ２ 図 す 本発明によるガラスパイプ製造工程図 第 １ 図 ４ガス導入パイプ 本発明のガラスパイプ製造方法の実施例第 ３ 図
Claims (3)
- （１）平滑かつ清浄な外周面を有するロッドまたはパイ
プ状の出発部材外周部に火炎加水分解反応によりガラス
微粒子を堆積してガラス微粒子堆積体を形成した後、前
記出発部材を引き抜き、しかる後前記ガラス微粒子堆積
体を加熱溶融して透明化し、パイプ状ガラスを製造する
方法において、前記ガラス微粒子を堆積する工程は、 前記ガラス微粒子の堆積体の前記出発部材との隣接部分
にかさ密度が０．２ｇ／ｃｍ＾３以下の第１の薄層と、
前記第１の薄層のかさ密度より少くとも０．０３ｇ／ｃ
ｍ＾３だけ大きいかさ密度を有する第２の薄層を形成し
、 しかる後、前記出発部材を引き抜くと同時か、または加
熱して溶融中実とするのに先だって前記ガラス微粒子堆
積体から前記第１の薄層を除去する ことを特徴とする高純度ガラスパイプの製造方法。 - （２）前記ガラス微粒子は純シリカからなり、前記純シ
リカガラス微粒子を多層付けにより純シリカガラス微粒
子の堆積を形成し、 前記純シリカガラス微粒子の少くとも第１層目の堆積中
、前記純シリカガラス微粒子堆積体の表面温度を８００
℃以下に保持する ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高純度ガ
ラスパイプの製造方法。 - （３）前記出発部材はパイプ形状とし、 前記パイプ形状の出発部材内に冷却ガスを流しながら、
前記ガラス微粒子を一層付けにより前記ガラス微粒子の
堆積を形成する ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の高純度ガ
ラスパイプの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044376A JPS61205632A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 高純度ガラスパイプの製造方法 |
| US06/833,193 US4666488A (en) | 1985-03-06 | 1986-02-27 | Process of producing a highly pure glass tube |
| GB08605284A GB2172885B (en) | 1985-03-06 | 1986-03-04 | Method for producing a highly pure glass tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60044376A JPS61205632A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 高純度ガラスパイプの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61205632A true JPS61205632A (ja) | 1986-09-11 |
| JPH0520367B2 JPH0520367B2 (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=12689778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60044376A Granted JPS61205632A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 高純度ガラスパイプの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4666488A (ja) |
| JP (1) | JPS61205632A (ja) |
| GB (1) | GB2172885B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284282A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP2016003162A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 信越石英株式会社 | 中空状多孔質石英ガラス母材の製造方法、中空状多孔質石英ガラス母材並びにそれを用いた石英ガラスシリンダ |
| WO2023112967A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 住友電気工業株式会社 | ガラス母材の製造方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2600327B1 (fr) * | 1986-06-20 | 1992-04-17 | Lenoane Georges | Procede de fabrication de preformes pour fibres optiques et mandrin utilisable pour la mise en oeuvre de ce procede, application a la fabrication de fibres optiques monomodes |
| FR2677972B1 (fr) * | 1991-06-21 | 1996-12-06 | France Telecom | Procede de fabrication de preformes pour fibres optiques et dispositif pour la mise en óoeuvre de ce procede. |
| DE19850929C1 (de) * | 1998-11-05 | 1999-11-25 | Heraeus Quarzglas | Verfahren und Vorrichtung für die Herstellung eines Rohres aus Quarzglas |
| JP3865039B2 (ja) * | 2000-08-18 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | 合成石英ガラスの製造方法および合成石英ガラス並びに合成石英ガラス基板 |
| JP4383377B2 (ja) * | 2005-03-22 | 2009-12-16 | 古河電気工業株式会社 | 微細構造光ファイバの作製方法 |
| DE102011008954B4 (de) * | 2011-01-19 | 2013-01-17 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung eines Quarzglaszylinders sowie Träger zur Durchführung des Verfahrens |
