JPS61202427A - 半導体装置の電極形成方法 - Google Patents
半導体装置の電極形成方法Info
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- JPS61202427A JPS61202427A JP4304285A JP4304285A JPS61202427A JP S61202427 A JPS61202427 A JP S61202427A JP 4304285 A JP4304285 A JP 4304285A JP 4304285 A JP4304285 A JP 4304285A JP S61202427 A JPS61202427 A JP S61202427A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 27
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 abstract description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の電極形成方法に関し、特にリフト
・オフ法による電極形成方法に関するものである。
・オフ法による電極形成方法に関するものである。
従来、リフト・オフによる電極形成方法は、フォト・レ
ジスト膜を形成、パターニングし、その後電極材料の金
属層を形成し、フォト・レジストを除去する際に１ フ
ォト・レジスト上の金属層をも除去するものである。
ジスト膜を形成、パターニングし、その後電極材料の金
属層を形成し、フォト・レジストを除去する際に１ フ
ォト・レジスト上の金属層をも除去するものである。
第２図（ａｌ〜（ｅ）は従来のリフト・オフによる半導
体装置の電極形成方法を説明するために工程順に示した
断面図である。
体装置の電極形成方法を説明するために工程順に示した
断面図である。
先ず、第２図（ａ）に示すように、Ｓｊ基板１上に絶縁
膜としてＳｉｏ鵞膜２を形成し、所要形状にパターニン
グする。次いで第２図（ｂｌに示すようＫ。
膜としてＳｉｏ鵞膜２を形成し、所要形状にパターニン
グする。次いで第２図（ｂｌに示すようＫ。
基板上にフォトレジスト層を形成し電極形状に応じたフ
ォトレジスト３のパターンを形成する。次に第２図（ｃ
）に示すように１電極材料である金属例えばＡｌｔ４を
蒸着等の手段によシ表面に形成する。次に第２図（ｄ）
に示すように、フォトレジストを除去し、その除去と共
に７オトレジスト上の金属〜を除去するととＫよシ所望
の半導体装置の電極を形成することができる。
ォトレジスト３のパターンを形成する。次に第２図（ｃ
）に示すように１電極材料である金属例えばＡｌｔ４を
蒸着等の手段によシ表面に形成する。次に第２図（ｄ）
に示すように、フォトレジストを除去し、その除去と共
に７オトレジスト上の金属〜を除去するととＫよシ所望
の半導体装置の電極を形成することができる。
第２図（ｅｌは往々発生する電極の形状を示したもので
ある。
ある。
上述した従来の半導体装置の電極形成方法によると、第
２図（ｅｌ ＶＣ示すように、つζレジストの側壁部分
で金属が切れることなく連続していることにより不要部
分の金属（例えばＡＩ）４ａが取シ去られずに残ったり
、金属が引きのはされてひげ状Ａ１４ｂを生じ基板に付
着し電、極間のショート等の不良をまねくというように
１金属層の除去が不完全になるという欠点があった。
２図（ｅｌ ＶＣ示すように、つζレジストの側壁部分
で金属が切れることなく連続していることにより不要部
分の金属（例えばＡＩ）４ａが取シ去られずに残ったり
、金属が引きのはされてひげ状Ａ１４ｂを生じ基板に付
着し電、極間のショート等の不良をまねくというように
１金属層の除去が不完全になるという欠点があった。
本発明は上記欠点を除去し、良質の形状を有する電極が
容易に得られる半導体装置の電極形成方法を提供するこ
とを目的とする。
容易に得られる半導体装置の電極形成方法を提供するこ
とを目的とする。
本発明の半導体装置の電極形成方法は、半導体基板上に
通常のフォトレジストに比べてドライ・エツチングレー
トが非常に大きい有機劇料の層を形成する工程と、該有
機材料の層上１Ｃフオトレジスト膜を形成し該膜をパタ
ーニングする工程と、前記上層フォトレジストをマスク
にして下層の有機材料の層に等方性のドライエツチング
を施す工程と、電極材料の金属層を形成する工程と、下
層のフォトレジスト及び有機材料の膜を除去するととも
にフォトレジスト上の金属層をも除去する工程とを有し
て構成される。
通常のフォトレジストに比べてドライ・エツチングレー
トが非常に大きい有機劇料の層を形成する工程と、該有
機材料の層上１Ｃフオトレジスト膜を形成し該膜をパタ
ーニングする工程と、前記上層フォトレジストをマスク
にして下層の有機材料の層に等方性のドライエツチング
を施す工程と、電極材料の金属層を形成する工程と、下
層のフォトレジスト及び有機材料の膜を除去するととも
にフォトレジスト上の金属層をも除去する工程とを有し
て構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａｌ〜（ｅｌは本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した断面図である。
めに工程順に示した断面図である。
先ず、第１図（ａ） Ｋ示すように、電極を形成しよう
とする半導体基板例えは、８ｉ基板１上に絶縁膜として
８ｉ０ｚ膜２を形成し、従来の方法によシバターニング
する。
とする半導体基板例えは、８ｉ基板１上に絶縁膜として
８ｉ０ｚ膜２を形成し、従来の方法によシバターニング
する。
次に、第１図（ｂｌ Ｋ示すように、第１図の基板上に
通常の７オトレジス）Ｋ比べてドライエツチングたとえ
ば０２プラズマエツチングのエツチングレートが数倍程
度あるような有機材料１３、例えはポリメチルメタクリ
レ−）（ＰＭＭＡ）やポリイミドの層を形成し、その上
に通常の７オトレジスト１４によシバターンを形成する
。
通常の７オトレジス）Ｋ比べてドライエツチングたとえ
ば０２プラズマエツチングのエツチングレートが数倍程
度あるような有機材料１３、例えはポリメチルメタクリ
レ−）（ＰＭＭＡ）やポリイミドの層を形成し、その上
に通常の７オトレジスト１４によシバターンを形成する
。
次に、第１図（Ｃ１に示すように、上層のフォトレジス
ト１４をマスクとして等方性のドライエツチング、ここ
では０冨プラズマエツチングによシアンダーカット形状
、つｔｂ上層のフォトレジストがひさし状につき出した
形状を実現させる。
ト１４をマスクとして等方性のドライエツチング、ここ
では０冨プラズマエツチングによシアンダーカット形状
、つｔｂ上層のフォトレジストがひさし状につき出した
形状を実現させる。
次に、第１図（ｄｌ Ｋ示すように、第１図（ｃｌ Ｋ
示す基板の表面上に金属、例えはＡＩの層１５を形成す
る。このとき表面はアンダーカット状であるため、フォ
トレジストの側壁部分での金属は十分に離れて形成でき
連続状態には形成されない０次に、第１図（ｅ）に示す
ように、フォトレジスト１４及び有機材料１３をエツチ
ング等によって除去し、同時にその上のＡ７層をも除去
すると、図示されているように従来例で示したような不
要部分のＡ７層やひげ状の人ノ等は残ることがなく目的
とする電極を形成することができる。
示す基板の表面上に金属、例えはＡＩの層１５を形成す
る。このとき表面はアンダーカット状であるため、フォ
トレジストの側壁部分での金属は十分に離れて形成でき
連続状態には形成されない０次に、第１図（ｅ）に示す
ように、フォトレジスト１４及び有機材料１３をエツチ
ング等によって除去し、同時にその上のＡ７層をも除去
すると、図示されているように従来例で示したような不
要部分のＡ７層やひげ状の人ノ等は残ることがなく目的
とする電極を形成することができる。
以上説明したように、本発明によれば、良質の形状を有
する電極を容易に形成することができる。
する電極を容易に形成することができる。
第１図１３１〜（ｅｌは本発明の一実施例を説明するた
めに工程順に示した断面図、第２図（ａｌ〜（ｅｌは従
来のリフト・オフによる半導体装置の電極形成方法を説
明するために工程順に示した断面図である。 １・・・・・・８ｉ基板、２・・・・・・Ｓｉ０ｇ膜、
３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・Ａ７層
、４ａ・・・・・・不要部分Ａｌ。 ４ｂ・・・・・・ひげ状ＡＪ、１３・・・・・・有機材
料、１４・・・・・・フォトレジスト、１５・・・・・
・Ａ１層。
めに工程順に示した断面図、第２図（ａｌ〜（ｅｌは従
来のリフト・オフによる半導体装置の電極形成方法を説
明するために工程順に示した断面図である。 １・・・・・・８ｉ基板、２・・・・・・Ｓｉ０ｇ膜、
３・・・・・・フォトレジスト、４・・・・・・Ａ７層
、４ａ・・・・・・不要部分Ａｌ。 ４ｂ・・・・・・ひげ状ＡＪ、１３・・・・・・有機材
料、１４・・・・・・フォトレジスト、１５・・・・・
・Ａ１層。
Claims (1)
- 半導体基板上に通常のフォト・レジストに比べてドライ
・エッチングレートが非常に大きい有機材料の層を形成
する工程と、該有機材料の層上にフォト・レジスト膜を
形成し該膜をパターニングする工程と、前記上層フォト
・レジストをマスクにして下層の有機材料の層に等方性
のドライエッチングを施す工程と、電極材料の金属を形
成する工程と、下層のフォト・レジスト及び有機材料の
膜を除去するとともにフォト・レジスト上の金属層をも
除去する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304285A JPS61202427A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 半導体装置の電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4304285A JPS61202427A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 半導体装置の電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202427A true JPS61202427A (ja) | 1986-09-08 |
Family
ID=12652845
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4304285A Pending JPS61202427A (ja) | 1985-03-05 | 1985-03-05 | 半導体装置の電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202427A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854097A (en) * | 1989-09-09 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
-
1985
- 1985-03-05 JP JP4304285A patent/JPS61202427A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5854097A (en) * | 1989-09-09 | 1998-12-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a semiconductor device |
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