JPS6118914B2 - - Google Patents

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JPS6118914B2
JPS6118914B2 JP51142493A JP14249376A JPS6118914B2 JP S6118914 B2 JPS6118914 B2 JP S6118914B2 JP 51142493 A JP51142493 A JP 51142493A JP 14249376 A JP14249376 A JP 14249376A JP S6118914 B2 JPS6118914 B2 JP S6118914B2
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color
frequency
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pulse
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Naryuki Ochi
Hiroshi Yamazaki
Seisuke Yamanaka
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Sony Corp
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Priority to GB48994/77A priority patent/GB1576443A/en
Priority to IT30086/77A priority patent/IT1088314B/it
Priority to CA291,737A priority patent/CA1106965A/en
Priority to DE2752699A priority patent/DE2752699C2/de
Priority to CH1444877A priority patent/CH621026A5/fr
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Priority to AT0850177A priority patent/AT365874B/de
Priority to NL7713098A priority patent/NL7713098A/xx
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Publication of JPS6118914B2 publication Critical patent/JPS6118914B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/80Camera processing pipelines; Components thereof
    • H04N23/84Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/10Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
    • H04N25/11Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
    • H04N25/13Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements

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Description

【発明の詳細な説明】
本発明はCCD、BBDなどの半導体素子を固体
撮像体として使用した固体撮像装置に関する。 CCDを用いた固体撮像体にあつて被写体に対
応して得たキヤリヤの転送方式のうちにインタラ
イントランスフア方式がある。この転送方式をと
るCCD10は第1図で示すように垂直方向(図
では縦方向)に一列に配列形成された複数の絵素
1に対し、夫々1本の垂直シフトレジスタ2が設
けられており、夫々の垂直シフトレジスタ2から
のキヤリヤは水平シフトレジスタ3に1H分づつ
送られ、1H分の情報が端子7より読出されるよ
うに構成されている。図中、矢印はキヤリヤの転
送方向を示す。 キヤリヤを対応する絵素1に誘起させる撮像パ
ルスPSは端子4に供給され、垂直シフトレジス
タ2には端子5を通じて例えば2相の転送パルス
V(PV1,PV2)が供給される。水平シフトレ
ジスタ3には2相のクロツクパルス(サンプリン
グパルス)PHが供給される。6はその供給端子
である。 水平シフトレジスタ3に加えられるクロツクパ
ルスPHの周波数は、通常4.5MHzかそれ以上に
選ばれているが、このような周波数ではなく我が
国テレビジヨン方送の標準方式であるNTSC方式
のカラー映像信号の色副搬送波周波数に選定した
場合には、クロツク周波数を色副搬送波周波数に
変換する必要がないのでカメラ出力をNTSC方式
の信号に変換する際の信号処理回路が簡単にな
る。しかし、このようにクロツク周波数を色副搬
送波周波数に設定した場合には次のような問題が
惹起する。 NTSC方式では周知のように同一フイールド内
でライン毎に色副搬送波周波数fSの位相が反転
し、同一フレーム内でフイールド毎に位相が反転
し、2フレーム間でフレーム毎に位相が反転する
から、結局4フイールドで位相が元に戻ることに
なる。従つて、第1フイールド目の位相の目印を
「〇」で示し、以後第2〜第4フイールド目の各
位相の目印を「●」、「□」、「■」のようにあらわ
せば、色副搬送波周波数fSの位相関係は第2図
で示すようになる。τHは水平方向の繰返しピツ
チである。 CCD10の水平方向における絵素1の配列ピ
ツチをτHに選んだ場合、絵素1と色副搬送波周
波数fSの位相関係は第3図のようになる。絵素
1が全く存在しない垂直シフトレジスタ2からは
信号の読出しを行なうことができないから、垂直
シフトレジスタ2上の絵素に対応した信号は、こ
のレジスタ2の左右に存在する本来の絵素1で得
た信号を1/2τHに相当する時間だけシフトさせた
ものを使用する必要がある。そのため、色副搬送
波周波数fSの位相通りに信号を読出すには、必
ず位相調整回路を設けねばならないので、又、位
相調整用のスイツチング信号形成回路も必要とす
るから、回路構成が複雑になつて、クロツク周波
数を色副搬送波周波数に選定したメリツトを充分
生かすことができない。 位相補正して、正規な位相に合致させても、本
来の絵素を1/2τHだけ移動させる関係上、像の位
置づれは補正し得ない。 本発明はこのような点を考慮して、特に特殊な
信号の読出しによつて上述の欠点を一掃したもの
である。すなわち、従来は第4図に示すように、
1フイールドの期間内にすべての絵素1に蓄えら
れた信号を読出し、CCD出力としている。これ
に対し、本発明では、NTSC方式における色副搬
送波周波数の位相通りに信号の読出しを行なうも
のである。つまり、第5図で示すようにそのフイ
ールドによつて読出すべき絵素が定められる。尚
本案の第1実施例では第5図に示された読み出し
装置のCCDを3つ設けこれらCCDにはR、G、
Bの色信号を取出す為のフイルタを各々対応させ
ればよい。次に、本発明の具体例を第6図以下を
参照して説明するも、第5図で示すような読出し
を達成するためには夫々の絵素に設けられた同一
の電極を2分し、例えば第6図で示すように第1
及び第2フイールド目に読出すべき絵素(斜線図
示)と、第3及び第4フイールド目に読出すべき
絵素(無印)とに分割し、夫々に所望とする撮像
パルスPS1,PS2(後述する)を供給すればよ
い。 この特殊な信号読出しを行なうCCD10の構
成を第7図以下を参照して説明するも、第7図は
CCD10の平面的な構成図、第8図以下第11
図まではCCD10の各部の断面図を示す。第7
図において、S1〜S4は絵素を示し、添字「1」〜
「4」はフイールドを示す。垂直方向に配列形成
された一列の絵素群について考察すれば、これら
は信号の転送方向に向つて第1から第4フイール
ド目に対応する絵素が4フイールドを単位周期と
して順次配列され、絵素と絵素との間は斜線図示
のチヤンネルストツパ11が形成される。チヤン
ネルストツパ11は絵素の四周をほぼ囲繞する如
く形成され、垂直方向に延びるチヤンネルストツ
パ11と絵素1との間にはオーバーフロードレイ
ン12が形成される。GDはこのオーバーフロー
ドレイン12に対するコントロールゲートであ
る。 垂直方向に延びるこれら一列の絵素群に対し、
一本の垂直シフトレジスタ2が設けられている。
このレジスタ2は2相の転送パルスPV1,PV2
て駆動されるため、2相用の電極φV1,φV2が形
成される。これら電極φV1,φV2は夫々キヤリヤ
転送時における方向づけをなすため第9図で示す
ように半導体基体13の上面13aに形成された
SiO2等の絶縁層14の厚みを変え、ポテンシヤ
ル15の深さ(実線図示)を異ならせてバリヤを
形成し、厚みの薄い絶縁層14の直下にポテンシ
ヤルのウエル15aが形成されるようにしてい
る。従つて、以後厚みの薄い絶縁層14に設けら
れた電極をストレージ電極とし、φV1(S),φV
(S)で表わす。同様に厚みの厚い絶縁層14
に対応する電極をトランスフア電極とし、φV1
(T),φV2(T)で表わす。 絵素1と夫々のストレージ電極φV1(S),φV
(S)との間には絵素1のキヤリヤをポテンシ
ヤルウエル15aに移すためのゲートφGが設け
られるも、このゲートφGは第8図で示すように
ストレージ電極φV1(S),φV2(S)の一部で
あつて、SiO2層14の厚みだけが異なる。 本発明では絵素1に対して設けられる撮像パル
ス供給用の電極φSが第6図で示したように2つ
に分割され、夫々に所望とする撮像パルスPS1
S2が供給される。すなわち、第1及び第2フイ
ールド目で夫々用いられる絵素S1及びS2に対し、
第1の電極φS1が共通に設けられ、同様に第3及
び第4のフイールドでの絵素のS3及びS4に対し第
2の電極φS2が設けられる。これら電極φS1,φ
S2は夫々の絵素の領域及びオーバーフロードレイ
ン12の各ゲートGDをおおうように形成され
る。なお、電極φS1,φS2はいずれも透明電極が
使用されるものである。 ここで、このCCD10は各電極φS,φVへの
印加電圧が“1”から“0”に変わることによつ
てポテンシヤルウエルは浅くなるものとする。絵
素1及び垂直シフトレジスタ2には第12図A〜
Dに示すパルスが供給される。第1及び第2の電
極φS1,φS2に供給される撮像パルスPSは従来
と同様被写体の光情報に応じたキヤリヤを誘起さ
せるための蓄積パルスPSCとこのキヤリヤをレジ
スタ2に転送するためのパルス(以下ゲートパル
スという)PSTとからなり、4フイールド
(4V)を単位周期とする。 第1の電極φS1に供給される第1の撮像パルス
S1は第12図Aで示すように第1及び第2フイ
ールド目の各垂直ブランキング期間(V・
BLK)にゲートパルスPSTを有する。これに対
して、第2の電極φS2に供給される第2の撮像パ
ルスφS2は第3及び第4フイールド目にゲートパ
ルスPSTを有する。 一方、各垂直レジスタ2の第1及び第2の電極
φV1,φV2に供給される第1及び第2の転送パル
スPV1,PV2(PV2V1)は第12図C及びD
に夫々示すようにフイールド毎にその位相が反転
するパルスが用いられる。 次にこのようなパルスによるCCD10の読出
動作について第8図及び第9図を参照して説明す
るも、本例では第1フイールド目(第12図1の
期間)の信号読出し動作を述べる。ほぼ1垂直期
間に相当する蓄積期間、CCD10のポテンシヤ
ルは第8図実線で示すようなポテンシヤルとなつ
ているので、被写体像に応じて対応する絵素にキ
ヤリヤが誘起される。ただし、この蓄積期間中、
垂直転送のため、転送パルスPV1,PV2は交互に
印加電圧“1”、“0”が加えられるが、簡略化の
ため第8図は電極φV1の直下のポテンシヤルウエ
ルが深い場合のある時点のみを示している。第1
の撮像パルスPS1が印加された絵素S1,S2のキヤ
リヤは蓄積期間に続く転送期間で垂直シフトレジ
スタ2に転送される。ここで、レジスタ2に形成
された電極φV1,φV2には位相が反転した転送パ
ルスPV1,PV2が夫々供給されているので、その
位相関係を例えば第12図C及びDの如く選定す
れば、転送パルスPV1,PV2の電位関係によつて
転送期間中電極φV1直下のポテンシヤルウエルの
み深くなる。すなわち、レジスタ2のポテンシヤ
ル関係は第9図実線図示の如くなるから絵素S1
おけるキヤリヤだけがレジスタ2にゲートφG
通じて転送される。従つて、絵素S2に誘起された
キヤリヤは例えS1,S2に対する共通電極φS1の電
位が“0”となつても転送されない。 転送期間が終了したのちは、レジスタ2に第1
2図で示すように1Hを周期とする転送パルスPV
,PV2が供給されるので、水平ブランキング期
間を利用して従来装置と同様キヤリヤは水平シフ
トレジスタ3側に転送される。転送時のポテンシ
ヤル関係は第9図に示す通りである。 水平シフトレジスタ3にパラレル転送されたキ
ヤリヤはこのレジスタ3に印加されるクロツクパ
ルスPHにて1絵素づつ順次読出される。以上の
如き3チツプのCCDを用いた時にはクロツクパ
ルスPHの周波数は上述したように色副搬送波周
波数に選ばれている。 転送パルスPV1,PV2は1V毎に位相が反転する