| DE102012013134B4 (de) * | 2012-07-03 | 2014-04-03 | Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur Herstellung von Zylindern aus Quarzglas |
| CN117142754B (zh) * | 2023-09-05 | 2024-04-05 | 连云港福东正佑照明电器有限公司 | 一种石英管石英砂高温氯化提纯炉 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3933453A (en) * | 1974-05-06 | 1976-01-20 | Corning Glass Works | Flame hydrolysis mandrel and method of using |
| US4233052A (en) * | 1979-04-16 | 1980-11-11 | Corning Glass Works | Carbon coating for a starting member used in producing optical waveguides |
| US4486212A (en) * | 1982-09-29 | 1984-12-04 | Corning Glass Works | Devitrification resistant flame hydrolysis process |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP60044376A patent/JPS61205632A/ja active Granted
-
1986
- 1986-02-27 US US06/833,193 patent/US4666488A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-03-04 GB GB08605284A patent/GB2172885B/en not_active Expired
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007284282A (ja) * | 2006-04-14 | 2007-11-01 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光ファイバ母材の製造方法 |
| JP2016003162A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | 信越石英株式会社 | 中空状多孔質石英ガラス母材の製造方法、中空状多孔質石英ガラス母材並びにそれを用いた石英ガラスシリンダ |
| WO2023112967A1 (ja) * | 2021-12-14 | 2023-06-22 | 住友電気工業株式会社 | ガラス母材の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2172885B (en) | 1988-08-03 |
| US4666488A (en) | 1987-05-19 |
| JPH0520367B2 (ja) | 1993-03-19 |
| GB2172885A (en) | 1986-10-01 |
| GB8605284D0 (en) | 1986-04-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1899508B1 (en) | Crucible for the crystallization of silicon and process for its preparation | |
| EP1745164B1 (en) | Crucible for the crystallization of silicon | |
| US5053359A (en) | Cristobalite reinforcement of high silica glass | |
| US3806570A (en) | Method for producing high quality fused silica | |
| US4072489A (en) | Vacuum process for avoiding devitrification damage to transparent slip-cast silica crucibles | |
| US7955511B2 (en) | Silica glass crucible | |
| JPS61205632A (ja) | 高純度ガラスパイプの製造方法 | |
| US6581415B2 (en) | Method of producing shaped bodies of semiconductor materials | |
| JPH01148782A (ja) | 単結晶引き上げ用石英ルツボ | |
| KR20030093256A (ko) | 석영 유리의 구조체 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP2009269792A (ja) | シリコン溶融ルツボおよびこれに用いる離型材 | |
| JP2810941B2 (ja) | 多角柱状シリカガラス棒の製造方法 | |
| JPH0137338B2 (ja) | ||
| KR102419522B1 (ko) | 수율 개선 및 기공 제어가 가능한 합성 석영유리 제조방법 | |
| KR102419569B1 (ko) | 증착면 온도 균일제어가 가능한 합성 석영유리 제조장치 | |
| JP2009274905A (ja) | シリコン溶融ルツボ | |
| JP7428413B2 (ja) | 合成クォーツ製造方法 | |
| JPH0742193B2 (ja) | 単結晶引き上げ用石英るつぼ | |
| JP4176468B2 (ja) | 光ファイバープリフォーム製造装置および方法 | |
| JPH01148783A (ja) | 単結晶引き上げ用石英ルツボ | |
| JP2003212550A (ja) | ガラス管の製造方法およびこれに用いられるターゲットロッド | |
| JP3258175B2 (ja) | ノンドープ若しくはドープシリカガラス体の製造方法 | |
| EP3354627A1 (en) | Method of producing porous quartz glass preform | |
| JPS6272537A (ja) | 高純度石英ガラスの製造方法 | |
| JPH1072231A (ja) | 光ファイバ母材の製造装置及び製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |