JPS61199643A - ワイヤボンダ - Google Patents
ワイヤボンダInfo
- Publication number
- JPS61199643A JPS61199643A JP60040413A JP4041385A JPS61199643A JP S61199643 A JPS61199643 A JP S61199643A JP 60040413 A JP60040413 A JP 60040413A JP 4041385 A JP4041385 A JP 4041385A JP S61199643 A JPS61199643 A JP S61199643A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- clamper
- wire
- capillary
- arrow
- tip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/78621—Holding means, e.g. wire clampers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/786—Means for supplying the connector to be connected in the bonding apparatus
- H01L2224/78621—Holding means, e.g. wire clampers
- H01L2224/78631—Means for wire tension adjustments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/851—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector the connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01039—Yttrium [Y]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1015—Shape
- H01L2924/1016—Shape being a cuboid
- H01L2924/10162—Shape being a cuboid with a square active surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はIC,LSI等の半導体チップのパッドと、外
部電極のリードとの間を金属細線で配線するワイヤボン
ダに関するものである。
部電極のリードとの間を金属細線で配線するワイヤボン
ダに関するものである。
従来の技術
近年ワイヤポンダは半導体装置を製造する上で、半導体
チップと外部電極とを配線する装置として、最も汎用性
があり、数多く利用されている。
チップと外部電極とを配線する装置として、最も汎用性
があり、数多く利用されている。
以下図面を参照しながら、従来のワイヤボンダの一例に
ついて説明する。
ついて説明する。
第2図は従来のワイヤボンダのワイヤ供給をするだめの
機構部を示すものである。第2図において、1はワイヤ
2が挿通されたキャピラリで、ワイヤ2の先端にボール
3が形成される。4はワイヤ2に摩擦抵抗を加える抵抗
クランパ、5はワイヤ切断用の第1クランパ、6はワイ
ヤ保持用の第2クランパ、7はワイヤ2にパックテンシ
ョンを加えるテンションバネである。キャピラリ1は超
音波ホーン(図示せず)の先端に取り付けられ、抵抗ク
ランパ4、第1クランパ6、第2クランパ6およびテン
ションバネ7と共に矢印入方向に上下可動である。8は
半導体チップ、9は外部電極、10は半導体チップ8が
接着され、外部電極9等の電気回路が形成された基板で
ある。11は基板1oを固着するXYテーブルで、水平
の任意の位置に移動可能である。
機構部を示すものである。第2図において、1はワイヤ
2が挿通されたキャピラリで、ワイヤ2の先端にボール
3が形成される。4はワイヤ2に摩擦抵抗を加える抵抗
クランパ、5はワイヤ切断用の第1クランパ、6はワイ
ヤ保持用の第2クランパ、7はワイヤ2にパックテンシ
ョンを加えるテンションバネである。キャピラリ1は超
音波ホーン(図示せず)の先端に取り付けられ、抵抗ク
ランパ4、第1クランパ6、第2クランパ6およびテン
ションバネ7と共に矢印入方向に上下可動である。8は
半導体チップ、9は外部電極、10は半導体チップ8が
接着され、外部電極9等の電気回路が形成された基板で
ある。11は基板1oを固着するXYテーブルで、水平
の任意の位置に移動可能である。
以上のように構成されたワイヤボンダについて、以下そ
の動作を説明する。
の動作を説明する。
第3図(IL)に示すようにキャピラリ1はポーlv3
を半導体チップ8に矢印B方向に押し付け、超音波撮動
と熱を加えて接続し、第3図中)に示すように第2クラ
ンパ6が開いてキャピラリ1が半導体チップ8から離れ
た後、基板8が移動し、再びキャピラリ1がワイヤ2を
外部電極9に押し付け、ワイヤ2を接続する。キャピラ
リ1が外部電極9から一定距離離れた時に第3図(0)
に示すように第1クランパ5が閉じ、第1クランパ6が
ワイヤ2をクランプした状態で矢印C方向に上昇し、ワ
イヤ2を外部電極9との接続点で切断する。その後、ワ
イヤ2の先端に電気放電等の方法でボーlv3を形成し
、第2クランパが閉じ第1クランパが開き第2図の状態
に戻る。
を半導体チップ8に矢印B方向に押し付け、超音波撮動
と熱を加えて接続し、第3図中)に示すように第2クラ
ンパ6が開いてキャピラリ1が半導体チップ8から離れ
た後、基板8が移動し、再びキャピラリ1がワイヤ2を
外部電極9に押し付け、ワイヤ2を接続する。キャピラ
リ1が外部電極9から一定距離離れた時に第3図(0)
に示すように第1クランパ5が閉じ、第1クランパ6が
ワイヤ2をクランプした状態で矢印C方向に上昇し、ワ
イヤ2を外部電極9との接続点で切断する。その後、ワ
イヤ2の先端に電気放電等の方法でボーlv3を形成し
、第2クランパが閉じ第1クランパが開き第2図の状態
に戻る。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記のような構成では、第3図中)に示す
ように、キャピラリ1が外部電極9上に下降する時に、
キャピラリ1の先端から出ているワイヤがそのままワイ
ヤポンディングされるので、第4図に示すように、ポン
ディングされたワイヤ12が曲がり、隣接するワイヤと
接触しショートする危険性があった。さらにキャピラリ
1.抵抗クランパ4.第1クランパ6、第2クランパ6
およびテンションバネ7と可動部の重量が大きいので、
ポンディングの高速化を妨げるという問題も有していた
。
ように、キャピラリ1が外部電極9上に下降する時に、
キャピラリ1の先端から出ているワイヤがそのままワイ
ヤポンディングされるので、第4図に示すように、ポン
ディングされたワイヤ12が曲がり、隣接するワイヤと
接触しショートする危険性があった。さらにキャピラリ
1.抵抗クランパ4.第1クランパ6、第2クランパ6
およびテンションバネ7と可動部の重量が大きいので、
ポンディングの高速化を妨げるという問題も有していた
。
本発明はポンディングされたワイヤの横方向の曲りを無
くし、隣接ワイヤとのショートを防ぎ、さらに可動部を
軽量化し、高品質で高速にポンディングが可能なワイヤ
ボンダを提供するものである。
くし、隣接ワイヤとのショートを防ぎ、さらに可動部を
軽量化し、高品質で高速にポンディングが可能なワイヤ
ボンダを提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のワイヤボンダは、
キャピラリと第1クランパが上下可動で、第2クランパ
は上下不動で、キャピラリが下降する時は第2クランパ
は閉じるタイミングを備えたものでおる。
キャピラリと第1クランパが上下可動で、第2クランパ
は上下不動で、キャピラリが下降する時は第2クランパ
は閉じるタイミングを備えたものでおる。
作用
本発明は上記した構成によって、第2ボンド位置に向っ
てキャピラリが下降する時、第2クランパがワイヤを保
持し、ワイヤに抵抗を加えるため、余分なワイヤはキャ
ピラリ先端から入り込み、最小限の長さのワイヤでポン
ディングを行なえるので、横方向に曲りのない形状のワ
イヤポンディングが可能である。さらに、上下方向の可
動部がキャピラリとキャピラリを保持する超音波ホーン
と第1クランパであるため、可動部の重量を軽減でき、
ポンディングの高速化を図ることができる。
てキャピラリが下降する時、第2クランパがワイヤを保
持し、ワイヤに抵抗を加えるため、余分なワイヤはキャ
ピラリ先端から入り込み、最小限の長さのワイヤでポン
ディングを行なえるので、横方向に曲りのない形状のワ
イヤポンディングが可能である。さらに、上下方向の可
動部がキャピラリとキャピラリを保持する超音波ホーン
と第1クランパであるため、可動部の重量を軽減でき、
ポンディングの高速化を図ることができる。
実施例
以下本発明の一実施例のワイヤボンダについて、図面を
参照しながら説明する。第1図(&)〜(h)は本発明
の一実施例におけるワイヤボンダのポンディング工程を
示すものである。第1図(IL)〜Φ)において、1は
ワイヤ2が挿通されたキャピラリで、ワイヤ2の先端に
ポー1v3が形成される。4はワイヤ2に摩擦抵抗を加
える抵抗クランプで、スプーIv(図示せず)に最も近
くに設けられる。6はキャピラリ1とワイヤ保持用クラ
ンパ6&との間に設けられるワイヤ切断用クランパであ
る。8は半導体チップ、9は外部電極、10は半導体チ
ップが接着され、外部電極e等の電気回路が形成された
基板である。基板10は水平方向の任意の位置に可動の
X丁テープ/I/(図示せず)に固着されている。13
はワイヤ2の垂み分を矢印り方向に真空コラムの原理で
吸い付けて、垂んだワイヤ2を収納するワイヤバッファ
で、抵抗クランパ4と第2クランパ6aとの間に設けら
れる。キャピラリ1、抵抗クランパ4.第1クランパ5
.第2クランパ6及びワイヤバッファ13の各ワイヤ2
の経路は一直線になるように配置されている。
参照しながら説明する。第1図(&)〜(h)は本発明
の一実施例におけるワイヤボンダのポンディング工程を
示すものである。第1図(IL)〜Φ)において、1は
ワイヤ2が挿通されたキャピラリで、ワイヤ2の先端に
ポー1v3が形成される。4はワイヤ2に摩擦抵抗を加
える抵抗クランプで、スプーIv(図示せず)に最も近
くに設けられる。6はキャピラリ1とワイヤ保持用クラ
ンパ6&との間に設けられるワイヤ切断用クランパであ
る。8は半導体チップ、9は外部電極、10は半導体チ
ップが接着され、外部電極e等の電気回路が形成された
基板である。基板10は水平方向の任意の位置に可動の
X丁テープ/I/(図示せず)に固着されている。13
はワイヤ2の垂み分を矢印り方向に真空コラムの原理で
吸い付けて、垂んだワイヤ2を収納するワイヤバッファ
で、抵抗クランパ4と第2クランパ6aとの間に設けら
れる。キャピラリ1、抵抗クランパ4.第1クランパ5
.第2クランパ6及びワイヤバッファ13の各ワイヤ2
の経路は一直線になるように配置されている。
以上のように構成されたワイヤボンダについて、以下そ
の動作を説明する。第1図(IL)に示すように、ワイ
ヤ2はキャピラリ1の先端から延出し、ワイヤ2の先端
には電気放電等でボー/L/3が形成されている。抵抗
クランパ4はスプー/L/(図示せず)から゛ワイヤ2
が必要量以上引き出されないように、常時閉じた状態で
ワイヤ2を引き出す時に抵抗を加える。この時第1クラ
ンパは開き、第2クランパは閉じている。ワイヤバッフ
ァ13は常時矢印り方向に真空で引かれて、真空コラム
の原理で垂んだワイヤ2を収納する。次に第1図(b)
に示すように、キャピラリ1と第1クランパ6が矢印B
方向に下降し、第2クランパ6&でワイヤ2に抵抗を加
えてキャピラリ1の先端にボー/L/3が密着した状態
で、ボーlv3が半導体チップ8に押し付けられ、超音
波振動と荷重と熱が加えられ接続される。次に第1図(
c) 、 ((1)に示すようにキャピラリ1と第1ク
ランパ6が矢印C方向に上昇し、基板10がXYテープ
/I/(図示せず)によって矢印E方向に移動され、外
部電極eがキャピラリ1の直下に位置決めされる。次に
第1図(15)に示すように、第2クランパ61Lが閉
じ、ワイヤ2に抵抗を加えた状態でキャピラリ1と第1
クランパ6が矢印B方向に下降する。この時、第1図(
Oに示すようにキャピラリ1の先端から出たワイヤ12
はキャピラリ1の先端より入り込むため、最小限の長さ
のワイヤがキャピラリが出た状態で、キャピラリ1はワ
イヤ12を外部電極9に押し付ける。次に第2クランパ
61Lが開き、キャピラリ1と第2クランパ6が矢印C
方向に上昇する。上昇の途中で一旦キャピラリ1と第1
クランパ6が停止し、第1図(q)に示すように第1ク
ランパ6が閉じて、その状態で再び矢印C方向に上昇し
始め、ワイヤ2が外部電極9の接続点で切断される。キ
ャピラリ1と第1クランパ6が上死点で静止した状態で
第2クランパ6aが閉じ、第1図(h)に示すように電
気放電等でワイヤ2の先端にボー/I/3が形成される
。
の動作を説明する。第1図(IL)に示すように、ワイ
ヤ2はキャピラリ1の先端から延出し、ワイヤ2の先端
には電気放電等でボー/L/3が形成されている。抵抗
クランパ4はスプー/L/(図示せず)から゛ワイヤ2
が必要量以上引き出されないように、常時閉じた状態で
ワイヤ2を引き出す時に抵抗を加える。この時第1クラ
ンパは開き、第2クランパは閉じている。ワイヤバッフ
ァ13は常時矢印り方向に真空で引かれて、真空コラム
の原理で垂んだワイヤ2を収納する。次に第1図(b)
に示すように、キャピラリ1と第1クランパ6が矢印B
方向に下降し、第2クランパ6&でワイヤ2に抵抗を加
えてキャピラリ1の先端にボー/L/3が密着した状態
で、ボーlv3が半導体チップ8に押し付けられ、超音
波振動と荷重と熱が加えられ接続される。次に第1図(
c) 、 ((1)に示すようにキャピラリ1と第1ク
ランパ6が矢印C方向に上昇し、基板10がXYテープ
/I/(図示せず)によって矢印E方向に移動され、外
部電極eがキャピラリ1の直下に位置決めされる。次に
第1図(15)に示すように、第2クランパ61Lが閉
じ、ワイヤ2に抵抗を加えた状態でキャピラリ1と第1
クランパ6が矢印B方向に下降する。この時、第1図(
Oに示すようにキャピラリ1の先端から出たワイヤ12
はキャピラリ1の先端より入り込むため、最小限の長さ
のワイヤがキャピラリが出た状態で、キャピラリ1はワ
イヤ12を外部電極9に押し付ける。次に第2クランパ
61Lが開き、キャピラリ1と第2クランパ6が矢印C
方向に上昇する。上昇の途中で一旦キャピラリ1と第1
クランパ6が停止し、第1図(q)に示すように第1ク
ランパ6が閉じて、その状態で再び矢印C方向に上昇し
始め、ワイヤ2が外部電極9の接続点で切断される。キ
ャピラリ1と第1クランパ6が上死点で静止した状態で
第2クランパ6aが閉じ、第1図(h)に示すように電
気放電等でワイヤ2の先端にボー/I/3が形成される
。
この時、第2クランパ61Lと抵抗クランパ40間で垂
んだワイヤ2はワイヤバッファ13に収納される。次に
第1クランパ6が開き、第1図(&)の状態に戻り、次
のボンディング点へ基板10が移動する。これらの一連
の動作を繰り返して、ワイヤボンディングを連続して行
なう。
んだワイヤ2はワイヤバッファ13に収納される。次に
第1クランパ6が開き、第1図(&)の状態に戻り、次
のボンディング点へ基板10が移動する。これらの一連
の動作を繰り返して、ワイヤボンディングを連続して行
なう。
以上のように本実施例によれば、キャピラリと第1クラ
yバが上下可動で、第2クランパは上下不動で、キャピ
ラリが下降する間は第2クランパは閉じるタイミングを
備えることにより、キャピラリ先端から出た余分なワイ
ヤは、キャピラリ先端から入り込むため、ポールをキャ
ピラリに密着させて第1ボンドが可能でボーpずれを無
くし、また、第2ポンドを行なう時にワイヤの横方向の
曲シを無くし隣接ワイヤとのショートを防止することが
できる。さらに、可動部分の重量の軽量化が可能なため
、ボンディングの高速化を図ることができる。
yバが上下可動で、第2クランパは上下不動で、キャピ
ラリが下降する間は第2クランパは閉じるタイミングを
備えることにより、キャピラリ先端から出た余分なワイ
ヤは、キャピラリ先端から入り込むため、ポールをキャ
ピラリに密着させて第1ボンドが可能でボーpずれを無
くし、また、第2ポンドを行なう時にワイヤの横方向の
曲シを無くし隣接ワイヤとのショートを防止することが
できる。さらに、可動部分の重量の軽量化が可能なため
、ボンディングの高速化を図ることができる。
発明の効果
以上のように本発明は、キャピラリと第1クランパが上
下可動で、第2クランパは上下不動で、キャピラリが下
降する間は第2クヲ/バは閉じるタイミングを備えるこ
とにより、ボンディングされたワイヤの横方向の曲りを
無くし、隣接ワイヤとのショートを防ぎ、さらに、可動
部の軽量化によりボンディングの高速化を図ることがで
きる。
下可動で、第2クランパは上下不動で、キャピラリが下
降する間は第2クヲ/バは閉じるタイミングを備えるこ
とにより、ボンディングされたワイヤの横方向の曲りを
無くし、隣接ワイヤとのショートを防ぎ、さらに、可動
部の軽量化によりボンディングの高速化を図ることがで
きる。
第1図(a)〜(h)は本発明の一実施例におけるワイ
ヤボンダのワイヤボンディング工程を示す図、第2′図
は従来のワイヤポンダの概略図、第3図(&)〜(0)
は従来のワイヤポンダのワイヤボンディング工程を示す
図、第4図は従来のワイヤボンダでワイヤボンディング
したワイヤ形状の平面図である。 1・・・・・・キャピラリ、2・・・・・・ワイヤ、4
・・・・・・抵抗クランパ、6・・・・・・第1クラン
パ、61L・・・・・・第2クランパ、13・・・・・
・ワイヤバッファ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
キャピラリ 、2−−−ワイ〒 f2−・−フ仰 第2図 イー−−キャ仁°ラリ 2−’)r’F’ 4−−−ネ’uたクランノX@ 第3図 (11<b) 第4図 4−−一千ヤ仁4ラリ 2−一−ワ1〒 4−−一蘭りランノ薯。 5−2−毛1 クラン八0 G−一塾2゜ 7−−−テンシ、ンバキ (C1 8・−一千尋qkテリ7゜
ヤボンダのワイヤボンディング工程を示す図、第2′図
は従来のワイヤポンダの概略図、第3図(&)〜(0)
は従来のワイヤポンダのワイヤボンディング工程を示す
図、第4図は従来のワイヤボンダでワイヤボンディング
したワイヤ形状の平面図である。 1・・・・・・キャピラリ、2・・・・・・ワイヤ、4
・・・・・・抵抗クランパ、6・・・・・・第1クラン
パ、61L・・・・・・第2クランパ、13・・・・・
・ワイヤバッファ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名1−
キャピラリ 、2−−−ワイ〒 f2−・−フ仰 第2図 イー−−キャ仁°ラリ 2−’)r’F’ 4−−−ネ’uたクランノX@ 第3図 (11<b) 第4図 4−−一千ヤ仁4ラリ 2−一−ワ1〒 4−−一蘭りランノ薯。 5−2−毛1 クラン八0 G−一塾2゜ 7−−−テンシ、ンバキ (C1 8・−一千尋qkテリ7゜
Claims (1)
- スプールから供給されるワイヤに引き出し抵抗を加える
抵抗クランパと、垂んだワイヤを収納するワイヤバッフ
ァと、上下可能なワイヤ切断用の第1クランパと、所定
の位置に固定されたワイヤ保持用の第2クランパと、ワ
イヤを半導体チップに接続する上下動可能なキャピラリ
とを備え、前記抵抗クランパと、キャピラリとの間に、
前記抵抗クランパ、ワイヤバッファ、第2クランパ、第
1クランパをこの順に配列すると共に、前記キャピラリ
が下降する時に前記第2クランパを閉じてワイヤに抵抗
を加えるようにしたワイヤボンダ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60040413A JPS61199643A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | ワイヤボンダ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60040413A JPS61199643A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | ワイヤボンダ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61199643A true JPS61199643A (ja) | 1986-09-04 |
JPH0458694B2 JPH0458694B2 (ja) | 1992-09-18 |
Family
ID=12579974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60040413A Granted JPS61199643A (ja) | 1985-03-01 | 1985-03-01 | ワイヤボンダ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61199643A (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834935A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | ボンディング方法 |
-
1985
- 1985-03-01 JP JP60040413A patent/JPS61199643A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5834935A (ja) * | 1981-08-25 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | ボンディング方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0458694B2 (ja) | 1992-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3747198A (en) | Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets | |
US4437604A (en) | Method of making fine wire interconnections | |
US6267287B1 (en) | Apparatus and method of clamping semiconductor devices using sliding finger supports | |
EP0297244A2 (en) | Single lead automatic clamping and bonding system | |
JPS61125062A (ja) | ピン取付け方法およびピン取付け装置 | |
KR20050023972A (ko) | 반도체 소자의 와이어 본딩 방법 | |
US6196445B1 (en) | Method for positioning the bond head in a wire bonding machine | |
US4068371A (en) | Method for completing wire bonds | |
US7014095B2 (en) | Wire bonding method, wire bonding apparatus and wire bonding program | |
JPS61199643A (ja) | ワイヤボンダ | |
EP0399838A2 (en) | Wire bonding apparatus and method | |
GB2177639A (en) | Ultrasonic wire bonder and method of manufacturing a semiconductor therewith | |
US5207786A (en) | Wire bonding method | |
JPH08203962A (ja) | チップ位置決め装置、チップステージおよびインナリードボンディング装置ならびに方法 | |
JPS62150854A (ja) | 電極形成方法および装置 | |
JP2000106381A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS589331A (ja) | 半導体装置のワイヤボンデイング装置 | |
JPS5925232A (ja) | ワイヤボンディング装置 | |
JPS5943537A (ja) | ワイヤボンデイング装置 | |
JP2539963B2 (ja) | ワイヤボンディング装置及びワイヤボンディング方法 | |
JPS5925377B2 (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
JPH06232132A (ja) | バンプ形成装置 | |
JPS6113380B2 (ja) | ||
JPH08316260A (ja) | ワイヤボンディング方法および半導体製造装置 | |
JP2586679B2 (ja) | ワイヤボンディング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |