JPS61188579A - 薄膜ｅｌパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌパネルの製造方法Info
- Publication number
- JPS61188579A JPS61188579A JP60029096A JP2909685A JPS61188579A JP S61188579 A JPS61188579 A JP S61188579A JP 60029096 A JP60029096 A JP 60029096A JP 2909685 A JP2909685 A JP 2909685A JP S61188579 A JPS61188579 A JP S61188579A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- positive resist
- layer
- resist layer
- back electrode
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は薄膜也Ｌパネルの製造方法に関し、特にマト
リクス型ディスプレイパネルの背面電極を形成する場合
に利用される。
リクス型ディスプレイパネルの背面電極を形成する場合
に利用される。
従来の技術
薄膜ＥＬマトリクス型ディスプレイパネルの構造例を、
第６図を参照して説明する。なお、第６図の左半分はＸ
方向、の断面図を示し、右半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面図を示す。図において、１は透明なガラス基板
、２はガラス基板１上に形成されたマトリクス型ＥＬ素
子、３はガラス基板１上でＨ２Ｌ素子２を気密封止する
逆皿状のカバーガラス、４はガラス基板１とカバーガラ
ス３とで構成される密閉溶器５内に封入されたｇＬ素子
２の保護用のシリコンオイル等の絶縁性保護流体である
（特公昭５７−４７５５９号公報）。
第６図を参照して説明する。なお、第６図の左半分はＸ
方向、の断面図を示し、右半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面図を示す。図において、１は透明なガラス基板
、２はガラス基板１上に形成されたマトリクス型ＥＬ素
子、３はガラス基板１上でＨ２Ｌ素子２を気密封止する
逆皿状のカバーガラス、４はガラス基板１とカバーガラ
ス３とで構成される密閉溶器５内に封入されたｇＬ素子
２の保護用のシリコンオイル等の絶縁性保護流体である
（特公昭５７−４７５５９号公報）。
ｒｉｉＪ記ＥＬ素子２は、ガラス基板ｌ上にＩ、 Ｔ、
Ｏ，を蒸着法等でＸ方向に所定ピ・フチで多数のスト
ライプ状に形成した透明電極６と、透明電極６上を覆う
Ｙ、０３等の透明な第１絶縁層７と、第１絶縁層７上に
それよりも小面積に形成されたＺｎＳ：Ｍｎ′等の螢光
体よりなる発光層８と、発光層８上にそれよりも大面積
に形成された前記第１絶縁層７と同一または異種材料よ
りなる第２絶縁層９と、第２絶縁層９上に前記透明電極
６と直交するＹ方向に所定ピ・フチで多数のストライプ
状に形成されたＡｔ等よりなる背面型ｇｉｉ１０とで構
成されている。
Ｏ，を蒸着法等でＸ方向に所定ピ・フチで多数のスト
ライプ状に形成した透明電極６と、透明電極６上を覆う
Ｙ、０３等の透明な第１絶縁層７と、第１絶縁層７上に
それよりも小面積に形成されたＺｎＳ：Ｍｎ′等の螢光
体よりなる発光層８と、発光層８上にそれよりも大面積
に形成された前記第１絶縁層７と同一または異種材料よ
りなる第２絶縁層９と、第２絶縁層９上に前記透明電極
６と直交するＹ方向に所定ピ・フチで多数のストライプ
状に形成されたＡｔ等よりなる背面型ｇｉｉ１０とで構
成されている。
発明が解決しようとする問題点
ところで、前記背面電極１０は、通常マスクを用いたＡ
ｔの蒸着によって形成されるが、ＥＬ素子２０表面の凹
凸や、ＥＬ素子２がガラス基板ｌから突出していること
や、下地加熱を行なうとマスクが延びて密着性が悪くな
ること等によって、所定の幅のストライプ状の背面型［
１０を精度よく形成することが困難である。
ｔの蒸着によって形成されるが、ＥＬ素子２０表面の凹
凸や、ＥＬ素子２がガラス基板ｌから突出していること
や、下地加熱を行なうとマスクが延びて密着性が悪くな
ること等によって、所定の幅のストライプ状の背面型［
１０を精度よく形成することが困難である。
そこで、第２絶縁層９の上にフォトレジスト層を形成し
、所定幅でかつ所定ピ・フチの多数のストライプ状に露
光、現像したのち、Ａｔを蒸着して、フォトレジスト層
をその上のＡ４とともに除去する。いわゆるリフトオフ
法によって背面電極１０を形成することが考えられてい
る（特開昭５８−８５２９５号公報）。
、所定幅でかつ所定ピ・フチの多数のストライプ状に露
光、現像したのち、Ａｔを蒸着して、フォトレジスト層
をその上のＡ４とともに除去する。いわゆるリフトオフ
法によって背面電極１０を形成することが考えられてい
る（特開昭５８−８５２９５号公報）。
しかしながら、パネルが大面積であるため、Ａｔ蒸着を
プラネタ方式で行なうと、ステ・７プカパレ１．ジがよ
いこと、レジスト層の膜厚に対してレジスト層の幅寸法
が大きいことに起因して、精度よく背面電極１０を形成
すること＆′ｉ困難であるという問題点があった。
プラネタ方式で行なうと、ステ・７プカパレ１．ジがよ
いこと、レジスト層の膜厚に対してレジスト層の幅寸法
が大きいことに起因して、精度よく背面電極１０を形成
すること＆′ｉ困難であるという問題点があった。
そこで、この発明は、第２絶縁層上に後の現像時に比較
的幅広の第１の開口が形成される第１のポジ型レジスト
層を形成する工程と、第１のホシ型レジスト層上に後の
現像時に前記第１の開口上に比較的幅狭の第２の開口が
形成される第２のポジ型ルジスト層を形成する工程と、
前記第１．第２のポジ型ネジスト層を現像して、上層が
幅広で下層が幅狭のレジスト層を得る工程と、前記レジ
スト層の上から背面１４．極金属を被着する工程と、前
記レジスト層をその上の背面電極金属とともに除去して
、ストライプ状の背面電極を形成することを特徴とする
ものである。
的幅広の第１の開口が形成される第１のポジ型レジスト
層を形成する工程と、第１のホシ型レジスト層上に後の
現像時に前記第１の開口上に比較的幅狭の第２の開口が
形成される第２のポジ型ルジスト層を形成する工程と、
前記第１．第２のポジ型ネジスト層を現像して、上層が
幅広で下層が幅狭のレジスト層を得る工程と、前記レジ
スト層の上から背面１４．極金属を被着する工程と、前
記レジスト層をその上の背面電極金属とともに除去して
、ストライプ状の背面電極を形成することを特徴とする
ものである。
作用 ”
上記の手段によれば、レジスト層が、上層が幅狭状で下
層が幅広状の２段構造の開口を有するため、背面電極金
属を被着した際にステ・ツブカバレッジが悪くなり、レ
ジスト層をその上の背面電極金属とともに除去する際に
、下層のレジスト層の除去が容易になり、結局、ストラ
イプ状の背面電極を精度よく形成することができる。
層が幅広状の２段構造の開口を有するため、背面電極金
属を被着した際にステ・ツブカバレッジが悪くなり、レ
ジスト層をその上の背面電極金属とともに除去する際に
、下層のレジスト層の除去が容易になり、結局、ストラ
イプ状の背面電極を精度よく形成することができる。
実施例
以下、この発明の実施例について、図面を参照して説明
する。
する。
まず、公知の手段によって、ガラス基板１の上に、透明
電極６、第１絶縁層７１発光層８、第２絶縁層９を積層
形成したのち、第１絶縁層９ｏ上に、例えば０−ナフト
キノンジアジド系センシタイザとアルカリ可溶性フェノ
ールノボラ、フク樹脂との組み合わせよりなる第１のポ
ジ型レジスト層１１を厚さ１〜２μ程度に形成し、その
上にマスク１４を重ねて紫外線１５を照射して、第１の
ポジ型レジスト層１１のマスク１４の直下部分以外を光
合成反応によって変質させる。図では、未反応部分に多
数の点々を付したハ、フチングで示し、反応部外をハ、
フチングのみで示して、未反応部分と反応部分とを区別
している（第２図）。
電極６、第１絶縁層７１発光層８、第２絶縁層９を積層
形成したのち、第１絶縁層９ｏ上に、例えば０−ナフト
キノンジアジド系センシタイザとアルカリ可溶性フェノ
ールノボラ、フク樹脂との組み合わせよりなる第１のポ
ジ型レジスト層１１を厚さ１〜２μ程度に形成し、その
上にマスク１４を重ねて紫外線１５を照射して、第１の
ポジ型レジスト層１１のマスク１４の直下部分以外を光
合成反応によって変質させる。図では、未反応部分に多
数の点々を付したハ、フチングで示し、反応部外をハ、
フチングのみで示して、未反応部分と反応部分とを区別
している（第２図）。
次に、第１のポジ型レジスト層１１の未反応部外上に、
前記同様の第２のポジ型レジスト層１２を厚さ１〜２μ
程度に形成し、その上に幅が前記マスク１４より幅広の
マスク１６を重ねて紫外線１５を再び照射して、第２の
ポジ型レジスト層１２のマスク１６の直下部分以外を光
合成反応によって変質させる。未反応部分と反応部分と
の断面は第２図と同様なので、その説明を省略する（第
３図）。
前記同様の第２のポジ型レジスト層１２を厚さ１〜２μ
程度に形成し、その上に幅が前記マスク１４より幅広の
マスク１６を重ねて紫外線１５を再び照射して、第２の
ポジ型レジスト層１２のマスク１６の直下部分以外を光
合成反応によって変質させる。未反応部分と反応部分と
の断面は第２図と同様なので、その説明を省略する（第
３図）。
こののち、前記第１．第２のポジ型レジスト層ｔｔ、ｔ
２を、テトラメチフレアンモニウムハイドロオキサイド
等の現像液を用いて現像すると、前記第２図および第３
図に示す反応部分が溶解除去されて、所定ピ、フチで所
定幅のストライプ状の開口１７が形成される。この開口
１７は、上層の第２のポジ型レジスト層１２の開口１７
ｂが、下層の第１のポジ型レジスト層１１の開口１７１
２より小さく、いわゆる間口が小さく奥が広い断面形状
を有する（第４図）。
２を、テトラメチフレアンモニウムハイドロオキサイド
等の現像液を用いて現像すると、前記第２図および第３
図に示す反応部分が溶解除去されて、所定ピ、フチで所
定幅のストライプ状の開口１７が形成される。この開口
１７は、上層の第２のポジ型レジスト層１２の開口１７
ｂが、下層の第１のポジ型レジスト層１１の開口１７１
２より小さく、いわゆる間口が小さく奥が広い断面形状
を有する（第４図）。
次いで、上記第１．第２のポジ型レジスト層１１゜１２
の上から全面に背面電極金属としてＡｔ１Ｏを厚さ０．
２〜０．３μ程度に蒸着する。すると、上記断面形状の
第１．第２のポジ型レジスト層１１゜１２に起因して、
Ａｔ１Ｏに段切れが生じる（第１図）。
の上から全面に背面電極金属としてＡｔ１Ｏを厚さ０．
２〜０．３μ程度に蒸着する。すると、上記断面形状の
第１．第２のポジ型レジスト層１１゜１２に起因して、
Ａｔ１Ｏに段切れが生じる（第１図）。
最後に、全体を熱Ｈ，ＳＯ，等の剥離剤に浸漬して、第
ｘ、第２のポジ型レジスト層１１．１２を溶解除去する
と、その上のＡｔ１０も除去されて、所定ピ、フチで所
定幅の背面ｔＦＭｌＯが形成される（第５図）。
ｘ、第２のポジ型レジスト層１１．１２を溶解除去する
と、その上のＡｔ１０も除去されて、所定ピ、フチで所
定幅の背面ｔＦＭｌＯが形成される（第５図）。
なお、上記実施例は、第１のポジ型レジスト層１１を所
定幅で露光後、第２のポジ型レジスト層１２を形成して
、第１のポジ型ネジスト層１２と異な本幅で露光して現
像する場合について説明したが、次のようにしてもよい
。
定幅で露光後、第２のポジ型レジスト層１２を形成して
、第１のポジ型ネジスト層１２と異な本幅で露光して現
像する場合について説明したが、次のようにしてもよい
。
すなわち、まず、第１絶縁層９の上に、光散乱性の大き
い第１のポジ型レジスト層を形成後、その上に光散乱性
の小さい第２のポジ型レジスト層を形、成し、第２のポ
ジ型レジスト層の上にマスクを重ねて紫外線を照射して
露光する。すると、前記第１のポジ型レジスト層の光散
乱性が第２のポジ型レジスト層のそれより大きいことに
起因して、第１のポジ型レジスト層の光反応部分の幅が
、第２のポジ型レジスト層の光反応部分の幅より大き
−くなり、これを現像すると、第４図と同様の断４面
形状のレジスト層が得られる。後は、前記と同様の工程
を実施すればよい。ただし、この場合は、第１．第２の
ポジ型レジスト層の開口の端面が、第４図に示すような
、輪郭のはっきりした階段状にならない。
い第１のポジ型レジスト層を形成後、その上に光散乱性
の小さい第２のポジ型レジスト層を形、成し、第２のポ
ジ型レジスト層の上にマスクを重ねて紫外線を照射して
露光する。すると、前記第１のポジ型レジスト層の光散
乱性が第２のポジ型レジスト層のそれより大きいことに
起因して、第１のポジ型レジスト層の光反応部分の幅が
、第２のポジ型レジスト層の光反応部分の幅より大き
−くなり、これを現像すると、第４図と同様の断４面
形状のレジスト層が得られる。後は、前記と同様の工程
を実施すればよい。ただし、この場合は、第１．第２の
ポジ型レジスト層の開口の端面が、第４図に示すような
、輪郭のはっきりした階段状にならない。
発明の効果
この発明によれば、レジスト層が、上層が幅広状で下層
が幅狭状の２層構成に形成され、背面型極金属を蒸着し
た際のステップカバレ、フジが悪くなり、レジスト層を
その上の背面電極金属とともに除去する際に、レジスト
層上の背面電極金属を確実に除去でき、ストライプ状の
背面電極を精度よく形成することができる。
が幅狭状の２層構成に形成され、背面型極金属を蒸着し
た際のステップカバレ、フジが悪くなり、レジスト層を
その上の背面電極金属とともに除去する際に、レジスト
層上の背面電極金属を確実に除去でき、ストライプ状の
背面電極を精度よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図ないし第５図はこの発明の一実施例の背面電極の
形成方法について説明するための各工程の拡大断面図で
、第２図は第１のポジ型レジスト層の露光時、第３図は
第２のポジ型レジスト層の露光時、第４図は第１．第２
のポジ型レジスト層の現像後、第１図は背面電極金属蒸
着後、第５図は第１．第２のポジ型レジスト層をその上
の背面電極金属とともに除去後の状態を示す。 第６図はこの発明の背景となる薄膜ＥＬママトリクスデ
ィスプレイパネルの断面図で、左半分は透明電極に平行
なＸ方向の断面を示し、左半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面を示す。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ガラス基鈑、２・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ＫＩ Ｌ素子、６・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透明電
極、７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・第１絶縁層、８・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・発光層、９・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２絶縁
層、１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
背面電極、１１・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ 第１のポジ型レジスト層、１２・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ 第２のポジ型レジス
ト層、１４．１６・・・・・・・・・マスク、１５・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 紫外線、１
７、・１７ａ、１７ｂ・・・・・・開口。 第 １ 図 茶１つｔ炬゛型しン゛スト層づ１夫」予＾朔−命面第
２ 図 芽２のオζジ゛型、レジスト層１１−１九メ号り径Ｗ面
図第３図 ＄１．Ｗ、２の１′型しシ”′スト冷り顕り象動遂ｗ面
の第４図 ’％１．＄２のオ・°ジ′型しソ゛ストメｔ／Ｉン斡云
、争動−何６５図第５図
形成方法について説明するための各工程の拡大断面図で
、第２図は第１のポジ型レジスト層の露光時、第３図は
第２のポジ型レジスト層の露光時、第４図は第１．第２
のポジ型レジスト層の現像後、第１図は背面電極金属蒸
着後、第５図は第１．第２のポジ型レジスト層をその上
の背面電極金属とともに除去後の状態を示す。 第６図はこの発明の背景となる薄膜ＥＬママトリクスデ
ィスプレイパネルの断面図で、左半分は透明電極に平行
なＸ方向の断面を示し、左半分はＸ方向と直交するＹ方
向の断面を示す。 １・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・ガラス基鈑、２・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・ＫＩ Ｌ素子、６・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・透明電
極、７・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・・第１絶縁層、８・・・・・・・・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・発光層、９・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・第２絶縁
層、１０・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
背面電極、１１・・・・・・・・・・・・・・・・・
・・・・ 第１のポジ型レジスト層、１２・・・・・・
・・・・・・・・・・・・・・・ 第２のポジ型レジス
ト層、１４．１６・・・・・・・・・マスク、１５・・
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・ 紫外線、１
７、・１７ａ、１７ｂ・・・・・・開口。 第 １ 図 茶１つｔ炬゛型しン゛スト層づ１夫」予＾朔−命面第
２ 図 芽２のオζジ゛型、レジスト層１１−１九メ号り径Ｗ面
図第３図 ＄１．Ｗ、２の１′型しシ”′スト冷り顕り象動遂ｗ面
の第４図 ’％１．＄２のオ・°ジ′型しソ゛ストメｔ／Ｉン斡云
、争動−何６５図第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ガラス基板にストライプ状の多数の透明電極を所定ピ
ッチで形成し、その上に第１絶縁層，発光層，第２絶縁
層を積層形成し、第２絶縁層上に前記透明電極と直交す
る方向にストライプ状の多数の背面電極を所定ピッチで
形成する薄膜ＥＬパネルの製造方法において、 前記背面電極を、次の工程で形成することを特徴とする
薄膜ＥＬパネルの製造方法。 （ａ）第２絶縁層上に後の現像時に比較的幅広の第１の
開口が形成される第１のポジ型レジスト層を形成する工
程と、 （ｂ）前記第１のポジ型レジスト層上に、後の現像時に
比較的幅狭の第２の開口が形成される第２のポジ型レジ
スト層を形成する工程と、 （ｃ）前記第１，第２のポジ型レジスト層を現像して
、上層の開口が幅狭状で、下層の開口が幅広状の開口を
形成する工程と、 （ｄ）前記第２のポジ型レジスト層の上から背面電極
金属を被着する工程と、 （ｅ）前記第１，第２のポジ型レジスト層を、その上
の背面電極金属とともに除去する工程。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029096A JPS61188579A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60029096A JPS61188579A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61188579A true JPS61188579A (ja) | 1986-08-22 |
Family
ID=12266822
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60029096A Pending JPS61188579A (ja) | 1985-02-16 | 1985-02-16 | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61188579A (ja) |
-
1985
- 1985-02-16 JP JP60029096A patent/JPS61188579A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101819971B (zh) | 用于液晶显示器的薄膜晶体管 | |
| CN1904702B (zh) | 液晶显示器及其制造方法 | |
| CN101179011A (zh) | 形成单元标识的方法、具有单元标识的显示基板和设备 | |
| US7095458B2 (en) | Identification mark portion in liquid crystal display panel and fabricating method thereof | |
| JP3710529B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 | |
| TW586149B (en) | Graytone mask producing method | |
| JPS62180989A (ja) | 薄膜ｅｌデバイスにおいて電極構造体をパタ−ン形成する為のマスク | |
| JPH09143677A (ja) | 透明導電膜の形成方法 | |
| JP2008233476A (ja) | 感光性樹脂組成物、ブラックマトリクスおよびその製造方法、トランジスタアレイ基板およびその製造方法、並びに、カラーフィルタ基板およびその製造方法 | |
| US6542216B2 (en) | System and method for producing thin film patterns interspersed with voids to admit light to otherwise shadowed regions | |
| JPS61188579A (ja) | 薄膜ｅｌパネルの製造方法 | |
| JP2004225077A (ja) | 蒸着用マスクの製造方法および蒸着用マスク | |
| JP3299167B2 (ja) | 埋設電極付き基板の製造方法 | |
| JPS62240930A (ja) | 液晶表示パネルの製造法 | |
| JPH02204717A (ja) | 液晶表示装置およびその製造法 | |
| JP3055415B2 (ja) | 裏面露光装置、及び非線形素子基板の製造方法 | |
| JPH0627482A (ja) | 電極基板及びそれを用いた液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JP2519523Y2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JPH08124676A (ja) | 薄膜ｅｌ素子の耐熱基板構造 | |
| KR100939848B1 (ko) | 반사형 액정표시소자의 반사판 제조방법 | |
| JPH0666155B2 (ja) | 電極の形成方法 | |
| JP2554862B2 (ja) | 光情報記録体の製造方法 | |
| JPH063813B2 (ja) | 薄膜トランジスタの製造方法 | |
| JPH0315025A (ja) | カラー表示装置の製造方法 | |
| JPH0317622A (ja) | 多色表示装置の製造方法 |