JPS61190733A - 情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高エネルギ密度の光ビームを用いて情報をビッ
ト記録する情報記録媒体に関するものである。

従来の技術 近年、実時間での記録再生が可能な情報記録媒体として
光ディスクがあり、大容Ａ度メモリとして大いに期待さ
れている。これは例えば高速回転するディスクにレーザ
光を照射して情報記録層にビット記録し、再生光によっ
て読み取るものである。このような光ディスクを可能に
する情報記録層として、ＴｅＯ工（０＜１＜２　）薄膜
がある。

このＴｅＯはＴ　ｅ　Ｏ２とＴｏとの混合物であり、し
一ザ光照射尾よる熱により相変態が生じ、反射率変化に
よる記録ピットを形成するものである。熱による溶融ま
たは蒸′発で記録層に孔を形成する記録方式でないため
記録層の片側にエアギャップを設ける必要はなく、保護
層を直接、記録層上に形成することが可能である。また
ＴｅＯ工に添加剤としてＧｏ、Ｓｎ等を加えることによ
り、可逆的な相変態が可能となり、消去機能が付加され
る。記録そして消去の原理としては加熱急冷によって非
晶質状態として記録ビットを形成し、加熱徐冷によって
結、晶化状態として未記録状態に戻すものであり、何度
も記録そして消去を繰り返することかできる。

第３図はＴｏｏ工薄膜薄膜いた消去機能付光ディスクの
模式断面図である。レーザ光案内用トラック１を持つプ
ラスチック製（例えばポリカーボネート樹脂）のディス
ク基板２に５ｉｎ２．ＧａＯ２等の断熱層３を設け、そ
の上にＴｏｏ工を主体とする情報記録層５を形成する。

さらに情報記録層５の上にＳ　五〇　２　、　Ｇ　ｅ　
０２等の断熱層７を設は保護基板９を接着層８を介して
密着構造にして一枚のディスクとする。レーザ光だよる
記録時には、情報記録層６は４００　”Ｃ以上に加熱さ
れる。ディスク基板２に直接、情報記録層６を形成した
場合、記録時の熱でディスク基板２は記録ビットに対応
して形で変形を起こし、これが消去時における消し残り
の原因となる。そこで情報記録層５の前後に断熱層３，
７を設けてディスク基板２の熱による変形を防止し、何
度も記録・消去を繰り返すことができるようにしている
。

発明が解決しようとする問題点 消去機能付光ディスクの場合、追記型光ディスクと異な
り、同じトラックで何度も記録・消去を繰り返すことが
要求される。すなわち４００　”Ｃ以上の熱サイクルに
耐え得るものでなくてはならない。ところが、記録そし
て消去による熱サイクルが加わると、情報記録層６と断
熱層３，７の間に剥離が生じ、十分な翫録再特性が得ら
れず、消去時においても消去率の低下を招く。これは、
ＴｅＯ工薄膜薄膜熱溶融させ、その急冷あるいは徐冷で
記録・消去を行い、その瞬時の熱変化が熱膨張係数のミ
スマツチによる応力を発生させ、その繰り返しで剥離に
至っていたと考えられる。

そこで本発明は、記録・消去を何度も繰り返しても情報
記録層と断熱層の間で剥離が生じることのない情報記録
媒体を提供することを目的としている。

問題点を解決するための手段 本発明は上記問題点を解決するため、Ｔｏｏ工（０＜ｘ
＜２）を主体とする情報記録層の少なくとも一方の側に
断熱層を設け、かつ情報記録層と断熱層の間に両者の成
分の混合層を設けるようにしたものである。

作　　用 上記構成により、情報記録層と断熱層の熱膨張係数の差
は、両者の成分の混合層によって緩和されるとともに、
混合層を介することにより情報記録層と断熱層の密着強
度は非常に高くなり、記録・消去を繰り返しても、情報
記録層と断熱層の間で剥離が生じないようにすることが
できる。

実施例 以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。

第１図は本発明にもとづいて構成した光ディスクの模式
断面図である。レーザ光案内用トラック１を持つポリカ
ーボネート樹脂製のディスク基板２上に断熱層としてＳ
　ｚ　Ｏ２層３を蒸着によって１００　ｎｍの厚さで形
成する。Ｓ　ｉＯ２層３上に情報記録層のＴｅＯｘと断
熱層Ｓ　ｉＯ２の混合層４を２画から２０画の膜厚範囲
で形成する。この際、Ｔｏｏ、ｃ　成分はＳｉ０２層３
に近い部分で少なく、遠い部分で多くなるように制御し
、組成が連続的にシフトするようにする。この混合層４
の上に情報記録層であるＴｏｏ工層５をＩの値を１．１
として１２０ｎｍの厚さで形成する。この際、Ｔｅｏｘ
層５にはＧｓ　、　Ｓｎ等を添加して消去機能を持たせ
るようにする。Ｔ、ｄｏ工層５を形成する一例としてＧ
ｏ、Ｓｎ　等が添加されたＴｅＯ工焼結体を蒸着源とし
た電子ビーム蒸着法がある。このＴｅＯ工層６の上にＴ
ｏｏ工とＳｉＯ２の混合層６を２ｎｍから５０ｎｍの膜
厚範囲で形成した後、断熱層であるＳｉＯ２層７を１１
００ｎの厚さで形成する。

この際の混合層６も前述の混合層４と同様にＴｏｏ工成
分成分ｅＯ工層６に近い部分で多く、Ｓ　Ｌｏ　２　＃
了に近い部分で少なくなるように制御する。この方法と
してはＳｉＯ□とＴｏｏエ　の二元蒸着を行うことによ
って組成をシフトさせることは可能であり、第２図に示
す蒸着速度の時間的変化によってＳｉ０２層３．混合層
４　、Ｔｅａｘ層６．混合層６゜８１０２層７を形成す
れば、連続的な膜形成も可能となる。

８１０２層７を形成した後、ポリカーボネート製の保護
基板９を接着層８を介して密着構造にしてディスクを完
成させた。

このディスクを１２００τ−で回転させ、矢印１０（第
１図）の方からレーザ光を照射し、２ＭＨｚの単位周波
数を記録した。その結果、５ｅｄＢのＣハが得られ、混
合層を持たない場合（第３図）とほぼ同等のＣハ値が得
られた。また同一のトラックで記録・消去のサイクルテ
ストを行った結果、混合層を持たない場合（第３図）、
１０３　サイクルで情報記録層と断熱層の間で剥離が見
られたが、混合層を設けた本発明により１０６　サイク
ルでも剥離が見られず、大きな改善効果が得られる。

なお、実施例で断熱層をＳ　五〇　２としたが、Ｓｉｎ
。

Ａ１２ｏ３．ＧｅＯ２，Ｓｉ３Ｎ４としても同様の効果
が得られる。

また混合層において断熱層の成分と情報記録層の成分の
配合すなわち組成を連続的にシフトさせているが、その
代わりに、階段状に、いわば、多層膜状に組成をシフト
させても同様の効果となる。

また混合層を単一の混合組成としても、混合層を持たな
い場合に比べて効果は大である。

発明の効果 本発明はＴｏｏ工（０（ｘ（２）を主体とする情報記録
層の少なくとも一方の側に断熱層を設けかつ情報記録層
と断熱層の間に両者の成分の混合層を設けるようにした
もので、この混合−によって情報記録層と断熱層の熱膨
張係数の差は緩和されるとともに、情報記録層と断熱層
の密着強度は非常に高くなり、記録・消去を繰り返して
も、情報記録層と断熱層の間で剥離が生じないようにす
ることができ、その工業的価値は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における情報記録媒体の腹式
断面図、第２図は本発明を説明するためのＴｅａ！とＳ
　ｉＯ２の蒸着速度の時間的変化を示す特性図、第３図
は従来の情報記録媒体の模式断面図である。 ２・・・・・・ディスク基板、３，７・・・・・・断熱
層、４゜６・・・・・・混合層、６・・・・・・情報記
録層、９・・・・・・保護基板。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名第１
図

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）情報記録層の少なくとも一方の側に断熱層を設け
   、かつ前記情報記録層と前記断熱層の間に両者の成分の
   混合層を設けたことを特徴とする情報記録媒体。
2. （２）混合層において、厚さ方向で、情報記録層の成分
   の含有量は、情報記録層に近い部分で多く、情報記録層
   に遠い部分で少なくなるように設定した特許請求の範囲
   第１項記載の情報記録媒体。
3. （３）情報記録層はＴｅＯ＿ｘ（０＜ｘ＜２）を主体と
   する薄膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
   または第２項記載の情報記録媒体。
4. （４）断熱層はＳｉＯ＿２、ＳｉＯ、Ａｌ＿２Ｏ＿３、
   ＧｅＯ＿２、Ｓｉ＿３Ｎ＿４の中から選ばれた一種であ
   ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の情報記
   録媒体。