ので、第2フイールド目に至ると、今度は他方の
転送パルスPV2によつて電極φV2直下のポテンシ
ヤルのみ深くなり、その結果絵素S2におけるキヤ
リヤだけがレジスタ2に転送されると共に、1H
間隔でそのキヤリヤが水平シフトレジスタ3に転
送され、これが順次読出される。前半2フイール
ドのキヤリヤの流れを第13図に示す。実線矢印
が第1フイールド、破線矢印が第2フイールドで
ある。 以下同様にして後半の2フイールドも第2の撮
像パルスPS2と転送パルスPV1,PV2の組合せに
よつて絵素S3→絵素S4の順でフイールド毎にキヤ
リヤの読出しが行なわれる。後半2フイールドに
おけるキヤリヤの流れを第14図に示す。 このようなパルスを用いて信号の読出しを行な
えば、色副搬送波周波数fSの位相と等しい信号
の読出しを行なうことができるから、例えば3個
のCCDを用意し、夫々の前面にはR〜Bを透過
光とする単色フイルタを配すると共に、夫々の
CCDで得た出力を合成すれば、各原色信号のキ
ヤリヤ周波数が3.58MHzである目的とするカラ
ー映像信号を得ることができる。 以上説明したように本発明の3チツプのCCD
を用いた方式では水平シフトレジスタ3に供給さ
れるクロツクパルスPHの周波数を、我が国テレ
ビジヨン放送の標準方式であるNTSC方式におけ
る色副搬送波周波数fSに等しく選ぶと共に、色
副搬送波周波数fSの位相通りに信号読出しを行
なうようにしたものである。従つて本発明によれ
ば、従来装置のように原色信号のキヤリヤ周波数
を色副搬送波周波数fSに変換するための信号処
理回路を省略できると共に、キヤリヤ周波数を色
副搬送波周波数fSに選定した場合の位相補正を
必要としないから、そのための位相補正回路及び
これを駆動するに必要な回転系を全く必要としな
いから、回路構成を大巾に簡略化できる特徴を有
するものである。 そして、本発明では空間的な絵素配列と再生さ
れた絵素配列とが同じになるから、再現像の劣化
がない。上述した位相補正する従来装置では位相
補正のため空間的な絵素配列と再生された絵素配
列とが一致せず1/2τHだけ左右にずれるので再現
像が劣化する欠点を有する。 ところで、上述した実施例は夫々1本の絵素列
に対し1本の垂直シフトレジスタが設けられた
CCDについて説明したが、垂直シフトレジスタ
の共用化を図つた、すなわち2本の絵素列に対し
て1本のレジスタが設けられているようなCCD
にも適用することができる。このレジスタ共用の
CCDを便宜的に変形CCDと呼称すれば、この変
形CCDの構成は第15図に示す通り、1本の垂
直シフトレジスタ2に対し、その左右に配列形成
された絵素列を組とし、これが水平走査方向に多
数配列され、組と組との間はオーバーフロードレ
イン12が形成される。斜線領域11は上述した
と同様にチヤンネルストツパの領域を示す。夫々
のフイールドで読出すべき絵素は前述の場合と同
様であるから、第7図で示したような電極配線が
行なわれる。詳細説明は割愛する。 第16図は第8図に対応した断面図で、そのポ
テンシヤル関係は図の通りである。従つて、この
ポテンシヤルは第1フイールド目の蓄積期間(実
線図示)と転送期間(破線図示)のときの関係で
ある。 変形CCDを用いたときのパルス関係は第12
図に示した場合と同じ時系列をとるパルスが使用
される。各フイールドでの信号(キヤリヤ)の流
れを前述したと同様に第17図及び第18図に示
す。 このような変形CCD10を用いても、水平シ
フトレジスタ3に印加するクロツクパルスPH
周波数を色副搬送波周波数fSに選び、かつその
位相通りに信号の読出しを行なえば、上述したと
同様な効果を奏しうる。又この変形CCDによれ
ば水平方向における2絵素分の占有領域は従来に
比し2/3程度になり、小型化と高解像度化を達成
できる。 第19図以下の実施例はCCDを2個又は1個
使用して所望とするカラー映像信号を得る場合の
一例で、最初に2個のCCDによる場合を例示し
よう。 NTSC方式のカラー映像信号E0のうち搬送色信
号は周知のように色副搬送波がR及びBの色差信
号R−Y,B−Yで夫々変調されたものとして表
わされているから、2個のCCDを用いてカラー
映像信号を形成する場合、CCDの各カメラ出力
としてこれら色差信号が直接得られるように構成
した方が信号処理系を簡略化する上で好ましい。
次にそのためのフイルタ及び回路系について説明
する。 Rの色差信号を得るためのフイルタから説明す
るも、RとYの色情報は180゜の位相差を有する
ので、第5図の読出し関係を満足するR−Yの仮
想の色フイルタ20は第19図で示すようにな
る。今水平走査方向における2絵素を1ピツチと
し、RとYが交互に得られるように分光特性を選
定すると、第1フイールド目と第2フイールド目
のフイルタは図の上段に掲げる色光となる。第3
フイールド目の色副搬送波周波数fSの位相は第
1フイールド目と逆相関係にあり、同様に第2フ
イールドと第4フイールドの位相も逆相になるか
ら、これら後半のフイールド(3、4フイール
ド)での分光特性は前半のフイールド(1、2フ
イールド)とは逆になる。従つてフイルタの色光
は下段のようになる。 ここで、1つの絵素の領域に対応したこのフイ
ルタの単位領域から、あるフイールドではRの色
光が透過し、他のフイールドではYの色光が透過
するように、すなわち異つた2つの色光を同一の
単位領域から得られるように構成することは不可
能である。つまり例えば第19図の同一の1つの
絵素より第1フイールド目にR信号を、第3フイ
ールド目にはY信号を得ることは出来ない。 そこで、本例では前半のフイールド(1、2フ
イールド)に対応した色光をそのフイルタ20の
上段に示された分光特性として選定し、後半のフ
イールド(3、4フイールド)はこの後半のフイ
ールドで得られる出力の反転出力を利用する。こ
うすれば、第19図に示した仮想のフイルタと同
じ出力を得ることができる。 従つて、本例では第20図で示すモザイク状の
色フイルタ20Aが使用される。同様に第20図
Aと第19図を対象して分る如く、フイルタ20
Aの分光特性は第19図の各絵素の上段に示され
た、つまり前半フイールド(1、2フイールド)
を走査した時に表わされる特性を持ち、後半フイ
ールド(3、4フイールド)ではこれら前半フイ
ールドの出力1R,1Y,1R,1Y……,2
Y,2R,2Y,2R……を電気的に反転する様
になす。Bの色差信号はB及びYを透過光とする
色フイルタ20Bにて得ることができる。但し、
NTSC標準方式の信号はRとBの色差信号間には
周知のように90゜の位相差があるので、実際の装
置では例えば図で示すよう90゜に相当する距離だ
けずらせばよい。但し、これは電気的にデレーラ
イン等を利用して処理しても勿論可能である。 以上の2枚の色フイルタ20A,20Bを使用
したときの回路系の一例を第21図に示す。 一対のCCD10A,10Bに印加されるクロ
ツクパルスPHの周波数は第19図で示すように
1/2ピツチ目にある絵素の情報をも読出す必要が
あるため、色副搬送波周波数fSの2倍に選定さ
れる。後段のサンプリングホールド回路21A,
21Bも同一のクロツクパルスPHで駆動され
る。CCD10A,10Bで得た撮像出力(点順
次信号)SA,SBはγ補正回路等を含むプロセス
回路22A,22Bを経て輝度信号及び色差信号
の各処理回路23,24A,24Bに供給され
る。 輝度信号Yの処理回路23から説明するも、
夫々の撮像出力SA,SBは第22図A及びBに示
すような信号から成り立つているので、スイツチ
ング周波数が2fSに選定されたスイツチSW1が設
けられ、両出力SA,SBが合成される。合成出力
C(第22図C)は更にfSをサンプリング周波
数とするサンプリングホールド回路25に供給さ
れ、合成出力SC中より輝度信号成分YR,YB
(YRはCCD10Aで得た成分、YBは他方のCCD
10Bで得た成分)が抽出され、その出力はロー
パスフイルタ26に供給され、例えば1〜2MHz
程度までの低域成分からなる輝度信号が形成され
る。 一方、合成出力SCは更に上述のフイルタ特性
と同一に選定されたローパスフイルタ27に供給
され、その出力はこのフイルタ27を介さない出
力と共に減算器28に供給されることによつて、
合成出力SC(R及びBの原色信号も含む)のう
ち高域成分のみ出力され、この出力は上述した低
域成分と共に加算器29に供給される。その結
果、最終的な輝度信号Yはその低域成分は本来の
輝度信号YR,YBからなり、高域成分は合成出力
Cの高域成分が利用されるものである。 なお、30はフイルタ27の介在によつて生ず
る時間遅れを補償する遅延回路である。 R及びBの色差信号の処理回路24A,24B
は同一に構成されているので、一方だけ説明しよ
う。R−Yの処理回路24Aはバンドパスアンプ
31Aと位相反転回路32Aと2V毎に切換わる
スイツチSW2から構成される。Rの色差信号はク
ロツク周波数fSを中心とした側波帯成分が使用
されるので、バンドパスアンプ31Aの帯域巾は
クロツク周波数fSを含むように設定される。第
3及び第4フイールド目の色差信号は第19図で
説明したように反転出力を利用すればよいので、
後半のフイールドのときスイツチSW2を点線の如
く切換えればよい。 このようにして得たR及びBの色差信号と輝度
信号Yは夫々カラーエンコーダ33に供給され、
従つて端子34からは目的とするNTSC方式のカ
ラー映像信号SNTSCが得られることになる。 第23図以下は1個のCCDでカラー映像信号
NTSCを得るようにした場合で、第23図はその
とき使用されるフイルタの一例である。このフイ
ルタ20はR,G,Bの縦型ストライプフイルタ
として構成され、信号の読出し順序は前述したと
同様である。 この色フイルタ20を用いたカラー固体撮像装
置の一例を第24図に示す。輝度信号Yの処理回
路23は第21図の場合とほぼ同様に構成される
も、輝度信号Yを構成する低域成分は次のように
形成される。本例では原色信号をマトリツクスし
て形成するのではなく、点順次に得られるR〜B
の各原色信号から直接NTSC方式の輝度信号が得
られるようにしたもので、ローパスフイルタ26
の前段にゲート回路40が設けられる。ゲート回
路40には例えば第25図Aで示すようなCCD
10で得た撮像出力SDが供給される。 ゲート回路40を制御するゲート信号Sg1
CCD10に供給されるクロツクパルスPHに同期
したこのパルスと同一周波数のパルス信号である
が、パルス巾はゲートすべき原色信号に応じて相
違する。すなわちNTSC方式の輝度信号Yのレベ
ルEYは周知のように、 EY=0.30R+0.59EG+0.11EB ……(1) (ER〜EBはR〜Bの原色信号のレベル) で表わされるから、各ゲート出力のレベルがこの
(1)式を満足するためには、各原色信号R〜Bに対
応したパルス巾τR1〜τB1を τR1/0.30=τG1/0.59=τ
/0.11………(2) のように選定すればよい(第25図B)。こうす
ると同図Cで示すようなゲート出力(パルス巾変
調出力)PG1が得られるから、ローパスフイルタ
26を通すことによつてNTSC方式の輝度信号と
全く同じレベル関係を有した低域成分を得ること
が可能になる。41はパルス信号Sg1の形成回路
である。 従つて、この信号処理によればNTSC方式の輝
度信号とするため、各原色信号の同時化回路やマ
トリツクス回路が不要となる。 R及びBの各色差信号の処理回路24も輝度信
号の場合と同様にパルス巾変調方式を利用すれば
よい。パルス巾変調するため、ゲート回路44と
ゲート信号形成回路45が設けられる。ゲート信
号Sg2は第26図Bで示すようにR〜Bの各原色
信号をゲートするためのパルス巾τR2〜τB2は τR2/0.63=τB2/0.59=τ
/0.45………(3) の如く選ばれる。そしてRの原色信号をゲートす
るパルスを位相中心に考えたとき、このパルスと
次のB原色信号をゲートするためのパルスとの位
相差θRB及びGゲートパルスとの位相差θRG
夫々120゜及び240゜に選ばれているのではなく、
計算で求めた結果、
【表】 の如く選ばれる。バースト信号に対するRの原色
信号の関係を第27図で示すように設定したと
き、ゲート出力PG2(第26図C)をバンドパス
アンプ31に供給することによつてその出力EC
は、 EC(t)=K{0.63Rcos(ωSt+13.5゜) +0.45Bcos(ωSt+13.5゜−116.5゜) +0.59Gcos(ωSt+13.5゜−222.9゜)} =K{R−Y/1.14cosωSt+B−Y/2.03
sinωSt}……(5) K:定数 ωS:クロツクパルスPHの角周波数 となる。すなわち、パルス巾変調されたゲート出
力PG2をバンドパスアンプ31に供給すれば、
NTSC方式における搬送色信号SCが直接得られ
ることになる。それ故、この方式によればクロツ
ク周波数を中心とした側波帯成分を検波し、その
後エンコーダに加えて変調して搬送色信号を形成
するような信号処理回路を必要としない。 以上のようにして得た輝度信号Y及び搬送色信
号SCは加算器47にて同期盤35で得た同期信
号(VC、HD、バースト信号等)と加算される。 以上より分る如くCCDチツプ10より読み出
された色信号の繰返し周波数がNTSCの色副搬送
波周波数fSに等しい様にクロツクパルスPHを選
ぶもので、各色に対応して3チツプが用いられた
ときはPH=fSとなり、1チツプよりR、G、B
の信号を得る時にはPH=3fSに、2チツプよりR
−Y、B−Yを得る場合にはPH=2fSになる関係
に選ぶ。 以上説明したように本発明ではNTSC方式の色
副搬送波周波数fSの位相通りに信号を読出して
所期の目的を達成できるようにしたもので、使用
するCCDの数には何ら制限をうけない。CCDと
しては埋込みチヤンネル型でも勿論よい。
【図面の簡単な説明】
第1図はインタライントランスフア方式による
固体撮像体の一例を示す構成図、第2図はNTSC
方式の色副搬送波信号の位相関係を説明するため
の図、第3図は固体撮像体との関係を示す図、第
4図は従来の信号読出しを説明するための図、第
5図は本発明による信号読出しを説明するための
図、第6図は信号読出しと電極の間係を示す図、
第7図は本発明による固体撮像装置に適用して好
適な固体撮像体の一例を示す構成図、第8図〜第
11図は各部の断面図、第12図は固体撮像体を
駆動するに必要なパルス波形図、第13図及び第
14図はキヤリヤ転送方向を示す図、第15図は
他の固体撮像体の一例を示す第7図と同様な構成
図、第16図はその−線上断面図、第17図
及び第18図はキヤリヤ転送方向を示す図、第1
9図は2個の固体撮像体を使用したときの色フイ
ルタの基本的概念図、第20図は色フイルタの具
体例を示す構成図、第21図は回路系の一例を示
す要部の系統図、第22図はその動作説明に供す
る図、第23図は1個の固体撮像体を使用したと
きの色フイルタの構成図、第24図はそのときに
使用される回路系の一例を示す系統図、第25図
〜第27図はその動作説明に供する図である。 10は固体撮像体、PSは撮像パルス、PVは転
送パルス、PHはクロツクパルス、φS1,φS2
第1及び第2の電極、φV1,φV2は転送電極、
1,S1〜S4は絵素、2は垂直シフトレジスタ、3
は水平シフトレジスタである。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被写体が投影される固体撮像体の絵素が水平
    及び垂直方向に夫々所定ピツチでマトリクス状に
    配され、上記固体撮像体は上記絵素に蓄積された
    電荷を垂直方向に転送する複数の垂直シフトレジ
    スタと該複数の垂直シフトレジスタによつて転送
    された電荷を水平方向に転送する水平シフトレジ
    スタとを有し、上記水平シフトレジスタに供給さ
    れるクロツクパルスの周波数を上記水平シフトレ
    ジスタの出力端で得られる色信号の繰り返し周波
    数がNTSCテレビジヨン方式の色副搬送波周波数
    と等しくなるように選定すると共に、上記マトリ
    クス状に配された絵素をNTSCテレビジヨン方式
    の連続する4フイールドの夫々に個別に割りふ
    り、任意のフイールドで1水平ライン置きにかつ
    1絵素置きの位置に配列された絵素に蓄積された
    電荷を読み出すようにし、読み出された信号の連
    続する2水平ライン間で位相が互いに反転するよ
    うにしたことを特徴とする固体撮像装置。
JP14249376A 1976-11-26 1976-11-26 Solid state pick up unit Granted JPS5377131A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11510910B2 (en) 2016-02-23 2022-11-29 Tva (Abc), Llc HSP90 targeted conjugates and particles and formulations thereof

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5562438A (en) * 1978-11-02 1980-05-10 Olympus Optical Co Ltd Reversal image pickup apparatus
GB2048609B (en) * 1979-03-30 1983-05-25 Hitachi Electronics Solid-state colour imaging camera
EP0026904A3 (en) * 1979-10-04 1981-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state image pick-up device
US4500914A (en) * 1981-08-01 1985-02-19 Sharp Kabushiki Kaisha Color imaging array and color imaging device
US4734774A (en) * 1981-08-14 1988-03-29 Texas Instruments Incorporated CCD imager video output defect compensation
US4521106A (en) * 1982-08-18 1985-06-04 Eastman Kodak Company Image sensor and rangefinder device with background subtraction using interlaced analog shift register
US4829368A (en) * 1986-04-07 1989-05-09 Fuji Photo Film Co., Ltd. Solid color pickup apparatus
JP2755691B2 (ja) * 1989-06-16 1998-05-20 株式会社東芝 固体撮像装置
US5719624A (en) * 1989-07-18 1998-02-17 Canon Kabushiki Kaisha Image recording apparatus with arithmetic processing
KR930002818B1 (ko) * 1990-05-11 1993-04-10 금성일렉트론주식회사 Ccd 영상소자
US5956085A (en) * 1996-11-07 1999-09-21 Umax Data Systems Inc. Apparatus for increasing the sample frequency of scanning
US6388415B1 (en) * 2000-10-06 2002-05-14 Realtek Semi-Conductor Co., Ltd. System and method for controlling a step motor in a scanner

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4071853A (en) * 1974-03-29 1978-01-31 Sony Corporation Solid state television camera
JPS5654115B2 (ja) * 1974-03-29 1981-12-23
JPS5737151B2 (ja) * 1974-08-22 1982-08-07
GB1522487A (en) * 1974-08-29 1978-08-23 Sony Corp Solid state colour television cameras
JPS5937629B2 (ja) * 1975-01-30 1984-09-11 ソニー株式会社 固体撮像体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11510910B2 (en) 2016-02-23 2022-11-29 Tva (Abc), Llc HSP90 targeted conjugates and particles and formulations thereof

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Publication number Publication date
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NL7713098A (nl) 1978-05-30
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GB1576443A (en) 1980-10-08
CA1106965A (en) 1981-08-11
FR2372559A1 (fr) 1978-06-23
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AU3088277A (en) 1979-05-31
DE2752699A1 (de) 1978-06-29
ATA850177A (de) 1981-06-15
US4175268A (en) 1979-11-20
CH621026A5 (ja) 1980-12-31

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